DE2161023B2 - Verfahren zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers - Google Patents
Verfahren zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines TrägersInfo
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Description
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ultraschallschweißen
von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers, wobei i'.ie Drähte und/oder die Metalloberfläche
mit einer nichtmetallischer Bedeckung versehen sind, nach welchem ein zu schweißender Draht auf dem
Träger positioniert und gegen der Träger angedrückt wird und mit Hilfe einer Sonotrodenspitze, die in einer
Richtung parallel zur Längsrichtung des Drahtes, in Schwingung versetzt wird, Energie in Form von
Ultraschallschwingungen gemäß einem programmierten Schweißzyklus zugeführt wird.
Ein derartiges Verfahren ist bekannt aus der Zeitschrift »Metallwissenschaft und Technik«, 20, 1966,
Seiten 1069 bis 1072. Bei diesem bekannten Verfahren ist es jedoch erforderlich, einen isolierenden Kunststoff
mantel eines Kupferdrahtes vor dem Schweißen beiseite zu schieben, wie aus Seite 1070, 6. Absatz,
hervorgeht, oder die Lackschicht eines mit Lack isolierten Drahtes vor dem Schweißen zu entfernen,
vergl, Seite 1072, 3. Absatz. Auch hat das bekannte
Verfahren den Nachteil, den zu verschweißenden Draht an der Schweißstelle zu stark zu schwächen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein
Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem eine vorherige Entfernung einer Kunststoff- oder
Lackisolierung nicht erforderlich ist und auch keine Schwächung des zu verschweißenden Drahtes erfolgt.
Das erfindungsgemäße Verfahren besteht darin, daß der Schweißzyklus wenigstens einen Vorimpuls und
wenigstens einen Schweißimpuls aufweist, wobei die Anpreßkraft, die Amplitude der Ultraschallschwingungen
und die Dauer der Impulse regelbar sind, und wobei beim Übergang vom Vorimpuls auf den Schweißimpuls
die Anpreßkraft erhöht und die Amplitude der Schwingungen derart verringert wird, daß die Bedekkung
zunächst örtlich entfernt und anschließend der Draht aufgeschweißt wird. μ
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltene Schweißverbindung hat eine Breite, die kleiner ist als
der doppelte Drahtdiirchmesser und eine Gesamtoberfläche,
die ungefähr viermal so groß ist wie der Drahtquerschnitt, während die Zugfestigkeit der
Schweißverbindung trotz ihrer beschränkten Oberfläche nahezu gleich 90% der Zugfestigkeit des Drahtes ist.
Durch die kompakten Abmessungen und die hohe mechanische Festigkeit der Schweißverbindung genügt
das erfindungsgemäße Verfahren den Anforderungen, die in der elektronischen Industrie im Z.ige der
fortschreitenden Miniaturisation gestellt werden. So kann das Verfahren beispielsweise vorteilhaft zum
Schweißen von isolierten x^Kupferdrähten auf die
Matrix eines Ringkernspeichers angewendet werden, wobei das bisher angewandte Lötverfahren stets mehr
Schwierigkeiten ergibt, o.a. durch Brückenbildung,
durch die Zufuhr von Lötfluß und durch die notwendigen verhältnismäßig großen Abmessungen der Lötverbindung.
Unter einer nicht-metallischen Bedeckung sei eine Schicht verstanden, die das Schweißen weitgehend
erschwert Es kann sich beispielsweise um eine eigene oder eine fremde Oxydschicht oder um eine Isolationsschicht
aus Kunststoff handeln. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren finden die Entfernung der Bedeckung,
entweder eine Oxydschicht oder eine Isolationsschicht, und das Aufschweißen des Drahtes während ein und
desselben Schweißzyklus statt, so daß eine vorhergehende chemische oder mechanische Reinigung der zu
verbindenden Oberflächen nicht erforderlich ist
Durch Änderung der erwähnten Parameter ist es möglich, den Schweißzyklus auf optimale Weise an
verschiedene Materialien des Drahtes, der Bedeckung und des Trägers anzupassen.
Zum Ausführen des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine an sich bekannte Vorrichtung verwendet, die
einen Generator, einen Wandler, einen Wellenleiter, einen Amplitudentransformator, eine Sonotrodenspitze
mit einer Berührungsfläche und einen Amboß mit einer Tragfläche aufweist Dabei kann die Sonotrodenspitze
in bezug auf den Amboß in einer päraüel zur Tragfläche
verlaufenden Ebene in Schwingung versetzt werden.
Ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren geschweißter Gegenstand ist durch die beschränkte
Schweißoberfläche der Schweißverbindung, durch die örtliche Deformation des aufgeschweißten Drahtes und
durch die örtlich entfernte Bedeckung gekennzeichnet.
Die Erfindung wird an Hand einiger in den Zeichnungen dargestellter Ausführungsbeispiele näher
erläutert Es zeigt
F i g. 1 eine schernatische Darstellung einer Vorrichtung
zum Ausführen des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. la und 2b eine in Seitenansicht und in Vorderansicht dargestellte Ausführungsform der Sonotrodenspitze
in vergrößertem Maßstab,
F i g. 3a und 3b eine andere Ausführungsform der Sonotrodenspitze in Seitenansicht und in Vorderansicht,
Fig. 4 den Verlauf der Anpreßkraft und der
Schwingungsamplitude während eines Schweißzyklus in Abhängigkeit von der Zeit,
Fig. 5 eine perspektivische Darstellung einer Schweißverbindung mit einem mit einem Isolationsmantel versehenen Draht.
Die in Fig. I dargestellte, an sich bekannte Vorrichtung 1 zum Erzeugen von Ultraschallschwingungen
enthält einen Generator 3, einen magnetostriktiven Wandler 5, einen Wellenleiter 7, einen Amplitudertransformator
9, eine Regeleinheit 11, eine Sonotrodenspitze
13 mit einer Berührungsfläche 15 und einem Amboß 17
mit einer Tragfläche 19. Die Vorrichtung 1 wirkt auf bereits bekannte Weise. Die Regeleinheit !1 dient zum
Einstellen der Zeitdauer der Schwingungsimpulse, beispielsweise von 0,1 bis 1 Sekunde, zum Einstellen der
Schwingungsamplitude von beispielsweise 0 bis 10 μπι
und zum Regeln der Anpreßki aft von beispielsweise 0 bis 8 N. Bei dieser Vorrichtung kann die Sonotrodenspitze
13 in einer parallel zur Tragfläche 19 des Ambosses 17 verlaufenden Ebene in Schwingung
versetzt werden. Zum Schweißen eines mit einer Bedeckung versehenen Drahtes auf die Metalloberfläche
eines Trägers wird letzterer auf dem Amboß J 7 angeordnet und der Draht derart unter der Sonotrodenspitze
13 positioniert, daß die Mittellinie des Drahtes parallel zur Schwingungsrichtung der Sonotrodenspitze
verläuft Danach wird der Amboß 17 in Richtung der Sonotrcdenspitze 13 verschoben, bis der Draht mit der
gewünschten Anpreßkraft an die Berührungsfläche 15 der Sonotrodenspitze gedrückt wird. Schließlich wird
die Sonotrodenspitze entsprechend einem vorher programmierten Schweißzyklus in Schwin.Tung versetzt
Erfindungsgemäß wird hierbei die Bedeckung während desselben Schweißzyklus und bei derselben
Aufspannung zunächst örtlich durch einen Vorimpuls entfernt und danach der Draht durch einen Schweißimpuls
aufgeschweißt. Hierbei hat es sich als vorteilhaft erwiesen, für den Vorimpuls und den Schweißimpuls
verschiedene Schweißparameter einzustellen. Fig.4 zeigt in Abhängigkeit von der Zeit die Änderung der
Anpreßkraft F und der Amplitude X der Sonotrodenspitze. Für den Vorimpuls wird während des Intervalles
to— Ii die Anpreßkraft F auf den Wert Fi und die
Amplitude auf den Wert X\ eingestellt; für den Schweißimpuls mit dem Intervall h—ti wird die
Anpreßkraft auf Fi erhöht, während die Amplitude auf einen niedrigeren Wert X2 eingestellt wird.
Die F i g. 2a und 2b zeigen im vergrößerten Maßstab eine Ausfübrungsform der Sonotrodenspitze 13 beim
Aufschweißen eines Drahts 21 mit einer Oxydschicht 22 auf die Metalloberfläche 23 eines Trägers 25. Die
Berührungsfläche 15 der Sonotrodenspitze 13 ist mit einer V-Nut 27 versehen, deren Tiefe und Breite derart
dem Durchmesser des Drahts angepaßt sind, daß die Sonotrodenspitze den Träger 25 ninht berühren kann.
Bei einer in der Praxis durchgeführten Schweißverbindung eines oxydierten Drahts mit einem Durchmesser
von 80μηι, einer Oxydschicht Oxydschicht mit einer
Dicke von 0,1 μπι, einer Zugfestigkeit von 0,44 · ΙΟ9—T
bei einer maximalen Zugkraft von 2,2 N auf eine aus 1,5 mm dickem Epoxyglas bestehende Grundplatte mit
einer Kupferschicht von 40 μηι wurden die folgenden Schweißparameter aufgestellt:
flachen Berührungsfläche besser geeignet. Die F i g. 3a
und 3b zeigen eine derartige Ausführungsform der Sonotrodenspitze 13 beim Aufschweißen eines mit
einem Isolationsmantel 33 versehenen Drahts 31, wobei die Druckoberfläche 15 der Sonotrodenspitze 13 flach
ist
Bei den Versuchen wurde ein Kupferdraht mit einem Durchmesser von 63 μπι und einer Zugfestigkeit von
0,51 ■ 109—j-bei einer maximalen Zugkraft von 1,6 N
irr br
verwendet, der mit einer aus einer Lackschicht und einem Nylonmantel bestehenden 8 μπι dicken Isolationsschicht
versehen ist Der Draht wurde auf eine Printplatte mit einer 40 μπι dicken Kupferschicht
geschweißt Hierbei wurden die Schweißparameter wie folgt aufgestellt:
Vorimpuls
Zeitintervall
Anpreßkraft
Amplitude
Anpreßkraft
Amplitude
üesamtdaucr
0,2 Sek.
2N
3 am
2N
3 am
0,5 Sek.
5N
2 ;j.m
5N
2 ;j.m
1,5 Sek.
Die maximale Zugbelastung der erhaltenen Schweißverbindung betrug 2,0 N.
Zum Schweißen von mit einer Isolationsschicht versehenen Dräl'len ist eine Sonotrodenspitze mit einer
Vorimpuls
Zeitintervall
Anpreßkraft
Amplitude
Anpreßkraft
Amplitude
Gesamtdauer
0,15 Sek.
2N
5 um
2N
5 um
0,5 Sek.
4N
2 um
4N
2 um
1,5 Sek.
Die maximale Zugbelastung der erhaltenen Schweiß · verbindung betrug 1,4 N.
Ähnliche Ergebnisse wurden mit dem im folgenden aufgeführten Änderungen der Schweißparameter erzielt:
Vorimpuls
Zeitintervall | 0,1-0,2 Sek. | 0,3-0,7 Sek. |
Anpreßkraft | 1,5-2,5 N | 3,5-5 N |
Amplitude | 3-6 um | 1,5-3 [JaX) |
Die maximale Zugbelastung der Schweißverbindung betrug stets mehr als 80% der maximalen Zugkraft des
Drahtes; die Abschälkraft entsprach durchschnittlich 50% der Zugbelastung.
Eine mit dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Schweißverbindung ist durch die kompakten
Abmessungen der Schweißoberfläche und durch die Deformation des Drahts gekennzeichnet, dessen Dicke
auf dem durch die Sonotrodenspitze bearbeiteten Teil von den Enden zur Mitte hin auf 70% des ursprünglichen
Durchmessers ibnimmt F i g. 6 zeigt eine perspektivische
Darstellung einer Schweißverbindung mit einem mit einem Isolationsmantel versehenen Draht,
wobei cias Aussehen und die Form der Verbindung charakteristisch ist.
Die Metalloberfläche, auf die der Draht geschweißt wird, kann eine Seite eines massiven Metallträgers oder
die obere Seite von Metallspuren sein, die auf einem nicht metallischen Substrat wie Kunststoff, Preßpapier,
Glas, keramisches Material u. a. aufgebracht sind.
M) Wie bereits erläutert wurde, eignet sich das
erfindungsgemäße Verfahren besonders .'um Schweißen
von isolierten *>■-Drähten auf Jie Matrix eines
Ringkernspeichers. Die Erfindung kann ferner allgemein zum Schweißer von isolierten Verbindungsdräh-
hi ten oder zum Herstellen von kompakten Verbindungen
verwendet werden, beispielsweise zum Schweißen von Wickeldraht auf Anschlußzungen oder Stifte von Spulen
für Elektromotoren,Transformatoren und dergleichen.
Hierzu 2 Matt Zeichnungen
Claims (1)
- Patentanspruch:Verlahren zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers, wobei die Drähte und/oder die Metalloberfläche mit einer nicht-metallischen Bedeckung versehen sind, nach welchem ein zu schweißender Draht auf dem Träger positioniert und gegen den Träger angedrückt wird und mit Hilfe einer Sonotrodenspitze, die in einer Richtung parallel zur Längsrichtung des Drahtes in Schwingung versetzt wird, Energie in Form von Ultraschallschwingungen gemäß einem programmierten Schweißzyklus zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Schweißzyklus wenigstens einen Vorimpuls und wenigstens einen Schweißimpuls aufweist, wobei die Anpreßkraft, die Amplitude der Ultraschallschwingungen und die Dauer der Impulse regelbar sind, und wobei beim Übergang vom Vorimpuls auf den Schweißimpuls die Anpreßkraft erhöht und die Amplitude der Schwingungen derart verringert wird, daß die Bedeckung zunächst örtlich entfernt und anschließend der Draht aufgeschweißt wird.25
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL7018377.A NL162580B (nl) | 1970-12-17 | 1970-12-17 | Werkwijze voor het ultrasoonlassen van draden op het metalen oppervlak van een drager. |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2161023A1 DE2161023A1 (de) | 1972-07-06 |
DE2161023B2 true DE2161023B2 (de) | 1980-12-04 |
DE2161023C3 DE2161023C3 (de) | 1982-02-11 |
Family
ID=19811817
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2161023A Expired DE2161023C3 (de) | 1970-12-17 | 1971-12-09 | Verfarhen zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers |
Country Status (11)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US3822465A (de) |
AT (1) | AT320387B (de) |
BE (1) | BE776749A (de) |
CA (1) | CA939940A (de) |
CH (1) | CH540739A (de) |
DE (1) | DE2161023C3 (de) |
FR (1) | FR2118750A5 (de) |
GB (1) | GB1360079A (de) |
IT (1) | IT945438B (de) |
NL (1) | NL162580B (de) |
SE (1) | SE381834B (de) |
Cited By (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3335848A1 (de) * | 1982-10-04 | 1984-04-05 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Verfahren zum verbinden eines aluminiumdrahtes |
DE3723333A1 (de) * | 1987-07-15 | 1989-01-26 | Kln Ultraschall Gmbh | Verfahren zur steuerung von ultraschall-schweissmaschinen bei der verschweissung von werkstuecken |
DE3835818A1 (de) * | 1988-10-21 | 1990-04-26 | Stapla Ultraschalltechnik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum verbinden von ankerwicklungsdraehten mit den lamellen eines hakenkollektors |
DE19541976A1 (de) * | 1995-11-10 | 1997-05-15 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Elektrische Schaltung |
DE19618104A1 (de) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen einem ummantelten Kupferdraht und einem elektrischen Leiter |
DE19823900C2 (de) * | 1997-05-30 | 2002-05-08 | Yazaki Corp | Anschlusselement, Verbindungsaufbau zwischen einem Anschlusselement und einem ummantelten Draht und Verfahren zum Verbinden eines Anschlusselements mit einem ummantelten Draht |
DE102007053853A1 (de) * | 2007-11-09 | 2009-05-20 | Weber Ultrasonics Gmbh | Ultraschallschweißeinrichtung |
Families Citing this family (38)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2312724C2 (de) * | 1973-03-14 | 1974-06-06 | Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen | Verfahren und Vorrichtung zum Ultraschallschweißen eines aus Metall bestehenden Bauteiles mit einem aus einem Nichtmetall gebildeten Bauteil unter Einfügung einer metallischen Zwischenlage |
US4188438A (en) * | 1975-06-02 | 1980-02-12 | National Semiconductor Corporation | Antioxidant coating of copper parts for thermal compression gang bonding of semiconductive devices |
US4409659A (en) * | 1980-12-15 | 1983-10-11 | Sonobond Ultrasonics, Inc. | Programmable power supply for ultrasonic applications |
DE3229076A1 (de) * | 1981-08-07 | 1983-03-24 | Pola Chemical Industries, Inc., Shizuoka | Verfahren und vorrichtung zum verschweissen des bodens eines rohrfoermigen behaelters aus kunstharz |
DE3151151C2 (de) * | 1981-12-23 | 1989-10-12 | Schunk Ultraschalltechnik Gmbh, 8750 Aschaffenburg | Vorrichtung zum Verbinden elektrischer Leiter |
US4475681A (en) * | 1982-05-24 | 1984-10-09 | The Micromanipulator Co., Inc. | Bonder apparatus |
FR2532515B1 (fr) * | 1982-08-27 | 1985-12-13 | Thomson Csf | Procede de cablage automatise a panne vibrante et machine de cablage utilisant un tel procede |
US4496095A (en) * | 1983-04-12 | 1985-01-29 | Fairchild Industries, Inc. | Progressive ultrasonic welding system |
DE3404008A1 (de) * | 1984-02-06 | 1985-08-08 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Verfahren zum befestigen von metalldraehten an metallischen anschlusstraegern |
US4712723A (en) * | 1985-04-15 | 1987-12-15 | Siemens Aktiengesellschaft | Method for bonding an insulated wire element on a contact |
US4614292A (en) * | 1985-09-30 | 1986-09-30 | Rca Corporation | Die bonder with electrically driven scrubbing means |
GB8624513D0 (en) * | 1986-10-13 | 1986-11-19 | Microelectronics & Computer | Single point bonding method |
JPH0770345B2 (ja) * | 1990-06-28 | 1995-07-31 | 株式会社エーユーイー研究所 | コネクタの製造方法およびコネクタ |
US5192015A (en) * | 1991-11-20 | 1993-03-09 | Santa Barbara Research Center | Method for wire bonding |
US5855706A (en) * | 1992-04-21 | 1999-01-05 | Branson Ultrasonics Corporation | Simultaneous amplitude and force profiling during ultrasonic welding of thermoplastic workpieces |
AU4782293A (en) | 1992-07-24 | 1994-02-14 | Tessera, Inc. | Semiconductor connection components and methods with releasable lead support |
US6054756A (en) * | 1992-07-24 | 2000-04-25 | Tessera, Inc. | Connection components with frangible leads and bus |
US5977618A (en) * | 1992-07-24 | 1999-11-02 | Tessera, Inc. | Semiconductor connection components and methods with releasable lead support |
US5891745A (en) * | 1994-10-28 | 1999-04-06 | Honeywell Inc. | Test and tear-away bond pad design |
US20020151111A1 (en) * | 1995-05-08 | 2002-10-17 | Tessera, Inc. | P-connection components with frangible leads and bus |
JP3807508B2 (ja) | 1995-09-18 | 2006-08-09 | テセラ,インコーポレイテッド | 誘電層を備えた超小形電子リード構造体 |
DE19605038A1 (de) * | 1996-02-12 | 1997-08-14 | Daimler Benz Ag | Verfahren zum Bonden von Isolierdraht und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens |
US5937276A (en) * | 1996-12-13 | 1999-08-10 | Tessera, Inc. | Bonding lead structure with enhanced encapsulation |
JP3311627B2 (ja) * | 1997-01-09 | 2002-08-05 | 矢崎総業株式会社 | 電線接続構造 |
JP3311625B2 (ja) * | 1997-01-09 | 2002-08-05 | 矢崎総業株式会社 | 電線接続構造 |
US5826407A (en) * | 1997-10-07 | 1998-10-27 | Tetra Laval Holdings & Finance, S.A. | Method of ultrasonically vibrating a workpiece |
JP4504529B2 (ja) * | 2000-08-07 | 2010-07-14 | 矢崎総業株式会社 | 電線同士の接続方法 |
US6837751B2 (en) | 2002-07-25 | 2005-01-04 | Delphi Technologies, Inc. | Electrical connector incorporating terminals having ultrasonically welded wires |
US6588646B2 (en) * | 2001-11-24 | 2003-07-08 | Delphi Technologies, Inc. | Ultrasonic welding of wires through the insulation jacket thereof |
WO2003045616A1 (en) | 2001-11-24 | 2003-06-05 | Delphi Technologies, Inc. | Improvements in wire harnesses |
JP5017358B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2012-09-05 | シーアールシー フォー アドバンスト コンポジット ストラクチャーズ リミテッド | ポリマー複合部材への機能部材の溶着 |
JP2012192413A (ja) * | 2011-03-15 | 2012-10-11 | Yazaki Corp | 超音波接合方法 |
CN102615441A (zh) * | 2012-04-13 | 2012-08-01 | 珠海微点焊电子工业有限公司 | 超声电阻焊焊机 |
DE102013104933A1 (de) * | 2012-06-06 | 2013-12-12 | Hanning Elektro-Werke Gmbh & Co. Kg | Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Aluminiumdrahts |
US9607739B2 (en) * | 2014-07-30 | 2017-03-28 | Yazaki Corporation | Method for bonding flat cable and bonding object, ultrasonic bonding device, and cable |
DE102015214408C5 (de) * | 2015-07-29 | 2020-01-09 | Telsonic Holding Ag | Sonotrode, Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer Schweißverbindung |
US11517977B2 (en) * | 2017-09-15 | 2022-12-06 | Tech-Sonic, Inc. | Dual cam servo weld splicer |
FR3125929B1 (fr) * | 2021-07-27 | 2023-12-01 | Corelco Sas | Système d’enroulement pour gaine pré-filée |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3125803A (en) * | 1960-10-24 | 1964-03-24 | Terminals | |
BE621898A (de) * | 1961-08-30 | 1900-01-01 | ||
US3263059A (en) * | 1963-11-19 | 1966-07-26 | Ibm | Fine insulated wire welder |
US3458921A (en) * | 1965-07-19 | 1969-08-05 | Western Electric Co | Short pulse vibratory bonding |
US3440118A (en) * | 1965-12-17 | 1969-04-22 | Branson Instr | Method and apparatus for bonding together a plurality of insulated electrical conductors by sonic energy |
US3519782A (en) * | 1966-12-13 | 1970-07-07 | Bell Telephone Labor Inc | Precision electric welder |
US3662454A (en) * | 1970-03-18 | 1972-05-16 | Rca Corp | Method of bonding metals together |
-
1970
- 1970-12-17 NL NL7018377.A patent/NL162580B/xx not_active IP Right Cessation
-
1971
- 1971-12-09 DE DE2161023A patent/DE2161023C3/de not_active Expired
- 1971-12-10 US US00206715A patent/US3822465A/en not_active Expired - Lifetime
- 1971-12-14 GB GB5793871A patent/GB1360079A/en not_active Expired
- 1971-12-14 SE SE7115991A patent/SE381834B/xx unknown
- 1971-12-14 AT AT1072171A patent/AT320387B/de active
- 1971-12-14 IT IT54741/71A patent/IT945438B/it active
- 1971-12-14 CH CH1822871A patent/CH540739A/de not_active IP Right Cessation
- 1971-12-15 BE BE776749A patent/BE776749A/xx unknown
- 1971-12-16 CA CA130,266A patent/CA939940A/en not_active Expired
- 1971-12-17 FR FR7145445A patent/FR2118750A5/fr not_active Expired
Cited By (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3335848A1 (de) * | 1982-10-04 | 1984-04-05 | Hitachi, Ltd., Tokyo | Verfahren zum verbinden eines aluminiumdrahtes |
DE3723333A1 (de) * | 1987-07-15 | 1989-01-26 | Kln Ultraschall Gmbh | Verfahren zur steuerung von ultraschall-schweissmaschinen bei der verschweissung von werkstuecken |
DE3835818A1 (de) * | 1988-10-21 | 1990-04-26 | Stapla Ultraschalltechnik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum verbinden von ankerwicklungsdraehten mit den lamellen eines hakenkollektors |
DE19541976A1 (de) * | 1995-11-10 | 1997-05-15 | Ego Elektro Blanc & Fischer | Elektrische Schaltung |
US5831214A (en) * | 1995-11-10 | 1998-11-03 | E.G.O. Elektro-Geratebau Gmbh | Electrical circuit |
DE19618104A1 (de) * | 1996-05-06 | 1997-11-13 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen einem ummantelten Kupferdraht und einem elektrischen Leiter |
DE19823900C2 (de) * | 1997-05-30 | 2002-05-08 | Yazaki Corp | Anschlusselement, Verbindungsaufbau zwischen einem Anschlusselement und einem ummantelten Draht und Verfahren zum Verbinden eines Anschlusselements mit einem ummantelten Draht |
DE102007053853A1 (de) * | 2007-11-09 | 2009-05-20 | Weber Ultrasonics Gmbh | Ultraschallschweißeinrichtung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH540739A (de) | 1973-08-31 |
NL162580B (nl) | 1980-01-15 |
GB1360079A (en) | 1974-07-17 |
AT320387B (de) | 1975-02-10 |
US3822465A (en) | 1974-07-09 |
DE2161023C3 (de) | 1982-02-11 |
CA939940A (en) | 1974-01-15 |
NL7018377A (de) | 1972-06-20 |
SE381834B (sv) | 1975-12-22 |
FR2118750A5 (de) | 1972-07-28 |
IT945438B (it) | 1973-05-10 |
DE2161023A1 (de) | 1972-07-06 |
BE776749A (fr) | 1972-06-15 |
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