DE19758561B4 - Verfahren zur Herstellung eines feinen Musters und einer Halbleitervorrichtung - Google Patents
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Abstract
Ausbildung eines Musters aus einem ersten Resist (1, 11, 21), wobei der erste Resist nicht in purem Wasser löslich ist und eine Säure oder einen Säuregenerator enthält, auf einem Substrat;
Ausbildung einer Schicht aus einem zweiten Resist (2, 12, 22), wobei der zweite Resist in purem Wasser löslich ist und der zweite Resist ein Basispolymer und ein Lösungsmittel aufweist und in der Lage ist, in der Anwesenheit einer Säure einer Vernetzungsreaktion zu unterliegen, über dem ersten Resist, wobei das Lösungsmittel für den zweiten Resist (2, 12, 22) pures Wasser ist, welches in der Lage ist, ein Basispolymer und eine vernetzbare Verbindung zu lösen, und nicht in der Lage ist, den ersten Resist zu lösen;
Ausbildung einer vernetzten Schicht (4, 14, 24) in Abschnitten des zweiten Resists, die in Kontakt mit dem ersten Resist sind, durch die Wirkung...
Description
- Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung fein getrennter Resistmuster, d. h. von sehr feingemusterten Resistmustern.
- Genauer gesagt bezieht sie sich die Erfindung auf ein Verfahren zur Ausbildung fein getrennter Resistmuster, bei dem eine Trennungsgröße oder eine Öffnungsgröße in dem Muster reduziert wird, wenn das Resistmuster in einem Halbleiterherstellungsverfahren ausgebildet wird.
- Der hohe Grad der Integration von Halbleitervorrichtungen wird begleitet von sehr feinen Zwischenverbindungen, Verdrahtungen und Trennungsbreiten, die in den Herstellungsverfahrensabläufen benötigt werden. Feine Muster werden typischerweise durch Ausbildung eines Resistmusters mit einer Photolithographietechnik und dem Ätzen verschiedener Typen von darunterliegenden dünnen Schichten über ein Resistmuster, das als eine Maske verwendet wird, ausgebildet.
- In diesem Sinn ist die Photolithographietechnik sehr wichtig als ein Startpunkt für die feinen Verfahrensabläufe. Die Photolithographietechnik beinhaltet eine Beschichtung mit einem Resist, eine Maskenausrichtung, eine Belichtung mit Licht und eine Entwicklung. Diese Technik begrenzt die Feinheit aufgrund einer Beschränkung, die durch die Wellenlänge des Belichtungslichts auferlegt wird.
-
JP 6-250 379 A - Wie oben beschrieben worden ist, ist es schwierig, wenn die herkömmliche Photolithographietechnik verwendet wird, ein feines Resistmuster auszubilden, das die Grenzen der Wellenlänge überschreitet.
- Es ist eine Aufgabe der vorliegenden Erfindung, ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, das eine Technik zum Reduzieren fein getrennter Resistmuster verwendet, und eine Halbleitervorrichtung, die entsprechend des Verfahrens hergestellt ist, anzugeben.
- Diese Aufgabe wird gelöst durch ein Verfahren nach Anspruch 1 oder 2.
- Weiterbildungen der Erfindung sind in den Unteransprüchen angegeben.
- Insbesondere wird ein Verfahren zur Herstellung eines fein getrennten Resistmusters mit reduzierten Abmessungen bereitgestellt, das es ermöglicht, ein Muster auszubilden, das die Grenzen der Wellenlänge überschreitet.
- Entsprechend eines Aspektes der vorliegenden Erfindung wird bei einem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung ein Muster aus einem ersten Resist, der zum Erzeugen einer Säure in der Lage ist, auf einer Halbleitervorrichtungsschicht ausgebildet. Über dem ersten Resist wird eine Schicht aus einem zweiten Resist ausgebildet, der in der Lage ist, in der Anwesenheit einer Säure einer Vernetzungsreaktion zu unterliegen. Eine vernetzte Schicht wird in Abschnitten des zweiten Resists ausgebildet, die in Kontakt mit dem ersten Resist sind. Die vernetzte Schicht wird durch die Wirkung einer Säure aus dem ersten Resist ausgebildet. Nicht vernetzte Abschnitte des zweiten Resists werden zur Ausbildung eines Resistmusters entfernt. Dann wird die Halbleitervorrichtungsschicht über eine Maske aus dem Resistmuster geätzt.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung werden bei dem Verfahren zur Ausbildung einer Halbleitervorrichtung das Muster aus dem ersten Resist und die Schicht aus dem zweiten Resist zur Ausbildung der vernetzten Schicht erwärmt.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Muster aus dem ersten Resist aus einem Resist ausgebildet, der zum Erzeugen einer Säure bei Belichtung mit Licht in der Lage ist.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung wird bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Muster aus dem ersten Resist selektiv mit Licht nur in einem vorbestimmten Bereich belichtet.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Muster aus dem ersten Resist aus einem Resist ausgebildet, der in sich eine Säure enthält.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Muster aus dem ersten Resist aus einem Resist ausgebildet, der mit einer sauren bzw. säurehaltigen Flüssigkeit oberflächenbehandelt wird.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Muster aus dem ersten Resist aus einer Mischung ausgebildet, die ein Harz auf Novolakbasis und ein photoempfindliches Naphthochinondiazidmittel bzw. -agens enthält.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung weist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung das Muster aus dem ersten Resist weiter ein Chlormethyltriazin als einen Säuregenerator auf.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist das Muster aus dem ersten Resist aus einer Mischung ausgebildet, die ein Polyhydroxystyrolderivat und ein Oniumsalz, das als ein photounterstützter Säuregenerator dient, enthält.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung die Schicht aus dem zweiten Resist aus einem Resist ausgebildet, der ein vernetzendes Agens aufweist, das in der Anwesenheit einer Säure in der Lage ist, einer Vernetzungsreaktion zu unterliegen bzw. einer solchen unterliegt.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung die Schicht aus dem zweiten Resist aus einem Material ausgebildet, das aus einer Gruppe ausgewählt ist, die Polyvinylacetal, eine Mischung aus Polyvinylacetal und Methoxymethylolharnstoff (Methoxyhydroxymethylharnstoff), eine Mischung aus Polyvinylacetal und Methoxymethylolmelamin (Methoxyhydroxymethylmelamin) und eine Mischung aus Methoxymethylolmelamin und Polyallylamin enthält.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung ein Lösungsmittel für den zweiten Resist aus reinem Wasser oder einer Mischung aus reinem Wasser und einem Alkohol ausgewählt. Das Lösungsmittel ist in der Lage, ein Basispolymer und eine vernetzbare Verbindung zu lösen, es ist nicht in der Lage, den ersten Resist zu lösen, und es weist einen hohen Löslichkeitsparameter auf. Ein flüssiger Entwickler für den zweiten Resist ist aus purem Wasser oder einer alkalischen wäßrigen Lösung ausgewählt.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung sind bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung ein Lösungsmittel und ein flüssiger Entwickler für den zweiten Resist aus einem organischen Lösungsmittel, das zum Lösen des Basispolymers und der vernetzbaren Verbindung in der Lage ist, das nicht zum Lösen des ersten Resists in der Lage ist, und die einen niedrigen Löslichkeitsparameter aufweisen, ausgewählt.
- Bei einem anderen Aspekt der vorliegenden Erfindung ist bei dem Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung der erste Resist aus Resists negativen Typs ausgewählt, die aus einer Mischung aus einer vernetzbaren Verbindung, einem Säuregenerator bzw. Säureerzeuger und einem Basispolymer bestehen.
- Weitere Merkmale und Zweckmäßigkeiten der Erfindung ergeben sich aus der folgenden Beschreibung von Ausführungsbeispielen anhand der Figuren. Von den Figuren zeigen:
-
1(a) ein Maskenmuster für Löcher zur Ausbildung fein getrennter Resistmuster entsprechend Ausführungsformen der Erfindung; -
1(b) ein Maskenmuster für Zwischenräume zur Ausbildung fein getrennter Resistmuster entsprechend Ausführungsformen der vorliegenden Erfindung; -
2(a) bis2(f) einen Verfahrensablauf für ein Verfahren zur Herstellung eines fein getrennten Resistmusters entsprechend einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; -
3(a) bis3(e) einen Verfahrensablauf für ein Verfahren zur Herstellung eines fein getrennten Resistmusters entsprechend einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; und -
4(a) bis4(g) einen Verfahrensablauf für ein Verfahren zur Herstellung eines fein getrennten Resistmusters entsprechend einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung; - Unter Bezugnahme auf die Figuren, in denen die gleichen Bezugszeichen identische oder entsprechende Teile durchgehend in den verschiedenen Ansichten bezeichnen, werden eine erste bis dritte Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben.
- Erste Ausführungsform
-
1(a) und1(b) zeigen Maskenmuster, die zur Ausbildung fein getrennter Resistmuster, auf die die Erfindung gerichtet ist, verwendet werden. Genauer gesagt zeigt1(a) ein Maskenmuster100 für feine Löcher, d. h. für Löcher mit kleinem Durchmesser, und1(b) zeigt ein Maskenmuster200 für feine Zwischenräume, d. h. kleine Abstände. Die2(a) bis2(f) zeigen Darstellungen eines Verfahrensablaufs zur Illustration eines Verfahrens zur Ausbildung eines fein getrennten Resistmusters entsprechend der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Unter Bezugnahme auf die1(a) und1(b) sowie die2(a) bis2(f) werden das Verfahren zur Ausbildung eines fein getrennten Resistmusters und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung entsprechend der ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung beschrieben. - Am Anfang wird, wie in
2(a) gezeigt ist, ein erster Photoresist1 , der zum Erzeugen einer Säure aus dem Inneren desselben durch Belichtung mit Licht in der Lage ist, auf ein Halbleitersubstrat3 (zum Beispiel in einer Dicke von ungefähr 0,70 μm) beschichtet. Der erste Photoresist1 wird vorgebacken (durch eine thermische Behandlung bei 70 bis 100°C für ungefähr eine Minute), gefolgt durch eine Belichtung mit Licht durch eine Maske, die ein Muster aufweist, wie es in den1(a) oder1(b) gezeigt ist, unter Verwendung eines g-Strahls oder i-Strahls von einer Quecksilberlampe (z. B. für eine Belichtungszeit, die ungefähr 200 mJ/cm2 entspricht). Falls es benötigt wird, wird der belichtete Photoresist einer thermischen Behandlung durch ein Nachbelichtungsbacken (PEB = Post Exposure Baking) (zum Beispiel bei einer PEB-Temperatur von 100 bis 130°C) unterworfen, wodurch die Auflösung des Photoresists verbessert wird. Dies wird gefolgt durch eine Entwicklung mit einer verdünnten wäßrigen Lösung von ungefähr 2 Gewichts% TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid).2(b) zeigt das ausgebildete Muster des Resists1 . - Falls es notwendig ist, kann ein Nachentwicklungsbacken durchgeführt werden (z. B. bei einer Nachbacktemperatur von ungefähr 110°C). Diese thermische Behandlung beeinflußt eine nachfolgende Mischreaktion und sollte auf eine geeignete Temperatur ein gestellt werden. Der obige Ablauf ist vergleichbar zu der Ausbildung eines Resistmusters entsprechend eines bekannten Resistsverfahrens, ausgenommen, daß der Resist
1 , der zur Erzeugung einer Säure in der Lage ist, verwendet wird. - Nach der Ausbildung des Musters, das in
2(b) gezeigt ist, wird ein zweiter Resist2 , der eine vernetzbare Verbindung enthält, die zum Vernetzen in der Anwesenheit einer Säure in der Lage und in einem Lösungsmittel, das nicht zum Lösen des ersten Resists in der Lage ist, gelöst ist, über dem Halbleitersubstrat3 ausgebildet, wie es in2(c) gezeigt ist. - Es ist wichtig, zu bemerken, daß die Lösungsmittel für den zweiten Resist nicht erlauben, daß das Muster des ersten Resists darin gelöst wird. Für die Ausbildung des zweiten Resists werden Wasser (reines Wasser) oder ein gemischtes Lösungsmittel aus Wasser (reines Wasser) und Alkohol (wie zum Beispiel Isopropylalkohol (IPA)) verwendet.
- Für den zweiten Resist kann ein wasserlösliches Polyvinylacetal verwendet werden. Alternativ können Mischungen aus Polyvinylacetal und Methoxymethylolharnstoff, Mischungen aus Polyvinylacetal und Methoxymethylolmelamin und/oder Mischungen aus Methoxymethylolmelamin und Polyallylamin ebenfalls verwendet werden. Die Mischungen bestehen aus Resistmaterialien und vernetzbaren Verbindungen oder vernetzenden Mitteln (vernetzende Agens).
- Falls es notwendig ist, können des weiteren Acrylpolymere, Polyvinylpyrrolidon, Polyvinylalkohol und ähnliches zu den obigen Bestandteilen als ein Basispolymer hinzugefügt werden.
- Der beschichtete bzw. aufgebrachte zweite Resist
2 kann vorgebacken werden, falls es notwendig ist (z. B. bei ungefähr 85°C). Diese thermische Behandlung beeinflußt einen nachfolgende Mischreaktion und sollte auf eine geeignete Temperatur eingestellt werden. - Als nächstes wird, wie in
2(d) gezeigt ist, die gesamte Oberfläche des Halbleitersubstrats3 mit einem g-Strahl oder einem i-Strahl aus einer Quecksilberlampe (z. B. mit einer Belichtungszeit, die ungefähr 200 bis 1000 mJ/cm2 entspricht) belichtet, wodurch verursacht wird, daß eine Säure in dem ersten Resist1 erzeugt wird. Entsprechend dieser Ausführungsform wird das Substrat3 nach dem Beschichten mit dem zweiten Resist2 belichtet, um zu verursachen, daß die Säure in dem ersten Resist1 erzeugt wird. - Es sollte bemerkt werden, daß neben der Gesamtbelichtung des Halbleitersubstrates
3 die Belichtung unter Verwendung einer Belichtungsmaske bewirkt werden kann. Die Belichtungsmaske erlaubt eine selektive Belichtung allein der benötigten Abschnitte in einer solchen Art und Weise, daß der zweite Resist in Flächen bzw. Bereiche, die an der Grenzfläche mit dem ersten Resistmuster1 vernetzt sind, und in Flächen bzw. Bereiche, die nicht vernetzt sind, unterteilt wird. - Als nächstes wird, wie in
2(e) gezeigt ist, das Halbleitersubstrat3 thermisch behandelt (bei 60 bis 130°C), wodurch es ermöglicht wird, daß eine Säure von jedem Abschnitt des ersten Resists1 in Richtung des zweiten Resists2 diffundiert. Dieses verursacht, daß die Vernetzungsreaktion in dem zweiten Resist2 an den Grenzflächen bzw. Verbindungen mit dem ersten Resist1 auftritt (z. B. Mischungsbacktemperatur/Zeit = 60 bis 130°C/90 Sekunden). Durch die Wirkung dieser Maßnahme wird eine Vernetzungsschicht4 durch die Vernetzungsreaktion in dem zweiten Resist2 zum Bedecken der Abschnitte des ersten Resists1 ausgebildet. - Als nächstes wird, wie in
2(f) gezeigt ist, der zweite Resist2 durch Entwicklung mit einem flüssigen Entwickler wie Wasser oder einer Lösung von TMAH in den Flächen bzw. Bereichen, die nicht vernetzt sind, entfernt. Durch die obige Behandlung wird es möglich, ein Resistmuster zu erhalten, das bezüglich des Lochdurchmessers oder der Trennungsbreite reduziert ist. Genauer gesagt, wenn eine Trennungsbreite in dem Muster des ersten Resists gleich 0,4 μm ist, wird der zweite Resist mit einer Dicke von 400 nm (4000 Å) beschichtet und die Vernetzungsschicht (Mischschicht) wird mit einer Dicke von 0,1 um ausgebildet. Das resultierende Resistmuster weist, nach der Abtrennung der nicht vernetzten Bereiche des zweiten Resists, eine Trennungsweite von 0,3 μm auf. - Bei dem Herstellungsverfahren, das unter Bezugnahme auf die
2(a) bis2(f) beschrieben wurde, ist die Erzeugung einer Säure aus dem ersten Resist1 durch Belichtung mit Licht beschrieben worden. Die Erfinder haben herausgefunden, daß, wenn Polyvinylacetal als der zweite Resist2 verwendet wird, und wenn die Muster bei einer geeigneten Temperatur (d. h. Backtemperatur) von zum Beispiel 150°C behandelt werden, die Grenzflächen mit dem ersten Resistmuster ohne Belichtung mit Licht für die Säureerzeugung vernetzt werden. In diesem Fall ist es zu bevorzugen, daß Wasser (reines Wasser) als das Lösungsmittel verwendet wird. - In
2(a) bis2(f) ist das Muster der fein getrennten Resistabschnitte so dargestellt, daß es auf dem Halbleitersubstrat3 ausgebildet ist. Es ist überflüssig zu sagen, daß das Muster auf einer Isolierschicht wie einer Siliziumoxidschicht oder einer leitenden Schicht wie einer Polysiliziumschicht, abhängig von dem Herstellungsverfahren einer Halbleitervorrichtung, ausgebildet werden kann. Kurz gesagt, das Muster kann auf irgendeinem anderen Typ von Substrat ausgebildet werden, je nachdem wie es benötigt wird. Das fein getrennte Re sistmuster, das ausgebildet worden ist, wird als eine Maske zum Ätzen verschiedener Typen von darunterliegenden dünnen Schichten verwendet, wodurch feine Abstände in der darunterliegenden dünnen Schicht oder feine Löcher ausgebildet werden, um eine entsprechende Halbleitervorrichtung zu erhalten. - Derart wird, entsprechend der Ausführungsform der Erfindung, der erste Resist
1 so mit Licht belichtet, wie er mit dem zweiten Resist2 bedeckt ist, so daß die Menge der in dem ersten Resist1 erzeugten Säure genau durch Steuern der Belichtung gesteuert werden kann. Derart kann die Dicke der Reaktionsschicht (Vernetzungsschicht)4 genau gesteuert werden. Die Dicke der vernetzten Schicht kann wie gewünscht durch Einstellen einer Erwärmungs- und Vernetzungszeit (Mischungsbackzeit) gesteuert werden. - Darüber hinaus wird es, falls eine geeignete Belichtungsmaske zum selektiven Belichten des Halbleitersubstrats zur Unterteilung in belichtete Flächen bzw. Bereiche verwendet wird, möglich, Flächen bzw. Bereiche auszubilden, in denen das zweite Resistmuster an den Grenzflächenabschnitten mit dem ersten Resistmuster vernetzt ist. Vergleichbar wird es, falls eine geeignete Belichtungsmaske zum selektiven Belichten des Halbleitersubstrates zum Unterteilen in nicht belichtete Flächen bzw. Bereiche verwendet wird, möglich, Flächen bzw. Bereiche auszubilden, in denen keine Vernetzung stattfindet. Dieses erlaubt es, feine Löcher (Löcher mit kleinem Durchmesser) oder feine bzw. kleine Zwischenräume unterschiedlicher Größe bei demselben Halbleitersubstrat auszubilden.
- In der Praxis der Erfindung ist das Lösungsmittel für den zweiten Resist
2 ein solches, das nicht in der Lage ist, den ersten Resist1 zu lösen. Dieses erleichtert es, daß die Säure, die in dem nachfolgenden Schritt erzeugt wird, leicht diffundiert. - Bei der ersten Ausführungsform der Erfindung ist es zu bevorzugen, daß ein Harz auf Novolakbasis als ein Basismaterial verwendet wird, und photoempfindliche Naphthochinondiazid-Mittel bzw. -Agens werden als ein Säureerzeuger verwendet, um einen Resist positiven Typs aus einer Mischung derselben auszubilden. Es ist zu bemerken, daß photoempfindliche Naphthochinondiazid-Agens gewöhnlich für die Herstellung von Halbleitervorrichtungen zur Erzeugung von Indenkarbonsäuren bei Belichtung mit Licht verwendet werden. Spezifische Beispiele von solchen Agens enthalten Ester von 1,2-Naphthochinondiazid-5-Sulfonsäure und Hydroxyverbindungen. Ester von 1,2-Naphthochinondiazid-4-Sulfonsäure und Hydroxyverbindungen, die zum Liefern von Sulfonsäure bei Belichtung mit Licht in der Lage sind, können verwendet werden.
- Es ist außerdem zu bevorzugen, Resists positiven Typs zu verwenden, die aus Mischungen von photoempfindlichen Novolak/Naphthochinondiazid-Agens, denen Triazinsäureerzeuger hinzugefügt sind, hergestellt sind, als den ersten Resist zu verwenden. Beispiele des Triazinsäureerzeugers enthalten Trichlormethyltriazin.
- Darüber hinaus kann ein anderer Typ von positivem Resist bevorzugterweise als der erste Resist verwendet werden. Ein solcher positiver Resist ist aus einer Mischung aus einem Polyhydroxystyrolderivat als ein Basismaterial und einem Oniumsalz, das als ein photounterstützter Säureerzeuger dient, ausgebildet. Beispiele der Polyhydroxystyrolderivate enthalten Ester von Polyhydroxystyrol und tert-Butoxycarbonsäure.
- Die Lösungsmittel (oder Lösungen) für den zweiten Resist, der in der ersten Ausführungsform der Erfindung verwendet wird, sollten bevorzugterweise pures Wasser oder gemischte Lösungen aus purem Wasser und Alkohol sein. Die Lösungsmittel sollten in der Lage sein, eine Mischung eines Basispolymers und einer ver netzbaren Verbindung zu lösen, nicht in der Lage sein, den ersten Resist zu lösen, und einen hohen Löslichkeitsparameter (SP) aufweisen. Im letzteren Fall enthalten gemischte Lösungsmittel bevorzugterweise Alkohol wie Isopropylalkohol (IPA), Ethylalkohol (EtOH) und ähnliches in Mengen, die nicht größer als 10%, basierend auf Wasser, sind. Da der erste Resist einen moderaten bzw. mäßigen Löslichkeitsparameter (SP) aufweist, werden bevorzugterweise solche Lösungsmittel verwendet, die einen hohen Löslichkeitsparameter (SP) aufweisen. Bevorzugter Alkohol enthält Isopropylalkohol.
- Alternativ können als Lösungsmittel für den zweiten Resist bevorzugterweise organische Lösungsmittel verwendet werden, die in der Lage sind, Mischungen von Basispolymeren und vernetzbaren Verbindungen zu lösen, die nicht in der Lage sind, den ersten Resist zu lösen, und die einen niedrigen Löslichkeitsparameter (SP) aufweisen. Wie oben ausgeführt worden ist, ist, da der erste Resist einen moderaten Löslichkeitsparameter (SP) aufweist, die Verwendung eines organischen Lösungsmittels, das einen niedrigen Löslichkeitsparameter (SP) aufweist, wirksam für diesen Zweck. Bevorzugte Beispiele der organischen Lösungsmittel enthalten Chlorbenzol, Benzol, n-Hexan, Cyclohexan und ähnliches.
- Für den zweiten Resist wird bevorzugterweise wasserlösliches Polyvinylacetal verwendet. Polyvinylacetal ist eine Art von Resistmaterial, welches durch die Wirkung einer Säure einer Vernetzungsreaktion unterliegt. Es ist nicht notwendig, irgendeine vernetzbare Verbindung dem Polyvinylacetal hinzuzufügen, da sie durch die Wirkung einer Säure mit sich selbst vernetzt. Natürlich kann Methoxymethylolharnstoff oder Methoxymethylolmelamin dem Polyvinylacetal als eine vernetzbar Verbindung hinzugefügt werden. Wo Polyvinylacetal zur Ausbildung des zweiten Resists verwendet wird, findet die Vernetzungsreaktion an den Grenzflächen mit dem ersten Resistmuster durch Behandlung bei einer ge eigneten Erwärmungstemperatur statt. Dementsprechend ist eine Belichtung für die Erzeugung einer Säure nicht notwendig. In diesem Fall kann, wie oben diskutiert wurde, ein Lösungsmittel für Polyvinylacetal Wasser (reines Wasser) sein.
- Der zweite Resist kann aus einer Mischung aus Polyvinylacetal und Methoxymethylolharnstoff oder Methoxymethylolmelamin gemacht sein. Zusätzlich kann eine Mischung aus Methoxymethylolmelamin und Polyallylamin ebenfalls für die Ausbildung des zweiten Resists verwendet werden. Die Mischungen weisen Resistmaterialien und vernetzende Agens auf.
- Im allgemeinen enthalten die vernetzenden Agens, die in dem zweiten Resist enthalten sein können, Harnstoff- oder Melaminderivate wie Methoxymethylolharnstoff oder Methoxymethylolmelamin.
- Wie aus dem Obigen offensichtlich ist, umfaßt der zweite Resist, der in der Anwesenheit einer Säure einer Vernetzungsreaktion unterliegt, den Fall, in dem ein Resistmaterial selbst als eine vernetzbare Verbindung oder ein vernetzbares Material dient. Außerdem umfaßt der zweite Resist, der in der Anwesenheit einer Säure einer Vernetzungsreaktion unterliegt, den Fall, in dem eine Verbindung als ein Resistmaterial und eine vernetzbare Verbindung als ein vernetzender Agens gemischt sind.
- Falls es notwendig ist, können Acrylpolymere, Polyvinylpyrrolidon und Polyvinylalkohol als ein Basispolymer hinzugefügt werden.
- Die Ausbildung eines Resistmusters, bei dem der erste Resist vom positiven Typ ist, ist oben beschrieben worden. Bei der ersten Ausführungsform ist der erste Resist nicht auf den positiven Typ begrenzt. Ein Resist vom negativen Typ kann ebenfalls verwendet werden und liegt innerhalb des Umfanges in der Erfindung. Der negative Resist, der in der Praxis der Erfindung verwendet wird, kann aus Mischungen bestehen, die zum Beispiel vernetzbare Verbindungen aufweisen, die Harnstoff- oder Melaminderivate wie Methoxymethylolharnstoff oder Methoxymethylolmelamin, organische halogenbasierte Säureerzeuger und Basispolymere wie Polyhydroxystyrol, Novolakharz und ähnliches enthalten.
- Zweite Ausführungsform
- Die
3(a) bis3(e) sind Ablaufdiagramme, die ein Verfahren zur Herstellung eines fein getrennten Resistmusters entsprechend der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung illustrieren. Unter Bezugnahme auf die1(a) ,1(b) und die3(a) bis3(e) werden das Verfahren zur Ausbildung eines fein getrennten Resistmusters und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Resistmusters entsprechend der zweiten Ausführungsform beschrieben. - Wie in
3(a) gezeigt ist, wird ein erster Photoresist11 , der eine kleine Menge eines säurehaltigen bzw. sauren Materials in sich enthält, auf ein Halbleitersubstrat3 beschichtet bzw. aufgebracht. Der erste Photoresist11 wird vorgebacken (durch eine thermische Behandlung bei einer Temperatur von 70 bis 100°C) gefolgt durch eine Belichtung des vorgebackenen Photoresists11 mit einem g-Strahl oder einem i-Strahl von einer Quecksilberlampe über eine Maske, die ein solches Muster aufweist, wie es in den1(a) oder1(b) gezeigt ist.3(b) zeigt ein Muster11 des ersten Resists, das nach dem Schritt aus3(a) ausgebildet ist. - Falls es notwendig ist, kann das Resistmuster thermisch mittels eines Nachbelichtungsbackens (bei einer Temperatur von 100 bis 130°C) behandelt werden, um die Auflösung des Photoresists zu verbessern, gefolgt durch eine Entwicklung mit einer verdünnten wäßrigen Lösung von ungefähr 2% TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid).
- Als nächstes kann, falls es notwendig ist, ein Nachentwicklungsbacken ausgeführt werden. Diese thermische Behandlung beeinflußt eine nachfolgende Mischreaktion und sollte auf eine geeignete Temperatur eingestellt sein. Diese Schritte sind ähnlich zu demjenigen der Ausbildung eines Resistmusters entsprechend eines bekannten Resistausbildungsverfahrens, ausgenommen daß der Resist, der eine Säure enthält, in der Praxis der vorliegenden Erfindung verwendet wird.
- Nach der Ausbildung des Musters, das in
3(b) gezeigt ist, wird ein zweiter Resist12 , der eine vernetzbare Verbindung enthält, die zum Vernetzen in der Anwesenheit einer Säure in der Lage und in einem Lösungsmittel, das nicht zum Lösen des ersten Resists11 in der Lage ist, gelöst ist, über dem Halbleitersubstrat (Wafer)3 ausgebildet, wie es in3(c) gezeigt ist. - Es ist wichtig, daß die Lösungsmittel für den zweiten Resist das Muster des ersten Resists nicht lösen. Die Lösungsmittel für den zweiten Resist sind zum Beispiel Wasser (reines Wasser) oder ein gemischtes Lösungsmittel aus Wasser (reines Wasser) und einem Alkohol wie Isopropylalkohol.
- Wie bei der ersten Ausführungsform wird wasserlösliches Polyvinylacetal als der zweite Resist
12 bei dieser Ausführungsform verwendet. Darüber hinaus können eine Mischung aus Polyvinylacetal und Methoxymethylolharnstoff oder Methoxymethylolmelamin ebenso wie eine Mischung aus Methoxymethylolmelamin und Polyallylamin als der zweite Resist verwendet werden. Diese Mischungen bestehen aus Resistmaterialien und vernetzbaren Verbindungen oder vernetzenden Agens. Im allgemeinen enthalten die im zweiten Resist enthaltenen vernetzenden Agens Melaminderivate wie Methoxymethylolmelamin. - Falls es notwendig ist, können Acrylpolymere, Polyvinylpyrrolidon und Polyvinylalkohol des weiteren als ein Basispolymer wie bei der ersten Ausführungsform hinzugefügt werden.
- Nach der Ausbildung des zweiten Resists
12 kann dieser Resist, falls es notwendig ist, vorgebacken werden. Diese thermische Behandlung beeinflußt eine nachfolgende Mischreaktion und sollte auf eine geeignete Temperatur eingestellt sein. - Nachfolgend wird, wie in
3(d) gezeigt ist, das Halbleitersubstrat3 thermisch (bei 60 bis 130°C) behandelt, so daß die säurehaltige bzw. saure Substanz, die in kleinen Mengen in dem ersten Resist11 enthalten ist, diffundiert wird. Dieses verursacht, daß die Vernetzungsreaktion in dem zweiten Resist12 in der Umgebung der Grenzflächen mit den Abschnitten des ersten Resists11 auftritt. Dadurch wird eine Vernetzungsschicht14 in dem zweiten Resist12 ausgebildet, die den ersten Resist11 bedeckt. - Dann werden, wie in
3(e) gezeigt ist, die Abschnitte des zweiten Resists12 , die nicht vernetzt sind, durch Entwicklung mit einem flüssigen Entwickler wie Wasser oder einer Lösung von TMAH entfernt. Derart wird es möglich, ein Resistmuster zu erhalten, das einen reduzierten Lochdurchmesser oder eine reduzierte Trennungsbreite aufweist. - Wie aus dem Vorhergehenden offensichtlich ist, wird es entsprechend der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung ermöglicht, da ein Lösungsmittel, das nicht zum Lösen des ersten Resists
11 in der Lage ist, zur Ausbildung des zweiten Resists12 verwendet wird, daß die Säure, die durch die nachfol gende thermische Behandlung erzeugt wird, leicht in den zweiten Resist diffundiert. - Der erste Resist
11 , der bei der zweiten Ausführungsform verwendet wird, benötigt keine Belichtung zur Erzeugung einer Säure, sondern er ist so angeordnet bzw. ausgebildet, daß eine Säure in der Resistschicht11 enthalten ist. Diese Resistschicht wird thermisch behandelt, um zu verursachen, daß die Säure für die Vernetzung diffundiert. Die Säuren, die in dem ersten Resist enthalten sind, sind bevorzugterweise Carbonsäuren mit niedrigem Molekulargewicht. - Es sollte bemerkt werden, daß die Materialien für den ersten Resist und für den zweiten Resist, die bezüglich der ersten Ausführungsform definiert wurden, ebenfalls bei der zweiten Ausführungsform verwendet werden können.
- Die Ausbildung fein getrennter Zwischenräume oder feiner Löcher. in einem Halbleitersubstrat bzw. einer Halbleitervorrichtung durch Ausbildung dieses Typs von fein getrenntem Resistmuster auf verschiedenen Arten von Halbleitersubstraten als eine Maske ist in der Art und Weise möglich, wie sie bei der ersten Ausführungsform beschrieben wurde.
- Dritte Ausführungsform
- Die
4(a) bis4(g) sind Ablaufdiagramme zur Illustration eines Verfahrens zur Ausbildung eines fein getrennten Resistmusters entsprechend einer dritten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Unter Bezugnahme auf die1(a) ,1(b) und die4(a) bis4(g) werden das Verfahren zur Ausbildung eines fein getrennten Resistmusters und ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung unter Verwendung des Resistmusters entsprechend der dritten Ausführungsform beschrieben. - Wie in
4(a) gezeigt ist, wird ein erster Photoresist21 auf einem Halbleitersubstrat3 ausgebildet. Nach einem Vorbacken des ersten Photoresists21 (durch thermische Behandlung bei 70°C bis 100°C für ungefähr 1 Minute) wird der Photoresist21 mit einem g-Strahl oder einem i-Strahl von einer Quecksilberlampe über eine Maske, die ein Muster aufweist, wie es in den1(a) oder1(b) gezeigt ist, belichtet. Falls es notwendig ist, wird der Photoresist thermisch durch ein Nachbelichtungsbacken (bei 100°C bis 130°C) behandelt, um die Auflösung desselben zu verbessern, gefolgt durch eine Entwicklung mit einer verdünnten wäßrigen Lösung von ungefähr 2,0 Gewichts% von TMAH (Tetramethylammoniumhydroxid).4(b) zeigt das resultierende Muster21 des ersten Resists. - Danach kann ein Nachentwicklungsbacken ausgeführt werden, falls es notwendig ist. Diese thermische Behandlung beeinflußt eine nachfolgende Mischreaktion und sollte bei einer geeigneten Temperatur bewirkt werden. Diese Schritte sind ähnlich zu denjenigen für die Ausbildung eines Resistmuster entsprechend eines bekannten Resistausbildungsverfahrens.
- Nach der Ausbildung des Musters, das in
4(b) gezeigt ist, wird das Halbleitersubstrat (Wafer)3 mit einer sauren Lösung bzw. säurehaltigen Lösung beaufschlagt, wie es in4(c) gezeigt ist. Diese Beaufschlagung kann durch einen gewöhnlichen Paddleentwicklungsverfahrensablauf bewirkt werden. Alternativ kann die säurehaltige Lösung aufgesprüht werden. Entweder organische Säuren oder anorganische Säuren können für die säurehaltige Lösung verwendet werden. Bevorzugterweise wird Essigsäure niedriger Konzentration verwendet. Bei diesem Schritt wird die Säure in die Oberflächen des ersten Resistmuster21 aufgesaugt bzw. durchnäßt diese, um so eine dünne Schicht auszubilden, die in sich Säure enthält. Danach werden die Oberflächen mit reinem Wasser gespült, wie es in4(d) gezeigt ist. - Danach wird, wie in
4(e) gezeigt ist, ein zweiter Resist22 , der eine vernetzbare Verbindung enthält, die zum Vernetzen in der Anwesenheit einer Säure in der Lage und in einem Lösungsmittel, das nicht zum Lösen des ersten Resists21 in der Lage ist, gelöst ist, auf dem ersten Resistmuster21 aufgebracht. - Es ist wichtig, daß die Lösungsmittel für den zweiten Resist das erste Resistmuster nicht lösen. Die Lösungsmittel enthalten zum Beispiel Wasser (pures Wasser) oder ein gemischtes Lösungsmittel aus Wasser (pures Wasser) und einem Alkohol wie Isopropylalkohol.
- Wie bei den vorhergehenden Ausführungsformen wird Polyvinylacetal als der zweite Resist verwendet. Polyvinylacetal ist ein Resistmaterial, das durch die Wirkung einer Säure einer Vernetzungsreaktion unterliegt. Alternativ kann der zweite Resist aus einer Mischung aus Polyvinylacetal und Methoxymethylolharnstoff oder Methoxymethylolmelamin oder einer Mischung aus Methoxymethylolmelamin und Polyallylamin gebildet sein. Diese Mischungen bestehen aus Resistmaterialien und einem vernetzenden Material.
- Im allgemeinen können die vernetzenden Agens, die in dem zweiten Resist enthalten sind, Melaminderivate wie Methoxymethylolmelamin sein.
- Falls es notwendig ist, können ferner Acrylpolymere, Polyvinylpyrrolidon und Polyvinylalkohol als ein Basispolymer hinzugefügt werden.
- Nach dem Beschichten des zweiten Resists
22 kann dieser, falls es notwendig ist, vorgebacken werden. Diese thermische Behandlung beeinflußt eine nachfolgende Misch- oder Vernetzungsreaktion und sollte bei einer geeigneten Temperatur bewirkt werden. - Dann wird, wie in
4(f) gezeigt ist, das Halbleitersubstrat3 bei 60 bis 130°C gebacken. Dieses bewirkt, daß in der Umgebung der Grenzflächen zwischen dem zweiten Resist22 und dem ersten Resist21 in der Anwesenheit einer Säure aus dem ersten Resist12 eine Vernetzungsreaktion fortschreitet. Als ein Ergebnis wird eine Vernetzungsschicht24 in dem zweiten Resist22 ausgebildet, die jeden Abschnitt des Resists21 mit sich bedeckt. - Als nächstes werden, wie in
4(g) gezeigt ist, die Abschnitte des zweiten Resists22 , die nicht vernetzt worden sind, durch Entwicklung mit einem flüssigen Entwickler wie Wasser oder einer Lösung von TMAH entfernt. Das resultierende Resistmuster weist einen reduzierten Lochdurchmesser oder eine reduzierte Trennungsbreite auf. - Entsprechend der dritten Ausführungsform der Erfindung ist kein Schritt der Erzeugung einer Säure in dem ersten Resist durch Belichtung mit Licht notwendig. Bei dieser Ausführungsform wird der erste Resist vor der Ausbildung der zweiten Resistschicht mit einer säurehaltigen Lösung oberflächenbehandelt. Dann wird er thermisch behandelt, um der Säure zu ermöglichen, zu diffundieren, wodurch die Vernetzungsreaktion in dem zweiten Resist verursacht wird.
- Bei der dritten Ausführungsform kann der erste Resist
21 ein positiver Resist, der aus Novolak/Naphthochinondiaziden oder Mischungen von Parahydroxystyrolderivaten und photounterstützten Säuregeneratoren wie Oniumsalzen, wie sie bei der ersten Ausführungsform verwendet wurden, ausgebildet sein. - Andere Materialien für den ersten Resist und den zweiten Resist, die bei der ersten Ausführungsform beschrieben wurden, können ähnlich bei der dritten Ausführungsform verwendet werden.
- Die Ausbildung fein getrennter Zwischenräume oder feiner Löcher in einem Halbleitersubstrat durch Ausbildung dieses Typs von fein getrenntem Resistmuster auf verschiedenen Typen von Halbleitersubstraten als Maske ist in einer Art und Weise möglich, wie sie bei der ersten Ausführungsform beschrieben wurde.
- Wie oben im Detail beschrieben worden ist, wird entsprechend der vorliegenden Erfindung ein Verfahren zur Ausbildung eines fein getrennten Resistmusters bereitgestellt, daß es ermöglicht, feine Muster wie fein getrennte Muster oder feine Lochmuster auszubilden, die die Wellenlängengrenze überschreiten bzw. hinsichtlich der Miniaturisierung ihrer Abmessungen unterschreiten. Als ein Ergebnis können Lochmuster eines Resists, die einen kleineren Durchmesser als bei der herkömmlichen Technik aufweisen, oder Abstandsmuster eines Resists, die eine Trennungsbreite aufweisen, die kleiner als bei der herkömmlichen Technik ist, ausgebildet werden.
- Unter Verwendung der derart ausgebildeten fein getrennten Resistmuster als Maske können fein getrennte Zwischenräume oder feine Löcher in Halbleitersubstraten ausgebildet werden. Darüber hinaus können, wenn ein solches Verfahren verwendet wird, wie es oben beschrieben wurde, Halbleitervorrichtungen erhalten werden, die Zwischenräume oder Löcher aufweisen, die sehr fein voneinander getrennt sind, bzw. sehr kleine Abmessungen aufweisen.
Claims (12)
- Verfahren zur Herstellung eines feinen Musters, das die Schritte aufweist: Ausbildung eines Musters aus einem ersten Resist (
1 ,11 ,21 ), wobei der erste Resist nicht in purem Wasser löslich ist und eine Säure oder einen Säuregenerator enthält, auf einem Substrat; Ausbildung einer Schicht aus einem zweiten Resist (2 ,12 ,22 ), wobei der zweite Resist in purem Wasser löslich ist und der zweite Resist ein Basispolymer und ein Lösungsmittel aufweist und in der Lage ist, in der Anwesenheit einer Säure einer Vernetzungsreaktion zu unterliegen, über dem ersten Resist, wobei das Lösungsmittel für den zweiten Resist (2 ,12 ,22 ) pures Wasser ist, welches in der Lage ist, ein Basispolymer und eine vernetzbare Verbindung zu lösen, und nicht in der Lage ist, den ersten Resist zu lösen; Ausbildung einer vernetzten Schicht (4 ,14 ,24 ) in Abschnitten des zweiten Resists, die in Kontakt mit dem ersten Resist sind, durch die Wirkung einer Säure aus dem ersten Resist unter Wärmebehandlung; Entfernen nicht vernetzter Abschnitte des zweiten Resists, wodurch ein Resistmuster ausgebildet wird; und Ätzen des Substrats mittels des Resistmusters, das als eine Maske verwendet wird. - Verfahren zur Herstellung eines feinen Musters, das die Schritte aufweist: Ausbildung eines Musters aus einem ersten Resist (
1 ,11 ,21 ), wobei der erste Resist nicht in einer Mischung aus purem Wasser und einem Alkohol löslich ist und eine Säure oder einen Säuregenerator enthält, auf einem Substrat; Ausbildung einer Schicht aus einem zweiten Resist (2 ,12 ,22 ), wobei der zweite Resist in einer Mischung aus purem Wasser und einem Alkohol löslich ist und der zweite Resist ein Basispolymer und ein Lösungsmittel aufweist und in der Lage ist, in der Anwesenheit einer Säure einer Vernetzungsreaktion zu unterliegen, über dem ersten Resist, wobei das Lösungsmittel für den zweiten Resist (2 ,12 ,22 ) eine Mischung aus purem Wasser und einem Alkohol ist, welche in der Lage ist, ein Basispolymer und eine vernetzbare Verbindung zu lösen, und nicht in der Lage ist, den ersten Resist zu lösen; Ausbildung einer vernetzten Schicht (4 ,14 ,24 ) in Abschnitten des zweiten Resists, die in Kontakt mit dem ersten Resist sind, durch die Wirkung einer Säure aus dem ersten Resist unter Wärmebehandlung; Entfernen nicht vernetzter Abschnitte des zweiten Resists, wodurch ein Resistmuster ausgebildet wird; und Ätzen des Substrats mittels des Resistmusters, das als eine Maske verwendet wird. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass der erste Resist einen Säuregenerator enthält.
- Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, dass es einen Schritt des Belichtens des Substrats mit Licht, wodurch eine Säure in dem ersten Resist erzeugt wird, aufweist und dass der Schritt des Belichtens des Substrats nach dem Ausbilden der zweiten Resistschicht ausgeführt wird.
- Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster des ersten Resists (
1 ,11 ,21 ) mit einer säurehaltigen Flüssigkeit oberflächenbehandelt wird, damit er die Säure enthält. - Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster des ersten Resists (
1 ,11 ,21 ) nur in einem vorbestimmten Bereich desselben selektiv mit Licht belichtet wird. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster des ersten Resists (
1 ,11 ,21 ) aus einer Mischung ausgebildet wird, die ein Harz auf Novolakbasis und ein photoempfindliches Naphthochinondiazid-Agens enthält. - Verfahren nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster des ersten Resists (
1 ,11 ,21 ) weiter ein Chlormethyltriazin als einen Säuregenerator enthält. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß das Muster des ersten Resists (
1 ,11 ,21 ) aus einer Mischung ausgebildet ist, die ein Polyhydroxystyrolderivat und ein Oniumsalz, das als ein photounterstützter Säuregenerator dient, enthält. - Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Schicht des zweiten Resists (
2 ,12 ,22 ) aus einem Material ausgebildet wird, das aus einer Gruppe ausgewählt wird, die aus Polyvinylacetal, einer Mischung aus Polyvinylacetal und einem Harnstoffderivat, einer Mischung aus Polyvinylacetal und einem Melaminderivat und einer Mischung aus einem Melaminderivat und Polyallylamin besteht. - Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der erste Resist (
1 ,11 ,21 ) aus Resists vom negativen Typ ausgewählt wird, die aus einer Mischung aus einer vernetzbaren Verbindung, einem Säuregenerator und einem Basispolymer ausgebildet sind. - Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung, wobei die Halbleitervorrichtung mit einem Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 11 hergestellt wird.
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DE (1) | DE19758561B4 (de) |
TW (1) | TW329539B (de) |
Families Citing this family (137)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TW372337B (en) * | 1997-03-31 | 1999-10-21 | Mitsubishi Electric Corp | Material for forming micropattern and manufacturing method of semiconductor using the material and semiconductor apparatus |
JP3189773B2 (ja) * | 1998-01-09 | 2001-07-16 | 三菱電機株式会社 | レジストパターン形成方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
JP2000058506A (ja) * | 1998-08-06 | 2000-02-25 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法及び半導体装置 |
JP4208305B2 (ja) * | 1998-09-17 | 2009-01-14 | 株式会社東芝 | マスクパターンの形成方法 |
TW403952B (en) * | 1998-11-26 | 2000-09-01 | United Microelectronics Corp | The method of removing the photoresist |
KR100421034B1 (ko) * | 1999-04-21 | 2004-03-04 | 삼성전자주식회사 | 레지스트 조성물과 이를 이용한 미세패턴 형성방법 |
JP2000315647A (ja) * | 1999-05-06 | 2000-11-14 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法 |
JP3950584B2 (ja) * | 1999-06-29 | 2007-08-01 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物 |
US6576405B1 (en) * | 1999-07-01 | 2003-06-10 | Zilog, Inc. | High aspect ratio photolithographic method for high energy implantation |
US6617098B1 (en) * | 1999-07-13 | 2003-09-09 | Input/Output, Inc. | Merged-mask micro-machining process |
JP2001066782A (ja) * | 1999-08-26 | 2001-03-16 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体装置の製造方法並びに半導体装置 |
JP2001109165A (ja) * | 1999-10-05 | 2001-04-20 | Clariant (Japan) Kk | パターン形成方法 |
US6503693B1 (en) * | 1999-12-02 | 2003-01-07 | Axcelis Technologies, Inc. | UV assisted chemical modification of photoresist |
JP2001189253A (ja) * | 1999-12-28 | 2001-07-10 | Mitsubishi Electric Corp | レジストパターン形成方法、レジストパターン形成方法に使用する上層材および半導体装置 |
TW444341B (en) * | 2000-02-16 | 2001-07-01 | United Microelectronics Corp | Manufacturing method of ultra-small opening |
JP2001284813A (ja) * | 2000-03-31 | 2001-10-12 | Mitsubishi Electric Corp | 多層配線板の製造方法 |
JP3343341B2 (ja) * | 2000-04-28 | 2002-11-11 | ティーディーケイ株式会社 | 微細パターン形成方法及びそれに用いる現像/洗浄装置、及びそれを用いためっき方法、及びそれを用いた薄膜磁気ヘッドの製造方法 |
US6492075B1 (en) | 2000-06-16 | 2002-12-10 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical trim process |
US6274289B1 (en) | 2000-06-16 | 2001-08-14 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical resist thickness reduction process |
US6632590B1 (en) | 2000-07-14 | 2003-10-14 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Enhance the process window of memory cell line/space dense pattern in sub-wavelength process |
TW536734B (en) * | 2000-07-31 | 2003-06-11 | Clariant Int Ltd | Process for manufacturing a microelectronic device |
JP2002049161A (ja) * | 2000-08-04 | 2002-02-15 | Clariant (Japan) Kk | 被覆層現像用界面活性剤水溶液 |
JP2002134379A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-10 | Sony Corp | パターン形成方法 |
US6534243B1 (en) | 2000-10-23 | 2003-03-18 | Advanced Micro Devices, Inc. | Chemical feature doubling process |
KR20020090686A (ko) * | 2001-05-29 | 2002-12-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체소자의 감광막패턴 형성방법 |
US20030008968A1 (en) * | 2001-07-05 | 2003-01-09 | Yoshiki Sugeta | Method for reducing pattern dimension in photoresist layer |
JP3633595B2 (ja) * | 2001-08-10 | 2005-03-30 | 富士通株式会社 | レジストパターン膨潤化材料およびそれを用いた微小パターンの形成方法および半導体装置の製造方法 |
DE10142590A1 (de) * | 2001-08-31 | 2003-04-03 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zur Seitenwandverstärkung von Resiststrukturen und zur Herstellung von Strukturen mit reduzierter Strukturgröße |
JP4237430B2 (ja) * | 2001-09-13 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | エッチング方法及びエッチング保護層形成用組成物 |
US6800415B2 (en) | 2001-09-28 | 2004-10-05 | Clariant Finance (Bvi) Ltd | Negative-acting aqueous photoresist composition |
JP3476080B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2003-12-10 | 東京応化工業株式会社 | 微細パターンの形成方法 |
JP3476082B2 (ja) * | 2001-11-05 | 2003-12-10 | 東京応化工業株式会社 | パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 |
US20030102285A1 (en) * | 2001-11-27 | 2003-06-05 | Koji Nozaki | Resist pattern thickening material, resist pattern and forming method thereof, and semiconductor device and manufacturing method thereof |
US7189783B2 (en) * | 2001-11-27 | 2007-03-13 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material, resist pattern and forming process thereof, and semiconductor device and manufacturing process thereof |
EP1315043A1 (de) * | 2001-11-27 | 2003-05-28 | Fujitsu Limited | Resistmusterverdickungszusammensetzung, Resistmuster, Verfahren zu dessen Herstellung, Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung |
KR100843888B1 (ko) * | 2001-12-14 | 2008-07-03 | 주식회사 하이닉스반도체 | Relacs 물질을 이용하여 식각 내성이 향상된포토레지스트 패턴을 형성하는 방법 |
JP3476081B2 (ja) * | 2001-12-27 | 2003-12-10 | 東京応化工業株式会社 | パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 |
JP3953822B2 (ja) * | 2002-01-25 | 2007-08-08 | 富士通株式会社 | レジストパターン薄肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
JP3858730B2 (ja) * | 2002-03-05 | 2006-12-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン改善化材料およびそれを用いたパターンの製造方法 |
JP3485182B1 (ja) * | 2002-06-28 | 2004-01-13 | 東京応化工業株式会社 | パターン微細化用被覆形成剤およびそれを用いた微細パターンの形成方法 |
JP2004056000A (ja) * | 2002-07-23 | 2004-02-19 | Renesas Technology Corp | レジストパターン形成方法およびその方法を用いた半導体デバイスの製造方法 |
JP3850767B2 (ja) * | 2002-07-25 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターン及びその製造方法、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
US20040029047A1 (en) * | 2002-08-07 | 2004-02-12 | Renesas Technology Corp. | Micropattern forming material, micropattern forming method and method for manufacturing semiconductor device |
JP4198418B2 (ja) * | 2002-08-14 | 2008-12-17 | 富士通株式会社 | 微細t型電極の製造方法 |
US7923198B2 (en) * | 2002-08-14 | 2011-04-12 | Fujitsu Limited | Method of manufacturing fine T-shaped electrode |
JP3850772B2 (ja) * | 2002-08-21 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの製造方法、及び半導体装置の製造方法 |
JP2004093832A (ja) * | 2002-08-30 | 2004-03-25 | Renesas Technology Corp | 微細パターン形成材料、微細パターン形成方法および半導体装置の製造方法 |
US7135419B2 (en) * | 2002-09-16 | 2006-11-14 | Intel Corporation | Line edge roughness reduction |
US6645851B1 (en) * | 2002-09-17 | 2003-11-11 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company | Method of forming planarized coatings on contact hole patterns of various duty ratios |
JP3850781B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2006-11-29 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、及び半導体装置の製造方法 |
US6818384B2 (en) * | 2002-10-08 | 2004-11-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Methods of fabricating microelectronic features by forming intermixed layers of water-soluble resins and resist materials |
US6861209B2 (en) * | 2002-12-03 | 2005-03-01 | International Business Machines Corporation | Method to enhance resolution of a chemically amplified photoresist |
US7160665B2 (en) * | 2002-12-30 | 2007-01-09 | International Business Machines Corporation | Method for employing vertical acid transport for lithographic imaging applications |
JP4235466B2 (ja) * | 2003-02-24 | 2009-03-11 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 水溶性樹脂組成物、パターン形成方法及びレジストパターンの検査方法 |
JP4012480B2 (ja) * | 2003-03-28 | 2007-11-21 | Azエレクトロニックマテリアルズ株式会社 | 微細パターン形成補助剤及びその製造法 |
US7235348B2 (en) * | 2003-05-22 | 2007-06-26 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
JP2005003840A (ja) * | 2003-06-11 | 2005-01-06 | Clariant Internatl Ltd | 微細パターン形成材料および微細パターン形成方法 |
US7399582B2 (en) * | 2003-07-17 | 2008-07-15 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Material for forming fine pattern and method for forming fine pattern using the same |
JP4206022B2 (ja) * | 2003-09-30 | 2009-01-07 | パナソニック株式会社 | パターン形成方法 |
US7033735B2 (en) * | 2003-11-17 | 2006-04-25 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Water soluble negative tone photoresist |
JP4150660B2 (ja) * | 2003-12-16 | 2008-09-17 | 松下電器産業株式会社 | パターン形成方法 |
US7910288B2 (en) * | 2004-09-01 | 2011-03-22 | Micron Technology, Inc. | Mask material conversion |
US7655387B2 (en) | 2004-09-02 | 2010-02-02 | Micron Technology, Inc. | Method to align mask patterns |
KR100640587B1 (ko) | 2004-09-23 | 2006-11-01 | 삼성전자주식회사 | 반도체 소자 제조용 마스크 패턴 및 그 형성 방법과 미세패턴을 가지는 반도체 소자의 제조 방법 |
US7595141B2 (en) * | 2004-10-26 | 2009-09-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
US7371671B2 (en) * | 2005-02-03 | 2008-05-13 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | System and method for photolithography in semiconductor manufacturing |
US20060188805A1 (en) * | 2005-02-18 | 2006-08-24 | Fujitsu Limited | Resist pattern thickening material and process for forming resist pattern, and semiconductor device and process for manufacturing the same |
JP4676325B2 (ja) * | 2005-02-18 | 2011-04-27 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
US7429536B2 (en) | 2005-05-23 | 2008-09-30 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming arrays of small, closely spaced features |
KR100732289B1 (ko) * | 2005-05-30 | 2007-06-25 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세 콘택 형성방법 |
US7560390B2 (en) | 2005-06-02 | 2009-07-14 | Micron Technology, Inc. | Multiple spacer steps for pitch multiplication |
US7566525B2 (en) * | 2005-06-14 | 2009-07-28 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Method for forming an anti-etching shielding layer of resist patterns in semiconductor fabrication |
US20070020386A1 (en) * | 2005-07-20 | 2007-01-25 | Bedell Daniel W | Encapsulation of chemically amplified resist template for low pH electroplating |
US7482280B2 (en) * | 2005-08-15 | 2009-01-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming a lithography pattern |
GB2429332A (en) * | 2005-08-18 | 2007-02-21 | Filtronic Compound Semiconduct | A method of producing a trench with a coating of a cross linked polymer |
JP4566862B2 (ja) * | 2005-08-25 | 2010-10-20 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
US7829262B2 (en) | 2005-08-31 | 2010-11-09 | Micron Technology, Inc. | Method of forming pitch multipled contacts |
US7759197B2 (en) | 2005-09-01 | 2010-07-20 | Micron Technology, Inc. | Method of forming isolated features using pitch multiplication |
US7572572B2 (en) | 2005-09-01 | 2009-08-11 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming arrays of small, closely spaced features |
US7393789B2 (en) | 2005-09-01 | 2008-07-01 | Micron Technology, Inc. | Protective coating for planarization |
KR101200938B1 (ko) * | 2005-09-30 | 2012-11-13 | 삼성전자주식회사 | 반도체 장치의 패턴 형성 방법 |
US7767570B2 (en) * | 2006-03-22 | 2010-08-03 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Dummy vias for damascene process |
US7759253B2 (en) * | 2006-08-07 | 2010-07-20 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method and material for forming a double exposure lithography pattern |
JP4801477B2 (ja) * | 2006-03-24 | 2011-10-26 | 富士通株式会社 | レジスト組成物、レジストパターンの形成方法、半導体装置及びその製造方法 |
JP4809705B2 (ja) * | 2006-03-28 | 2011-11-09 | 富士通セミコンダクター株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
US7902074B2 (en) | 2006-04-07 | 2011-03-08 | Micron Technology, Inc. | Simplified pitch doubling process flow |
US7488685B2 (en) | 2006-04-25 | 2009-02-10 | Micron Technology, Inc. | Process for improving critical dimension uniformity of integrated circuit arrays |
US7795149B2 (en) | 2006-06-01 | 2010-09-14 | Micron Technology, Inc. | Masking techniques and contact imprint reticles for dense semiconductor fabrication |
US8262381B2 (en) * | 2006-06-22 | 2012-09-11 | Sabic Innovative Plastics Ip B.V. | Mastering tools and systems and methods for forming a cell on the mastering tools |
US8003537B2 (en) * | 2006-07-18 | 2011-08-23 | Imec | Method for the production of planar structures |
US7611980B2 (en) | 2006-08-30 | 2009-11-03 | Micron Technology, Inc. | Single spacer process for multiplying pitch by a factor greater than two and related intermediate IC structures |
KR100855845B1 (ko) * | 2006-09-12 | 2008-09-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 소자의 미세패턴 형성방법 |
US7959818B2 (en) * | 2006-09-12 | 2011-06-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Method for forming a fine pattern of a semiconductor device |
US7666578B2 (en) | 2006-09-14 | 2010-02-23 | Micron Technology, Inc. | Efficient pitch multiplication process |
JP4554665B2 (ja) | 2006-12-25 | 2010-09-29 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法、該パターン形成方法に用いられる多重現像用ポジ型レジスト組成物、該パターン形成方法に用いられるネガ現像用現像液及び該パターン形成方法に用いられるネガ現像用リンス液 |
US8530148B2 (en) * | 2006-12-25 | 2013-09-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
US8637229B2 (en) * | 2006-12-25 | 2014-01-28 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition for multiple development used in the pattern forming method, developer for negative development used in the pattern forming method, and rinsing solution for negative development used in the pattern forming method |
KR20100014830A (ko) * | 2007-02-26 | 2010-02-11 | 제이에스알 가부시끼가이샤 | 미세 패턴 형성용 수지 조성물 및 미세 패턴 형성 방법 |
US7923200B2 (en) * | 2007-04-09 | 2011-04-12 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern comprising a lactam |
US8034547B2 (en) * | 2007-04-13 | 2011-10-11 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, resist composition to be used in the pattern forming method, negative developing solution to be used in the pattern forming method and rinsing solution for negative development to be used in the pattern forming method |
US8603733B2 (en) | 2007-04-13 | 2013-12-10 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method, and resist composition, developer and rinsing solution used in the pattern forming method |
EP2138898B1 (de) | 2007-04-13 | 2014-05-21 | FUJIFILM Corporation | Verfahren zur Strukturbildung und Verwendung einer Fotolackzusammensetzung in diesem Verfahren |
US8476001B2 (en) | 2007-05-15 | 2013-07-02 | Fujifilm Corporation | Pattern forming method |
KR100989567B1 (ko) * | 2007-05-15 | 2010-10-25 | 후지필름 가부시키가이샤 | 패턴형성방법 |
US7799503B2 (en) * | 2007-05-17 | 2010-09-21 | International Business Machines Corporation | Composite structures to prevent pattern collapse |
US7923373B2 (en) * | 2007-06-04 | 2011-04-12 | Micron Technology, Inc. | Pitch multiplication using self-assembling materials |
US8617794B2 (en) | 2007-06-12 | 2013-12-31 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
JP4590431B2 (ja) | 2007-06-12 | 2010-12-01 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US8632942B2 (en) | 2007-06-12 | 2014-01-21 | Fujifilm Corporation | Method of forming patterns |
EP2157477B1 (de) * | 2007-06-12 | 2014-08-06 | FUJIFILM Corporation | Benutzung einer fotolackzusammensetzung für negativ arbeitende entwicklung und verfahren zur strukturbildung mit der fotolackzusammensetzung |
JP4617337B2 (ja) * | 2007-06-12 | 2011-01-26 | 富士フイルム株式会社 | パターン形成方法 |
US8642474B2 (en) * | 2007-07-10 | 2014-02-04 | Advanced Micro Devices, Inc. | Spacer lithography |
US8563229B2 (en) | 2007-07-31 | 2013-10-22 | Micron Technology, Inc. | Process of semiconductor fabrication with mask overlay on pitch multiplied features and associated structures |
US7829266B2 (en) | 2007-08-07 | 2010-11-09 | Globalfoundries Inc. | Multiple exposure technique using OPC to correct distortion |
US7737039B2 (en) | 2007-11-01 | 2010-06-15 | Micron Technology, Inc. | Spacer process for on pitch contacts and related structures |
US7659208B2 (en) | 2007-12-06 | 2010-02-09 | Micron Technology, Inc | Method for forming high density patterns |
US7790531B2 (en) | 2007-12-18 | 2010-09-07 | Micron Technology, Inc. | Methods for isolating portions of a loop of pitch-multiplied material and related structures |
JP4476336B2 (ja) * | 2008-02-28 | 2010-06-09 | 東京エレクトロン株式会社 | パターン形成方法及び半導体装置の製造方法 |
US8030218B2 (en) | 2008-03-21 | 2011-10-04 | Micron Technology, Inc. | Method for selectively modifying spacing between pitch multiplied structures |
US20090253081A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | David Abdallah | Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step |
US20090253080A1 (en) * | 2008-04-02 | 2009-10-08 | Dammel Ralph R | Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning |
US7745077B2 (en) | 2008-06-18 | 2010-06-29 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Composition for coating over a photoresist pattern |
US8318408B2 (en) | 2008-07-28 | 2012-11-27 | Hynix Semiconductor Inc. | Method of forming patterns of semiconductor device |
US20100040838A1 (en) * | 2008-08-15 | 2010-02-18 | Abdallah David J | Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image |
JP2010113261A (ja) * | 2008-11-10 | 2010-05-20 | Toshiba Corp | 半導体装置の製造方法 |
US8492282B2 (en) * | 2008-11-24 | 2013-07-23 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming a masking pattern for integrated circuits |
US8084186B2 (en) | 2009-02-10 | 2011-12-27 | Az Electronic Materials Usa Corp. | Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane |
NL2004531A (nl) * | 2009-05-29 | 2010-11-30 | Asml Netherlands Bv | Apparatus and method for providing resist alignment marks in a double patterning lithographic process. |
JP5321415B2 (ja) * | 2009-11-04 | 2013-10-23 | 富士通株式会社 | レジストパターン厚肉化材料、並びに、半導体装置及びその製造方法 |
JP5635449B2 (ja) * | 2011-03-11 | 2014-12-03 | 富士フイルム株式会社 | 樹脂パターン及びその製造方法、mems構造体の製造方法、半導体素子の製造方法、並びに、メッキパターン製造方法 |
US9213239B2 (en) | 2013-01-22 | 2015-12-15 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming patterns for semiconductor device structures |
US9291909B2 (en) | 2013-05-17 | 2016-03-22 | Az Electronic Materials (Luxembourg) S.A.R.L. | Composition comprising a polymeric thermal acid generator and processes thereof |
US9583381B2 (en) * | 2013-06-14 | 2017-02-28 | Micron Technology, Inc. | Methods for forming semiconductor devices and semiconductor device structures |
JP2015152702A (ja) | 2014-02-13 | 2015-08-24 | 株式会社東芝 | パターン形成方法および半導体装置 |
JP6939702B2 (ja) | 2017-06-21 | 2021-09-22 | 信越化学工業株式会社 | レジスト材料及びパターン形成方法 |
JP2019078810A (ja) * | 2017-10-20 | 2019-05-23 | メルク、パテント、ゲゼルシャフト、ミット、ベシュレンクテル、ハフツングMerck Patent GmbH | 微細パターンの製造方法およびそれを用いた表示素子の製造方法 |
DE112019007261T5 (de) * | 2019-04-26 | 2022-01-13 | Mitsubishi Electric Corporation | Verfahren zum Herstellen einer Halbleitervorrichtung |
Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4501806A (en) * | 1982-09-01 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming pattern and photoresist used therein |
US4968583A (en) * | 1987-10-31 | 1990-11-06 | Fujitsu Limited | Pattern forming method employing electron beam lithography |
JPH04363014A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-12-15 | Toshiba Corp | レジストパターンの形成方法 |
JPH05241348A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | パタン形成方法 |
US5324550A (en) * | 1992-08-12 | 1994-06-28 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method |
US5342727A (en) * | 1988-10-21 | 1994-08-30 | Hoechst Celanese Corp. | Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene in admixture with a photosensitizer to form a photosensitive composition |
JPH06250379A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法 |
JPH06338452A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
JPH07253668A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 水溶性感光性組成物 |
US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH05166717A (ja) * | 1991-12-16 | 1993-07-02 | Mitsubishi Electric Corp | 微細パターン形成方法 |
JP2951504B2 (ja) * | 1992-06-05 | 1999-09-20 | シャープ株式会社 | シリル化平坦化レジスト及び平坦化方法並びに集積回路デバイスの製造方法 |
JPH07134422A (ja) * | 1993-09-14 | 1995-05-23 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法 |
-
1996
- 1996-10-28 TW TW085113126A patent/TW329539B/zh not_active IP Right Cessation
- 1996-12-17 KR KR1019960066785A patent/KR100218217B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-01-24 US US08/785,846 patent/US5858620A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-02-19 DE DE19758561A patent/DE19758561B4/de not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4501806A (en) * | 1982-09-01 | 1985-02-26 | Tokyo Shibaura Denki Kabushiki Kaisha | Method for forming pattern and photoresist used therein |
US4968583A (en) * | 1987-10-31 | 1990-11-06 | Fujitsu Limited | Pattern forming method employing electron beam lithography |
US5342727A (en) * | 1988-10-21 | 1994-08-30 | Hoechst Celanese Corp. | Copolymers of 4-hydroxystyrene and alkyl substituted-4-hydroxystyrene in admixture with a photosensitizer to form a photosensitive composition |
JPH04363014A (ja) * | 1991-03-12 | 1992-12-15 | Toshiba Corp | レジストパターンの形成方法 |
JPH05241348A (ja) * | 1992-02-28 | 1993-09-21 | Hitachi Ltd | パタン形成方法 |
US5512328A (en) * | 1992-08-07 | 1996-04-30 | Hitachi, Ltd. | Method for forming a pattern and forming a thin film used in pattern formation |
US5324550A (en) * | 1992-08-12 | 1994-06-28 | Hitachi, Ltd. | Pattern forming method |
JPH06250379A (ja) * | 1993-02-26 | 1994-09-09 | Oki Electric Ind Co Ltd | パターン形成方法、位相シフト法用ホトマスクの形成方法 |
JPH06338452A (ja) * | 1993-05-28 | 1994-12-06 | Toshiba Corp | レジストパタ−ンの形成方法 |
JPH07253668A (ja) * | 1994-03-15 | 1995-10-03 | Toshiba Corp | 水溶性感光性組成物 |
Non-Patent Citations (8)
Title |
---|
ENDO, M., u.a.: Characterization of diazonaphthoquinone-novolac resin-type positive photoresist for g-line and I-line exposure using water-soluble contrast enhancement materials. In: J.Vac.Sci. Technol. B, 1989, Vol. 7, No. 3, S. 565-568 * |
ENDO, M., u.a.: New Water-Soluble Contrast Enhancing Material for I-Line Lithography. In: J.Electrochem.Soc., 1989, Vol. 136, No. 2, S. 508-511 * |
JP 04363014 A (Patent Abstracts of Japan) * |
JP 05241348 A (Patent Abstracts of Japan) * |
JP 06 250 379 A (Übersetzung ins Englische) JP 06 338 452 A (Patent Abstracts of Japan) JP 05 241 348 A (Patent Abstracts of Japan) JP 04 363 014 A (Patent Abstracts of Japan) ENDO, M., u.a.: Characterization of diazonaphthoquinone-novolac resin-type positive photoresist for g-line and I-line exposure using water-soluble contrast enhancement materials. In: J.Vac.Sci. Technol. B, 1989, Vol. 7, No. 3, S. 565-568 ENDO, M., u.a.: New Water-Soluble Contrast Enhancing Material for I-Line Lithography. In: J.Electrochem.Soc., 1989, Vol. 136, No. 2, S. 508-511 THACKERAY, J.W.: Deep UV ANR Photoresists For 248 nm Excimer Laser Photolithography. In: Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, Vol. 1086, S. 34-47 |
JP 06250379 A (Übersetzung ins Englische) * |
JP 06338452 A (Patent Abstracts of Japan) * |
THACKERAY, J.W.: Deep UV ANR Photoresists For 248 nm Excimer Laser Photolithography. In: Proceedings of the SPIE - The International Society for Optical Engineering, Vol. 1086, S. 34-47 * |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW329539B (en) | 1998-04-11 |
KR100218217B1 (ko) | 1999-09-01 |
KR980011721A (ko) | 1998-04-30 |
US5858620A (en) | 1999-01-12 |
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