DE10325566A1 - Chipkartenmodul - Google Patents

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DE10325566A1
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Germany
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contacts
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English (en)
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Jochen Dr. Müller
Stephan Janka
Frank PÜSCHNER
Wolfgang Schindler
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Infineon Technologies AG
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Abstract

Es ist ein Chipkartenmodul vorgesehen, bei dem auf einem Träger (2) ein Chip (1) angeordnet ist und auf der dem Chip (1) gegenüberliegenden Seite des Trägers (2) Außenkontakte (4) ausgebildet sind und der Chip (1) Kontakte (9) an der dem Träger (2) gegenüberliegenden Seite aufweist. DOLLAR A Die Kontaktpads (9) sind entlang einer einzigen Linie (L) angeordnet und zumindest ein Kontaktpad (9) weist eine Kontakterhöhung (8) auf, die als Kontaktfläche für eine Drahtbondverbindung (3) dient.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Chipkartenmodul mit einem Chip gemäß der nebengeordneten Patentansprüche.
  • Chipkarten sind seit langem bekannt und werden z. B. bei Telefonsystemen, als Identifikationskarten oder dergleichen in großem Umfang eingesetzt. Damit die Chipkarte vom Kartenlesegerät über Kontakte gelesen werden können, weist die Chipkarte Kontaktzonen auf, wobei die Lage dieser Kontakte und die genaue Ausbildung genormt ist. In einer üblichen Ausbildung werden die Kontakte zusammen mit dem Halbleiterchip, der die elektronische Funktionalität der Karte bereitstellt, als Zwischenprodukt, als ein sogenanntes Chipkartenmodul vorgefertigt und als solches in eine entsprechend vorbereitete Karte eingesetzt. Der übliche Modulaufbau, wie er in 5 dargestellt ist, weist einen Träger auf, auf dem einerseits der Chip 1 mittels eines Klebers 6 aufgebracht ist. Auf der dem Chip gegenüberliegenden Seite weist der Träger Kontakte 4 auf .
  • Neben dieser Variante, wobei der Träger aus einem Kunststoff hergestellt ist und die Kontakte mittels einer aufgebrachten Metallisierung bestehen, gibt es die Möglichkeit, daß der Träger zur als so genanntes Leadframe aus einem metallischen Material hergestellt ist, wobei für eine bessere Kontaktierung die Kontaktflächen 4 beispielsweise mittels einer Goldschicht versehen sind.
  • Nunmehr weist der Chip eine in der 5 nicht dargestellte integrierte Schaltung auf, die wiederum Kontaktflächen, sogenannte Bondpads, aufweist. Auf diesen Bondpads sind, wie beispielsweise in DE 19639025 beschrieben eine Drahtbondverbindung zwischen einem Bondpad und einer zugeordneten Kontaktfläche 4 hergestellt. Dabei wird üblicherweise der Drahtbon der zu einem Kontaktpad geführt, der Draht im Bondkopf wird bis zum Schmelzen erwärmt und auf den Bondpad abgesetzt, so daß sich ein sogenannter "Nailhead" ausbildet. Der Draht bleibt mit diesem verbunden und wird dann in einer Schleife S unter Vermeidung einer Berührung über die Kante des Chips zum Kontakt 4 geführt, wo er in einem Winkel (α) aufgesetzt wird. An dieser Stelle wird ein sogenannter "wedge-Kontakt" oder wiederum ein "Nailhead-Kontakt" gebildet. Je nach dem, ob der Träger aus Kunststoff oder als ein metallisches Leadframe hergestellt ist, wird der Kontakt in der Form sichergestellt, daß bei einem Kunststoffträger eine Aussparung durch den Kunststoffträger hindurch vorgesehen ist, so daß der Bonddraht auf die Rückseite der Metallisierung kontaktiert wird. Handelt es sich beim Träger 2 um ein sogenanntes Leadframe, so kann direkt auf den metallischen Träger aufkontaktiert werden.
  • Um die Anordnung vor äußeren Einflüssen zu schützen, wird nach Herstellung aller Kontakte das Modul von einer Kunststoffmasse abgedeckt.
  • Die üblichen Chipkartenmodule, die mit den Drahtbondverbindungen hergestellt sind, weisen den Nachteil auf, daß die Kontakte am Rand ausgebildet sind, damit mit einer möglichst engen Schleife S der Chip kontaktiert wird, was wiederum notwendig ist, um innerhalb einer vorgegebenen Höhe H den Gesamtaufbau des Chipmoduls zu gewährleisten. Die Anordnung der Kontakte, den sogenannten Bondpads, am Rand führt dazu, daß durch die notwendige Verdrahtung im Chip unnötig viel Chipfläche benötigt wird, was die Herstellungskosten unerwünscht erhöht.
  • Der Erfindung liegt folglich die Aufgabe zugrunde, ein Chipmodul bzw. einen Chip herzustellen, mit dem die Fertigungskosten mit einfachen Mitteln minimiert sind.
  • Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß die Kontaktpads entlang einer einzigen Linie angeordnet sind, wodurch der Flächenbedarf minimiert wird. Durch das zumindest teilweise Vorsehen von Kontakterhöhungen ist es auf diese weise ermöglicht, Drahtbondverbindung unter Einbehaltung einer vorgegebenen Maximalhöhe und unter Beibehaltung der bisher üblichen Drahtschleife die Drahtbondverbindung herzustellen, wodurch die Herstellungskosten minimiert sind.
  • Weitere vorteilhafte Ausgestaltungen der Erfindung sind in den untergeordneten Ansprüchen angegeben.
  • Dadurch, daß die Kontakterhöhung mittels eines sogenannten "Nailhead" ausgebildet ist, ist der Chip in einem üblichen Fertigungsverfahren der Backend-Technik herstellbar. Ist die Linie, entlang der die Bondpads angeordnet sind, nicht genau mittig auf dem Chip ausgerichtet, so können die Kontakterhöhungen unterschiedlich ausgebildet sein, so daß weiterhin mit einer einheitlichen Schleifenbahn des Drahtbonders die Drahtbondkontakte herstellbar sind.
  • Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezugnahme auf die Zeichnung im einzelnen erläutert. Es zeigen:
  • 1 ein Ausführungsbeispiel eines Chipkartenmoduls,
  • 2 ein Ausführungsbeispiel in der Draufsicht,
  • 3 eine Bondstelle in einer Ausschnittsvergrößerung,
  • 4a–c verschiedene Anordnungsvarianten von Bondkontakten und
  • 5 ein Chipkartenmodul gemäß Stand der Technik.
  • In 1 ist ein Ausführungsbeispiel eines Chipkartenmoduls dargestellt. Dabei ist ein Chip 1 auf einem Träger 2 mittels eines Klebers 6 befestigt. Auf der dem Chip abgewandten Seite des Trägers sind Kontaktflächen 4 ausgebildet, die mit dem Chip über eine Drahtbondverbindung 3 elektrisch leitend verbunden sind. Hierzu weist der Träger 2 eine Öffnung 7 auf, durch die der Bonddraht durchgeführt ist. Auf in 1 nicht dargestellten Kontakten sind Kontakterhöhungen 8 aufgebracht, auf denen der Bonddraht mittels üblicher Bondtechnik befestigt ist. Um das so ausgebildete Modul mechanisch von der Rückseite zu schützen, wird es üblicherweise von einer Vergußmasse 5 abgedeckt.
  • Im Vergleich hierzu weist das Chipkartenmodul gemäß dem Stand der Technik, wie er in 5 dargestellt ist, grundsätzlich den gleichen Aufbau auf, wobei gleiche Bezugszeichen gleiche Gegenstände darstellen. Die Kontakte gemäß dem Stand der Technik, die an der Oberfläche des Chips 1 angeordnet sind, finden sich bisher üblicherweise in der Nähe des Randes. Auf diese Weise kann der Bonddraht, der auf den Kontakten, den sogenannten Bondpads mittels eines sogenannten Nailhead aufgebracht ist, mit einer Drahtschleife S zu den Kontakten 4 durch die Öffnung 7 derart geführt werden, daß die Schleife S und einem Winkel Alpha, unter dem der Bonddraht 3 zu den Kontakten 4 geführt wird, so daß weder die Chipkante noch der Träger von dem Bonddraht berührt wird.
  • Eine derartige Anordnung weist den Nachteil auf, daß die Anordnungen der Bondpads in den Randbereichen des Chips zusätzliche Fläche für Verdrahtungen benötigt.
  • Aus diesem Grunde wurde die Anordnung gemäß 1 gewählt, bei der die Bondpads in einem mittigen Bereich angeordnet sind. Durch das Vorsehen von Kontakterhöhungen 8 wird die Auflagefläche, auf der der Nailhead N für den Bonddraht 3 aufgebracht wird, so erhöht, daß bei gleicher Schleife S und gleichem Eintrittswinkel α eine sichere Bonddrahtführung erzielt wird, ohne wieder die Chipoberkante noch Trägerkanten zu berühren.
  • Um die Höhe H beizubehalten, muß die Dicke D im Ausführungsbeispiel gemäß der 1 gegenüber dem Ausführungsbeispiel gemäß dem Stand der Technik in 5 vermindert werden.
  • 2 zeigt das Ausführungsbeispiel in einer prinzipiellen Darstellung von unten betrachtet, wobei in dieser Darstellung die Vergußmasse bzw. Abdeckmasse 5 nicht dargestellt ist. Es ist der Chip 1 dargestellt, wobei die Kontaktpads bzw. die Kontakterhöhungen 8 entlang einer gestrichelt dargestellten Linie L angeordnet sind. Von den Kontakterhöhungen abgehend sind nach links und rechts Drahtbondverbindungen weggeführt, die an den Öffnungen 7 des Trägers 2 eintreten.
  • Der genaue Aufbau der Kontakte ist in 3 im Ausschnitt dargestellt. Hier ist das Kontaktpad 9 zu sehen, auf dem die Kontakterhöhung 8 ausgebildet ist. Die Kontakterhöhung 8 ist zwar in dem Ausführungsbeispiel flächenmäßig größer als das Kontaktpad 9 ausgebildet, könnte jedoch genauso groß oder kleiner sein. In vorteilhafter Weise wird die Kontakterhöhung 8 mittels eines abgeschmolzenen "Nailheads" hergestellt. Hierzu wird in der Fertigung ein Drahtbondgerät über einen Kontaktpad positioniert, der Bonddraht angeschmolzen, so daß sich wie üblich bei "Nailhead-Verbindungen" eine angeschmolzene Kugel ergibt und diese auf dem Bondpad abgesetzt. Nachdem der „Nailhead" abgesetzt ist, wird der weitere Bonddraht abgetrennt, so daß zum Aushärten auf dem Bondpad nur die angeschmolzene Kugel verbleibt. Durch ein derartiges Herstellungsverfahren ist die Kontakterhöhung in einer üblichen Bakkend-Fertigungsanlage herstellbar. Sind die "Nailheads" erst einmal hergestellt, können auf diesen in der gleichen Anlage dann die Drahtbondverbindungen 3 hergestellt werden.
  • Dies ist jedoch nicht zwingend notwendig. Genauso gut ist es möglich, daß der Chip noch vor dem Vereinzeln auf dem gesamten Wafer in einer "Backend-Fertigung" mit den Kontakterhöhungen versehen werden, bevor er ausgeliefert wird.
  • Ein derart vorbereiteter Wafer ist dann in einer üblichen Backend-Fertigungsanlage weiter verarbeitbar.
  • 4a bis 4c zeigt unterschiedliche geometrische Anordnungen der Bondpads und damit der Kontakterhöhung. Wesentlich dabei ist, daß zumindest ein Großteil der Bondpads in einem zentralen Bereich entlang einer Linie L angeordnet ist. Wie in den einzelnen Ausführungsbeispielen 4a bis 4c dargestellt ist, ist es dabei nicht zwingend notwendig, daß die Bondpads exakt mittig zentriert auf der Linie L angeordnet sind. Genauso gut sind regelmäßige oder unregelmäßige Abweichungen möglich. Dementsprechend ist gemäß 4a vorgesehen, daß die Bondpads und damit die Kontakterhöhungen abwechselnd links und rechts entlang der Linie L angeordnet sind. Gemäß 4b gibt es eine Überlappung, wobei eine Abweichung links und rechts der Linie L in ungleichmäßiger Reihenfolge erfolgt. Entsprechend ist gemäß 4c zu sehen, daß eines der Pads links, der andere rechts neben der Linie L angeordnet ist. Ees ist auchg möglich, daß ein Pad oder auch mehrere einen Flächenanteil links und rechts der Linie aufweisen.
  • Es ist zwar nicht dargestellt, aber es ist selbstverständlich nachvollziehbar, daß in dem Fall, in dem die Linie L signifikant von der sich längs erstreckenden Mitte des Chips 1 verschoben ist, die Bondpads ungleichmäßig hoch sind. Dies würde bedeuten, daß die Bondpads, von denen Drahtbondverbindungen zu der Seite abgehen, die näher an der Chipkante liegt, Kontakterhöhungen mit einer geringeren Höhe aufweisen als die Bondpads, von denen Bondverbindungen zu der weiter entfernten Seite abgehen.
  • Dere Vollständigkeit halber sei erwähnt, daß bei Bondpads aus Aluminium die Kontakterhöhung aus einer Nickel-Gold (NeAu)-Legierung herstellbar sind.
  • 1
    Chip
    2
    Träger
    3
    Drahtbondverbindung
    4
    Kontaktflächen, Außenkontakte
    5
    Abdeckmatte, Vergußmatte
    6
    ???-Verbindung
    7
    Öffnung
    8
    Kontakterhöhung
    9
    Bondpad
    W
    Witch-Kontakt
    N
    Nailhead
    S
    Schleife
    Alpha Eintrittswinkel

Claims (11)

  1. Chipkartenmodul, bei dem auf einem Träger (2) ein Chip (1) angeordnet ist und auf der dem Chip (1) gegenüberliegenden Seite des Trägers (2) Außenkontakte (4) ausgebildet sind und der Chip (1) Kontakte (9) an der dem Träger (2) gegenüberliegenden Seite aufweist, dadurch gekennzeichnet, daß die Kontaktpads (9) entlang einer einzigen Linie (L) angeordnet sind und zumindest ein Kontaktpad (9) eine Kontakterhöhung (8) aufweist, die als Kontaktfläche für eine Drahtbondverbindung (3) dient.
  2. Chipkartenmodul nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass die Drahtbondverbindung (3) mit einem "Nailhead" (N) auf der Kontakterhöhung (8) angeordnet sind.
  3. Chipkartenmodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass alle Bondpads (9) eine Kontakterhöhung (8) aufweisen.
  4. Chipkartenmodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontakterhöhungen (8) alle gleich hoch sind.
  5. Chipkartenmodul nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontakterhöhungen (8) unterschiedlich hoch sind.
  6. Chipkartenmodul nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, dass die Linie (L) mittig angeordnet ist.
  7. Chipkartenmodul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass die Kontakterhöhung (8) zu einem "Nailhead" ausgebildet ist.
  8. Chip mit einer integrierten Schaltung und an einer Oberfläche mit der integrierten Schaltung elektrisch leitend verbundenen Bondpad (9), die entlang einer einzigen Linie (L) angeordnet sind und zumindest einer der Bondpads (9) eine Kontakterhöhung (8) aufweist.
  9. Chip nach Anspruch 8, wobei alle Bondpads (9), die entlang der einzigen Linie angeordnet sind, mit Kontakterhöhungen (8) versehen sind.
  10. Chip nach Anspruch 8, wobei die Kontakterhöhungen (8) mittels "Nailheads" ausgebildet sind.
  11. Chip nach Anspruch 10, wobei die Linie (L) mittig angeordnet ist.
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP6125332B2 (ja) 2013-05-31 2017-05-10 ルネサスエレクトロニクス株式会社 半導体装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3209242C2 (de) * 1981-03-20 1985-04-11 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung
DE19639025A1 (de) * 1996-09-23 1998-04-02 Siemens Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE10131940A1 (de) * 2001-07-02 2003-01-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US20030042583A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-06 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Quad flat non-leaded semiconductor package and method of fabricating the same

Family Cites Families (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP1176547B1 (de) * 2000-07-25 2010-09-01 Infineon Technologies AG Etikettierte Chipkarte

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3209242C2 (de) * 1981-03-20 1985-04-11 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung
DE19639025A1 (de) * 1996-09-23 1998-04-02 Siemens Ag Chipmodul und Verfahren zur Herstellung eines Chipmoduls
DE10131940A1 (de) * 2001-07-02 2003-01-23 Infineon Technologies Ag Halbleiterchip und Verfahren zu dessen Herstellung
US20030042583A1 (en) * 2001-09-04 2003-03-06 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Quad flat non-leaded semiconductor package and method of fabricating the same

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