DE3933982A1 - Kontaktierungsverfahren und kontaktierungsvorrichtung - Google Patents

Kontaktierungsverfahren und kontaktierungsvorrichtung

Info

Publication number
DE3933982A1
DE3933982A1 DE19893933982 DE3933982A DE3933982A1 DE 3933982 A1 DE3933982 A1 DE 3933982A1 DE 19893933982 DE19893933982 DE 19893933982 DE 3933982 A DE3933982 A DE 3933982A DE 3933982 A1 DE3933982 A1 DE 3933982A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
contacting
ball
contact
tip
frequency
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19893933982
Other languages
English (en)
Other versions
DE3933982C2 (de
Inventor
Mitukiyo Tani
Hideo Shiraishi
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Computer Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Computer Electronics Co Ltd
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Computer Electronics Co Ltd, Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Computer Electronics Co Ltd
Publication of DE3933982A1 publication Critical patent/DE3933982A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE3933982C2 publication Critical patent/DE3933982C2/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01R—ELECTRICALLY-CONDUCTIVE CONNECTIONS; STRUCTURAL ASSOCIATIONS OF A PLURALITY OF MUTUALLY-INSULATED ELECTRICAL CONNECTING ELEMENTS; COUPLING DEVICES; CURRENT COLLECTORS
    • H01R43/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors
    • H01R43/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing, assembling, maintaining, or repairing of line connectors or current collectors or for joining electric conductors for soldered or welded connections
    • H01R43/0207—Ultrasonic-, H.F.-, cold- or impact welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48475—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball
    • H01L2224/48476—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area
    • H01L2224/48477—Connecting portions connected to auxiliary connecting means on the bonding areas, e.g. pre-ball, wedge-on-ball, ball-on-ball between the wire connector and the bonding area being a pre-ball (i.e. a ball formed by capillary bonding)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H01L2224/494—Connecting portions
    • H01L2224/4941—Connecting portions the connecting portions being stacked
    • H01L2224/4942—Ball bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/7828—Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating
    • H01L2224/78282—Resistance welding electrodes, i.e. for ohmic heating in the upper part of the bonding apparatus, e.g. in the capillary or wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/85051—Forming additional members, e.g. for "wedge-on-ball", "ball-on-wedge", "ball-on-ball" connections
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85238—Applying energy for connecting using electric resistance welding, i.e. ohmic heating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/49—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of a plurality of wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01072—Hafnium [Hf]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/203—Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz
    • H01L2924/20301—Ultrasonic frequency [f] f<25 kHz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/203—Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz
    • H01L2924/20302—Ultrasonic frequency [f] 25 Khz=<f< 50 KHz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/203—Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz
    • H01L2924/20303—Ultrasonic frequency [f] 50 Khz=<f< 75 KHz
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/20—Parameters
    • H01L2924/203—Ultrasonic frequency ranges, i.e. KHz
    • H01L2924/20304—Ultrasonic frequency [f] 75 Khz=<f< 100 KHz

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Kontaktierungsverfahren und eine Kontaktierungs­ vorrichtung zum Herstellen von Verdrahtungen innerhalb einer Miniaturbau­ element bzw. eines Mikrochips. Insbesondere betrifft die vorliegende Erfin­ dung ein Kontaktierungsverfahren und eine Kontaktierungsvorrichtung, die geeignet sind zum Ball-Kontaktiren bzw. Kugel-Kontaktieren.
Das herkömmliche Kontaktierungsverfahren, das verwendet wird zur Verdrah­ tung eines Halbleiters, das als das sog. "Nagelkopfkontaktieren" klassifiziert ist und das z. B. in der japanischen Offenlegungsschrift 71 642/1986 offenbart ist, bildet einen Ball an einem der Enden eines dünnen Metalldrah­ tes, drückt diesen Ball von oben und verbindet ihn mit einem Substrat unter Verwendung einer Kapillare, bildet einen Ball am anderen Ende des dünnen Drahtes und verbindet ihn auf die gleiche Weise. Die japanische Offenle­ gungsschrift 1 73 951/1982 offenbart ein Verfahren, welches als "Keilkon­ taktieren" bezeichnet wird.
Der oben beschriebene Stand der Technik zieht nicht die Form des Balles nach der Kontaktierung in Betracht und zieht insbesondere das Problem der Form des oberen Teils des Balls nach sich. Mit anderen Worten, der Stand der Technik nimmt eine Struktur, wobei der Draht in vertikaler Richtung des Balles nach dem Kontaktieren verdrahtet ist und die Form des oberen Teils des Balls nach dem Kontaktieren geneigt bzw. schräg ist. Diese Form ist außerordentlich nachteilig für das Inkontaktbringen eines Fühlerstiftes mit dem Ball nach dem Kontaktieren, um die Verbindung des Kontaktierungsteils bzw. Kontaktierungsabschnittes und die Funktion des Bauelementes zu über­ prüfen. Die oben beschriebene Form ist gleichermaßen nachteilig für eine hochverläßliche Verbindung, wenn das Ball-Kontaktieren in Überlagerung auf dem Kontaktierungsteil vollzogen wird.
Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Kontaktierungsverfahren und eine Kontaktierungsvorrichtung zu schaffen, die eine wünschenswerte Form des Kontaktierungsabschsnittes bilden.
Es ist eine weitere Aufgabe der vorliegenden Erfindung, die Festigkeit des Kontaktierungsabschnittes zu verbessern.
Die oben beschriebenen Aufgaben können durch das folgende Kontaktierungs­ verfahren (1) und die folgende Kontaktierungsvorrichtung (2) erreicht wer­ den.
  • 1. Kontaktierungsverfahren, das einen Kontaktierungsdraht mit einer ballartigen Spitze in Druckkontakt mit einer gewünschten Stelle bringt und das Kontaktieren unter Verwendung einer Ultraschallwelle vollzieht, wobei das Kontaktierungsverfahren dadurch gekennzeichnet ist, daß der oben beschriebene Druckkontakt durch Hochfrequenz-Leistungs-Erwär­ mung durchgeführt wird, während der Kontaktierungsdraht unter Verwen­ dung einer flachen Erwärmungsspitze angedrückt wird.
  • 2. Kontaktierungsvorrichtung, die aufweist eine Kontaktierungsspitze, um einen Kontaktierungsdraht mit einer ballartigen Spitze in Druckkontakt mit einem zu kontaktierenden Material zu bringen, einen Ultraschall- Oszillator zum Aufbringen einer Ultraschallwelle auf die Kontaktierungs­ spitze und eine Erwärmungseinrichtung zum Hochfrequenz-Erwärmen der Kontaktierungsspitze.
Das Kontaktierungsverfahren der vorliegenden Erfindung wird ausgeführt durch Hochfrequenz-Leistungserwärmen einer Kontaktierungsspitze, um einen Draht-Ball im wesentlichen senkrecht zu drücken, z. B. während Ultraschall- Oszillation auf die Kontaktierungsspitze aufgebracht wird. Die Frequenz der Hochfrequenz-Oszillation liegt vorzugsweise in dem Bereich von 30 kHz bis 90 kHz und die Amplitude beträgt vorzugsweise einige Mikrometer. Die Frequenz der Hochfrequenz-Leistungsversorgung bzw. -Spannungsversorgung liegt vorzugsweise im Bereich 200 Hz bis 2 kHz.
Fig. 6 zeigt die Kontaktierungsfestigkeit des Kontaktierungsabschnittes, der durch das Verfahren der vorliegenden Erfindung kontaktiert ist, und zwar im Vergleich mit der Festigkeit anderer Verfahren. Es zeigt, daß, wenn Ultra­ schallwellen und Hochfrequenz-Erwärmung in Kombination miteinander verwendet werden, die Kontaktierungsfestigkeit stärker ansteigt als bei anderen Verfahren wie bei der Verwendung von Ultraschallwellen und einer Wechselspannungs-Erwärmung in Kombination miteinander.
Wenn die Spitze durch sowohl eine Ultraschallwelle als auch einen großen hochfrequenten Strom angeregt bzw. erregt wird, tritt eine Schlagvibration bzw. Pulsvibration zusätzlich zu der Ultraschallvibration auf. Dies erhöht die Reibung an der Schnittstelle zwischen der Spitze und dem Ball und flacht somit die Spitze des Kontakts ab. Zur gleichen Zeit nimmt die Reibung zwischen der Kontaktierungs-Anschlußstelle und dem Ball entsprechend zu und somit nimmt die Kontaktierungsfestigkeit zu. Mit anderen Worten, die Kombination der Ultraschallvibration und der Hochfrequenz-Erwärmung erzeugt eine Schwebung bzw. einen Puls bzw. eine Schwebungsvibration, die gleich der Differenz zwischen der Frequenz der Ultraschallwelle (Hz) und der Hochfrequenz (Hz) ist, und diese Schwebungsfrequenz erzeugt die oben beschriebene Reibungskraft. Die Amplitude der Schwebung ist gleich der Summe der Amplitude der Ultraschallwelle und der Amplitude der Hochfre­ quenz-Spannungsversorgung. Aus diesem Grund nimmt die Reibung zur Zeit des Kontaktierens zu.
Weitere Vorteile, Merkmale und Anwendungsmöglichkeiten der vorliegenden Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung von Anwendungs­ beispielen in Verbindung mit der Zeichnung.
Fig. 1 ist eine Vorderansicht, die den Zustand zeigt, wo ein Verdrahtungs­ material einen Ball an seinem Ende ausgebildet hat und auf bzw. über einer Kontaktierungs-Anschlußstelle angeordnet ist;
Fig. 2 ist eine Vorderansicht, die den Zustand zeigt, bei dem das Ball-Kon­ taktieren ausgeführt wird, so daß die Form der oberen Fläche des Kontaktierungsabschnittes flach wird;
Fig. 3 ist eine Vorderansicht, die den Zustand zeigt, bei dem das Ball-Kon­ taktieren in Überlagerung auf dem Ball-Kontaktierungsabschnitt vollzogen wird, der bereits Ball-kontaktiert worden ist;
Fig. 4 ist eine schematische Strukturdarstellung, die ein Beispiel der Kon­ taktierungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung zeigt;
Fig. 5 ist ein Zeitablaufdiagramm, das den Zeitablauf zur Zeit des Kontak­ tierens zeigt; und
Fig. 6 ist ein Diagramm, das die Festigkeit des Kontaktierungsabschnittes zeigt und hilfreich ist zum Erläutern des Effektes der vorliegenden Erfindung.
Im folgenden wird eine bevorzugte Ausführungsform der vorliegenden Erfin­ dung unter Bezugnahme auf die Zeichnungen beschrieben bzw. erläutert.
Fig. 4 ist eine schematische perspektivische Darstellung, die ein Beispiel der Kontaktierungsvorrichtung in Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfin­ dung zeigt. Eine Kontaktierungsspitze 1 mit einer flachen Oberseite wird durch einen Spitzenhalter 2 gehalten. Ein Ultraschallhorn 3 wird auf die Trommel des Halters 2 über einen Isolierungsblock 13 gedrückt. Ein Wärme­ abschnitt, der diese Teile enthält, kann vertikal durch einen Motor-Antriebs­ mechanismus 12 und eine Kugelumlaufspindel (nicht gezeigt) abgesenkt werden. Die Kontaktierungsspitze 1 wird gebildet durch Ausformen eines Wolfram-Bleches bzw. -Blattes in eine U-Form und durch Aufbringen einer abflachenden Arbeit bzw. Kraft auf seine Spitze. Eine Hochfrequenzspannung wird zwischen beiden Enden der Spitze von einer Hochfrequenz-Konstant­ spannungsquelle 9 über einen Hochfrequenz-Übertrager 8 angelegt und Spannung wird daran zugeführt. Die Intensität und Zeitdauer der Ultraschall­ oszillation wird durch einen Ultraschalloszillator 7 gesteuert. Weiterhin wird ein Controller 10 zum Steuern des Motor-Antriebsmechanismus 12 gezeigt, ein Schaltkreissubstrat bzw. Schaltungssubstrat 6, eine Kontaktierungs-Anschluß­ stelle 5 und ein Verdrahtungsmaterial 4 (ausgestattet mit einem Ball). Diese Hochfrequenz-Konstantspannungsquelle 9, der Controller 10 und der Ultra­ schalloszillator 7 werden von einer Steuereinrichtung (Mikrocomputer) 11 gesteuert.
Als nächstes werden die Kontaktierungsprozeduren unter Verwendung dieser Vorrichtung erläutert. Wie in Fig. 1 gezeigt, wird das Verdrahtungsmaterial 42 mit dem Ball 41 an seiner Spitze auf der Kontaktierungs-Anschlußfläche bzw. -Anschlußstelle 5 derart angeordnet, daß das Verdrahtungsmaterial 42 im wesentlichen parallel zu dem Substrat 6 ist. Druck wird von oben auf das Verdrahtungsmaterial 42 durch die Kontaktierungsspitze 1 ausgeübt, eine Ultraschallwelle wird dann angelegt und weiterhin wird eine Hochfrequenz- Spannungsversorgungs-Erwärmung zum Kontaktieren ausgeführt, so daß die Form der oberen Fläche des Kontaktierungsabschnittes 41′ flach wird, wie in Fig. 2 gezeigt. Wenn das Kontaktieren in eine solche Form ausgeführt ist, kann das Kontaktieren weiter auf dem Kontaktierungsabschnitt 41′, wie in Fig. 3 gezeigt, ausgeführt werden, und wenn eine Leistungsüberprüfung bzw. Kontaktüberprüfung nach der Verbindung ausgeführt wird, kann der flache Abschnitt der oberen Fläche des Kontaktierungsabschnittes 41′ oder 41′′ gefühlt bzw. getastet werden.
Der oben beschriebene Kontaktierungsbetrieb wird durch die Steuereinrich­ tung 11 in Übereinstimmung mit dem in Fig. 5 gezeigten Zeitablauf gesteuert und die Anwendung bzw. das Aufbringen der Ultraschallwelle wird zu dem Zeitpunkt ausgeführt, wenn das Andrücken ausreichend lange ausgeführt worden ist. Auch die Aktivierung der Hochfrequenz-Spannungsversorgung wird von einem System ausgeführt, das sofort, ein paar Sekunden nach der Ultraschalloszillation aktiviert und erwärmt, um so jeden thermischen Einfluß auf das Verdrahtungsmaterial und die metallische Struktur der Basis zu verhüten. Der Kontaktierungsbetrieb kann durch die Verfahren ausgeführt werden, die sich von dem Verfahren mit dem in Fig. 5 gezeigten Zeitablauf unterscheiden.
In der oben beschriebenen Ausführungsform ist die Frequenz der Ultraschall­ welle 60 kHz und die Frequenz der Hochfrequenzerwärmung ist 400 Hz, der gleiche Effekt kann jedoch erhalten werden, wenn die Frequenz der Ultra­ schallwelle und die der Hochfrequenzerwärmung aus dem Bereich von 30 kHz bis 90 kHz bzw. aus dem Bereich von 200 Hz bis 2 kHz ausgewählt werden.
In Übereinstimmung mit der vorliegenden Erfindung kann eine flache und hochfeste Kontaktierung erreicht werden, was mit den herkömmlichen Kon­ taktierungsverfahren nicht möglich war. Insbesondere bezüglich der Festigkeit können Kontaktierungsverbindungen, die eine extrem hohe Festigkeit im Vergleich zu anderen Verfahren haben, erhalten werden durch Verwenden der Ultraschallwellen- und Hochfrequenz-Erwärmungskontaktierung, wie in Fig. 6 gezeigt, und eine hochverläßliche Verbindung kann erhalten werden. Da flaches Kontaktieren, das sich von dem herkömmlichen Kontaktieren unter­ scheidet, ausgeführt werden kann, wird das Fühlen bzw. Tasten zur Überprü­ fung nach der Verbindung und Verdrahtung möglich. Weiterhin, da eine Überlagerungsverbindung der Ballkontaktierung ausgeführt werden kann, wird eine hochdichte Lage bzw. Anordnung der Verdrahtungen in einem begrenzten Raum möglich.

Claims (7)

1. Vorrichtung zum Kontaktieren eines Drahtmaterials mit einem ballartigen Ende auf einer Kontaktierungsanschlußstelle, wobei die Kontaktierungs­ vorrichtung aufweist:
eine Kontaktierungsspitze zum Drücken des Balls des Drahtmaterials auf die Kontaktierungsanschlußstelle;
eine Einrichtung zum Anlegen einer Ultraschallwelle an die Kontaktie­ rungsspitze; und
eine Einrichtung zum Anlegen eines Hochfrequenzstromes an die Kontak­ tierungsspitze und zum Erwärmen der Kontaktierungsspitze.
2. Kontaktierungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Frequenz der Ultraschallwelle aus dem Bereich von 30 kHz bis 90 kHz ausgewählt wird.
3. Kontaktierungsvorrichtung nach Anspruch 1, wobei die Frequenz des Hochfrequenzstromes aus dem Bereich von 200 Hz bis 2 kHz ausgewählt wird.
4. Verfahren zum Kontaktieren eines Drahtmaterials mit einem ballartigen Ende auf eine Kontaktierungsanschlußstelle, wobei das Kontaktierungsver­ fahren aufweist:
Drücken des Balls des Drahtmaterials auf die Kontaktierungsanschluß­ stelle durch eine Kontaktierungsspitze;
Anlegen einer Ultraschallwelle an die Kontaktierungsspitze; und
Anlegen eines Hochfrequenzstromes an die Kontaktierungsspitze und Erwärmen der Kontaktierungsspitze.
5. Kontaktierungsverfahren nach Anspruch 4, wobei die Frequenz der Ultraschallwelle aus dem Bereich von 30 kHz bis 90 kHz ausgewählt wird.
6. Kontaktierungsverfahren nach Anspruch 4, wobei die Frequenz des Hochfrequenzstromes aus dem Bereich von 200 Hz bis 2 kHz ausgewählt wird.
7. Schaltungssubstrat mit einem Drahtmaterial, das auf eine Kontaktierungs­ stelle durch Ball-Kontaktieren kontaktiert wird, wobei das Schaltungssub­ strat dadurch gekennzeichnet ist, daß ein weiteres Drahtmaterial in Überlagerung auf dem Ball kontaktiert wird, der derart ausgebildet ist, daß die Form seiner oberen Fläche flach wird.
DE19893933982 1988-10-11 1989-10-11 Kontaktierungsverfahren und Kontaktierungsvorrichtung Expired - Fee Related DE3933982C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP63253763A JPH02101754A (ja) 1988-10-11 1988-10-11 ボンディング方法及びボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE3933982A1 true DE3933982A1 (de) 1990-04-12
DE3933982C2 DE3933982C2 (de) 1994-05-11

Family

ID=17255802

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19893933982 Expired - Fee Related DE3933982C2 (de) 1988-10-11 1989-10-11 Kontaktierungsverfahren und Kontaktierungsvorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (1) US5002217A (de)
JP (1) JPH02101754A (de)
KR (1) KR920008255B1 (de)
DE (1) DE3933982C2 (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4129933A1 (de) * 1990-09-10 1992-03-12 Hitachi Ltd Verfahren und vorrichtung zum drahtbonden
EP0535433A2 (de) * 1991-09-30 1993-04-07 Texas Instruments Incorporated Verfahren für ultrasonen Bonding über 125 kHz

Families Citing this family (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5186378A (en) * 1991-09-30 1993-02-16 Texas Instruments Incorporated Method and apparatus for transducer heating in low temperature bonding
US5315474A (en) * 1992-04-07 1994-05-24 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US5644281A (en) * 1992-04-07 1997-07-01 Rohm Co., Ltd. Electronic component incorporating solder fuse wire
US5608602A (en) * 1992-04-07 1997-03-04 Rohm Co., Ltd. Circuit incorporating a solid electrolytic capacitor
US5329421A (en) * 1992-04-07 1994-07-12 Rohm Co., Ltd. Solid electrolytic capacitor
US5240166A (en) * 1992-05-15 1993-08-31 International Business Machines Corporation Device for thermally enhanced ultrasonic bonding with localized heat pulses
US5493775A (en) * 1994-01-21 1996-02-27 International Business Machines Corporation Pressure contact open-circuit detector
US5586014A (en) * 1994-04-28 1996-12-17 Rohm Co., Ltd. Fuse arrangement and capacitor containing a fuse
US6148515A (en) * 1996-01-30 2000-11-21 Suzuki Motor Corporation Method of bonding aluminum members
JP2002353266A (ja) * 2001-05-30 2002-12-06 Moric Co Ltd ワイヤボンディング方法および装置
US6520399B1 (en) * 2001-09-14 2003-02-18 Raytheon Company Thermosonic bonding apparatus, tool, and method
JP4941268B2 (ja) * 2007-12-17 2012-05-30 富士通株式会社 ワイヤボンディング方法およびワイヤボンディング装置
RU2525962C1 (ru) * 2013-02-13 2014-08-20 Открытое акционерное общество "Научно-исследовательский институт электронной техники" Способ приварки вывода в полупроводниковом приборе

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3101191A1 (de) * 1980-01-17 1981-12-03 Przemys&lstrok;owy Instytut Elektroniki, 00-241 Warszawa Verfahren zur verbindung von draht mit kontaktfeldern von halbleiterelementen und integrierten schaltungen
US4315128A (en) * 1978-04-07 1982-02-09 Kulicke And Soffa Industries Inc. Electrically heated bonding tool for the manufacture of semiconductor devices
DE3209242C2 (de) * 1981-03-20 1985-04-11 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung
EP0265927A2 (de) * 1986-10-31 1988-05-04 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Stapelverbinden von Drähten

Family Cites Families (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3481839A (en) * 1963-10-21 1969-12-02 Inoue K Method of depositing substances on and diffusing them into conductive bodies under high-frequency electric field
US3747198A (en) * 1971-08-19 1973-07-24 Gen Electric Tailless wedge bonding of gold wire to palladium-silver cermets
DE2238484A1 (de) * 1972-08-04 1974-03-07 Siemens Ag Verfahren zum kontaktieren von kondensatorfolien mit einem anschlussdraht und vorrichtung zu seiner ausuebung
US3934108A (en) * 1974-09-16 1976-01-20 Uthe Technology, Inc. Lead bonding method and apparatus
DE2541911C3 (de) * 1975-09-19 1978-03-16 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren und Vorrichtung zum Anbringen eines elektrischen Anschlusses an einen elektrischen Schicht- oder Wickelkondensator
JPH0815166B2 (ja) * 1985-03-14 1996-02-14 株式会社東芝 ワイヤボンデイング方法
JPS62104127A (ja) * 1985-10-31 1987-05-14 Toshiba Corp 絶縁ワイヤボンデイング方法
US4674671A (en) * 1985-11-04 1987-06-23 Olin Corporation Thermosonic palladium lead wire bonding
JPS62202534A (ja) * 1986-02-28 1987-09-07 Kyocera Corp ワイヤボンデイング用キヤピラリ−
JPH01201933A (ja) * 1988-02-08 1989-08-14 Mitsubishi Electric Corp ワイヤボンディング方法及びその装置

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4315128A (en) * 1978-04-07 1982-02-09 Kulicke And Soffa Industries Inc. Electrically heated bonding tool for the manufacture of semiconductor devices
DE3101191A1 (de) * 1980-01-17 1981-12-03 Przemys&lstrok;owy Instytut Elektroniki, 00-241 Warszawa Verfahren zur verbindung von draht mit kontaktfeldern von halbleiterelementen und integrierten schaltungen
DE3209242C2 (de) * 1981-03-20 1985-04-11 N.V. Philips' Gloeilampenfabrieken, Eindhoven Verfahren zum Anbringen von Kontakterhöhungen an Kontaktstellen einer elektronischen Mikroschaltung
EP0265927A2 (de) * 1986-10-31 1988-05-04 Hitachi, Ltd. Verfahren zum Stapelverbinden von Drähten

Non-Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
JP 57-79630 A. In Patents Abstracts of Japan, 1982, Vol. 6, Nr. 160, E-126 *
JP 61-237441 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1987, Vol. 11, Nr. 83, E-489 *
JP 62-104127 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1987, Vo. 11, Nr. 312, E-548 *
JP 63-111635 A. In: Patents Abstracts of Japan, 1988, Vol. 12, Nr. 355, E-661 *
UTHE, P. Michael: Variables Affecting Weld Quality in Ultrasonic Aluminium Wire Bonding. In: Solid State Technology, August 1969, S. 72-77 *

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4129933A1 (de) * 1990-09-10 1992-03-12 Hitachi Ltd Verfahren und vorrichtung zum drahtbonden
EP0535433A2 (de) * 1991-09-30 1993-04-07 Texas Instruments Incorporated Verfahren für ultrasonen Bonding über 125 kHz
EP0535433A3 (en) * 1991-09-30 1993-06-30 Texas Instruments Incorporated Ultrasonic bonding process beyond 125 khz

Also Published As

Publication number Publication date
DE3933982C2 (de) 1994-05-11
US5002217A (en) 1991-03-26
KR920008255B1 (ko) 1992-09-25
KR900007091A (ko) 1990-05-09
JPH02101754A (ja) 1990-04-13

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE3933982A1 (de) Kontaktierungsverfahren und kontaktierungsvorrichtung
DE2161023B2 (de) Verfahren zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers
DE69737621T2 (de) Halbleiterelement mit einer Höckerelektrode
EP0144915B1 (de) Verfahren zum Anheften eines dünnen elektrisch leitenden Drahtes an elektronischen Bauteilen, insbesondere Halbleiterbauelementen
DE69934243T2 (de) Gerät und methode zur auswertung eines lothöckerzusammenmbaus, und dazu gehörende halbleiterherstellungsvorrichtung und verfahren
DE4016720A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum ultraschallbonden
DE60200792T2 (de) Kapillare mit gesteuerter dämpfung
EP0208310B1 (de) Verfahren zum Regeln des Prozessverlaufes und zur Qualitätskontrolle beim Ultraschallschweissen von Werkstücken
DE19732236A1 (de) Kapillare für ein Drahtbondgerät
WO2014094730A1 (de) Werkzeug zum herstellen einer reibschweissverbindung zwischen einem draht und einem substrat, mit einer taschenförmigen ausnehmung
DE102006048448A1 (de) Erzeugen einer Lotverbindung
DE102012106491A1 (de) Verfahren zur Steuerung eines Ultraschallbearbeitungsprozesses
DE19625638A1 (de) Drahtbondingverfahren und -kopf
EP0562224A1 (de) Kontaktierungssystem für Halbleiter-Drahtverbindungen
DE10349154A1 (de) Verfahren für die Bestimmung optimaler Bondparameter beim Bonden mit einem Wire Bonder
DE10249569B4 (de) Werkzeugkopf zum Befestigen eines elektrischen Leiters auf der Kontaktfläche eines Substrates und Verfahren zum Durchführen der Befestigung
EP3847707A1 (de) Verfahren zum elektrischen kontaktieren eines batterieblocks
WO1999019107A1 (de) Verfahren zur qualitätskontrolle
EP1075346B1 (de) Verfahren zur herstellung einer elektrischen verbindung
DE3616651A1 (de) Vorrichtung zum manuellen drahtbonden
EP0615651B1 (de) Kontaktstück mit einer schaltsilber-kontaktauflage und verfahren zu seiner herstellung
DE1926903B2 (de) Verfahren zum verloeten von teilen eines aufbaus, insbesondere eines wasserrohres und einer verteilerplatte eines waermeaustauschers
DE60219547T2 (de) Laserschweissen für Trommelbasis
DE2236699A1 (de) Verfahren zum flussmittelfreien verzinnen und verbinden von teilen mittels eines beheizbaren loetkolbens, dessen loetspitze zu mechanischen schwingungen anregbar ist, sowie loetvorrichtung zur ausuebung des verfahrens
WO2009080471A1 (de) Bondvorrichtung und verfahren zur herstellung elektrisch leitfähiger verbindungen

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee