TWI383849B

TWI383849B - 奈米金屬溶液、奈米金屬複合顆粒以及導線的製作方法

Info

Publication number: TWI383849B
Application number: TW98136504A
Authority: TW
Inventors: Kuo Chan Chiou; Szu Po Huang; Tzong Ming Lee; Chun Yi Chiu
Original assignee: Ind Tech Res Inst
Priority date: 2008-12-31
Filing date: 2009-10-28
Publication date: 2013-02-01
Also published as: TW201023999A

Description

奈米金屬溶液、奈米金屬複合顆粒以及導線的製作方法

本發明是有關於一種金屬溶液、金屬複合顆粒以及導線的製作方法，且特別是有關於一種奈米金屬溶液、奈米金屬複合顆粒以及由奈米金屬溶液製作導線的製作方法。

自從奈米顆粒相關技術被推出之後，各類產業都在嘗試找出奈米級顆粒的特性在其所屬領域中可以應用的範疇。舉例而言，在光電產業中，奈米級的金屬顆粒，例如奈米銅，因為具有良好的電性特性而逐漸的受到重視。特別是，在光電產業相關產品不斷地朝向高密度發展的趨勢下，尺寸微小的奈米級金屬顆粒儼然成為極富發展潛力的材料。

目前已有許多奈米金屬顆粒的合成方法被提出。主要的方式是利用還原作用將原本溶解在溶液中的金屬離子還原成奈米級的金屬顆粒。實際上，金屬離子還原成金屬顆粒的過程中常常會彼此吸附或是受到重力的作用而沉澱，使得這些金屬顆粒無法均勻地分散開來或是使顆粒尺寸大於奈米等級。因此，奈米金屬顆粒的合成方法尚須在溶液中添加保護劑以避免還原後的金屬顆粒彼此吸附或聚集在一起。

保護劑的添加雖然可以維持奈米金屬顆粒的分散性，但是在實際應用這些奈米金屬顆粒時仍需要進行一些清洗的步驟將保護劑移除。因此，利用這些奈米金屬顆粒製作導體材料的製程步驟會變得繁瑣且成本也隨之增加而不利於量產。

本發明提供一種奈米金屬溶液，其具有可自行裂解的保護劑，所以在使用此奈米金屬溶液時不需進行清洗製程而可提高製程效率。

本發明提供一種奈米金屬複合顆粒，此奈米金屬複合顆粒在低溫燒結之後就可以形成純質導體圖案而有助於簡化製程步驟。

本發明提供一種導線的製作方法，其製程簡單且藉此方法所製作的導線具有良好的性質。

本發明提出一種奈米金屬溶液，其包括0.1~30wt%之一保護劑、0.01~15wt%之奈米金屬顆粒、0.07~15wt%之一還原劑以及40~99.82wt%之一溶劑。保護劑具有如化學式1所示之自裂解分子：

其中n為2~15，R選自：

保護劑、奈米金屬顆粒以及還原劑均勻地混合於溶劑中，且自裂解分子吸附於奈米金屬顆粒表面。

本發明又提出一種奈米金屬複合顆粒，其包括一奈米金屬顆粒以及多個自裂解分子。自裂解分子吸附於奈米金屬顆粒的表面，且各自裂解分子如化學式1所示：

其中n為2~15，R選自：

本發明再提出一種導線製作方法，包括以下的步驟。首先，製備一奈米金屬溶液。接著，將奈米金屬溶液形成於一基材上。然後，進行一燒結製程，以使自裂解分子自行裂解，並使奈米金屬顆粒連結在一起。此奈米金屬溶液包括0.1~30wt%之一保護劑、0.01~15wt%之奈米金屬顆粒、0.01~15wt%之一還原劑以及40~99.82wt%之一溶劑。保護劑具有如化學式1所示之自裂解分子：

其中n為2~15，R選自：

基於上述，本發明使用可自行裂解的自裂解分子作為保護劑的成分並添加在奈米金屬溶液中。利用本發明的奈米金屬溶液製作成導線或是導體圖案時，不需進行額外的清洗製程，而有助於簡化導線或是導體圖案的製作步驟。在本發明中，自裂解分子吸附於奈米金屬顆粒表面所構成的奈米金屬複合顆粒具有良好的分散性，所以奈米金屬顆粒的尺寸及穩定性都相當良好。

為讓本發明之上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。

一般來說，為了避免奈米金屬顆粒聚集或黏結在一起，製作奈米金屬顆粒的過程都會在奈米金屬溶液中添加保護劑。保護劑中的分子會吸附在奈米金屬顆粒的表面而構成一奈米金屬複合顆粒，藉以達到分散這些顆粒的作用。不過，習知技術中所使用的保護劑都是由不容易自行裂解的分子所組成，因而需要以額外的清洗製程將保護劑自奈米顆粒之表面移除。如此一來，此種金屬奈米顆粒之整體應用方法將變得繁瑣且製程成本也隨之提高。因此，本發明將一種由自裂解分子所組成的保護劑應用在奈米金屬顆粒以及導線的製作方法中，以提高整體製程效率並降低成本。

圖1繪示為本發明之一實施例的導線的製作流程。請參照圖1，本實施例的導線製作方法例如是先進行步驟110，製備一奈米金屬溶液。

根據本發明之一實施例，圖1之步驟110的奈米金屬溶液的製備方法可參照圖2所示的流程。製備奈米金屬溶液時是先將一金屬鹽混合於保護劑、還原劑以及溶劑當中(步驟112)。

在此製程中，金屬鹽例如是硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、醋酸銅、硝酸銀、氯化金或上述之組合。換言之，根據金屬鹽所選用的種類，本實施例的奈米金屬顆粒可以是銀奈米顆粒、銅奈米顆粒、金奈米顆粒或是其他的金屬奈米顆粒。上述金屬鹽溶解於溶劑時會先解離成金屬陽離子以及一陰離子根。

溶劑包括甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、松油醇或上述之組合。

還原劑則包括一有機酸或一有機鹼。還原劑為有機酸時，其材質包括維他命C酸(Ascorbic acid)、維他命E酸、檸檬酸或上述之組合。另一方面，還原劑為有機鹼時，其材質包括硼氫化鉀(KBH₄ )、次亞磷酸鈉(NaH₂ PO₂ ‧H₂ O)、硼氫化鈉(NaBH₄ )、聯胺(N₂ H₄ )、氫氧化鈉(NaOH)或上述之組合。上述材質的選用都是舉例說明而非將本發明限定於此。

接著，請參照圖2，進行步驟114，使金屬鹽與還原劑進行反應而生成奈米金屬顆粒。在還原劑的還原作用下，金屬鹽所解離出來的金屬離子會被還原成金屬原子並進一步形成多個奈米金屬顆粒。此時，部分的自裂解分子便會吸附於這些奈米金屬顆粒表面以構成多個奈米金屬複合顆粒。這些自裂解分子的吸附可以有效地避免奈米金屬顆粒彼此黏結或是沉澱，而有助於使奈米金屬顆粒維持在適當的狀態及粒徑大小。亦即，奈米金屬複合顆粒可以在很安定的狀態下被良好地保存，且奈米金屬顆粒的粒徑大小也不容易被改變。

因此，根據圖2之流程所得到的奈米金屬溶液包括0.1~30wt%之一保護劑、0.01~15wt%之奈米金屬顆粒、0.01~15wt%之一還原劑以及40~99.82wt%之一溶劑。較佳的是，奈米金屬溶液包括4~10wt%之保護劑、0.5~1.0wt%之奈米金屬顆粒、5~8wt%之還原劑以及75~90wt%之溶劑。特別是，保護劑具有如化學式1所示之自裂解分子：

其中n為2~15，R選自：

保護劑、奈米金屬顆粒以及還原劑均勻地混合於溶劑中，且自裂解分子吸附於奈米金屬顆粒表面。特別是，自裂解分子是藉由R所在的位置與奈米金屬顆粒產生吸附作用。

這些吸附有自裂解分子的奈米金屬顆粒又稱為奈米金屬複合顆粒。在本實施例中，保護劑中的這些自裂解分子可產生自裂解的溫度都是低於200℃。換言之，本實施例所使用的自裂解分子在低溫製程條件下即可產生自裂解反應，如此將有助於應用於低溫導線製程中。

此外，在一實施例中，上述自裂解分子可由二苯酯類化合物與二胺化類合物反應而成。舉例而言，以碳酸二苯酯(diphenylcarbonate)以及己二胺(hexanediamine)反應即可得到自裂解分子，如下：

類似地，以不同的二苯酯類化合物與二胺類化合物(例如是丁二胺、辛二胺等等)即可合成出如上述化學式1所示之其他種自裂解分子。二胺類的選用將影響化學式1中n值的大小，而n值的大小將影響奈米金屬溶液整體的黏度。因此使用者可以根據實際的需要而選用適合的二胺類。此外，其他種二苯酯類化合物與其他種二胺類化合物之化學反應為此領域技術人員可以由上述反應式類推瞭解，因此在此不再贅述。

在完成圖2之步驟以取得奈米金屬溶液後，也就是完成如圖1所示的步驟110之後，請繼續參照圖1，進行步驟120，將奈米金屬溶液形成於一基材上。舉例而言，將奈米金屬溶液形成於基材上的方法包括網印法、噴墨印刷法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、平版印刷法或噴塗塗佈法等。由於本實施例之奈米金屬溶液可視為一種含有奈米金屬複合顆粒的油墨，因此藉由印刷、噴墨或是其他塗抹等方式即可將含有這些奈米金屬複合顆粒的油墨形成於基板的特定位置上，以構成特定圖案(例如是導線圖案、電極圖案或是其他種導體圖案)。不過，本發明不限於此，在其他的實施例中也可以在基板的整個表面上塗佈奈米金屬溶液，以形成無圖案化的膜層。值得一提的是，上述奈米金屬溶液中的保護劑的自裂解分子還具有提高基板與奈米金屬顆粒之間的附著性之功效，而使製程良率提升。

然後，請參考圖1，進行一燒結製程(步驟130)。詳細而言，對上述步驟120中之已形成在基材上的奈米金屬溶液進行一燒結製程，以使基板上的奈米金屬溶液形成預定的導線、電極、導體圖案或是未圖案化的膜層。

在本實施例中，製作導線時，燒結製程的製程溫度可以是低於200℃。由於本實施例的自裂解分子在溫度低於200℃時即可以產生自裂解反應。所以，在這樣的溫度下進行燒結製程，保護劑的自裂解分子將自奈米顆粒之表面脫離，並使得奈米金屬顆粒彼此燒結在一起而形成特定圖案的導線。所以，經由上述燒結步驟之後所製作的導線、電極或是導體圖案不會有保護劑的殘留而可以具有良好的電性特性。

詳細而言，若以上述碳酸二苯酯(diphenylcarbonate)與己二胺(hexanediamine)反應所得到自裂解分子為例，上述步驟130之燒結步驟中自裂解分子所產生的自裂解反應如下：

換言之，自裂解分子在燒結步驟時將分解成酚(phenol)與一直鏈狀化合物，而酚在這樣的燒結溫度下將揮發掉，因而使得自裂解分子可順利地自奈米金屬顆粒的表面脫離下來。

值得注意的是，本實施例的製作方法中，進行燒結製程的同時就可以移除吸附於奈米金屬顆粒表面的自裂解分子。因此，本實施例的製作方法不需要利用額外的清洗步驟來將不必要的保護劑移除。換言之，保護劑的自裂解分子具有低溫自裂解的特性而使得整體導線製程可以被簡化且製程成本可以降低。以下將針對保護劑中自裂解分子的特性提出進一步的說明。

在本發明中，多個自裂解分子吸附於奈米金屬顆粒表面的狀態即稱之為一奈米金屬複合顆粒。圖3繪示為本發明之一實施例的奈米金屬複合顆粒在不同的加熱條件中的狀態變化示意圖。請參照圖3，奈米金屬複合顆粒300包括一奈米金屬顆粒M以及吸附於奈米金屬顆粒M表面的多個自裂解分子310。此外，奈米金屬複合顆粒300為未受到加熱的狀態，奈米金屬複合顆粒300’為奈米金屬複合顆粒300在150℃下加熱60分鐘後的狀態，而奈米金屬複合顆粒300’’為奈米金屬複合顆粒300’在200℃下加熱60分鐘後的狀態。

從圖3可知，奈米金屬複合顆粒300被加熱之後，自裂解分子310會逐漸的裂解而自奈米金屬顆粒M的表面脫離。也就是說，奈米金屬複合顆粒300經過燒結製程後可以轉變成純質的奈米金屬顆粒M，並且這些奈米金屬顆粒M在燒結製程中彼此黏結在一起即構成連續的導體圖案。因此，利用奈米金屬複合顆粒300製作導體圖案時不需要額外的步驟以將自裂解分子310移除。

為了進一步說明奈米金屬複合顆粒300的特性，在此更針對奈米金屬複合顆粒300進行熱重分析實驗。圖4繪示為利用熱重分析實驗，以比較於不同等溫條件下本發明之具自裂解分子之保護劑與習知保護劑(PVP)之熱裂解行為。請參照圖4，曲線SD表示本發明之具自裂解分子之保護劑之熱裂解行為，曲線PVP習知保護劑(PVP)之熱裂解行為。由圖4可知，本發明之具自裂解分子之保護劑(SD)相較於習知保護劑(PVP)具有更低的熱解溫度。也就是，傳統保護劑(PVP)的熱解溫度為由400℃左右，而本發明之具自裂解分子之保護劑(SD)的熱解溫度為140℃左右。由於使用自裂解分子之保護劑(SD)，其熱解溫度可降至140℃左右，因此降低可自裂解分子之保護劑(SD)於奈米金屬上殘留量，進而提升於低溫燒結後奈米金屬材料的導電性。

相較之下，圖5繪示為一比較例的奈米金屬複合顆粒在加熱實驗中的狀態變化示意圖。請參照圖5，奈米金屬複合顆粒500包括一奈米金屬顆粒M以及吸附於奈米金屬顆粒M表面的多個非自裂解分子510。也就是說，奈米金屬複合顆粒500為採用習知的保護劑所製備出來的。此外，奈米金屬複合顆粒500為未加熱的狀態，奈米金屬複合顆粒500’為奈米金屬複合顆粒500在150℃下加熱60分鐘後的狀態，而奈米金屬複合顆粒500’’為奈米金屬複合顆粒500’在200℃下加熱60分鐘後的狀態。由圖5可知，在加熱一段時間之後，大部份非自裂解分子510仍吸附於奈米金屬顆粒M的表面。換言之，非自裂解分子510在加熱過程中並不容易被移除。

為了進一步說明比較例的奈米金屬複合顆粒500的特性，在此也針對比較例的奈米金屬複合顆粒500進行熱重分析實驗。圖6繪示為在150℃的熱重分析實驗時，使用具自裂解分子之保護劑(SD)與習知保護劑(PVP)之奈米金屬複合顆粒之重量損失變化圖，製備方法如實例1與比較例。請參照圖6，曲線SD表示了使用具自裂解分子之保護劑的奈米金屬複合顆粒在150℃的熱重實驗中重量損失的現象。曲線PVP表示了使用習知保護劑(PVP)的奈米金屬複合顆粒在150℃的熱重實驗中重量損失的現象。由圖6可知，在相同條件的熱重分析實驗之下，使用習知保護劑(PVP)的奈米金屬複合顆粒的重量下降速率相對地緩慢許多。此外，由圖5可知，奈米金屬複合顆粒500在加溫之後，其表面的非自裂解分子510不容易被移除。所以，由上述可知，使用習知保護劑(PVP)的奈米金屬複合顆粒必須另外藉由清洗製程才能使保護劑PVP移除。也就是習知的製程在進行燒結製程使奈米金屬顆粒M黏結成特定導體圖案或導線前必需先藉由清洗的製程將非自裂解分子510移除。也因此，習知製程較為繁雜且成本也較高。相反地，本實施例使用具自裂解分子之保護劑的奈米金屬複合顆粒的重量下降速較為明顯，這表示本發明之自裂解分子保護劑在加熱後即可以有效地被移除，而不需額外的清洗程序來移除。

以下列舉實例1、實例2以及比較例，以說明在奈米金屬溶液中使用本發明之保護劑以及使用習知保護劑在最後所得到之導電圖案的電阻值。

實例1

首先進行圖1之步驟110，其中步驟110的執行方式如圖2之流程。因此實例1之製備方法包括先進行圖2之流程的步驟112。也就是，準備150毫升且具有3口之玻璃反應器並使用2片葉輪的攪拌棒。在上述之反應器中先加入2g保護劑、2g硝酸銅(即金屬鹽)及20ml乙二醇(Ethylene Glycol,EG)(即溶劑)，並且於135℃下攪拌均勻溶解。其中上述之保護劑為具有如化學式1所示之結構，且化學式1中的取代基R如化學式2所示，n=3。此保護劑的合成方法為將碳酸二苯酯(diphenylcarbonate)以及己二胺(hexanediamine)於室溫下反應再經由再結晶純化即可得到。

另外，將3g維他命C酸及2g自裂解保護劑溶於5ml之N,N-二甲基乙胺(DMAc)中。然後，進行圖2之流程的步驟114，也就是於攪拌之條件下將上述溶液加入於上述已加入有自裂解分子的保護劑、硝酸銅(即金屬鹽)及乙二醇(Ethylene Glycol,EG)(即溶劑)的反應器中，之後將溫度控制於135℃下攪拌反應1.5小時。

反應結束後，待溫度降至室溫即可得到奈米金屬溶液(也就是完成圖1之步驟110)。

接著，進行圖1的步驟120，也就是將此奈米金屬溶液塗佈於玻璃上。

然後，進行圖1的步驟130，也就是於150℃真空條件下烘烤1小時，以進行燒結製程，如此即可得到一導電薄膜材料。最後再量測此導電薄膜材料之導電性。

實例2

首先進行圖1之步驟110，其中步驟110的執行方式如圖2之流程。因此實例2之製備方法包括先進行圖2之流程的步驟112。也就是，準備150毫升且具有3口之玻璃反應器並使用2片葉輪的攪拌棒。在上述之反應器中先加入2g保護劑、0.4g硝酸銅(即金屬鹽)及40ml乙二醇(Ethylene Glycol,EG)(即溶劑)，並且於135℃下攪拌均勻溶解。其中上述之保護劑為具有如化學式1所示之結構，且化學式1中的取代基R如化學式2所示，n=3。此保護劑的合成方法為將碳酸二苯酯(diphenylcarbonate)以及己二胺(hexanediamine)於室溫下反應再經由再結晶純化即可得到。

另外，將3g維他命C酸及2g自裂解保護劑溶於10ml之N,N-二甲基乙胺(DMAc)中。然後，進行圖2之流程的步驟114，也就是於攪拌之條件下將上述溶液加入於上述已加入有自裂解分子的保護劑、硝酸銅(即金屬鹽)及乙二醇(Ethylene Glycol,EG)(即溶劑)反應器中。之後，將溫度控制於135℃下攪拌反應1.5小時。

然後，進行圖1的步驟130，也就是於150℃真空條件下烘烤1小時，以進行燒結製程，如此即可得到一導電薄膜材料。最後，再量測此導電薄膜材料之導電性。

比較例

首先進行圖1之步驟110，其中步驟110的執行方式如圖2之流程。因此實例2之製備方法包括先進行圖2之流程的步驟112。也就是準備150毫升且具有3口之玻璃反應器並使用2片葉輪的攪拌棒。在上述之反應器中先加入25g之習知保護劑(即聚乙烯吡咯烷酮(PVP,分子量為10,000))、5g硝酸銅(即金屬鹽)及250ml去離子水(D.I. water)(即溶劑)，並且於60℃下攪拌均勻溶解。

另外，將37.5g維他命C酸及25g聚乙烯吡咯烷酮溶於200ml之去離子水。然後，進行圖2之流程的步驟114，也就是於攪拌之條件下將上述溶液加入於已加入有習知保護劑、硝酸銅(即金屬鹽)及乙二醇(Ethylene Glycol,EG)(即溶劑)的反應器中。之後，將溫度控制於60℃下攪拌反應30分鐘。

由上述表一可知，在奈米金屬溶液使用具有如上述化學式1所示之自裂解分子的保護劑，其之後所形成的導電圖案的電阻值為9*10^-3 ~6*10^-3 Ω-cm。而在奈米金屬溶液使用習知保護劑(即聚乙烯吡咯烷酮)，其之後所形成的導電圖案的電阻值為1*10^-2 Ω-cm。也就是，使用如上述化學式1所示之自裂解分子的保護劑而形成的導電圖案的電阻值相較於使用習知保護劑而形成的導電圖案的電阻值至少小一個級數(order)。因而可證明經由本發明之製作方法所製作的導線或導電圖案也可以保有良好的電性特性。

綜上所述，本發明的奈米金屬溶液及奈米金屬複合顆粒中，可裂解分子的存在可以避免奈米金屬顆粒彼此黏結，而使奈米金屬顆粒具有固定的粒徑大小以及安定的特性。同時，本發明所採用的可裂解分子在加熱後可以有效地被移除。所以，本發明的奈米金屬溶液在燒結製程之後就可以形成純質的導線。如此一來，本發明的導線的製作方法可以省略清洗保護劑的步驟，而更有效率且成本更為低廉。此外，經由本發明之製作方法所製作的導線也可以保有良好的電性特性。

雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，故本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

110、112、114、120、130．．．步驟

300、300’、300’’、500、500’、500’’．．．奈米金屬複合顆粒

310．．．自裂解分子

410、610．．．曲線

510．．．非自裂解分子

M．．．奈米金屬顆粒

圖1繪示為本發明之一實施例的導線的製作流程。

圖2繪示為本發明之一實施例的奈米金屬溶液的製備方法。

圖3繪示為本發明之一實施例的奈米金屬複合顆粒在加熱實驗中的狀態變化示意圖。

圖4繪示為利用熱重分析實驗，以比較於不同等溫條件下本發明之具自裂解分子之保護劑(SD)與習知保護劑(PVP)之熱裂解行為。

圖5繪示為一比較例的奈米金屬複合顆粒在加熱實驗中的狀態變化示意圖。

圖6繪示為在150℃的熱重分析實驗時，使用具自裂解分子之保護劑(SD)與習知保護劑(PVP)之奈米金屬複合顆粒之重量損失變化圖。

300、300’、300’’．．．奈米金屬複合顆粒

310．．．自裂解分子

M．．．奈米金屬顆粒

Claims

一種奈米金屬溶液，包括：0.1~30wt%之一保護劑，其具有如化學式1所示之自裂解分子：其中n為2~15，R選自： 0.01~15wt%之奈米金屬顆粒；0.07~15wt%之一還原劑；以及40~99.82wt%之一溶劑，其中該保護劑、該奈米金屬顆粒以及該還原劑均勻地混合於該溶劑中，且該些自裂解分子吸附於該些奈米金屬顆粒的表面。
如申請專利範圍第1項所述之奈米金屬溶液，該保護劑之自裂解分子的自裂解溫度低於200℃。
如申請專利範圍第1項所述之奈米金屬溶液，其中該些奈米金屬顆粒包括銅奈米顆粒、銀奈米顆粒、金奈米顆粒或上述之組合。
如申請專利範圍第1項所述之奈米金屬溶液，其中該還原劑包括一有機酸或一有機鹼。
如申請專利範圍第4項所述之奈米金屬溶液，其中該有機酸的材質包括維他命C酸(Ascorbic acid)、維他命E酸、檸檬酸或上述之組合。
如申請專利範圍第4項所述之奈米金屬溶液，其中該有機鹼的材質包括硼氫化鉀(KBH₄ )、次亞磷酸鈉(NaH₂ PO₂ ‧H₂ O)、硼氫化鈉(NaBH₄ )、聯胺(N₂ H₄ )、氫氧化鈉(NaOH)或上述之組合。
如申請專利範圍第1項所述之奈米金屬溶液，其中該溶劑包括甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、松油醇或上述之組合。
一種奈米金屬複合顆粒，包括：一奈米金屬顆粒；以及多個自裂解分子，吸附於該奈米金屬顆粒的表面，各該自裂解分子如化學式1所示：其中n為2~15，R選自：。
如申請專利範圍第8項所述之奈米金屬複合顆粒，其中該些自裂解分子的自裂解溫度低於200℃。
如申請專利範圍第8項所述之奈米金屬複合顆粒，其中該奈米金屬顆粒包括銅奈米顆粒、銀奈米顆粒、金奈米顆粒或上述之組合。
一種導線製作方法，包括：製備一奈米金屬溶液，該奈米金屬溶液包括：0.1~30wt%之一保護劑，其具有如化學式1所示之自裂解分子：其中n為2~15，R選自： 0.01~15wt%之奈米金屬顆粒；0.07~15wt%之一還原劑；40~99.82wt%之一溶劑，其中該保護劑、該些奈米金屬顆粒以及該還原劑均勻地混合於該溶劑中，且該些自裂解分子吸附於該些奈米金屬顆粒表面；將該奈米金屬溶液形成於一基材上；以及進行一燒結製程，以使該些自裂解分子自行裂解，並使該些奈米金屬顆粒連結在一起。
如申請專利範圍第11項所述之導線製作方法，其中該燒結製程的製程溫度低於200℃。
如申請專利範圍第11項所述之導線製作方法，其中將該奈米金屬溶液形成於該基材上的方法包括網印法、噴墨印刷法、旋轉塗佈法、刮刀塗佈法、平版印刷法或噴塗塗佈法。
如申請專利範圍第11項所述之導線製作方法，其中製備該奈米金屬溶液的方法包括將一金屬鹽混合於該保護劑、該還原劑以及該溶劑中，以使該金屬鹽與該還原劑進行反應而生成該些奈米金屬顆粒，並且部分該些自裂解分子吸附於各該奈米金屬顆粒表面。
如申請專利範圍第14項所述之導線製作方法，其中該金屬鹽的材質包括硫酸銅、硝酸銅、氯化銅、醋酸銅、硝酸銀、氯化金或上述之組合。
如申請專利範圍第11項所述之導線製作方法，其中該還原劑包括一有機酸或一有機鹼。
如申請專利範圍第16項所述之導線製作方法，其中該有機酸的材質包括維他命C酸(Ascorbic acid)、維他命E酸、檸檬酸或上述之組合。
如申請專利範圍第16項所述之導線製作方法，其中該有機鹼的材質包括硼氫化鉀(KBH₄ )、次亞磷酸鈉(NaH₂ PO₂ ‧H₂ O)、硼氫化鈉(NaBH₄ )、聯胺(N₂ H₄ )、氫氧化鈉(NaOH)或上述之組合。
如申請專利範圍第11項所述之導線製作方法，其中該溶劑包括甲醇、乙醇、乙二醇、異丙醇、松油醇或上述之組合。