DE2149527A1 - Positiv-Photolacke - Google Patents

Positiv-Photolacke

Info

Publication number
DE2149527A1
DE2149527A1 DE19712149527 DE2149527A DE2149527A1 DE 2149527 A1 DE2149527 A1 DE 2149527A1 DE 19712149527 DE19712149527 DE 19712149527 DE 2149527 A DE2149527 A DE 2149527A DE 2149527 A1 DE2149527 A1 DE 2149527A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
resin
composition
phenol
aqueous alkaline
photoresist
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19712149527
Other languages
English (en)
Other versions
DE2149527C2 (de
Inventor
Levine Harold A
Colom Lucas Anthony
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Business Machines Corp
Original Assignee
International Business Machines Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by International Business Machines Corp filed Critical International Business Machines Corp
Publication of DE2149527A1 publication Critical patent/DE2149527A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2149527C2 publication Critical patent/DE2149527C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004—Photosensitive materials
    • G03F7/022—Quinonediazides
    • G03F7/023—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders
    • G03F7/0233—Macromolecular quinonediazides; Macromolecular additives, e.g. binders characterised by the polymeric binders or the macromolecular additives other than the macromolecular quinonediazides
    • G03F7/0236—Condensation products of carbonyl compounds and phenolic compounds, e.g. novolak resins

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
  • Phenolic Resins Or Amino Resins (AREA)

Description

Positiv-Photolacke
Die vorliegende Erfindung betrifft lichtempfindliche Positiv-Photolackzusammensetzungen und insbesondere Positiv-Photolacke auf der Basis von Phenol-Formaldehyd-Novolak oder Resolharz.
Bei Positiv-Photolackzusammensetzungen, wie sie beispielsweise in der US-Patentschrift j5 201 2J59 beschrieben sind, werden alkalilösliche Polymere, wie beispielsweise Pheno!-Formaldehyd -No volakhar ze , zusammen mit lichtempfindlichem Material, das in wässriger alkalischer Lösung unlöslich ist, verwendet. Wenn der Photolack mit aktinischer Strahlung belichtet wird, lösen sich die belichteten Bereiche in wässriger alkalischer Lösung von hohem pH-Wert (Entwickler). Auf diese Weise wird die bildmäßige Belichtung der Photolackschicht verwendet, um ein Reliefmuster von Photolack auf einer Unterlage zu erzeugen, um beispielsweise Masken oder Photolackmuster, wie sie bei der Herstellung von miniaturisierten integrierten elektrischen Komponenten verwendet werden, herzustellen.
Die Empfindlichkeit des Photolacks wird als diejenige Belichtungszeit definiert, die erforderlich ist, um den Sensitivator in einem solchen Ausmaß löslich zu machen, daß die belichtete Photolackschicht vollständig nach Entwicklung in wässrigen alkalischen Lösungen entfernt werden kann. Die Empfindlichkeit ist
209816/1374
2U9527
insbesondere bei Anwendungen von Bedeutung, bei denen eine große Anzahl von Belichtungen erforderlich ist, beispielsweise
bei der Herstellung von Vielfachmustern durch ein Stufen-Wiederholungs-Verfahren, oder in den Fällen, in denen infolge der Art des BelichtungsVerfahrens Licht verminderter Intensität verwendet wird, wie beispielsweise bei der Projektionsbelichtung, bei der das Licht durch eine Reihe von Linsen und monochromatischen Filtern geleitet wird. Die unter Verwendung bekannter Photolackzusammensetzungen erzielbaren Empfindlichkeiten sind unzureichend, um ein praktisches Verfahren zu erreichen, wenn eine Vielzahl von Mehrfachbelichtungen vorgenommen werden muß, um eine Maske oder eine Reihe von Schaltungsmustern auf einer Unterlage zu bilden.
Es wurde nun gefunden, daß die Empfindlichkeit von Positiv-?not°· lacken bis um das Fünffache ohne merkliche Einbuße bezüglich der Auflösung oder Breite der Arbeitsbedingungen erhöht werden kann, indem bestimmte Gemische von Phenol-Formaldehydharzen in einer Positiv-Photolackzusammensetzung verwendet werden.
Die Erfindung betrifft daher eine schnelle Positiv-Photolackzusammensetzung, bei der ein Gemisch von Phenol-Formaldehyd-Novolak- und Resolharzen, die jeweils eine besondere Molekulargewichtsverteilung aufweisen, bestimmt durch ihre Löslichkeiten in wässrigen alkalischen Lösungen, mit üblichen Photosensitivierungsmitteln vom Diazoketontyp verwendet wird.
Erfindungsgemäß wird ein schneller Posotiv-Photolack geschaffen, der eine Zusammensetzung eines Gemischs von
(a) einem ersten Phenol-Formaldehyd-Novolakharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung mit einem pH-Wert von etwa' 12 oder weniger im wesentlichen unlöslich ist,
20981 6/ 1374
2U9527
(b) einem zweiten Phenol-Formaldehyd-Novolak- oder -Resolharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung bei einem pH-Wert von etwa 12 oder weniger rasch löslich ist, und
(c) einem Sensitivator
aufweist.
Der erste Phenol-Formaldehyd-Harzanteil des Photolackgemischs kann durch ein bekanntes Verfahren der säurekatalysierten Kondensation von Formaldehyd mit einem Überschuß eines Phenols hergestellt werden. Geeignete Harze sind beispielsweise in der US-Patentschrift 3 201 2^9 beschrieben. Sie sind prepolymer!- sierte Phenol-Formaldehyd-Harze, die durch Umsetzung von Formaldehyd mit einem Phenol der Formel
hergestellt werden, in der A und B aus der Gruppe von Wasserstoff und Alkylgruppen mit jeweils 1 bis 6 Kohlenstoffatomen gewählt sind. Geeignete Harze haben eine solche Molekulargewichts verteilung, daß sie in wässrigen alkalischen Lösungen bei oder unter einem pH-Wert von etwa 12,0" im wesentlichen unlöslich sind, wie im folgenden noch beschrieben wird. Die Harze haben einen Trübungspunkt einer 1 #-igen Harzlösung in wässrigem Alkali von etwa pH 11,50, wie im nachfolgenden noch beschrieben wird.
Der zweite Harzanteil ist ein Polymer der Pheno1-Formaldehyd-Novolak- oder Resolharz-Klasse, das durch Umsetzung von Formaldehyd mit einem Phenol der Formel
209816/1374
OH
in welcher A und B aus der Gruppe von Wasserstoff und Alkylgruppen mit jeweils 1 bis 6 Kohlenstoffatomen gewählt sind, in üblicher Weise in saurer oder basischer Lösung hergestellt wird. Geeignete Harze sind in einer wässrigen alkalischen Lösung bei einem pH-Wert von etwa 12 rasch löslich und haben einen TrUbungspunkt einer 1 $-igen Harzlösung in wässrigem Alkali im Bereich von etwa 10,5 bis 11,20, wie im folgenden noch beschrieben wird.
Die beiden Harzanteile werden in einem solchen Gewichtsverhältnis vermischt, daß die gewünschte Empfindlichkeitserhöhung erreicht wird. Der begrenzende Faktor ist, daß der zweite Harzanteil nicht in so großen Mengen zugegeben werden sollte, daß das Gemisch ohne Belichtung mit aktinischer Strahlung nach der Zugabe des Sensitivators löslich ist. Im allgemeinen macht der zweite Harzanteil etwa 10 bis etwa JO Gew»-# der Gesamtharzfeststoffe aus.
Geeignete Sensitivatoren sind Dia-zoketone, beispielsweise die in der US-Patentschrift J5 201 239 beschriebenen der Formel
in der R1 einen Naphthochinone 1,2)-diazidrest bedeutet, Rp aus der Gruppe von Wasserstoff und Hydroxyl gewählt ist und
209816/ 1 374
R-, aus der Gruppe von Wasserstoff und Alkyl-, Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy- und Aminogruppen und heterocyclischen Gruppen gewählt ist. Ein Beispiel für eine solche Verbindung ist der 4',2*,3'-Trihydroxybenzophenonester von i-Oxo-2-diazonaphthalin· 5-sulfonsäure.
Die Sensitivatoren werden üblicherweise in Mengen von etwa bis 30 Gew.-# der Harzkomponenten der Photolackzusammensetzung verwendet.
Die Photolackzusammensetzungen werden durch Auflösen der Komponenten in einem geeigneten Lösungsmittel oder Gemisch von Lösungsmitteln hergestellt, so daß die Zusammensetzungen als dünne Filme auf verschiedene Unterlagen als Schicht nach Verdampfen des Lösungsmittels aufgebracht werden können. Zu geeigneten Lösungsmitteln gehören A'üher, Ester und Ketone, wie beispielsweise Methyl- oder Äthylcellosolveacetat, mit oder ohne Zugabe kleiner Mengen an Butylacetat und Xylol; Glykolmonomethyläther; Glykolmonoäthylather; und aliphatische Ketone, wie beispielsweise Methylisobutylketon oder Aceton. Der Peststoffgehalt der Lösung ist nicht besonders kritisch und liegt im allgemeinen im Bereich von etwa 10 bis 40 Gew.-%.
Die folgenden Beispiele, in denen die Teile Gewichtsteile sind, falls es nicht anders angegeben ist, dienen zur weiteren Erläuterung der Erfindung.
Die Lösungsgeschwindigkeiten der Phenol-Pormaldehydharze in alkalischen Lösungen wurden nach der folgenden Arbeitsweise bestimmt: eine 18 gewichtsprozentige Lösung des Harzes in Cellosolveacetat wurde durch Auflösung von 13*5 g Harz in 61,5 g Cellosolveacetat hergestellt. Einige Tropfen der Lösung wurden auf mit Aluminium metallisierte Wafer aufgebracht, die aus der Ruhelage auf 2000 U/min beschleunigt wurden, und so mittels
209816/1374
Spinnbeschichtung aufgebracht. Ein gereinigter Streifen wurde quer über jeden Wafer unter Verwendung eines BaumwoHappens, der mit Cellosolveacetat befeuchtet war, ausgebildet, wonach die Überzüge bei 85°C JO Minuten lang vorerhitzt wurden.
Drei wässrige alkalische Lösungen wurden mit abnehmenden pH-Werten, bestimmt unter Verwendung einer Glaselektrode, die mit Beckman-Pufferlösung von pH 10,08 geeicht war, hergestellt. Die Lösung mit dem höchsten pH-Wert hatte bei Zimmertemperatur einen pH-Wert von 12,55. Sie enthielt etwa 2,5 % Feststoffe, die ein Gemisch von Natriummetasilicat und Natriumphosphat, vorwiegend . Natriumorthophosphat, umfaßten. Die zweite Lösung mit einem pH-Wert von 12,06 wurde durch Zugabe von 9*0 g Natriumbicarbonat zu 1700 ml der ersten Lösung hergestellt. Die dritte Lösung mit einem pH-Wert von 11,19 wurde durch Zugabe von 18 g Natriumbicarbonat zu 1700 ml der ersten Lösung hergestellt. Ein mit Photolack beschichteter mit Streifen versehener Wafer wurde dann in jede Lösung eingetaucht, und die zur Entfernung des Überzugs von dem Wafer erforderliche Zelt wurde visuell beobachtet.
Die Trübungspunkte der Phenol-Formaldehyd-Harze wurden durch Auflösung von 1 g Harz in 50 ml In-NaOH und Titration mit In-HCl vorgenommen, wobei der pH-Wert der Lösung unter Verwendung einer mit Beckman-Pufferlösung von pH 10,10 geeichten Glaselektrode festgestellt wurde. Die Lösung wurde titriert, bis sie infolge einer beginnenden Ausfällung von Harzteilchen mäßig trüb wurde, zu welchem Zeitpunkt der pH-Wert als Trübungspunkt festgestellt wurde.
209816/1374
Beispiel. 1
Es wurden diel Positiv-Photolackzusammensetzungen hergestellt.
Die erste Zusammensetzung (i) war eine übliche Zusammensetzung, die m-Kresol-Formaldehyd-Novolakharζ enthielt, das einen Trübungspunkt, bestimmt nach dem oben beschriebenen Verfahren, von pH 11,3 und eine Löslichkeitsgeschwindigkeit für vollständige Überzugsentfernung, bestimmt nach dem oben beschriebenen Verfahren, von etwa 90 Sekunden bei pH 12,55 besaß. Die Zusammensetzung war bei pH 12,Οβ und 11,19 praktisch unlöslich. Das Harz wurde in einem Lösungsmittel aus 83 % Kthylcellosolveacetat,
9 % n-Butylacetat und 8 % Xylol zusammen mit einem typischen Diazoketonsensitivator, dem 4*,2',3*-Trihydroxybenzophenonester von 1-0xo-2-diazonaphthalin-5-sulfonsäure, wie er beispielsweise in der US-Patentschrift 3 201 239 beschrieben ist, gelöst. Der Feststoffgehalt der Lösung betrug etwa 17 %, von denen etwa ein Viertel der Sensitivator ausmachte.
Eine zweite Zusammensetzung (II) wurde hergestellt, indem zu
10 ml der ersten Zusammensetzung 2 ml einer 18 gewichtsprozentigen Lösung eines m-Kresol-Formaldehyd-Novolakharzes mit einer Löslichkeitsgeschwindigkeit von weniger als etwa 10 Sekunden bei pH-Werten von 12,55* 12,06 und 11,19 und einem Trübungspunkt von pH 10,40, bestimmt nach den oben angegebenen Arbeitsweisen, in dem gleichen Lösungsmittelgemisch zugegeben wurden.
Die dritte Zusammensetzung (II a) wurde unter Verwendung der gleichen Harze wie bei der zweiten Zusammensetzung mit der Ausnahme hergestellt, daß die Mengenanteile 8 ml der ersten Zusammensetzung zu 4 ml der zugesetzten Harzlösung betrugen.
Die drei Harzzusammensetzungen wurden auf chromüberzogene Glasplatten durch Spinnbeschichtung mit 2000 U/min aufgebracht und 30 Minuten bei 75 bis 80°C vorerhitzt, um Überzüge von etwa 0,55 bis Ο,65μ Dicke zu erhalten. Die Überzüge wurden durch
209816/ 1374
ein Maskenmuster mit einer 200 Watt Quecksilberlampe 4 bis 18 Sekunden lang, je nach der Empfindlichkeit des Photolacks, belichtet, wobei ein Kontaktkopierer unter Zwischenschaltung eines in Prozent-Transmission, kalibrierter Stufenkeil aus Inconel auf Glas verwendet wurde. Die belichteten Überzüge wurden 60 Sekunden unter Verwendung eines üblichen alkalischen Entwicklers für Positiv-Photolacke entwickelt, der aus einer wässrigen Lösung mit etwa 2,5 Gew.-^ Feststoffen bestand; die ein Gemisch von Natriummetasilicat und Natriumphosphat s. hauptsächlich Natriumorthophosphat, umfaßten, wobei der pH-Wert bei Zimmertemperatur etwa 12,55 betrug. Die Empfindlichkeit wurde als minimale Belichtungszeit (MBZ) für eine vollständige Entfernung des belichteten Photolackuntergrunds in einem Bildbereich unter dem Stufenkeil bewertet, Die Berechnung erfolgte durch Multiplikation der Belichtungszeit in Sekunden mit der prozentualen Transmission des Stufenkeils., die dem vollständig entfernten Photolack entspricht. Es wurden die in der nachfolgenden Tabelle I angegebenen Ergebnisse erhalten,
Tabelle 1
Zusammen- ml erster ml zweiter MBZ, relative setzung Novolak Novolak Sekunden Empfindlichkeit
I 10 0 8,0 Jt
II 10 2 1,6 5 II a 8 4 χ
χ der unbelichtete Photolack wurde weggewaschen
Aus den Daten ist ersichtlich, daß eine große Empfinälioiikeits* erhöhung durch Zugabe des zweiten Harzes unter Bildung der Zusammensetzung II erzielt wurde. Das zweite lic%z 2 ll'~ _„. ϊ ζ übermäßigen Mengen zugegeben werder ρ -* *_- - -'·« zzik belichteten Fhotclacks bewirken, wie · :* " ~.s»t- -.^ II a der Fall war. Die bei der Beliclvsiii £ '- ,u > - - ^
2 ü S 3 1 8 / 1 3 7 i
schnellen Photolackzusammensetzung II erhaltene Bildqualität war der des üblichen Photolacks der Zusammensetzung I vergleichbar.
Beispiel 2
Die erste und die zweite Photolackzusammensetzung von Beispiel 1 wurden auf Chrom-Glasplatten als Schicht aufgebracht und unter Verwendung der in Beispiel 1 beschriebenen Arbeitsweise belichtet. Die belichteten Überzüge wurden für verschiedene Zeitspannen sowohl mit dem in Beispiel 1 verwendeten Entwickler als auch mit einem verdünnten Entwickler, der etwa 1,7 # Feststoffe enthielt, entwickelt, wie es in der nachfolgenden Tabelle II gezeigt ist. Die minimale Belichtungszeit (MBZ) und die relativen Empfindlichkeiten wurden wie in Beispiel 1 bestimmt.
Tabelle
I I
Entwicklungs
zeit, see		 Entwickler
% Peststoffe		 MBZ Zu
sammen
setzung
I		 MBZ Zu
sammen
setzung
II		 relative
Emfpind-
lichkeit
20 2,5 10,5 5,0 5,5
60 2,5 8,0 1,6 5,0
180 2,5 5,9 0,5+ 10,2
60 1,7 15,5 5,8 5,6
180 1,7 8,9 2,1 4,2
560 1,7 7,5 6,6
reduzierte Lackkanten
Aus den Daten der Tabelle II ist ersichtlich, daß die optimale relative Empfindlichkeit zur Erzielung vergleichbarer Bilder durch Variation der Entwicklungsbedingungen mit längern Entwicklungszeiten erreicht werden kann, was den erfindungsgemäßen
209816/1374
2U9527
- ίο -
Harzgemischen eine größere relative Belichtungsempfindlichkeit gegenüber den üblichen Harzen gibt. Diese Optimierung ergibt erfindungsgemäße Zusammensetzungen mit einer größeren Gesamtempfindlichkeit gegenüber üblichen Positiv-Photolacken trotz der längeren
Entwicklungszeit, wenn eine stufenweise wiederholte Belichtung erforderlich ist, beispielsweise 10 bis 100 Belichtungen, um ein vollständiges Muster oder eine Reihe von Mustern zu erhalten. Die zur Erzielung optimaler Empfindlichkeit in diesem Falle erforderliche etwas längere Entwicklungszeit wird verhältnismäßig bedeutungslos. Die größere Empfindlichkeit schafft auch ein praktisch verwendbares Photolacksystem, wenn Lichtquellen verminderter oder begrenzter Intensität verwendet werden müssen, wie beispielsweise in Projektionsbelichtungsverfahren und DirektverkleinerungsbelichtungsverfahreFx. Dies ist insbesondere in den Fällen von Wert, in denen hochgradig gefilterte monochromatische Belichtungsquellen mit demzufolge stark verminderter Intensität erwünscht sind.
Beispiel 3
Eine Photolackzusammensetzung wurde durch Vermischen verschiedener Mengen der Zusammensetzung I von Beispiel 1 mit einem m-Kresol-Phenol-Formaldehyd-Novolakharz mit einer Lösungsgeschwindigkeit von weniger als 15 Sekunden bei pH-Werten von 12,55 und 12,Οβ hergestellt, wobei dieses Harz nach 5 Minuten bei einem pH-Wert von 11,19 praktisch unlöslich war und einen Trübungspunkt bei pH 11,15 besaß.
Überzüge auf Chrom-Glasplatten wurden belichtet und entwickelt, wobei die Arbeitsweisen von Beispiel 1 angewendet wurden. Die Ergebnisse sind in der nachfolgenden Tabelle III angegeben.
209816/1374
Tabelle III
2Π9527
Zusammen
setzung		 ml erster
Novolak
I 10
III a 11'
III b 10
III c 8
18 Gew.-^ m-Kresol- relative
Phenol-Formaldehyd- MBZ Empfind-
harz lichkeit
0 . 9,2 1
1 6,6 1,4
2 3,6 2,6
4 +
+tei!weise ausgewaschene dünne Bilder
Aus den Ergebnissen der Tabelle III ist ersichtlich, daß eine relative Empfindlichkeitserhöhung von zumindest 2,6 gegenüber dem üblichen Harz mit der Zusammensetzung III b ohne merklichen Verlust an Bildqualität erzielt wurde.
Beispiel 4
Mit Photolack überzogene Chrom-Glasplatten wurden in einem Mann-Photoautomat 1595 mit einem Einzelsegment bei 10-facher Verkleinerung mit um jeweils 1/2 Sekunden längeren Belichtungszeiten belichtet.
Die Zusammensetzung I von Beispiel 1 erforderte eine MBZ von 7,5 Sekunden für eine vollständige Ablösung des belichteten Photolacks. Eine Zusammensetzung IV, die 8 ml der Zusammensetzung I und 4 ml einer 18 gewichtsprozentigen Lösung eines Phenol-Formaldehyd-Resolharzes mit einer LÖslichkeitsgeschwin-^- digkeit von weniger als JO Sekunden bei pH 12,0 und einem Trübungspunkt unter 11,3 (Phenodur 373U, Hoechst) enthielt, ergab bei Belichtung und Entwicklung in der gleichen Weise eine MBZ von nur 2,0 Sekunden oder eine relative Empfindlichkeit, die zwischen drei- und viermal höher war.
20931S/1374
2U9527
Beispiel 5
Eine Photolackzusammensetzung V, die 2 ml einer 18-gewichtsprozentigen Lösung eines m-Kresol-Formaldehyd-Novolakharzes und 10 ml der Zusammensetzung I von Beispiel 1 enthielt, wurde hergestellt. Das Harz hatte eine Lösungsgeschwindigkeit von weniger als 15 Sekunden bei pH-Werten von 12,55 und 12,06 und etwa 30 Sekunden bei pH 11,19 und einen Trübungspunkt von pH 10*68. Die Zusammensetzung wurde auf Chrom-Glas als Überzug aufgebracht und ergab eine MBZ von 2,2 Sekunden oder eine dreifache Erhöhung gegenüber einer Vergleichsprobe aus der Zusammensetzung I allein, Das Bild wurde nacherhitzt 3 -und das Chrom wurde unter Verwendung üblicher Arbeitsweisen ohne . Schwierigkeit geätzt, um eine Chrommaske hoher Qualität zu ergeben.
Die obigen Beispiele zeigen die große Empfindlichkeitserhöhung, die durch Verwendung der erfindungsgemäßen Zusammensetzungen erzielbar ist.
Die erfindungsgemäSen Zusammensetzungen sind insbesondere vorteilhaft, wenn die Belichtungsempfindlichkeit die Verwendbarkeit eines Photolackverfahrens begrenzt, wie beispielsweise bei dem Stufen-Wiederholungsbelichtungsverfahren, bei dem automatisierten Belichtungsverfahren oder bei dem Projektionsvervielfaltigungsverfahren.

Claims (8)

  1. 2H9527 - 13 -
    Patentansprüche
    (jy Photolackzusammensetzung, gekennzeichnet durch ein Gemisch aus
    (a) einem ersten Phenol-Formaldehyd-Novolakharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung mit einem pH-Wert von 12 oder weniger im wesentlichen unlöslich ist,
    (b) einem zweiten Phenol-Formaldehyd-Novolak- oder Resolharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung bei einem pH-Wert von 12 oder weniger rasch löslich ist, und
    (c) einem Sensitivator.
  2. 2. Zusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Harzanteil 10 bis 30 Gew.-# der Gesamtharzfeststoffe ausmacht.
  3. 3. Zusammensetzung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensitivator in Mengen von 12 bis 30 Gew.-% der Harzkomponenten der Harzzusammensetzung vorhanden ist.
  4. 4. Zusammensetzung nach einem der vorhergehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß der Sensitivator der allgemeinen Formel
    Il
    R2
    209816/ 1 374
    entspricht, in der R1 ein Naphthochinone 1,2)-diazidrest ist und R2 ein Wasserstpffatom oder ein Alkyl-, Aryl-, Alkoxy-, Aryloxy- oder Aminorest oder ein heterocycliseher Rest ist.
  5. 5. Photolacküberzugszusammensetzung, gekennzeichnet durch ein Gemisch aus
    (a) einem ersten Phenol-Formaldehyd-Novolakharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung mit einem pH-Wert von 12
    | oder darunter im wesentlichen unlöslich ist,
    (b) einem zweiten Phenol-Formaldehyd-Novolak- oder Resolharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung bei einem pH-Wert von 12 oder darunter rasch löslich ist,
    (c) einem Sensitivator und
    (d) einem organischen Lösungsmittel.
  6. 6. Photolackmaterial, gekennzeichnet durch eine auf einer Unterlage befindliche Schicht mit einem Gehalt an einem Gemisch aus
    (a) einem ersten Phenol-Formaldehyd-Novolakharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung mit einem pH-Wert von 12 oder darunter im wesentlichen unlöslich ist,
    (b) einem zweiten Phenol-Formaldehyd-Novolak- oder Resolharzanteil, der in einer wässrigen alkalischen Lösung bei einem pH-Wert von 12 oder darunter rasch löslich ist, und
    (c) einem Sensitivator.
    209816/1374
    r 15 -
  7. 7. Photolackmaterial nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Harzanteil in einer solchen Gewientsmenge, bezogen auf das Gewicht des ersten Harzanteils, vorliegt, daß die Zusammensetzung in wässrigem Alkali bei einem pH-Wert von 12,5 vor der Belichtung im wesentlichen unlöslich, jedoch nach der Belichtung in wässrigem Alkali bei einem pH-Wert von 12,5 leicht löslich ist.
  8. 8. Photolackmaterial nach Anspruch 5* dadurch gekennzeichnet, daß der zweite Harzanteil 10 bis 30 Gew.-# der Gesamtharzfesz*> stoffe ausmacht.
    209816/1374 __^
    ORIGINAL INSPECTED
DE2149527A 1970-10-06 1971-10-04 Positiv arbeitende lichtempfindliche Gemische Expired DE2149527C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US7861070A 1970-10-06 1970-10-06

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2149527A1 true DE2149527A1 (de) 1972-04-13
DE2149527C2 DE2149527C2 (de) 1983-02-24

Family

ID=22145146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2149527A Expired DE2149527C2 (de) 1970-10-06 1971-10-04 Positiv arbeitende lichtempfindliche Gemische

Country Status (5)

Country Link
US (1) US3666473A (de)
JP (1) JPS5423570B1 (de)
DE (1) DE2149527C2 (de)
FR (1) FR2109715A5 (de)
GB (1) GB1329886A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2512933A1 (de) * 1974-03-25 1975-10-02 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche planographische druckplatte
DE2657922A1 (de) * 1975-12-26 1977-07-07 Fuji Photo Film Co Ltd Strahlungsempfindliche massen
DE2723944A1 (de) * 1976-06-30 1978-01-05 Ibm Anordnung aus einer strukturierten schicht und einem muster festgelegter dicke und verfahren zu ihrer herstellung

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1375461A (de) * 1972-05-05 1974-11-27
US3982943A (en) * 1974-03-05 1976-09-28 Ibm Corporation Lift-off method of fabricating thin films and a structure utilizable as a lift-off mask
US4123279A (en) * 1974-03-25 1978-10-31 Fuji Photo Film Co., Ltd. Light-sensitive o-quinonediazide containing planographic printing plate
FR2274072A1 (fr) * 1974-06-06 1976-01-02 Ibm Procede de formation d'images en materiau photoresistant, applicable notamment dans l'industrie des semi-conducteurs
US4191573A (en) * 1974-10-09 1980-03-04 Fuji Photo Film Co., Ltd. Photosensitive positive image forming process with two photo-sensitive layers
US4174222A (en) * 1975-05-24 1979-11-13 Tokyo Ohka Kogyo Kabushiki Kaisha Positive-type O-quinone diazide containing photoresist compositions
US4009033A (en) * 1975-09-22 1977-02-22 International Business Machines Corporation High speed positive photoresist composition
US4211834A (en) * 1977-12-30 1980-07-08 International Business Machines Corporation Method of using a o-quinone diazide sensitized phenol-formaldehyde resist as a deep ultraviolet light exposure mask
US4289845A (en) * 1978-05-22 1981-09-15 Bell Telephone Laboratories, Inc. Fabrication based on radiation sensitive resists and related products
US4284706A (en) * 1979-12-03 1981-08-18 International Business Machines Corporation Lithographic resist composition for a lift-off process
JPS57192952A (en) * 1981-05-25 1982-11-27 Konishiroku Photo Ind Co Ltd Composition of developing solution
US4587196A (en) * 1981-06-22 1986-05-06 Philip A. Hunt Chemical Corporation Positive photoresist with cresol-formaldehyde novolak resin and photosensitive naphthoquinone diazide
US4377631A (en) * 1981-06-22 1983-03-22 Philip A. Hunt Chemical Corporation Positive novolak photoresist compositions
US4529682A (en) * 1981-06-22 1985-07-16 Philip A. Hunt Chemical Corporation Positive photoresist composition with cresol-formaldehyde novolak resins
US4397937A (en) * 1982-02-10 1983-08-09 International Business Machines Corporation Positive resist compositions
US4550069A (en) * 1984-06-11 1985-10-29 American Hoechst Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US5066561A (en) * 1984-06-11 1991-11-19 Hoechst Celanese Corporation Method for producing and using a positive photoresist with o-quinone diazide, novolak, and propylene glycol alkyl ether acetate
US5143814A (en) * 1984-06-11 1992-09-01 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist compositions with o-quinone diazide, novolak and propylene glycol alkyl ether acetate
JPS616647A (ja) * 1984-06-20 1986-01-13 Konishiroku Photo Ind Co Ltd ポジ型感光性平版印刷版用感光性組成物
US4588670A (en) * 1985-02-28 1986-05-13 American Hoechst Corporation Light-sensitive trisester of O-quinone diazide containing composition for the preparation of a positive-acting photoresist
US4732840A (en) * 1985-03-22 1988-03-22 Fuji Photo Film Co., Ltd. Planographic printing plate method using light sensitive material including phenolic resol with dibenzylic ether groups
JPS62123444A (ja) 1985-08-07 1987-06-04 Japan Synthetic Rubber Co Ltd ポジ型感放射線性樹脂組成物
EP0226741B1 (de) * 1985-10-25 1989-08-02 Hoechst Celanese Corporation Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists
US4692398A (en) * 1985-10-28 1987-09-08 American Hoechst Corporation Process of using photoresist treating composition containing a mixture of a hexa-alkyl disilazane, propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
US5039594A (en) * 1985-10-28 1991-08-13 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist containing a mixture of propylene glycol alkyl ethers and propylene glycol alkyl ether acetate
US4806458A (en) * 1985-10-28 1989-02-21 Hoechst Celanese Corporation Composition containing a mixture of hexa-alkyl disilazane and propylene glycol alkyl ether and/or propylene glycol alkyl ether acetate
US4948697A (en) * 1985-10-28 1990-08-14 Hoechst Celanese Corporation Positive photoresist with a solvent mixture of propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
US4983490A (en) * 1985-10-28 1991-01-08 Hoechst Celanese Corporation Photoresist treating composition consisting of a mixture of propylene glycol alkyl ether and propylene glycol alkyl ether acetate
EP0239423B1 (de) * 1986-03-28 1996-03-20 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Positiv arbeitende photoempfindliche Kunststoffzusammensetzung
US4732837A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US5035976A (en) * 1986-05-02 1991-07-30 Hoechst Celanese Corporation Photosensitive article having phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acid halide substituents
US4732836A (en) * 1986-05-02 1988-03-22 Hoechst Celanese Corporation Novel mixed ester O-quinone photosensitizers
US4902785A (en) * 1986-05-02 1990-02-20 Hoechst Celanese Corporation Phenolic photosensitizers containing quinone diazide and acidic halide substituents
US5162510A (en) * 1986-05-02 1992-11-10 Hoechst Celanese Corporation Process for the preparation of photosensitive compositions containing a mixed ester o-quinone photosensitizer
US5077378A (en) * 1986-10-02 1991-12-31 Hoechst Celanese Corporation Polyamide containing the hexafluoroisopropylidene group
JP2590342B2 (ja) * 1986-11-08 1997-03-12 住友化学工業株式会社 ポジ型フォトレジスト用ノボラック樹脂及びそれを含有するポジ型フォトレジスト組成物
US5753406A (en) * 1988-10-18 1998-05-19 Japan Synthetic Rubber Co., Ltd. Radiation-sensitive resin composition
JP2640137B2 (ja) * 1989-02-28 1997-08-13 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JP2645587B2 (ja) * 1989-03-29 1997-08-25 富士写真フイルム株式会社 微細パターン形成材料及び微細パターン形成方法
US5145763A (en) * 1990-06-29 1992-09-08 Ocg Microelectronic Materials, Inc. Positive photoresist composition
JP2711590B2 (ja) * 1990-09-13 1998-02-10 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
JPH05158233A (ja) * 1991-12-04 1993-06-25 Fuji Photo Film Co Ltd ポジ型フオトレジスト組成物
JP2761822B2 (ja) * 1992-02-12 1998-06-04 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フオトレジスト組成物
WO1994008275A1 (en) * 1992-09-28 1994-04-14 Hoechst Celanese Corporation Positive-working photoresist composition
US5371169A (en) * 1992-09-28 1994-12-06 Hoechst Celanese Corporation Novolak resin mixtures
US5374693A (en) * 1992-12-29 1994-12-20 Hoechst Celanese Corporation Novolak resin blends for photoresist applications
US5614349A (en) * 1992-12-29 1997-03-25 Hoechst Celanese Corporation Using a Lewis base to control molecular weight of novolak resins
KR0178475B1 (ko) * 1995-09-14 1999-03-20 윤덕용 신규한 n-비닐락탐 유도체 및 그의 중합체
US5853947A (en) * 1995-12-21 1998-12-29 Clariant Finance (Bvi) Limited Quinonediazide positive photoresist utilizing mixed solvent consisting essentially of 3-methyl-3-methoxy butanol and propylene glycol alkyl ether acetate
JP3562673B2 (ja) 1996-01-22 2004-09-08 富士写真フイルム株式会社 ポジ型フォトレジスト組成物
JP3591672B2 (ja) 1996-02-05 2004-11-24 富士写真フイルム株式会社 ポジ型感光性組成物
US5936071A (en) * 1998-02-02 1999-08-10 Clariant Finance (Bvi) Limited Process for making a photoactive compound and photoresist therefrom
AU4072799A (en) 1998-05-12 1999-12-13 American Home Products Corporation 2,3,5-substituted biphenyls useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
US6221902B1 (en) 1998-05-12 2001-04-24 American Home Products Corporation Biphenyl sulfonyl aryl carboxylic acids useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
US6110963A (en) * 1998-05-12 2000-08-29 American Home Products Corporation Aryl-oxo-acetic acids useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
US6232322B1 (en) 1998-05-12 2001-05-15 American Home Products Corporation Biphenyl oxo-acetic acids useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
US6699896B1 (en) 1998-05-12 2004-03-02 Wyeth Oxazole-aryl-carboxylic acids useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
US6063815A (en) * 1998-05-12 2000-05-16 American Home Products Corporation Benzopenones useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
US6451827B2 (en) * 1998-05-12 2002-09-17 Wyeth 2,3,5-substituted biphenyls useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
CA2338523A1 (en) 1998-08-18 2000-03-02 3M Innovative Properties Company Polymers having silicon-containing acetal or ketal functional groups
JP3968177B2 (ja) 1998-09-29 2007-08-29 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細レジストパターン形成方法
US6358675B1 (en) 1998-10-02 2002-03-19 3M Innovative Properties Company Silicon-containing alcohols and polymers having silicon-containing tertiary ester groups made therefrom
KR100690227B1 (ko) 1998-12-10 2007-03-20 에이제토 엘렉토로닉 마티리알즈 가부시키가이샤 포지티브형 감광성 수지 조성물
KR100314761B1 (ko) 1999-03-03 2001-11-17 윤덕용 노르보르넨에 콜릭산, 디옥시콜릭산 또는 리소콜릭산 유도체를 결합시킨 단량체를 이용한 중합체 및 이를 함유하는 포토레지스트 조성물
US6310081B1 (en) 1999-05-10 2001-10-30 American Home Products Corporation Biphenyl sulfonyl aryl carboxylic acids useful in the treatment of insulin resistance and hyperglycemia
EP1143298A1 (de) 1999-10-07 2001-10-10 Clariant International Ltd. Lichtempfindliche zusammensetzung
KR100749494B1 (ko) 2001-04-03 2007-08-14 삼성에스디아이 주식회사 화학증폭형 네가티브 포토레지스트용 중합체 및 포토레지스트 조성물
JP4213366B2 (ja) * 2001-06-12 2009-01-21 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 厚膜レジストパターンの形成方法
JP4237430B2 (ja) * 2001-09-13 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物
EP1468335A4 (de) * 2002-01-11 2006-05-17 Az Electronic Materials Usa Reinigungsmittelzusammensetzung für einen positiv- oder negativ-fotoresist
US6989227B2 (en) 2002-06-07 2006-01-24 Applied Materials Inc. E-beam curable resist and process for e-beam curing the resist
US6866986B2 (en) 2002-07-10 2005-03-15 Cypress Semiconductor Corporation Method of 193 NM photoresist stabilization by the use of ion implantation
US7255972B2 (en) * 2002-10-23 2007-08-14 Az Electronic Materials Usa Corp. Chemically amplified positive photosensitive resin composition
JP2004177683A (ja) * 2002-11-27 2004-06-24 Clariant (Japan) Kk 超高耐熱ポジ型感光性組成物を用いたパターン形成方法
JP4235466B2 (ja) * 2003-02-24 2009-03-11 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法
JP4012480B2 (ja) * 2003-03-28 2007-11-21 Ａｚエレクトロニックマテリアルズ株式会社 微細パターン形成補助剤及びその製造法
KR101042667B1 (ko) * 2004-07-05 2011-06-20 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 조성물
US20070082432A1 (en) * 2005-09-06 2007-04-12 Lee Wai M Variable exposure photolithography
US7314810B2 (en) * 2006-05-09 2008-01-01 Hynix Semiconductor Inc. Method for forming fine pattern of semiconductor device
US7923200B2 (en) * 2007-04-09 2011-04-12 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam
JP5069494B2 (ja) * 2007-05-01 2012-11-07 ＡｚエレクトロニックマテリアルズＩｐ株式会社 微細化パターン形成用水溶性樹脂組成物およびこれを用いた微細パターン形成方法
US7745077B2 (en) * 2008-06-18 2010-06-29 Az Electronic Materials Usa Corp. Composition for coating over a photoresist pattern
CN112506004A (zh) * 2020-12-29 2021-03-16 安徽邦铭新材料科技有限公司 一种用于液晶设备的正型光刻胶组合物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3201239A (en) * 1959-09-04 1965-08-17 Azoplate Corp Etchable reproduction coatings on metal supports
US3526503A (en) * 1967-03-08 1970-09-01 Eastman Kodak Co Photoresist composition

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3201239A (en) * 1959-09-04 1965-08-17 Azoplate Corp Etchable reproduction coatings on metal supports
US3526503A (en) * 1967-03-08 1970-09-01 Eastman Kodak Co Photoresist composition

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2512933A1 (de) * 1974-03-25 1975-10-02 Fuji Photo Film Co Ltd Lichtempfindliche planographische druckplatte
DE2657922A1 (de) * 1975-12-26 1977-07-07 Fuji Photo Film Co Ltd Strahlungsempfindliche massen
DE2723944A1 (de) * 1976-06-30 1978-01-05 Ibm Anordnung aus einer strukturierten schicht und einem muster festgelegter dicke und verfahren zu ihrer herstellung

Also Published As

Publication number Publication date
FR2109715A5 (de) 1972-05-26
GB1329886A (en) 1973-09-12
JPS5423570B1 (de) 1979-08-15
US3666473A (en) 1972-05-30
DE2149527C2 (de) 1983-02-24

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2149527A1 (de) Positiv-Photolacke
EP0164620B1 (de) Positiv-arbeitende strahlungsempfindliche Beschichtungslösung
DE3626578C2 (de)
DE3603372C2 (de) Positiv wirkendes lichtempfindliches Gemisch
DE2733267C2 (de) Photolack
DE3720017C2 (de)
EP0244762A2 (de) Positiv-arbeitendes lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
EP0525627B1 (de) Oligomere Verbindungen mit säurelabilen Schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch
EP0301332B1 (de) Positiv-Fotoresist-Zusammensetzungen
EP0243964B1 (de) Positiv-arbeitendes lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3714577C2 (de)
DE3123752C2 (de)
DE3127754A1 (de) Lichtempfindliches gemisch auf basis von o-naphthochinondiaziden und daraus hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3626582C2 (de)
EP0176871A2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Photoresists
DE3811040A1 (de) Im nahen uv hochaufloesende positiv-fotoresists
DE3810631A1 (de) Positiv arbeitendes lichtempfindliches gemisch und daraus hergestelltes aufzeichnungsmaterial mit hohem waermestand
EP0525626B1 (de) Verbindungen mit säurelabilen Schutzgruppen und damit hergestelltes positiv arbeitendes strahlungsempfindliches Gemisch
EP0244763B1 (de) Positiv-arbeitendes lichtempfindliches Gemisch und daraus hergestelltes lichtempfindliches Aufzeichnungsmaterial
DE3839906A1 (de) Positiv arbeitende lichtempfindliche zusammensetzung, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
DE3040156A1 (de) Lichtempfindliches gemisch und damit hergestelltes lichtempfindliches kopiermaterial
DE3927693C2 (de) Entwicklerlösung für positiv wirkende strahlungsempfindliche Gemische
DE3842896C2 (de) Positiv arbeitende lichtempfindliche Zusammensetzung
EP0226741B1 (de) Verfahren zur Herstellung eines positiv arbeitenden Photoresists
EP0563663B1 (de) 1,2-Naphthochinon-2-diazid-sulfonsäureester, damit hergestelltes strahlungsempfindliches Gemisch und strahlungsempfindliches Aufzeichnungsmaterial

Legal Events

Date Code Title Description
OD Request for examination
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee