DE3209242C2 - Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung - Google Patents

Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung

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Huibert Arnoldus Nijmegen Knobbout
Hermanus Antonius Van De Pas
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Philips Gloeilampenfabrieken NV
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Abstract

Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung, bei dem an einem Ende eines Metalldrahtes mit Hilfe von Wärme eine Kugel gebildet wird, die Kugel gegen eine Kontaktstelle der elektronischen Mikroschaltung gedrückt und an dieser Kontaktstelle befestigt wird. Dabei wird in dem Draht in der Nähe der Kugel eine Schwachstelle angebracht und der Draht an dieser Schwachstelle getrennt.

Description

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Kapillare über eine Strecke etwa gleich dem 2- bis 3fachen der Drahtdicke aufwärts und über eine Strecke etwa gleich dem 1,5- bis 2fachen der Di ahtdicke seitlich bewegt wird.
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Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung.
Halbleiterbauelemente, die mit Kontakterhöhungen (auch als Kontaktkugeln oder »Bumps« bezeichnet) versehen sind, sind bekannt. Auch andere elektronische Mikroschaltungen, wie magnetische BlasendomänenaJiordnungen oder Flüssigkristallanordnungen, können mit Kontakterhöhungen versehen werden. Die Kontaktkugeln dienen zur Herstellung eines elektrischen Kontakts mit Leitern auf einem Substrat oder mit Leitern eines Metalleitergitters, wobei dann keine Verbindungsdrähte verwendet zu werden brauchen. Das bekannte Verfahren zum Anbringen der Kontaktkugeln ist verhältnismäßig verwickelt und erfordert eine Anzahl von Verfahrensschritten. Meistens werden die Kugeln in einer oder mehreren Metallschichten mit Hilfe galvanischer Techniken angebracht, wobei zum Erhalten einer richtigen Maskierung Photoätztechniken angewandt werden.
Aus der DE-OS 20 17 499 ist ein weiteres Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung bekannt. Hierbei wird aus einem Vorratsbehälter mit kugelförmi- -jggen Goldpartikeln ein Goldpartikel mit einem Saug- so !^Werkzeug entnommen, dann zur ^Kontaktstelle transportiert und dort mit Hilfe eines Preßwerkzeuges mit ■der Kontaktstelle verbunden. Die Goldpartikel müssen 'dabei separat hergestellt werden und müssen eine genaue Kugelform haben um ein Aufnehmen mit dem Saugwerkzeug zu ermöglichen. Weiter ist dabei eine Einrichtung notwendig zur Erzeung von Unterdruck.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein sehr vereinfachtes Verfahren zum Anbringen von Kontaktkugeln zu schaffen, bei dem das galvanische Anwachsen vermieden werden kann und auch keine gesonderten kugelförmigen Partikel verwendet werden brauchen, und das auf hoch mechanisierter Weise ausführbar ist.
Diese Aufgabe wird von einem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1 gelöst.
Die Kontaktkugeln werden dabei völlig auf mechanischem Wege während des Verfahrens aus einem Metalldraht erhalten. Zusätzliche Photoätz- und Galvanisierungstechniken sind überflüssig. Separates Herstellen von kugelförmigen Partikeln erübrigt sich. Die Anbringung der Kontaktkugoln kann auf stark mechanisierte Weise stattfinden. Dabei können teilweise in der Halbleiterherstellung bekannte Techniken zum Anbringen von Drahtverbindungen, wie sie z. B. aus der DE-OS 26 21 138 bekannt sind, verwendet werden. Durch das vereinfachte Verfahren zum Anbringen der Kontaktkugeln kann eine erhebliche Kosteneinsparung erreicht werden. Die Weise von Anbringung der Schwachstelle ist besonders wichtig um eine geeignete Form der Kontaktkuge! zu erhalten. Die Unterseite der Kapillare kann den Draht auf eine bestimmbare Weise schwächen, wobei eine große Reproduzierbarkeit der Kontaktkugeln erhalten wird. Jetzt verfügbare Steuermittel, bei denen z. B. Mikroprozessoren benutzt v/erden können, ermöglichen es, die Lage der Schwachstelle sehr genau vorherzubestimmen.
Bei einer Ausführungsform der Erfindung wird die Kapillare über einen Abstand etwa gleich dem 2- bis 3fachen der Drahtdicke aufwärts und über einen Abstand gleich etwa dem 1,5- bis 2fachen der Diahtdicke seitlich bewegt.
Einige Ausführungsformen der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und werden im folgenden näher beschrieben. Es zeigt
Fig. 1 das Unterende einer Kapillare mit einem Draht, an dem sich eine Kugel gebildet hat;
F i g. 2 die auf ein Substrai gedruckte und daran befestigte Kugel;
Fig.3 die Lage, in der die Kapillare aufwärts und seitlich bewegt ist;
F i g. 4 das Plätten und Schwächen des Drahtendes;
F i g. 5 das mit einer Kontakterhöhung versehene Substrat, nachdem der Draht getrennt worden ist, und
F i g. 6 eine auf andere Weise auf einem Substrat angebrachte Kontakterhöhung.
In Fig. 1 ist ein Substrat 1 mit einer Kontaktstelle 2 dargestellt, an der eine Kontakterhöhung oder Kontaktkugel angebracht werden muu. In der nachstehenden Beschreibung wird angenommen, daß das Substrat ein Halbleiterbauelement ist und daß die Kontaktstelle eine metallisierte Zone ist, die mit einem aktiven Gebiet im Halbleiterbauelement in Verbindung steht. Die Erfindung kann jedoch auch bei anderen elektronischen Mikroschaltungen, wie bei magnetischen Blasendomänen oder bei Flüssigkristallen oder bei bei Hybridschaltungen in der Mikroelektronik verwendeten Trägern, angewandt werden. Ein mit Kontakterhöhungen versehenes Substrat kann an Leitern eines Trägers befestigt werden, wobei die Verbindung sämtlicher Kontakterhöhungen mit den Leitern gleichzeitig hergestellt wird und keine Verbindungsdrähte erforderlich sind.
In Fig. 1 ist über dem Halbleiterbauelement 1 das Unterende- einer Kapillare 3 dargestellt. Durch eine Bohrung 4 der Kapillare ist ein Draht 5 geführt. Am Ende des Drahtes 5 hat sich eine Kugel 6 gebildet. Dies kann auf an sich bekannte Weise, z. B. mit Hilfe einer
Gasflamme oder mit Hilfe einer elektrostatischen Entladung, erfolgen. Das Material des Drahtes ist meistens Gold oder Aluminium; auch andere Metalle, wie z. B. Kupfer, sind verwendbar. Die Kapillare 3 kann z. B. aus einem keramischen Material bestehen. Erforderlichenfalls kann die Kapillare durch an sich bekannte Mittel erhitzt werden.
Fig.2 zeigt den mit der Kontaktstelle 2 auf dem Halbleiterbauelement 1 verbundenen Draht. Die Kugel 6 ist dabei mit Hilfe der Kapillare 3 gegen die Kontaktstelle 2 gedruckt und daran mit Hilfe von Thermokompression oder Ultraschallschwingungen befestigt worden.
Dann wird die Kapillare 3 über eine kleine Strecke seitlich verschoben. Diese Lage ist in F i g. 3 dargestellt. Anschließend wird die Kapillare nach unten gedrückt (F i g. 4), wobei eine Schwachstelle in Form einer Einkerbung 7 in dem Draht gebildet wird. Dank dieser Schwachstelle kann der Draht leicht getrennt werden. In F i g. 5 ist das Substrat 1 mit einer darauf angebrachten Kontakterhöhung als Kontaktkugel 8 dargestellt
Erwünschtenfalls können an weiteren Kontaktstellen des Substrats 1 Kontakterhöhungen angebracht werden. Das auf mechanische Wege mit Kontakterhöhungen versehene Substrat kann nun auf an sich bekannte Weise mit Leitern eines Trägers verbunden werden.
Es hat sich als besonders vorteilhaft erwiesen, wenn die Kapillare nach Befestigung der Kugel auf dem Substrat eine Aufwärtsbewegung gleich etwa dem 2- bis 3fachen der Drahtdicke und eine seitliche Bewegung gleich dem 1,5- bis 2fachen der Drahtdicke vollführt Die Schwachstelle im Draht wird dann auf günstige Weise und an einer gewünschten Stelle erhalten.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
40
45
50
55
60
65

Claims (1)

Patentansprüche:
1. Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaliung, dadurch gekennzeichnet, daß
a) an einen durch eine Kapillare geführter Metalldraht mit Hilfe von Wärme eine Kugel gebildet wird,
b) die Kugel mit Hilfe der Unterseite der Kapillare gegen eine Kontaktstelle der elektronischen Mikroschaltung gedruckt und mit dieser Kontaktstelle verbunden wird,
c) dann die Kapillare in bezug auf den Draht dadurch verschoben wird, daß die Kapillare über eine kleine Strecke aufwärts und seitlich bewegt wird,
d) anschließend die Kapillare wieder abwärts bewegt wird, wobei in dem Draht mit der Unterseite der Kapillare eine Schwachstelle angebracht wird,
e) der Draht durch Ziehen an der Schwachstelle von der Kontakterhöhung getrennt wird.
DE3209242A 1981-03-20 1982-03-13 Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung Expired DE3209242C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

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NL8101371A NL184184C (nl) 1981-03-20 1981-03-20 Werkwijze voor het aanbrengen van kontaktverhogingen op kontaktplaatsen van een electronische microketen.

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3209242A1 DE3209242A1 (de) 1982-11-11
DE3209242C2 true DE3209242C2 (de) 1985-04-11

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US (1) US4442967A (de)
JP (1) JPS57163919A (de)
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CA (1) CA1181534A (de)
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IE (1) IE53371B1 (de)
IT (1) IT1150472B (de)
NL (1) NL184184C (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3933982A1 (de) * 1988-10-11 1990-04-12 Hitachi Ltd Kontaktierungsverfahren und kontaktierungsvorrichtung
DE4307162A1 (de) * 1993-03-06 1994-09-15 Amatech Gmbh & Co Kg Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Verbindung auf einer Chipanschlußfläche
DE10325566A1 (de) * 2003-06-05 2005-01-13 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4845543A (en) * 1983-09-28 1989-07-04 Hitachi, Ltd. Semiconductor device and method of manufacturing the same
FR2555813B1 (fr) * 1983-09-28 1986-06-20 Hitachi Ltd Dispositif a semi-conducteurs et procede de fabrication d'un tel dispositif
IT1183375B (it) * 1984-02-24 1987-10-22 Hitachi Ltd Dispositivo a semiconduttori comprendente una pallina, fili conduttori e porzioni conduttrici esterneche sono collegate alla pallina mediante tali fili conduttori
JPS60223149A (ja) * 1984-04-19 1985-11-07 Hitachi Ltd 半導体装置
US5917707A (en) 1993-11-16 1999-06-29 Formfactor, Inc. Flexible contact structure with an electrically conductive shell
US5189507A (en) * 1986-12-17 1993-02-23 Raychem Corporation Interconnection of electronic components
JPS63173345A (ja) * 1987-01-12 1988-07-16 Nec Kansai Ltd バンプ電極形成方法
GB2201545B (en) * 1987-01-30 1991-09-11 Tanaka Electronics Ind Method for connecting semiconductor material
US5195237A (en) * 1987-05-21 1993-03-23 Cray Computer Corporation Flying leads for integrated circuits
EP0376924A3 (de) * 1987-05-21 1990-08-22 RAYCHEM CORPORATION (a Delaware corporation) Gold-Kompressionsverbindung
US5054192A (en) * 1987-05-21 1991-10-08 Cray Computer Corporation Lead bonding of chips to circuit boards and circuit boards to circuit boards
US5184400A (en) * 1987-05-21 1993-02-09 Cray Computer Corporation Method for manufacturing a twisted wire jumper electrical interconnector
US5112232A (en) * 1987-05-21 1992-05-12 Cray Computer Corporation Twisted wire jumper electrical interconnector
JP2506861B2 (ja) * 1987-12-08 1996-06-12 松下電器産業株式会社 電気的接続接点の形成方法
US5014111A (en) * 1987-12-08 1991-05-07 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Electrical contact bump and a package provided with the same
JPH0237735A (ja) * 1988-07-27 1990-02-07 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 半導体チップの実装構造
DE3829538A1 (de) * 1988-08-31 1990-03-08 Siemens Ag Verfahren zum verbinden eines halbleiterchips mit einem substrat
US4948030A (en) * 1989-01-30 1990-08-14 Motorola, Inc. Bond connection for components
JPH0749794Y2 (ja) * 1989-03-15 1995-11-13 三菱マテリアル株式会社 ワイヤレスボンデイング用金バンプ
JPH02250328A (ja) * 1989-03-24 1990-10-08 Toshiba Corp ワイヤボンダ、ワイヤボンダを用いたバンプ形成方法
US5060843A (en) * 1989-06-07 1991-10-29 Nec Corporation Process of forming bump on electrode of semiconductor chip and apparatus used therefor
JP2830109B2 (ja) * 1989-07-19 1998-12-02 日本電気株式会社 バンプ形成方法およびバンプ形成装置
JPH03208354A (ja) * 1990-01-10 1991-09-11 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
US5172851A (en) * 1990-09-20 1992-12-22 Matsushita Electronics Corporation Method of forming a bump electrode and manufacturing a resin-encapsulated semiconductor device
JP2555811B2 (ja) * 1991-09-10 1996-11-20 富士通株式会社 半導体チップのフリップチップ接合方法
KR960000793B1 (ko) * 1993-04-07 1996-01-12 삼성전자주식회사 노운 굳 다이 어레이 및 그 제조방법
US20020053734A1 (en) 1993-11-16 2002-05-09 Formfactor, Inc. Probe card assembly and kit, and methods of making same
US5820014A (en) 1993-11-16 1998-10-13 Form Factor, Inc. Solder preforms
US5559054A (en) * 1994-12-23 1996-09-24 Motorola, Inc. Method for ball bumping a semiconductor device
US6012625A (en) * 1995-03-10 2000-01-11 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderungder Angewandten Forschung E.V. Process and device for forming raised metallised contacts
US5650667A (en) * 1995-10-30 1997-07-22 National Semiconductor Corporation Process of forming conductive bumps on the electrodes of semiconductor chips using lapping and the bumps thereby created
US8033838B2 (en) 1996-02-21 2011-10-11 Formfactor, Inc. Microelectronic contact structure
US5994152A (en) 1996-02-21 1999-11-30 Formfactor, Inc. Fabricating interconnects and tips using sacrificial substrates
JP3349886B2 (ja) * 1996-04-18 2002-11-25 松下電器産業株式会社 半導体素子の２段突起形状バンプの形成方法
JP3344235B2 (ja) * 1996-10-07 2002-11-11 株式会社デンソー ワイヤボンディング方法
JP2000133672A (ja) 1998-10-28 2000-05-12 Seiko Epson Corp 半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
JP2000150560A (ja) 1998-11-13 2000-05-30 Seiko Epson Corp バンプ形成方法及びバンプ形成用ボンディングツール、半導体ウエーハ、半導体チップ及び半導体装置並びにこれらの製造方法、回路基板並びに電子機器
CN1184616C (zh) 1998-12-04 2005-01-12 阿尔卑斯电气株式会社 磁头和磁头的制造方法及其所用的连接用毛细管
US6227437B1 (en) 1999-08-24 2001-05-08 Kulicke & Soffa Industries Inc. Solder ball delivery and reflow apparatus and method of using the same
US6386433B1 (en) 1999-08-24 2002-05-14 Kulicke & Soffa Investments, Inc. Solder ball delivery and reflow apparatus and method
JP4000743B2 (ja) 2000-03-13 2007-10-31 株式会社デンソー 電子部品の実装方法
GB2362504A (en) * 2000-04-20 2001-11-21 Pixel Fusion Ltd Pin contacts
EP1275143B1 (de) 2000-04-20 2007-08-22 Elwyn Paul Michael Wakefield Verfahren zur herstellung elektrischer/mechanischer verbindungen
US6511865B1 (en) 2000-09-20 2003-01-28 Charles W. C. Lin Method for forming a ball bond connection joint on a conductive trace and conductive pad in a semiconductor chip assembly
US6350386B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Method of making a support circuit with a tapered through-hole for a semiconductor chip assembly
US6350632B1 (en) 2000-09-20 2002-02-26 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with ball bond connection joint
US6448108B1 (en) 2000-10-02 2002-09-10 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6544813B1 (en) 2000-10-02 2003-04-08 Charles W. C. Lin Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace subtractively formed before and after chip attachment
US6492252B1 (en) 2000-10-13 2002-12-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped conductive trace to a semiconductor chip
US7132741B1 (en) 2000-10-13 2006-11-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with carved bumped terminal
US6876072B1 (en) 2000-10-13 2005-04-05 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with chip in substrate cavity
US6673710B1 (en) 2000-10-13 2004-01-06 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US7129113B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar in an encapsulant aperture
US6440835B1 (en) 2000-10-13 2002-08-27 Charles W. C. Lin Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip
US7129575B1 (en) 2000-10-13 2006-10-31 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped metal pillar
US7414319B2 (en) * 2000-10-13 2008-08-19 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with metal containment wall and solder terminal
US7264991B1 (en) 2000-10-13 2007-09-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using conductive adhesive
US7071089B1 (en) 2000-10-13 2006-07-04 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a carved bumped terminal
US6699780B1 (en) 2000-10-13 2004-03-02 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using plasma undercut etching
US6576539B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Charles W.C. Lin Semiconductor chip assembly with interlocked conductive trace
US7190080B1 (en) 2000-10-13 2007-03-13 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US7075186B1 (en) 2000-10-13 2006-07-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with interlocked contact terminal
US6949408B1 (en) 2000-10-13 2005-09-27 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US7094676B1 (en) 2000-10-13 2006-08-22 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal pillar
US6740576B1 (en) 2000-10-13 2004-05-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a contact terminal with a plated metal peripheral sidewall portion for a semiconductor chip assembly
US7009297B1 (en) 2000-10-13 2006-03-07 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with embedded metal particle
US6576493B1 (en) 2000-10-13 2003-06-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip using multiple etch steps
US7262082B1 (en) 2000-10-13 2007-08-28 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a three-dimensional stacked semiconductor package with a metal pillar and a conductive interconnect in an encapsulant aperture
US7319265B1 (en) 2000-10-13 2008-01-15 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with precision-formed metal pillar
US6872591B1 (en) 2000-10-13 2005-03-29 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with a conductive trace and a substrate
US6667229B1 (en) 2000-10-13 2003-12-23 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6548393B1 (en) 2000-10-13 2003-04-15 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with hardened connection joint
US6537851B1 (en) 2000-10-13 2003-03-25 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a bumped compliant conductive trace to a semiconductor chip
US6984576B1 (en) 2000-10-13 2006-01-10 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting an additively and subtractively formed conductive trace and an insulative base to a semiconductor chip
US6908788B1 (en) 2000-10-13 2005-06-21 Bridge Semiconductor Corporation Method of connecting a conductive trace to a semiconductor chip using a metal base
US6444489B1 (en) 2000-12-15 2002-09-03 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with bumped molded substrate
US6653170B1 (en) 2001-02-06 2003-11-25 Charles W. C. Lin Semiconductor chip assembly with elongated wire ball bonded to chip and electrolessly plated to support circuit
JP3935370B2 (ja) * 2002-02-19 2007-06-20 セイコーエプソン株式会社 バンプ付き半導体素子の製造方法、半導体装置及びその製造方法、回路基板並びに電子機器
US6622903B1 (en) * 2002-03-27 2003-09-23 Palomar Technologies, Inc. Production of a tailless ball bump
JP3854232B2 (ja) * 2003-02-17 2006-12-06 株式会社新川 バンプ形成方法及びワイヤボンディング方法
US7993983B1 (en) 2003-11-17 2011-08-09 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with chip and encapsulant grinding
US7538415B1 (en) 2003-11-20 2009-05-26 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal, filler and insulative base
US7425759B1 (en) 2003-11-20 2008-09-16 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with bumped terminal and filler
US7446419B1 (en) 2004-11-10 2008-11-04 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar of stacked metal balls
US7268421B1 (en) * 2004-11-10 2007-09-11 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar that includes enlarged ball bond
US7750483B1 (en) 2004-11-10 2010-07-06 Bridge Semiconductor Corporation Semiconductor chip assembly with welded metal pillar and enlarged plated contact terminal
US20070216026A1 (en) * 2006-03-20 2007-09-20 Adams Zhu Aluminum bump bonding for fine aluminum wire
DE102006033222B4 (de) * 2006-07-18 2014-04-30 Epcos Ag Modul mit flachem Aufbau und Verfahren zur Bestückung
DE102006038875B4 (de) * 2006-08-18 2013-02-28 Infineon Technologies Ag Herstellungsverfahre für ein elektronisches Bauelement und elektronisches Bauelement
US7494843B1 (en) 2006-12-26 2009-02-24 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with thermal conductor and encapsulant grinding
US7811863B1 (en) 2006-10-26 2010-10-12 Bridge Semiconductor Corporation Method of making a semiconductor chip assembly with metal pillar and encapsulant grinding and heat sink attachment
US8372741B1 (en) * 2012-02-24 2013-02-12 Invensas Corporation Method for package-on-package assembly with wire bonds to encapsulation surface

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3357090A (en) * 1963-05-23 1967-12-12 Transitron Electronic Corp Vibratory welding tip and method of welding
US3358897A (en) * 1964-03-31 1967-12-19 Tempress Res Co Electric lead wire bonding tools
US3430835A (en) * 1966-06-07 1969-03-04 Westinghouse Electric Corp Wire bonding apparatus for microelectronic components
US3460238A (en) * 1967-04-20 1969-08-12 Motorola Inc Wire severing in wire bonding machines
DE7006122U (de) * 1969-04-26 1900-01-01
US3623649A (en) * 1969-06-09 1971-11-30 Gen Motors Corp Wedge bonding tool for the attachment of semiconductor leads
DE2006703A1 (de) * 1970-02-13 1971-08-26 Siemens Ag Isolationsschicht auf einem Halbleiter grundkorper
JPS50160773A (de) * 1974-06-18 1975-12-26
GB1536872A (en) * 1975-05-15 1978-12-20 Welding Inst Electrical inter-connection method and apparatus
FR2412943A1 (fr) * 1977-12-20 1979-07-20 Thomson Csf Procede de realisation de connexions d'un dispositif semi-conducteur sur embase, appareil pour la mise en oeuvre du procede, et dispositif semi-conducteur obtenu par ce procede
US4213556A (en) * 1978-10-02 1980-07-22 General Motors Corporation Method and apparatus to detect automatic wire bonder failure
JPS55118643A (en) * 1979-03-06 1980-09-11 Toshiba Corp Wire bonding process
JPS55158642A (en) * 1979-05-30 1980-12-10 Noge Denki Kogyo:Kk Bonding alloy wire for assembling semiconductor device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3933982A1 (de) * 1988-10-11 1990-04-12 Hitachi Ltd Kontaktierungsverfahren und kontaktierungsvorrichtung
DE4307162A1 (de) * 1993-03-06 1994-09-15 Amatech Gmbh & Co Kg Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Verbindung auf einer Chipanschlußfläche
DE4307162C2 (de) * 1993-03-06 2000-06-08 Amatech Advanced Micromechanic Verbindung, Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Verbindung auf einer Chipanschlußfläche
DE10325566A1 (de) * 2003-06-05 2005-01-13 Infineon Technologies Ag Chipkartenmodul

Also Published As

Publication number Publication date
GB2095473B (en) 1984-09-19
JPS57163919A (en) 1982-10-08
JPH0441519B2 (de) 1992-07-08
IE820631L (en) 1982-09-20
NL184184B (nl) 1988-12-01
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NL184184C (nl) 1989-05-01
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NL8101371A (nl) 1982-10-18
FR2502397B1 (fr) 1986-07-25
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AU548433B2 (en) 1985-12-12
IT8220237A0 (it) 1982-03-17
IT1150472B (it) 1986-12-10

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