DE2657922A1 - Strahlungsempfindliche massen - Google Patents

Strahlungsempfindliche massen

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DE2657922A1 DE19762657922 DE2657922A DE2657922A1 DE 2657922 A1 DE2657922 A1 DE 2657922A1 DE 19762657922 DE19762657922 DE 19762657922 DE 2657922 A DE2657922 A DE 2657922A DE 2657922 A1 DE2657922 A1 DE 2657922A1
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    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/022Quinonediazides
    • G03F7/0226Quinonediazides characterised by the non-macromolecular additives

Description

DR. E. WIEGAND DIPL-ING. W. NIEMANN 2 6 5 7 9 2
DR. M. KÖHLER DIPL-ING. C GERNHARDT
MÖNCHEN HAMBURG TELEFON: 555476 8000 M ö N CH EN 2, TELEGRAMME: KARPATENT MATHILDENSTRASSE 12 TELEX: 5 29 068 KARP D
W 42 729/76 - Ko/ld 20.Dezember 1976
Fuji Photo Film Co., Ltd, Minami Ashigara-shi,
Kanagawa (Japan)
Strahlungsempfindliche Massen
Die Erfindung "betrifft strahlungsempfindlich^ !»lassen, die für die Herstellung von lithographischen Druckplatten, Farbauszügen für Mehrfarbdruck, Vorlagen für irberkopfproRektoren, IC-Schaltungen, Photomasken und dgl. geeignet sind und.."betrifft insbesondere, eine strahlungsempfindliche Masse, die mit einer verbesserten photographischen Empfindlichkeit durch Einverleibung eines organischen cyclischen Säuranhydrides in eine strahlungsempfindliche Masse, welche ein o-liaphthochinondiazid und ein Phenolharz umfaßt, ausgezeichnet ist.
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Gemäß der Erfindung wird eine strahlungsempfindlich^ Masse, die zur Ausbildung eines positiven Bildes nach der Aussetzung an aktinische Strahlung und anschließende Behandlung mit einer "basischen Lösung geeignet ist, angegeben, welche a) eine o-NaphthochinondiazidverMndung, Td) ein alkalilösliches, fumbildendes Phenolharz und c) ein organisches, cyclisches Säureanhydrid umfaßt.
Strahlungsempfindlich« Massen, die zur Bildung eines positiven Bildes nach der Aussetzung an aktinische Strahlung und anschließender Behandlung mit einer basischen Lösung, welche ein o-lTaphthochinondiazid und ein alkalilösliches, filmbildendes Phenolharz, welches nachfolgend einfach als Phenolharz bezeichnet wird, umfassen, sind seit langem bekannt und sind zur Herstellung von lithographischen Druckplatten und Photowiderständen im Industriemaßstab äußerst geeignet·. Verschiedene Versuche wurden ohne bemerkenswerten Erfolg zur Verbesserung der photographischen Empfindlichkeit derartiger, strahlungsempfindlicher Massen aus einer o-HaphthQchinondiazidverbindung und einem alkalilöslichen, filmbildenden Phenolharz unternommen. Beispielsweise erhöht eine Verringerung des Betrages der o-Naphthochinondiazidverbindung bemerkenswert die Empfindlichkeit, jedoch wird eine derartige
Verbesserung durch eine begrenzte" Breite'hinsichtlich
der Entwicklungsbedingungen begrenzt, was einen ernsthaften Hachteil vom Gesichtspunkt der Praxis darstellt. Die Empfindlichkeit der strahlungsempfindlichen, ein O-Naphthochinoxjdiazid und ein Phenolharz umfassenden Massen kann auch erhöht werden, wie in der US-Patentschrift 3 661 582 entsprechend der 3 apanischen Patentveröffentlichung 12 242/1973 beschrieben ist, in'dem mehr als 0,5 Gewichtsprozent eines Additivs aus der Gruppe von aro-
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inatischen oder pseudoaromatischen Verbindungen mit einem Heterökern, -welcher mehr als 2 Stickstoffatome in der Ringkernstruktur enthält, wobei mindestens eines der Stickstoffatome an ein Wasserstoffatom gebunden ist und der keine anderen Heteroatome enthält, wie 2-Azocyclononan-2-one, Indole,Chinazoline und Tetrazole einverleibt werden, jedoch leiden auch diese Systeme von einer äußerst engen Entwicklungsbreite ähnlich wie im vorstehend geschilderten Pail, wobei eine verringerte Menge des o-Haphthochinondiazide verwendet wird. In der japanischen PatentVeröffentlichung 42 449/1971 sind verschiedene Additive unter Einschluß von Triphenylmethancyaninfarbstoffen, Benzaldehydm-tolylhydrazin, halogenierten Kohlenwasserstoffen, Azofarbstoffen und dgl. beschrieben, um die photographische Empfindlichkeit zu erhöhen; keines dieser Materialien ist jedoch bemerkenswert wirksam.
Eine Aufgabe der Erfindung besteht demzufolge in einer strahlungsempfindlichen Masse, die eine o-Haphthochinondiazidverbindung und ein fumbildendes Phenolharz enthält, deren photographische Enpfindlichkeit durch die Einverleibung einer dritten Komponente verbessert wird.
Eine weitere Aufgabe der Erfindung besteht in einer hochempfindlichen, strahlungsempfindlichen Masse, deren photographische Empfindlichkeit,ohne Veranlassung irgendwelcher nachteiligen Effekte auf die Entwicklungsbreite verbessert ist.
Es wurde nunmehr infolge ausgedehnter Untersuchungen gefunden, daß die vorstehend aufgeführten Aufgaben durch Zusatz eines organischen, cyclischen Säureanhydrides zu einer strahlungsempfindlichen Masse, die eine o-Haphthochinondiazidverbindung und ein Phenolharz umfaßt, erreicht werden können.
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Aufgrund der Erfindung ergibt sich somit eine strahlungsempfindliche Masse, die zur Herstellung eines positiven Bildes "bei der Aussetzung an aktinische Strahlung und anschließende Behandlung mit einer "basischen Lösung geeignet ist, welche a) eine o-Baphthochinondiazidverbindung, 1») ein alkalilösliches, fUmbildendes Phenolharz und c) ein organisches, oyclisches Säureanhydrid enthält.
Im Rahmen der speziellen Beschreibung der Erfindung umfassen die für die vorliegende Erfindung besonders geeigneten o-Kaphthochinondiazidverbindungen Ester von Halogeniden von Uaphthochinon-(1}2)-diazid-2-sulfonsäuren und Phenolverbindungen, -wie ein Pyrogallol-Acetonharz, welche in der US-Patentschrift 3 635 709 entsprechend der japanischen Patentveröffentlichung 28 403/1968 "beschrieben sind. Andere geeignete o-Faphthochinondiaζidverbindungen sind E3ter von Halogeniden der o-Haphthochinon-(1,2)-.diazid-(2)-sulfonsäure und einem Phenolformaldehydharz, wie sie in den US-Patenschriften 3 04-6 120 und 3 188 210 beschrieben sind. Weitere^ brauchbare o-ITaphthochinondiazidverbindungen sind die in der US-Patentschrift 3 644 118, den japanischen Patentanmeldungen 63 803/1973, 63 802/1973, 96 575/1973, 38 701/1974, der US-Patentschrift 3 823 130, den japanischen PatentVeröffentlichungen 11 222/ 1966," 9" 610"/1970, 17 481 /1974, den US-Patents ehr if ten' 2 213, 3 454 400, 3 544 323, 3 573 917,3'674 495, 3 785 825, den britischen Patentschriften 1 227 602, 1 329 888, 1 330 932, der deutschen Patentschrift 854 890, den US-Patentschriften 3 759 711 und 3 837 860 beschriebenen Verbindungen .
Besonders bevorzugte Beispiele für o-Baphthochinondiazide, die im Rahmen der Erfindung verwendet werden können, sind diejenigen entsprechend der folgenden allgemeinen Eorrael
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(D
worin A eine Gruppierung H2 oder 0 und B die Gruppierung O "bedeutet, falls A aus N2 bestellt, oder B eine Gruppe N2 bedeutet, falls A aus O bestellt, und R einen Rest mit einer Hydroxygruppe_ oder einer Aminogruppe bedeuten.
Die erfindungsgemäß verwendbaren, alkalilöslichen, filmbildenden Phenolharze haben ein Molekulargewicht von etwa 300 bis etwa·100 00O5 vorzugsweise von 300 bis 10 000. Diese Phenolharze sind nicht strahlungsempfindlich und werden durch Kondensation von Phenol mit "Formaldehyd oder durch Polymerisation von Hydroxystyrolen hergestellt. Allgemein ist die Umsetzung der Phenolverbindungen mit Pormaldehyd die Reaktion einer Phenolverbindung mit 2 oder •3-reaktiven-aromatischen RingwasserstoffStellungen mit ■ einem Aldehyd oder einer AldehydVorläuferverbindung, die eine Phenol-Aldehydkondensation eingeht« Erläuternde Beispiele für besonders brauchbare Phenolverbindungen sind Cresol, Xylenol, Äthylphenol, Buty!phenol, Isopropylraethoxyphenol, Chlorphenol, Resorcin, Hydrochinon, Haphthol,. 2,2-bis(p-Hydroxyphenyl)propan und ähnliche. Erläuternde Beispiele für besonders wirksame. Aldehyde sind !Formaldehyd,
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Acetaldehyd, Acrolein, Crotonaldehyd, Furfurol und dgl. Erläuternde Beispiele für Aldehydvorläuferverbindungen sind 1,3,5-2rioxan und dgl. Ketone wie Aceton sind gleichfalls zur Kondensation mit Phenolverbindungen .· fähig. Besonders brauchbare, alkalilösliche, fumbildende Phenolharze sind Phenöl/Forraaldehyd-Hovolakharze, Cresol/ Formaldehyd-iTovolakharze, p-tert-Butylphenol/Formaldehyd-Novolak-harze, phenolmodifizierte Xylol/Formaldehyd-Harze, Polyhydroxystyrole und Polybromhydroxystyrole. Cresol/Formaldehyd-Uovola Miarze werden zur Anwendung im Bahmen der Erfindung besonders bevorzugt.
Die o-Naphthochinondiazidverbindung wird in einer Menge von etwa 10 bis etwa 50 Gewichtsprozent an Stärke bevorzugt, von 20 bis 40 Gewichtsprozent des Gesamtgewichts der strahlungsempfindlichen Masse eingesetzt. Die angewandte Menge des Phenolharzes liegt im Bereich von etwa A3 bis etwa 79 Gewichtsprozent, stärker bevorzugt 50 bis 70 Gewichtsprozent, der gesamten strahlungsempfindlichen Masse.
Zum Zweck der Erläuterung, ohne die Erfindung zu begrenzen, lassen sich die geeigneten cyclischen organischen Säureanhydride durch die folgenden Pormeln II
oder III wiedergeben^ _
(II)
(III)
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worin IL und Rg jeweils ein Wasserstoffatom, ein Halogenatom, eine unsubstituierte oder substituierte Alley 1-gruppe oder eine unsubstituierte oder substituierte Arylgruppe bedeuten, wobei R1 und R2 auch unter Bildung eines cyclischen Ringes, welcher eine Cycloalkylgruppe, eine Halogencycloalky!gruppe, eine Cycoalkylengruppe, eine Arylgruppe einschließt, und weiterhin einer heterocyclischen Gruppe vereinigt sein können.
Organische, cyclische in den strahlungsempfindlichen Massen, die ein o-Haphthochinondiazid und ein Phenolharz im Rahmen der Erfindung umfassen, angewandte Säureanhydride sind beispielsweise Phthalsäureanhydrid- , !Detrahydrophthalsäureanhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, 3 i ö-Endoxy-^-Tetrahydrophthalsäureanhydrid, !Tetrachlorphthalsäureanhydrid, Maleinsäureanhydrid, Chlormaleinsäureanhydrid, a-Pheny!maleinsäureanhydrid, Bernsteinsäureanhydrid, Pyromelitsäureanhydrid und dgl. Vorzugsweise werden diese organischen, cyclischen Säureanhydride in Mengen zwischen etwa .1 und 15 #,stärker bevorzugt zwischen 4 und 8 Gewichtsprozent, wiederum bezogen auf. das Gesamtgewicht der strahlungsempfindlichen Masse, eingesetzt. Innerhalb dieser Bereiche kann das organische, cyclische Säureanhydrid die photographische Empfindlichkeit durch einen Faktor bis zum etwa 3-fachen erhöhen, ohne daß praktisch irgendwelche zusätzlichen Probleme hinsichtlich der Entwicklungsbreite auftreten. Bei einer Menge unterhalb etwa 1 Gewichtsprozent werden die vorteilhaften Effekte des cyclischen Säureanhydrids nicht beobachtet, während oberhalb etwa 15 Gewichtsprozent die Entwicklungsbreite nachteilig in markantem Ausmaß beeinflußt wird.
Pullstoffei Farbstoffe oder Pigmente können gleichfalls in die Masse gemäß der Erfindung einverleibt werden.
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Die Anwendung eines Füllstoffes kann nicht nur die physikalischen Eigenschaften des aufgezogenen Filmes verbessern, sondern verhindert auch eine Bildverschleierung aufgrund der Verbesserung des Kontaktes zwischen dem Original und der strahlungsempfindlichen Schicht während der Belichtung in einer Vakuumplatte aufgrund der erhaltenen Oberflächenaufrauhung. Geeignete Füllstoffe umfassen Talkpulver, Glaspulver, Ton, Stärke, Weizenmehl, Maismehl, Teflonpulver und dgl. Farbstoffe und Pigmente sind wichtig zur Färbung des erhaltenen Bildes. Diese Additive werden im allgemeinen in einer Menge im Bereich von etwa 0,5 bis 20 Gewichtsprozent, bezogen auf das Gesamtgewicht der strahlungsempfindlichen Masse,einverleibt.
Die Wahl von Art und Menge der in die strahlungsempfindliche Masse einverleibten Farbstoffe oder Pigmente sind nicht besonders wesentlich. Öllösliche und basische Farbstoffe sind besonders für die vorliegenden Zwecke geeignet und umfassen beispielsweise Oil Yellow Hr. 101, Oil Yellow ITr. 130, Oil Pink Hr. 312, Oil Green BG, Oil Blue BOS, Oil Blue ITr. 603, Oil Black BY, Oil Black BS, Oil Black T-505 (sämtliches Produkte der Orient Chemical Industrial Co..,Ltd), Kristallviolett, Rhodamin B, Malachitgrün, Methylenblau und dgl.
Die gemäß der vorliegenden Erfindung hergestellte . · Masse wird auf ein geeignetes Substrat aufgezogen, nachdem sie in einem Lösungsmittel gelöst ist, die die vorstehend beschriebenen Komponenten lösen oder dispergieren kann. Geeignete, zum Überziehen verwendete Lösungsmittel umfassen Äthylendichlorid, Cyclohexanon, Methylethylketon, Äthylenglykolmonoraethylather, Methylcellosolvea cetat, Toluol, Äthylacetat und dgl. Diese Lösungsmittel können einzeln oder als Gemische verwendet werden. Übl~ciierweise
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liegt die Menge der nichtflüchtigen Komponenten (Feststoff komponenten) im Bereich von etwa 2 "bis etwa 50 Gewichtsprozent. Ein geeigneter Bereich des Überzugsgewichtes auf Trockenbasis liegt zwischen etwa 0,5 "bis etwa 3»O gra . niedrigere Überzugsraengen begünstigen die photographische Empfindlichkeit, wenn sich auch von einer Verringerung der Filmfestigkeit begleitet sind.
Geeignete Substrate zur Herstellung von lithographischen Druckplatten unter Anwendung der strahlungsempfindlichen Massen gemäß der Erfindung umfassen Alu—.* miniumbleche, deren Oberfläche behandelt wurde, um sie hydrophil zu machen, beispielsweise silikatbehandelte, anodisierte, gekörnte und elektrolytisch mit Silikat be-'schichtete Aluminiumbleche. Zinkplatten, rostfreie Stalilplatten, chromierte Stahlplatten, synthetische Harzfolien oder Papiere, deren Oberfläche hydrophil gemacht wurde, können gleichfalls verwendet werden. Spezifisch geeignet Oberflächenbehandlungsverfahren, die angewandt werdeü können, umfassen eine Silikatbehandlung entsprechend der US-Patentschrift 2 714 066, Kalifluorzirkonatbehandlung entsprechend der US-Patentschrift 2 946 683, eine Phosphormolybdatbehandlung entsprechend der US-Patentschrift 3 247, eine Silikat-Elektroabscheidungsbehandlung entsprechend der US-Patentschrift 3 658 662 und eine Silikatbehandlung mit verbundener anodischer Oxidation&ehandlung entsprechend der US-Patentschrift 3 181 461 und dgl. Zur Herstellung von Druckauszügen, Überkopfprojektionsfilmen und transparent« Dias für den Koistaktdmick umfassen transparente, synthetische Harzfolien aus Polyethylenterephthalat, Cellulosetriacetat und dgl. und Folien, deren Oberflächen chemisch oder physikalisch aufgerauht wurden. Geeignete Substrate zv-r Herstellung von Photomasken umfassen PoIy-
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- w-
äthylenterephthalatfolien, auf deren Oberflache Aluminiumlegierungen oder Chrom vakuumabgeschieden sind, sowie Polyäthylenterephthalatfolie, die mit einer gefärbten Schicht ausgerüstet sind. Zum Zweck der Herstellung eines Photowiderstandes können die strahlungsempfindlichen Massen gemäß der Erfindung auch verschiedene weitere Substrate außer den vorstehedn aufgeführten, "beispielsweise Aluminium, Eisen, rostfreien Stahl, Kupfer, Glas, Kunststoffe wie Polyäthylen und Polyethylenterephthalat und dgl. aufgezogen werden.
Die geeigneten Entwickungslösungen für die strahlungsempfindlichen Massen gemäß der Erfindung sind wässrige lösungen von anorganischen, alkalischen Verbindungen, "beispielsweise diejenigen von Hatriumsilikat, Kaliumsilikat, Natriumhydroxid, Kaliumhydroxid, Lithiumhydroxid, Hatriumphosphat, Hatriummonohydrogenphosphat, Ammoniuraphosphat, Ammoniuramonohydrogen^ phosphat, llatriummetasilicat, Hatriurabicarbonat, Ammoniak und dgl., wobei die geeignete Konzentration dieser Verbindungen zwischen etwa 0,1 und etwa 10, stärker bevorzugt zwischen etwa 0,5 und 5 Gewichtsprozent liegt/ Spezifische Beispiele für Entwicklerlösungen sind in den TJS-Patentsehriften 3 110 596, 3 173 788, 3 586 504 usw. angegeben.
Diese alkalischen Lösungen können auch bestimmte organische Lösungsmittel wie Alkohole, z.B. Methanol, Ä'thanol, Benzylalkohol sowie oberflächenaktive Mittel beispielsweise ITatriumalkylnaphthalinsulfona"-ITatriumlaurysulfat und dgl. in Abhängigkeit von den Erfordernissen enthalten.
Die vorliegende Erfindung wird im einzelnen anhand der nachfolgenden spesifischen Beispiele erläutert, ohne daß die Erfindung auf diese Beispiele beschränkt ist. EaIls nichts an-
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gegeben ist, sind sämtliche Prozentsätze, Teile, Verhältnisse und dgl. auf das Gewicht "bezogen.
Beispiel 1
Ein Blech aus 2S-Alurainiuin mit einer Stärke von 0,15 mm wurde durch Eintauchen in eine 10-$ige wässrige Natriumphosphatlösung, die "bei 8CPC während 3 Minuten gehalten wurde, entfettet, dann mit einer Nylonbürste gekörnt und einer Ehtschmutzungs "behandlung in einer wässrigen 3 $-igen Uatriumhydrogensulfatlösung unterworfen. Das Alurainiumsubstrat 1 wurde durch Behandlung des auf diese ¥eisehergestellten'Aluminiumbleches mit einer wässrigen 1 $-igen Hatriumsilicatlösung bei 7CK) während einer Minute hergestellt. Eine strahlungsempfindliche ifberzugslösung der folgenden Zusammensetzung wurde auf dieses Substrat 1 aufgezogen und dann wurde das Blech während 2 Minuten "bei 1003C getrocknet.
Verestertes Produkt aus Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)- 0,30 g 5-sulfonylchlorid mit einem PyrogaHolacetonkondensationsharz (Produkt entsprechend Beispiel 1 der US-Patentschrift 3 635 709)
Cresol/Eormaldehyd-lTovolakharz (auf das Gewicht "oezogenes 0,97 g durchschnittliches Molekulargewicht etwa 1400, durch-G-elpermeations chroma tographie )
Tetrahydrophthalsäureanhydrid (siehe Ta "belle I) Additionsprodukt zwischen Benzylalkohol und Colonate L* 0,03 g
Öl"blau Hr.. 6O3V^ 0,01 g
A'thylendichlorid 10 g
2-Methoxyäthylaeetat 10 g
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Produkt der Hippon Polyurethane Industries, Ltd.; durch Umsetzung von 3 Mol Toluoldiisocyanat und ein Mol Irimethylolpropan erhaltene Polyisocyanatverbindung.
Produkt der Orient Chemical Industrial Co., Ltd. Das Überzugsgewicht "betrug 1,2tas 1,3 g/m auf Trocken-"basis. Die auf diese Weise hergestellten lichtempfindlichen, lithographischen Platten wurden an Licht unter Anwendung einer Kohlenbogenlichtquelle von 30 A mit einem Abstand von 70 cm ausgesetzt, mit einer wässrigen Alkalilösung (DP-1, handelsübliches Produkt der 51Uji Photo PiIm Do., Ltd.), welches auf ein Volumenverhältnis von 1:10 verdünnt worden war, bei 250C während 60 Sekunden entwickelt und dann der Bestimmung der Empfindlichkeit unterworfen. Die optimale Belichtungszeit
bsi
wurde al3 der Wert definiert,/dem 7 Stufen einer Grauskala mit einer Dichtedifferenz von 0,15 vollständig klar waren. Die Entwicklungsbreite wurde als der Zeitraum definiert, innerhalb dessen eine Differenz einer Stufe bei der Aufklärung auf einer Grauskala mit einem Dichteunterschied von 0,15 für den auf das 10-fache verdünnten Entwickler DP-1 bei 250O auftrat.
Tabelle I zeigt die Änderung der photographischen Empfindlichkeit und der Entwieklungsbreite mit dem Gehalt an Tetrahydrophthalsäureanhydrid.
Tabelle I
Menge an zugesetztem Tetrahydrophthalsäureanhydrid gegenüber Empfindlichkeit und Entwieklungsbreite
Gehalt an Tetrahy- Empfindlichkeit, ange- Entwicklungsdr ophtha Is äurean- geben durch optimale "Be- breite (I-Iimiten.) hydrld (g) lichtungszeit(Sekunden)
0 (Bezug) 120 weniger als
0,05 80 »
0*075 50 . ·, .
0,10 40 !?
0,125 35 ri
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/S
Die Ergebnisse belegen, daß eine Erhöhung der photographischen Empfindlichkeit vom 3-fachen ohne irgendeinen gleichlaufenden, nachteiligen Effekt auf die En,twicklungs-"breite erzielt wurde.
Beispiel 2
Die Herstellung der lichtempfindlichen Platte und die in Beispiel 1 beschriebenen. Entwicklungsverfahren wurden wiederholt, wobei genau die gleichen Verfahren angewandt wurden, jedoch das Tetrahydrophthalsäureanhydrid durch jeweils 0,10 g an MaIeinsäureanhydrid, Bernsteinsäureanhydrid oder Phthalsäureanhydrid ersetzt wurde. Die erhaltenen optimalen Belichtungszeitwerte betrugen 80 Sekunden für Maleinsäureanhydrid, 60 Sekunden für Bernsteinsäuranhydrid und 80 Sekunden für Phthalsäureanhydrid.
Beispiel 3
Eine 0,24 mm dicke 2S-Aluminiuiaplatte wurde durch Eintauchen in eine wässrige 10$-ige bei 8CPC gehaltene Uatriumphosphatlösung während 3 Minuten entfettet, mittels einer ITylonbürste gekörnt und dann unter Anwendung von Uatriumalurainat während 10 Sekunden geätzt. Die geätzte Platte wurde dann einer Entschmutzungsbehandlung mit einer wässrigen 3%-igen ITatriurahydrogensulfatlosung unterworfen. Dann wurde die Platte in einer wässrigen 20%-igen Schwefelsäurelösung bei einer Stromdichte von 2 A/dm während 2 Minuten anodisiert und die Aluminiumplatte II erhalten.
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Die folgende ITberzugslösung wurde auf diese Aluminiumplatte II aufgezogen und die Trocknung erfolgte "bei 1OCPC während 2 Minuten.
••Überzugslösung
Verestertes Produkt aus IJaphthochinon-(1,2)- 0,50 g diazid-(2)-5-sulfonylchlorid mit Pyrogallol-Acetonharz (wie in Beispiel 1 angegeben)
Cresol/Pormaldeh,yd~lToYolakh.arz (wie in Beispiel 1 angegeben) 1,00 g
Tetrahydrophthalsäureanhydrid 0,125 g
Örblau ITr. 603 (Produkt der Orient Chemical
Industrial C0I, Ltd.) 0,01 g
Äthylendichlorid 10 g
2-Methoxyäthylacetat 10 g
Das Überzugsgewicht nach der Trocknung betrug 1,20 g/m , Die optimale Belichtungszeit und die Entwicklungsbreite dieser lichtempfindlichen Platte wurden wie in Beispiel 1 bestimmt und es wurden Werte von 120 Sekunden bzw. 10 Minuten oder weniger erhalten. Zu Vergleichszwecken wurde eine Bezugsprobe unter Ausschluß von Tetrahydrophthalsäureanhydrid aus der Überzugsmasse hergestellt und es wurden Werte von 160 Sekunden bzw. 10 Hinuten oder weniger jeweils erhalten. Somit ergab der Zusatz von Tetrahydrophthalsäureanhydrid eine Empfindlichkeitszunahme vom 1,5-fachen ohne irgendeine Schädigung der Entwicklungsbreite.
Die Erfindung wurde vorstehend anhand bevorzugter Ausführungsformen beschrieben, ohne daß sie darauf begrenzt ist.
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Claims (7)

Patentansprüche
1. Strahlungsempfindliche Masse zur Herstellung eines positiven Bildes nach der Aussetzungen aktinische Strahlung und anschließende Behandlung mit einer basischen Lösung, gekennzeichnet durch den Gehalt a) einer o-Naphthochinondiazidverbindung, b)eines alkalilöslichen filmbildenden Fhenolharzes und c) eines organischen cyclischen Säureanhydrids .
2. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Naphthochinondiazidverbindung aus einem Ester eines Halogenides der Naphthochinone,2)-diazid-(2)-sulfonsäure und einer Phenolverbindung besteht.
3. Masse nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Naphthochinondiazidverbindung aus einem Ester eines Halogenides der Naphthochinon-(1,2)-diazid-(2)-sulfonsäure und einem Pyrogallol-Acetonkondensationsharz, einem Phenolformaldehyd-Novolakharz oder einem Poly-(hydroxystyrol) besteht.
4. Masse nach Anspruch 1 bis 3,dadurch gekennzeichnet, daß das Phenolharz aus einem Phenol/Formaldehyd-Novolakharz, einem Cresol/Formaldehyd-Novolakharz, einem p-tert.-Butylphenol/Formaldehyd-Novolakharz, einem phenolmodifizierten Xylol/Formaldehydharz, einem Poly(hydroxystyrol) oder einem Poly(bromhydroxystyrol) besteht.
5. Masse nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
daß das organische cyclische Säureanhydrid aus Phthalsäureanhydrid, Tetrachlorphthalsäureanhydrid, Tetrahydrophthal-
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säureanhydrid, Hexahydrophthalsäureanhydrid, 3»6-Endoxy-Δ -tetrahydr©phthalsäureanhydrid, Maleinsäureanhydrid, α-Chlormaleinsäureanhydrid, a-Phenylmaleinsäureanhydrid, Bernsteinsäureanhydrid oder Pyromellitsäureanhydrid.
6. Masse nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß das organische cyclische Säureanhydrid in einer Menge von etwa 1 bis 15 Gew.%, bezogen auf das Gewicht der gesamten Masse, vorliegt.
7. Masse nach Anspruch 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß die o-Naphthochinondiazidverbindung in einer Menge von etwa 15 bis etwa 50 Gew.% und das filmbildende Harz in einer Menge von etwa 45 bis etwa 79 Gew.%, jeweils bezogen auf das Gewicht der gesamten Masse, vorliegen.
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