DE3626582A1

DE3626582A1 - Positiv arbeitende photoresistzusammensetzung

Info

Publication number: DE3626582A1
Application number: DE19863626582
Authority: DE
Inventors: Hidekatsu Kohara; Hatsuyuki Tanaka; Masanori Miyabe; Yoshiaki Arai; Shingo Asaumi; Toshimasa Nakayama; Akira Yokota; Hisashi Nakane
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 1985-08-09
Filing date: 1986-08-06
Publication date: 1987-02-19
Also published as: JPH0650396B2; GB2180842A; JPS6235349A; GB2180842B; DE3626582C2; GB8619368D0

Description

Die Erfindung betrifft eine positive arbeitende Photoresistzusammensetzung, die insbesondere zum Aufbringen eines feinen Bildmusters einer Photoresistschicht bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie integrierten Schaltungen mit hoher und sehr hoher Integrationsdichte (LSI, VLSI), geeignet ist.

Durch die neuesten Fortschritte in der Halbleitertechnik besteht ein schnell steigender Bedarf für programmgesteuerte Instrumente einschließlich beispielsweise Computer für Industriezwecke, Instrumente zur Automatesierung von Büros oder Personalcomputer, und folglich müssen Halbleitervorrichtungen, wie integrierte Schaltungen, eine immer größere Dichte oder einen immer höheren Integrationsgrad aufweisen. Nachdem integrierte Schaltungen bisher eine Dichte von 256 Kilobits aufweisen mußten, besteht jetzt ein immer größerer Bedarf für integrierte Schaltungen mit sehr hoher Integrationsdichte, beispielsweise von einem Megabit oder darüber. Diese hohe Integrationsdichte in integrierten Schaltungen mit sehr hoher Integrationsdichte (VLSI) verlangt natürlich das Aufbringen von extrem feinen Mustern auf den Halbleiterscheiben im sogenannten Submikronenbereich. So beträgt beispielweise der Mindestlinienabstand, der mit hoher Genauigkeit in der Photoresistschicht wiedergegeben werden muß, etwa 2 µm in dynamischen Speichervorrichtungen (DRAM) mit 256 Kilobits, etwa 1,0 bis 1,3 µm in 1 Megabit-DRAM und etwa 0,7 bis 0,8 µm in 4 Megabit-DRAM; die Verfahren zur Herstellung von Bildmustern müssen an diese extrem hohe Genauigkeit angepasst werden.

Bekanntlich erfolgt das Aufbringen des Musters auf die Halbleiterscheibe bei der Herstellung von integrierten Schaltungen durch Photolitographie unter Verwendung einer Photoresistzusammensetzung. Von den positiv- und negativ arbeitenden Photoresistzusammensetzungen werden allgemein die positiv arbeitenden bei der Herstellung von feinen Bildmustern bevorzugt, in denen eine sehr genaue Reproduktion eines Linienmusters mit einer Breite von 1 bis 2 µm wesentlich ist.

Die Hauptbestandteile der meisten herkömmlichen positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzungen sind ein alkalilösliches Novolac-Harz als filmbildende Komponente und eine Chinon-diazidverbindung als durch Licht zersetzbare oder lichtempfindliche Komponente in Form eines Gemisches. Typische lichtempfindliche Verbindungen des Chinon-diazidtyps sind Sulfonsäureester aus einer Naphthochinon-diazid- sulfonsäure und einer Verbindung mit mindestens einer phenolischen Hydroxylgruppe (vgl. US-A 34 02 044) sowie andere Ester (vgl. US-A 30 46 118, 31 06 465 und 31 48 983).

Als filmbildenden Bestandteil der Photoresistzusammensetzung wurden verschiedene typische alkalilösliche Novolac-Harze vorgeschlagen, wie Phenol-Formaldehyd-Novolac-Harze (vgl. US-A 34 02 044) und Cresol-Novolac-Harze (vgl. Elektrochemistry and Industrial Physical Chemistry, Band 48, Seite 584 (1980)). So lehrt die JP-A 59-17 112, daß die Empfindlichkeit einer positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzung, die ein Cresol-Novolac-Harz als fimbildende Komponente enthält, verbessert werden kann durch entsprechende Wahl des Anteils an Cresolisomeren in dem zur Herstellung des Novolac-Harzes verwendeten Cresols.

Die Photoresistschicht kann entweder durch direkten Kontakt oder durch verkleinerte Projektion belichtet werden. Bei der Kontaktbelichtung wird die auf der Oberfläche der Halbleiterscheibe gebildete Photoresistschicht durch eine Photomaske mit dem aufzubringenden Muster in direktem Kontakt mit der Photoresistschicht belichtet. Dieses Verfahren ist in Bezug auf den Kontakt des Bildmusters günstig, d. h. es kann ein Muster der Photoresistschicht mit einem beträchtlichen Kontrast erhalten werden, selbst dann, wenn die verwendete Photoresistschicht in Bezug auf Kontrast und Genauigkeit der Musterwiedergabe von geringer Qualität ist.

Das Verfahren hat jedoch auch einige Nachteile und Probleme: So kann beispielsweise die Photomaske gelegentlich mechanisch als natürliche Folge des direkten Kontakts mit der Photoresistschicht bei jeder Belichtung beschädigt werden, so daß bei der Handhabung der Photomaske außerordentliche Vorsicht notwendig ist und eine gute Qualität der Photomasken nur mit beträchtlichen Kosten erhalten werden kann. Außerdem muß das Muster auf der Photomaske von der gleichen Größe wie das zu reproduzierende Muster sein, so daß eine gemusterte Photomaske mit einer derartigen Genauigkeit unvermeidlich sehr teuer ist, insbesondere dann, wenn die Linienbreite des Bildmusters im Submikronenbereich liegt.

Bei der Belichtung durch verkleinerte Projektion kann andererseits das Bildmuster auf der gemusterten Photomaske bis zu 5 bis 10 × größer sein als das zu reproduzierende Photoresistbildmuster, so daß eine sehr genaue Photomaske zum Aufbringen eines Musters im Submikronenbereich mit relativ niedrigen Kosten erhalten werden kann. Nachteilig ist dieses Verfahren jedoch in Bezug auf den Lichtkontrast zwischen den zu belichtenden und nicht zu belichtenden Flächen im Vergleich zur Belichtung durch direkten Kontakt der Photomasken. Deshalb ist die Belichtung durch verkleinernde Projektion nur dann zur Reproduktion eines Bildmusters von hoher Genauigkeit anwendbar, wenn die Photoresistzusammensetzung als solche für die Belichtung mit relativ geringem Kontrast sehr empfindlich ist.

Bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen, wie integrierten Schaltungen mit sehr hoher Integrationsdichte (VLSI), besteht das auf die Photoresistschicht aufzubringende Bildmuster nicht aus Linien mit ein und dergleichen Breite, sondern aus Linien mit verschiedenen Breiten, die in komplizierter Weise kombiniert sind. Dadurch entsteht ein schwieriges Problem, das die Qualität der Bildmusterwiedergabe beeinträchtigt, da die minimale Belichtungsdosis mit der eine Photoresistschicht an den belichteten Bereichen durch Entwicklung entfernt werden kann, beträchtlich von der Linienbreite abhängt. Nimmt man die minimale Belichtungsdosis für ein Bildmuster mit einer Linienbreite von 2,0 µm als Einheit an, so betragen beispielsweise die minimalen Belichtungsdosen für Muster mit Linienbreiten von 1,5 bzw. 1,0 µm 1,2 bis 1,3 bzw. 1,5 bis 1,7. Deshalb kann eine Belichtungsdosis, die für eine gewisse Linienbreite optimal ist, für Linien mit einer größeren oder kleineren Breite in dem gleichen Bildmuster zu groß oder zu klein sein, d. h., die feineren Linien werden ungenau wiedergegeben oder an den breiteren Linien wird zu viel Photoresistschicht entfernt; die Genauigkeit der Musterwiedergabe kann somit nicht über die Gesamtfläche des Bildmusters optimal sein. Dazu kommt, daß die Oberfläche einer sich im Herstellungsverfahren befindlichen Halbleitervorrichtung nicht vollständig flach ist, sondern im allgemeinen Stufen unterschiedlicher Höhe von 0,5 bis 1,0 µm von Bereich zu Bereich aufweist, so daß die Dicke einer auf einer solchen stufigen Oberfläche gebildeten Photoresistschicht nicht einheitlich sein kann und auf der Oberseite der Stufe geringer als auf der Unterseite ist. Wird eine solche Photoresistschicht belichtet und entwickelt, so ist folglich die Linienbreite des in der Photoresistschicht wiedergegebenen Bildmusters im Bereich, in dem die Photoresistschicht dünner ist, geringer als in dem Bereich, in dem die Schicht dicker ist, was die Genauigkeit der Musterwiedergabe beeinträchtigt.

Beim Ätzen der Oberfläche einer Halbleiterscheibe, auf die eine gemusterte Photoresistschicht im Submikronenbereich gebildet wird, ist in einem Naßverfahren das unerwünschte Phänomen der Seitenätzung mehr oder weniger unvermeidbar, so daß da Ätzen gelegentlich in einem Trockenverfahren durchgeführt wird, in dem das Seitenätzen durch Verwendung von Plasma vermieden wird. In diesen Trockenätzverfahren wird die gemusterte Photoresistschicht als Ätzmaske von dem Plasma angegriffen, was zu einer allmählichen Verringerung der Filmdicke führt. Deshalb ist es wünschenswert, bildmustergemäße Linien der Photoresistschicht einen solchen Querschnitt hat, daß ihre Breite nicht beeinträchtigt wird, selbst dann nicht, wenn die Dicke des Films durch Plasmaangriff im Trockenätzverfahren verringert wird.

Die obenbeschriebenen Probleme betreffen die schlechte Wiedergabe oder Übereinstimmung zwischen dem Original auf der Photomaske und dem in der Photoresistschicht wiedergegebenen Bildmuster. Die Gründe hierfür sind, wie oben angegeben, die Kontrastabnahme zwischen belichteten und unbelichteten Bereichen bei Belichtung durch verkleinerte Projektion, unterschiedliche optimale Belichtungsdosen zwischen Linienmustern mit verschiedenen Linienbreiten und unterschiedliche Dicken der Photoresistschicht auf beiden Flächen einer Stufe bei einer stufigen Scheibenoberfläche.

Dieses Problem können insgesamt nur durch Verwendung einer Photoresistzusammensetzung gelöst werden, die eine hohe Genauigkeit in der Musterwiedergabe aufweist und in der die Abmessungen des wiedergegebenen Musters von der Belichtungsdosis nicht beeinflußt werden. Eine solche Photoresistzusammensetzung, das heißt, in der die Abmessungen des wiedergegebenen Bildmusters von der Belichtungsdosis nicht beeinflußt werden, sollte folgende Eigenschaften aufweisen: Das wiedergegebene Linienmuster sollte unabhängig von der Belichtungsdosis oder der Entwicklungszeit eine genaue Wiedergabe der Linien des Originals auf der Photomaske ohne Vergrößerung oder Verkleinerung sein. Die bildmustergemäße Linie der Photoresistschicht sollte aufrecht auf der Substratoberfläche stehen und einen rechteckigen Querschnitt mit eindeutig gewinkelten Schultern haben, wogegen unerwünschte Querschnittskonfigurationen solche sind, die Schleppkanten auf der Substratoberfläche auch bei eindeutig gewinkelten Schultern aufweisen; die Photoresistschicht kann im Bereich der dünnen Kanten durch das Plasma weggeätzt werden, wodurch die Linienbreite des Photoresistbildmusters verändert wird.

Aufgabe der Erfindung war es daher, eine positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung anzugeben, die die obenbeschriebenen Probleme nicht aufweist, aus der eine bildmustergemäße Photoresistschicht herstellbar ist, die eine genaue Wiedergabe des Originalmusters ist und in der die Breite der Linien nicht von der Belichtungsdosis beeinflußt wird.

Die Aufgabe wird anspruchsgemäß gelöst durch eine positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung mit einem Gehalt an:

(A) 100 Masseteilen eines Cresol-Novolac-Harzes als filmbildende Komponente und

(B) von 25 bis 60 Masseteilen eines Naphthochinon-diazid- sulfonsäureesters als lichtempfindliche Komponente,

wobei das Cresol im Cresol-Novolac-Harz aus einem isomeren Gemisch von 10 bis 45% m-Cresol, 90 bis 55% p-Cresol und im wesentlichen ohne o-Cresol besteht.

Die Abbildungen erläutern die Erfindung, es zeigen:

Fig. 1, 2 und 3: schematisch je einen Querschnitt einer gemäß den Beispielen hergestellten, bildmustergemäßen Photoresistschichtlinie.

Das wesentliche Merkmal der erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzung ist das spezifische Cresol-Novolac-Harz als filmbildende Komponente, das aus einem Gemisch von m- und p-Cresol, im wesentlichen ohne o-Cresol, in bestimmten Anteilen hergestellt worden ist. Das erfindungsgemäße verwendete Cresolgemisch kann o-Cresol in einer geringen Menge enthalten, sie sollte jedoch 5% nicht übersteigen und so gering wie möglich sein.

Der in der erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzung als lichtempfindliche Komponente verwendete Naphthochinon-diazidsulfonsäureester (Komponente (B)) ist ein Reaktionsprodukt, das durch Veresterung einer Naphthochinon-diazid-sulfonsäure mit einer phenolischen Verbindung, wie Polyhydroxybenzophenonen oder Alkylgallaten, erhalten worden ist. Diese Veresterungsreaktion kann leicht in herkömmlicher Weise durchgeführt werden.

Zusätzlich zu den angegebenen Polyhydroxybenzophenonen, wie Tetrahydroxybenzophenon, und Alkylgallaten können in der Veresterungsreaktion auch folgende phenolische Verbindungen verwendet werden: Trihydroxbenzole, Trihydroxybenzol-monoether, 2,2′,4,4′-Tetrahydroxydiphenylmethan, 4,4′-Dihydroxydiphenylpropan, 4,4′-Dihydroxydiphenylsulfon, 2,2′-Dihydroxy- 1,1′-dinaphthylmethan, 2-Hydroxyfluoren, 2-Hydroxyphenanthren, Polyhydroxyanthrachinone, Purpurogallin und seine Derivate sowie 2,4,6-Trihydroxybenzoesäure-phenylester. Außerdem können aromatische Amine anstelle der phenolischen Verbindungen verwendet werden.

Das Cresol-Novolac-Harz, das heißt die Komponente (A), als filmbildende Komponente der erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzung ist, wie oben angegeben, ein Novolac-Harz, das aus einem Cresolisomerengemisch von 10 bis 45% m-Cresol, 90 bis 55% p-Cresol und im wesentlichen ohne o-Cresol hergestellt worden ist. Wird die Forderung in Bezug auf den Anteil der Cresolisomeren im Ausgangscresol, das zur Herstellung das Cresol-Novolac-Harzes verwendet wurde, leicht erfüllt, so können die gewünschten Verbesserungen der Photoresistzusammensetzung nicht erreicht werden.

Die erfindungsgemäße Photoresistzusammensetzung sollte von 25 bis 60 Masseteile Naphthochinon-diazid-sulfonsäureester als lichtempfindliche Komponente je 100 Masseteile Cresol- Novolac-Harz als filmbildende Komponente enthalten. Beträgt die Menge an lichtempfindlicher Komponente über 60 Masseteile, so nimmt die Empfindlichkeit der Photoresistzusammensetzung deutlich ab; eine zu geringe Menge hat eine nachteilige Wirkung auf die Querschnittskonfiguration der bildmustergemäßen Linie der Photoresistschicht.

Die erfindungsgemäße positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung wird im allgemeinen in Form einer Lösung verwendet, die durch Lösen des oben beschriebenen Cresol-Novolac-Harzes und des Naphthochinon-diazid-sulfonsäureesters in einem geeigneten organischen Lösungsmittel hergestellt wird. Beispiele für geeignete organische Lösungsmittel sind Ketone, wie Aceton, Methylethylketon, Cyclohexanon und Isoamylketon, Polyalkohole und ihre Derivate, wie Ethylenglycol, Ethylenglycol- monoacetat, Diethylenglycol und Monomethyl-, Monoethyl-, Monopropyl-, Monobutyl- und Monophenylether von Diethylenglycol-monoacetat, zyklische Ether, wie Dioxan, und Ester, wie Methylacetat, Ethylacetat und Butylacetat. Diese organischen Lösungsmittel können entweder einzeln oder je nach Bedarf als Gemisch von mindestens zwei Lösungsmitteln verwendet werden.

Der erfindungsgemäßen, positiv arbeitenden Photoresistzusammensetzung können gegebenenfalls verschiedene Arten von bekannten Zusatzmitteln zugesetzt werden, die mit den Hauptbestandteilen der Zusammensetzung veträglich sind und herkömmlicherweise in Photoresistzusammensetzung verwendet werden, wie Hilfsharze, Weichmacher, Stabilisatoren und Farbmittel zur besseren Sichtbarmachung des Bildmusters nach der Entwicklung.

Die Herstellung eines Photoresistschicht-Bildmusters unter Verwendung der erfindungsgemäßem Photoresistzusammensetzung kann in herkömmlicher Weise erfolgen. So wird beispielsweise die Oberfläche eines Substratskörpers, wie einer Halbleiter- Siliziumscheibe, mit der erfindungsgemäßen Photoresistzusammensetzung als organische Lösung mit einer geeigneten Beschichtungsvorrichtung, wie einem Rotationsbedampfer, beschichtet und zu einer einheitlichen Photoresistschicht getrocknet. Die Photoresistschicht wird dann in einem Verkleinerungsprojektor oder einer geeigneten Belichtungsvorrichtung durch eine Photomaske mit dem gewünschten Bildmuster belichtet und mit einer Entwicklerlösung, wie einer wäßrigen Lösung einer organischen Base, beispielsweise Tetramethylammoniumhydroxid, in einer Konzentration von 2 bis 5 Masseprozent, entwickelt. Auf diese Weise wird die Photoresistschicht in den Bereichen selektiv weggelöst, in denen die Photoresistzusammensetzung als Folge der Belichtung eine höhere Löslichkeit in der Entwicklerlösung hat. Dabei entsteht eine sehr genaue verkleinerte Wiedergabe des Bildmusters der Photomaske. Vorteilhafterweise ist das so wiedergegebene Bildmuster eine sehr genaue Wiedergabe des Photomaskenbildmusters bis in die äußersten Feinheiten, wobei die bildmustergemäße Linie im Submikronenbereich Maßgenauigkeit aufweist; bei der Belichtung durch verkleinernde Projektion, bei der ein schlechter Kontrast entstehen kann, wird diese Maßgenauigkeit nicht einmal von einer Substratoberfläche mit Höhenstufen beeinträchtigt.

Die erfindungsgemäße, positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung kann somit mit Vorteil bei der Herstellung von Halbleitervorrichtungen mit hoher Genauigkeit, wie VLSI, verwendet werden.

Die Erfindung wird durch die Beispiele und Vergleichsbeispiele erläutert.

Beispiel 1:

Ein Cresol-Novolac-Harz, wird in herkömmlicher Weise durch Kondensation eines Reaktionsgemisches von 60 Masseteilen m-Cresol und 40 Masseteilen p-Cresol und Formalin in Gegenwart von Oxalsäure als Katalysator hergestellt.

Eine positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung in Form einer Lösung wird durch Lösen von 100 Masseteilen des wie oben hergestellten Cresol-Novolac-Harzes und 30 Masseteilen des 2,3,4-Trihydroxybenzophenonesters der Naphthochinon- 1,2-diazido-5-sulfonsäure in 390 Masseteilen Ethylenglycolmonoethyletheracetat hergestellt und durch ein Membranfilter mit einem Porendurchmesser von 0,2 µm filtriert.

Eine Siliziumscheibe mit einem Durchmesser von 10,16 cm (4 inch) wurde einheitlich mit der Photoresistlösung in einer Beschichtungsdicke von 1,3 µm (nach Trocknung) unter Verwendung einer Resistbeschichtungsvorrichtung (Modell TR 4000 von Tazmo Co.) beschichtet, getrocknet und 90 Sekunden auf einer 110°C heißen Platte zu einer Photoresistschicht auf der Scheibe getrocknet. Die Silziumscheibe mit der Photoresistschicht wurde dann mit UV-Licht in einem Verkleinerungsprojektor (Wafer Stepper Modell DSW-4800 von GCA Co.) durch eine Versuchsphotomaske (hergestellt von Dai-Nippon Printing Co.) 880 Millisekunden (ms) belichtet und 30 Sekunden bei 23°C mit einer wäßrigen Lösung von 2,38 Masseprozent Tetramethylammoniumhydroxid als Entwicklerlösung entwickelt.

Die so entwickelten bildmustergemäßen Linien der Photoresistschicht hatten einen idealen rechteckigen Querschnitt (schematisch dargestellt in Fig. 1), d. h., die Linie 2 steht mit senkrechten Seitenflächen auf dem Substrat 1.

Beispiele 2 bis 9 und Vergleichsbeispiele 1 bis 5:

Die Arbeitsweise des Beispiels 1 wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß das Cresol-Novolac-Harz aus einem isomeren Gemisch von m- und p-Cresolen in den in der Tabelle angegebenen Mengen hergestellt wurde. Die verschiedenen lichtempfindlichen Verbindungen I bis VI wurden in den in der Tabelle angegebenen Mengen verwendet, wobei diese in Masseteilen je 100 Masseteile Cresol-Novolac-Harz angegeben sind.

I. Veresterungsprodukt von 1 mol/1 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und 1,6 mol/1 Naphthochinon-1,2-diazido-5- sulfonylchlorid.

II. Veresterungsprodukt von 1 mol/1 2,4,6-Trihydroxybenzophenon und 1,8 mol/1 Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonylchlorid.

III. Veresterungsprodukt von 1 mol/1 2,3,4-Trihydroxybenzophenon und 2,0 mol/1 Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonylchlorid.

IV. Veresterungsprodukt von 1 mol/1 2,3,4-Trihydroxy-4′- hydroxybenzophenon und 2,2 mol/1 Naphthochinon-1,2-diazido5-sulfonylchlorid.

V. Veresterungsprodukt von 1 mol/1 1,2,3-Trihydroxybenzol und 1,6 mol/1 Naphthochinon-1,2-diazido-5-sulfonylchlorid.

VI. Veresterungsprodukt von 1 mol/1 2,4,6-Trihydroxybenzoesäure- phenylester und 1,6 mol/1 Naphthochinon-1,2-diazido- 5-sulfonylchlorid.

In der Tabelle sind die Belichtungszeiten in Millisekunden und die Querschnittsform der bildmustergemäßen Linien der Photoresistschicht mit den Zahlen 1, 2 und 3 angegeben. Diese Zahlen entsprechen dem in den Fig. 1 bis 3 dargestellten Querschnitten der bildmustergemäßen Linie 2 der durch Entwicklung auf dem Substrat 1 gebildeten Photoresistschicht. Die Querschnittsform kann dabei rechteckig wie in Fig. 1 sein, ein Plateau mit eindeutig gewinkelten Schultern, jedoch mit Schleppkanten wie in Fig. 2 aufweisen oder breit mit runden Schultern und Schleppkanten wie in Fig. 3 sein.

Tabelle

Beispiel 10:

Die Arbeitsweise des Bespieles 1 wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß die Versuchsphotomaske durch ein Versuchsraster mit einem Muster von Linien und Abständen mit einer Breite von 1,25 und 2,0 µm ersetzt wurde. Das so hergestellte Photoresistmuster auf der Siliziumscheibe war eine genaue Wiedergabe des Bildmusters des Versuchsrasters.

Vergleichsbeispiel 6:

Die Arbeitsweise des Vergleichsbeispiels 1 wurde wiederholt mit dem Unterschied, daß die Versuchsphotomaske durch das gleiche Versuchsraster wie in Beispiel 10 ersetzt wurde und die Belichtungszeit 450 ms betrug. Das Muster mit Linien und Abständen mit einer Breite von 1,25 µm konnte auf der Siliziumscheibe wiedergegeben werden, wogegen das Muster mit Linien und Abständen in einer Breite von 2,0 µm nur unvollständig als Linienmuster von 1,6 µm Breite und Abstandsmuster von 2,4 µm Breite wiedergegeben werden konnte.

Claims

1. Positiv arbeitende Photoresistzusammensetzung mit einem Gehalt an
(A) 100 Masseteilen eines Cresol-Novolac-Harzes als filmbildende Komponente und
(B) von 25 bis 60 Masseteilen eines Naphthochinon-diazid- sulfonsäureesters als lichtempfindliche Komponente,
wobei das Cresol im Cresol-Novolac-Harz aus einem Isomerengemisch von 10 bis 45% m-Cresol, 90 bis 55% p-Cresol und im wesentlichen ohne o-Cresol besteht.

2. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß das Cresolisomerengemisch aus 10 bis 45% m-Cresol, 90 bis 55% p-Cresol und 5% oder weniger o-Cresol besteht.

3. Photoresistzusammensetzung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der Naphthochinon-diazid-sulfonsäureester (B) das Veresterungsprodukt von Naphthochinon-1,2-diazido-5- sulfonsäure und eines Polyhydroxybenzophenons ist.