DE60101840T2 - Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver - Google Patents

Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver Download PDF

Info

Publication number
DE60101840T2
DE60101840T2 DE2001601840 DE60101840T DE60101840T2 DE 60101840 T2 DE60101840 T2 DE 60101840T2 DE 2001601840 DE2001601840 DE 2001601840 DE 60101840 T DE60101840 T DE 60101840T DE 60101840 T2 DE60101840 T2 DE 60101840T2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode
plasma
gas
plasma arc
reactor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
DE2001601840
Other languages
English (en)
Other versions
DE60101840D1 (de
Inventor
Edward David DEEGAN
David Chris CHAPMAN
Paul Timothy JOHNSON
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Tetronics International Ltd
Original Assignee
Tetronics Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB0003081A external-priority patent/GB2359096B/en
Priority claimed from GB0020106A external-priority patent/GB2365876A/en
Application filed by Tetronics Ltd filed Critical Tetronics Ltd
Publication of DE60101840D1 publication Critical patent/DE60101840D1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE60101840T2 publication Critical patent/DE60101840T2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/14Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes using electric discharge
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J19/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J19/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J19/087Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J19/088Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/02Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes
    • B22F9/12Making metallic powder or suspensions thereof using physical processes starting from gaseous material
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/26Plasma torches
    • H05H1/32Plasma torches using an arc
    • H05H1/42Plasma torches using an arc with provisions for introducing materials into the plasma, e.g. powder, liquid
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05HPLASMA TECHNIQUE; PRODUCTION OF ACCELERATED ELECTRICALLY-CHARGED PARTICLES OR OF NEUTRONS; PRODUCTION OR ACCELERATION OF NEUTRAL MOLECULAR OR ATOMIC BEAMS
    • H05H1/00Generating plasma; Handling plasma
    • H05H1/24Generating plasma
    • H05H1/48Generating plasma using an arc
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/02Apparatus characterised by their chemically-resistant properties
    • B01J2219/0204Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components
    • B01J2219/0227Apparatus characterised by their chemically-resistant properties comprising coatings on the surfaces in direct contact with the reactive components of graphite
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0809Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes employing two or more electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0816Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes involving moving electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0816Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes involving moving electrodes
    • B01J2219/082Sliding electrodes
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0824Details relating to the shape of the electrodes
    • B01J2219/0826Details relating to the shape of the electrodes essentially linear
    • B01J2219/083Details relating to the shape of the electrodes essentially linear cylindrical
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0824Details relating to the shape of the electrodes
    • B01J2219/0835Details relating to the shape of the electrodes substantially flat
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0837Details relating to the material of the electrodes
    • B01J2219/0839Carbon
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0803Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy
    • B01J2219/0805Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges
    • B01J2219/0807Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electric or magnetic energy giving rise to electric discharges involving electrodes
    • B01J2219/0837Details relating to the material of the electrodes
    • B01J2219/0841Metal
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0869Feeding or evacuating the reactor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0871Heating or cooling of the reactor
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0873Materials to be treated
    • B01J2219/0879Solid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0873Materials to be treated
    • B01J2219/0881Two or more materials
    • B01J2219/0886Gas-solid
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894Processes carried out in the presence of a plasma
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B01PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
    • B01JCHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
    • B01J2219/00Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
    • B01J2219/08Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
    • B01J2219/0894Processes carried out in the presence of a plasma
    • B01J2219/0898Hot plasma
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F2999/00Aspects linked to processes or compositions used in powder metallurgy

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • General Health & Medical Sciences (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Physical Or Chemical Processes And Apparatus (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Discharge Heating (AREA)

Description

  • Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf eine Vorrichtung und ein Verfahren zur Herstellung von Pulvern. Insbesondere wird ein Plasmalichtbogenreaktor bereitgestellt, der in einem Plasmaverdampfungsverfahren verwendet werden kann, um Aluminiumpulver in Submikron- oder Nanometergrößenordnung (d. h. in Nano-Größenordnung) herzustellen.
  • Metall- und Keramikpulver werden bei Sinterverfahren in der Metallurgie und bei der Katalyse in der chemischen Industrie eingesetzt. Diese Pulver können bei der Herstellung von Konstruktionsteilen, Magnetschichten, chemischen Beschichtungen, Ölzusätzen, Treibstoffzusätzen und auch in Sprengstoffen verwendet werden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt einen Plasmalichtbogenreaktor zur Herstellung eines Pulvers aus festem Zufuhrmaterial bereit, wobei der Reaktor umfasst:
    • (a) eine erste Elektrode,
    • (b) eine zweite Elektrode, welche dazu ausgelegt ist, von der ersten Elektrode um einen Abstand beabstandet zu sein, der ausreicht, um einen Plasmalichtbogen dazwischen zu erzielen,
    • (c) Einrichtungen zum Einleiten eines Plasmagases in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode,
    • (d) Einrichtungen zum Erzeugen eines Plasmalichtbogens in dem Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode,
    bei dem die erste Elektrode einen durch sie hindurchgehenden Kanal aufweist, wobei ein Auslass des Kanals in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode mündet, und bei dem Einrichtungen vorgesehen sind, um festes Zufuhrmaterial in und durch den Kanal zuzuführen, damit es daraus über den Auslass in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode austritt.
  • So wie er hier verwendet wird, soll der Begriff Elektrode einen Plasmabrenner umfassen.
  • Die erste Elektrode ist vorzugsweise im Hinblick auf die zweite Elektrode aus einer ersten Position, bei der ein Lichtbogenabschnitt von ihr einen Lichtbogenabschnitt der zweiten Elektrode berührt, in eine zweite Position beweglich, bei der die Lichtbogenabschnitte um einen Abstand voneinander beabstandet sind, der ausreicht, um einen Plasmalichtbogen dazwischen zu erzielen. Dies ist vorteilhaft, weil das Kontaktieren der ersten und der zweiten Elektrode zum Zünden des Plasmalichtbogens beiträgt. Es ist klar, dass unter dem Begriff Lichtbogenabschnitt die Bereiche oder Punkte auf den Oberflächen der ersten und der zweiten Elektrode gemeint sind, zwischen denen ein Plasmalichtbogen erzeugt werden kann.
  • Die erste Elektrode kann vorzugsweise die Form eines hohlen länglichen Teils annehmen, dessen Innenoberfläche einen geschlossenen Kanal (einer Bohrung oder einem Durchgang entsprechend) bildet. Das längliche Teil endet an einer Lichtbogenspitze, welche im Gebrauch einem Lichtbogenabschnitt der zweiten Elektrode gegenüberliegt. Der Auslass des geschlossenen Kanals ist bei der oder angrenzend an die Lichtbogenspitze angeordnet. In diesem Fall kann die erste Elektrode in Form eines hohlen Stabs, Zylinders oder Rohrs sein. Die erste Elektrode kann von Haus aus als hohler Gegenstand gebildet sein. Alternativ kann die erste Elektrode als massiver Gegenstand gebildet sein, um nachfolgend eine Bohrung oder einen Durchgang durch sie zu bilden. Wenn der Auslass an der Lichtbogenspitze angeordnet ist, ist klar, dass die Endfläche des länglichen Teils sowohl die Lichtbogenspitze der Elektrode als auch den Auslass des geschlossenen Kanals bildet. Die erste Elektrode wirkt typischerweise als Kathode.
  • Die zweite Elektrode, die als Gegenelektrode wirkt, kann jede geeignete Form annehmen, die ermöglicht, dass ein Plasmalichtbogen zwischen ihr und der ersten Elektrode erzeugt werden kann. Die zweite Elektrode kann einfach einen im Wesentlichen planen Lichtbogenabschnitt besitzen. Beispielsweise kann die zweite Elektrode als planes Substrat auf der Bodenwand des Plasmareaktors angeordnet sein.
  • Die Lichtbogenabschnitte der ersten und/oder zweiten Elektrode bestehen im Allgemeinen aus Kohlenstoff, vorzugsweise Graphit.
  • Der Plasmareaktor kann in Form eines graphitausgekleideten Behälters oder eines Graphittiegels vorgesehen sein, in dem ein Abschnitt von diesem als zweite Elektrode wirkt. Dementsprechend kann die zweite Elektrode mit dem Reaktorbehälter integral ausgebildet sein.
  • In einer bevorzugten Ausführungsform stellt ein Teil der oder die ganze Innenfläche der Plasmalichtbogenreaktorkammer die zweite Elektrode dar. Die Kammer kann eine Graphitreaktorkammer oder eine graphitausgekleidete Reaktorkammer sein.
  • Es ist auch vorzuziehen, die zweite Elektrode so als Anode auszulegen, dass im Gebrauch Metallionen von ihr elektrostatisch abgestoßen werden.
  • Weder die erste noch die zweite Elektrode muss geerdet werden.
  • Der Plasmalichtbogenreaktor umfasst vorteilhafter Weise noch Kühleinrichtungen zum Kühlen und Kondensieren des Feststoffs, der im zwischen der ersten und der zweiten Elektrode entstandenen Plasmalichtbogen verdampft wurde. Die Kühleinrichtung umfasst vorzugsweise eine Kühlgasquelle.
  • Die zweite Elektrode umfasst vorzugsweise einen Graphitbehälter mit einer Oberfläche, die dazu ausgelegt ist, verdampftes Material stromabwärts zu einer Kühlzone zu leiten, um im Gebrauch durch ein Kühlgas gekühlt zu werden.
  • Eine Auffangzone kann stromabwärts von der Kühlzone vorgesehen sein, um ein Pulver des kondensierten verdampften Materials aufzufangen. Die Auffangzone kann ein Filtertuch umfassen, welches die Pulverpartikel vom Gasstrom trennt. Das Filtertuch ist vorzugsweise an einem geerdeten Käfig angebracht, um das Entstehen einer elektrostatischen Aufladung zu verhindern. Das Pulver kann dann, vorzugsweise in der Zone einer gesteuerten Atmosphäre, vom Filtertuch abgesammelt werden. Das sich ergebende Pulverprodukt wird dann vorzugsweise in Inertgas in einem Behälter bei einem über Normaldruck liegenden Druck eingeschlossen.
  • Der Kanal in der ersten Elektrode ist vorteilhafter Weise so ausgelegt, dass zusätzlich das Plasmagas in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode eingeleitet wird. Auf diese Weise können das feste Zufuhrmaterial und das Plasmagas durch einen gemeinsamen Kanal laufen und über einen gemeinsamen Auslass aus der Elektrode in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode austreten.
  • Die Einrichtungen zum Erzeugen eines Plasmalichtbogens im Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode umfasst im Allgemeinen eine Gleich- oder Wechselstromquelle.
  • Falls gewünscht können eine oder mehrere zusätzliche Elektrode/n, die auch einen darin ausgebildeten Zufuhrkanal haben, verwendet werden, um zu ermöglichen, dass unterschiedliche Materialen gemeinsam in einen einzelnen Plasmareaktor zugeführt werden können. Es kann eine gemeinsame Gegenelektrode verwendet werden oder alternativ können gesonderte Gegenelektroden vorgesehen sein, die jeweils einer Elektrode mit einem darin ausgebildeten Kanal gegenüberliegen. Es können gemeinsame oder getrennte Stromversorgungen verwendet werden, obwohl getrennte Stromversorgungen bevorzugt sind, weil dies unterschiedliche Verdampfungsraten für unterschiedliche Materialien zulässt.
  • Die Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann ohne irgendwelche wassergekühlten Elemente innerhalb des Plasmareaktors zu verwenden arbeiten und kann auch ein Nachfüllen festen Zufuhrmaterials zulassen, ohne den Reaktor dabei anzuhalten. Eine Wasserkühlung kann zu einem Wärmeschock und Materialbruch führen. Es können auch unerwünschte Reaktionen zwischen Wasserdampf und den in Verarbeitung befindlichen Materialien stattfinden.
  • Die Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann darüber hinaus Einrichtungen umfassen, um festes Zufuhrmaterial zur ersten Elektrode zu transportieren. Ist das feste Zufuhrmaterial in Form eines Drahtes, umfasst die Vorrichtung vorzugsweise eine Drahtvorhaltung. Beispielsweise kann die Vorrichtung einen Behälter oder Halter für den Draht umfassen, vorzugsweise eine Spule oder Rolle. Vorzugsweise sind auch Einrichtungen vorgesehen, um den Draht von der Drahtvorhaltung zur ersten Elektrode zu transportieren, wo der Draht in den Kanal zugeführt wird. Dies kann beispielsweise durch Verwendung eines Elektromotors bewerkstelligt werden.
  • Die vorliegende Erfindung stellt auch ein Verfahren zur Herstellung eines Pulvers aus einem festen Zufuhrmaterial bereit, welches Verfahren umfasst:
    • (i) Bereitstellen eines wie hier beschriebenen Plasmalichtbogenreaktors;
    • (ii) Einleiten eines Plasmagases in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode,
    • (iii) Erzeugen eines Plasmalichtbogens im Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode,
    • (iv) Zuführen von Festmaterial durch den Kanal, damit es über dessen Auslass in den Plasmalichtbogen austritt, wodurch das Festmaterial verdampft wird,
    • (v) Kühlen des verdampften Materials, um es zu einem Pulver zu kondensieren, und
    • (vi) Auffangen des Pulvers.
  • Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung kann als Gas-/Dampfphasenkondensationsverfahren betrachtet werden. Bei solch einem Verfahren wird ein Plasma erzeugt, um das feste Zufuhrmaterial zu verdampfen, und in der Dampfphase findet eine Materialzerlegung statt. Der Dampf wird danach abgekühlt und setzt sich in Festphasenpartikel um.
  • Das feste Zufuhrmaterial umfasst ein oder besteht im Allgemeinen aus einem Metall, beispielsweise Aluminium, Nickel oder Wolfram, einschließlich Legierungen, die ein oder mehrere dieser Metalle enthalten. Aluminium oder Aluminiumlegierungen sind bevorzugt. Das feste Zufuhrmaterial kann in jeder geeigneten Form vorgesehen werden, die es ermöglicht, dass es in und durch den Kanal zugeführt werden kann, damit es von dort in den Raum zwischen den Elektroden austreten kann. Beispielsweise kann das Material in Form von Draht, Fasern und/oder Partikeln sein. Das feste Zufuhrmaterial muss nicht in einer sekundären Trägerphase wie einem flüssigen Träger bereitgestellt werden.
  • Das feste Zufuhrmaterial wird vorzugsweise in Form eines durchgehenden Drahtes bereitgestellt. Dies ist vorteilhaft, weil man herausgefunden hat, dass das Bereitstellen des festen Zufuhrmaterials in Form eines Drahtes bei der Zufuhr des Materials zur Plasmazone und in den Plasmakern hilfreich ist.
  • Das Plasmagas umfasst ein oder besteht im Allgemeinen aus einem Inertgas, beispielsweise Helium und/oder Argon.
  • Das Plasmagas wird vorteilhafter Weise in den Kanal in der ersten Elektrode eingeblasen, damit es von dort in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode austritt. In diesem Fall treten das Plasmagas und das Festmaterial vorzugsweise über einen gemeinsamen Auslass aus der ersten Elektrode aus. Das Plasmagas und das Festmaterial können in den Kanal in der ersten Elektrode über einen gemeinsamen Einlass oder alternativ über gesonderte Einlässe zugeführt werden. Während des Betriebs werden das Plasmagas und das Festmaterial gemeinsam in den Kanal eingeleitet.
  • Die Volumenfließrate des Plasmagases wird vorzugsweise überwacht, um die Eigenschaften des Wärmeübergangs zwischen Material und Plasma zu optimieren und das Material bis zur Zerteilung zur Dampfphase hin zu fördern.
  • Zumindest eine gewisse Kühlung des verdampften Materials kann erzielt werden, indem ein Strom Inertgas, beispielsweise Argon und/oder Helium verwendet wird. Alternativ oder in Kombination mit der Verwendung von Inertgas kann ein Strom reaktiven Gases verwendet werden. Die Verwendung eines reaktiven Gases ermöglicht, dass Oxid- oder Nitridpulver hergestellt werden können. Beispielsweise kann die Verwendung von Luft zum Kühlen des verdampften Materials zur Herstellung von Oxidpulvern wie Aluminiumoxidpulvern führen. Auf ähnliche Weise kann die Verwendung eines reaktiven Gases, das beispielsweise Ammoniak umfasst, zur Herstellung von Nitridpulvern wie Aluminiumnitridpulvern führen. Das Kühlgas kann über eine wassergekühlte Klimatisierungskammer wiederaufbereitet werden.
  • Die Oberfläche des Pulvers kann unter Verwendung eines passivierenden Gasstroms oxidiert werden. Das ist dann besonders vorteilhaft, wenn das Material Aluminium ist oder auf Aluminium basiert. Das passivierende Gas kann ein sauerstoffhaltiges Gas umfassen, und ein besonders bevorzugtes Gas umfasst 95 bis 99 Vol.-% eines Inertgases wie Helium und/oder Argon, und 1 bis 5 Vol-% Sauerstoff, noch bevorzugter ca. 98 Vol.-% des/der Inertgase/s und ca. 2 Vol.-% Sauerstoff. Man fand heraus, dass solch ein Gasgemisch besonders gute Ergebnisse bei Aluminium und auf Aluminium basierenden Materialien hervorruft. Die Passivierungsgase werden vorzugsweise vorgemischt, um eine stellenweise Gasphasenanreicherung und mögliche Explosionen zu verhindern. Das (inerte) Kühlgas kann wiederaufbereitet und anschließend bei einer Rate von typischerweise 1 Nm3/h mit Sauerstoff verdünnt werden, um den Passivierungsgasstrom bereitzustellen. Das Aluminium wirkt für den Sauerstoff als Fänger und reagiert damit, mit dem Ergebnis, dass der Teildruck innerhalb der Kammer abfällt. Wird der Druck in der Kammer überwacht, zeigt ein anschließender Anstieg des Teildrucks an, dass die Oberfläche des Aluminiumpulvers im Wesentlichen vollständig passiviert wurde. Die Reaktivität einiger ultrafeiner Pulver stellt ein betriebliches Risiko dar, falls die Wahrscheinlichkeit eines Kontakts mit beispielsweise Wasser und/oder Luft besteht. Die Passivierungsstufe macht das pulverisierte Material zum Transport geeigneter.
  • Bei Aluminium für bestimmte Anwendungen ist vorzuziehen, dass im Plasma im Wesentlichen keine Oxidation stattfindet. Es ist auch vorzuziehen, dass das Kühlen des verdampften Materials unter Verwendung eines Stroms Inertgases wie Argon und/oder Helium bewerkstelligt wird. Dementsprechend findet die Passivierungsstufe vorzugsweise nur statt, nachdem das Pulver gekühlt wurde. In einer bevorzugten Ausführungsform wird das feste Zufuhrmaterial, beispielsweise Aluminiumdraht, zum Kern des Plasmas zugeführt, wo es verdampft wird. Der Metalldampf wird dann zu einem separaten Abkühlbereich geleitet, wo er in einem Inertgasstrom abgekühlt wird und sich in ein verfestigtes Pulver umsetzt. Dieses feste Pulver wird dann unter Oxidationsbedingungen bei niedriger Temperatur Sauerstoff ausgesetzt, so dass das Oxid zu einer einschränkenden Dicke aufwächst und sich dann selbst reguliert, d. h. das Oxid unterbindet eine weitere Oxidation. Dieser Prozess des Aussetzens/der Reaktion mit Sauerstoff findet abseits des Plasmakerns statt.
  • Das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung kann eingesetzt werden, um ein pulverisiertes Material wie Aluminium herzustellen, wovon im Wesentlichen alle Partikel einen Durchmesser von weniger als 200 nm haben. Vorzugsweise liegt der durchschnittliche Partikeldurchmesser im Bereich von 50 bis 150 nm, bevorzugter von 80 bis 120 nm, und noch bevorzugter von 90 bis 110 nm.
  • Eine Analyse der spezifischen Oberfläche hat gezeigt, dass das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann, um ein pulverisiertes Material wie Aluminium herzustellen, welches eine spezifische Oberfläche typischerweise im Bereich von 15 bis 40 m2g–1, und noch typischer im Bereich von 25 bis 30 m2g–1 hat.
  • Es wird klar, dass die Verarbeitungsbedingungen wie Material- und Gaszufuhrraten, Temperatur und Druck auf das spezielle Material, das verarbeitet werden soll, und die Sollgröße der Partikel im endgültigen Pulver zugeschnitten sein müssen.
  • Vorzugsweise stellt ein Teil der oder die gesamte Innenfläche des Reaktionsbehälters die zweite Elektrode dar. Die zweite Elektrode ist vorzugsweise die Anode, und die erste Elektrode ist vorzugsweise die Kathode. Bei bestimmten Anwendungen besteht die erste und/oder zweite Elektrode aus einem Material, das bei der betreffenden Temperatur nicht mit dem Zufuhrmaterial reagiert.
  • Sowohl die erste als auch die zweite Elektrode bestehen vorzugsweise aus einem Kohlenstoffmaterial, vorzugsweise Graphit. Dementsprechend kann der Reaktionsbehälter eine Graphitreaktionskammer oder eine graphitausgekleidete Reaktionskammer sein, welche die zweite Elektrode darstellt.
  • Allgemein ist vorzuziehen, den Reaktor vor dem Verdampfen des festen Zufuhrmaterials vorzuheizen. Der Reaktor kann auf eine Temperatur von bis zu typischerweise 2500°C, noch typischer von 500°C bis 2500°C vorgeheizt werden. Bei einem Aluminiumzufuhrmaterial wird der Reaktor bevorzugt auf eine Temperatur von 2000°C bis 2500°C vorgeheizt, bevorzugter von 2200°C bis 2500°C, und noch bevorzugter von 2300°C bis 2500°C. Das Vorheizen kann durch jede geeignete Einrichtung erfolgen, obwohl es vorzugsweise unter Verwendung eines Plasmalichtbogens geschieht. Vorzugsweise wird im Wesentlichen der gesamte Innenraum des Reaktiohsbehälters vorgeheizt.
  • Die Rate, mit der das feste Zufuhrmaterial in den Kanal in der ersten Elektrode eingespeist wird, wirkt sich auf den Produktertrag und die Pulverkorngröße aus. Beim Einsatz von Aluminiumdraht wurde eine Zufuhrrate von 1 bis 5 kg/h verwendet, noch typischer ca. 2 kg/h. Der Aluminiumdraht besitzt typischerweise ein Maß von 1 bis 10 mm, noch typischer 1 bis 5 mm.
  • Das inerte Plasmagas, beispielsweise Helium, kann durch den Kanal in der ersten Elektrode mit einer Rate von 2,4 bis 6 Nm3/h, noch typischer ca. 3 Nm3/h eingeblasen werden.
  • Wird eine Gleichstromversorgung zur Erzeugung des Plasmalichtbogens verwendet, wird die Gleichstromamperezahl im Allgemeinen auf einen Wert im Bereich von 400 bis 800 A eingestellt. Typische elektrische Gleichstromkennlinien liegen im Größenbereich von 800 A und zwischen 30 und 40 V mit einer Plasmalichtbogensäulenlänge von 60 bis 70 mm.
  • Das Verfahren und der Plasmalichtbogenreaktor nach der vorliegenden Erfindung werden typischerweise über Normaldruck, noch typischer bei einem Überschuss von 750 mm Wasser über Normaldruck eingesetzt. Dies verhindert oder trägt dazu bei, dass atmosphärischer Sauerstoff in die Plasmazone eindringt, was zu einer unerwünschten chemischen Reaktion führen könnte. Ist das Zufuhrmaterial Aluminium, ist vorzuziehen, den Plasmalichtbogenreaktor über Normaldruck zu betreiben, typischerweise bis zu 45 inWG (Zoll Wasserstandsanzeige), noch typischer 15 bis 35 inWG. Ein Betrieb bei einem Druck über Normaldruck hat auch den Vorteil, dass er zu einem höheren Ertrag an Partikelmaterial führt.
  • Wird ein Kühlgas, vorzugsweise ein Inertgas wie Argon oder Helium zum Kühlen und Kondensieren des verdampften Materials verwendet, fand man heraus, dass eine Fließrate von 60 bis 120 Nm3/h ein Aluminiumpulver ergibt, bei dem der überwiegende Teil, wenn nicht im Wesentlichen alle der Partikel einen Durchmesser von weniger als 200 nm (noch typischer ≤ 100 nm) haben. Nach dem Kühlen beträgt die Gas- und Partikeltemperatur typischerweise 300 bis 350°C.
  • Bei einem Aluminiumzufuhrmaterial kann das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden, um ein pulverisiertes Material mit einer Zusammensetzung zu erzeugen, die auf einem Gemisch aus Aluminiummetall und Aluminiumoxid beruht. Man geht davon aus, dass dies mit der Sauerstoffzugabe zum Material während der Verarbeitung unter Oxidationsbedingungen bei niedriger Temperatur einhergeht. Dementsprechend stellt die vorliegende Erfindung auch ein Partikelmaterial bereit, das Partikel mit einem Kern, der Aluminium umfasst oder im Wesentlichen daraus besteht, und einer Oberflächenschicht umfasst, die Aluminiumoxid umfasst oder im Wesentlichen daraus besteht, welches Partikelmaterial durch ein wie hier beschriebenes Verfahren erhalten werden kann.
  • Im Wesentlichen oxidiert nur die Oberfläche der Partikel und eine oberflächenspezifische Analyse hat gezeigt, dass der Oxidbestandteil des Pulvers im Allgemeinen mit der Oberfläche zusammenhängt und die Oxidschicht typischerweise weniger als ca. 10 nm dick ist, noch typischer weniger als ca. 5 nm dick ist. Somit kann solch ein Material als einzeln verkapselt bezeichnet werden. Im Wesentlichen alle der Partikel des mit Oxid überzogenen Aluminiums haben einen Durchmesser von weniger als 200 nm, und der durchschnittliche Partikeldurchmesser liegt typischerweise im Bereich von 50 bis 150 nm, typischer von 80 bis 120 nm, und noch typischer von 90 bis 110 nm. Die spezifische Oberfläche der mit Oxid überzogenen Aluminiumpartikel liegt typischerweise im Bereich von 15 bis 40 m2g–1, typischer im Bereich von 25 bis 30 m2g–1.
  • Eine Untersuchung des Partikelmaterials mittels TEM und Elektronendiffraktion zeigt an, dass die Aluminiumpartikel im Wesentlichen ein einzelner Kristall, d. h. monokristallin sind.
  • Die vorliegende Erfindung wird nun noch beispielhaft mit Bezug auf die beigefügten Zeichnungen beschrieben:
  • 1 zeigt eine Ausführungsform einer Elektrodenkonfiguration, die in einem Plasmalichtbogenreaktor nach der vorliegenden Erfindung eingesetzt werden kann;
  • 2 liefert ein Ablaufdiagramm eines Verfahrens nach der vorliegenden Erfindung;
  • Die 3(a) und (b) sind zweite Elektronenmikrobilder von Aluminiumpulvern, die durch das Verfahren nach der vorliegenden Anmeldung hergestellt wurden (Vergrößerung: × 100.000 (a) und × 200.000 (b);
  • 4 ist eine graphische Darstellung, die zeigt, wie sich die spezifische Oberfläche eines idealen nanometrischen Aluminiumpulvers mit dem Partikeldurchmesser ändert;
  • 5 ist eine graphische Darstellung, die zeigt, wie sich der Oxidgehalt eines idealen nanometrischen Aluminiumpulvers mit dem Partikeldurchmesser ändert;
  • 6 ist eine graphische Darstellung, die eine primäre (1. Erwärmung) DSC-Analyse für eine Aluminiumprobe zeigt;
  • 7 ist eine graphische Darstellung, die eine sekundäre (2. Erwärmung) DSC-Analyse für eine Aluminiumprobe zeigt; und
  • 8 ist ein Übersichtsspektrum von nanometrischem Al-Pulver, das durch XPS analysiert wurde.
  • In 1 ist eine erste Elektrode 5 in Form eines zylindrischen Graphitstabs vorgesehen, welcher an einer Lichtbogenspitze 6 endet. Falls gewünscht, kann der obere Abschnitt der Graphitelektrode 5 durch Kupfer ersetzt werden. Die Elektrode 5 besitzt eine in ihr ausgebildete Zentralbohrung, die sich entlang der Länge der Elektrode 5 erstreckt. Die Oberfläche der Bohrung bildet einen geschlossenen Kanal 7 (oder Durchgang) mit einem Einlass 8 an einem Ende und einem Auslass 9, der an der Lichtbogenspitze 6 angeordnet ist.
  • Eine zweite Gegenelektrode 10 ist als Teil eines graphitausgekleideten Reaktorbehälters 13 vorgesehen (siehe 1 und 2). In 1 ist nur ein Lichtbogenabschnitt 11 auf der Innenfläche der Bodenwand 12 des Behälters 13 gezeigt. Der ganze Behälter 13 ist in 2 gezeigt, und es ist ersichtlich, dass die Gegenelektrode einen integralen Bestandteil des Reaktorbehälters 13 bildet. Der Lichtbogenabschnitt 11 der zweiten Elektrode 10 liegt der Lichtbogenspitze 6 der ersten Elektrode 5 gegenüber.
  • Die erste 5 und die zweite Elektrode 10 sind an eine Gleichstromversorgung 15 angeschlossen. Die erste Elektrode 5 ist die Kathode, und die zweite Elektrode ist die Anode 10, obwohl klar ist, dass die Polaritäten auch umgekehrt sein können.
  • Die erste Elektrode 5 ist im Hinblick auf die zweite Elektrode 10 beweglich und kann von daher gesenkt werden, um an deren Lichtbogenspitze 6 mit dem Lichtbogenabschnitt 11 der zweiten Elektrode 10 in Berührung zu kommen, um den elektrischen Kreislauf zu schließen. Der Gleichstromamperewert aus der Stromversorgung 15 wird im Allgemeinen auf einen Wert von 400 bis 800 A eingestellt. Indem die erste Elektrode 5 angehoben wird, kann ein Gleichstromplasmalichtbogen zwischen der Lichtbogenspitze 6 der ersten Elektrode 5 und dem Lichtbogenabschnitt 11 der zweiten Elektrode 10 hergestellt werden.
  • Ein festes Zufuhrmaterial, beispielsweise Aluminiumdraht 20, kann in den Einlass 8 zugeführt werden, um den Kanal 7 hinunter, aus dem Auslass 9 heraus und in den Raum zwischen der Lichtbogenspitze 6 der ersten Elektrode 5 und den Lichtbogenabschnitt 11 der zweiten Elektrode 10 zu laufen. Ein inertes Plasmagas 25 wie Argon und/oder Helium kann auf ähnliche Weise über den Einlass 8 durch den Kanal 7 eingeblasen werden, um am Auslass 9 aus der ersten Elektrode auszutreten. Dementsprechend kann sowohl der Aluminiumdraht 20 als auch das Plasmagas 25 über einen gemeinsamen Einlass 8 in die erste Elektrode 5 eintreten und über einen gemeinsamen Auslass 9 an der Lichtbogenspitze 6 die Elektrode 5 wieder verlassen.
  • Der Draht 20 kann durch eine herkömmliche Einrichtung wie eine Spule oder Rolle vorgehalten und durch einen mehrstufigen Motor in den Einlass 8 eingespeist werden. Das Plasmagas 25 kann durch eine herkömmliche Einrichtung in einem Gasbehälter vorgehalten werden, und ein gesteuertes Einblasen in den Einlass kann unter Verwendung eines Ventils erfolgen. Dementsprechend können die Zufuhrraten sowohl des Drahtes als auch des Plasmagases gesteuert werden.
  • Im Gebrauch wird der graphitausgekleidete Behälter 10 auf eine Temperatur von mindestens ca. 2000°C (typischerweise ca. 2200°C bis 2300°C) unter Verwendung des Plasmalichtbogens vorgeheizt. Dies bringt das Einblasen eines inerten Plasmagases 25 durch den Kanal 7 in die erste Elektrode 5 und ein Einschalten der Stromversorgung 15 mit sich.
  • Der Reaktor wird typischerweise mit einem Überschuss von 750 mm Wasser über Normaldruck betrieben.
  • Wenn der Reaktor vorgeheizt ist, wird Aluminiumdraht 20 mit einer Rate von typischerweise 2 kg/h dann in den Einlass 8 des Kanals 7 in die erste Elektrode 5 zugeführt. Inertes Plasmagas wird auch in den Kanal 7 eingeblasen, typischerweise mit einer Rate von 2,4 bis 6 Nm3/h, noch typischer ca. 3 Nm3/h.
  • Typische elektrische Gleichstromkennlinien liegen in der Größenordnung von 800 A und 30 bis 40 V mit einer Plasmalichtbogensäulenlänge ab 60 mm und 70 mm.
  • Auf diese Weise wird der Aluminiumdraht 20 im heißen Plasmagas verdampft (Schritt A in 2). Der Draht 20 und das Plasmagas 25 werden kontinuierlich in den Kanal 7 der ersten Elektrode 5 eingespeist, wenn der Draht 20 im Plasmalichtbogen verdampft wird. Gegebenenfalls wird ein Beharrungszustand erreicht. Es ist klar, dass die Zufuhrraten des Drahtes 20 und/oder Gases 25 während der Verarbeitung eingestellt werden können.
  • Das verdampfte Aluminium und das heiße Plasmagas treten unter der Einwirkung des Gases aus dem Reaktorbehälter aus, das durch den Kanal 7 in der ersten Elektrode 5 eingeblasen wird. Das verdampfte Aluminium wird dann in einer Kühlzone 30 unter Verwendung eines Stroms kühlenden Inertgases wie Argon oder Helium abgekühlt, um ein Aluminiumpulver in Submikronpartikelgröße zu kondensieren (Schritt B in 2). Die Fließrate des Kühlgasstrom beträgt typischerweise 60 bis 120 Nm3/h, und die Partikel des Aluminiumpulvers haben typischerweise einen Durchmesser von ≤ 200 nm (noch typischer ≤ 100 nm). Nach der Abkühlung durch Inertgas beträgt die Gas- und Partikeltemperatur typischerweise 300 bis 350°C.
  • Falls gewünscht, kann als Nächstes ein Passivierungsschritt in einer Passivierungszone 35 stromabwärts der Kühlzone 30 durchgeführt werden (Schritt C in 2). Dies kann auf verschiedene Weisen erfolgen. Das Kühlgas kann zur weiteren Abkühlung in eine wassergekühlte Aufbereitungskammer rückgeleitet und dann zusammen mit bis zu 5 Vol.-% Sauerstoff, der mit dem Pulver in Berührung kommen soll, in die Vorrichtung zurück eingeblasen werden. Typischerweise wird der Sauerstoff mit einer Rate von ca. 1 Nm3/h eingeführt. Alternativ kann eine separate Quelle des Passivierungsgases verwendet werden. Die Temperatur während des Passivierungsschritts liegt typischerweise im Bereich von 100 bis 200°C.
  • Nach dem Passivierungsschritt gehen die Pulverpartikel und der Gasstrom zu einer Auffangzone 40 über, die ein (nicht gezeigtes) Filtertuch enthält, um die Partikel vom Gas zu trennen (siehe Schritt D in 2). Das Filtertuch ist vorzugsweise auf einem geerdeten Käfig angebracht, um das Entstehen einer elektrostatischen Aufladung zu verhindert. Das Gas kann wiederaufbereitet werden.
  • Das Pulver kann dann, vorzugsweise in einer Zone mit gesteuerter Atmosphäre, vom Filtertuch abgesammelt werden. Das sich ergebende Pulverprodukt wird dann vorzugsweise in Inertgas bei einem Druck über Normaldruck in einem Behälter eingeschlossen.
  • Falls gewünscht, kann eine oder können mehrere zusätzliche Elektrode/n mit einem darin ausgebildeten Kanal verwendet werden, um gleichzeitig verschiedene Metalle in einen einzelnen Plasmabehälter zuzuführen, um beispielsweise Pulverlegierungen, Gemische in Submikron- und Nanogröße, Oxide und Nitride zu erzeugen. Es kann eine gemeinsame Gegenelektrode verwendet werden, oder alternativ können gesonderte Gegenelektroden vorgesehen werden, wovon jede einer Elektrode mit einem darin ausgebildeten Kanal gegenüberliegt. Es können gemeinsame oder separate Stromversorgungen verwendet werden, obwohl separate Stromversorgungen bevorzugt sind, weil dadurch unterschiedliche Verdampfungsraten für unterschiedliche Metalle möglich werden.
  • Beispiel
  • Dieses Beispiel bezieht sich auf die Herstellung eines nanometrischen Aluminiumpulvers unter Verwendung von Gleichstromluftplasmatechnologie, welche eine saubere, steuerbare und gerichtete Wärmequelle ist. Aluminiumpulver lassen sich bei Sinterprozessen in der Metallurgie und bei der Katalyse in der chemischen Industrie einsetzen. Diese Pulver können bei der Herstellung von Konstruktionsteilen, Magnetschichten, chemischen Beschichtungen, Ölzusätzen, Treibstoffzusätzen und auch in Sprengstoffen verwendet werden.
  • Das Verfahren macht sich den Mechanismus der Gasphasenkondensation zunutze. Das Verfahren bietet den Vorteil eines hohen Durchsatzes (kg/h) unter Prozessbedingungen mit Inertgasgemisch, gefolgt von steuerbarer Materialpassivierung während der pneumatischen Beförderung und Feinverteilung über Normaldruck. Das Material wird auf eine voll überwachte und automatisierte Weise hergestellt, gekühlt, passiviert (d. h. unter Niedrigtemperaturbedingungen oberflächenoxidiert), aufgefangen und verpackt.
  • Der ursprüngliche im Prozess verwendete Zufuhrdraht (Vorläufer) ist eine Knetlegierung mit der Bezeichnung 1050A, ASTM = ER1100, DIN = S-AL 9915. Dieser Draht besitzt eine Nennzusammensetzung von 99,6 Gew.-% Al, die Hauptfremdstoffe sind Si und Fe mit maximal 0,25 Gew.-% bzw. 0,40 Gew.-%.
  • Der Aluminium- und Aluminiumoxidgehalt kann nicht direkt bestimmt werden, und so wurde eine quantitative Elementanalyse größerer Pulverbestandteile vorgenommen. Die Berechnung ging davon aus, dass der gesamte Sauerstoff in Aluminiumoxid mit der Stöchiometrie Al2O3 gebunden war. Ein vorgeeichtes Sauerstoff- und Stickstoffanalysegerät Leco TC436 wurde zur Bestimmung des Sauerstoffgehalts verwendet. Ein vorgeeichtes Kohlenstoff- und Schwefelanalysegerät Leco CS344 wurde zur Kohlenstoffanalyse verwendet. Energiedispersive Röntgenstrahlenfluoreszenzspektroskopie (EDXRF) wurde verwendet, um das Pulver auf hohe Gehalte an Fremdstoff zu überprüfen. Ein induktiv gekoppeltes Atom-Plasmaemissionsspektrometer (ICPAES) wurde verwendet, um die Lösungen quantitativ auf den durch EDXRF festgestellten hohen Fremdstoffgehalt zu analysieren.
  • Die EDXRF-Analyse zeigte signifikante Gehalte an Calcium, obwohl andere Fremdstoffe mit sehr niedrigen Gehalten festgestellt wurden, beispielsweise Fe, Na, Zn und Ga. Von daher konzentrierte sich die quantitative Analyse auf O, C und Ca. Man kann davon ausgehen, dass der Al-Gehalt den Großteil des restlichen Pulvers nach Abziehen der Aluminiumoxid-, Calcium- und Kohlenstoffkomponente ausmacht. Aufgrund des unlöslichen Rests, der während der ICPAES-Analyse im Behälter zurückblieb, ging man davon aus, dass der Kohlenstoffgehalt elementar war. Die Analyseergebnisse sind wie in Tabelle 1 gezeigt.
  • Tabelle 1: Zusammengefasste Materialanalyseergebnisse
    Figure 00180001
  • Aluminiumpulverproben wurden durch Rasterelektronenmikroskopie (SEM) unter Verwendung eines Instruments Leica Cambridge S360 untersucht. Es wurden Elektronenmikrobilder hergestellt, um Größe und Gestalt der Partikel zu zeigen. Es wurde eine quantitative energiedispersive (ED) Röntgenstrahlenanalyse durchgeführt, indem unter Verwendung eines mit dem SEM verbundenen PGT IMIX-Röntgenstrahlenanalysesystems die Elemente zu bestimmen, die in der Probe vorhanden waren.
  • Es wurde eine zweite Elektronenerfassung eingesetzt, um topographische Texturbilder der Aluminiumpulverpartikel und damit verbundener Agglomerate herzustellen. Es wurde bei einer geringen Vergrößerung (Vergrößerung × 350) beobachtet, dass sich das Pulverprodukt agglomeriert hatte. Die Größe der Agglomerate reichte von weniger als 5 μm bis über 200 μm. Die einzelnen Partikel konnten bei einer stärkeren Vergrößerung (Vergrößerung × 20.000 und 50.000) abgebildet werden. Man beobachtete, dass ihre Größe (d. h. größten Abmessungen) ca. 100 nm ± 50 nm betrugen, die Partikel schienen aber immer noch zusammengeklumpt zu sein. Man bestimmte, dass diese Agglomerate aus diesen feineren Partikeln bestanden. Die Gestalt der Partikel schien unregelmäßig, entweder kugelförmig oder oval. Man geht davon aus, dass die Gestalt der einzelnen Partikel und der Agglomerationsvorgang auftritt, um die überschüssige freie Oberflächenenergie, die mit solch einem fein verteilten Material verbunden ist, zu minimieren. Die zweiten Elektronenmikrobilder sind in den 3(a) und (b) gezeigt.
  • Transmissionselektronenmikroskopie (TEM) zeigte, dass die Partikel typischerweise eine im Allgemeinen kugelförmige Morphologie haben. Eine entsprechende Elektronendiffraktionsarbeit zeigt an, dass die Partikel typischerweise im Wesentlichen monokristallin sind.
  • Die spezifische Oberfläche (SSA – specific surface area) wurde durch Stickstoffabsorption unter Verwendung des in BS 4359 Teil 1 beschriebenen Dauerdurchflussverfahrens bestimmt. Es zeigte sich, dass die spezifische Oberfläche im Bereich von 25 bis 30 m2g–1 lag. 4 zeigt, wie sich die spezifische Oberfläche bei einem idealen, chemisch reinen, kugelförmigen Aluminiumpulver mit der Partikelgröße ändert. 4 zeigt an, dass eine durchschnittliche Partikelgröße von 90 nm mit einer spezifischen Oberfläche von 25 bis 30 m2g–1 übereinstimmt. So zeigen die SEM-Bilder eine Übereinstimmung mit der SSA-Analyse.
  • Die Oxidfraktion im Pulver verschiebt sich ungünstig, wenn die Pulverpartikelgröße kleiner wird, d. h. der Oxidanteil nimmt gegenüber demjenigen des Metalls zu. Dieser Trend ist in 5 graphisch dargestellt, hier wird von einer gleichmäßigen Oxidschicht mit einer Dicke von 4,5 nm ausgegangen. Dies stellt die diffusionsbegrenzte festhaftende, zusammenhängende und gleichmäßige Oxidschicht dar, die mit Aluminiummaterial verbunden ist, das unter Niedrigtemperaturbedingungen einer sauerstoffreichen Atmosphäre ausgesetzt wird.
  • Wieder zeigte die Zusammensetzungsanalyse einen Oxidgehalt von 33 Gew.-% an. Dies lässt eine implizierte Partikelgröße von 90 bis 100 nm entstehen. Auch dies stimmt wieder mit der SSA-Analyse und den SEM-Bildern überein.
  • Eine Wärmeanalyse wurde unter Verwendung von Differentialscanning-Kalorimetrie (DSC) durchgeführt. Das Instrument wurde zuerst unter Verwendung eines nachweisbaren Indium-Eichstabs auf Temperatur- und Energieeichung hin überprüft. Die Probe wurde unter Luftfluss mit 5 ml min–1 bei einer Erwärmungsrate von 10°C min–1 auf 750°C erwärmt. Das DSC-Spektrum zeigt eine exotherme (Energie wird abgegeben) Spitze mit einer extrapolierten Anlauftemperatur von 538°C. Der Spitzenbereich beträgt 538 bis 620°C mit einem Spitzenmaximum bei 590°C. Nach dem anfänglichen Erwärmen wurde die Probe gekühlt und unter denselben Bedingungen wiedererwärmt, und es wurde keine Wärmeabgabe beobachtet. Dies zeigte eine vollständige und irreversible chemische Reaktion, d. h. die Aluminiumoxidation, an. Dies ist in den 6 und 7 graphisch dargestellt.
  • Das Verfahren der röntgenologischen Photoelektronenspektroskopie (XPS) spricht empfindlich auf die Oberfläche an, und es werden typischerweise die äußersten 2 bis 3 Schichten eines Materials (d. h. der oberste 1 nm) analysiert. Dies liefert sowohl zusammensetzungsrelative als auch chemische Daten. Beispielsweise kann XPS zwischen Al als Grundstoff und Al, das mit einem Al2O3-Oxid zusammenhängt, unterscheiden. Das Übersichtsspektrum zeigt das Vorhandensein der folgenden Arten, Tabelle 2:
  • Tabelle 2: Zuordnung der Komponenten zur Spitze
    Figure 00210001
  • Das Übersichtsspektrum ist in 8 bereitgestellt und zeigt das Vorhandensein von Kohlenstoff (19% Atommasse), Sauerstoff (50% Atommasse), Aluminium (27% Atommasse), Stickstoff (0,6% Atommasse), Natrium (3,3% Atommasse) und Calcium (0,7% Atommasse). Diese Werte wurden unter Verwendung veröffentlichter Sensitivitätsfaktoren (Briggs und Seah 1990) berechnet. Detaillierte Spektren wurden aus der Hauptspitze entnommen, um chemische Daten in Form von Bindungsenergien zu bekommen, Faktoren wie Morphologie, Topologie und Heterogenität wurden nicht berücksichtigt. Die Kohlenstoffspitze, d. h. eine zufällig hinzukommende Verunreinigung durch Kohlenstoff (umweltbedingte Verunreinigung), Bindungsenergie 287,4 eV, wurde zum Eichen des Spektrums verwendet. Die Zusammensetzungsdaten beziehen sich auf die äußeren 2 bis 3 Schichten des Partikelmaterials und sollten dementsprechend nicht als die Gesamtausgangszusammensetzung des Materials gedeutet werden.
  • Die Spitze Al2p zeigt zwei aufgrund des Metalls und des nativen Oxids mit Bindungsenergien von 72,1 eV bzw. 74,1 eV übereinander gelagerte Komponenten. Die Tatsache, dass das mit dem Inneren der Partikel zusammenhängende Aluminiummetall, d. h. das Substratmetall, durch das Oxid hindurch erfasst werden konnte, zeigt eine dünne Überschicht von weniger als 2 bis 3 Einzelschichten an (Kristallographie: Korund hat ein rhomboedrisches Kristallsystem, worin a = b = c = 12,98 A). Man beobachtete, dass die Kohlenstoffspitze aus zwei Komponenten bestand und zwar aus einer umweltbedingten Verunreinigung und Carbid. Der Kohlenstoff konnte kategorisch keiner der beiden erfassten Metallarten zugeordnet werden. Natrium ist wahrscheinlich als Carbonat (Na2CO3) vorhanden.
  • Es ist möglich, die Dicke der Einzelschicht unter Verwendung der Gleichung von De Beers-Lambert und damit zusammenhängenden Annahmen zu schätzen.
  • Gleichung von De Beers-Lambert, Version 1
  • Iox = I0 ox [1 – exp(–d/λsinθ)] (1)
  • Gleichung von De Beers-Lambert, Version 2
  • Ielement = I0 element [exp (–d/λsinθ)] (2)worin λ der durchschnittliche, freie, unelastische Elektronenpfad λ = 0,05 (KE)0,5 nm = 0,05(1486,6 – 73)0,5 = 1.8799 nm (Ke = abgegebene kinetische Elektronenenergie) ist.
  • Ist das Oxid zum Metallmaterialelement nativ, dann sind I0 und λ in etwa gleich. Somit kann, indem Gleichung 1 durch Gleichung 2 dividiert wird, eine Gleichung erhalten werden, die sich auf die relativen Al-Signalstärken zur Oxidschichtdicke bezieht: Iox/Ielement = exp (d/λsinθ) – 1 (3)
  • Die mit der Verwendung dieser Gleichung zusammenhängenden Annahmen sind wie folgt
    • (i) die Oberflächen sind flach;
    • (ii) die Oxidschicht ist gleichmäßig dick;
    • (iii) die Schicht ist durchgehend; und
    • (iv) die Oberflächen sind plan.
  • Das Ergebnis dieser Berechnung ist, dass die Oxidschicht ca. 2 bis 3 nm dick ist, was mit der Zusammensetzungsanalyse, der SSA-Analyse und den SEM-Bildern übereinstimmt. Die mögliche Schwankung ist dabei mit der Ungenauigkeit der bei der Berechnung angestellten Annahmen verbunden. Diese Berechnung ist sehr ungenau, dennoch analysiert das Verfahren nur den obersten nm der Probe als Maximaltiefe. Dies bedeutet, dass, wenn ein Signal eines Ausgangsmetalls im Übersichtsspektrum beobachtet wird, die Oxiddicke weniger als 5 nm betragen muss, wobei dies eine bestimmte Aussage ist, die mit der Natur der kennzeichnenden Strahlung zusammenhängt.
  • Das Partikelmaterial nach der vorliegenden Erfindung hat die folgenden Merkmale:
    • 1. Es wird beobachtet, dass das Material in der Zusammensetzung ein Gemisch aus Aluminiummetall und Aluminiumoxid ist, was mit der Sauerstoffzugabe übereinstimmt, die während der Verarbeitung unter Niedrigtemperaturoxidationsbedingungen zum Material erfolgte, d. h. im Wesentlichen oxidiert nur die Oberfläche.
    • 2. Eine Abbildung zeigt an, dass sich das Material mit einer feinen kugelförmigen Partikelmorphologie mit 70 bis 130 nm durchschnittlichem Partikeldurchmesser bildet (typischer 80 bis 120 nm, noch typischer ca. 100 nm). Dies rechtfertigt die Klassifizierung als Nanomaterial.
    • 3. Die Partikel sind agglomeriert, was eine Partikelgruppierung bedeutet, die durch schwache Kräfte zusammengehalten wird, die durch geeignete Einrichtungen, beispielsweise durch Beschallung überwunden werden können.
    • 4. Eine Analyse der spezifischen Oberfläche hat gezeigt, dass das Material typischerweise eine spezifische Oberfläche im Bereich von 15 bis 40 m2g–1, typischer im Bereich von 25 bis 30 m2g–1 hat. Dies korreliert typischerweise mit einer Partikelgröße von 75 bis 95 nm.
    • 5. Eine Wärmeanalyse hat gezeigt, dass eine vollständige und irreversible chemische Reaktion an der Luft bei 550 bis 650°C stattfindet. Dies stimmt mit der thermisch aufrechterhaltenen Oxidation überein.
    • 6. Eine oberflächenspezifische Analyse hat gezeigt, dass die Oxidkomponente des Pulvers mit der Oberfläche zusammenhängt und die Schicht weniger als ca. 5 nm dick ist. Von daher kann das Material als einzeln verkapselt beschrieben werden.
  • Die Vorrichtung und das Verfahren nach der vorliegenden Erfindung stellt eine vereinfachte Technik zur Herstellung und zum Auffangen von Pulvern bereit, deren Korngrößen sich in der Submikron- und Nanometergrößenordnung bewegen. In einer bevorzugten Ausführungsform wird ein übergesprungener Plasmalichtbogen zwischen der Lichtbogenspitze einer länglichen Graphitelektrode und einer Gegenelektrode hergestellt, die als Teil eines Graphitreaktorbehälters ausgebildet ist.
  • Die Vorrichtung nach der vorliegenden Erfindung kann ohne den Einsatz irgendwelcher wassergekühlter Bauteile innerhalb des Plasmareaktors arbeiten und lässt ein Nachfüllen von Zufuhrmaterial zu, ohne den Reaktor dabei anzuhalten.
  • Die Reaktivität von Metallen mit Submikron- und Nanometerkorngrößen, wie Aluminium, wirft ein Betriebsrisiko auf, wenn die Wahrscheinlichkeit eines Kontakts mit Wasser, reaktiven Flüssigkeiten oder reaktiven Gasen wie Luft und Sauerstoff besteht. Die hierin beschriebene Passivierungsstufe macht das pulverisierte Material geeigneter für den Transport.

Claims (38)

  1. Plasmalichtbogenreaktor zur Herstellung eines Pulvers aus einem festen Zufuhrmaterial in Form eines Drahtes, wobei der Reaktor umfasst: (a) eine erste Elektrode, (b) eine zweite Elektrode, welche dazu ausgelegt ist, von der ersten Elektrode um einen Abstand beabstandet zu sein, der ausreicht, um eine Plasmalichtbogen dazwischen zu erzielen, (c) Einrichtungen zum Einleiten eines Plasmagases in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, (d) Einrichtungen zum Erzeugen eines Plasmalichtbogens in dem Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, bei dem die erste Elektrode einen durch sie hindurchgehenden Kanal aufweist, wobei ein Auslass des Kanals in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode mündet, und bei dem Einrichtungen vorgesehen sind, um festes Zufuhrmaterial in und durch den Kanal zuzuführen, damit es daraus über den Auslass in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode austritt.
  2. Plasmalichtbogenreaktor nach Anspruch 1, darüber hinaus noch Einrichtungen umfassend, um das feste Zufuhrmaterial in Form eines Drahtes zur ersten Elektrode zu transportieren.
  3. Plasmalichtbogenreaktor nach Anspruch 1 oder 2, darüber hinaus noch einen Behälter oder Halter für das feste Zufuhrmaterial in Form eines Drahtes umfassend.
  4. Plasmalichtbogenreaktor nach Anspruch 3, darüber hinaus noch Einrichtungen umfassend, um Draht aus dem Behälter oder Halter zur ersten Elektrode zu transportieren.
  5. Plasmalichtbogenreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Elektrode im Hinblick auf die zweite Elektrode aus einer ersten Position, bei der ein Lichtbogenabschnitt von ihr einen Lichtbogenabschnitt der zweiten Elektrode berührt, in eine zweite Position beweglich ist, bei der die Lichtbogenabschnitte um einen Abstand voneinander beabstandet sind, der ausreicht, um einen Plasmalichtbogen dazwischen zu erzielen.
  6. Plasmalichtbogenreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die erste Elektrode ein hohles längliches Teils ist, dessen Innenoberfläche einen geschlossenen Kanal bildet, wobei das längliche Teil an einer Lichtbogenspitze endet, welche einem Lichtbogenabschnitt der zweiten Elektrode gegenüberliegt, bei dem der Auslass des geschlossenen Kanals bei der oder angrenzend an die Lichtbogenspitze angeordnet ist.
  7. Plasmalichtbogenreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem Lichtbogenabschnitte der ersten und/oder der zweiten Elektrode aus Graphit bestehen.
  8. Plasmalichtbogenreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, darüber hinaus noch Kühleinrichtungen zum Kühlen und Kondensieren des festen Zufuhrmaterials umfassend, welches im Gebrauch im Plasmalichtbogen zwischen der ersten und der zweiten Elektrode verdampft wurde.
  9. Plasmalichtbogenreaktor nach Anspruch 8, bei dem die Kühleinrichtung eine Quelle eines Kühlgases umfasst.
  10. Plasmalichtbogenreaktor nach Anspruch 9, bei dem die zweite Elektrode einen Graphitbehälter mit einer Oberfläche umfasst, die dazu ausgelegt ist, verdampftes, festes Zufuhrmaterial stromabwärts zu einer Kühlzone zu leiten, um im Gebrauch durch das Kühlgas gekühlt zu werden.
  11. Plasmalichtbogenreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, darüber hinaus noch eine Auffangzone zum Auffangen des pulverisierten Materials umfassend.
  12. Plasmalichtbogenreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem der Kanal in der ersten Elektrode auch dazu ausgelegt ist, das Plasmagas in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode einzuleiten.
  13. Plasmalichtbogenreaktor nach einem der vorhergehenden Ansprüche, bei dem die Einrichtung zum Erzeugen eines Plasmalichtbogens im Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode eine Gleich- oder Wechselstromquelle umfasst.
  14. Verfahren zur Herstellung eines Pulvers aus einem festen Zufuhrmaterial, welches Verfahren umfasst: (i) Bereitstellen eines wie in einem der vorstehenden Ansprüchen definierten Plasmalichtbogenreaktors; (ii) Einleiten eines Plasmagases in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, (iii) Erzeugen eines Plasmalichtbogens im Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode, (iv) Zuführen von Festmaterial durch den Kanal, damit es über dessen Auslass in den Plasmalichtbogen austritt, wodurch das Festmaterial verdampft wird, (v) Kühlen des verdampften Materials, um es zu einem Pulver zu kondensieren, und (vi) Auffangen des Pulvers.
  15. Verfahren nach Anspruch 14, wobei das feste Zufuhrmaterial ein Metall oder eine Legierung umfasst oder daraus besteht.
  16. Verfahren nach Anspruch 15, wobei das feste Zufuhrmaterial Aluminium oder eine Legierung davon ist.
  17. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 16, wobei das Plasmagas Inertgas umfasst oder daraus besteht.
  18. Verfahren nach Anspruch 17, wobei das Plasmagas Helium und/oder Argon umfasst oder daraus besteht.
  19. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 18, wobei das Plasmagas durch den Kanal der ersten Elektrode eingeblasen wird, um daraus in den Raum zwischen der ersten und der zweiten Elektrode auszutreten.
  20. Verfahren nach Anspruch 19, wobei das Plasmagas und das feste Zufuhrmaterial über einen gemeinsamen Auslass aus der ersten Elektrode austreten.
  21. Verfahren nach Anspruch 19 oder 20, wobei das Plasmagas und das feste Zufuhrmaterial über einen gemeinsamen Einlass in den Kanal in der ersten Elektrode eintreten.
  22. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 21, wobei zumindest eine gewisse Kühlung des verdampften Materials unter Verwendung eines Inertgasstroms erzielt wird.
  23. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 22, wobei zumindest eine gewisse Kühlung des verdampften Materials unter Verwendung eines Stroms reaktiven Gases erzielt wird.
  24. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 23, wobei die Oberfläche des Pulvers unter Verwendung eines Stroms Passivierungsgases oxidiert wird.
  25. Verfahren nach Anspruch 24, wobei das Passivierungsgas ein sauerstoffhaltiges Gas umfasst.
  26. Verfahren nach Anspruch 25, wobei das sauerstoffhaltige Gas 95 bis 99 Vol-% eines Inertgases und 1 bis 5 Vol.-% Sauerstoff umfasst.
  27. Verfahren nach Anspruch 26, wobei das sauerstoffhaltige Gas ca. 98 Vol.-% eines Inertgases und ca. 2 Vol.-% Sauerstoff umfasst.
  28. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 27, wobei das Pulver Partikel umfasst, wovon alle einen Durchmesser von weniger als 200 nm haben.
  29. Verfahren zur Herstellung eines passivierten Aluminiumpulvers aus einem festen Zufuhrmaterial aus Aluminiumdraht, welches Verfahren umfasst: (A) Bereitstellen eines Plasmalichtbogenreaktors, (B) Einleiten von Inertgas in den Reaktor und Erzeugen eines Inertgasplasmas im Reaktor, (C) Zuführen von Aluminiumdraht in das Inertgasplasma, wodurch das Aluminium verdampft wird, (D) Kühlen des verdampften Aluminiums mit Inertgas, um ein Aluminiumpulver zu kondensieren, und (E) Oxidieren der Oberfläche des Aluminiumpulvers mit einem Passivierungsgas.
  30. Verfahren nach Anspruch 29, wobei der Reaktor wie in einem der Ansprüche 1 bis 13 definiert ist.
  31. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 30, wobei der Reaktor vor dem Verdampfen des festen Zufuhrmaterials auf eine Temperatur von 2000 bis 2500°C, vorzugsweise 2200 bis 2300°C vorgeheizt wird.
  32. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 31, wobei der Druck im Reaktor auf einem Pegel über Normaldruck gehalten wird.
  33. Verfahren nach einem der Ansprüche 14 bis 32, wobei das Pulver Partikel mit einem Kern umfasst, der im Wesentlichen Aluminium umfasst oder daraus besteht, und eine Oberflächenschicht, die im Wesentlichen Aluminiumoxid umfasst oder daraus besteht.
  34. Verfahren nach Anspruch 33, wobei die Oberflächenschicht aus Aluminiumoxid eine Dicke von ≤ 10 nm, bevorzugter ≤ 5 nm, noch bevorzugter ≤ 3 nm hat.
  35. Verfahren nach Anspruch 33 oder 34, wobei im Wesentlichen alle Partikel einen Durchmesser von ≤ 200 haben.
  36. Verfahren nach einem der Ansprüche 33 bis 35, wobei der durchschnittliche Partikeldurchmesser im Bereich von 50 bis 150 nm, bevorzugter von 70 bis 130 nm, noch bevorzugter von 80 bis 120 nm liegt.
  37. Verfahren nach einem der Ansprüche 33 bis 36, wobei das Partikelmaterial eine spezifische Oberfläche im Bereich von 15 bis 40 m2g–1, vorzugsweise von 25 bis 30 m2g–1 hat.
  38. Verfahren nach einem der Ansprüche 33 bis 37, wobei die Partikel einen monokristallinen Kern haben.
DE2001601840 2000-02-10 2001-02-09 Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver Expired - Lifetime DE60101840T2 (de)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0003081 2000-02-10
GB0003081A GB2359096B (en) 2000-02-10 2000-02-10 Apparatus and process for the production of fine powders
GB0020106 2000-08-15
GB0020106A GB2365876A (en) 2000-08-15 2000-08-15 Making nano-sized powder using a plasma arc reactor
PCT/GB2001/000553 WO2001058625A1 (en) 2000-02-10 2001-02-09 Plasma arc reactor for the production of fine powders

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE60101840D1 DE60101840D1 (de) 2004-02-26
DE60101840T2 true DE60101840T2 (de) 2004-11-18

Family

ID=26243620

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2001601840 Expired - Lifetime DE60101840T2 (de) 2000-02-10 2001-02-09 Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver

Country Status (12)

Country Link
US (3) US7022155B2 (de)
EP (3) EP1257376B1 (de)
JP (1) JP2003522299A (de)
KR (1) KR100784576B1 (de)
CN (1) CN100418674C (de)
AT (1) ATE258092T1 (de)
AU (1) AU2001232063A1 (de)
CA (1) CA2399581A1 (de)
DE (1) DE60101840T2 (de)
IL (2) IL151114A0 (de)
RU (1) RU2263006C2 (de)
WO (1) WO2001058625A1 (de)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
ATE258092T1 (de) * 2000-02-10 2004-02-15 Tetronics Ltd Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver
GB2382122A (en) 2001-11-14 2003-05-21 Qinetiq Ltd Shaped charge liner
US7192649B1 (en) * 2003-08-06 2007-03-20 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Passivation layer on aluminum surface and method thereof
EP1645538A1 (de) 2004-10-05 2006-04-12 Siemens Aktiengesellschaft Materialzusammensetzung für die Herstellung einer Beschichtung für ein Bauteil aus einem metallischen Basismaterial und beschichtetes metallisches Bauteil
US8079838B2 (en) * 2005-03-16 2011-12-20 Horiba, Ltd. Pure particle generator
US8574408B2 (en) * 2007-05-11 2013-11-05 SDCmaterials, Inc. Fluid recirculation system for use in vapor phase particle production system
EP1922169B1 (de) * 2005-08-10 2012-06-27 Directa Plus S.p.A. Verfahren zur verwendung von metallcarbonylen zur herstellung nanoskaliger metallpartikel
US20070283782A1 (en) * 2005-08-10 2007-12-13 Mercuri Robert A Continuous process for the production of nano-scale metal particles
US20070034050A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles formed of non-noble metals
US20070034051A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles
US20070037701A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials
US20070037700A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Continuous process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials
US20070036913A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process and apparatus for the production of engineered catalyst materials formed of non-noble metals
US20070283783A1 (en) * 2005-08-10 2007-12-13 Mercuri Robert A Process for the production of nano-scale metal particles
US20070286778A1 (en) * 2005-08-10 2007-12-13 Mercuri Robert A Apparatus for the continuous production of nano-scale metal particles
WO2007142662A2 (en) * 2005-08-10 2007-12-13 Directa Plus Patent & Technology Limited Production of nano-scale metal particles
US20070034049A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Continuous process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles
US7794521B2 (en) * 2005-08-10 2010-09-14 Directa Plus Srl Production of chain agglomerations of nano-scale metal particles
US20070036911A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Process and apparatus for the production of catalyst-coated support materials formed of non-noble metals
US20070036689A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Production of nano-scale metal particles
US20070036912A1 (en) * 2005-08-10 2007-02-15 Mercuri Robert A Continuous process and apparatus for the production of engineered catalyst materials
CN101300070A (zh) * 2005-08-10 2008-11-05 戴雷克塔普拉斯专利及科技有限公司 制备经设计的催化剂材料的方法和装置
US20070283784A1 (en) * 2005-08-10 2007-12-13 Mercuri Robert A Continuous process for the use of metal carbonyls for the production of nano-scale metal particles formed of non-noble metals
US7342197B2 (en) * 2005-09-30 2008-03-11 Phoenix Solutions Co. Plasma torch with corrosive protected collimator
JP4963586B2 (ja) * 2005-10-17 2012-06-27 株式会社日清製粉グループ本社 超微粒子の製造方法
KR101330402B1 (ko) * 2005-10-17 2013-11-15 닛신 엔지니어링 가부시키가이샤 초미립자의 제조방법
US7741577B2 (en) 2006-03-28 2010-06-22 Battelle Energy Alliance, Llc Modular hybrid plasma reactor and related systems and methods
US7691177B2 (en) * 2006-10-30 2010-04-06 Niotan, Inc. Method and an apparatus of plasma processing of tantalum particles
JP2008163373A (ja) * 2006-12-27 2008-07-17 Digital Powder Systems Inc 活性金属マイクロボールの製造方法及びマイクロボール
US7601399B2 (en) * 2007-01-31 2009-10-13 Surface Modification Systems, Inc. High density low pressure plasma sprayed focal tracks for X-ray anodes
US8575059B1 (en) 2007-10-15 2013-11-05 SDCmaterials, Inc. Method and system for forming plug and play metal compound catalysts
US8536481B2 (en) 2008-01-28 2013-09-17 Battelle Energy Alliance, Llc Electrode assemblies, plasma apparatuses and systems including electrode assemblies, and methods for generating plasma
KR101039283B1 (ko) * 2008-09-24 2011-06-07 이종식 무대 조명기기의 여닫이 회전시스템
JP2010120786A (ja) * 2008-11-17 2010-06-03 Tohoku Univ 酸化物中空粒子、その製造方法及び酸化物中空粒子製造装置
TWI383849B (zh) * 2008-12-31 2013-02-01 Ind Tech Res Inst 奈米金屬溶液、奈米金屬複合顆粒以及導線的製作方法
GB0909030D0 (en) * 2009-05-26 2009-07-01 Intrinsiq Materials Ltd Antibacterial composition
WO2010142004A2 (en) 2009-06-10 2010-12-16 Katholieke Universifeit Leuven Controlled biosecure aquatic farming system in a confined environment
KR101055180B1 (ko) * 2009-09-30 2011-08-08 한국기계연구원 망간-알루미늄 자성분말
US9802834B2 (en) * 2010-02-05 2017-10-31 Battelle Memorial Institute Production of nanocrystalline metal powders via combustion reaction synthesis
US9283637B2 (en) 2010-02-05 2016-03-15 Battelle Memorial Institute Friction stir weld tools having fine grain structure
US20120048723A1 (en) * 2010-08-24 2012-03-01 Varian Semiconductor Equipment Associates, Inc. Sputter target feed system
EP2425915B1 (de) * 2010-09-01 2015-12-02 Directa Plus S.p.A. Mehrmodus-Herstellungskomplex für Metallnanopartikel
DK2425916T3 (en) 2010-09-01 2015-02-16 Directa Plus Spa MULTI-REACTOR FEED DEVICE FOR GENERATION OF METAL nanoparticles of
KR101047845B1 (ko) 2011-03-16 2011-07-08 한국기계연구원 망간-알루미늄 자성분말의 제조방법
CN102211197B (zh) * 2011-05-06 2014-06-04 宁波广博纳米新材料股份有限公司 金属蒸发装置及用该装置制备超微细金属粉末的方法
JP5821579B2 (ja) 2011-12-01 2015-11-24 昭栄化学工業株式会社 金属粉末製造用プラズマ装置
JP5940441B2 (ja) * 2012-02-16 2016-06-29 東芝三菱電機産業システム株式会社 微粒子生成装置および微粒子生成方法
NO334282B1 (no) 2012-04-27 2014-01-27 Reactive Metal Particles As Apparatur og metode for fremstilling av partikulært materiale
CN103567455A (zh) * 2012-07-31 2014-02-12 苏州鲁信新材料科技有限公司 金属粉末的制造方法及其设备
CN102950293B (zh) * 2012-10-15 2015-01-07 宁波广博纳米新材料股份有限公司 纳米铝粉的生产方法
CN102909386B (zh) * 2012-10-15 2015-06-10 江苏博迁新材料有限公司 微细球形铝粉的生产方法
SK500582012A3 (sk) 2012-12-17 2014-08-05 Ga Drilling, A. S. Multimodálne rozrušovanie horniny termickým účinkom a systém na jeho vykonávanie
US20140237896A1 (en) * 2013-02-22 2014-08-28 Don Gray Foamed glass hydroponic substrate
SK500062013A3 (sk) 2013-03-05 2014-10-03 Ga Drilling, A. S. Generovanie elektrického oblúka, ktorý priamo plošne tepelne a mechanicky pôsobí na materiál a zariadenie na generovanie elektrického oblúka
KR102016482B1 (ko) * 2013-06-21 2019-09-02 삼성전기주식회사 나노 입자 형성 방법 및 나노 입자 형성 장치
MX2016004991A (es) 2013-10-22 2016-08-01 Sdcmaterials Inc Diseño de catalizador para motores de combustion diesel de servicio pesado.
US10138378B2 (en) 2014-01-30 2018-11-27 Monolith Materials, Inc. Plasma gas throat assembly and method
US11939477B2 (en) 2014-01-30 2024-03-26 Monolith Materials, Inc. High temperature heat integration method of making carbon black
US10370539B2 (en) 2014-01-30 2019-08-06 Monolith Materials, Inc. System for high temperature chemical processing
US10100200B2 (en) 2014-01-30 2018-10-16 Monolith Materials, Inc. Use of feedstock in carbon black plasma process
FI3100597T3 (fi) 2014-01-31 2023-09-07 Monolith Mat Inc Plasmapolttimen rakenne
PT3116636T (pt) 2014-03-11 2020-10-19 Tekna Plasma Systems Inc Processo e aparelho para produzir partículas de pó por atomização de um material de alimentação com a forma de um elemento alongado
US9380694B2 (en) 2014-04-17 2016-06-28 Millenium Synthfuels Corporation Plasma torch having an externally adjustable anode and cathode
US20170239730A1 (en) * 2014-08-13 2017-08-24 National Institute Of Advanced Industrial Science And Technology Processing device for metal materials
EP3253827B1 (de) 2015-02-03 2024-04-03 Monolith Materials, Inc. Russerzeugungssystem
CN107709608B (zh) 2015-02-03 2019-09-17 巨石材料公司 再生冷却方法和设备
CN107852807B (zh) 2015-06-29 2020-07-07 泰克纳等离子系统公司 具有更高等离子体能量密度的感应式等离子体喷枪
CA2992303C (en) * 2015-07-17 2018-08-21 Ap&C Advanced Powders And Coatings Inc. Plasma atomization metal powder manufacturing processes and systems therefor
CA3032246C (en) * 2015-07-29 2023-12-12 Monolith Materials, Inc. Dc plasma torch electrical power design method and apparatus
US10808097B2 (en) 2015-09-14 2020-10-20 Monolith Materials, Inc. Carbon black from natural gas
JP6716234B2 (ja) * 2015-11-20 2020-07-01 株式会社栗本鐵工所 金属ナノ粒子の製造装置および製造方法
CA3020720C (en) 2016-04-11 2020-12-01 Ap&C Advanced Powders & Coatings Inc. Reactive metal powders in-flight heat treatment processes
CA3211318A1 (en) 2016-04-29 2017-11-02 Monolith Materials, Inc. Torch stinger method and apparatus
CN109562347A (zh) 2016-04-29 2019-04-02 巨石材料公司 颗粒生产工艺和设备的二次热添加
WO2018045457A1 (en) 2016-09-07 2018-03-15 Burgess Alan W High velocity spray torch for spraying internal surfaces
MX2019010619A (es) 2017-03-08 2019-12-19 Monolith Mat Inc Sistemas y metodos para fabricar particulas de carbono con gas de transferencia termica.
JP6924944B2 (ja) * 2017-04-05 2021-08-25 パナソニックIpマネジメント株式会社 微粒子製造装置及び微粒子製造方法
JP6920676B2 (ja) * 2017-04-19 2021-08-18 パナソニックIpマネジメント株式会社 微粒子製造装置および微粒子製造方法
CN110799602A (zh) 2017-04-20 2020-02-14 巨石材料公司 颗粒系统和方法
BR112020001248A2 (pt) * 2017-07-21 2020-07-21 Pyrogenesis Canada Inc. aparelho e processo para produzir pó a partir de uma matéria-prima por atomização por plasma e partícula
RU2671034C1 (ru) * 2017-08-28 2018-10-29 Государственный научный центр Российской Федерации - федеральное государственное унитарное предприятие "Исследовательский Центр имени М.В. Келдыша" Установка для получения частиц порошка и способ ее работы
EP3700980A4 (de) 2017-10-24 2021-04-21 Monolith Materials, Inc. Teilchensysteme und verfahren
CN108436095A (zh) * 2018-03-14 2018-08-24 张格梅 一种使用高温汽化、球形化处理制备金属粉末的方法
WO2019232612A1 (en) * 2018-06-06 2019-12-12 Pyrogenesis Canada Inc. Method and apparatus for producing high purity spherical metallic powders at high production rates from one or two wires
CA3112454A1 (en) 2018-09-11 2020-03-19 Drillform Technical Services Ltd. Pipe handler apparatus
RU2708200C1 (ru) * 2018-11-23 2019-12-05 Олег Александрович Чухланцев Плазменно-дуговой реактор с расходуемым катодом для получения порошков металлов, сплавов и их химических соединений
KR20220061187A (ko) * 2019-09-27 2022-05-12 에이피앤드씨 어드밴스드 파우더스 앤드 코팅스 인크. 알루미늄 기반 금속 분말들 및 그들의 제조 방법
CN111230134B (zh) * 2020-03-10 2023-08-04 深圳航科新材料有限公司 多元合金粉末及其快速制备方法
RU2751611C1 (ru) * 2020-04-15 2021-07-15 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" Устройство для получения мелкодисперсного порошка
RU2756959C1 (ru) * 2020-06-08 2021-10-07 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" Устройство для получения мелкодисперсного порошка
RU205452U1 (ru) * 2020-06-09 2021-07-15 Общество С Ограниченной Ответственностью "Новые Дисперсные Материалы" Устройство для получения мелкодисперсного порошка
CN113680299A (zh) * 2021-09-02 2021-11-23 青岛超晟纳米新材料科技有限公司 一种冷壁反应器

Family Cites Families (61)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2284551A (en) * 1940-08-03 1942-05-26 Peter P Alexander Packing of powdered metals
NL299680A (de) 1962-10-26
DE1220058B (de) 1965-06-28 1966-06-30 Kernforschung Gmbh Ges Fuer Verfahren und Vorrichtung zur Waermebehandlung pulverfoermiger Stoffe, insbesondere zum Schmelzen der Koerner hochschmelzender Stoffe, mittels eines Hochtemperaturplasmas
US3668108A (en) * 1966-11-15 1972-06-06 Hercules Inc Solids arc reactor apparatus and method
GB1164810A (en) 1966-12-19 1969-09-24 Atomic Energy Authority Uk Improvements in or relating to Production of Particulate Refractory Material
US3615340A (en) * 1968-11-18 1971-10-26 Exxon Research Engineering Co Quenching and passivation of particulate metals
GB1339054A (en) 1971-05-13 1973-11-28 Vos N I Gornorudny I Vostnigri Apparatus for and a method of comminuting materials
CA907114A (en) * 1971-09-13 1972-08-08 E. Hyne Graham Transverse excitation system for gas laser using three electrodes
JPS5546603B2 (de) 1973-10-05 1980-11-25
GB1493394A (en) * 1974-06-07 1977-11-30 Nat Res Dev Plasma heater assembly
US4112288A (en) * 1975-04-17 1978-09-05 General Atomic Company Orifice tip
US4194107A (en) * 1977-06-02 1980-03-18 Klasson George A Welding tip
DE2755213C2 (de) 1977-12-10 1982-05-06 Fa. Dr. Eugen Dürrwächter DODUCO, 7530 Pforzheim Nichtabschmelzende Elektrode und Verfahren zu ihrer Herstellung
US4341941A (en) 1979-03-01 1982-07-27 Rikagaku Kenkyusho Method of operating a plasma generating apparatus
US4238427A (en) * 1979-04-05 1980-12-09 Chisholm Douglas S Atomization of molten metals
US4376740A (en) * 1981-01-05 1983-03-15 National Research Institute For Metals Process for production fine metal particles
US4861961A (en) * 1981-03-04 1989-08-29 Huys John H Welding electrode
US4374075A (en) * 1981-06-17 1983-02-15 Crucible Inc. Method for the plasma-arc production of metal powder
JPS5831825A (ja) 1981-08-14 1983-02-24 Otsuka Tekko Kk 微粉炭を運搬容器に充填する装置
JPS5854166B2 (ja) * 1981-12-17 1983-12-03 科学技術庁金属材料技術研究所長 金属微粒子の製造法およびその製造装置
US4505947A (en) * 1982-07-14 1985-03-19 The Standard Oil Company (Ohio) Method for the deposition of coatings upon substrates utilizing a high pressure, non-local thermal equilibrium arc plasma
US4610718A (en) * 1984-04-27 1986-09-09 Hitachi, Ltd. Method for manufacturing ultra-fine particles
JPH062882B2 (ja) * 1985-06-20 1994-01-12 大同特殊鋼株式会社 微粒子製造装置
DE3642375A1 (de) * 1986-12-11 1988-06-23 Castolin Sa Verfahren zur aufbringung einer innenbeschichtung in rohre od. dgl. hohlraeume engen querschnittes sowie plasmaspritzbrenner dafuer
JPS63147182A (ja) 1986-12-10 1988-06-20 Tokai Rubber Ind Ltd クリ−ニングブレ−ドの製法
JPS6459485A (en) 1987-08-31 1989-03-07 Asahi Chemical Ind Ic card
JP2659807B2 (ja) * 1989-01-26 1997-09-30 万鎔工業株式会社 直接製錬方法
US5062936A (en) * 1989-07-12 1991-11-05 Thermo Electron Technologies Corporation Method and apparatus for manufacturing ultrafine particles
JP3000610B2 (ja) 1990-03-14 2000-01-17 大同特殊鋼株式会社 硬質粒子分散合金粉末の製造方法及び硬質粒子分散合金粉末
DE4105407A1 (de) * 1991-02-21 1992-08-27 Plasma Technik Ag Plasmaspritzgeraet zum verspruehen von festem, pulverfoermigem oder gasfoermigem material
FR2673990B1 (fr) * 1991-03-14 1993-07-16 Sne Calhene Dispositif formant vanne, pour le raccordement etanche de deux conteneurs et conteneur prevu pour etre accouple a un tel dispositif.
GB9108891D0 (en) 1991-04-25 1991-06-12 Tetronics Research & Dev Co Li Silica production
NO174180C (no) * 1991-12-12 1994-03-23 Kvaerner Eng Innföringsrör for brenner for kjemiske prosesser
JPH0680410A (ja) 1992-08-31 1994-03-22 Sumitomo Heavy Ind Ltd 炭素煤製造装置
JPH06172818A (ja) * 1992-09-30 1994-06-21 Toyo Alum Kk 超微粒粉末の製造方法
GB9224745D0 (en) 1992-11-26 1993-01-13 Atomic Energy Authority Uk Microwave plasma generator
GB9300091D0 (en) 1993-01-05 1993-03-03 Total Process Containment Ltd Process material transfer
DE4307346A1 (de) 1993-03-09 1994-09-15 Loedige Maschbau Gmbh Geb Sicherheitsschließvorrichtung für Behälteröffnungen
JPH06272047A (ja) 1993-03-16 1994-09-27 Mitsubishi Cable Ind Ltd 被覆粉体の製造方法及びその装置
JPH06299209A (ja) 1993-04-14 1994-10-25 Sansha Electric Mfg Co Ltd 磁性材料の粉粒体の生成方法
US5460701A (en) * 1993-07-27 1995-10-24 Nanophase Technologies Corporation Method of making nanostructured materials
US5408066A (en) * 1993-10-13 1995-04-18 Trapani; Richard D. Powder injection apparatus for a plasma spray gun
JP2549273B2 (ja) 1994-04-28 1996-10-30 鎌長製衡株式会社 粉体充填機の脱気装置
US5420391B1 (en) * 1994-06-20 1998-06-09 Metcon Services Ltd Plasma torch with axial injection of feedstock
US5526358A (en) 1994-08-19 1996-06-11 Peerlogic, Inc. Node management in scalable distributed computing enviroment
FR2724123A1 (fr) * 1994-09-07 1996-03-08 Serole Bernard Dispositif permettant la stabilisation d'une reaction chimique continue entre plusieurs corps dans un plasma
US5455401A (en) * 1994-10-12 1995-10-03 Aerojet General Corporation Plasma torch electrode
CN1106325A (zh) * 1994-11-01 1995-08-09 武汉工业大学 直流电弧等离子体制备超细粉末装置
US5593740A (en) * 1995-01-17 1997-01-14 Synmatix Corporation Method and apparatus for making carbon-encapsulated ultrafine metal particles
US6063243A (en) * 1995-02-14 2000-05-16 The Regents Of The Univeristy Of California Method for making nanotubes and nanoparticles
JPH08243756A (ja) 1995-03-03 1996-09-24 Mitsubishi Materials Corp プラズマ肉盛用溶接トーチ及び肉盛溶接方法
US5736073A (en) * 1996-07-08 1998-04-07 University Of Virginia Patent Foundation Production of nanometer particles by directed vapor deposition of electron beam evaporant
US5935461A (en) * 1996-07-25 1999-08-10 Utron Inc. Pulsed high energy synthesis of fine metal powders
JP3409974B2 (ja) 1996-08-23 2003-05-26 同和鉱業株式会社 大気との接触を嫌う粉体の保存・運搬具
JPH10216959A (ja) 1997-01-31 1998-08-18 Inoue Seisakusho:Kk 抵抗溶接用電極
JP3041413B2 (ja) * 1997-03-10 2000-05-15 工業技術院長 レーヤードアルミニウム微粒子の生成法及びその応用
RU2133173C1 (ru) 1997-12-02 1999-07-20 Открытое акционерное общество "Компат" Способ получения порошка с микрокристаллической структурой
DE19755350A1 (de) 1997-12-12 1999-06-17 Henkel Kgaa Verfahren zum Beizen und Passivieren von Edelstahl
US6379419B1 (en) * 1998-08-18 2002-04-30 Noranda Inc. Method and transferred arc plasma system for production of fine and ultrafine powders
ATE258092T1 (de) * 2000-02-10 2004-02-15 Tetronics Ltd Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver
IL152119A0 (en) * 2000-04-10 2003-05-29 Tetronics Ltd Twin plasma torch apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
ATE258092T1 (de) 2004-02-15
US7727460B2 (en) 2010-06-01
US20060096417A1 (en) 2006-05-11
CN100418674C (zh) 2008-09-17
EP1398100A2 (de) 2004-03-17
CA2399581A1 (en) 2001-08-16
RU2263006C2 (ru) 2005-10-27
US20060107789A1 (en) 2006-05-25
DE60101840D1 (de) 2004-02-26
EP1257376B1 (de) 2004-01-21
EP1398100A3 (de) 2005-06-08
AU2001232063A1 (en) 2001-08-20
JP2003522299A (ja) 2003-07-22
US7022155B2 (en) 2006-04-04
EP1415741A2 (de) 2004-05-06
IL151114A0 (en) 2003-04-10
KR100784576B1 (ko) 2007-12-10
US20030097903A1 (en) 2003-05-29
CN1422195A (zh) 2003-06-04
EP1257376A1 (de) 2002-11-20
WO2001058625A1 (en) 2001-08-16
IL151114A (en) 2006-12-31
EP1415741A3 (de) 2005-05-25
KR20020092364A (ko) 2002-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE60101840T2 (de) Plasmareaktor zur herstellung von feinem pulver
DE69907933T2 (de) Verfahren und plasmareaktor mit übertragendem lichtbogen zur hestellung von feinen und ultrafeinen pulvern
DE60111413T2 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von anorganischen fullerenähnlichen nanopartikeln
DE10003982B4 (de) Oxidbeschichtete feine Metallteilchen und Verfahren zu deren Herstellung
DE69819740T2 (de) Aerosolverfahren und -gerät, teilchenförmige produkte, und daraus hergestellte elektronische geräte
EP0568863B1 (de) Feinteiliges Metallpulver
DE4214719C2 (de) Verfahren zur Herstellung feinteiliger Metall- und Keramikpulver
EP0568862B1 (de) Feinteiliges Metallpulver
WO2007128821A2 (de) Verfahren zur herstellung von suspensionen nanopartikulärer feststoffe
EP0569765A1 (de) Vorrichtung zur Herstellung von feinteiliger Metall- und Keramikpulver
EP0650791B1 (de) Feinteilige Metall-, Legierungs- und Metallverbindungspulver
EP0568861B1 (de) Feinteilige Nichtoxid-Keramikpulver
WO2002049986A1 (de) Verfahren zur herstellung von wolframcarbid
DE19706524A1 (de) Feinteiliges phosphorhaltiges Eisen
GB2365876A (en) Making nano-sized powder using a plasma arc reactor
WO2020244948A1 (de) Verfahren und vorrichtung zur herstellung von materialpulver
DE10319742A1 (de) Pulverisierte organische Halbleiter und Verfahren zum Aufdampfen auf einen Träger
WO2010081610A2 (de) Verfahren zur modifizierung der oberfläche von partikeln und hierzu geeignete vorrichtung
DE3339490A1 (de) Verfahren zur plasmachemischen gewinnung eines feindispersen beschickungsguts
DE102014110802B3 (de) Herstellung von Nanopulvern
EP0889006A1 (de) Verfahren zur Rückgewinnung von dotiertem Wolfram
Deegan et al. The production of aluminium nanopowder using dc atmospheric plasma technology

Legal Events

Date Code Title Description
8364 No opposition during term of opposition