CN113680299A - 一种冷壁反应器 - Google Patents
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Abstract
本发明公开了一种冷壁反应器,包括冷壁反应器箱体和成品收集箱,所述冷壁反应器箱体的内部安装有石墨坩埚,所述石墨坩埚内盛装有固体原料,所述冷壁反应器箱体的侧壁上贯穿安装有固体原料进料管道、气体原料进料管道、等离子枪,所述固体原料进料管道、气体原料进料管道均延伸至石墨坩埚内且位于上方,所述等离子枪位于石墨坩埚的上方,所述气体原料进料管道内设有通入冷壁反应器箱体内的气体原料,所述冷壁反应器箱体的上端安装有反应器尾气出气口,所述冷壁反应器箱体的底部安装有底部出料管道,所述出料管道通过输送管与收集箱进料管道相连通。本发明节约了能耗、提高了反应温度,可以用于制备纳米硅、碳纳米管、石墨烯等新型纳米材料。
Description
技术领域
本发明涉及纳米材料加工技术领域,尤其涉及一种冷壁反应器。
背景技术
在锂离子电池领域,多种纳米材料的应用日益广泛。
例如,碳纳米管导电剂、石墨烯导电剂、纳米硅负极等。以上纳米材料的制备工艺需要高温反应器,现有的高温反应器多是外部加热,通过辐射的方式促进反应进行。但是外加热有多种缺陷,包括核心区域温度低、加热升温速率慢、能耗高,导致无法产出高性能、高性价比的纳米材料。例如,通过传统的流化床反应器制备的单壁碳纳米管,反应温度不超过1500℃,对加热炉体要求高,所制备的碳纳米管G/D相对低,导电性差。
因此,我们设计了一种冷壁反应器来解决以上问题。
发明内容
本发明的目的是为了解决现有技术中存在的缺点,而提出的一种冷壁反应器,其节约了能耗、提高了反应温度,可以用于制备纳米硅、碳纳米管、石墨烯等新型纳米材料。
为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:
一种冷壁反应器,包括冷壁反应器箱体和成品收集箱,所述冷壁反应器箱体的内部安装有石墨坩埚,所述石墨坩埚内盛装有固体原料,所述冷壁反应器箱体的侧壁上贯穿安装有固体原料进料管道、气体原料进料管道、等离子枪,所述固体原料进料管道、气体原料进料管道均延伸至石墨坩埚内且位于上方,所述等离子枪位于石墨坩埚的上方,所述气体原料进料管道内设有通入冷壁反应器箱体内的气体原料,所述冷壁反应器箱体的上端安装有反应器尾气出气口,所述冷壁反应器箱体的底部安装有底部出料管道,所述底部出料管道通过输送管与收集箱进料管道相连通,所述成品收集箱上安装有收集箱进料管道,所述冷壁反应器箱体上贯穿安装有顶部出料管道和中部出料管道,所述顶部出料管道、中部出料管道均与收集箱进料管道相连通,所述成品收集箱的上端安装有收集箱尾气出气口,且所述成品收集箱内安装有喷淋系统,所述成品收集箱的内底部设有水槽,且所述成品收集箱的底部安装有底部收集管道。
优选地,所述冷壁反应器箱体的侧壁包括内层、中间层和外层,所述内层的材质为刚玉、耐火砖,所述这中间层的材质为保温棉,所述外层的材质为不锈钢。
优选地,所述固体材料为导体、半导体,可以在石墨坩埚中与石墨坩埚连接形成电极。
优选地,所述气体原料的包括氮气、氩气、氢气、氧气中一种或多种。
优选地,所述顶部出料管道、中部出料管道、底部出料管道和输送管的外部均连接有伴热器,且所述顶部出料管道、中部出料管道、底部出料管道外的伴热器单独控制,所述底部出料管道和输送管为同一伴热器。
优选地,所述成品收集箱为双层310S不锈钢,所述成品收集箱的内部夹层设有冷却水循环系统。
优选地,所述冷壁反应器箱体内安装有支撑架,所述石墨坩埚安装在支撑架上,其所述石墨坩埚的底部安装有电路。
优选地,所述固体原料进料管道内设有气封系统,且所述固体原料进料管道为耐高温的310S不锈钢。
优选地,所述等离子枪的内部分为阴极和微型阳极,所述阴极材质为高熔点的金属合金,所述金属合金为钨钼合金、钨钍合金,所述等离子枪内的阳极材料为石墨。
本发明与现有技术相比,其有益效果为:
通过本发明设备制备的单壁碳纳米管,反应核心区域温度高达10000℃以上,得到的单壁碳纳米管产品G/D高,导电性好;物理法石墨烯的前驱体膨胀石墨,常用的膨胀炉温度在800℃,膨胀倍率400倍左右,之后通过高压均质机加工的物理法石墨烯厚度在5~10nm左右;
本发明的冷壁加热炉,在惰性气体保护下膨胀温度在5000℃以上,得到的膨胀石墨倍率600倍以上,之后通过高压均质机加工的物理法石墨烯厚度在3~5nm;硅基负极的制备方法有液相研磨法、真空蒸镀法等,此类制备方法温度低,产生纳米硅产品的结晶度低,粒度d50在4~6μm;
本发明反应器用于制备纳米硅负极,温度高达10000℃以上,得到的氧化亚硅粒度d50在0.5~1μm,随着粒径的减小,电池循环稳定性显著增强。
综上所述,本发明节约了能耗、提高了反应温度,可以用于制备纳米硅、碳纳米管、石墨烯等新型纳米材料。
附图说明
图1为本发明提出的一种冷壁反应器的结构示意图;
图2为本发明提出的一种冷壁反应器中A处的结构示意图。
图中:1冷壁反应器箱体、2固体原料、3固体原料进料管道、4气体原料进料管道、5等离子枪、6石墨坩埚、7顶部出料管道、8中部出料管道、9底部出料管道、10反应器尾气出气口、11成品收集箱、12收集箱进料管道、13底部收集管道、14喷淋系统、15水槽、16收集箱尾气出气口、17输送管、18支撑架、19外层、20中间层、21内层。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。
参照图1-2,一种冷壁反应器,包括冷壁反应器箱体1和成品收集箱11,冷壁反应器箱体1的侧壁包括内层21、中间层20和外层19,内层21的材质为刚玉、耐火砖,这中间层20的材质为保温棉,外层19的材质为不锈钢;其中,成品收集箱11为双层310S不锈钢,成品收集箱11的内部夹层设有冷却水循环系统。
冷壁反应器箱体1的内部安装有石墨坩埚6,石墨坩埚6内盛装有固体原料2,固体材料2为导体、半导体,可以在石墨坩埚6中与石墨坩埚6连接形成电极,例如,制备碳纳米管用到人造石墨颗粒复合铁粉,制备石墨烯用到可膨胀石墨,制备氧化压硅用到二氧化硅和单晶硅;其中,冷壁反应器箱体1内安装有支撑架18,石墨坩埚6安装在支撑架18上,其石墨坩埚6的底部安装有电路,与固体原料2整体形成阳极,石墨材质通电后会逐渐损耗,石墨坩埚6需要定期更换。
冷壁反应器箱体1的侧壁上贯穿安装有固体原料进料管道3、气体原料进料管道4、等离子枪5,固体原料进料管道3内设有气封系统,且固体原料进料管道3为耐高温的310S不锈钢,可隔绝反应器外的空气,保证固体原料2持续进入系统的同时可保持冷壁反应器箱体1内外气压差和隔绝空气;固体原料进料管道3、气体原料进料管道4均延伸至石墨坩埚6内且位于上方,等离子枪5的内部分为阴极和微型阳极,阴极材质为高熔点的金属合金,金属合金为钨钼合金、钨钍合金,等离子枪5内的阳极材料为石墨,微型阳极消耗速率较慢,阴极虽然消耗速度较快,电极寿命通常由阴极消耗速率决定,通常在200小时以上。
等离子枪5位于石墨坩埚6的上方,气体原料进料管道4内设有通入冷壁反应器箱体1内的气体原料,气体原料的包括氮气、氩气、氢气、氧气中一种或多种;例如,制备碳纳米管需要用到氮气、氩气保护气,氢气还原气体,制备石墨烯用到氮气保护气体,制备氧化亚硅用到氮气、氧气。
冷壁反应器箱体1的上端安装有反应器尾气出气口10,冷壁反应器箱体1的底部安装有底部出料管道9,出料管道9通过输送管17与收集箱进料管道12相连通,顶部出料管道7、中部出料管道8、底部出料管道9和输送管17的外部均连接有伴热器,且顶部出料管道7、中部出料管道8、底部出料管道9外的伴热器单独控制,底部出料管道9和输送管17为同一伴热器,其中收集箱进料管道12也安装有伴热器,防止物料冷凝在管道内壁上;顶部出料管道7、中部出料管道8、底部出料管道9通常不会同时使用,根据产物状态的不同选择开启位置,例如,碳纳米管、石墨烯堆积密度小于0.2g/m2,在载气的作用下会通过顶部出料管道7或中部出料管道8出料,氧化亚硅堆积密度密度大于1g/m2,会在底部出料管道9出料。
反应器尾气出口10根据工艺跟反应过程不同可以选择开关状态,通常在成品收集箱11收料时候为关闭状态,在成品收集箱11关闭的反应过程中为开启状态,反应器尾气出气口10材质可选择耐高温的310S不锈钢或者刚玉。
成品收集箱11上安装有收集箱进料管道12,冷壁反应器箱体1上贯穿安装有顶部出料管道7和中部出料管道8,顶部出料管道7、中部出料管道8均与收集箱进料管道12相连通,成品收集箱11的上端安装有收集箱尾气出气口16,且成品收集箱11内安装有喷淋系统14,成品收集箱11的内底部设有水槽15,且成品收集箱11的底部安装有底部收集管道13,水槽15中的水通过喷淋系统14不断补充,其收集的物料在底部收集管道13输送至系统外,水槽15材质为耐高温的310S不锈钢或石墨。
其中,收集箱尾气出气口16在成品收集箱11收集物料时候打开,在冷壁反应器箱体1生产物料时候通常为关闭状态,其与反应器尾气出气口10错开闭合,该出口外通常要连接布袋除尘器或者不锈钢烧结滤芯,纺织粉尘排出到环境中。
本发明中:
实施例1
对于单壁碳纳米管的制备:
用到的固体原料2为超高功率人造石墨块混合金属铁粉,其重量比为人造石墨块:铁粉=10:1;气体原料有氮气和氢气,氮气为保护气,防止碳纳米管被氧化;氢气为活性还原性气体,可阻止高温下的铁催化剂形成大颗粒;反应压力条件为常压。碳纳米管的生长过程中,超高功率人造石墨块和混合金属铁粉不断的通过固体原料进料管道3补充到反应系统石墨坩埚6中,人造石墨和铁粉作为阳极快速的消耗,在等离子体枪5的5000℃以上的高温作用下快速生成单壁碳纳米管,单壁碳纳米管堆积密度小于0.2m2/g,在氮气的吹载下通过中部出料管道8进入成品收集箱11,在去离子水喷淋系统14的作用下沉积到水槽15中,最后通过底部收集管道13收集。
该冷壁反应系统得到的单壁碳纳米管,其管径在1~2nm,管长在100μm以上,G/D比大于80,性能指标优越。
实施例2
物理法石墨烯前驱体膨胀石墨的制备:
用到的固体原料2为双氧水氧化插层的可膨胀石墨;气体原料有氮气,创造保护性气氛;反应器中压力条件为常压;在制备膨胀石墨的过程中,可膨胀石墨通过固体原料进料管道3不断的加入到石墨坩埚6中;可膨胀石墨作为阳极迅速通电高温膨胀,反应温度在5000℃以上,得到的膨胀石墨体积膨胀倍率在600倍以上,其堆积密度小于0.05m2/g,在氮气通过顶部出料管道7吹送到成品收集箱11,在去离子水喷淋系统14的作用下沉积到水槽15中,最后通过底部收集管道13收集;该冷壁反应系统制备的可膨胀石墨,其膨胀倍率高,适合被后续通过高压均质机、砂磨机或者超声设备剥离,最终制备的物理法石墨烯层数可在5层以内,优于市面上常见的10层左右的物理法石墨烯。
实施例3
氧化亚硅SiOX的制备:
固体原料2为摩尔质量比为1:1的硅和二氧化硅的混合粉体,两者纯度都在99.9%以上;硅的熔点是1410℃,沸点是3265℃;二氧化硅的熔点是1650℃,沸点是2230℃;气体原料为氮气和氧气。在等离子体高于5000℃的作用下,硅和二氧化硅同时气化;成品SiOX中的X可以通过氧气的通入量来调节;得到的氧化亚硅密度在1g/m2以上,产品通过底部出料管道9进入到成品收集箱11,在去离子水喷淋系统14的作用下沉积到水槽15中,之后通过底部收集管道13收集;在高于5000℃的工艺条件下,气态的硅和二氧化硅与氧气均匀充分反应,得到的氧化亚硅产物一致性高,而且颗粒粒度D50小于1μm,远低于常规蒸镀法的D50在5μm左右的产品;该方法制备的氧化亚硅被实施例一得到的单壁碳纳米管包覆后(重量比为氧化亚硅:单壁碳纳米管=1000:1),5%的质量分数添加到人造石墨负极中得到的硅碳负极容量高于400mA.h/g,首次充放电效率高于80%,300次循环后库伦效率高于99%。
综上所述,通过本发明设备制备的单壁碳纳米管,反应核心区域温度高达10000℃以上,得到的单壁碳纳米管产品G/D高,导电性好;物理法石墨烯的前驱体膨胀石墨,常用的膨胀炉温度在800℃,膨胀倍率400倍左右,之后通过高压均质机加工的物理法石墨烯厚度在5~10nm左右;
本发明的冷壁加热炉,在惰性气体保护下膨胀温度在5000℃以上,得到的膨胀石墨倍率600倍以上,之后通过高压均质机加工的物理法石墨烯厚度在3~5nm;硅基负极的制备方法有液相研磨法、真空蒸镀法等,此类制备方法温度低,产生纳米硅产品的结晶度低,粒度d50在4~6μm;
本发明反应器用于制备纳米硅负极,温度高达10000℃以上,得到的氧化亚硅粒度d50在0.5~1μm,随着粒径的减小,电池循环稳定性显著增强。
以上所述,仅为本发明较佳的具体实施方式,但本发明的保护范围并不局限于此,任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内,根据本发明的技术方案及其发明构思加以等同替换或改变,都应涵盖在本发明的保护范围之内。
Claims (9)
1.一种冷壁反应器,包括冷壁反应器箱体(1)和成品收集箱(11),其特征在于,所述冷壁反应器箱体(1)的内部安装有石墨坩埚(6),所述石墨坩埚(6)内盛装有固体原料(2),所述冷壁反应器箱体(1)的侧壁上贯穿安装有固体原料进料管道(3)、气体原料进料管道(4)、等离子枪(5),所述固体原料进料管道(3)、气体原料进料管道(4)均延伸至石墨坩埚(6)内且位于上方,所述等离子枪(5)位于石墨坩埚(6)的上方,所述气体原料进料管道(4)内设有通入冷壁反应器箱体(1)内的气体原料,所述冷壁反应器箱体(1)的上端安装有反应器尾气出气口(10),所述冷壁反应器箱体(1)的底部安装有底部出料管道(9),所述底部出料管道(9)通过输送管(17)与收集箱进料管道(12)相连通,所述成品收集箱(11)上安装有收集箱进料管道(12),所述冷壁反应器箱体(1)上贯穿安装有顶部出料管道(7)和中部出料管道(8),所述顶部出料管道(7)、中部出料管道(8)均与收集箱进料管道(12)相连通,所述成品收集箱(11)的上端安装有收集箱尾气出气口(16),且所述成品收集箱(11)内安装有喷淋系统(14),所述成品收集箱(11)的内底部设有水槽(15),且所述成品收集箱(11)的底部安装有底部收集管道(13)。
2.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述冷壁反应器箱体(1)的侧壁包括内层(21)、中间层(20)和外层(19),所述内层(21)的材质为刚玉、耐火砖,所述这中间层(20)的材质为保温棉,所述外层(19)的材质为不锈钢。
3.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述固体材料(2)为导体、半导体,可以在石墨坩埚(6)中与石墨坩埚(6)连接形成电极。
4.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述气体原料的包括氮气、氩气、氢气、氧气中一种或多种。
5.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述顶部出料管道(7)、中部出料管道(8)、底部出料管道(9)和输送管(17)的外部均连接有伴热器,且所述顶部出料管道(7)、中部出料管道(8)、底部出料管道(9)外的伴热器单独控制,所述底部出料管道(9)和输送管(17)为同一伴热器。
6.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述成品收集箱(11)为双层310S不锈钢,所述成品收集箱(11)的内部夹层设有冷却水循环系统。
7.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述冷壁反应器箱体(1)内安装有支撑架(18),所述石墨坩埚(6)安装在支撑架(18)上,其所述石墨坩埚(6)的底部安装有电路。
8.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述固体原料进料管道(3)内设有气封系统,且所述固体原料进料管道(3)为耐高温的310S不锈钢。
9.根据权利要求1所述的一种冷壁反应器,其特征在于,所述等离子枪(5)的内部分为阴极和微型阳极,所述阴极材质为高熔点的金属合金,所述金属合金为钨钼合金、钨钍合金,所述等离子枪(5)内的阳极材料为石墨。
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