JPH0658530B2 - ポジ型感光性組成物 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は新規なポジ型感光性組成物に関するものであ
る。さらに詳しくいえば、本発明は、特に露光処理時に
発生するアルミニウムなどの基板からのハレーションを
防止し、形状安定性や寸法安定性の良好なレジストパタ
ーンを与えることができ、しかも感度が高く、例えば半
導体素子製造用などの微細加工用として好適なポジ型感
光性組成物に関するものである。

従来の技術 従来、トランジスタ、ＩＣ、ＬＳＩなどの半導体素子
は、ホトエッチング法によって製造されている。このホ
トエッチング法は、シリコンウエハー上にホトレジスト
層を形成し、その上に所望のパターンを有するマスクを
重ねて露光し、現像して画像を形成させたのち、露出し
た基板をエッチングし、次いで選択拡散を行う方法であ
る。そして、通常このような工程を数回繰り返して選択
拡散を行ったのち、アルミニウム電極配線処理を施して
半導体の電子部品が作成される。

このような半導体素子の製造においては、選択拡散を数
回行えば、その表面は通常１μｍ以上の段差を生じ、こ
れにパッシベーションを施せば段差はさらに大きくな
る。

このような表面にアルミニウム配線を施すには、該表面
にアルミニウムを真空蒸着し、これをホトエッチング法
によりエッチングする必要があるが、表面に真空蒸着し
たアルミニウム上にホトレジスト層を形成し、露光を行
った場合には、アルミニウム表面からのハレーションが
大きく、表面の平坦な部分ばかりでなく、前記の段差部
分において、基板面に垂直に入射してきた活性光線がそ
の段部の傾斜面で乱反射を起こし、そのため数μｍの細
い線部パターンを正確に再現することができないという
欠点があった。

そこで、このようなハレーションを防止するために、こ
れまで種々の方法が試みられてきた。その１つとして、
ホトレジストに吸光性染料、例えば分子中に水酸基を少
なくとも１個有する特定のアゾ化合物を配合したものが
知られている（特開昭59-142538号公報）。また、ジア
ゾオキシドとクルクミン染料とのエステルを光活性化合
物として用いたポジ型ホトレジスト組成物も知られてい
る（特開昭63-267941号公報）。

しかしながら、この吸光性染料を添加したホトレジスト
は、従来のホトレジストに比べて、ハレーション防止作
用は著しく向上するものの、近年の半導体産業における
急速な加工寸法の微細化に対応するためには、わずかな
ハレーションも問題となり、必ずしも十分に満足しうる
ものとはいえない。さらに段差を有する基板上では、塗
布するポジ型ホトレジストの膜厚が段差凸部と凹部とで
異なり、段差凸部上の膜厚の薄い部分は、凹部上の膜厚
の厚い部分に比べて、露光オーバーになりやすいため
に、わずかなハレーションでも、現像の際、膜厚の薄い
部分のレジストパターンが細くなったり、パターンの断
面形状が変形したり、レジストパターンの寸法安定性が
劣化したり、あるいはレジストパターンが微細な場合に
は断線してしまうなどの欠点を有し、微細なパターン形
成に対応できないという問題を有しているばかりでな
く、ハレーションを防止するためにホトレジストに吸光
性染料を添加すると、露光時に吸光性染料が活性光線を
吸収してホトレジストの感度を低下させ、半導体素子な
どの製造工程におけるスループットを下げる原因になり
実用的ではない。

また、ジアゾオキシドとクルクミン染料とのエステルを
光活性化合物として用いたポジ型ホトレジスト組成物
は、露光部にとける透光性が劣るため、露光時間を長く
しなければならず、その結果得られるレジストパターン
の断面形状はスソ引きのあるものになりやすくて、プロ
フィル形状が不良となるという欠点を有している。

また、基板上にハレーション防止及び平坦化の作用を有
する有機膜を形成させる、いわゆる多層法によって寸法
安定性の優れたレジストパターンを得る方法も知られて
いるが、この方法はプロセス的に多くの工程を含み、操
作が煩雑になるのを避けられない。

したがって、単層で寸法安定性に優れ、かつプロフィル
形状のよいレジストパターンを与え、かつハレーション
防止効果、作用が高く、高感度のポジ型感光性組成物の
開発が強く望まれている。

発明が解決しようとする課題 本発明の目的は、半導体素子製造分野において急速に進
行している加工寸法の微細化に対応するために、前記し
たような従来の感光性組成物における欠点を克服し、形
状安定性、感度及び寸法安定性に極めて優れ、かつプロ
フィル形状の優れたレジストパターンを形成しうるポジ
型感光性組成物を提供することにある。

課題を解決するための手段 本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意研究を重
ねた結果、従来のポジ型ホトレジストに、クルクミンと
1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを
特定割合で配合することにより、その目的を達成しうる
ことを見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに
至った。

すなわち、本発明は、平均エステル化度80％以上の2,3,
4−トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸とのエステルと、平均エステ
ル化度50〜80％の2,3,4,4,′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸とのエステルとを重量比５：95ないし55：45の割合で
配合した混合エステルを含むクレゾールノボラック樹脂
から成るポジ型ホトレジストに、平均エステル化度25％
以上のクルクミンと1,2−ナフトキノンジアジドスルホ
ン酸とのエステルを配合してなるポジ型感光性組成物で
あり、該クルクミンと1,2−ナフトキノンジアジドスル
ホン酸とのエステルが、該ホトレジストの固形分の重量
に基づき0.5〜20重量％の割合で配合されるとともに、
該混合エステルと該クルクミンと1,2−ナフトキノンジ
アジドスルホン酸とのエステルとが、重量比30：70ない
し99：１の範囲にあることを特徴とするポジ型感光性組
成物を提供するものである。

以下、本発明を詳細に説明する。

本発明組成物は、通常の感光性樹脂組成物と同様、感光
性物質と被膜形成物質とを含有している。

この感光性物質としては、2,3,4−トリヒドロキシベン
ゾフェノンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸とのエステルと2,3,4,4′−テトラヒドロキシベン
ゾフェノンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホ
ン酸とのエステルの混合エステルであり、特に、2,3,4
−トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノン
ジアジド−５−スルホン酸とのエステルが平均エステル
化度80％以上で、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾ
フェノンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン
酸とのエステルが平均エステル化度50〜80％であり、か
つそれぞれの混合割合が、重量に基づき５：95ないし5
5：45、好ましくは20：80ないし40：60の範囲にある混
合エステルが用いられる。このような感光性物質を使用
することにより、感度を低下させることなく、またプロ
フィル形状の優れたレジストパターンを得ることができ
る。2,3,4,−トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステルを単
独で用いた場合もプロフィル形状や感度の良好なレジス
トパターンを得ることができるが、保存安定性が不十分
であり、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノン
と1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエ
ステルを併用することにより、はじめて十分な保存安定
性を示す組成物が得られる。

次に、被膜形成物質としてはクレゾールノボラック樹脂
が用いられる。このクレゾールノボラック樹脂として、
特に好ましいものはｍ−クレゾール10〜45重量％とｐ−
クレゾール90〜55重量％との混合クレゾールから得られ
たものである。そして、さらに好ましいクレゾールノボ
ラック樹脂としては、ｍ−クレゾール60〜80重量％とｐ
−クレゾール40〜20重量％との混合グレゾールから得ら
れた重量平均分子量5000以上（ポリスチレン換算）のク
レゾールノボラック樹脂と、ｍ−クレゾール10〜40重量
％とｐ−グレゾール90〜60重量％との混合クレゾールか
ら得られた重量平均分子量5000以下（ポリスチレン換
算）のクレゾール樹脂とを、クレゾール換算でｍ−クレ
ゾール30〜45重量％及びｐ−クレゾール70〜55重量％に
なるような割合で混合したものを挙げることができる。
また、これらのクレゾールノボラック樹脂の製造には、
ｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールが使用されるが、必
要に応じてｏ−クレゾールやキシレノールなどを配合し
たものも使用できる。

このようなクレゾールノボラック樹脂を被膜形成物質と
して使用することで、より寸法精度及び寸法安定性に優
れたレジストパターンを得ることができる。

本発明組成物、前記感光性物質は、被膜形成物質に対し
て、通常10〜40重量％の割合で配合される。この量が10
重量％未満では所望の断面形状を有するレジストパター
か得られにくくて実用的でないし、40重量％を超えると
感度が著しく劣化する傾向が生じ、好ましくない。

本発明組成物においては、さらにクルクミンと1,2−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを配合する
ことが必要である。このクルクミンと1,2−ナフトキノ
ンジアジドスルホン酸とのエステルは次の一般式 （式中のR₁及びR₂はそれぞれ独立して水素原子、 を示すが、R₁及びR₂がともに水素原子であることはな
い）で表わされる化合物であり、例えばクルクミンと1,
2−ナフトキノンジアジド−４−スルホン酸又は1,2−ナ
フトキノンジアジド−５−スルホン酸とのエステル化反
応による反応生成物として得ることができる。具体的に
はクルクミンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スル
ホニルクロリド又は1,2−ナフトキノンジアジド−４−
スルホニルクロリドとを、適当な溶媒、例えばジオキサ
ンなどに溶解し、トリエタノールアミンなどの触媒の存
在下にエステル化反応させることによって製造すること
ができる。

本発明組成物で使用される前記一般式（Ｉ）で表わされ
るクルクミンの1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
エステルは、完全又は部分エステル化物でもよく、通
常、前記製造方法により得られるエステル化反応生成物
として、平均25％以上、好ましくは平均30〜80％のエス
テル化度を有するものが使用される。このエステル化度
が25％未満のものでは、断面形状の良好なレジストパタ
ーンが得られにくくて、好ましくない。

この際、使用するクルクミンはショウガ科のウコン及び
他の同属種の根茎に含有されているような天然のものを
用いてもよいして、合成されたものを用いてもよい。

本発明組成物においては、前記一般式（Ｉ）で表わされ
るクルクミンと1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
とのエステルは、前記ポジ型ホトレジストの固形分（ポ
ジ型ホトレジスト中に含まれる感光性物質と被膜形成物
質との合計量）に対して、0.5〜20重量％、好ましくは
１〜10重量％の割合で配合することが望ましい。この配
合量が0.5重量％未満ではハレーション防止効果が十分
に発揮されないし、20重量％を超えるとレジストパター
ンの断面形状が変化する傾向が生じ、好ましくない。

本発明のポジ型感光性組成物には、必要に応じ、相容性
のある他の染料、例えばクルクミン、クマリン系染料、
アゾ染料などを添加してもよいし、さらに、他の添加
物、例えば付加的樹脂、可塑剤、安定剤あるいは現像と
して得られるパターンをより一層可視的にするための着
色剤などの慣用されているものを添加含有されることも
できる。

本発明のポジ型感光性組成物は、適当な溶剤に前記の感
光性物質、被膜形成物質、該クルクミンのエステル化物
及び必要に応じて用いられる添加成分を、それぞれ所要
量溶解し、溶液の形で用いるのが有利である。

このような溶剤の例としては、アセトン、メチルエチル
ケトン、シクロヘキサノン、イソアミルケトンなどのケ
トン類；エチレングリコール、プロピレングリコール、
エチレングリコールモノアセテート、ジエチレングリコ
ール又はジエチレングリコールモノアセテートのモノメ
チルエーテル、モノエチルエーテル、モノプロピルエー
テル、モノイソプロピルエーテル、モノブチルエーテル
又はモノフェニルエーテルなどの多価アルコール類及び
その誘導体；ジオキサンのような環式エーテル類；及び
乳酸メチル、乳酸エチル、酢酸メチル、酢酸エチル、酢
酸ブチルなどのエステル類を挙げることができる。これ
らは単独で用いてもよいし、また２種以上混合して用い
てもよい。

次に、本発明組成物の好適な使用方法について１例を示
せば、まず例えばシリコンウエハーのような基板上に、
前記の被膜形成物質、感光性物質、クルクミンと1,2−
ナフトキノンジアジドスルホン酸とのエステル及び必要
に応じて添加する各種染料や添加剤を、前記溶剤に溶か
した溶液をスピンナーなどの塗布し、乾燥して感光層を
形成したのち、縮小投影露光装置などを用い、所要のマ
スクを介して露光する。次いで、これを現像液、例えば
２〜５重量％のテトラメチルアンモニウムヒドロキシド
やコリンの水溶液を用いて現像処理することにより、露
光によって可溶化した部分が選択的に溶解除去されたマ
スクパターンに忠実な画像を得ることができる。

発明の効果 本発明のポジ型感光性組成物は、クルクミンと1,2−ナ
フトキノンジアジドスルホン酸とのエステルを使用する
ことで、活性光線の露光部でのアルカリ現像液に対する
溶解性が向上し、逆に非露光部でのアルカリ現像液に対
する溶解を抑制することができるため、寸法安定性及び
寸法精度の極めて優れたレジストパターンを得ることが
できる。また、ハレーションを防止するために使用され
た従来の吸光性染料と比較し、クルクミンと1,2−ナフ
トキノンジアジドスルホン酸とのエステルはホトレジス
トに添加しても、ホトレジストの感度を低下させないた
め、半導体素子などの製造工程におけるスループットを
低下させず、極めて実用的である。また、従来のポジ型
感光性組成物では、ハレーション防止が十分でなく、例
えばアルミニウムを蒸着した基板上においては、ハレー
ション防止効果を有する有機膜層の利用が不可欠で多層
構造となるために、製造プロセスが煩雑となるのを免れ
ないのに対し、本発明のポジ型感光性組成物では、一般
式（Ｉ）で示されるエステル化物を用いることにより、
このような有機膜層を利用しなくても、十分に実用的な
ハレーション防止効果を有するため、アルミニウムを蒸
着した基板上に直接、塗布し、単層で利用することがで
き、プロセス的にも有利である。

実施例 次に実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本
発明はこれらの例によってなんら限定されるものではな
い。

各実施例、比較例におけるプロフィル形状は添加図面に
示す断面形状により、それぞれ第１図をａ、第２図を
ｂ、第３図をｃとして評価した。

製造例１ クルクミン10ｇ及び1,2−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルクロリド7.2ｇをジオキサン350mlに溶解し、
これにトリエタノールアミン８ｇをジオキサン32ｇに溶
解したものを十分にかきまぜながら１時間かけて滴下し
た。次いで35重量％塩酸25ｇをイオン交換水1000ｇで希
釈した希塩酸溶液を加えて反応物を析出させ、得られた
析出物をイオン交換水でよく洗浄し、水分除去後乾燥す
ることで、クルクミンのエステル化物（平均エステル化
度50％）を得た。

製造例２ 製造例１において、1,2−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルクロリドの使用量を3.6ｇとした以外は、製
造例１と全く同様にして、クルクミンのエステル化物
（平均エステル化度25％）を得た。

製造例３ 製造例１において、1,2−ナフトキノンジアジド−４−
スルホニルクロリド10.8ｇを使用した以外は、実施例１
と同様にしてクルクミンのエステル化物（平均エステル
化度75％）を得た。

製造例４ 製造例１において、1,2−ナフトキノンジアジド−４−
スルホニルクロリド14.5ｇを使用した以外は、製造例１
と同様にしてクルクミンのエステル化物（平均エステル
化度100％）を得た。

参考例１ フェノールノボラック樹脂と感光性物質として2,3,4−
トリヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノンジ
アジド−５−スルホン酸とのエステルを使用し、固形分
に対し、製造例１で得られたクルクミンのエステル化物
３重量％を配合したのち、メンブランフィルターでろ過
することで塗布液を調製した。この塗布液を1.0μｍの
段差を有する４インチシリコンウエハー上にアルミニウ
ムを蒸着した基板上にスピンナーを使用して、膜厚2.0
μｍとなるように塗布したのち、ホットプレート上に載
置し110℃で90秒間プレベーキングして被膜を形成し
た。

次いで、基板上の被膜に縮小投影露光装置1505Ｇ３Ａ型
ウエハーステッパー（日本光学工業社製）を用いて、テ
ストチャートマスクを介して露光処理を施したのち、2.
38重量％テトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液
により、23℃で30秒間現像することで基板上にレジスト
パターンを形成した。そして、このパターンを電子顕微
鏡により観察したところ、塗布膜厚の比較的薄い段差凸
部上でもマスクに忠実な0.8μｍのパターンが形成され
ており、その断面形状はほぼ垂直で極めてシャープなパ
ターンを示し、プロフィル形状はａであった。

また、感度として、1.0μｍのラインアンドスペースの
パターンを得るための最小露光時間を測定したところ、
150msであった。

参考例２ ポジ型ホトレジストに用いる被膜形成物質として、ｍ−
クレゾールとｐ−クレゾールとを重量比で60：40の割合
で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒を用
いて常法により縮合して重量平均分子量28000のクレゾ
ールノボラック樹脂（Ｉ）を得たのち、同様にｍ−クレ
ゾールとｐ−クレゾールとを重量比で40：60の割合で混
合して縮合し、重量平均分子量2000のクレゾールノボラ
ック樹脂(II)を得た。

樹脂（Ｉ）25重量部、樹脂(II)75重量部、2,3,4−トリ
ヒドロキシベンゾフェノン１molとナフトキノン−1,2−
ジアジド−５−スルホン酸クロリド1.6molとの反応生成
物30重量部及びこれらの固形分に対して、製造例２で得
られたクルクミンのエステル化物３重量％をエチレング
リコールモノエチルエーテルアセテート390重量部に溶
解したのち、0.2μｍのメンブランフィルターを用いて
ろ過し、塗布液を調製した。この塗布液を用い、参考例
１と同様にしてレジストパターンを形成した。

このレジストパターンは、電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、実施例１と同様に優れたものであり、プロフィル形
状はａであった。

また、実施例１と同様にして最小露光時間を測定したと
ころ、160msであった。

参考例３ 製造例１で得られたクルクミンのエステル化物の代り
に、製造例３で得られたクルクミンのエステル化物２重
量％及び１−エトキシ−４−（４′−N,N−ジエチルア
ミノフェニルアゾ）ベンゼン１重量％の混合物を使用し
た以外は、参考例１と同様にしてレジストパターンを形
成した。このレジストパターンの観察結果は参考例１と
同様にａであった。

また、参考例１と同様にして最小露光時間を測定したと
ころ、170msであった。

参考例４ 製造例１で得られたクルクミンのエステル化物の代り
に、製造例４で得られたクルクミンのエステル化物３重
量％を使用した以外は、参考例１と同様にしてレジスト
パターンを形成したところ、基板上のフラット面上のレ
ジストパターンは参考例１と同様にプロフィル形状ａに
相当するシャープなパターンが得られたが、段差部分の
レジストパターンにおいて横方向からのハレーションが
多少確認された。

また、参考例１と同様にして最小露光時間を測定したと
ころ160msであった。

比較例１ 製造例１で得られたクルクミンのエステル化物の代り
に、クルクミンを使用した以外は、参考例１と同様にし
てレジトスパターンを形成したところ、このレジストパ
ターンは上部が丸く、シャープ性を欠くものであり、プ
ロフィル形状はｃであった。

また、参考例１と同様にして最小露光時間を測定したと
ころ、170msであった。

参考例５ ｍ−クレゾールとｐ−クレゾールとを重量比で40：60の
割合で混合し、これにホルマリンを加え、シュウ酸触媒
を用いて常法により縮合して得たクレゾールノボラック
樹脂100重量部と、ナフトキノン−1,2−シアジド−５−
スルホン酸と2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノンと
のエステル30重量部とをエチレングリコールモノエチル
エーテルアセテート390重量部に溶解して得られた溶液
に、製造例１で得られたクルクミンのエステル化物を固
形分に対し、３重量％を溶解したのち、0.2μｍのメン
ブランフィルターを用いてろ過し、塗布液を調製した。
この塗布液を用い、参考例１と同様にしてレジストパタ
ーンを形成した。

このレジストパターンは、電子顕微鏡で観察したとこ
ろ、参考例１と同様に、その断面形状は極めて垂直でシ
ャープなパターンであり、プロフィル形状はａであっ
た。

参考例６ 製造例１で得られたクルクミンのエステル化物の代り
に、固形分に対し製造例４で得られたクルクミンのエス
テル化物1.5重量％とクルクミン1.5重量％とを使用した
以外は参考例５と同様にしてレジストパターンを形成し
たところ、参考例１と同様に極めてシャープな断面形状
すなわちプロフィル形状ａのレジストパターンであっ
た。

また、実施例１と同様にして、最小露光時間を測定した
ところ、160msであった。

比較例２ 製造例１で得られたクルクミンのエステル化物の代り
に、４−エトキシ−４′−ジエチルアミノアゾベンゼン
を３重量％使用した以外は参考例１と同様にしてレジス
トパターンを形成したところ、そのレジストパターンは
上部が丸く、シャープ性に乏しいプロフィル形状ｃに相
当するものであった。

また、参考例１と同様にして最小露光時間を測定したと
ころ、450msであった。

製造例５ 2,3,4−トリヒドロキシベンゾフェノン2.0ｇ及び1,2−
ナフトキノンジアジド−５−スルホニルクロリド7.0ｇ
をジオキサン350mlに溶解し、これにトリエタノールア
ミン7.7ｇをジオキサン32ｇに溶解したものを十分にか
きまぜながら１時間かけて滴下した。次いで35重量％塩
酸25ｇをイオン交換水1000ｇで希釈した希塩酸溶液を加
えて反応物を析出させ、得られた析出物をイオン交換水
でよく洗浄し、水分除去後乾燥することで、2,3,4−ト
リヒドロキシベンゾフェノンのエステル化物（平均エス
テル化度90％）を得た。

製造例６ 製造例５において、1,2−ナフトキノンジアジド−５−
スルホニルクロリドの使用量を3.5ｇとした以外は、製
造例５と同様にして、2,3,4−トリヒドロキシベンゾフ
ェノンのエステル化物（平均エステル化度50％）を得
た。

製造例７ 製造例５において、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベン
ゾフェノン2.0ｇと1,2−ナフトキノンジアジド−５−ス
ルホニルクロリド5.7ｇを使用した以外は製造例５と同
様にして、2,3,4,4′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
ンのエステル化物（平均エステル化度65％）を得た。

実施例１ ｍ−クレゾール40重量部とｐ−グレゾール60重量部との
混合物に30％ホルマリン110重量部及びシュウ酸５重量
部を加え、100分間加熱沸騰させたのち、減圧下に脱水
濃縮させることで得られたクレゾールノボラック樹脂10
0重量部、製造例５で得られたエステル化物10重量部、
製造例７で得られたエステル化物20重量部及びこれらの
固形分に対して製造例１で得られたクルクミンのエステ
ル化物３重量部をエチレングリコールモノエチルエーテ
ルアセテート390重量部に溶解したのち、0.2μｍのメン
ブランフィルターを用いてろ過することで塗布液を調製
した。この塗布液を使用して参考例１と同様の操作でレ
ジストパターンを形成した。そして、このパターンを電
子顕微鏡により観察したところ、塗布膜厚の比較的薄い
段差凸部上でもマスクに忠実な優れた0.8μｍのパータ
ンが形成されており、その断面形状が垂直な極めてシャ
ープなパータンであった。

また、感度して、1.0μｍのラインアンドスペースのパ
ータンを得るための最小露光時間を測定したところ、20
0msであった。

実施例２〜11、比較例３〜４ ｍ−クレゾール及びｐ−クレゾールの混合割合と使用す
る混合エステルの種類及び配合量とのクルクミンのエス
テル化物の種類及び混合量を次表に示したようにして実
施した以外は、すべて参考例１と同様の操作を繰り返す
ことにより、該表に示す物性をもつポジ型感光性組成物
を得た。

これらのポジ型感光性組成物の塗布液は、常温常圧下に
６か月間保存しても塗布液中に析出物の発生はなく品質
の変化も認められなかったが、参考例１〜５で得たポジ
型感光性組成物の塗布液で３カ月間保存した後で、塗布
液中に析出物が発生し感度の低下が認められた。

【図面の簡単な説明】

第１図、第２図及び第３図は、実施例及び比較例におい
て、現像処理後に得られたレジストパターンの断面形状
図である。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 中山 寿昌 神奈川県平塚市高村26番地 高村団地26― 404 (56)参考文献 特開 昭63−267941（ＪＰ，Ａ) 特開 昭58−17112（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−280737（ＪＰ，Ａ) 特開 昭62−35349（ＪＰ，Ａ)

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】平均エステル化度80％以上の2,3,4−トリ
   ヒドロキシベンゾフェノンと1,2−ナフトキノンジアジ
   ド−５−スルホン酸とのエステルと、平均エステル化度
   50〜80％の2,3,4,4,′−テトラヒドロキシベンゾフェノ
   ンと1,2−ナフトキノンジアジド−５−スルホン酸との
   エステルとを重量比５：95ないし55：45の割合で配合し
   た混合エステルを含むクレゾールノボラック樹脂から成
   るポジ型ホトレジストに、平均エステル化度25％以上の
   クルクミンと1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸と
   のエステルを配合してなるポジ型感光性組成物であり、
   該クルクミンと1,2−ナフトキノンジアジドスルホン酸
   とのエステルが、該ホトレジストの固形分の重量に基づ
   き0.5〜20重量％の割合で配合されるとともに、該混合
   エステルと該クルクミンと1,2−ナフトキノンジアジド
   スルホン酸とのエステルとが、重量比30：70ないし99：
   １の範囲にあることを特徴とするポジ型感光性組成物。