DE3626582C2 - - Google Patents
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- DE3626582C2 DE3626582C2 DE19863626582 DE3626582A DE3626582C2 DE 3626582 C2 DE3626582 C2 DE 3626582C2 DE 19863626582 DE19863626582 DE 19863626582 DE 3626582 A DE3626582 A DE 3626582A DE 3626582 C2 DE3626582 C2 DE 3626582C2
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Description
Die Erfindung betrifft ein lichtempfindliches Gemisch,
das insbesondere zum Aufbringen eines feinen
Bildmusters einer Photoresistschicht bei der Herstellung
von Halbleitervorrichtungen, wie integrierten Schaltungen
mit hoher und sehr hoher Integrationsdichte (LSI, VLSI),
geeignet ist.
Durch die neuesten Fortschritte in der Halbleitertechnik
besteht ein schnell steigender Bedarf für programmgesteuerte
Instrumente einschließlich beispielsweise Computer für
Industriezwecke, Instrumente zur Automatisierung von Büros
oder Personalcomputer, und folglich müssen Halbleitervorrichtungen,
wie integrierte Schaltungen, eine immer größere
Dichte oder einen immer höheren Integrationsgrad aufweisen.
Nachdem integrierte Schaltungen bisher eine Dichte von 256
Kilobits aufweisen mußten, besteht jetzt ein immer größerer
Bedarf für integerierte Schaltungen mit sehr hoher Integrationsdichte,
beispielsweise von einem Megabit oder darüber.
Diese hohe Integrationsdichte in integrierten Schaltungen
mit sehr großer Integrationsdichte (VLSI) verlangt natürlich
das Aufbringen von extrem feinen Mustern auf den Halbleiterscheiben
im sogenannten Submikronenbereich. So beträgt beispielsweise
der Mindestlinienabstand, der mit hoher Genauigkeit
in der Photoresistschicht wiedergegeben werden muß,
etwa 2 µm in dynamischen Speichervorrichtungen (DRAM) mit
256 Kilobits, etwa 1,0 bis 1,3 µm in 1 Megabit-DRAM und etwa
0,7 bis 0,8 µm in 4 Megabit-DRAM; die Verfahren zur Herstellung
von Bildmustern müssen an diese extrem hohe Genauigkeit
angepaßt werden.
Bekanntlich erfolgt das Aufbringen des Musters auf die Halbleiterscheibe
bei der Herstellung von integrierten Schaltungen
durch Photolitographie unter Verwendung einer Photoresistzusammensetzung.
Von den positiv- und negativ arbeitenden
Photoresistzusammensetzungen werden allgemein die
positiv arbeitenden bei der Herstelllung von feinen Bildmustern
bevorzugt, in denen eine sehr genaue Reproduktion
eines Linienmusters mit einer Breite von 1 bis 2 µm wesentlich ist.
Die Hauptbestandteile der meisten herkömmlichen positiv arbeitenden
Photoresistzusammensetzungen sind ein alkalilösliches
Novolak-Harz als filmbildende Komponente und eine
Chinon-diazidverbindung als durch Licht zersetzbare oder
lichtempfindliche Komponente in Form eines Gemisches.
Typische lichtempfindliche Verbindungen des Chinon-diazidtyps
sind Sulfonsäureester aus einer Naphthochinon-diazidsulfonsäure
und einer Verbindung mit mindestens einer phenolischen
Hydroxylgruppe (vgl. US-A 34 02 044) sowie andere
Ester (vgl. US-A 30 46 118, 31 06 465 und 31 48 983).
So beschreibt EP-B 21 716 z. B. eine photoempfindliche Zusammensetzung,
die als lichtempfindliches Material ein Kondensationsprodukt
aus einem o-Benzochinondiazid- oder o-
Naphtochinondiazid-sulfonylchlorid mit einem Polyhydroxyphenolharz
enthält.
In der DE-A-26 16 992 wird ein lichtempfindliches Material
zur Herstellung von Druckformen und Ätzresistagen beschrieben,
in dem die lichtempfindliche Schicht ein nicht
vernetzter Novolak aus einem Isomerengemisch von m- und
p-Cresol und Formaldehyd mit einer durchschnittlichen Molekülmasse
von 1200-3800 ist.
Als filmbildenden Bestandteil der Photoresistzusammensetzung
wurden verschiedene typische alkalilöslische Novolak-Harze
vorgeschlagen, wie Phenol-Formaldehyd-Novolak-Harze (vgl.
US-A 34 02 044) und Cresol-Novolak-Harze (vgl. Elektrochemistry
and Industrial Physical Chemistry, Band 48, Seite 584
(1980)). So lehrt die JP-A 59 17 112, daß die Empfindlichkeit
einer positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzung,
die ein Cresol-Novolak-Harz als filmbildende
Komponente enthält, verbessert werden kann durch entsprechende
Wahl des Anteils an Cresolisomeren in dem zur
Herstellung des Novolaks verwendeten Cresols.
Die Photoresistschicht kann entweder durch direkten Kontakt
oder durch verkleinernde Projektion belichtet werden. Bei
der Kontaktbelichtung wird die auf der Oberfläche der
Halbleiterscheibe gebildete Photoresistschicht durch eine
Photomaske mit dem aufzubringenden Muster in direktem
Kontakt mit der Photoresistschicht belichtet. Dieses
Verfahren ist in Bezug auf den Kontrast des Bildmusters
günstig, d. h. es kann ein Muster der Photoresistschicht mit
einem beträchtlichen Kontrast erhalten werden, selbst dann,
wenn die verwendete Photoresistschicht in Bezug auf Kontrast
und Genauigkeit der Musterwiedergabe von geringer Qualität ist.
Das Verfahren hat jedoch auch einige Nachteile und Probleme:
So kann beispielsweise die Photomaske gelegentlich mechanisch
als natürliche Folge des direkten Kontakts mit der
Photoresistschicht bei jeder Belichtung beschädigt werden,
so daß bei der Handhabung der Photomaske außerordentliche
Vorsicht notwendig ist und eine gute Qualität der Photomasken
nur mit beträchtlichen Kosten erhalten werden kann.
Außerdem muß das Muster auf der Photomaske von der gleichen
Größe wie das zu reproduzierende Muster sein, so daß eine
gemusterte Photomaske mit einer derartigen Genauigkeit unvermeidlich
sehr teuer ist, insbesondere dann, wenn die
Linienbreite des Bildmusters im Submikronenbereich liegt.
Bei der Belichtung durch verkleinernde Projektion kann
andererseits das Bildmuster auf der gemusterten Photomaske
bis zu 5 bis 10 mal größer sein als das zu reproduzierende
Photoresistbildmuster, so daß eine sehr genaue Photomaske
zum Aufbringen eines Musters im Submikronenbereich mit
relativ niedrigen Kosten erhalten werden kann. Nachteilig
ist dieses Verfahren jedoch in Bezug auf den Lichtkontrast
zwischen den zu belichtenden und nicht zu belichtenden Flächen
im Vergleich zur Belichtung durch direkten Kontakt der
Photomasken. Deshalb ist die Belichtung durch verkleinernde
Projektion nur dann zur Reproduktion eines Bildmusters von
hoher Genauigkeit anwendbar, wenn die Photoresistzusammensetzung
als solche für die Belichtung mit relativ geringem
Kontrast sehr empfindlich ist.
Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie integrierten
Schaltungen mit sehr hoher Integrationsdichte
(VLSI), besteht das auf die Photoresistschicht aufzubringende
Bildmuster nicht aus Linien mit ein und dergleichen
Breite, sondern aus Linien mit verschiedenen Breiten, die in
komplizierter Weise kombiniert sind. Dadurch entsteht ein
schwieriges Problem, das die Qualität der Bildmusterwiedergabe
beeinträchtigt, da die minimale Belichtungsdosis mit
der eine Photoresistschicht an den belichteten Bereichen
durch Entwicklung entfernt werden kann, beträchtlich von der
Linienbreite abhängt. Nimmt man die minimale Belichtungsdosis
für ein Bildmuster mit einer Linienbreite von 2,0 µm
als Einheit an, so betragen beispielsweise die minimalen
Belichtungsdosen für Muster mit Linienbreiten von 1,5 bzw.
1,0 µm 1,2 bis 1,3 bzw. 1,5 bis 1,7. Deshalb kann eine
Belichtungsdosis, die für eine gewisse Linienbreite optimal
ist, für Linien mit einer größeren oder kleineren Breite in
dem gleichen Bildmuster zu groß oder zu klein sein, d. h.,
die feineren Linien werden ungenau wiedergegeben oder an den
breiteren Linien wird zu viel Photoresistschicht entfernt;
die Genauigkeit der Musterwiedergabe kann somit nicht über
die Gesamtfläche des Bildmusters optimal sein. Dazu kommt,
daß die Oberfläche einer sich im Herstellungsverfahren
befindlichen Halbleitervorrichtung nicht vollständig flach
ist, sondern im allgemeinen Stufen unterschiedlicher Höhe
von 0,5 bis 1,0 µm von Bereich zu Bereich aufweist, so daß
die Dicke einer auf einer solchen stufigen Oberfläche
gebildeten Photoresistschicht nicht einheitlich sein kann
und auf der Oberseite der Stufe geringer als auf der
Unterseite ist. Wird eine solche Photoresistschicht
belichtet und entwickelt, so ist folglich die Linienbreite
des in der Photoresistschicht wiedergegebenen Bildmusters im
Bereich, in dem die Photoresistschicht dünner ist, geringer
als in dem Bereich, in dem die Schicht dicker ist, was die
Genauigkeit der Musterwiedergabe beeinträchtigt.
Beim Ätzen der Oberfläche einer Halbleiterscheibe, auf die
eine gemusterte Photoresistschicht im Submikronenbereich
gebildet wird, ist in einem Naßverfahren das unerwünschte
Phänomen der Seitenätzung mehr oder weniger unvermeidbar, so
daß das Ätzen gelegentlich in einem Trockenverfahren
durchgeführt wird, in dem das Seitenätzen durch Verwendung
von Plasma vermieden wird. In diesen Trockenätzverfahren
wird die gemusterte Photoresistschicht als Ätzmaske von dem
Plasma angegriffen, was zu einer allmählichen Verringerung
der Filmdicke führt. Deshalb ist es wünschenswert,
bildmustergemäße Linie der Photoresistschicht einen solchen
Querschnitt hat, daß ihre Breite nicht beeinträchtigt wird,
selbst dann nicht, wenn die Dicke des Films durch
Plasmaangriff im Trockenätzverfahren verringert wird.
Die obenbeschriebenen Probleme betreffen die schlechte Wiedergabe
oder Übereinstimmung zwischen dem Original auf der
Photomaske und dem in der Photoresistschicht wiedergegebenen
Bildmuster. Die Gründe hierfür sind, wie oben angegeben, die
Kontrastabnahme zwischen belichteten und unbelichteten
Bereichen bei Belichtung durch verkleinernde Projektion,
unterschiedliche optimale Belichtungsdosen zwischen Linienmustern
mit verschiedenen Linienbreiten und unterschiedliche
Dicken der Photoresistschicht auf beiden Flächen einer Stufe
bei einer stufigen Scheibenoberfläche.
Diese Probleme können insgesamt nur durch Verwendung einer
Photoresistzusammensetzung gelöst werden, die eine hohe
Genauigkeit in der Musterwiedergabe aufweist und in der die
Abmessungen des wiedergegebenen Musters von der Belichtungsdosis
nicht beeinflußt werden. Eine solche Photoresistzusammensetzung,
das heißt, in der die Abmessungen des wiedergegebenen
Bildmusters von der Belichtungsdosis nicht beeinflußt
werden, sollte folgende Eigenschaften aufweisen: Das
wiedergegebene Linienmuster sollte unabhängig von der Belichtungsdosis
oder der Entwicklungszeit eine genaue Wiedergabe
der Linien des Originals auf der Photomaske ohne
Vergrößerung oder Verkleinerung sein. Die Bildmustergemäße
Linie der Photoresistschicht sollte aufrecht auf der Substratoberfläche
stehen und einen rechteckigen Querschnitt
mit eindeutig gewinkelten Schultern haben, wogegen unerwünschte
Querschnittskonfigurationen solche sind, die
Schleppkanten auf der Substratoberfläche auch bei eindeutig
gewinkelten Schultern aufweisen; die Photoresistschicht kann
im Bereich der dünnen Kanten durch das Plasma weggeätzt werden,
wodurch die Linienbreite des Photoresistbildmusters
veränderbar wird.
Aufgabe der Erfindung war es daher, ein lichtempfindliches
Gemisch anzugeben, das die oben beschriebenen Probleme
nicht aufweist, aus der eine bildmustergemäße Photoresistschicht
herstellbar ist, die eine genaue Wiedergabe
des Originalmusters ist und in der die Breite der
Linien nicht von der Belichtungsdosis beeinflußt wird.
Die Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst durch ein lichtempfindliches
Gemisch mit
- (A) 100 Masseteilen eines Bindemittels, das ein aus einem Isomerengemisch von m- und p-Cresol hergestellter Novolak ist, und
- (B) von 25 bis 60 Masseteilen eines Naphthochinon-diazidsulfonsäureesters,
das dadurch gekennzeichnet ist, daß für die Herstellung
des Bindemittels ein Cresolisomerengemisch mit 10 bis
45% m-Cresol und 90 bis 55% p-Cresol eingesetzt wird.
Die Abbildungen erläutern die Erfindung; es zeigen
Fig. 1, 2 und 3 schematisch je einen Querschnitt einer
gemäß den Beispielen hergestellten, bildmustergemäßen
Photoresistschichtlinie.
Das erfindungsgemäß verwendete Cresolgemisch kann o-Cresol
in einer geringen Menge enthalten, sie sollte jedoch 5%
nicht übersteigen und so gering wie möglich sein.
Der im erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemisch
verwendete Naphthochinon-diazidsulfonsäureester
[Komponente (B)] ist ein Reaktionsprodukt,
das durch Veresterung einer Naphthochinon-diazid-sulfonsäure
mit einer phenolischen Verbindung, wie Polyhydroxybenzophenonen
oder Alkylgallaten, erhalten worden ist. Diese
Veresterungsreaktion kann leicht in herkömmlicher Weise
durchgeführt werden.
Zusätzlich zu den angegebenen Polyhydroxybenzophenonen, wie
Tetrahydroxybenzophenon, und Alkylgallaten können in der Veresterungsreaktion
auch folgende phenolische Verbindungen
verwendet werden: Trihydroxybenzole, Trihydroxybenzol-monoether,
2,2′, 4,4′-Tetrahydroxydiphenylmethan, 4,4′-Dihydroxydiphenylpropan,
4,4′-Dihydroxydiphenylsulfon, 2,2′-Dihydroxy-1,1′-dinaphthylmethan,
2-Hydroxyfluoren, 2-Hydroxyphenanthren,
Polyhydroxyanthrachinone, Purpurogallin und seine
Derivate sowie 2,4,6-Trihydroxybenzoesäure-phenylester.
Außerdem können aromatische Amine anstelle der phenolischen
Verbindungen verwendet werden.
Beträgt die Menge an Naphthochinon-diazid-sulfonsäureester über 60
Masseteile, so nimmt die Empfindlichkeit des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen
Gemisches deutlich ab; eine zu geringe Menge hat eine nachteilige
Wirkung auf die Querschnittskonfiguration der bildmustergemäßen
Linie der Photoresistschicht.
Das erfindungsgemäße lichtempfindliche Gemisch
wird im allgemeinen in Form einer Lösung verwendet,
die durch Lösen des oben beschriebenen Bindemittels
und des Naphthochinon-diazid-sulfonsäureesters zu einem geeigneten
organischen Lösungsmittel hergestellt wird. Beispiele
für geeignete organische Lösungsmittel sind Ketone,
wie Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon und Isoamylketon,
Polyalkohole und ihre Derivate, wie Ethylenglycol, Ethylenglycol-
monoacetat, Diethylenglycol und Monomethyl-, Monoethyl-,
Monopropyl-, Monobutyl- und Monophenylether von
Diethylenglycol-monoacetat, zyklische Ether, wie Dioxan, und
Ester, wie Methylacetat, Ethylacetat und Butylacetat. Diese
organischen Lösungsmittel können entweder einzeln oder je
nach Bedarf als Gemisch von mindestens zwei Lösungsmitteln
verwendet werden.
Dem erfindungsgemäßen, lichtempfindlichen Gemisch
können gegebenenfalls verschiedene Arten von bekannten
Zusatzmitteln zugesetzt werden, die mit den Hauptbestandteilen
des Gemisches verträglich sind und herkömmlicherweise
in Photoresistzusammensetzungen verwendet
werden, wie Hilfsharze, Weichmacher, Stabilisatoren und
Farbmittel zur besseren Sichtbarmachung des Bildmusters nach
der Entwicklung.
Die Herstellung eines Photoresistschicht-Bildmusters unter
Verwendung des erfindungsgemäßen lichtempfindlichen Gemisches
kann in herkömmlicher Weise erfolgen. So wird beispielsweise
die Oberfläche eines Substratkörpers, wie einer Halbleiter-
Siliziumscheibe, mit dem erfindungsgemäßen Gemisch
als organische Lösung mit einer geeigneten Beschichtungsvorrichtung,
wie einer Schleuder (Spinnner), beschichtet
und zu einer einheitlichen Photoresistschicht getrocknet.
Die Photoresistschicht wird dann in einem Verkleinerungsprojektor
oder einer geeigneten Belichtungsvorrichtung
durch eine Photomaske mit dem gewünschten Bildmuster
belichtet und mit einer Entwicklerlösung, wie einer wäßrigen
Lösung einer organischen Base, beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid,
in einer Konzentration von 2 bis 5 Masseprozent,
entwickelt. Auf diese Weise wird die Photoresistschicht
in den Bereichen selektiv weggelöst, in denen das
lichtempfindliche Gemisch als Folge der Belichtung eine
höhere Löslichkeit in der Entwicklerlösung hat. Dabei
entsteht eine sehr genaue verkleinerte Wiedergabe des
Bildmusters der Photomaske. Vorteilhafterweise ist das so
wiedergegebene Bildmuster eine sehr genaue Wiedergabe des
Photomaskenbildmusters bis in die äußersten Feinheiten,
wobei die bildmustergemäße Linie im Submikronenbereich
Maßgenauigkeit aufweist; bei der Belichtung durch
verkleinernde Projektion, bei der ein schlechter Kontrast
entstehen kann, wird diese Maßgenauigkeit nicht einmal von
einer Substratoberfläche mit Höhenstufen beeinträchtigt.
Das erfindungsgemäße, lichtempfindliche Gemisch
kann somit mit Vorteil bei der Herstellung von
Halbleitervorrichtungen mit hoher Genauigkeit, wie VLSI,
verwendet werden.
Die Erfindung wird durch die Beispiele und Vergleichsbeispiele
erläutert.
Ein Novolak wurde in herkömmlicher Weise durch
Kondensation eines Reaktionsgemisches von 60 Masseteilen
m-Cresol und 40 Masseteilen p-Cresol und Formalin in Gegenwart
von Oxalsäure als Katalysator hergestellt.
Ein lichtempfindliches Gemisch in Form
einer Lösung wurde durch Lösen von 100 Masseteilen des wie
oben hergestellten Novolaks und 30 Masseteilen
des 2,3,4-Trihydroxybenzophenonesters der Naphthochinon-1,2-
diazido-5-sulfonsäure in 390 Masseteilen Ethylenglycolmonoethyletheracetat
hergestellt und durch ein Membranfilter
mit einem Porendurchmesser von 0,2 µm filtriert.
Eine Siliziumscheibe mit einem Durchmesser von 10,16 cm
wurde einheitlich mit der Photoresistlösung in einer
Beschichtungsdicke von 1,3 µm (nach Trocknung) unter Verwendung
einer Resistbeschichtungsvorrichtung
beschichtet, getrocknet und 90 Sekunden auf
einer 110° C heißen Platte zu einer Photoresistschicht auf
der Scheibe getrocknet. Die Siliziumscheibe mit der Photoresistschicht
wurde dann mit UV-Licht in einem Verkleinerungsprojektor
durch eine Versuchsphotomaske
880 Millisekunden (ms) belichtet und 30 Sekunden
bei 23° C mit einer wäßrigen Lösung von 2,38 Masseprozent
Tetramethylammoniumhydroxid als Entwicklerlösung entwickelt.
Die so entwickelten bildmustergemäßen Linien der Photoresistschicht
hatten einen idealen rechteckigen Querschnitt
(schematisch dargestellt in Fig. 1), d. h., die Linie 2 steht
mit senkrechten Seitenflächen auf dem Substrat 1.
Die Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde wiederholt mit dem
Unterschied, daß der Novolak aus einem Isomeren-
Gemisch von m- und p-Cresolen in den in der Tabelle
angegebenen Mengen hergestellt wurde. Die verschiedenen
lichtempfindlichen Verbindungen I bis VI wurden in den in
der Tabelle angegebenen Mengen verwendet, wobei diese in
Masseteilen je 100 Masseteile Novolak angegeben
sind.
- I. Veresterungsprodukt von 1 mol/1 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und 1,6 mol/l Naphthochinon-1,2-diazido-5- sulfonylchlorid.
- II. Veresterungsprodukt von 1 mol/l 2,4,6-Trihydroxybenzophenon und 1,8 mol/l Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonylchlorid.
- III. Veresterungsprodukt von 1 mol/l 2,4,5-Trihydroxybenzophenon und 2,0 mol/l Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonylchlorid.
- IV. Veresterungsprodukt von 1 mol/l 2,3,4-Trihydroxy-4′- hydroxybenzophenon und 2,2 mol/l Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonylchlorid.
Claims (4)
1. Lichtempfindliches Gemisch mit
- (A) 100 Masseteilen eines Bindemittels, das ein aus einem Isomerengemisch von m- und p-Cresol hergestellter Novolak ist, und
- (B) von 25 bis 60 Masseteilen eines Naphthochinon-diazid-sulfonsäureesters,
dadurch gekennzeichnet,
daß für die Herstellung des Bindemittels ein Cresolisomerengemisch
mit 10 bis 45% m-Cresol und 90 bis 55%
p-Cresol eingesetzt wird.
2. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1,
dadurch gekennzeichnet,
daß ein Cresolisomerengemisch aus 10 bis 45% m-Cresol,
90 bis 55% p-Cresol und 5% oder weniger o-Cresol eingesetzt
wird.
3. Lichtempfindliches Gemisch nach Anspruch 1 oder 2,
dadurch gekennzeichnet,
daß als Naphthochinon-diazid-sulfonsäureester (B) das
Veresterungsprodukt von Naphthochinon-1,2-diazido-5-
sulfonsäure und eines Polyhydroxybenzophenons eingesetzt
wird.
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