DE2161023C3 - Verfarhen zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers - Google Patents

Verfarhen zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers

Info

Publication number
DE2161023C3
DE2161023C3 DE2161023A DE2161023A DE2161023C3 DE 2161023 C3 DE2161023 C3 DE 2161023C3 DE 2161023 A DE2161023 A DE 2161023A DE 2161023 A DE2161023 A DE 2161023A DE 2161023 C3 DE2161023 C3 DE 2161023C3
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
welding
wire
carrier
pulse
welded
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2161023A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2161023A1 (de
DE2161023B2 (de
Inventor
Aloysius Petrus Albertus Johannes Hulst
Marijn de Eindhoven Jong
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE2161023A1 publication Critical patent/DE2161023A1/de
Publication of DE2161023B2 publication Critical patent/DE2161023B2/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2161023C3 publication Critical patent/DE2161023C3/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/10—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating making use of vibrations, e.g. ultrasonic welding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/02—Bonding areas; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/04—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process
    • H01L2224/05—Structure, shape, material or disposition of the bonding areas prior to the connecting process of an individual bonding area
    • H01L2224/0554—External layer
    • H01L2224/0555—Shape
    • H01L2224/05552—Shape in top view
    • H01L2224/05553—Shape in top view being rectangular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/484—Connecting portions
    • H01L2224/48455—Details of wedge bonds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78313—Wedge
    • H01L2224/78314—Shape
    • H01L2224/78315—Shape of the pressing surface, e.g. tip or head
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01039—Yttrium [Y]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Manufacturing Of Electrical Connectors (AREA)
  • Pressure Welding/Diffusion-Bonding (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines w Trägers, wobei die Drähte und/oder die Metalloberfläche mit einer nichtmetallischen Bedeckung versehen sind, nach welchem ein zu schweißender Draht auf dem Träger positioniert und gegen den Träger angedrückt wird und mit Hilfe einer Sonotrodenspitze, die in einer r> Richtung parallel zur Längsrichtung des Drahtes, in Schwingung versetzt wird, Energie in Form von Ultraschallschwingungen gemäß einem programmierten Schweißzyklus zugeführt wird.
Ein derartiges Verfahren ist bekannt aus der Zeitschrift »Metallwissenschaft und Technik«, 20, 1966, Seiten 1069 bis 1072. Bei diesem bekannten Verfahren ist es jedoch erforderlich, einen isolierenden Kunststoffmantel eines Kupferdrahtes vor dem Schweißen beiseite zu schieben, wie aus Seite 1070, 6. Absatz, hervorgeht, oder die Lackschicht eines mit Lack isolierten Drahtes vor dem Schweißen zu entfernen, vergl. Seite 1072, 3. Absatz. Auch hat das bekannte Verfahren den Nachteil, den zu verschweißenden Draht an der Schweißstelle zu stark zu schwächen.
Aufgabe der vorliegenden Erfindung ist es daher, ein Verfahren der eingangs genannten Art zu schaffen, bei dem eine vorherige Entfernung einer Kunststoff- oder Lackisolierung nicht erforderlich ist und auch keine Schwächung des zu verschweißenden Drahtes erfolgt.
Das erfindungsgemäße Verfahren besteht darin, daß der Schweißzyklus wenigstens einen Vorimpuls und wenigstens einen Schweißimpuls aufweist, wobei die Anpreßkraft, die Amplitude der Ultraschallschwingungen und die Dauer der Impulse regelbar sind, und wobei beim Übergang vom Vorimpuls au' den Schweißimpuls die Anpreßkraft erhöht und die Amplitude der Schwingungen derart verringert wird, daß die Bedekkung zunächst örtlich entfernt und anschließend der Draht aufgeschweißt wird.
Die mit dem erfindungsgemäßen Verfahren erhaltene Schweißverbindung hat eine Breite, die kleiner ist als der doppelte Drahtdurchmesser und eine Gesamtoberfläche, die ungefähr viermal so groß ist wie der Drahtquerschnitt, während die Zugfestigkeit der Schweißverbindung trotz ihrer beschränkten Oberfläche nahezu gleich 90% der Zugfestigkeit des Drahtes ist. Durch die kompakten Abmessungen und die hohe mechanische Festigkeit der Schweißverbindung genügt das erfindungsgemäße Verfahren den Anforderungen, die in der elektronischen Industrie im Zuge der fortschreitenden Miniaturisation gestellt werden. So kann das Verfahren beispielsweise vorteilhaft zum Schweißen von isolierten xy- Kupferdrähten auf die Matrix eines Ringkernspeichers angewendet werden, wobei das bisher angewandte Lötverfahren stets mehr Schwierigkeiten ergibt, u.a. durch Brückenbildung, durch die Zufuhr von Lötfluß und durch die notwendigen verhältnismäßig großen Abmessungen der Lötverbindung.
Unter einer nicht-metallischen Bedeckung sei eine Schicht verstanden, die das Schweißen weitgehend erschwert Es kann sich beispielsweise um eine eigene oder eine fremde Oxydschicht oder um eine Isolationsschicht aus Kunststoff handeln. Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren finden die Entfernung der Bedeckung, entweder eine Oxydschicht oder eine Isolationsschicht, und das Aufschweißen des Drahtes während ein und desselben Schweißzyklus statt, so daß eine vorhergehende chemische oder mechanische Reinigung der zu verbindenden Oberflächen nicht erforderlich ist.
Durch Änderung der erwähnten Parameter ist es möglich, den Schweißzyklus auf optimale Weise an verschiedene Materialien des Drahtes, der Bedeckung und des Trägers anzupassen.
Zum Ausführen des erfindungsgemäßen Verfahrens wird eine an sich bekannte Vorrichtung verwendet, die einen Generator, einen Wandler, einen Wellenleiter, einen Amplitudentransforniator, eine Sonotrodenspitze mit einer Berührungsfläche und pinen Amboß mit einer Tragfläche aufweist. Dabei kann die Sonotrodenspitze in bezug auf den Amboß in einer parallel zur Tragfläche verlaufenden Ebene in Schwingung versetzt werden.
Ein mit dem erfindungsgemäßen Verfahren geschweißter Gegenstand ist durch die beschränkte Schweißoberfläche der Schweißverbindung, durch die örtliche Deformation des aufgeschweißten Drahtes und durch die örtlich entfernte Bedeckung gekennzeichnet.
Die Erfindung wird an Hand einiger in den Zeichnungen dargestellter Ausführungsbeispiele näher erläutert. Es zeigt
F i g. 1 eine schematische Darstellung einer Vorrichtung zum Ausführen des erfindungsgemäßen Verfahrens,
Fig. la und 2b eine in Seitenansicht und in Vorderansicht dargestellte Ausführungsform der Sonotrodenspitze in vergrößertem Maßstab,
Fig.3a und 3b eine andere Ausführungsform der Sonotrodenspitze in Seitenansicht und in Vorderansicht,
Fig.4 den Verlauf der Anpreßkraft und der Schwingungsamplitude während eines Schweißzyklus in Abhängigkeit von der Zeit,
Fig. 5 eine perspektivische Darstellung einer Schweißverbindung mit einem mit einem Isolationsmantel versehenen Draht.
Die in Fig. 1 dargestellte, an sich bekannte Vorrichtung 1 zum Erzeugen von Ultraschallschwingungen enthält einen Generator 3, einen magnetostriktiven Wandler 5, einen Wellenleiter 7, einen Amplitudentransformator 9, eine Regeleinheit 11, eine Sonotrodenspitze 13 mit einer Berührungsfläche 15 und einem Amboß 17
mit einer Tragfläche 19. Die Vorrichtung 1 wirkt auf bereits bekannte Weise. Die Regeleinheit 11 dient zum Einstellen der Zeitdauer der Schwingungsimpulse, beispielsweise von 0,1 bis 1 Sekunde, zum Einstellen der Schwingungsamplitude von beispielsweise 0 bis 10 μηι und zum Regeln der Anpreßkraft von beispielsweise 0 bis 8 N. Bei dieser Vorrichtung kann die Sonotrodenspitze 13 in einer parallel zur Tragfläche 19 des Ambosses 17 verlaufenden Ebene in Schwingung versetzt werden. Zum Schweißen eines mil einer Bedeckung versehenen Drahtes auf die Metalloberfläche eines Trägers wird letzterer auf dem Amboß 17 angeordnet und der Draht derart unter der Sonotrodenspitze 13 positioniert, daß die Mittellinie des Drahtes parallel zur Schwingungsrichtung der Sonotrodenspitze verläuft Danach wird der Amboß 17 in Richtung der Sonotrodenspitze 13 verschoben, bis der Draht mit der gewünschten Anpreßkraft an die Berührungsfläche 15 der Sonotrodenspitze gedrückt wird. Schließlich wird die Sonotrodenspitze entsprechend einem vorher programmierten Schweißzyklus in Schwingung versetzt.
Erfindungsgemäß wird hierbei die Bedeckung während desselben Schweißzyklus und bei derselben Aufspannung zunächst örtlich durch einen Vorimpuls entfernt und danach der Draht durch einen Schweißimpuls aufgeschweißt. Hierbei hat es sich als vorteilhaft erwiesen, für den Vorimpuls und den Schweißiinpuls verschiedene Schweißparameter einzustellen. F i g. 4 zeigt in Abhängigkeit von der Zeit die Änderung der Anpreßkraft Fund der Amplitude X der Sonoirodenspitze. Für den Vorimpuls wird während des lntervalles ίο— ίι die Anpreßkraft F auf den Wert Fi und die Amplitude auf den Wert ΛΊ eingestellt; für den Schweißimpuls mit dem Intervall f2— Ϊ3 wird die Anpreßkraft auf Fi erhöht, während die Amplitude auf einen niedrigeren Wert X2 eingestellt wird.
Die F i g. 2a und 2b zeigen im vergrößerten Maßstab eine Ausführnngsform der Sonotrodenspitze 13 beim Aufschweißen eines Drahts 21 mit einer Oxydschicht 22 auf die Metalloberfläche 23 eines Trägers 25. Die Berührungsfläche 15 der Sonotrodenspitze 13 ist mit einer V-Nut 27 versehen, deren Tiefe und Breite derart dem Durchmesser des Drahts angepaßt sind, daß die Sonotrodenspitze den Träger 25 nicht berühren kann. Bei einer in der Praxis durchgeführten Schweißverbindung eines oxydierten Drahts mit einem Durchmesser von 80 μπι, einer Oxydschicht Oxydschicht mit einer
N Dicke von 0,1 μπι, einer Zugfestigkeit von 0,44 · 109—r
bei einer maximalen Zugkraft von 2,2 N auf eine aus 1,5 mm dickem Epoxyglas bestehende Grundplatte mit einer Kupferschicht von 40 μίτι wurden die folgenden Schweißparameter aufgestellt:
Vorimpu's
Schweißimpuls
Zeitintervall
Anpreßkraft
Amplitude
Gesamtdauer
0,2 Sek.
2N
3 lim
0,5 Sek.
5N
2 lim
1,5 Sek.
Die maximale Zugbelastung der erhaltenen Schweißverbindung betrug 2,0 N.
Zum Schweißen von. mit einer Isolationsschicht versehenen Drähten ist eine Sonotrodenspitze mit einer flachen Berührungsfläche besser geeignet. Die F i g. 3a und 3b zeigen eine derartige Ausführungsform der Sonotrodenspitze 13 beim Aufschweißen eines mit einem Isolationsmantel 33 versehenen Drahts 31, wobei die Üruckoberfläche 15 der Scnotrodenspitze 13 flach ist
Bei den Versuchen wurde ein Kupferdraht mit einem Durchmesser von 63 μίτι und einer Zugfestigkeit von
N
0,51 · IC—r bei einer maximalen Zugkraft von 1,6 N
verwendet, der mit einer aus einer Lackschicht und eintm Nylonmantel bestehenden 8 μηι dicken Isolationsschicht versehen ist. Der Draht wurde auf eine Printplatte mit einer 40 μπι dicken Kupferschicht geschweißt Hierbei wurden die Schweißparameter wie folgt aufgestellt:
Vorimpuls
Schweißimpuls
Zeitintervall
Anpreßkraft
Amplitude
Gesamtdauer
0,15 Sek.
2N
5 um
0,5 Sek.
4N
2 um
1,5 Sek.
Die maximale Zugbelastung der erhaltenen Schweißverbindung betrug 1,4 N.
Ähnliche Ergebnisse wurden mit dem im folgenden aufgeführten Änderungen der Schweißparameter erzielt:
Vorimpuls
Schweißinipuls
Zeitintervall 0,1-0,2 Sek. 0,3-0,7 Sek.
Anpreßkraft 1,5-2,5 N 3,5-5 N
Amplitude 3-6 μη! 1,5-3 IiJTi
Die maximale Zugbelastung der Schweißverbindung betrug stets mehr als 80% der maximalen Zugkraft des Drahtes; die Abschälkraft entsprach durchschnittlich 50% der Zugbelastung.
Eine mit dem erfindungsgemäßen Verfahren herge-
4) stellte Schweißverbindung ist durch die kompakten Abmessungen der Schweißoberfläche und durch die Deformation des Drahts gekennzeichnet, dessen Dicke auf dem durch die Sonotrodenspitze bearbeiteten Teil von den Enden zur Mitte hin auf 70% des ursprünglichen Durchmessers abnimmt. F i g. 6 zeigt eine perspektivische Darstellung einer Schweißverbindung mit einem mit einem Isolationsmantel versehenen Draht, wobei das Aussehen und die Form der Verbindung charakteristisch ist.
v, Die Metalloberfläche, auf die der Draht geschweißt wird, kann eine Seite eines massiven Metallträgers oder die obere Seite von Metallspuren sein, die auf einem nicht metallischen Substrat wie Kunststoff, Preßpapier, Glas, keramisches Material u. a. aufgebracht sind.
bo Wie bereits erläutert wurde, eignet sich das erfindungsgemäße Verfahren besonders zum Schweißen von isolierten xy-Drähten auf die Matrix eines Ringkernspeichers. Die Erfindung kann ferner allgemein zum Schweißen von isolierten Verbindungsdräh-
b5 ten oder zum Herstellen von kompakten Verbindungen verwendet werden, beispielsweise zum Schweißen von Wickeldraht auf Anschlußzungen oder Stifte von Spulen für Elektromotoren, Transformatoren und dergleichen.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Verfahren zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers, wobei die Drähte und/oder die Metalloberfläche mit einer nicht-metallischen Bedeckung versehen sind, nach welchem ein zu schweißender Draht auf dem Träger positioniert und gegen den Träger angedrückt wird und mit Hilfe einer Sonotrodenspitze,' die in einer Richtung parallel zur Längsrichtung des Drahtes in Schwingung versetzt wird. Energie in Form von Ultraschallschwingungen gemäß einem programmierten Schweißzyklus zugeführt wird, dadurch gekennzeichnet, daß der Schweißzyklus wenigstens einen Vorimpuls und wenigstens einen Schweißimpuls aufweist, wobei die Anpreßkraft, die Amplitude der Ultraschalischwingungen und die Dauer der Impulse regelbar sind, und wobei beim Übergang vom Vorimpuls auf den Schweißimpuls die Anpreßkraft erhöht und die Amplitude der Schwingungen derart verringert wird, daß die Bedeckung zunächst örtlich entfernt und anschließend der Draht aufgeschweißt wird.
DE2161023A 1970-12-17 1971-12-09 Verfarhen zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers Expired DE2161023C3 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL7018377.A NL162580B (nl) 1970-12-17 1970-12-17 Werkwijze voor het ultrasoonlassen van draden op het metalen oppervlak van een drager.

Publications (3)

Publication Number Publication Date
DE2161023A1 DE2161023A1 (de) 1972-07-06
DE2161023B2 DE2161023B2 (de) 1980-12-04
DE2161023C3 true DE2161023C3 (de) 1982-02-11

Family

ID=19811817

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2161023A Expired DE2161023C3 (de) 1970-12-17 1971-12-09 Verfarhen zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers

Country Status (11)

Country Link
US (1) US3822465A (de)
AT (1) AT320387B (de)
BE (1) BE776749A (de)
CA (1) CA939940A (de)
CH (1) CH540739A (de)
DE (1) DE2161023C3 (de)
FR (1) FR2118750A5 (de)
GB (1) GB1360079A (de)
IT (1) IT945438B (de)
NL (1) NL162580B (de)
SE (1) SE381834B (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3404008A1 (de) * 1984-02-06 1985-08-08 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum befestigen von metalldraehten an metallischen anschlusstraegern

Families Citing this family (44)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2312724C2 (de) * 1973-03-14 1974-06-06 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Verfahren und Vorrichtung zum Ultraschallschweißen eines aus Metall bestehenden Bauteiles mit einem aus einem Nichtmetall gebildeten Bauteil unter Einfügung einer metallischen Zwischenlage
US4188438A (en) * 1975-06-02 1980-02-12 National Semiconductor Corporation Antioxidant coating of copper parts for thermal compression gang bonding of semiconductive devices
US4409659A (en) * 1980-12-15 1983-10-11 Sonobond Ultrasonics, Inc. Programmable power supply for ultrasonic applications
DE3229076A1 (de) * 1981-08-07 1983-03-24 Pola Chemical Industries, Inc., Shizuoka Verfahren und vorrichtung zum verschweissen des bodens eines rohrfoermigen behaelters aus kunstharz
DE3151151C2 (de) * 1981-12-23 1989-10-12 Schunk Ultraschalltechnik Gmbh, 8750 Aschaffenburg Vorrichtung zum Verbinden elektrischer Leiter
US4475681A (en) * 1982-05-24 1984-10-09 The Micromanipulator Co., Inc. Bonder apparatus
FR2532515B1 (fr) * 1982-08-27 1985-12-13 Thomson Csf Procede de cablage automatise a panne vibrante et machine de cablage utilisant un tel procede
JPS5963737A (ja) * 1982-10-04 1984-04-11 Hitachi Ltd 布線の接続方法
US4496095A (en) * 1983-04-12 1985-01-29 Fairchild Industries, Inc. Progressive ultrasonic welding system
US4712723A (en) * 1985-04-15 1987-12-15 Siemens Aktiengesellschaft Method for bonding an insulated wire element on a contact
US4614292A (en) * 1985-09-30 1986-09-30 Rca Corporation Die bonder with electrically driven scrubbing means
GB8624513D0 (en) * 1986-10-13 1986-11-19 Microelectronics & Computer Single point bonding method
DE3723333A1 (de) * 1987-07-15 1989-01-26 Kln Ultraschall Gmbh Verfahren zur steuerung von ultraschall-schweissmaschinen bei der verschweissung von werkstuecken
DE3835818C3 (de) * 1988-10-21 1996-02-08 Stapla Ultraschalltechnik Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum Verbinden von Ankerwicklungsdrähten mit den Lamellen eines Hakenkollektors
JPH0770345B2 (ja) * 1990-06-28 1995-07-31 株式会社エーユーイー研究所 コネクタの製造方法およびコネクタ
US5192015A (en) * 1991-11-20 1993-03-09 Santa Barbara Research Center Method for wire bonding
US5855706A (en) * 1992-04-21 1999-01-05 Branson Ultrasonics Corporation Simultaneous amplitude and force profiling during ultrasonic welding of thermoplastic workpieces
US5977618A (en) * 1992-07-24 1999-11-02 Tessera, Inc. Semiconductor connection components and methods with releasable lead support
US6054756A (en) * 1992-07-24 2000-04-25 Tessera, Inc. Connection components with frangible leads and bus
JP3151219B2 (ja) 1992-07-24 2001-04-03 テツセラ，インコーポレイテッド 取り外し自在のリード支持体を備えた半導体接続構成体およびその製造方法
US5891745A (en) * 1994-10-28 1999-04-06 Honeywell Inc. Test and tear-away bond pad design
US20020151111A1 (en) * 1995-05-08 2002-10-17 Tessera, Inc. P-connection components with frangible leads and bus
JP3807508B2 (ja) 1995-09-18 2006-08-09 テセラ，インコーポレイテッド 誘電層を備えた超小形電子リード構造体
DE19541976A1 (de) * 1995-11-10 1997-05-15 Ego Elektro Blanc & Fischer Elektrische Schaltung
DE19605038A1 (de) * 1996-02-12 1997-08-14 Daimler Benz Ag Verfahren zum Bonden von Isolierdraht und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE19618104A1 (de) * 1996-05-06 1997-11-13 Siemens Ag Verfahren zur Herstellung einer elektrisch leitenden Verbindung zwischen einem ummantelten Kupferdraht und einem elektrischen Leiter
US5937276A (en) 1996-12-13 1999-08-10 Tessera, Inc. Bonding lead structure with enhanced encapsulation
JP3311625B2 (ja) * 1997-01-09 2002-08-05 矢崎総業株式会社 電線接続構造
JP3311627B2 (ja) * 1997-01-09 2002-08-05 矢崎総業株式会社 電線接続構造
JP3311641B2 (ja) * 1997-05-30 2002-08-05 矢崎総業株式会社 端子及び端子と電線との接続構造
US5826407A (en) * 1997-10-07 1998-10-27 Tetra Laval Holdings & Finance, S.A. Method of ultrasonically vibrating a workpiece
JP4504529B2 (ja) * 2000-08-07 2010-07-14 矢崎総業株式会社 電線同士の接続方法
US6588646B2 (en) * 2001-11-24 2003-07-08 Delphi Technologies, Inc. Ultrasonic welding of wires through the insulation jacket thereof
US6837751B2 (en) 2002-07-25 2005-01-04 Delphi Technologies, Inc. Electrical connector incorporating terminals having ultrasonically welded wires
EP1461179B1 (de) * 2001-11-24 2016-01-20 Delphi Technologies, Inc. Verbesserungen bei kabelbäumen
AU2007231551B2 (en) * 2006-03-28 2012-07-12 Crc For Advanced Composite Structures Limited Welding of functional components to polymer composite components
DE102007053853A1 (de) * 2007-11-09 2009-05-20 Weber Ultrasonics Gmbh Ultraschallschweißeinrichtung
JP2012192413A (ja) * 2011-03-15 2012-10-11 Yazaki Corp 超音波接合方法
CN102615441A (zh) * 2012-04-13 2012-08-01 珠海微点焊电子工业有限公司 超声电阻焊焊机
DE102013104933A1 (de) * 2012-06-06 2013-12-12 Hanning Elektro-Werke Gmbh & Co. Kg Verfahren zur elektrischen Kontaktierung eines Aluminiumdrahts
US9607739B2 (en) * 2014-07-30 2017-03-28 Yazaki Corporation Method for bonding flat cable and bonding object, ultrasonic bonding device, and cable
DE102015214408C5 (de) * 2015-07-29 2020-01-09 Telsonic Holding Ag Sonotrode, Vorrichtung sowie Verfahren zur Herstellung einer Schweißverbindung
US11517977B2 (en) * 2017-09-15 2022-12-06 Tech-Sonic, Inc. Dual cam servo weld splicer
FR3125929B1 (fr) * 2021-07-27 2023-12-01 Corelco Sas Système d’enroulement pour gaine pré-filée

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3125803A (en) * 1960-10-24 1964-03-24 Terminals
BE621898A (de) * 1961-08-30 1900-01-01
US3263059A (en) * 1963-11-19 1966-07-26 Ibm Fine insulated wire welder
US3458921A (en) * 1965-07-19 1969-08-05 Western Electric Co Short pulse vibratory bonding
US3440118A (en) * 1965-12-17 1969-04-22 Branson Instr Method and apparatus for bonding together a plurality of insulated electrical conductors by sonic energy
US3519782A (en) * 1966-12-13 1970-07-07 Bell Telephone Labor Inc Precision electric welder
US3662454A (en) * 1970-03-18 1972-05-16 Rca Corp Method of bonding metals together

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3404008A1 (de) * 1984-02-06 1985-08-08 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Verfahren zum befestigen von metalldraehten an metallischen anschlusstraegern

Also Published As

Publication number Publication date
DE2161023A1 (de) 1972-07-06
GB1360079A (en) 1974-07-17
NL162580B (nl) 1980-01-15
US3822465A (en) 1974-07-09
NL7018377A (de) 1972-06-20
SE381834B (sv) 1975-12-22
IT945438B (it) 1973-05-10
FR2118750A5 (de) 1972-07-28
CA939940A (en) 1974-01-15
DE2161023B2 (de) 1980-12-04
AT320387B (de) 1975-02-10
BE776749A (fr) 1972-06-15
CH540739A (de) 1973-08-31

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2161023C3 (de) Verfarhen zum Ultraschallschweißen von Drähten auf die Metalloberfläche eines Trägers
DE3343738C2 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Bonden eines dünnen, elektrisch leitenden Drahtes an elektrische Kontaktflächen von elektrischen oder elektronischen Bauteilen
DE2053500C3 (de) Verfahren zum Verbinden metallener Kontaktstellen elektrischer Einzelteile mit metallenen Leitern eines schlaffen Substrates
DE1452661A1 (de) Verfahren zum Formen eines Werkstueckes und Vorrichtung zur Durchfuehrung dieses Verfahrens
DE1640468A1 (de) Elektrische Verbindung an den Kreuzungspunkten von an gegenueberliegenden Seiten von Schaltkarten verlaufenden Leiterstreifen
EP0487782B1 (de) Verfahren zum Beloten von Leiterplatten
DE3134498C2 (de) Verfahren zur Verbindung von Einzelteilen durch Schweißen und gleichzeitiges Verlöten oder nur Verlöten
DE3300549C2 (de) Gedruckte Schaltungsplatine und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE3933982A1 (de) Kontaktierungsverfahren und kontaktierungsvorrichtung
DE2242338A1 (de) Ultraschallverschweissung von duennen metalldraehten mit metallschichten
DE2642339C3 (de) Kontaktkörper und Herstellungsverfahren hierzu
DE2117583B2 (de) Verfahren zur Herstellung ge sinterter Ultraschall Schweißspitzen
DE2259792C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Mehrschichten-Kontaktstücks
DE2837046A1 (de) Schweissverfahren
DE3930859C2 (de) Verfahren zum Verlöten wenigstens zweier Elemente
DE2343844C2 (de) Verfahren zum Anlöten von hochwarmfesten, lackisolierten Drähten an Lötstifte
DE892841C (de) Verfahren zur Herstellung metallischer UEberzuege, insbesondere loetfaehiger UEberzuege
DE2214749A1 (de) Verfahren und vorrichtung zum verbinden von duennen metalldraehten mit einem metallischen werkstueck
DE2322713A1 (de) Verbindung eines anschlussleiters mit einer kohlebuerste und vorrichtung zur herstellung einer derartigen verbindung
DE2238484A1 (de) Verfahren zum kontaktieren von kondensatorfolien mit einem anschlussdraht und vorrichtung zu seiner ausuebung
CH442936A (de) Ultraschall-Schweissverfahren und -Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
DE1665608A1 (de) Anschlussdraht zum Anloeten an metallische Flaechen und Verfahren zur Herstellung des Drahtes
DE19829761A1 (de) Verfahren und Leitungsverbinder zum Verbinden von warmfest lackisolierten Drähten
DE2743423A1 (de) Verfahren zum kontaktverbinden einer aus nickel bestehenden folie mit einem aus aluminium gebildeten bauteil
DE2542228C2 (de) Mehrschichtelement aus piezoelektrischen Keramiklamellen und Verfahren zu seiner Polarisation

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee