TWI225524B - Metal alloy compositions and plating methods related thereto - Google Patents
Metal alloy compositions and plating methods related thereto Download PDFInfo
- Publication number
- TWI225524B TWI225524B TW90116121A TW90116121A TWI225524B TW I225524 B TWI225524 B TW I225524B TW 90116121 A TW90116121 A TW 90116121A TW 90116121 A TW90116121 A TW 90116121A TW I225524 B TWI225524 B TW I225524B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- composition
- item
- tin
- scope
- plating
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/30—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin
- C25D3/32—Electroplating: Baths therefor from solutions of tin characterised by the organic bath constituents used
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D3/00—Electroplating: Baths therefor
- C25D3/02—Electroplating: Baths therefor from solutions
- C25D3/56—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys
- C25D3/60—Electroplating: Baths therefor from solutions of alloys containing more than 50% by weight of tin
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25D—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PRODUCTION OF COATINGS; ELECTROFORMING; APPARATUS THEREFOR
- C25D7/00—Electroplating characterised by the article coated
- C25D7/12—Semiconductors
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/24—Reinforcing the conductive pattern
- H05K3/244—Finish plating of conductors, especially of copper conductors, e.g. for pads or lands
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10S428/922—Static electricity metal bleed-off metallic stock
- Y10S428/9335—Product by special process
- Y10S428/934—Electrical process
- Y10S428/935—Electroplating
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12708—Sn-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/12—All metal or with adjacent metals
- Y10T428/12493—Composite; i.e., plural, adjacent, spatially distinct metal components [e.g., layers, joint, etc.]
- Y10T428/12708—Sn-base component
- Y10T428/12715—Next to Group IB metal-base component
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/24—Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
- Y10T428/24802—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.]
- Y10T428/24917—Discontinuous or differential coating, impregnation or bond [e.g., artwork, printing, retouched photograph, etc.] including metal layer
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/31504—Composite [nonstructural laminate]
- Y10T428/31678—Of metal
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electroplating And Plating Baths Therefor (AREA)
- Electroplating Methods And Accessories (AREA)
Description
1225524 A7 B7__ 五、發明說明(1 ) [發明背景] 1 ·發明之技術領域 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 概略而言本發明係有關金屬合金範疇,該金屬合金可 用於對廣範之多種物件包括印刷電路板及其它電子封裝裝 置鍍金屬。本發明尤其是有關添加劑及其用於錫及錫_合金 鍍層調配劑作為晶粒精製劑。此外本發明係關於可改良金 屬鍍層溶液特別基於銅的系統之安定性的添加劑。 2.背景 多年來,錫-錯合金電鍍為電子組件需要藉焊接或焊錫 回流而附著至印刷電路板之用途的首選處理。此種錫-鉛合 金用作為焊料以及組件上可焊接的加工劑。焊料溶解溫产 相當重要。對錫-鉛合金而言,183°C溫度(共晶錫-鉛)極為 適合目刖用於電子零件的材料。溶點很高時可能導致印刷 電路板積層變形,而液相曲線溫度顯著降低可能導致於組 裝之裝置的其它加熱處理操作期間焊料接合處非期望地溶 化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由於錯具有毒性故於不久的將來可能在電子零件遭到 禁用。曾經提示多種錫-鉛替代品,包括純錫、錫_銀、錫_ 銅、及錫-絲。 帶有錫塗層的電鍍物件一般為業界已知。電鍍方法涉 及於鍍液中將電流通過兩個電極間,其中一個電極為欲電 鍍物件。一種常見鍍液為酸鍍錫溶液含有(1)溶解錫鹽(例 如燒基續酸錫),(2)酸性電解液(例如烷基磺酸)用量足夠對 浴槽提供導電性以及(3)添加劑(例如界面活性劑、增白 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐^' ------ 1 91857 1225524 A7 B7 五、發明說明(2 ) 劑、均平劑及抑制劑)俾提高鍍層效果及品質。例如美國專 利第5,174,887號(Federman等人發明)揭示一種高速電鍍 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 錫之方法,含有一種含至少一個羥基以及2〇個碳原子或以 下的有機化合物環氧烷縮合產物作為界面活性劑。有機化 合物包括含1至7個碳原子之脂族烴,未飽和芳族化合物 或烧基部份含6個碳原子或以下之烷化芳族化合物。 也眾所周知使用錫-合金電鍍物件例如美國專利第 6,176,996说(Moon)揭不錫_合金電鐘浴槽含有一種锡鹽, 一種選自鋅、銘、鉍、或銅鹽之金屬鹽,甲烷磺酸,導電 性化合物以及錯合劑。 錫電鍍浴槽的問題為不安定,換言之,隨著時間的經 過可此於浴槽形成齡渣。此種游渣係來自於金屬氡化隨後 沉澱於浴槽。曾經有多種添加劑來防止或減少此種淤渣生 成之方案,但此等添加劑皆對金屬沉積物的某些特性例如 晶粒精製上造成不良影響。 於是希望有新穎電鍍組成物。特別希望有具有較高安 疋性’換a之’可防止或減少於渣形成的新穎電鍍組成物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 特別希望有具有改良晶粒精製性的新穎電鍍組成物。 [發明之概要] 本案之發明人頃發現可有效電鍍多種物件包括印刷電 路板及其它電子封裝裝置的新穎電鍍組成物。本發明之電 鍍組成物具有較高晶粒精製程度及安定性。使用本發明組 成物’可免除或至少減少金屬由鍍液沉澱。本發明組成物 及方法特別可用於沉積可焊接加工劑於電子組件例如印刷 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) "2 91857- 1225524 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(3 ) 電路板、半導體封裝體、引線框及連接線上;以及用於沉 積焊料凸塊例如用於積體電路的焊料凸塊(s〇lder bumps)。本組成物也可用於寬廣多種其它電子裝置應用, 例如用於製造積體電路、光電裝置等。 本發明之電鍍組成物之特徵重要部份在於一種添加劑 其可發揮晶粒精製及其安定劑雙重用途。較佳添加劑包含 一或多種具有7Γ電子可被移位的非芳族化合物。此等化合 物例如包括α,点,未飽和系統或其它含有近似(例如於碳 -碳雙鍵1-2碳内部)拉電子基的共軛系統。 通常以含有環内共輛的環狀系統為佳。特佳為酮基_ 烯醇系統。又更佳為環狀酮基-烯醇系統,其含有兩個氧給 予體(oxygen donors)之硬性配置,特別此處烯醇官能基為 環内官能基。 以具有低pKa值的酮基官能基為用於本發明之電鍍組 成物作為安定劑添加劑的特佳系統。 用於本發明之電鍍組成物之添加劑於酸性鍍液之較佳 濃度為約2至約1〇,000毫克/升及更佳約5〇至約2〇〇〇毫 克/升。 較佳添加劑組成物濃度係於整個或至少實質上部份電 鍍週期維持於此種濃度。此種安定劑添加劑濃度的維持包 含於電鍍週期期間由於安定劑添加劑成分被耗用故常規添 加安定劑添加劑。電鍍週期期間添加劑的濃度及補充方便 藉已知方法測定,例如CPVS方法,揭示於美國專利 5,252,196 及 5,223,118 二案皆讓與希普利(Shipiey)& 司; 私紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵G x 297公髮) -——-— ^ 91857 --------^--------- (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225524 A7 一 1 1 ................ ___ 五、發明說明(4 ) 或藉週期電量去除(CVS)方法或液相層析術測定。 除了此種晶粒精製劑/安定劑添加劑外,電鍍浴槽可視 舄要含有一或多種還原劑,晶粒精製劑例如羥基芳族化合 物,濕潤劑,增白劑,擴充電流密度範圍化合物如羧酸, 均平劑等。添加劑混合物也可用於本發明。 本發明也包括製造物件包括電子裝置如印刷電路板、 多晶片模組、引線框、連接線、半導體封裝體、光電裝置 等含有由本發明之鍍液產生的沉積物。 其它本發明之特徵方面討論於後。 [發明之詳細說明] 本發明之電鍍組成物適合含有錫鹽,電解液較佳為酸 I*生水;谷液,以及安定劑添加劑包含一種或多種具有冗電子 可被移位之非芳族化合物。本發明組成物可視需要含有一 或多種還原劑’晶粒精製劑例如羥基芳族化合物,濕潤劑, 增白劑’擴充電流密度範圍化合物如魏酸,均平劑等。 本發明組成物及方法之特徵大半在於使用一或多種安 定劑添加劑。本發明電鍍組成物包含此種安定劑添加劑, 具有加強晶粒精製及改良安定性。使用本發明組成物,可 免除或至少顯著減少金屬由鍍液沉殿。 較佳安定劑添加劑包括具有a,yS,未飽和系統或其 它共輛系統之化合物,其含有一個近似(例如碳_碳雙鍵i _ 2 碳内部)拉電子基(electron-withdrawing group)。 通常也含有環内共輛之環狀系統為佳。特佳為酮基_ 烯醇系統。又更佳為環狀酮基_烯醇系統其含有兩個氧施體 ώψ--------—π---------參 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 4 91857 B7 五、發明說明(5 ) 的硬性排列’特別埽醇官能基係位於環内 代表式IA-IB。 R· 例如參考如下 R-C-C-R":II軻形式
0-H 烯醇形式 於簡單例(R _H,燒基’⑽等)平衡明確向左 :與婦醇形式的差異在於具有—〇〇鍵結,: 科形式有OC’C-0及0_H鍵結。剩基 而 ㈣徵方面示於先進有機化學期刊]Mar^第4版,約翰威利父子公司,1992年,特別注意7〇_74及 585_587 頁。 特㈣基·烯醇互變異構物如下式以式IIA_mc表示。 HO oh
0、 0H
P 丨丨丨·丨-丨丨丨丨—tT_丨丨丨丨丨—丨 · (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
烯醇-酮 IIB
烯醇-烯醇 IIA 具有低pKa之酮基官能基亦為用於本發明之電鍍組成 物作為晶粒精製劑/安定劑添加劑之特佳系統。原因在於於 鍍液之pH,用於鍍錫時該pH為酸性。特佳包括此種結構 特徵之化合物包括羥基化了 —吡喃酮,例如麥芽糖醇,乙基 芽糖酵可吉酸(kojic acid) ’玫康酸(meconic acid),可 過用中國國家標準(CNS)A4規格⑽x 297公爱) 1-mi 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225524 A7 ___ B7_______ 五、發明說明(6 ) 美尼酸(comenic acid);羥基化苯醌例如四氣對苯醌 (cholranilic acid),二羥苯醌;羥基化萘醌如嗜色酸 (chromotropic acid);若干蒽醌類;羥化吡啶酮類,環戊二 酮類,羥基-呋喃酮類,羥基-吼咯啶酮類,環己二酮類等。 本案發明人觀察於低電流密度範圍晶粒精製提升及極 化加強,特別使用安定劑添加劑時尤為如此,安定劑添加 劑例如為麥芽糖醇,乙基麥芽糖醇,3_甲基-L2-環戊二酮 及2,5-二甲基-4-經-3_咲喃酮。此外7 -π比喃酮顯然可溶解 錫(IV)於錫及錫-合金鍍浴,藉此可防止或減少錫(IV)沉澱 量。另一具體實施例中,r -吡喃酮也可穩定無電解銅溶液 不會電鍍出。 用於本發明電鍍組成物之晶粒精製劑/安定劑添加劑 之較佳濃度於酸鍍以為約2至約10,〇〇〇毫克/升及更佳約 50至約2000毫克/升。但使用又更低濃度可獲得良好結 果’例如無電鍍鋼調配劑具有安定劑添加劑濃度為每升金 屬化溶液至少約2毫克。 本發明電鍍組成物及方法特別適合用於錫及錫-合金 鍍浴,包括但非限於錫_銀及錫_鋼浴槽。本發明電鍍組成 物及方法極為適合用於辞及鋅_合金鍍浴。但通常此種組成 物係應用於含其它合金材料如鉍、銦、銻及金的系統。 含本發明電鍍組成物之電鍍浴槽典型之製法係於容器 内加入一或多種酸性電解液,接著加入一或多種鍚化合物 以及視需要加入一或多種其它合金化合物如銅化合物、銀 化合物等;及然後加入一或多種其它添加劑包括晶粒精製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵G χ撕公爱)----— -- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1225524 A7 五、發明說明(7 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 劑/安定劑添加劑。也可使用其它添加本”組成物m :順序。-旦浴槽準備妥’則去除非期望物質例如藉過濟 去除然後加水將浴槽調整至最終容積。浴槽可藉任一種Z 知手段攪動例如攪拌、渦旋或振搖侔提高電鍍^度。 如於前文所討論,本發明電鍵溶液特別可用於沉積可 焊接加工劑於電子組件上,電子組件例如為印刷電路板、 光電子裝置、+導體封裝體、微晶片模組封裝體、组件、 接點、晶片電容器、晶片電阻器、引線拖、及連接線;以 及可用於沉積焊料凸塊例如用於積體電路的焊料凸塊。 任一種可以電解方式鍍上金屬㈣基材皆適合用於根據 本發明之電鍍方法。適當基材包括但非限於:鋼、銅合金、 鎳、鎳合金、含鎳-鐵材料、電子組件、塑膠等。適當塑膠 包括塑膠積層物例如印刷電路板特別鋼護套印刷電路板。 晶粒精製劑/安定劑添加劑可用於廣泛多種電解及無 電解鍍浴,較佳為電解鍍浴。適當鍍浴含有一或多種選自 錫、銅、鎳、銀等金屬,較佳為錫。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 一或多種可用於本發明之錫化合物為任一種溶液可溶 解錫化合物。適當錫化合物包括但非限於錫鹽例如錫鹵化 物,錫硫酸鹽;錫燒續酸鹽例如甲烧績酸錫,乙烧橫酸錫 及丙烷績酸錫;錫芳基磺酸鹽例如苯基磺酸錫及甲苯磺酸 錫;錫燒醇績酸鹽等。使用錫鹵化物時,較佳豳化物為氣 化物。較佳錫化合物為硫酸錫,氯化錫,烷磺酸錫或芳基 磺酸錫,特佳為硫酸錫或甲烷磺酸錫。適當錫烷磺酸鹽包 括甲烷磺酸鹽,乙烷磺酸鹽及丙烷磺酸鹽。適當錫芳基磺 91857 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 1225524 A7 五、發明說明(8 酸鹽包括苯基磺酸錫及甲苯磺酸錫。本發明有用的錫化合 物通常為市面上得自多種不同來源且可未經進一步純化即 供使用。另外本發明使用的錫化合物可藉參考文獻已知方 法製備。 本發明電解液組成物使用的錫化合物用量為可提供錫 含量典型2至1〇〇克/公升及較佳1〇至7〇克/公升之任何 數量。當本發明組成物係以低速電鍍法使用時,其於電解 液組成物存在量典型為2至6〇克/公升及較佳5至20*/ 公升。當本發明組成物用於高速電鍍法時,錫於電解液組 成物之存在量典型為20至1〇〇克/公升及較佳4〇至克/ a升。虽本發明組成物用於高速鋼鍍錫時,鍚用量典型為 5至50克/公升及較佳1〇至3〇克/公升。錫化合物混合物 也可有利地用於本發明,但錫總量為2至1〇〇克/公升。 任何溶液可溶性且對電解液組成物不會造成不良影響 的酸性電解液皆可有利地用於本發明。適當酸性電解液包 括f非限於烷磺酸如甲烷磺酸,乙烷磺酸及丙烷磺酸·芳 基%酸如苯基磺酸或甲苯磺破;硫酸,胺基磺酸,氫氣酸, 氫溴酸,及氟硼酸。以酸性電解液混合物特別有用例如但 非限於烧確酸與疏酸混合物。如此多於一種酸性電解液可 有=地用於本發明。本發明有用的酸性電解液通常為市面 可得且未經進一步純化即供使用。 另外,酸性電解液可藉參考文獻已知方法製借。並型 酸性電解液用量為10至400克/公升及較佳1〇〇至25〇克/ 公升。當本發明組成物用於高速將鋼鍍錫時,酸性電解液 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)k4規格⑵G ) 8 91857 -------f (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂---------#«· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明說明(9 ) 典型之存在量為2〇至8^克,公升及較佳30至60克/公升。 車乂佳*錫化σ物為乳化物時,酸性電解液為對應酸。例如 當氣化錫㈣本發明時,較佳酸性電解液為鹽酸。 或夕種合金化金屬可添加至本電鍍浴槽。適當錫電 鑛浴槽之金屬包括但非限於銅、銀、辞、叙、銦、銻及金。 較佳合金化金屬為鋼及銀。此等合金化金屬典型係呈溶液 可溶化合物形式。 適當金屬化合物包括但非限於金屬齒化物、金屬乙酸 鹽、金屬氟硼酸鹽、金屬硫酸鹽、金屬燒績酸鹽、金屬烧 醇韻鹽、金屬硝酸鹽等。當制㈣化物時較佳函化物 為虱化物。較佳金屬化合物為金屬硫酸鹽、金屬烷磺酸鹽、 或八此0物,及更佳為硫酸鋼、甲烷磺酸酮、甲烷磺酸銀、 或其混合物。較佳使用合金化金屬化合物混合物於本發 明。如此可製造二元、三元或更多元金屬合金。本發明有 用的合金化金屬化合物通常為市面可得或可藉參考文獻已 知方法製造。 本發明電解組成物有用的合金化化合物用量為任一種 可提供金屬含量典型為0·01至10克/公升及較佳〇」至3 克/公升之用量。用於錫-鋼合金電鍍浴槽,鋼之存在量典 型為〇·〇1至5克/公升及較佳〇 02至2克/公升。用於高速 電鍍處理的錫-銅合金電鍍浴槽,銅用量典型為〇 5至 克/公升及較佳0.5至5克/公升。 還原劑添加至本發明電解液組成物輔助維持錫於可溶 性二價態。適當還原劑包括但非限於氫醌及羥基化芳族化 91857 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) τ -I n mMM0 Βϋ ϋ an ϋ 、· 11 n ·ϋ n n ϋ I · 經 濟 部 智 慧 財 產 局 員 工 消 費 合 作 社 印 製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210x 297公髮) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明說明(10 ) 合物例如間苯二酚、穿父心松 兄木盼等。此等還原劑揭示於美國專 利第4,871,429號,以引用古4、你 朴 5丨用方式併入此處至其教示此種化 :物之裝備及用途的程度。還原劑用量為熟諳技藝人士明 已知’但典型係於約〇1克,公升至約5克/公升之範圍。 鮮明沉積物可經由泳^ t 、 領〜宙添加增白劑(或增白劑)至本發明電 解液、、且成物獲付。此種增白劑為熟諳技藝人士眾所周知。 適田增白劑包括但非限於芳族醛類如氯苯甲醛,芳族醛衍 生物如苯甲醛丙酮以及脂族醛類如乙醛或戊醛。此等增白 劑i添加至本發明組成物俾改良沉積物的外觀及反射 率典型增白劑用量為〇 5至3克/公升及較佳i至2克/ 公升。 當用於製造積體電路時,較低濃度增白劑典型用於本 電鑛/谷槽例如本發明電鍍組成物較佳含增白劑濃度對每 公升鍍液至少為約!·5毫克(1 5毫克/公升),比較先前組成 物典型增白劑濃度為約〇 〇5至1〇毫克/公升。更佳用於製 造積體電路之此種電鍍浴槽,增白劑濃度至少為約175毫 克/公升及又更佳至少約2 ' 2·5、3 ' 3 5或4毫克/公升。
有很多種增白劑包括已知之增白劑可用於本電鍍組成 物製造積體電路。典型於此種組成物之增白劑含有一個或 多個硫原子,典型不含任何氮原子以及分子量為約1 〇〇〇 或以下。含有硫銦離子基及/或績酸基之增白劑化合物通常 為較佳特別含有式R,-s_R-so3x基化合物,此處R為視需 要經取代之烷基(包括環烷基),視需要經取代之雜烷基, 視需要經取代之芳基,或視需要經取代之雜環脂族基;X 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 x 297公釐) 91857 (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁)
A7 B7
五、發明說明(11 ) 為相對離子例如納或鉀以及R,為氫或化 1225524 R_S〇3X或更大型化合物取竭。典型燒基含i至約16t 碳,更典型1至約8或12個碳。雜絲於鏈中含-❹個 雜原㈣,s),較佳含1至約16個碳及更佳含^固 :8或12個碳。碳環系芳基典型為芳基如$基及萘基。雜 芳基亦為適當芳基,血型含1 , 一 I各1至約3個N、0或S原子以 及1 3個刀開或稠合環,包括例如香豆素基、嗤琳基 疋基吡’基、嘧啶基、呋喃基、吡咯基、噻吩基、噻唑 基、曙嗤基、曙二唾基、三唾基、嗦嗤基、㈣基 '笨并 呋喃基、苯并噻唑基等。雜環脂族基典型含有丨至3個Ν' 或S原子以及1至3値分開或稠合環,包括例如四氫咲 喃基、噻吩基、四氫吡喃基、哌啶基、嗎琳基、吡咯啶基 等。經取代之烷基、雜烷基、芳基或雜環脂族基之取代基 包括例如Cy烷氧基;Ci 8烷基;鹵原子特別氟、氣及溴; 亂基,及確基等。 較佳增白劑濃度至少維持經歷整個電鍍過程或至少經 歷實質大部份電鍍過程,例如占電鍍處理時間至少約5〇、 60、70、80或90%。如前述,因增白劑濃度隨著電鍍的進 行而被耗用,故增白劑成分較佳於電鍍過程規則補充俾維 持穩態增白劑濃度。 除了鋼鹽、電解液及增白劑外,本發明之鍍浴可視需 要含有多種其它組成分,包括有機添加劑如抑制劑、均平 劑等。 錫電解液組成物進一步包括一種或多種抑制劑化合物 .丨丨丨丨!丨訂·丨丨I — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁} 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 11 91857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225524 A7 ------------B7 _— 五、發明說明(U ) 例如但非限於環氧烷化合物。本發明有用的一種或多種環 氧燒化合物為任一種可獲得具有良好焊接性、良好無光澤 或光澤光整伴以滿意的粒度精製,於酸性電鍍浴十穩定, 可馬速電鍍實質低度起泡且可獲得浴槽濁點高於約η〇γ (43 C至44 °C)的沉積物。較佳於電鍍過程環氧烷化合物不 會造成浴槽起泡。適當環氧烷化合物包括但非限於環氧乙 烷/環氧丙烷(「E0/P0」)共聚物,含有至少一個羥基以及 2〇個碳或以下之環氧烷縮合產物,經由添加氧丙烯至聚氧 乙二醇製備之化合物等。典型之EO/P〇共聚物具有平均分 子里約500至約10,000,及較佳約1000至約5000。較佳 環氧烷化合物為EO/PO共聚物。 含有至少1個羥基以及20碳或以下之有機化合物之適 當環氧燒縮合產物包括含有i至7個碳原子之脂族烴,未 經取代之芳族化合物,或烧基部份含約6個碳原子或以下 之烷基化芳族化合物,例如揭示於美國專利第5,174,887 號,以引用方式併入此處至其教示此等化合物之製備及用 途的程度。脂族醇可為飽和或未飽和。適當芳族化合物含 有至多兩個芳香環。芳族醇於使用環氧乙烷(「E〇」)衍生 刖含有至多2 0個碳原子。此種脂族及芳族環可進一步經取 代例如以硫酸根或磺酸根取代。此等適當環氧烷化合物包 括但非限於:含12莫耳EO之乙氧化聚笨乙烯化酚,含5 莫耳EO之乙氧化丁醇,含16莫耳EO之乙氧化丁醇,含 8莫耳EO之乙氧化丁醇,含12莫耳E〇之乙氧化辛醇, 含13莫耳EO之乙氧化万-萘酴,含1〇莫耳之乙氧化 ϋ n H ϋ .1 ϋ I I n I · 1 n ϋ a— n έ§ n -ϋ ϋ n n ϋ ϋ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 12 91857 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225524
雙酚A,含30莫耳E0之乙氧化硫酸化雙酚a,以及含8 莫耳EO之乙氧化雙酚a。 典型之一種或多種環氧烷化合物於本發明之電解液組 成物存在量為0.1至15克/公升及較佳〇 5至1〇克/公升。 此外或另外,本組成物包括一或多種聚伸烷基二醇 類。適當聚伸烷基二醇為任一種可與電解液組成物相容, 獲得具有良好焊接性沉積物,良妤無光澤或光澤光整且具 有滿意的晶粒精製程度,於酸性電鍍浴槽安定,可高速電 鍍,實質上低度發泡,獲得浴槽濁點高於約π〇τ(43^至 44°C)的聚伸烷基二醇。適當聚伸烷基二醇包括但非限於聚 乙二酵及聚丙二醇,較佳為聚乙二醇。此等聚伸烷基二醇 通常於市面上可得自多個來源,且可未經進一步純化即供 使用。 本發明有用之典型之聚伸烷基二醇具有平均分子量約 200至約1〇〇,〇〇〇及較佳約9〇〇至約2〇〇〇〇。此種聚伸烷 基一醇於本發明之電解液組成物之存在量為約〇·1至15克 /公升,較佳約0.25至約1〇克/公升及更佳約〇 5至約8克 /公升。 其它適當抑制劑包括但非限於胺類如乙氧化胺類,聚 氧伸烧基胺類及烷醇胺類;醯胺類;烷基聚醚磺酸酯類,· 錯合界面活性劑例如烷氧化二胺類,及三價鋼或二價銅離 子錯合劑包括安婆(entpr〇l),檸檬酸,艾迪提(edetic acid), /酉石酸,納酒石酸卸,乙腈,庫普因及耻咬。典 型此等其它抑制劑係以前文說明之等量應用。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(21〇 X 297公釐) 13 91857 1225524 A7 ____B7 _ 五、發明說明(l4 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 特別適當之用於本發明之電鍍組成物之界面活性劑為 市售聚乙二醇共聚物包括聚乙二醇共聚物。此等共聚物可 得自例如BASF公司(BASF公司以特綢尼克(Tetr〇nic)及普 隆尼克(Pluronic)商品名出售)以及得自奇馬士(Chemax)公 司之共聚物。以具有分子量約18〇〇得自奇馬士公司之丁醇 -環氧乙烧-環氧丙烧共聚物為特佳。 熟諳技藝人士顯然易知叛基芳族化合物或其它濕潤劑 可添加至本發明之電解液組成物俾提供進一步晶粒精製。 此種叛基芳族化合物可作為晶粒精製劑,可添加至本發明 之電解液組成物俾進一步改良沉積物外觀及操作電流密度 犯圍。廣泛之多種羧基芳族化合物為熟諳技藝人士眾所周 知例如吡啶甲酸、菸鹼酸及異菸鹼酸。適當其它濕潤劑包 括但非限於燒氧酸酯類,如聚乙氧化胺類傑法明 (JEFFAMINE) T-403或崔頓(TRITON)RW或硫酸化烷基乙 氧酸酯類例如崔頓QS_15以及明膠或明膠衍生物。本發明 之晶粒精製劑用量為業界人士眾所週知,典型為〇 〇1至2〇 克/公升,較佳0.5至8克/公升及更佳丨至5克/公升之範 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 圍。 金屬電鍍組成物適合以先前金屬電鍍浴槽之類似方式 使用,但採用一種或多種晶粒精製劑/安定劑添加劑且較佳 於整個電鍍週期維持於所示濃度。本發明之電解液組成物 可用於需要錫或錫-合金沉積物之任一種電鍍方法。適當電 鍍方法包括但非限於桶電鍍'架電鍍及高速電鍍。錫或錫_ 口金沉積物可藉基材接觸前述電解液組成物以及將電流通 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格⑵G χ撕公餐)-Π-9Τ857- 1225524 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明說明(15 ) 過電解液而沉積錫或錫-合金於基材上之步驟電鍍於基材 上。 本發明之電解液組成物及由其中製備的電鍍浴為酸 座’換g之’具有pH小於7,典型小於1。若需要具有特 疋pH之組成物例如2.5至4.5,則須適當調整pH。pH的 調整可藉任一種已知方法例如添加鹼或使用較少量酸性電 解液進行。本發明之電解液組成物具有pH為2.5至4.5, 特別適合用於電鍍含有pH敏感材料的組件,例如玻璃或 陶瓷電容器及電阻器。 本發明之電鍍浴較佳係於或高於室溫例如高達或略高 於25C之ini度使用。典型溫度為但非限於60至150°F(15 至66。〇或以上,較佳70至125°F(21至52。〇及更佳75 至12〇Τ(23至49。〇。熟諳技藝人士須了解較低電鍍溫度 典型係以低速或非高速電鍍系統及/或使用增白劑進行。熟 諳技藝人士須了解較高溫用於高速電鍍系統。電鍍組成物 典型於使用期間經攪動,例如藉空氣噴射器、工作件攪動、 衝擊或其它適當方法。依據欲電鍍金屬、使用的特定電鍍 方法及基材特性而定,電鑛較佳係於i至2〇〇〇 ASF(〇 !至 200 ASD)之電流進行。當使用非高速電鍍法時,電流密度 典型係於1 i 40ASF及較佳1至3〇 ASF之範圍例如當 本發明電解液組成物用於高速電鍍處理沉錫: 時,適當電流密度為1。一,結果導致錫 度典型為1至15微米。依據工作件困難度而定,電鍍時間 為5分鐘至1小時或更久。概略參考後文較佳範例程序。 ^紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公爱)一 15 91857 ·丨—丨I丨丨丨.丨丨丨丨丨i丨. (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225524 A7 B7 五、發明說明(16 ) 本發明特別適合沉積可焊接加工劑於電子裝置基材 上。多種基材可使用本發明组成物鍍層,如前文所討論。 適當基材包括但非限於電路板、光電子裝置、半導體封裝 體、微晶片模組封裝體、組件、接點、晶片電容器、晶片 電阻器、引線框、連接線或積體電路。參考後述實例有關 根據本發明電鍍的範例基材。 此處所述全部參考文獻皆以引用方式併入本文。下列 非限制性實例係供舉例說明本發明。 實例1(純錫) 本發明電鍍組成物係經由混合下列組成分而製備。 錫(呈甲烷磺酸亞錫) 40克/公升 甲烷磺酸 200毫升/公升 聚烷醇酸酯 2克/公升 乙基麥芽糖醇 1克/公升 電解液浴槽係經由組合電鍍組成物於水獲得預定容積 製備。印刷電路板基材置於浴槽内使用14.5毫安/平方厘 米電鍍(波形為直流;鍍浴溫度為35。〇。電鍍後,移開基 板發現含有預定錫沉積物。觀察到電鍍組成物可有效鍍 層,具有半明亮一致外觀。電鍍組成物也具有改良晶粒精 製程度及安定度。 實例2(錫-銀;低CD簸圚) 重複實例1程序,但電鍍組成物含有下列組成份。觀 察得類似高品質結果。 錫(呈甲烷磺酸亞錫) 20克/公升 (請先閱讀背面之注音?事項再填寫本頁)
▼裝---------訂---------AVVI 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS)A4規格(210 X 297公釐) 16 91857 1225524 A7 B7 五、發明說明(17 ) 銀(呈甲烷磺酸銀) 硫脈 甲烷磺酸 聚烷醇酸酯 乙基麥芽糖醇 〇 · 5克/公升 3克/公升 5〇毫升/公升 2克/公升 〇·6克/公升 〇. 3克/公升 麥芽糖醇 實例3(錫_錕;高CD範JI ) 重複實例1程序,但電鍍組成物含有下列組成份 察得類似南品質結果。 觀 錫(呈甲烷磺酸亞錫) 銀(呈甲烷磺酸銀) 硫脲 甲烷磺酸 聚烷醇酸酯 乙基麥芽糖醇 3·甲基-1,2-環戊烷二酮 5 〇克/公升 1 · 5克/公升 6克/公升 200毫升/公升 2克/公升 〇 · 2 5克/公升 0.25克/公升 -----------裝---------訂--------- (請先閱讀背面之注咅?事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 實例4(錫-銅) 重複實例1程序,但電鍍組成物含有下列組成份。觀 察得類似高品質結果。 錫(呈甲烷磺酸亞錫) 銅(呈甲烷磺酸銅) 甲烷磺酸 聚烷醇酸酯 乙基麥芽糖醇 60克/公升 2克/公升 200毫升/公升 4.5克/公升 1克/公升 本紙張尺錢(eNS)A4 Μ⑵_公楚) 17 91857
Claims (1)
- :Ξ 二 I第90116121號專利申請案 申請專利範圍修正本 •一種電鍍組成物,包含·· 至少二種可溶性金屬鹽, 一種電解液,以及 一種包括環狀酮基-烯醇系 劑添加齊|J。 2.如申請專利範圍第1項之組成物,其中一 錫鹽。 (93年4月15 曰 統之晶粒精製劑/安定 種金屬鹽包含 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 3·如申請專利範圍第!項之組成物,其中,第二種金 包含鋼或銀鹽。 4’ ::請專利範圍第1項之組成物,其中該晶粒精製劑/ 安定劑添加劑具有濃度為每升電鍍組成物2毫克至 10,000 毫克。 5·如申請專利範圍第1項之組成物,其中該晶粒精製劑/ 女疋劑添加劑具有濃度為每公升電鍍組成物5 0毫克至 2000毫克。 6·如申請專利範圍第1項之組成物,其進一步包含一 白劑。 7 ·如申晴專利範圍第1項之組成物,其進一步包含一 制劑。 屬鹽 種增 種抑 8 ·如申凊專利範圍第1項之組成物,其中該組成物進一步 包含一種均平劑。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇〉<297公釐) 91857(修正版) 9·如申料利範圍第i項之組成物,其中該電錢組成物為 酸性。 10.—種沉積可焊接加工劑於電子裝置基材之方法,該方法 包含: 於基材上電解沉積一種得自電鍍組成物之金屬合 金,該組成物包含至少二種可溶性金屬鹽,一種電解 液,至少一種包括環狀酮基-烯醇系統之晶粒精製劑/安 定劑添加劑。 11·如申請專利範圍第10項之方法,其中一種金屬鹽包含 錫鹽。 12·如申請專利範圍第1〇項之方法,其中該晶粒精製劑/安 定劑添加劑具有濃度為每公升電鍍組成物2毫克至 10,000 毫克。 13·如申請專利範圍第10項之方法,其中該晶粒精製劑/安 定劑添加劑具有濃度為每公升電鍍組成物50毫克至 2000毫克。 14·如申請專利範圍第1〇項之方法,其進一步包含一種增 白劑。 經濟部中央標準局員工福利委員會印製 15 ·如申請專利範圍第i 〇項之方法,其中該組成物進一步 包含一種抑制劑。 1 6.如申請專利範圍第丨〇項之方法,其中該組成物進一步 包含一種均平劑。 17.如申請專利範圍第丨〇項之方法,其中該基材為印刷電 路板基材或帶有一個或多個微通孔之半導體。 本紙張尺度適用中國國家標準(cns) ϊΠϋ (210 x 297/^y 2 91857(修正版) 1225524 敏濟部中央標準局員工福利委員會印製 18.如申請專利範圍第1G項之方法,其中該基 模組基材。 文日日片 19_如申請專利範圍第 电鍍組成物,其係於製造物件 電子裝置基材上形成電解金屬合金沉積物。 20·如申請專利範圍第19項之電鍵組成物,其中該 電路板、光電子裝置、半導體封震體、微Γ片模組 封衣體、組件接點、晶片電容哭、日 、’ 电谷态日日片電阻器、弓I線框、 連接線或積體電路。 2ι.如申請專利範圍第i項之組成物,其中之 心禋金屬鹽包 枯鋅、銅、銀或鎳鹽。 22.如申請專利範圍第1〇項之方法,其中之—種金屬鹽包 括鋅、銅、銀或鎳鹽。 91857(修正版) 本戒張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐)
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US21566400P | 2000-07-01 | 2000-07-01 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI225524B true TWI225524B (en) | 2004-12-21 |
Family
ID=22803874
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW90116121A TWI225524B (en) | 2000-07-01 | 2001-07-02 | Metal alloy compositions and plating methods related thereto |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6706418B2 (zh) |
EP (1) | EP1167582B1 (zh) |
JP (1) | JP2002121692A (zh) |
KR (1) | KR20020003104A (zh) |
DE (1) | DE60113333T2 (zh) |
TW (1) | TWI225524B (zh) |
Families Citing this family (49)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6821323B1 (en) * | 1999-11-12 | 2004-11-23 | Enthone Inc. | Process for the non-galvanic tin plating of copper or copper alloys |
US6797146B2 (en) * | 2000-11-02 | 2004-09-28 | Shipley Company, L.L.C. | Seed layer repair |
US6730209B2 (en) * | 2002-02-22 | 2004-05-04 | Lucent Technologies Inc. | Solder electroplating bath including brighteners having reduced volatility |
EP1422320A1 (en) * | 2002-11-21 | 2004-05-26 | Shipley Company, L.L.C. | Copper electroplating bath |
JP4441726B2 (ja) * | 2003-01-24 | 2010-03-31 | 石原薬品株式会社 | スズ又はスズ合金の脂肪族スルホン酸メッキ浴の製造方法 |
JP4758614B2 (ja) * | 2003-04-07 | 2011-08-31 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 電気めっき組成物および方法 |
DE102004003784B4 (de) | 2004-01-23 | 2011-01-13 | Ormecon Gmbh | Dispersion intrinsisch leitfähigen Polyanilins und deren Verwendung |
EP1730215B1 (en) * | 2004-03-18 | 2017-08-16 | Enthone GmbH | A composition comprising a conductive polymer in colloidal form and carbon |
DE102004030388A1 (de) * | 2004-06-23 | 2006-01-26 | Ormecon Gmbh | Artikel mit einer Beschichtung von elektrisch leitfähigem Polymer und Verfahren zu deren Herstellung |
DE102004030930A1 (de) * | 2004-06-25 | 2006-02-23 | Ormecon Gmbh | Zinnbeschichtete Leiterplatten mit geringer Neigung zur Whiskerbildung |
US8349393B2 (en) * | 2004-07-29 | 2013-01-08 | Enthone Inc. | Silver plating in electronics manufacture |
US20060096867A1 (en) * | 2004-11-10 | 2006-05-11 | George Bokisa | Tin alloy electroplating system |
TWI400365B (zh) | 2004-11-12 | 2013-07-01 | Enthone | 微電子裝置上的銅電沈積 |
DE102005006281B4 (de) | 2005-02-10 | 2014-07-17 | Infineon Technologies Ag | Hochfrequenzleistungsbauteil mit Goldbeschichtungen und Verfahren zur Herstellung desselben |
DE102005010162B4 (de) * | 2005-03-02 | 2007-06-14 | Ormecon Gmbh | Leitfähige Polymere aus Teilchen mit anisotroper Morphologie |
DE102005016819B4 (de) * | 2005-04-12 | 2009-10-01 | Dr.-Ing. Max Schlötter GmbH & Co KG | Elektrolyt, Verfahren zur Abscheidung von Zinn-Wismut-Legierungsschichten und Verwendung des Elektrolyten |
US7713859B2 (en) * | 2005-08-15 | 2010-05-11 | Enthone Inc. | Tin-silver solder bumping in electronics manufacture |
DE102005039608A1 (de) * | 2005-08-19 | 2007-03-01 | Ormecon Gmbh | Zusammensetzung mit intrinsisch leitfähigem Polymer |
US7615255B2 (en) * | 2005-09-07 | 2009-11-10 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Metal duplex method |
CN101248499B (zh) * | 2005-10-28 | 2011-02-02 | 株式会社村田制作所 | 层叠型电子部件及其制造方法 |
KR101338824B1 (ko) | 2005-12-01 | 2013-12-06 | 스미토모 고무 고교 가부시키가이샤 | 금속 코드, 고무 코드 복합체 및 이들을 이용한 공기 타이어 |
CN101326324B (zh) | 2005-12-13 | 2012-10-31 | 住友橡胶工业株式会社 | 金属帘线、橡胶-帘线复合体以及使用该复合体的充气轮胎 |
US20070178697A1 (en) * | 2006-02-02 | 2007-08-02 | Enthone Inc. | Copper electrodeposition in microelectronics |
KR101422529B1 (ko) * | 2006-09-13 | 2014-07-24 | 엔쏜 인코포레이티드 | 전기적 전도성 중합체 및 귀금속/준귀금속으로 코팅된 물품 및 그 제조방법 |
JP5337352B2 (ja) | 2007-04-24 | 2013-11-06 | ローム・アンド・ハース・エレクトロニック・マテリアルズ,エル.エル.シー. | 錫または錫合金電気めっき液 |
TWI341554B (en) * | 2007-08-02 | 2011-05-01 | Enthone | Copper metallization of through silicon via |
US7905994B2 (en) | 2007-10-03 | 2011-03-15 | Moses Lake Industries, Inc. | Substrate holder and electroplating system |
US20090188553A1 (en) * | 2008-01-25 | 2009-07-30 | Emat Technology, Llc | Methods of fabricating solar-cell structures and resulting solar-cell structures |
DE502008000573D1 (de) * | 2008-02-29 | 2010-06-02 | Atotech Deutschland Gmbh | Pyrophosphat-basiertes Bad zur Abscheidung von Zinn-Legierungsschichten |
US10221496B2 (en) | 2008-11-26 | 2019-03-05 | Macdermid Enthone Inc. | Copper filling of through silicon vias |
US8388824B2 (en) | 2008-11-26 | 2013-03-05 | Enthone Inc. | Method and composition for electrodeposition of copper in microelectronics with dipyridyl-based levelers |
EP2221396A1 (en) * | 2008-12-31 | 2010-08-25 | Rohm and Haas Electronic Materials LLC | Lead-Free Tin Alloy Electroplating Compositions and Methods |
US8262894B2 (en) | 2009-04-30 | 2012-09-11 | Moses Lake Industries, Inc. | High speed copper plating bath |
US9175400B2 (en) * | 2009-10-28 | 2015-11-03 | Enthone Inc. | Immersion tin silver plating in electronics manufacture |
US9631282B2 (en) | 2010-06-30 | 2017-04-25 | Schauenburg Ruhrkunststoff Gmbh | Method for depositing a nickel-metal layer |
WO2012001132A1 (de) * | 2010-06-30 | 2012-01-05 | Schauenburg Ruhrkunststoff Gmbh | Tribologisch belastbare edelmetall/metallschichten |
US9221081B1 (en) | 2011-08-01 | 2015-12-29 | Novellus Systems, Inc. | Automated cleaning of wafer plating assembly |
US9988734B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-06-05 | Lam Research Corporation | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
US9228270B2 (en) | 2011-08-15 | 2016-01-05 | Novellus Systems, Inc. | Lipseals and contact elements for semiconductor electroplating apparatuses |
US10066311B2 (en) | 2011-08-15 | 2018-09-04 | Lam Research Corporation | Multi-contact lipseals and associated electroplating methods |
SG10201608038VA (en) * | 2012-03-28 | 2016-11-29 | Novellus Systems Inc | Methods and apparatuses for cleaning electroplating substrate holders |
KR102092416B1 (ko) | 2012-03-30 | 2020-03-24 | 노벨러스 시스템즈, 인코포레이티드 | 역전류 디플레이팅을 이용한 전기도금 기판 홀더의 클리닝 |
US9243339B2 (en) | 2012-05-25 | 2016-01-26 | Trevor Pearson | Additives for producing copper electrodeposits having low oxygen content |
US10072347B2 (en) | 2012-07-31 | 2018-09-11 | The Boeing Company | Systems and methods for tin antimony plating |
US10416092B2 (en) | 2013-02-15 | 2019-09-17 | Lam Research Corporation | Remote detection of plating on wafer holding apparatus |
US20140319681A1 (en) * | 2013-04-24 | 2014-10-30 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Semiconductor package including solder ball |
US10053793B2 (en) | 2015-07-09 | 2018-08-21 | Lam Research Corporation | Integrated elastomeric lipseal and cup bottom for reducing wafer sticking |
CN105648483B (zh) * | 2016-04-11 | 2018-09-18 | 济南德锡科技有限公司 | 一种高速镀锡溶液及其制备方法 |
DE102017125954A1 (de) * | 2017-11-07 | 2019-05-09 | RIAG Oberflächentechnik AG | Außen stromloses Verfahren zur Erzeugung einer Nickellegierung und entsprechender Elektrolyt |
Family Cites Families (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2109887A (en) | 1935-09-28 | 1938-03-01 | Hanson Van Winkle Munning Co | Bright zinc plating |
NL6505921A (zh) | 1965-05-11 | 1966-11-14 | ||
GB1304844A (zh) | 1969-04-24 | 1973-01-31 | ||
US3769179A (en) * | 1972-01-19 | 1973-10-30 | Kewanee Oil Co | Copper plating process for printed circuits |
DE2510870A1 (de) | 1974-03-14 | 1975-09-25 | Toho Beslon Co | Glanzzusatz fuer aus pb-sn-legierungen bestehende galvanische ueberzuege |
JPS51123731A (en) | 1975-04-22 | 1976-10-28 | Nippon Kagaku Sangyo Kk | Bright tin plating bath |
US4075065A (en) * | 1975-07-07 | 1978-02-21 | Handy & Harman | Gold plating bath and process |
SU768859A1 (ru) | 1978-04-14 | 1980-10-07 | Институт Химии И Химической Технологии Ан Литовской Сср | Электролит лужени |
US4242182A (en) | 1978-07-21 | 1980-12-30 | Francine Popescu | Bright tin electroplating bath |
JPS60245797A (ja) | 1984-05-18 | 1985-12-05 | Nippon Steel Corp | 非水溶媒系電気メツキ液およびその製造法 |
US4830903A (en) | 1986-08-29 | 1989-05-16 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Catalytic deposition of metals in solid matrices |
JP2572792B2 (ja) | 1987-12-11 | 1997-01-16 | エヌ・イーケムキャット株式会社 | 酸化防止剤 |
US4849059A (en) | 1988-09-13 | 1989-07-18 | Macdermid, Incorporated | Aqueous electroplating bath and method for electroplating tin and/or lead and a defoaming agent therefor |
RU2113555C1 (ru) | 1996-03-26 | 1998-06-20 | Российский химико-технологический университет им.Д.И.Менделеева | Кислый электролит для электроосаждения белстящих покрытий сплавом олово-свинец |
US6267863B1 (en) * | 1999-02-05 | 2001-07-31 | Lucent Technologies Inc. | Electroplating solution for electroplating lead and lead/tin alloys |
-
2001
- 2001-06-29 DE DE2001613333 patent/DE60113333T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-29 US US09/895,470 patent/US6706418B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2001-06-29 EP EP01305682A patent/EP1167582B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2001-07-02 JP JP2001201342A patent/JP2002121692A/ja active Pending
- 2001-07-02 KR KR1020010039301A patent/KR20020003104A/ko not_active Application Discontinuation
- 2001-07-02 TW TW90116121A patent/TWI225524B/zh not_active IP Right Cessation
-
2003
- 2003-07-16 US US10/620,957 patent/US6773568B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US6706418B2 (en) | 2004-03-16 |
KR20020003104A (ko) | 2002-01-10 |
DE60113333T2 (de) | 2006-07-06 |
EP1167582A1 (en) | 2002-01-02 |
EP1167582B1 (en) | 2005-09-14 |
US6773568B2 (en) | 2004-08-10 |
US20020153260A1 (en) | 2002-10-24 |
JP2002121692A (ja) | 2002-04-26 |
US20040086697A1 (en) | 2004-05-06 |
DE60113333D1 (de) | 2005-10-20 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI225524B (en) | Metal alloy compositions and plating methods related thereto | |
TWI252870B (en) | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate | |
KR100885648B1 (ko) | 주석 도금 | |
JP5442188B2 (ja) | 銅めっき液組成物 | |
TW587104B (en) | Plating bath and method for depositing a metal layer on a substrate | |
KR101319863B1 (ko) | 주석 전기도금액 및 주석 전기도금 방법 | |
KR102078045B1 (ko) | 도금조 및 방법 | |
TW201026904A (en) | Method for replenishing tin and its alloying metals in electrolyte solutions | |
KR20020073434A (ko) | 주석 도금 | |
US20020127847A1 (en) | Electrochemical co-deposition of metals for electronic device manufacture | |
TW573071B (en) | Tin-copper alloy composition deposited on substrate and plating method for the same | |
TWI234591B (en) | An acid bath for electrodeposition of glossy gold and gold alloy layers and a gloss additive for same | |
US4981564A (en) | Additives for electroplating compositions and methods for their use | |
JP3632499B2 (ja) | 錫−銀系合金電気めっき浴 | |
US4923576A (en) | Additives for electroplating compositions and methods for their use | |
US7122108B2 (en) | Tin-silver electrolyte | |
KR20000057911A (ko) | 납과 납/주석 합금의 전기 도금용 전해액 | |
US20070037005A1 (en) | Tin-silver electrolyte | |
JPH02301588A (ja) | 錫,鉛,錫―鉛合金電気めっき浴及び電気めっき方法 | |
TWI728396B (zh) | 錫合金鍍敷液 | |
CN115404471B (zh) | 一种无电解镀锡溶液及应用 | |
TW500836B (en) | Low-lead-content plating process | |
JPH024978A (ja) | 無電解インジウムめっき浴 | |
JP2001240993A (ja) | 錫電気めっき液及びめっき方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |