DE2744027A1 - Organisches ausstreifmittel - Google Patents
Organisches ausstreifmittelInfo
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Description
Organisches Ausstreifmittel
Die Erfindung betrifft verbesserte organische Zusammensetzungen,
die organische Sulfonsäuren und Fluoridionen enthalten und als Ausstreifmittel zur Entfernung organischer Polymersubstanzen,
wie von Fotoätzgriinden bzw. Fotodeckschichten, von metallisierten anorganischen Substraten brauchbar sind.
Bei der Herstellung von Halbleitern und Halbleitermikroschaltungen
ist es häufig erforderlich, die Materialien, aus denen die Halbleiter und Mikroschaltungen hergestellt werden, mit
einer polymeren organischen Substanz zu beschichten, die allgemein ein Fotoätzgrund bzw. eine Fotodeckschicht ist, d.h.
eine Substanz, die beim Belichten einen.Ätzqrund, d. h. eine ätzbeständige Deckschicht bildet. Anschließend muß die polymere
organische Substanz von der Oberfläche des organischen Substrats entfernt werden, das typischerweise ein mit Siliciumdioxid
beschichtetes Siliciumplättchen ist und typischerweise auch eine metallische Mikroschaltung, wie aus Aluminium, auf
der Oberfläche aufweisen kann. Daher besteht ein Bedarf an verbesserten Ausstreifmaterialien, die die polymere organische
Substanz von dem beschichteten anorganischen Substrat entfernen,
zu
ohne die Oberfläche der metallischen Schaltung korrodieren, aufzulösen
oder stumpf zu machen oder das anorganische Substrat chemisch zu verändern.
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Bekannte Verfahren zur Entfernung solcher organischer Polymersubstanzen verwendeten organische Zusammensetzungen,die Phenol
und lineare Alkylbenzolsulfonsäuren enthielten, wie gemäß der US-PS 3 871 929, oder die lineare Alkylbenzolsulfonsäuren und
aromatische, aliphatishe oder chlorierte allphatische und aromatische Lösungsmittel enthielten, wie gemäß der US-Patentanmeldung Serial-No. 689 718.
Ähnliche organische Zusammensetzungen, die wenigstens etwa 0,05 % wasserfreie Fluorwasserstoffsäure als Ausstreifmittel
und organische Lösungsmittel und löslich machende Mittel für die Flurowasserstoffsäure enthalten, zur Entfernung von Anstrichmitteln von metallischen Oberflächen sind ebenfalls bekannt, wie aus den US-PSen 3 335 085 und 3 385 088. Bekannte anorganische Ausstreifzusammensetzungen zur Entfernung organischer
Polymersubstanzen umfassen wässrige Schwefelsäure, die wenigstens etwa 300 ppm Fluoridionen enthält, und diese Zusammensetzungen
wurden verwendet, um Metallabstumpfung und Metallkorrosion zu vermindern, wie beispielsweise gemäß den US-PSen 3 932 130, 3 654
und 3 060 071.
Bie Nachteile der oben erwähnten anorganischen Zusammensetzungen
bei der Anwendung zur Entfernung von Fotoätzgründen bestehen jedoch darin, daß sie dazu neigen, unerwünschtes Ätzen der Siliciumdioxidsubstrate infolge ihrer hohen Fluoridionenkonzentration zu
verursachen. Die oben erwähnten organischen Zusammensetzungen haben die Nachteile, daß sie entweder die Aluminiumoberfläche durch
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Bildung von Metalloxiden in un e rwünschter Weise stumpf machen oder in unerwünschter Weise das Siliciumdioxidsubstrat anätzen.
Es ist ein Ziel dieser Erfindung, verbesserte organische Ausstreif
zusammensetzungen zu bekommen, die organische Ätzgrundmaterialien von metallisierten anorganischen Substraten sauber
und wirksam entfernen, besonders von mit Aluminium überzogenem Siliciumdioxid, ohne ein wesentliches Anätzen des anorganischen
Substrats oder eine Korrosion oder ein Stumpfwerden der metallischen Schaltung auf der Oberfläche des anorganischen Substrates
zu verursachen.
Ein weiteres Ziel der Erfindung besteht darin, ein Verfahren zur Entfernung organischer Polymersubstanzen von den Oberflächen metallisierter
anorganischer Substrate, besonders von mit Aluminium beschichtetem Siliciumdioxid zu bekommen, ohne ein Anätzen des anorganischen
Substrats oder eine Korrosion oder ein Stumpfwerden der metallischen Schaltung auf der Oberfläche des anorganischen Substrats
zu verursachen.
Die Erfindung betrifft verbesserte organische Ausstreifmittel für die Entfernung von organischen Polymersubstanzen von metallisierten
anorganischen Substraten, und diese Ausstreifmittel enthalten wenigstens eine organische Sulfonsäure der allgemeinen
Formel R-SO3H, worin R einen organischen Rest aus der Gruppe der
Alkylgruppen mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, der Monohydroxyalkylgruppen
mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, der Arylreste mit 6 bis
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Kohlenstoffatomen, der Monoalkylarylreste, worin die Alkylgruppe
1 bis 14 Kohlenstoffatome enthält, der Dialkylarylreste,
worin jede Alkylgruppe 1 bis 4 Kohlenstoffatome ent-
6 bis 10
hält, der Monohydroxyarylreste mit / Kohlenstoffatomen, der Monoalkylhydroxyarylreste mit 7 bis 11 Kohlenstoffatomen und
der Monochlorhydroxyarylreste mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen bedeutet, wenigstens ein organisches Lösungsmittel und gegebenenfalls
Phenol, wobei die Verbesserung darin besteht, daß man dem Mittel Fluoridionen in einer Menge von etwa 5 bis
250 Gewichts-opm einverleibt.
250 Gewichts-opm einverleibt.
Weiterhin betrifft die Erfindung ein Verfahren zur Aasstreifung
bzw. Entfernung einer organischen Polymersubstanz von
einem metallisierten anorganischen Substrat, indem man die
organische Polymersubstanz mit einem organischen Ausstreifmittel nach der Erfindung bei einer Temperatur von etwa 20
bis etwa 180 0C behandelt.
einem metallisierten anorganischen Substrat, indem man die
organische Polymersubstanz mit einem organischen Ausstreifmittel nach der Erfindung bei einer Temperatur von etwa 20
bis etwa 180 0C behandelt.
Die organischen Ausstreifmittel nach der Erfindung enthalten
jene, die als die Hauptausstreifmittel eine oder mehrere organische Sulfonsäuren enthalten, die die Eigenschaft besitzen,
polymere organische Substanzen von einem anorganischen Substrat weglösen und dispergieren zu können. Unter den verschiedenen
Klassen organischer Sulfonsäuren, die diese Eigenschaft besitzen und bei der vorliegenden Erfindung brauchbar sind, finden
sich die Alkyl-, Monohydroxyalkyl-, Aryl-, Monoalkylaryl-, Dialkylaryl-, Monohydroxyary1-, Monoalky!hydroxyaryl- und Mono-
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chlorhydroxyarylsulfonsäuren.
Beispiele von Alky!sulfonsäuren sind jene, die 1 bis 18 Kohlenstoff
atome enthalten, vorzugsweise lineare Alkylsulfonsäuren
mit 10, 12 oder 14 Kohlenstoffatomen, wie lineare Dodecansulfonsäure oder lineare Decansulfonsäure.
Beispiele von Monohydroxyalky!sulfonsäuren sind jene, die
1 bis 18 Kohlenstoffatome, vorzugsweise 15 bis 18 Kohlenstoffatome
in einer linearen oder verzweigten Kette enthalten, wie jene, die durch Sulfonierung von alpha-Olefinen
hergestellt werden. Ein Beispiel ist das Monohydroxysulfonsäuregemisch,
das bei der Sulfonierung von 1-Octadecen erzeugt wird.
Beispiele von Arylsulfonsäuren sind jene, die 6 bis 10 Kohlenstoff
atome enthalten, wie beispielsweise Naphthalinsulfonsäuren und vorzugsweise Benzolsulfonsäure.
Beispiele von Monoalkylarylsulfonsäuren sind jene, die eine
Alkylgruppe mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen enthalten, welche linear oder verzweigt sein kann, wie para-Toluolsulfonsäure,
Cumolsulfonsäure, Decylbenaolsulfonsäure und Dodecylbenzolsulfonsäure.
Bevorzugt unter der Monoalkylary!sulfonsäuren
sind lineare Monoalfcy!benzolsulfonsäuren wegen ihrer leichteren
biologischen Abbaubarkeit, wie para-Toluolsulfonsäure,
lineare Octyl-, Decyl- und Dodecylsulfonsäure.
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Beispiele von Dialkylarylsulfonsäuren sind jene, die zwei Alkylgruppen enthalten, von denen jede vorzugsweise linear
ist und 1 bis 4 Kohlenstoffatome enthält, wie beispielsweise
die Isomeren von Xylolsulfonsäure und die Isomeren von Methyläthylbenzolsulfonsnure. Bevorzugt sind die Isomeren
von Xylolsulfonsäure entweder einzeln oder im Gemisch miteinander.
Beispiele von Monohydroxyarylsulfonsäuren sind jene, die
6 bis 10 Kohlenstoffatome enthalten, wie die Naphtholsulfonsäuren und die Phenolsulfonsäuren. Bevorzugte Sulfonsäuren
in dieser Gruppe sind die Phenolsulfonsäuren, und zwar entweder die ortho- oder die para-Isomeren, einzeln oder im
Gemisch miteinander.
Beispiele von Monochlorhydroxyarylsulfonsäuren sind jene mit
6 bis 10 Kohlenstoffatomen, wie Chlornaphtholsulfonsäuren und
Chlorphenolsulfonsäuren. Bevorzugt in dieser Gruppe sind die Chlorphenolsulfonsäuren einschließlich aller ihrer Isomeren
entweder einzeln oder im Gemisch miteinander.
Die Zusammensetzungen nach der Erfindung können eine oder mehrere der oben erwähnten organischen Sulfonsäuren enthalten,
doch ist es bevorzugt, wenigstens zwei organische Sulfonsäuren in Kombination miteinander zu verwenden, die unterschiedliche
R-Gruppen entsprechend der obigen Definition enthalten, um die Ausstreiffähigkeit der Zusammensetzung zur Entfernung organischer
Polymersubstanzen auf ein Maximum zu bringen. Wenn nur
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eine organische SuIfonsäure verwendet wird, ist es bevorzugt,
lineare Dodecylbenzolsulfonsäure in dem Mittel wegen ihrer überlegenen Eigenschaften als Ausstreifmittel, ihrer leichten
Verfügbarkeit und ihrer niedrigen Kosten im Gegensatz zu anderen organischen Sulfonsäuren zu benützen. Wenn zwei oder mehrere
organische Sulfonsäuren verwendet werden, ist es bevorzugt, die Kombination von linearer Dodecylbenzolsulfonsäure mit para-Toluolsulfonsäure
zu verwenden, und wenn Phenol in der Zusammensetzung zusätzlich benützt wird, wird vorzugsweise Phenolsulfonsäure
in Kombination mit linearer Dodecylbenzolsulfonsäure verwendet.
Die entweder einzeln oder im Gemisch verwendete organische SuI-fonsäure
ist in der Zusammensetzung allgemein im Mengenbereich von etwa 20 bis 80 Gew.-% der Zusammensetzung in Abwesenheit
von Phenol und vorzugsweise in einer Menge von etwa 30 bis 60 Gew.-% enthalten. Bei Verwendung in Kombination mit Phenol wird
die SulfonsSure allgemein im Bereich von etwa 10 bis 80 Gew.-% verwendet, wobei das Phenol etwa 5 bis 50 Gew.-% der Zusammensetzung
ausmacht.
Die Lösungsmittel, die in den Zusammensetzungen nach der Erfindung
brauchbar sind, und zwar entweder in Abwesenheit von oder in Kombination mit Phenol, werden aus der Gruppe
der aromatischen Kohlenwasserstoffe mit 6 bis 14 Kohlenstoffatomen,
wofür Benzol und Naphthalin Beispiele sin^d, der aliphatischen Kohlenwasserstoffe mit 36 Kohlenstoffatomen, wo-
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für Dodecan, ein Gemisch von Isoparaffin-Kohlenwasserstoffen mit einem mittleren Molekulargewicht zwischen 150 und 210 und
einem Siedepunkt zwischen 160 und 220 0C sowie leichte und
schwere Mineralöle aus der Destillation von Erdöl Beispiele sind, der monoalkylsubstituierten aromatischen Kohlenwasserstoffe
mit 7 bis 20 Kohlenstoffatomen, von denen die linearen
Alkylbenzole bevorzugt sind, wie Toluol, Äthylbenzol, Cumol, Octylbenzol, Decyclbenzol und Dodecylbenzol, der äialkylsubstituierten
aromatisbhen Kohlenwasserstoffe mit 8 bis 20 Kohlenstoffatomen,
für welche die Dialkylbenzole, wie ortho-, meta- und para-Isomere von Xylol und Diäthylbenzol Beispiele sind,
der trialkylsubstituierten aromatischen Kohlenv/asserstoffe mit 9 bis 20 Kohlenstoffatomen, für welche die Trialkylbenzole,
wie 1,2,3-, 1,2,4- und 1,3,5-Isomere von Trimethyl- und Triäthylbenzol
Beispiele sind, der chlorierten aliphatischen Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen und 1 bis 4 Chloratomen, für
welche Methylenchlorid und Tetrachloräthan Beispiele sind, der chlorierten olefinischen Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen
und 1 bis 4 Chloratomen, von denen jene mit 2 bis Kohlenstoffatomen und 3 bis 4 Chloratomen bevorzugt sind, wie
Trichloräthylen und Perchloräthylen (Tetrachloräthylen), der
chlorierten aromatischen Kohlenwasserstoffe mit 6 bis 12 Kohlenstoffatomen und 1 bis 4 Chloratomen, vondsnen die chlorierten
Benzole mit 1 bis 3 Chloratomen bevorzugt sind, wie ortho- Dichlorbenzol
und Trichlorbenzol, der aliphatischen Ketone mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen, von denen Aceton und Methyl-Xthylketon
sowie Methylisobutylketon Beispiele sind, der Monoalkyläther von Äthylenglykol mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen, für
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welche Äthoxyäthanol und Butoxyäthanol Beispiele sind, der
Carbonsäuren mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen, für welche Essigsäure, Maleinsäure und Trichloressigsäure Beispiele
sind, der Kresole mit 7 bis 10 Kohlenstoffatomen, für welche meta- und para-Kresol Beispiele sind, der Hydroxybenzole
mit 2 bis 3 Hydroxylgruppen, für welche Resorcin und Hydrochinon Beispiele sind, Formaraid/der N,N-Dialkylalkanoylamide
mit 3 bis 10 Kohlenstoffatomen, von welchen Dimethylformamid
und Dimethylacetamid Beispiele sind, der N-Alkyllactame mit
6 bis 12 Kohlenstoffatomen, für welche N-Methylpyrrolidon ein
Beispiel ist, und der cyclischen aliphatischen Sulfone mit 4 bis 6 Kohlenstoffatomen, für welche Tetramethylsulfon ein
Beispiel ist^ ausgewählt.
Die Lösungsmittel, die für die Verwendung entweder einzeln oder in Kombination miteinander nach der Erfindung bevorzugt sind,
sind die aliphatischen Kohlenwasserstoffe, vorzugsweise ein
Gemisch von Isoparaffin-Kohlenwasserstoffen mit einem mittleren
Molekulargewicht zwischen 150 und 210 und einem Siedepunkt zwischen 160 und 220 0C;sowie leichte und schwere Mineralöle,
die bei der Destillation von Erdöl produziert werden, die chlorierkohlen
ten Olefiniwasserstoffe, vorzugsweise Perchloräthylen, die chlorierten
aromatischen Kohlenwasserstoffe, vorzugsweise ortho-Dichlorbenzol,
die raonoalkylsubstituierten aromatischen Kohlenwasserstoffe, vorzugsweise Octylbenzol, Decylbenzol oder Dodecylbenzol,
die dialkylsubstituierten aromatischen Kohlenwasserstoffe, vorzugsweise die einzelnen Isomeren oder Gemische derselben von
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Xylol bzw. Diäthylbenzol, und die trialkylsubstituierten aromatischen Kohlenwasserstoffe, vorzugsweise die Isomeren
von Trimethylbenzol, oder Gemische hiervon.
Das in den organischen Zusammensetzungen nach der Erfindung verwendete Lösungsmittel oder Lösungsmittelgemisch ist allgemein
in einer Menge von etwa 20 bis 90 Gew.-%, vorzugsweise von 30 bis 70 Gew.-% der Zusammensetzung vorhanden.
Die Zusammensetzungen nach der Erfindung besitzen einen wichtigen Vorteil gegenüber bekannten organischen Zusammensetzungen,
da sie nur kleine Menge von Fluoridionen enthalten, die überraschenderweise das Stumpfwerden und die Korrosion von Metallen,
besonders von Aluminium, hemmen, ohne ein wesentliches Anätzen der anorganischen Substrate, wie Silicium, Siliciumdioxid und
Saphir, besonders von Siliciumdioxid, zu verusachen, wenn diese
!Materialien der Einwirkung des Ausstreifritteis bei einer Temperatur
von etwa 20 bis 180 0C ausgesetzt werden. Unter dem Ausdruck
"wesentliches Anätzen" versteht man eine Ätzgeschwindigkeit von mehr als 0,1 S je Minute der Dicke einer anorganischen
Platte, besonders aus Siliciumdioxid.
Die Fluoridionen sind allgemein in der Form von Fluorwasserstoffsäure
(HF), Ammoniumbifluorid, (NH4HF2) oder Ammoniumfluorborat
(NH4BF4) vorhanden. Es ist bevorzugt, wasserfreies HF oder eine
wässrige Lösung von HF, wie eine 49 Gew.-%ige Lösung als Fluoridionenquelle zu verwenden. Metallfluoride, wie NaF, KF oder LiF,
die in den Zusammensetzungen nach der vorliegenden Erfindung
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löslich sind, sind auch wirksam zur Entfernung von organischen Polymersubstanzen von aluminiumhaltigen Oberflächen. Es ist
jedoch bevorzugt, lösliche Fluoride zu verwenden, die ein nicht-metallisches Kation enthalten, wenn man einen Fotoätzgrund
von einer Halbleiteroberfläche entfernen will, um so letallverunreinigungen des Halbleiters zu vermeiden.
Die Fluoridionen liegen normalerweise im Bereich von etwa 5 bis 250 Gew.-Teile je Million (ppm) der Zusammensetzung vor, wobei
ein bevorzugter Bereich bei 10 bis 200 Gew.-ppm und ein stärker bevorzugter 3ereich bei 15 bis 100 Gewichts-ppm liegt. Wie oben
aufgezeigt, neigen wesentlich höhere Fluoridmengen dazu, ein wesentliches Anätzen der anorganischen Substrate zu verursachen.
Die Theorie, wie Fluoridionen eine Hemmwirkung auf die stumpfmachende
und korrodierende Neigung des Ausstreifmittels gegenüber Metallen, besonders Aluminium, ausüben, ist nicht voll verständlich.
Eine plausible Erklärung, an die die Erfindung aber nicht gebunden sein soll, kann die sein, daß die Fluoridionen
eine temporäre dünne Schicht eines Komplexes von Aluminiumfluorid und organischer SuIfonsäure auf der Oberfläche des Aluminiums
bilden und daß diese Schicht resistent gegen das Stumpfmachen und Korrodieren durch die sauren Komponenten in der Zusammensetzung
ist...
Eine bevorzugte phenolhaltige Zusammensetzung umfaßt lineare Dodecylbenzolsulfonsäure, Phenol, ortho-Dichlorbenzol, para-To-
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luolsulfonsäure oder Phenolsulfonsäure und gegebenenfalls Perchloräthylen,worin
organische Sulfonsäure insgesamt in einer Menge von etwa 10 bis 80 Gew.-% der Zusammensetzung, Phenol
in einer Menge von etwa 5 bis 50 Gew.-% der Zusammensetzung und Fluoridionen in einer Menge von etwa 5 bis 250 Gew.-ppm
der Zusammensetzung enthalten sind. Typische Zusammensetzungen dieses Typs umfassen etwa 3 bis 13 Gew.-% Perchloräthylen,
etwa 23 bis 33 Gew.-% Phenol, etwa 13 bis 22 Gew.-% ortho-Dichlorbenzol,
etwa 23 bis 33 Gew.-% lineare Dodecylbenzolsulfonsäure, etwa 13 bis 23 Gew.-% para-Toluolsulfonsäure und
etwa 5 bis 250 Gew.-ppm Fluoridionen. Eine spezielle Zusammensetzung enthält 8 Gew.-% Perchloräthylen, 28 Gew.-% Phenol,
18 Gew.-% ortho-Dichlorbenzol, 28 Gew.-% lineare Dodecylbenzolsulfonsäure,
18 Gew.-% para-Toluolsulfonsäure und 10 bis 100 Gewichts-ppm Fluoridionen.
Eine andere bevorzugte phenolhaltige Zusammensetzung umfaßt
etwa 20 bis 40 Gew.-% lineare Dodecylbenzolsulfonsäure, etwa 20 bis 40 Gew.-% Phenol, etwa 10 bis 30 Gew.-% Phenolsulfonsäure,
etwa 10 bis 30 Gew.-% ortho-Dichlorbenzol und etwa 5 bis 250 Gew.-ppm Fluoridionen.
Eine spezielle Zusammensetzung dieses Typs umfaßt 30 Gew.-% lineare Dodecylbenzolsulfonsäure, 30 Gew.-% Phenol, 20 Gew.-%
Phenolsulfonsäure, 20 Gew.-% ortho-Dichlorbenzol und 10 bis 100 Gewichts-ppm Fluoridionen.
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Eine bevorzugte nichtphenolhältige Zusammensetzung umfaßt
lineare Dodecylbenzolsulfonsäure, para-Töluolsulfonsäure,
ein Alkylbenzol der Gruppe Octylbenzol, Decylbenzol oder Dodecylbenzol, und gegebenenfalls Perchloräthylen und/oder
ortho-Dichlorbenzol, worin die Gesamtmenge an organischer
Sulfonsäure etwa 20 bis 80 Gew.-% beträgt und die Fluoridionen in einer Menge von 5 bis 2 50 Gew.-ppm der Zusammensetzung
vorliegen. Wenn die Vorschriften bezüglich der Umweltverschmutzung bezüglich chlorierter Kohlenwasserstoffe
sehr streng sind, dann können Perchloräthylen und/oder ortho-Dichlorbenzol gestrichen werden, ohne die Wirksamkeit der Fotoätzgrundentfernungseigenschaften
der Zusammensetzung wesentlich zu beeinträchtigen..
Es sei festgestellt, daß andere brauchbare Kombinationen von organischer Sulfonsäure und organischen Lösungsmitteln in den
angegebenen Mengenverhältnissen neben jenen, die oben diskutiert wurden, für den Fachmann aufgrund der Lektüre dieser Beschreibung
auf der Hand liegen.
Sie Zusammensetzungen der organischen Ausstreifmittel sind nicht das einzige Ziel der Erfindung, sondern auch die Methode
einer Verwendung dieser organischen Zusammensetzungen nach der Erfindung. Normalerweise werden die Zusammensetzungen
oder Mittel zur Entfernung einer organischen Polymersubstanz wie eines Fotoätzgrundmittels von der Ob->erfläche eines metallisierten
anorganischen Substrates-verwendet, indem man das Sub-
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strat in die Ausstreiflösung bei einer Temperatur von etwa
20 bis 180 C eintaucht. Normalerweise wird die Oberfläche des anorganischen Substrates, welches entweder Silicium,
Sa-phir oder Siliciumdioxid ist, mit Aluminium metallisiert
sein, das auf dem Gebiet der Fotoätzgrundanwendungen üblicherweise in der Halbleiterindustrie verwendet wird.
Typischerweise sind die Fotoätzgründe, die üblicherweise von den Zusammensetzungen nach der Erfindung zu entfernen
sind, Polyisopren, Polyvinylcinnamat und Phenol-Formaldehydharze sowie andere Typen polymerer organischer Substrate.
Diese Potoätzgründe werden auf einem Substrat, wie Siliciumdioxid,
Silicium oder Aluminium, aufgebracht, und Teile des Materials werden dann maskiert. Das maskierte Substrat wird
dann belichtet, wie mit einer Quartzlampe mit 120 Volt und
650 Watt während 1 bis 15 Minuten in einem Abstand von 6 bis 12 Inch, um den belichteten Fotoätzgrund zu härten. Die Anteile
des Fotoätzgrundes, die nicht belichtet, d. h. durch eine Maske von der Lichteinstrahlung geschützt werden, werden dann
durch ein mildes Lösungsmittel entfernt, daä den belichteten Fotoätzgrund nicht auflöst und somit ein Bild, wie einen Teil
einer elektrischen Schaltung, auf dem belichteten Substrat hinterläßt. Der restliche Fotoätzgrund wird dann für weitere
Härtung eingebrannt, und der Teil des Substrates, der nicht von dem Fotoätzgrund bedeckt ist, wird geätzt oder in anderer
Weise behandelt. Der gehärtete Fotoätzgrund muß dann entfernt werden, bevor das Substrat weiterverarbeitet oder verwendet
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werden kann. Bei der Verwendung der Ausstreifmittel nach der
Erfindung wird das mit dem eingebrannten Fotoätzgrund bedeckte Substrat mit der Ausstreiflösung bei einer Temperatur von etwa
20 bis etwa 180 0C, vorzugsweise zwischen 90 und 120 0C, behandelt.
Die für das Ausstreifen oder Entfernen des Fotoätzgrundes erforderlichen Zeiten variieren ziemlich stark je nach dem in
dem Fotoätzgrund verwendeten speziellen Polymer und dem speziell verwendeten Fotoätzgrund - Behandlungsbedingungen. Allgemein
liegt diese Zeit bei 1 bis 10 Minuten, obwohl einige Ätzgründe, je nach der Einbrenntemperatur, au^15 Minuten, 30 Minuten oder
sogar eine Stunde Behandlung mit der Ausstreiflösung erfordern, bevor der polymere Fotoätzgrund von dem Substrat gelöst wird,
was von dem Polymerisationsgrad des belichteten Fotoätzgrundes und der Dicke des gebildeten Polymers abhängt. Nach der Entfernung
des Fotoätzgrundes wird das Substrat mit einem geeigneten Lösungsmittel, wie Wasser, Alkohol oder chloriertem Kohlenwasserstoff,
z. B. Perchloräthylen, gewaschen, um vor dem Trocknen Spuren des Mittels zu entfernen.
Die folgenden Beispiele dienen der weiteren Erläuterung der Erfindung.
Dieses Beispiel erläutert die Wirksamkeit von zugesetzten Fluoridionen
zu einer typischen nichtphenolhaltigen Zusammensetzung, die als Ausstreifmittel "A',1 bezeichnet wird und 40 Gew.-% lineare
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Dodecylbenzolsulfonsäure, 20 Gew.-% Dodecylbenzol, 25 Gew.-%
Perchloräthylen, 12 Gew.-% ortho-Dichlorbenzol und 3 Gew.-%
para-Toluolsulfonsäure enthielt. Aluminiumplatten von 30 cm
χ 15 cm χ 0,05 nun wurden in dem Ausstreifmittel bei 100 0C
24 Stunden eingetaucht, gewaschen und getrocknet, und dann
wurde der Gewichtsverlust je Platte gemessen. Die Ergebnis se sind in der Tabelle I zusammengestellt.
Ausstreif mittel |
Art der zu dem Ausstreif mittel zuge setzten Fluorid- ionen |
ppm Fluorid- ionen in dem Mittel |
Aluminiumplatten Gewichts- Verlust in verlust λ je Hin. in mg |
1,9 |
"A" | keine (Blindprobe) |
keine | 5,3 | 0,1 |
η | 49 % HF | 50 | 0,3 | 0,1 |
Il | 49 % HF | 164 | 0,2 | 1,9 |
η | keine (Blindprobe) |
keine | 5,3 | 0,1 |
It | NH4F | 90 | 0,3 | |
Die Werte der Tabelle I zeigen, daß Konzentrationen von 50 Gew.-ppm, 90 Gew.-ppm und 164 Gew.-ppm Fluoridionen durch die Zugabe
entweder von 49 %iger Flnorwasserstoffsäure oder von Ammoniumfluorid in einem typischen nichtphenolhaltigen Ausstreifmittel
die Aluminiumkorrosion der Platten um mehr als einen Faktor
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von 10 gegenüber dem gleichen ntcht-fluoridhaltigen organischen
Ausstreifmittel hemmen. Der Verlust in A je Minute bezeichnet
die Dickenabnahme der Aluminiumplatten, gemessen in Angstrom-Einheiten
(A) je Minute. Andere Fluoridverbindungen, wie NH4BF4
und NH4F*HF führen zu ähnlichen Ergebnissen.
Dieses Beispiel erläutert die Wirkung von zugesetzten Fluoridionen
bei dem Ausstreifmittel "A" und bei typischen phenolhaltigen Zusammensetzungen "B" und "C" bei der Hemmung der Korrosion und des
Stumpfwerdens von Aluminiumplatten des in Beispiel 1 verwendeten Typs. Die Platten wurden 24 Stunden bei 100 0C in das Ausstreif,
mittel getaucht, mit einem geeingeten Lösungsmittel gewaschen, getrocknet, und der Gewichtsverlust und das Aussehen der Oberfläche
wurden danach ermittelt. Die Ergebnisse sin d in der Tabelle II zusammengestellt.
Die Bezeichnung "B" betrifft ein Ausstreifmittel, das 8 Gew.-% Tetrachloräthylen, 18 Gew.-% ortho-Dichlorbenzol, 28 Gew.-% Phenol,
28 Gew.-% lineare Dodecylbenzolsulfonsäure und 18 Gew.-% para-Toluolsulfonsäure enthält.
Die Bezeichnung "G" bedeutet ein Ausstreifmittel, das 30 Gew.-%
lineare Dodecylbenzolsulfonsäure, 25 Gew.-% Phenol, 15 Gew.-%
Phenolsulfonsäure und 30 Gew.-% ortho-Dichlorbenzol enthält. Das Symbol "F" bedeutet Fluoridionen von der Zugabe von Fluorwasser-
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stoffsäure.
II
Ausstreifmittel | kein F | Gewichtsverlust der Aluminiumfolie in mg |
Aluminium- Aussehen |
11A" | +5 pm F | 8,4 | stumpf |
Il | +10 ppm F | 0,8 | glänzend |
Il | +15 ppm F | 0,4 | It |
Il | +25 ppm F | 0,4 | Il |
Il | kein F | 0,3 | » |
"B" | + 5 ppm F | 5,2 | Il |
Il | +10 ppm F | 0,2 | Il |
Il | +15 ppm F | 0,2 | Il |
Il | +25 ppm F | 0,2 | Il |
Il | +50 ppm F | 0,2 | Il |
Il | kein F | 0,1 | Il |
"C" | +50 ppm F | 2,9 | Il |
Il | 0,2 | ti |
Die Angaben in Tabelle II zeigen, daß die phenolischen Fotoätzgrundausstreifmittel
"B" und "C" keine Fluoridionen erfordern, um das glänzende Aussehen der Aluminiumoberfläche nach
der Behandlung zu erhalten. Jene, die leine Fluoridionen enthielten,
bewirkten aber eine wesentliche Korrosion der Aluminiumplatten im Vergleich mit den rütteln, die wenigstens 5 ppm Fluoridionen
enthielten. Die Abwesenheit von Fluoridionen in dem nicht-
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phenolischen Mittel "A" bewirkte eine wesentliche Korrosion und ein Stumpfwerden der Aluminiumoberfläche im Vergleich
mit dem Mittel, das wenigstens 5 ppm F enthielt.
Dieses Beispiel erläutert die Wirkung von zugesetzten Fluoridionen
in dem nicht-phenolischen Ausstreifmittel "A" auf einem typischen Siliciumdioxid-beschichteten Plättchen. Da es bekannt
ist, daß HF Siliciumdioxidglas angreifen kann, war es wichtig, den Effekt eines Anätzens des Siliciumdioxidsu/>3trates zu ermitteln.
Siliciumplättchen, die einen Siliciumdioxidüberzug besassen, wurden in das Mittel "A" eingetaucht, das unterschiedliche
Gehalte an Fluoridionen durch Zugabe von Fluorwasserstoffsäure
enthielt, und das Eintauchen erfolgte bei 100 0C während 24 Stunden,
worauf der Gewichtsverlust festgestellt wurde. Die Ergebnisse sind in der nachfolgenden Tabelle III zusammengestellt.
TABELLE III
Ausstreifmittel | kein .F | Oberflächen- Aussehen |
Gewichts-Verl. in mg des Plättchens |
Ätzgeschwin digkeit in A/Min. |
"A" | 100 ppm F | gleichmäßig | 0 | 0 |
H | 200 ppm F | Il | 0 | 0 |
11 | 250 ppm F | M | 0,2 | 0,08 |
Il | 500 ppm F | Il | 0,3 | 0,1 |
Il | schattiert | 1,5 | 0,6 |
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Die Angaben zeigen, daß die Zugabe von Fluoridionen in einer
Menge von 100 ppm zu der" nicht-phenolhaltigen Ausstreifmittel
"A" den Fluoridionenangriff auf die Siliciumdioxidoberfläche
nicht förderte, wie durch die Abwesenheit einer Gewichtsabnahme des Plättchens gezeigt ist. Bei 200 ppm und 250 ppm Fluoridgehalt
jedoch wurde eine sehr geringe Abnahme der Breite des Plättchens festgestellt, was ein sehr geringes Anätzen der
Siliciumdioxidoberfläche zeigte. Höhere Ätzgrade, die mit Fluoridionengehalten wesentlich oberhalb 2 50 ppm sowohl in
phenolhaltigen als auch in nicht-phenolhaltigen Zusammensetzungen
nach der Erfindung erhalten wurden, sind unerwünscht und neigen dazu, zu einem wesentlichen Anätzen des Siliciumdioxidplättchens
sowie zu einem ungleichmäßigen Aussehen der Oberfläche zu führen.
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Claims (8)
1. Organisches Ausstreifmittel zur Entfernung organischer Polymersubstanzen
von Substraten, insbesondere von mit Aluminium beschichteten Siliciumdioxidsubstraten ohne Stumpfmachen
oder Korrosion der Aluminiumoberfläche, auf der diese Polymersubstanzen, beispielsweise als Fotoätzgrundmaterialien,
abgelagert sind, enthaltend wenigstens eine organische Sulfon-
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Pam*·*: Fnnkfnrt/Malii *7U-«at Bmk: Di—d—c B«mk AG. Wiilili. Kwito-Nr. PtMT
säure der Formel R-SO3H, worin R eine Alkylgruppe mit
1 bis 18 Kohlenstoffatomen, eine Monohydroxyalkylgruppe mit 1 bis 18 Kohlenstoffatomen, einen Arylrest mit 6
bis 10 Kohlenstoffatomen, einen Monoalkylarylrest, in welchem jede Alkylgruppe 1 bis 4 Kohlenstoffatome enthält, einen Monohydroxyarylrest mit 6 bis 10 Kohlenstoffatomen, einen Monoalkylhydroxyarylrest mit 7 bis 11 Kohlenstoffatomen oder einen Monochlorhydroxyarylrest mit
6 bis 10 Kohlenstoffatomen bedeutet, und wenigstens ein organisches Lösungsmittel, dadurch gekennzeichnet, daß
es Pluoridionen in einer Menge von etwa 5 bis 250 Gew.-ppm, bezogen auf das Gewicht des Mittels, enthält.
2. Mittel nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es die Fluoridionen in einer Menge von etwa 10 bis 200 Gew.-ppm
enthält.
3. Mittel nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß es die Fluoridionen in der Form von Fluorwasserstoffsäure,
Ammoniumfluorid, Ammoniumbifluorid und/oder Ammoniumfluorborat enthält.
4. Mittel nach Anspruch 1-3, dadurch gekennzeichnet, daß es als
organische SuIfonsäure para-Toluolsulfonsäure, Cumolsulfonsäure, lineare Dodecylbenzolsulfonsäure und/oder Phenolsulfonsäure enthält.
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5. Mittel nach Anspruch 1-4, dadurch gekennzeichnet, daß es als organisches Lösungsmittel aromatische Kohlenwasserstoffe
mit 6 bis 14 Kohlenstoffatomen, aliphatische Kohlenwasserstoffe bis 1 bis 30 Kohlenstoffatomen, monoalkylsubstituierte
aromatische Kohlenwasserstoffe mit 7 bis 20 Kohlenstoffatomen, dialkylsubstituierte aromatische Kohlenwasserstoffe mit
8 bis 20 Kohlenstoffatomen, trialkylsubstituierte aromatische
Kohlenwasserstoffe mit 9 bis 20 Kohlenstoffatomen, chlorierte
aliphatische Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen
und 1 bis 4 Chloratomen, chlorierte olefinische Kohlenwasserstoffe mit 1 bis 14 Kohlenstoffatomen und 1 bis 4 Chloratomen,
chlorierte aromatische Kohlenwasserstoffe mit 6 bis 12 Kohlenstoffatomen
und 1 bis 4 Chlor atomen, aliphatische Ketone mit
3 bis 10 Kohlenstoffatomen, Monoalkyläther von Äthylenglykol
mit 3 bis TO Kohlenstoffatomen, Formamid, N-Alkyllactame mit
6 bis 12 Kohlenstoffatomen, Ν,Ν-Dialkylalkanovylamide mit 3
bis 10 Kohlenstoffatomen, cyclische aliphatische Sulfone mit
4 bis 6 Kohlenstoffatomen, Carbonsäuren mit 1 bis 4 Kohlenstoffatomen,
Kresole mit 7 bis 10 Kohlenstoffatomen und/oder Hydroxybenzole mit 2 bis 3 Hydroxylgruppen enthält.
6. Mittel nach Anspruch 1-5, dadurch gekennzeichnet, daß es als organisches Lösungsmittel Octylbenzol, Decylbenzol, Dodecylbenzol,
Perchloräthylen und/oder ortho-Dichlorbenzol enthält.
7. Mittel nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß es
und
kein Phenol enthält,/die organische Sülfonsäure in einer Menge
kein Phenol enthält,/die organische Sülfonsäure in einer Menge
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von etwa 20 bis 80 Gew.-% des Mittels enthält.
8. Mittel nach Anspruch 1-6, dadurch gekennzeichnet, daß es Phenol in einer Menge von etwa 5 bis 50 Gew.-% des Mittels
enthält und die organische Sulfonsäure in einer Menge von etwa 10 bis 80 Gew.-% des Mittels enthält.
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US05/729,515 US4165295A (en) | 1976-10-04 | 1976-10-04 | Organic stripping compositions and method for using same |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2744027A1 true DE2744027A1 (de) | 1978-04-06 |
DE2744027C2 DE2744027C2 (de) | 1986-06-05 |
Family
ID=24931404
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE2744027A Expired DE2744027C2 (de) | 1976-10-04 | 1977-09-30 | Organisches Ausstreifmittel |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
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Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2821637A1 (de) * | 1978-05-18 | 1979-11-22 | Babcock Ag | Geblaeseschlaegermuehle |
DE2849894A1 (de) * | 1978-11-17 | 1980-05-29 | Hoechst Ag | Verfahren zum reinigen von kupfer enthaltenden metalloberflaechen |
FR2455075A1 (fr) * | 1979-04-24 | 1980-11-21 | Rhone Poulenc Ind | Composition a base de solvants chlores pour l'elimination de resines photoresistantes |
US4414035A (en) * | 1979-05-21 | 1983-11-08 | Petrolite Corporation | Method for the removal of asphaltenic deposits |
US4426311A (en) | 1980-07-07 | 1984-01-17 | Allied Corporation | Methylene chloride-methane sulfonic acid stripping compositions and methods for using same |
EP0043438A3 (de) * | 1980-07-07 | 1982-09-29 | Allied Corporation | Methylenchlorid-Methansulfonsäure-Abziehzusammensetzung und Methoden für ihre Verwendung |
US4304681A (en) * | 1980-09-15 | 1981-12-08 | Shipley Company, Inc. | Novel stripping composition for positive photoresists and method of using same |
US4395348A (en) * | 1981-11-23 | 1983-07-26 | Ekc Technology, Inc. | Photoresist stripping composition and method |
US4403029A (en) * | 1982-09-02 | 1983-09-06 | J. T. Baker Chemical Company | Stripping compositions and methods of stripping resists |
US4491530A (en) * | 1983-05-20 | 1985-01-01 | Allied Corporation | Brown stain suppressing phenol free and chlorinated hydrocarbons free photoresist stripper |
DE3581659D1 (de) * | 1984-05-21 | 1991-03-14 | Shipley Co | Photolackentferner und verfahren zum entfernen von photolacken. |
JPS6235357A (ja) * | 1985-08-09 | 1987-02-16 | Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd | ホトレジスト用剥離液 |
US4971715A (en) * | 1988-11-18 | 1990-11-20 | International Business Machines Corporation | Phenolic-free stripping composition and use thereof |
US4992108A (en) * | 1990-01-18 | 1991-02-12 | Ward Irl E | Photoresist stripping compositions |
US5556482A (en) * | 1991-01-25 | 1996-09-17 | Ashland, Inc. | Method of stripping photoresist with composition containing inhibitor |
DE9304878U1 (de) * | 1993-03-31 | 1993-06-09 | Morton International, Inc., Chicago, Ill. | Entschichterlösung für lichtvernetzte Photoresistschablonen |
GB2282607A (en) * | 1993-10-06 | 1995-04-12 | Itac Limited | Stripping compositions comprising sulphonic acid and thickener |
JP3236220B2 (ja) * | 1995-11-13 | 2001-12-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物 |
US5728664A (en) * | 1996-04-15 | 1998-03-17 | Ashland, Inc. | Photoresist stripping compositions |
US7534752B2 (en) * | 1996-07-03 | 2009-05-19 | Advanced Technology Materials, Inc. | Post plasma ashing wafer cleaning formulation |
US6273959B1 (en) * | 1996-07-08 | 2001-08-14 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method of cleaning semiconductor device |
JP3755776B2 (ja) * | 1996-07-11 | 2006-03-15 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用リンス液組成物及びそれを用いた基板の処理方法 |
JP2001508239A (ja) * | 1997-01-09 | 2001-06-19 | アドバンスド ケミカル システムズ インターナショナル,インコーポレイテッド | 水性フッ化アンモニウムおよびアミンを用いた、半導体ウエハ洗浄組成物および方法 |
US6755989B2 (en) * | 1997-01-09 | 2004-06-29 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US6896826B2 (en) | 1997-01-09 | 2005-05-24 | Advanced Technology Materials, Inc. | Aqueous cleaning composition containing copper-specific corrosion inhibitor for cleaning inorganic residues on semiconductor substrate |
US5939336A (en) * | 1998-08-21 | 1999-08-17 | Micron Technology, Inc. | Aqueous solutions of ammonium fluoride in propylene glycol and their use in the removal of etch residues from silicon substrates |
US6248704B1 (en) | 1999-05-03 | 2001-06-19 | Ekc Technology, Inc. | Compositions for cleaning organic and plasma etched residues for semiconductors devices |
US6403286B1 (en) | 1999-11-04 | 2002-06-11 | Corning Incorporated | High aspect ratio patterning of glass film |
TWI288777B (en) * | 2000-04-26 | 2007-10-21 | Daikin Ind Ltd | Detergent composition |
US6475292B1 (en) * | 2000-07-31 | 2002-11-05 | Shipley Company, L.L.C. | Photoresist stripping method |
JP4124315B2 (ja) * | 2001-05-01 | 2008-07-23 | 東京応化工業株式会社 | 被膜の処理方法およびこの方法を用いた半導体素子の製造方法 |
US6943142B2 (en) | 2002-01-09 | 2005-09-13 | Air Products And Chemicals, Inc. | Aqueous stripping and cleaning composition |
EP1468335A4 (de) * | 2002-01-11 | 2006-05-17 | Az Electronic Materials Usa | Reinigungsmittelzusammensetzung für einen positiv- oder negativ-fotoresist |
JP4776191B2 (ja) * | 2004-08-25 | 2011-09-21 | 関東化学株式会社 | フォトレジスト残渣及びポリマー残渣除去組成物、並びにそれを用いた残渣除去方法 |
US7713885B2 (en) * | 2005-05-11 | 2010-05-11 | Micron Technology, Inc. | Methods of etching oxide, reducing roughness, and forming capacitor constructions |
WO2014160962A2 (en) | 2013-03-29 | 2014-10-02 | Life Technologies Corporation | Method for treating a semiconductor device |
US7687447B2 (en) * | 2008-03-13 | 2010-03-30 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning composition containing aminobenzenesulfonic acid |
US8940104B2 (en) | 2011-08-02 | 2015-01-27 | Brewer Science Inc. | Cleaning composition for temporary wafer bonding materials |
CN107429294B (zh) | 2015-03-05 | 2021-10-26 | 生命技术公司 | 生物传感器的表面稳定 |
EP3274699B1 (de) | 2015-03-26 | 2023-12-20 | Life Technologies Corporation | Verfahren zur behandlung von fet-sensorarrays und resultierenden sensorvorrichtungen |
US11054749B2 (en) | 2018-05-22 | 2021-07-06 | Versum Materials Us, Llc | Photoresist stripping composition and method |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3574123A (en) * | 1968-04-23 | 1971-04-06 | Grace W R & Co | Paint stripping composition and process |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CA734389A (en) | 1966-05-17 | Pennsalt Chemicals Corporation | Stripping composition and methods for its use | |
US1890214A (en) * | 1929-05-18 | 1932-12-06 | Aluminum Co Of America | Cleaning composition |
US2413365A (en) * | 1944-04-13 | 1946-12-31 | Wyandotte Chemicals Corp | Cleaning composition for aluminum and aluminum alloys |
US2687346A (en) * | 1953-04-24 | 1954-08-24 | Kelite Products Inc | Process and composition for brightening the skin of aircraft |
US3019194A (en) * | 1957-02-18 | 1962-01-30 | Alan D Brite | Cleaning composition and method |
LU37891A1 (de) * | 1958-12-11 | |||
GB922507A (en) | 1961-09-28 | 1963-04-03 | Continental Titanium Metals Co | Improvements in and relating to the conditioning of titanium or titanium base alloys |
US3335087A (en) * | 1965-12-20 | 1967-08-08 | Pennsalt Chemical Corp | Method of stripping resins |
US3335088A (en) * | 1965-12-20 | 1967-08-08 | Pennsalt Chemicals Corp | Method of stripping resins |
US3582401A (en) * | 1967-11-15 | 1971-06-01 | Mallinckrodt Chemical Works | Photosensitive resist remover compositions and methods |
GB1279834A (en) * | 1968-10-07 | 1972-06-28 | Chugai Kasei Co Ltd | Improvements in metal cleaning and etching compositions |
DE1958857C3 (de) * | 1969-11-24 | 1973-09-20 | Hanns Eggen Kg, 3000 Hannover | Verfahren zum Entschlichten gekörnter oder eloxierter Aluminium Druckplatten |
US3871929A (en) * | 1974-01-30 | 1975-03-18 | Allied Chem | Polymeric etch resist strippers and method of using same |
US4009115A (en) * | 1974-02-14 | 1977-02-22 | Amchem Products, Inc. | Composition and method for cleaning aluminum at low temperatures |
US4116853A (en) * | 1974-02-14 | 1978-09-26 | Amchem Products, Inc. | Composition for cleaning aluminum at low temperatures |
US3932130A (en) * | 1974-07-03 | 1976-01-13 | Texaco Inc. | Inhibition of aluminum corrosion by sulfuric acid solutions |
DE2454399C2 (de) * | 1974-11-16 | 1981-09-24 | Merck Patent Gmbh, 6100 Darmstadt | Ablösemittel für Fotolacke |
US3969135A (en) * | 1975-02-13 | 1976-07-13 | Oxy Metal Industries Corporation | Low temperature aluminum cleaning composition and process |
IT1125196B (it) * | 1975-08-01 | 1986-05-14 | Allied Chem | Disassorbitore fotoresistivo privo di fenolo |
-
1976
- 1976-10-04 US US05/729,515 patent/US4165295A/en not_active Expired - Lifetime
-
1977
- 1977-08-31 CA CA285,868A patent/CA1074218A/en not_active Expired
- 1977-09-28 GB GB40358/77A patent/GB1562356A/en not_active Expired
- 1977-09-30 IT IT69157/77A patent/IT1143831B/it active
- 1977-09-30 DE DE2744027A patent/DE2744027C2/de not_active Expired
- 1977-10-03 FR FR7729711A patent/FR2366350A1/fr active Granted
- 1977-10-03 JP JP11795977A patent/JPS5344491A/ja active Pending
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3574123A (en) * | 1968-04-23 | 1971-04-06 | Grace W R & Co | Paint stripping composition and process |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
Auszug aus JP-OS 1027-67 (Patent-Schnellbericht, Teil A, 1967) * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPS5344491A (en) | 1978-04-21 |
FR2366350B1 (de) | 1982-11-12 |
FR2366350A1 (fr) | 1978-04-28 |
GB1562356A (en) | 1980-03-12 |
IT1143831B (it) | 1986-10-22 |
DE2744027C2 (de) | 1986-06-05 |
CA1074218A (en) | 1980-03-25 |
US4165295A (en) | 1979-08-21 |
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