DE3124447A1 - Verfahren zur bildung eines niederschlagfilms - Google Patents

Verfahren zur bildung eines niederschlagfilms

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Description

Verfahren zur Bildung eines Niederschlagfilms
Die Erfindung bezieht sich auf ein verbessertes Verfahren zur Bildung eines Niederschlagfilms (bzw. Ablagerungs-
oder Aufdampffilms) mittels einer Gleichstrom-(DC-)oder Wechselstrom-(AC-) Entladung niedriger Frequenz, und insbesondere auf ein Verfahren zur Bildung eines Niederschlagfilms, bei dem die Bildungsgeschwindigkeit wesentlich erhöht ist..
Amorphes Material mit Silicium und/oder Germanium als Matrix, das Wasserstoff-und/oder Halogenatome (im folgenden mit X bezeichnet) enthält, wie beispielsweise amorphes mit Wasserstoff verbundenes Silicium (im folgenden "a-Si:H"), amorphes mit Halogenatomen verbundenes Silicium (im folgenden "a-Si:X), amorphes mit Wasserstoff verbundenes Germanium (im folgenden "a-Ge:H"), amorphes mit Halogenatomen verbundenes Germanium (im folgenden "a-Ge:X") usw., hat, wie im folgenden gezeigt werden
wird, eine Reihe von Vorteilen.
V/22'
Deutsche Bank (München) KIo 51/61070
Dresdner BanMMünchen) KIo. 3939844
Posischeck (München) KtO 670-43-804
DE 1333
(1) Da dieses amorphe Material weniger Defekte (ungesättigte Bindungen, Leerstellen -, usw.) als herkömmliches amorphes Silicium (im folgenden "a-Si") oder amorphes Germanium (im folgenden "a-Ge") aufweist, zeigt es bei Verwendung als Fotoleiter eine hohe Empfindlichkeit.
(2) Durch Dotieren von amorphem Material mit Elementen der dritten Gruppe des Periodensystems, wie beispielsweise Bor (B), sowie Elementen der fünften Gruppe, wie beispielsweise. Phosphor (P), Arsen (As) usw., kann in gleicher· Weise wie bei kristallinem Silicium (im folgenden "C-Si" ) oder kristallinem Germanium (im folgenden 11C-Ge" der Leitfähigkeitstyp (p-, n- oder i-leitend) eingestellt werden..
(3) Da Vakuum-Entladungsaufdampfen, wie beispielsweise Glühentladungsaufdampfen, zur Bildung eines Films, mit einer großen Oberfläche verwendet werden kann, ist das amorphe Material zur Herstellung, eines Elements für Solarzellen,. als Targetmaterial für Bildaufnahmeröhren und als fotoleitendes Material für fotoempfindliche elektrofotografische Elemente brauchbar.
Andererseits ist die Niederschlag- bzw. Aufdampfgeschwin- : digkeit bei der Herstellung von Filmen, beispielsweise aus a-Si:H, a-Si:X, a-Ge:H, a-Ge:X usw. bei dem vorstehend erläuterten Verfahren im allgemeinen zwischen 0,01 und· 4 nrn/ sec· (0,1 bzw. 40 A/sec); dies ist verglichen mit der Geschwindigkeit bei einem fotoleitenden Material 30· wie Se ein niedriger Wert. Diese niedrige Geschwindigkeit führt zu einer niedrigen, Kostensenkungen entgegenstehenden Produktivität und stellt ein großes Hindernis bei der Verwendung von a-Si:H, a-Si:X, a-Ge:H, a-Ge:X usw. zur Bildung eines dicken Filmes dar. Insbesondere wenn diese Materialien, a-Si:H, a-Si:X oder a-Ge:H, a-Ge:X
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— U _
als fotoleitendes Material verwendet werden, und eine
Schicht aus fotoleitendem Material eines elektrofotografischen fotoempfindlichen Elements für ein elektrofotografisches Verfahren hergestellt wird," ist eine fotoleitende Schicht mit einer Dicke von 10 pm oder mehr zur Erzeugung eines guten Bildes erforderlich; deshalb stellt die- niedrige Aufdampfgeschwindigkeit des Films auf dem Substrat ein gewichtiges Problem bei der praktischen Anwendung dar.
■ .'.
Beispielsweise dauert die Bildung einer 20 um dicken fo-
. toleitenden Schicht aus a-Si:H-oder a-Si:X-(Reihen)material bei einer Äufdampfgeschwindigkeit von 10 Ä/sec. nahezu" 5,5 Stunden. Folglich ist viel Zeit zur Bildung einer Niederschlagschicht erforderlich und das elektrofotografische fotoempfindliche Element wird aufwendig. Infolgedessen sind im Falle des Glühentladungsverfahrens, von dem man annimmt, daß es eine gute Reproduzierbarkeit hat und einen hochempfindlichen Film bei der Herstellung eines Films aus a-Si:H, a-Si:X, a-Ge:H oder a-Ge:X ergibt, die verschiedensten Anstrengungen bezüglich der Verbesserung der Niederschlag -bzw. Aufdampfvorrichtung •und der auf die Entladungsleistung bezogenen. Aufdampfgeschwindigkeit unternommen worden; ferner sind die Konzentration,' der Druck und die Durchflußrate des Ausgangsmaterialgases, die Frequenz der Entladungsquelle und die Temperatur des Substrats zur Erhöhung der Ausgangsgeschwindigkeit untersucht worden. Beispielsweise für
a-Si:H ist in dem Artikel "Kenngrößen von Plasma-niedergeschlagenem amorphen SiH "von Knight beschrieben, daß durch Erhöhung der Konzentration des Materialgases und der Entladungsleistung die Aufdampfgeschwindigkeit von lÄ/sec. auf 9Ä/sec. ansteigt.
Ferner ist in dem Artikel "Solarzelle mit großem Oberflä-
fT DE- 1333
chengebiet aus amorphem Silicium" von Yoshiyuki Uchida beschrieben worden, daß die Aufdampfgeschwindigkeit von lÄVsec. auf '3Ä/sec. dadurch erhöht wird, daß der Druck des Ausgangsmaterialgases auf Werte zwischen 2 und 20 Torr geändert wird, sowie daß sich eine Erhöhung der Aufdampfgeschwindigkeit durch eine verbesserte Auslegung des Einlaßanschlusses für das Einlassen des Ausgangsmaterialgases, des Auslaßanschlusses für das Abgas, sowie der Entladungseleketroden ergibt. Bis jetzt ist jedoch noch nicht berichtet worden, daß ein praktisch ausgeführter fotoempfindlicher Film aus a-Si:H, a-Si:X, a-Ge:H,.- a-Ge:X usw. mit einer Dicke von einigen 10 um innerhalb einigen Stunden niedergeschlagen worden wäre, d.h. von einem Verfahren zur kontinuierlichen Herstellung eines Filmes während einer vorgegebenen Film-Bildungszeit mit einer Niederschlaggeschwindigkeit von einigen 10 Ä/sec.ist bislang noch nicht berichtet worden..
Somit ist man zwar der Entwicklung eines Verfahrens zur Herstellung eines Films mit einer Dicke von einigen 10 pm mit einer hohen Aufdampfgeschwindigkeit auf einigen Gebieten der Technik nahegekommen, irgendein hervorragendes Herstellungsverfahren für einen Niederschlag- bzw. Aufdampffilm, das tatsächlich für industrielle Anwendung verfügbar wäre, ist jedoch bis jetzt noch nicht vorgeschlagen worden.
Andererseits sind als Herstellungsverfahren für Filme, aus a-Si:H, a-Si:X oder a-Ge:H, a-Ge:X mittels .Vakuumauf-■ dampfen allgemein Verfahren vom kapazitiven .und. vom induktiven Typ bekannt. Wenn Filme mit großem Oberflächenbereich und gleichförmigen Eigenschaften gewünscht werden, ist das Verfahren vom kapazitiven Typ allgemein vorzuziehen; insbesondere ist die Anwendung der kapazitiven
OJ Glühentladung besonders wirksam.
»Ε 1333
b "
Das kapazitive Verfahren wird weiter in Gleichstrommethoden und Wechselstrommethoden eingeteilt.
Wenn ein Film auf dem Träger dadurch gebildet wird, daß · ein gasförmiges Ausgangsmaterial, das zur Bildung des Filmes verwendet wird, wie beispielsweise SiH-, Si_H_ usw. zersetzt wird, und daß amorphes Material, das SiIiciumatome als Matrix aufweist , mittels der Wechselstrommethode abgeschieden wird, ist die Frequenz der elektri-. sehen Energie zur Erzeugung der Glühentladung gewöhnlich im Bereich von einigen MHz bis zu einigen 10 MHz.
Der Grund für die .Verwendung derart hoher Frequenzen ist folgender: Filme, beispielsweise aus a-Si:H und a-Si:X.
7 haben einen hohen .Volumenwiderstand zwischen etwa " 10
■'bis 10 Ohm «cm-; wenn der Film .auf dem Substrat oder einer als Substrat dienenden Entladungselektrode abgeschieden wird, kann eine stabile Entladung für viele Stunden dadurch aufrecht erhalten werden, daß ein.Anwachsen der Entladungsimpedanz vermieden wird, die aufgrund eines ähnlichen Effekts wie beim aufeinanderfolgenden Einlassen eines Materials mit einer relativ geringen Kapazität in die Entladungszone auftritt.
Somit ist die Wechselstrommethode vorteilhaft darin., daß eine stabile kontinuierliche Entladung aufrecht erhalten werden kann, während sie nachteilig darin ist, daß die Aufdampfgeschwindigkeit im allgemeinen so niedrig ist,
■ daß die Bildung eines dicken Films lange Zeit in Anspruch nimmt.
Andererseits weiß man, daß eine Gleichstromentladung in dem Falle sehr wünschenswert ist, in dem ein gasförmiges Ausgangsmaterial wirksam zersetzt wird und lediglich bei
■" der Bildung des Films notwendige Bestandteile von den
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-τι sich ergebenden Bestandteilen auch dem Träger mit hoher Geschwindigkeit niedergeschlagen werden. Jedoch' erhöht sich, wie vorstehend beschrieben, die Impedanz beim Fortschreiten des Niederschlags und· es wird schwierig, eine stabile Entladung für mehrere Stunden aufrecht zu erhalten.
Dies soll anhand der Zeichnung erläutert werden:
In Fig. 1 stehen Entladungselektrode 2 und 3 einander mit· einem Abstand von etwa 50 mm gegenüber; die Entladungselektrode 2 hält ein Substrat 4 aus Aluminium, das mit einem in eine Film-Aufdampfvorrichtung 1 eingebauten Heizer 7 geheizt werden kann. Die Vorrichtung .1 wird- in Pfeilrichtung mittels einer Vakuumpumpe auf einen Druck von 2x10 Torr evakuiert. Dann wird ein Einlaßventil 6 geöffnet, um gasförmiges Ausgangsmaterial zur Bildung eines Films, wie beispielsweise Si?Hfi etc. in Pfeilrichtung A mit einer Durchflußrate von 50 SCCM ^n) einzulassen. Die Vakuumpumpe wird so gesteuert, daß der Druck in der Film-Aufdampfvorrichtung 1 auf 1 Torr eingestellt wird; eine Gleichspannung wird an die Entladungselektroden 2 und 3 mittels einer Gleichstromquelle -5 angelegt, um eine Entladung zur Bildung des Films hervorzurufen.
. ■■".-■
In Fig. 2 ist die Beziehung zwischen der Zeit für den Filmniederschlag und dem Entladungsstrom und der Niederschlag-bzw. Aufdampfgeschwindigkeit bei einer Entladungsspannung von 600 V dargestellt. Wie Fig. 2 zeigt, ernied- rigen sich, wenn eine Glühentladung verwendet wird, der Entladungsstrom und die Niederschlaggeschwindigkeit
plötzlich, wenn der Niederschlag fortschreitet; letztlich hört die Entladung von selbst auf und der Niederschlag kann nicht weiter aufrecht erhalten werden. Beispielswei-
se ist man im Falle eines a-Si :H-Films nur in der Lage, eine Filmdicke von einigen Um herzustellen.
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Es ist Aufgabe der Erfindung, einen Prozeß zur Bildung eines Niederschlagfilms aus amorphem Material, wie beispielsweise a-Si:H, a-Si:X oder a-Ge:H, a-Ge:X zu schaffen, das Wasserstoff und/oder Halogenatome (X) sowie Germanium und/oder Silicium als Matrix aufweist, wobei ein dicker Film mit einer hohen Niederschlaggeschwindigkeit •unter Aufrechterhalten des Zustands, bei dem eine ver-• wendbäre. Fotoempfindlichkeit erzielt wird, gebildet wird. • Ferner soll ein Verfahren zur Bildung eines Niederschlagfilms (Ablagerungs-bzw. Aufdampffilms) durch Niederschlagen geschaffen werden, bei dem ein Film mit gleichförmigen Eigenschaften über das Oberflächengebiet erhalten wird.
Erfindungsgemäß wird ein Verfahren zur Bildung eines
Films aus amorphem Material auf einem Träger geschaffen, das Wasserstoff- und/oder Halogenatome sowie Silicium und/ oder Germanium als Matrix aufweist, wobei eine Gleichstromentladung oder eine Niederfrequenz—Wechselstromentladung verwendet wird7 und das sich dadurch auszeichnet, daß "der gebildete Film mit elektromagnetischen Wellen bestrahlt wird, die in der Lage sind, das amorphe Material zu aktivieren.
Die Erfindung wird nachstehend anhand von Ausführungsbei-. spielen unter Bezugnahme auf die Zeichnung näher beschrieben. Es zeigen:
Fig. 1 schematisch eine Vorrichtung für ein Verfahren on
ou gemäß dem Stand der Technik,
Fig. 2 Beispiele für Testergebnisse mit der bekannten Vorrichtung gemäß Fig. 1,
DE 1333 '
Fig. 3 und 5 schematisch Vorrichtungen zur Realisierung der vorliegenden Erfindung, und
Fig. 4 das Ergebnis der Niederschlagung gemäß der vorliegenden Erfindung verglichen mit den Ergebnis
sen gemäß bekannten Verfahren.
Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren zur Bildung eines Niederschlagfilms, d.h. eines auf einem Träger gebildeten Films aus amorphem Material, das Wasserstoff und/oder Halogenatome sowie Silicium und/oder Germanium als Matrix aufweist, wobei ein Gleichstrom oder ein Wechselstrom niedriger Frequenz verwendet wird, werden.elektromagnetische' Wellen, die das amorphe Material zu aktivieren vermögen, an die Oberfläche des gebildeten Films angelegt.
Als elektromagnetische Wellen zur erfindungsgemäßen Bestrahlung des Films können die meisten Wellenarten verwendet werden, so daß sich die Leitfähigkeit des bestrahlten Films erhöht und die Eigenschaften des Films nicht durch die Bestrahlung zerstört werden.
Derartige elektromagnetische Wellen können.ultraviolette Strahlen, sichtbares Licht, infrarotes Licht, Röntgenstrahlen, Gammastrahlen usw. sein. . -.
Von diesen Strahlen sind die ultravioletten Strahlen, sichtbares Licht und infrarotes Licht hinsichtlich der Sicherheit bei dem Filmbildungsverfahren, der 'Leichtigkeit der Anwendung für Bestrahlungsvorrichtungen mit
elektromagnetischen Wellen, der hervorragenden Ausbeute
der Strahlung usw. vorzuziehen.
Es hat sich herausgestellt, daß elektromagnetische Wellen mit einer größeren Energie als der Energie der Bandlücke Eg des zu bildenden amorphen Materials und mit einem WeI-
Z. /ff) — DE 1333
lenspektrum, das nicht nur durch die Filmoberfläche, sondern auch in dessen Innerem in einem gewissen Ausmaß absorbiert wird, am meisten vorzuziehen sind.
Elektromagnetische Wellen mit diesen Eigenschaften sind ■ beispielsweise sichtbares Licht mit einer Wellenlänge zwischen 350 nm bis 850 nm, vorzugsweise 500 nm bis 800 nm, vorausgesetzt daß der Film aus a-Si:H und a-Si:X aufgebaut ist.
Der Bestrahlungsvorgang mit elektromagnetischen Wellen zur Bildung des Films kann kontinuierlich während des ganzen Verfahrens oder intermittierend in Abhängigkeit von der Filmbildungsgeschwindigkeit durchgeführt werden.
■-.·.'
.Bei der vorliegenden Erfindung verwendbare Entladungen sind .Glühentladungen oder Bogenentladungen mit Gleichstrom oder Wechselstrom niedriger Frequenz; insbesondere eine Glühentladung mit Gleichstrom ist aufgrund der sich ergebenden überlegenen Wirkungen vorzuziehen.
Ein Wechselstrom niedriger Frequenz zwischen einigen Hz und einigen 10 Hz, der in etwa einem Gleichstrom entspricht, ist wirksam; insbesondere eine Glühentladung, die'mit einem Wechselstrom mit einer Frequenz von einigen Hz erzeugt wird, kann wirksam zur Bildung des Films verwendet werden.
Ferner ist bei der vorliegenden Erfindung zur Erzielung besserer Ergebnisse ein Heizen des Substrat auf eine spezielle Temperatur wünschenswert, da dies mit dem Bestrahlen mittels elektromagnetischer Wellen zusammenwirkt. Die Temperatur (Ts), auf die das Substrat erwärmt wird, ist im allgemeinen 500C oder höher, vorzugsweise 1000C bis 450°C.
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Zusammengefaßt ist zu sagen, daß erfindungsgemäß, wenn ein Film aus amorphem Material auf dem Substrat unter den Bedingungen gebildet wird, daß die Ober- oder Unterseite des Films bestrahlt wird, wobei ein Gleichstrom
5 oder ein Wechselstrom niedriger Frequenz angelegt ist, kontinuierlich ein Film hoher Geschwindigkeit über lange Zeit gebildet werden kann.
Ferner kann der Film unter den Bedingungen erhalten werden, daß das Entladungspotential und der Entladungsstrom .nahezu konstant gehalten werden.
Anders ausgedrückt, da die Entladungsenergie nahezu konstant gehalten wird, ist es möglich, einen Film herzustellen, der eine konstante Konzentration an Wasserstoff- und/oder Halogenatomen (X) über ein großes Oberflächengebiet enthält und der gleichförmige Eigenschaften besitzt.
Zur Erläuterung der hervorstechenden Leistungen der Erfindung soll- sie im folgenden exemplarisch anhand eines amorphen Materials erläutert werden, das Silicium als Matrix aufweist; es versteht sich hierbei von selbst, daß sich bei anderen amorphen Materialien, wie Germanium oder Silicium und Germanium enthalten, gleiche Ergebnisse zeigen.
Die folgenden Beispiele erläutern zum besseren Verstand-, nis die wirksamsten Ausführungsbeispiele der Erfindung unter der Bedingung, daß eine Gleichstrom-Glühentladung . vom kapazitiven Typ verwendet wird.
■ Beispiel 1
In einer FiImaufdampfvorrichtung 8, die .in Fig. 3 gezeigt . sind, sind Entladungselektrodenhalter 9 und 10 einander
ϋ-ν Ό -i- 3124AÄ7
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gegenüberliegend mit einem Abstand von 50 mm angeordnet. Der Entladungselektrodenhalter 9 weist Halogenlampen
13-1 und 13-2 sowie eine Heizeinrichtung 14 für das Substrat auf und hält ein Substrat 11 aus Glas, die mit einer transparenten Elektrode aus ITO CIn2O3(Sn)H im offenen Teil des Halters bedeckt ist, so daß die Elektrode nach unten gerichtet- ist.
Der Entladungselektrodenhalter 10 ist in derselben Weise wie der Halter 9 aufgebaut mit der Ausnahme, daß die
Elektrode nach oben gerichtet ist.
. Der Entladungselektrodenhalter 9 und das Substrat 11 aus ■ Glas'sind elektrisch verbunden; der Entladungselektroden-•15 halter ist mit dem negativen Anschluß einer Gleichstromquelle 16 verbunden. Der Entladungselektrodenhalter und das Substrat 12 aus Glas sind ebenfalls elektrisch verbunden; der· Entladungselektrodenhalter 10 ist geerdet.
Oie Filmaufdämpfvorrichtung 8 wird ln pfeiirichtung mit einer Vakuumpumpe evakuiert, bis ein Druck von 2xl0~ Torr erreicht ist. Nach dem Einschalten einer Substratheizeinrichtung14 wird das Substrat 11 aus Glas auf 2000C aufgeheizt und auf dieser Temperatur gehalten. Wenn ein
25. Druck von 2x10 Torr sowie eine Substrattemperatur von 200 C erreicht sind, wird das Einlaßventil 17 zum Einlaß des Ausgangsgases geöffnet; SiH.-Gas wird mit einer
Durchflußrate von 50 SCCM in die Filmaufdampfvorrichtung 8 eingelassen. Die Leistung der Vakuumpumpe wird so gesteuert, daß der Druck in der Vorrichtung 11 auf ^ Torr konstant gehalten wird. Dann wird eine Spannung von -600V an dem .Substrathalter- 9 durch Einschalten einer Gleichstromquelle 16 zur Erzeugung einer Glühentladung entladen; . ferner leuchten Lampen 13 und 15 zur Bildung des Films aus a-Si:H auf dem Substrat aus Glas auf, das mit ITO bedeckt ist.
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- /13 -
Während des AufdampfVorgangs wird der Entladungsstrom auf 100 mA gehalten. Die Beziehung zwischen der Aufdampfzeit und dem Entladungsstrom sowie zwischen der.Aufdampfzeit und der Aufdampfgeschwindigkeit bei der Bildung des Films sind in Fig. 4 mit durchgehenden .Linien dargestellt..
Nach zwei Stunden Aufdampfen wird ein a-*-Si :H-Film von etwa 28 um auf dem Substrat 11 aus mit ITO bedecktem Glas gebildet.
In Fig. 4 sind die Ergebnisse eines Vergleichstests, der unter denselben Bedingungen mit der Ausnahme durchgeführt worden ist, daß. die Halogenlampen 13-1, 13-2, 15-1 und 15-2 nicht angeschaltet waren, mit gestrichelten Linien gezeigt. ■-·-..
Beispiel 2
Fig. 5 zeigt einen Querschnitt durch die Film-Aufdämpfvorrichtung 18, die bei diesem Beispiel verwendet worden ist. Bei der Film-Aufdampfvorrichtung 18 sind Entladungselektroden 19 und 20, die einander mit einem·Abstand von 50 mm gegenüberstehen, genauso wie beim Beispiel 1 gebildet; die Entladungselektrode 19, die von einem Al-Substrat 21 getragen wird, hat ihre Funktion, aufgrund der Tatsache, daß sie leitende Eigenschaften besitzt. Fernerweist die Entladungselektrode 19 einen nicht in der Fig. gezeigte Heizeinrichtung zum Heizen des AL-Substrats 21 auf..Ein statischer elektrischer Schirmzylinder 22 dient dazu, den Entladungsbereich außerhalb der Entladungselektrode 20 zu begrenzen. · .
Zwei durchsichtige bzw. voneinander unabhängige Teile aus metallischen Gittern"23 und. 24 sind in dem statischen elektrischen Schirmzylinder
4^i; DE 1333
22 eingesetzt, so daß Licht durch den Zylinder eindringen kann.
Halogenlampen 25, 26 sind entsprechend außerhalb der Metallgitter 23 und 24 zur Bestrahlung der Oberfläche des niedergeschlagenen Films auf den Entladungselektroden . 19 und 20 angebracht.
Die Film-Aufdampfvorrichtung 18 wurde zwei Stunden lang zum Niederschlagen eines Films auf dem Al-Substrat unter denselben Bedingungen wie beim Beispiel 1 verwendet, wobei ein Film mit hervorragenden Eigenschaften, und einer Dicke von 30 um erhalten wurde, so daß sich ein gutes
• Ergebnis zeigte.
..
Beschrieben würde ein Verfahren zur Bildung eines Filmes
• aus amorphem Material auf einem Träger. Das amorphe Material weist Wasserstoff und/oder Halogenatome sowie SiIicium und/öder Germanium als Matrix auf. Ein Film wird unter Verwendung einer Entladung eines Gleichstroms oder eines Wechselstroms niedriger Frequenz gebildet und insbesondere mit elektromagnetischen Wellen bestrahl.t, die das amorphe Material sensibilisieren.
·. ■
Leerseite

Claims (3)

  1. TlEDTKE - BüHUNG - ;;^;. .
    Λ η .:..'.:-- ''?.'"'Z-~ '--' --Oipl.-Ing. H.Tiedtke
    \3RUPE " r ELLMANN 3 1 9 Λ Λ Λ. 7 Dipl.-Chem. G. Bühling
    Dipl.-Ing. R. Ktane
    Dipl.-Ing. R Grupe
    Dipl.-Ing. B. Pellmann
    """^ Bavariaring 4, Postfach 202403
    8000 München 2
    Tel.: 0 89-539653
    Telex: 5-24 845 tipat
    cable: Germaniapatent München
    22.Juni 1981 • DE 1333
    Patentansprüche
    y Verfahren zur Bildung eines Films aus amorphem Material auf einem Träger, das Wasserstoff-und/oder Halogenatome sowie Silicium und/oder Germanium· als Matrix aufweist, wobei eine Entladung eines Gleichstroms oder eines Wechselstroms niedriger Frequenz' verwendet wird, dadurch gekennzeichnet, daß der gebildete Film mit elektromagnetischen Wellen bestrahlt wird, die das' amorphe Material zu aktivieren vermögen.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger geheizt wird.
  3. 3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger auf 100 bis 450°C geheizt wird.
    V/22
    Deutsche Bank (München) Kto. 51/61070 Dresdner Bank (München) Kto. 3939 814 Postscheck (München) Kto. 670-43-804
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