DE19749539B4 - Halbleiterbaustein mit Leiterrahmen und Justierhilfen - Google Patents

Halbleiterbaustein mit Leiterrahmen und Justierhilfen Download PDF

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    • H01L2224/48717Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950 °C
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Abstract

Halbleiterbaustein mit einem Halbleiterchip (40) mit zwei langen und zwei kurzen Seiten (42, 44) und einer aktiven Oberfläche (46) mit dort ausgebildeten integrierten Schaltkreisen,
wobei der Halbleiterchip (40) mit zentralen Anschlußpads (48) im mittleren Bereich der aktiven Oberfläche (46) versehen ist,
sowie mit einem Leiterrahmen mit inneren Anschlußfingern (10, 12) an den langen und kurzen Seiten (42, 44) und äußeren Anschlußfingern (14a) an den langen Seiten (44), wobei die inneren Anschlußfinger (10) der langen Seiten (42) mit den äußeren Anschlußfingern (14a) verbunden sind,
und einer Kapselung (60) für den Halbleiterchip (40), die inneren Anschlußfinger (10, 12) und elektrischen Verbindungen (52) hierzwischen,
wobei die zentralen Anschlußpads (48) längs der langen Seiten (42) und periphere Anschlußpads (49) längs der kurzen Seiten (44) benachbart zu diesen angeordnet sind,
wobei die inneren Anschlußfinger (10), die sich an den langen Seiten (42) befinden, mit der aktiven Oberfläche (46) des Halbleiterchips...

Description

  • Die Erfindung betrifft einen Halbleiterbaustein nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
  • Allgemein besitzt ein Halbleiterchip eine Vielzahl von Anschlußpads auf seiner aktiven Oberfläche zur Übertragung von elektrischen Signalen zwischen den Elementen von integrierten Schaltkreisen und externen Einrichtungen. In Abhängigkeit von der Anordnung der Anschlußpads können Halbleiterchips in solche mit einer zentralen Anschlußpadanordnung, bei denen die Anschlußpads im mittleren Bereich der aktiven Oberfläche des Halbleiterchips angeordnet sind, und in solche mit einer peripheren Anschlußpadanordnung, bei der die Anschlußpads längs der Ränder des Halbleiterchips angeordnet sind, unterteilt werden. Erstere zeigen einen geringen Signalversatz, eine hohe Signalübertragungsgeschwindigkeit aufgrund einer verkürzten Busleitung und ein vereinfachtes Design in bezug auf die Anschlußpads. Weiterhin besitzt ein Halbleiterspeicherchip mit zentraler Anschlußpadanordnung eine Chipgröße, die et wa 4% bis 7% kleiner als bei peripherer Anschlußpadanordnung ist, wodurch ein Anstieg der Anzahl von Chips auf einem einzelnen Wafer resultiert, wodurch sich eine erhöhte Produktionsausbeute ergibt. Aufgrund dieser und weiterer Vorteile wird heutzutage der Typ mit zentraler Anschlußpadanordnung weitgehend für Halbleiterspeicherchips verwendet.
  • Um Halbleiterchips mit zentraler Anschlußpadanordnung zu kapseln, wird entweder eine LOC-Struktur mit Anschlußfingern auf dem Chip (LOC = Lead on chip), bei der die Anschlußfinger direkt auf der aktiven Oberfläche des Chips befestigt sind, oder eine Struktur verwendet, bei der die Anschlußfinger entfernt von der Chipkante angeordnet und über lange Bonddrähte mit den Anschlußpads verbunden sind, verwendet. Jedoch weist letztere einige Probleme wie relativ geringe Verläßlichkeit aufgrund der langen Bonddrähte auf. Dagegen sind bei einer LOC-Struktur, obwohl die Herstellung aufwendiger und teurer ist, die Bonddrähte kürzer und damit ist die Verläßlichkeit verbessert. Außerdem kann bei einer LOC-Struktur das Verhältnis von Chipgröße und Gesamtbaustein verbessert werden.
  • Da jedoch die Dichte von Speicherchips kontinuierlich ansteigt, treten Probleme dadurch auf, daß die Technologie zur Herstellung von Leiterrahmen der Geschwindigkeit, mit der die Chips schrumpfen, nicht folgen kann, so daß es unmöglich wird, alle LOC-Anschlußfinger auf der verkleinerten aktiven Fläche der Speicherchips der nächsten Generation unterzubringen. Die Leiterrahmen werden üblicherweise durch Stanzen oder Photoätzen hergestellt. Bei beiden Methoden kann das Muster nur dann hergestellt werden, wenn die Breite eines Anschlußfingers oder der Abstand zwischen zwei benachbarten Anschlußfingern gleich oder größer als 80% der Stärke des Leiterrahmens ist. Zwar könnte man daran denken, die Stärke der Leiterrahmen zu reduzieren, jedoch würde dies dann sehr fragil und sie könnten leicht während der Montage beschädigt werden.
  • Aus der gattungsbildenden US 5 589 420 ist ein Halbleiterbaustein mit einem Halbleiterchip mit zwei langen und zwei kurzen Seiten bekannt, bei dem Anschlußpads im mittleren Bereich und entlang der kurzen Seiten des Halbleiterchips vorgesehen sind und durch Anschlußfinger eines Leiterrahmens über die langen Seiten nach außen geführt werden.
  • Aus der US 5 455 200 ist eine Halbleitervorrichtung mit einer LOC-Struktur bekannt. Anschlußfinger der Vorrichtung weisen zentrale Abschnitte auf, die elektrisch mit peripheren Bondhügeln über leitende Drähte verbunden sind. Einige der Anschlußfinger weisen Ausrichtungsmittel wie Vorsprünge auf. Es werden mindestens zwei der Ausrichtungsmittel benötigt, um eine Seite oder eine Ecke eines Chips festzulegen.
  • Aus JP 4-372 161 A ist eine Halbleitervorrichtung bekannt, bei der ein Halbleiterchip mit Anschlußpads über Anschlußfinger und Verbindungsdrähte und Bondhügel kontaktiert wird.
  • Aufgabe der Erfindung ist es, einen Halbleiterbaustein nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 zu schaffen, dessen Leiterrahmen bei möglichst geringem Platzbedarf auf einfache Weise genau mit dem Chip ausrichtbar ist.
  • Diese Aufgabe wird entsprechend dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 gelöst.
  • Weitere Ausgestaltungen der Erfindung sind der nachfolgenden Beschreibung und den Unteransprüchen zu entnehmen.
  • Die Erfindung wird nachstehend anhand von in den beigefügten Abbildungen dargestellten Ausführungsbeispielen näher erläutert.
  • 1 zeigt ausschnittweise eine Draufsicht auf einen Leiterrahmenstreifen.
  • 2 zeigt eine Draufsicht auf einen Halbleiterbaustein.
  • 3 zeigt eine Teildraufsicht auf einen Halbleiterbaustein.
  • 4A bzw. 4B zeigen Schnitte längs der Linien IVA-IVA bzw. IVB-IVB von
  • 2.
  • 5 zeigt im Schnitt eine weitere Ausführungsform eines Halbleiterbausteins.
  • 6 zeigt perspektivisch einen Halbleiterbaustein.
  • 7 ist eine Teildraufsicht auf einen Halbleiterbaustein einer zusätzlichen Ausführungsform, die nicht die Erfindung betrifft.
  • 8 zeigt perspektivisch einen Halbleiterbaustein einer zusätzlichen Ausführungsform, die nicht die Erfindung betrifft.
  • Gemäß 1 ist ein Leiterrahmenstreifen 100 ohne in Justierhilfen verschiedene identische Leiterrahmen unterteilt, die für eine Vielzahl von Halbleiterchips 40 ein Chipbonden, Drahtbonden und ein Kapseln erlauben. Während der Montage wird der Leiterrahmenstreifen 100 unter Verwendung von Transportlöchern 16 transportiert. Die einzelnen Leiterrahmen sind durch Schlitze 22 voneinander getrennt.
  • Jeder einzelne Leiterrahmen besitzt eine Vielzahl von inneren Anschlußfingern 10 und 12, die mit Anschlußpads 48, 49 eines Halbleiterchips 40 (in 1 nicht dargestellt) verbunden sind, und eine Vielzahl von äußeren Anschlußfingern 14a, 14b zum elektrischen Anschließen des Halbleiterchips 40. Die inneren und äußeren Anschlußfinger 10, 12, 14a, 14b sind durch Stege 28 verbunden. Die Stege 28 dienen dazu, ein Überfließen eines Vergußharzes zu verhindern, wenn dieses in einen Umgießbereich 34 gefüllt wird, um eine Schutzhülle zu bilden.
  • Nach dem Vergießen werden die Stege 28 und Verbindungsstege 18 entfernt, so daß die inneren und äußeren Anschlußfinger 10, 12, 14a, 14b vereinzelt werden.
  • Die einzelnen Leiterrahmen sind infolge von Seitenschienen 24 streifenartig miteinander verbunden, wobei Eckanschlußfinger 15 an den vier Ecken des Umgießbereichs 34 mit den Seitenschienen 24 über die Verbindungsstege 18 verbunden sind. Letztere dienen zum Tragen der einzelnen Leiterrahmen, wenn die Stege 28 abgetrennt, die einzelen Leiterrahmen aber noch nicht vollständig vereinzelt sind. Desweiteren können die Verbindungsstege 18 irgendeine Deformation der Eckanschlußfinger 15 vermeiden, die die größte Länge aufweisen und damit leicht während der Montage deformiert werden könnten.
  • Blindanschlußfinger 20, die nicht mit dem Halbleiterchip 40 verbunden sind, können ebenfalls vorhanden sein. Stromversorgungsanschlußfinger 26 dienen zum Anlegen einer positiven bzw. einer negativen Versorgungsspannung VDD bzw, VSS an den Halbleiterchip 40. Die Stromversorgungsanschlußfinger 26 sind in zwei Abschnitte gespalten, um so die Induktanz hiervon zu verringern.
  • Die inneren Anschlußfinger 10 sind LOC-Anschlußfinger, während die inneren Anschlußfinger 12 normale Standard-Anschlußfinger sind. Die Anschlußfinger 10 sind direkt an der aktiven Oberfläche 46 des Halbleiterchips 40 mittels Klebstoff 32 befestigt und besitzen einen Aufstellbereich 30. Die kombinierte Struktur von Anschlußfingern 10, 12 ist für Halbleiterchips mit zentralen als auch mit peripheren Anschlußpads 48, 49 geeignet.
  • Gemäß 2 besitzt der dargestellte Halbleiterbaustein 200 insgesamt hundert Eingangs-/Ausgangspins jeweils zur Abgabe bzw. Aufnahme eines unterschiedlichen Signals.
  • Der Halbleiterchip 40 besitzt zwei lange und zwei kurze Seiten 42 bzw. 44, d.h. eine für Speicherchips übliche rechteckige Struktur. Auf der aktiven Oberfläche 46 des Halbleiterchips 40 ist eine Vielzahl von internen Schaltkreisen wie Speicherzellen, Steuergatter, Metalleiter und Anschlußpads 48 und 49 ausgebildet. Die zentralen Anschlußpads 48 sind in zwei Reihen parallel zur Längsseite 42 im zentralen Bereich der aktiven Oberfläche 46 des Halbleiterchips 40 und die peripheren Anschlußpads 49 längs der kurzen Seiten 44 nahe den Kanten der aktiven Oberfläche 46 angeordnet.
  • Die inneren Anschlußfinger 10 sind längs der langen Seite 42 des Halbleiterchips 40 angeordnet und direkt mit der aktiven Oberfläche 46 durch Klebstoff 32 und ferner elektrisch mit den zentralen Anschlußpads 48 durch Bonddrähte 52 verbunden sowie mit den äußeren Anschlußfingern 14a, die ebenfalls entlang der langen Seiten 42 angeordnet sind, gekoppelt.
  • Der Klebstoff 32 ist elektrisch isolierend, wobei es sich um eine doppeltseitig klebende Klebstoffolie aus Polyimid handeln kann. Der Halbleiterchip 40 kann an den inneren Anschlußfingern 10 mittels eines Klebstoffbandes oder auch durch Aufbringen eines teilgehärteten Klebstoffs befestigt werden. Im ersteren Fall wird das Klebstoffband an den Anschlußfingern 10 befestigt und dann die Anschlußfinger 10 mit der aktiven Oberfläche 46 ausgerichtet und aufgebracht. Durch Pressen der Anschlußfinger 10 und Halbleiterchip 40 bei hoher Temperatur werden beide miteinander verbunden. Entsprechend kann ein flüssiger teilgehärteter Klebstoff aufgebracht und dann die Anschlußfinger 10 und der Halbleiterchip 40 unter Druck und hoher Temperatur miteinander verbunden werden.
  • Die inneren Anschlußfinger 12 sind längs der kurzen Seite 44 des Halbleiterchips 40 angeordnet und besitzen eine normale Standardstruktur, d.h. sie enden mit Abstand zu den Kanten des Halbleiterchips 40. Sie sind elektrisch über Bonddrähte 52 mit den peripheren Anschlußpads 49 verbunden und mit den äußeren Anschlußfingern 14b gekoppelt, die längs der kurzen Seiten 44 angeordnet sind.
  • Mit dieser kombinierten Struktur der LOC-Anschlußfinger 10 und Standard-Anschlußfinger 12 ist es möglich, Speicherchips auch mit sehr hoher Packungsdichte anzuschließen, wobei die Vorteile der zentralen Anschlußpadanordnung genutzt und ferner ein einfaches Design der Anschlußpads ermöglicht wird.
  • Die peripheren Anschlußpads 49 befinden sich in einem Abstand D zum Klebstoff 32, wobei D aufgrund verschiedener Parameter wie der Bearbeitungstoleranz des Leiterrahmens, der Verarbeitungsmöglichkeit bei der Montage und der Kontaktierung der inneren Anschlußfinger 10, 12 mit einer Kapillare zum Drahtbonden bestimmt wird. Es wird D ≥ 0,51 mm bevorzugt.
  • Blind-Anschlußfinger 20, numeriert von 36-45 und 86-95, sind nicht angeschlossen und resultieren aus der Differenz zwischen der Spezifikation der Anzahl von äußeren Anschlußfingern definiert beispielsweise durch JEDEC und der tatsächlichen Anzahl von äußeren Anschlußfingern 14a, 14b für die Funktion eines bestimmten Speicherchips.
  • Die inneren Anschlußfinger 10 weisen Justierhilfen 50 zum Unterstützen der Erkennung der Positionen der Anschlußfinger und des Halbleiterchips 40 während des Chip- und Drahtbondvorgangs auf. Die Justierhilfen 50 können gleichzeitig mit dem Muster des Leiterrahmens durch Ätzen oder Stanzen erzeugt werden und aus dem gleichen Material wie der Leiterrahmenstreifen 100 bestehen.
  • Die Stromversorgungs-Anschlußfinger 26 liefern Versorgungsspannungen wie VDD und USS an den Halbleiterchip 40 und sind endseitig in zwei Abschnitte gespalten. Diese beiden parallelen Stromversorgungswege erniedrigen die Induktanz, so daß die Stromversorgung relativ stabil erfolgen kann.
  • Gemäß 3 koppelt ein Bussteg 56 einige innere Anschlußfinger 10 zu einem einzigen Strompfad, über die identische Versorgungsspannungen angelegt werden, so daß ein konstanter Pegel der Versorgungsspannung an verscheidene Schaltkreiselemente angelegt werden kann. Gemäß 3 sind die inneren Anschlußfinger mit den Pinnummern 5, 11 und 19 zu einem Bussteg 56a für VSS und mit den Pinnummern 59, 57, 73 und 79 zu einem Bussteg 56b zur Zuführung von UDD gekoppelt.
  • Wenn die inneren Anschlußfinger 10 an der aktiven Oberfläche 46 befestigt werden, dürfen sie keine Sicherungsboxen 54 überlagern. Die Sicherungsboxen 54 sind gewöhnlich zum Ersetzen von defekten Speicherzellen durch redundante Elemente vorgesehen und besitzen exponiertes Metall, z.B. eine Aluminiumleitung, die mittels eines Lasers durchgetrennt werden kann. Wenn eine Sicherungsbox 54 durch innere Anschlußfinger 10 überdeckt wird, ist der Ersatz von defekten Speicherzellen nicht möglich.
  • Die inneren Anschlußfinger 10 haben gemäß 4A Aufstellbereiche 30, um den Halbleiterchip 40 in der Mitte einer Kapselung 60 zu plazieren. Wenn z.B. der Halbleiterchip 40 eine Größe von 5,1 mm × 8,6 mm bei einer Dicke von 0,0076 mm aufweist und die Dicke t der Klebstoffs 32 etwa 0,0051 mm ist, dann kann die Aufstellung etwa 0,0051 mm betragen, so daß der Abstand d1 vom Halbleiterchip 40 zur Oberseite des Halbleiterbausteins von 0,026 mm praktisch gleich dem Abstand d2 vom Halbleiterchip 40 zur Unterseite des Halbleiterbausteins ist. Die Kapselung 60 wird durch Gießen gebildet, wobei ein flüssiges Harz unter hohem Druck in eine Ausnehmung eingeführt wird, in der der Leiterrahmenstreifen 100 angeordnet ist. Wenn dabei die Abstände d1 und d2 unterschiedlich wären, würden die Injektionskräfte ober- und unterseitig nicht im Gleichgewicht stehen, so daß sich der Halbleiterchip 40 schräg stellen könnte, wodurch sich eine Durchbiegung bei der nachfolgenden Verarbeitung ergeben könnte, was hier vermieden wird.
  • Anstelle von Bonddrähten 52 zum elektrischen Verbinden der Anschlußfinger 10 können diese auch über metallische Bondhügel 70 etwa aus Gold, Kupfer oder Zinn-Blei, die auf den Anschlußpads 48 ausgebildet sind, mit letzteren etwa durch Thermokompression verbunden sein, wie in 5 in bezug auf einen Halbleiterbaustein 210 dargestellt, wobei auf genaue Ausrichtung zu achten ist.
  • Der in 6 dargestellte Halbleiterbaustein 300 ist quaderförmig, wobei äußere Anschlußfinger 14, die L-förmig geknickt oder J-förmig an allen vier Seiten herausragen, um auf einer Leiterkarte oberflächemontiert werden zu können. Die Anschlußfinger 14a bzw. 14b sind hierbei längs der langen Seiten 42 bzw. kurzen Seiten 44 des Halbleiterchips 40 angeordnet.
  • Gemäß 7 ist ein nicht die Erfindung zeigender Halbleiterbaustein 400 mit inneren LOC-Anschlußfingern 110, die direkt auf der aktiven Oberfläche 146 befestigt und elektrisch mit den zentralen Anschlußpads 149 über einen Klebstoff 132 verbunden sind, vorgesehen. Normale innere Standard-Anschlußfinger 112 sind mit ihren Enden beabstandet zur kurzen Seite 144 des Halbleiterchips 140 vorgesehen und elektrisch mit den peripheren Anschlußpads 149 verbunden.
  • Die Anschlußfinger 110 besitzen Aufstellbereiche zur Erzielung einer optimalen vertikalen Struktur, wobei der Klebstoff 132 zu den peripheren Anschlußpads 148 um wenigstens 5,1 mm beabstandet ist.
  • Die Stromversorgungs-Anschlußfinger 126 sind in zwei Hälften gespalten und Teil der Anschlußfinger 112, obwohl sie auch Teil der Anschlußfinger 110 sein können.
  • Die Verbindungsstege 180 sind in der Kapselung eingekapselt und mit einer Seitenschiene des Leiterrahmenstreifens zum Stützen der individuellen Leiterrahmen als Streifen vor der Vereinzelung zu stützen. Die inneren Anschlußfinger 110, 112 sind über Bonddrähte 152 angeschlossen dargestellt, jedoch können für die Anschlußfinger 110 auch metallische Bondhügel verwendet werden.
  • Die äußeren Anschlußfinger 114a sind mit den inneren Anschlußfingern 110 und die äußeren Anschlußfinger 114b mit den inneren Anschlußfingern 112 gekoppelt, wobei die äußeren Anschlußfinger 114a, 114b, die wie bei 6 ausgebildet sein können, an den langen Seiten herausragen.

Claims (14)

  1. Halbleiterbaustein mit einem Halbleiterchip (40) mit zwei langen und zwei kurzen Seiten (42, 44) und einer aktiven Oberfläche (46) mit dort ausgebildeten integrierten Schaltkreisen, wobei der Halbleiterchip (40) mit zentralen Anschlußpads (48) im mittleren Bereich der aktiven Oberfläche (46) versehen ist, sowie mit einem Leiterrahmen mit inneren Anschlußfingern (10, 12) an den langen und kurzen Seiten (42, 44) und äußeren Anschlußfingern (14a) an den langen Seiten (44), wobei die inneren Anschlußfinger (10) der langen Seiten (42) mit den äußeren Anschlußfingern (14a) verbunden sind, und einer Kapselung (60) für den Halbleiterchip (40), die inneren Anschlußfinger (10, 12) und elektrischen Verbindungen (52) hierzwischen, wobei die zentralen Anschlußpads (48) längs der langen Seiten (42) und periphere Anschlußpads (49) längs der kurzen Seiten (44) benachbart zu diesen angeordnet sind, wobei die inneren Anschlußfinger (10), die sich an den langen Seiten (42) befinden, mit der aktiven Oberfläche (46) des Halbleiterchips (40) direkt und elektrisch mit den zentralen Anschlußpads (48) und die inneren Anschlußfinger (12), die sich an den kurzen Seiten (44) mit Abstand hierzu endend befinden, mit den peripheren Anschlußpads (49) elektrisch verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß mit den inneren Anschlußfingern (12) der kurzen Seiten (44) verbundene äußere Anschlußfinger (14b) an den kurzen Seiten (44) vorgesehen sind, und daß zwischen den inneren Anschlußfingern (10, 12) der langen und kurzen Seiten (42, 44) Zwischenräume für an einigen der inneren Anschlußfinger (10) angeordnete, winkelförmige Justierhilfen (50) zum Ausrichten des Leiterrahmens zum Halbleiterchip (40) vorgesehen sind, und mit einer Justierhilfe (50) die Lage einer Ecke des Halbleiterchips (40) definierbar ist.
  2. Halbleiterbaustein nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiterrahmen Eckanschlußfinger (15) aufweist, die an den Ecken eines Umgießbereichs (34) der Kapselung (60) angeordnet und durch Verbindungsstege (18) gehalten sind, die mit einer Seitenschiene (24) des Leiterrahmens verbunden sind.
  3. Halbleiterbaustein nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Verbindungen (52) Bonddrähte sind.
  4. Halbleiterbaustein nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Verbindungen (52) für die Vielzahl von inneren Anschlußfingern (10, 12) mit den zentralen Anschlußpads (48) metallische Bondhügel (70) und Bonddrähte (52) sind.
  5. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1, 2 oder 4, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrischen Verbindungen (52) für die Vielzahl von inneren Anschlußfingern (10, 12) mit den peripheren Anschlußpads (49) Bonddrähte (52) sind.
  6. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß die zentralen Anschlußpads (48) in zwei Reihen parallel zu den langen Seiten (42) angeordnet sind.
  7. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußfinger (10) Aufstellbereiche (30) aufweisen.
  8. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußfinger (10) einen in zwei Abschnitte gespaltenen Stromversorgungs-Anschlußfinger (26) umfassen.
  9. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußfinger (10) mit dem Halbleiterchip (40) über einen elektrisch isolierenden Klebstoff (32), vorzugsweise in Bandform und vorzugsweise beidseitig klebend sowie insbesondere aus Polyimid, verbunden sind.
  10. Halbleiterbaustein nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußfinger (10) Aufstellbereiche (30) aufweisen, deren Abmessungen durch die Dicke des Klebstoffs (32) und des Halbleiterchips (40) bestimmt ist, so daß sich der Halbleiterchip (40) in der Mitte der Kapselung (60) befindet.
  11. Halbleiterbaustein nach Anspruch 9 oder 10, dadurch gekennzeichnet, daß die peripheren Anschlußpads (49) einen Abstand von etwa 0,254 mm vom Klebstoff (32) aufweisen.
  12. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 11, dadurch gekennzeichnet, daß die Anschlußfinger (10) einen Bussteg (56) zum Koppeln von Stromversorgungs-Anschlußfingern, die identische Versorgungsspannungssignale an den Halbleiterchip (40) liefern, umfassen.
  13. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß der Halbleiterchip (40) auf seiner aktiven Oberfläche (46) eine Anzahl von Sicherungsboxen (54) aufweist, die exponierte Metalleitungen enthalten, die durch einen Laser löschbar sind, um defekte Elemente des Halbleiterchips (40) durch gute zu ersetzen, wobei die Anschlußfinger (10) so direkt mit der aktiven Oberfläche (46) verbunden sind, daß die Anschlußfinger (10) Sicherungsboxen (54) nicht überdecken.
  14. Halbleiterbaustein nach einem der Ansprüche 1 bis 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Leiterrahmen wenigstens einen Verbindungssteg (180) aufweist, der mit einer Seitenschiene des Leiterrahmens verbunden und durch die Kapselung (60) eingekapselt ist.
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