DE19727397B4 - Verfahren zum Herstellen eines Flashspeicherelementes mit Hochspannungs-Transistorbereich und Niederspannungs-Transistorbereich - Google Patents

Verfahren zum Herstellen eines Flashspeicherelementes mit Hochspannungs-Transistorbereich und Niederspannungs-Transistorbereich Download PDF

Info

Publication number
DE19727397B4
DE19727397B4 DE19727397A DE19727397A DE19727397B4 DE 19727397 B4 DE19727397 B4 DE 19727397B4 DE 19727397 A DE19727397 A DE 19727397A DE 19727397 A DE19727397 A DE 19727397A DE 19727397 B4 DE19727397 B4 DE 19727397B4
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
voltage transistor
polysilicon layer
formation
oxide film
memory cell
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
DE19727397A
Other languages
English (en)
Other versions
DE19727397A1 (de
Inventor
Min Kuck Cho
Jong Oh Kim
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
SK Hynix Inc
Original Assignee
Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hyundai Electronics Industries Co Ltd filed Critical Hyundai Electronics Industries Co Ltd
Publication of DE19727397A1 publication Critical patent/DE19727397A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE19727397B4 publication Critical patent/DE19727397B4/de
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/40—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B41/00—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates
    • H10B41/40—Electrically erasable-and-programmable ROM [EEPROM] devices comprising floating gates characterised by the peripheral circuit region
    • H10B41/42—Simultaneous manufacture of periphery and memory cells
    • H10B41/49—Simultaneous manufacture of periphery and memory cells comprising different types of peripheral transistor
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
    • H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Semiconductor Memories (AREA)
  • Non-Volatile Memory (AREA)

Abstract

Verfahren zur Herstellung eines Flashspeicherelementes, aufweisend die folgenden Schritte:
Bildung eines Oxidfilms (13) auf einem Siliciumsubstrat (11), das in einen Speicherzellenbereich (A), einen Hochspannungs-Transistorbereich (B) und einen Niederspannungs-Transistorbereich (C) durch Feldoxidfilme (12) unterteilt ist;
Entfernung des am Speicherzellenbereich (A) gebildeten Oxidfilms (13) und Bildung eines Tunneloxidfilms (14) am freigelegten Siliciumsubstrat;
ganzflächige Bildung einer ersten Polysiliciumschicht (15), einschliesslich auf den Feldoxidfilmen (12), und Entfernung eines Teiles der ersten Polysiliciumschicht, so dass die erste Polysiliciumschicht an aktiven Zonen des Speicherzellenbereichs (A) und Hochspannungs-Transistorbereichs (B) verbleibt;
ganzflächige Bildung eines dielektrischen Films (16) mit einer ONO Struktur, einschliesslich auf den Feldoxidfilmen (12);
Entfernung des auf dem Niederspannungs-Transistorbereich (C) gebildeten dielektrischen Films (16) und Durchführung einer Reinigungsbehandlung;
Bildung eines Gateoxidfilms (17) am Niederspannungs-Transistorbereich (C) und ganzflächige Bildung einer zweiten Polysiliciumschicht (18);
Entfernung der zweiten Polysiliciumschicht (18) und des am Hochspannungs-Transistorbereich (B) gebildeten dielektrischen Films (16) und Durchführung einer...

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen eines Flashspeicherelementes, inbesondere eines solchen mit Hochspannungs- und Niederspannungs-Transistorbereichen.
  • Im allgemeinen muss bei einem Speicherbauelement eine Gateelektrode eine zweischichtige Struktur, bestehend aus einer Polysiliciumschicht und einer Silicidschicht, haben, um rasche Programmier- und Löschungsvorgänge vornehmen zu können. Ferner müssen bei einer Flash-EEPROM-Zelle ein Niederspannungs-Transistor mit einem Gateoxidfilm mit einer Dicke von 3 bis 15 nm und ein Hochspannungs-Transistor mit einem Gateoxidfilm mit einer Dicke von 15 bis 30 nm vorgesehen werden.
  • Ein Verfahren zur Herstellung eines herkömmlichen Flashspeicherelementes mit einem Hochspannungs- und einem Niederspannungs-Transistor, die Gateelektroden haben, die aus einer Polysiliciumschicht/Silicidschicht bestehen, wird nachfolgend im Detail anhand von 1A bis 1L erläutert, die geschnittene Ansichten zur Darstellung der einzelnen Verfahrensschritte bei der Herstellung des herkömmlichen Flashspeicherelementes zeigen.
  • Ein Oxidfilm 3 wird auf einem Siliciumsubstrat 1 gebildet, das in einen Speicherzellenbereich A, einen Hochspannungs-Transistorbereich B und einen Niederspannungs- Transistorbereich C durch Feldoxidfilme 2 unterteilt ist (1A).
  • Der Oxidfilm 3 des Speicherzellenbereichs A wird entfernt, so dass das Siliciumsubstrat 1 am Speicherzellenbereich A freigelegt wird (1B). Ein Tunneloxidfilm 4 wird am Speicherzellenbereich A gebildet, und dann wird eine erste Polysiliciumschicht 5 auf der gesamten Struktur einschliesslich der Feldoxidfilme 2 vorgesehen (1C). Dann wird die an den Hochspannungs- und Niederspannungs-Transitorbereichen B und C gebildete erste Polysiliciumschicht 5 entfernt. Es verbleibt daher die erste Polysiliciumschicht 5 am Tunneloxidfilm 4 (1D).
  • Ein dielektrischer Film 6 mit einer sog. ONO Struktur, d.h. bestehend aus einem unteren Oxidfilm 6A, einem Nitridfilm 6B und einem oberen Oxidfilm 6C, wird auf der gesamten Anordnung einschliesslich der Feldoxidschichten 2 gebildet (1E). Danach wird der an den Hochspannungs- und Niederspannungs-Transistorbereichen B und C gebildete dielektrische Film 6 selektiv entfernt und eine erste Reinigungsbehandlung vorgenommen (1F). Dann werden Ionen in die Hochspannungs- und Niederspannungs-Transistorbereiche B und C injiziert und eine zweite Reinigungsbehandlung durchgeführt. Der an den Hochspannungs- und Niederspannungs-Transistorbereichen B und C gebildete Oxidfilm 3 wird mittels HF entfernt (1G). Zu diesem Zeitpunkt wird, wie 1G zu entnehmen ist, der obere Oxidfilm 6C der auf dem Speicherzellenbereich A gebildeten dielektrischen Schicht 6 bei der Entfernung des Oxidfilms 3 mittels HF ebenfalls entfernt.
  • Anschliessend wird ein mittlerer Oxidfilm 6D auf der gesamten Struktur mit Ausnahme der Feldoxidfilme 2 (1H) gebildet, der mittlere auf dem Speicherzellenbereich A und dem Niederspannungs-Transistorbereich C gebildete Oxidfilm 6D entfernt und eine dritter Reinigungsbehandlung durchgeführt (1I). Während der dritten Reinigung erleidet der Nitridfilm 6B des auf dem Speicherzellenbereich A gebildeten dielektrischen Films 6 gewisse Beschädigungen.
  • Anschliessend wird ein Gateoxidfilm 7 am Niederspannungs-Transistorbereich C geschaffen. Zu diesem Zeitpunkt wird erneut ein oberer Oxidfilm 6C auf dem Nitridfilm 6B gebildet, so dass der dielektrische Film 6 mit einer ONO Struktur am Speicherzellenbereich A entsteht.
  • Eine zweite Polysiliciumschicht 8 und eine Silicidschicht 9 werden nacheinander auf der gesamten Struktur einschliesslich des Feldoxidfilms 2 (1K) gebildet und die zweite Polysiliciumschicht 8 und die Silicidschicht 9 gemustert, so dass am Hochspannung- und Niederspannungs-Transistorbereich B und C die Gateelektroden 10B und 10C entstehen (1L). Eine Gateelektrode 10A wird an der aktiven Zone des Speicherzellenbereichs A durch einen Musterungsprozess geschaffen.
  • Wie erwähnt, wird bei dem Verfahren zur Bildung der Gateelektroden 10A, 10B und 10C am Speicherzellenbereich A, Hochspannungs-Transistorbereich B bzw. Niederspannungs-Transistorbereich C der am Speicherzellenbereich A vorgesehene dielektrische Film 6 durch die Reinigungslösungen beschädigt, die für die diversen Reinigungsbehandlungen zur Anwendung kommen. Dadurch werden die Eigenschaften des Bauelementes beeinträchtigt.
    •
  • Aufgabe der Erfindung ist die Schaffung eines Verfahrens der eingangs erwähnten Art zur Herstellung eines Flashspeicherelementes, bei dem die Gefahr einer Schädigung eines dielektrisches Films bei der Herstellung eines Hochspannungs-Transistors und eines Niederspannungs-Transistors mit Gateelektorden vermieden wird. bzw. minimiert ist.
  • Diese Aufgabe wird durch die Merkmale des Patentanspruches 1 gelöst. Dabei ist es aus der DE 4 114 344 A bekannt, auf einem Siliciumsubstrat, das in einen Speicherzellenbereich und einen Schaltkreisbereich durch Feldoxidfilme unterteilt ist, einen Oxidfilm zu bilden, den am Speicherzellenbereich gebildeten Oxidfilm zu entfernen und einen Tunneloxidfilm am freigelegten Siliciumsubstrat vorzusehen, ganzflächig, einschliesslich der Feldoxidfilme eine erste Polysiliciumschicht auszubilden, einen Teil der ersten Polysiliciumschicht zu entfernen, so dass die erste Polysiliciumschicht an aktiven Zonen des Spreicherzellenbereichs verbleibt, einen dielektrischen Film mit einer ONO-Struktur auf der gesamten Anordnung, einschliesslich der Feldoxidfilme zu bilden, den dielektrischen Film auf dem peripheren Schaltkreisbereich zu entfernen, einen Gateoxidfilm am peripheren Schaltkreisbereich zu bilden, und ganzflächig eine zweite Polysiliciumschicht vorzusehen. Verfahren zur Herstellung von nicht-flüchtigen Speicherelementen mit peripheren Schaltungsbereichen sind ferner aus folgenden Druckschriften bekannt: US 5 514 889 A , US 5 223 451 A , US 5 158 902 A , US 5 104 819 A .
  • Ein Merkmal des erfindungsgemässen Verfahrens ist, dass eine dritte Polysiliciumschicht ganzflächig gebildet wird. Gemäss einer Weiterbildung der Erfindung kann nach der Bildung der dritten Polysiliciumschicht ganzflächig eine Silicidschicht vorgesehen werden. Wenn jedoch eine erste und zweite Polysiliciumschicht eine ausreichende Dicke haben, kann die dritte Polysiliciumschicht wegfallen.
    •
  • Die Erfindung wird nachfolgend anhand eines Ausführungsbeispieles und der Zeichnung näher erläutert. Es zeigen:
  • 1A bis 1L geschnittene Ansichten zur Erläuterung eines herkömmlichen Verfahrens zur Herstellung eines Flashspeicherelementes,
  • 2A bis 2K geschnittene Ansichten zur Erläuterung eines Verfahrens zur Herstellung eines Flashspeicherelementes gemäss der vorliegenden Erfindung.
  • Die Erfindung wird nachfolgend im Detail anhand von 2A bis 2K erläutert.
  • Ein Oxidfilm 13 wird auf einem Siliciumsubstrat 11 gebildet, das in einen Speicherzellenbereich A, einen Hochspannungs-Transistorbereich B und einen Niederspannungs-Transistorbereich C durch Feldoxidfilme 12 unterteilt ist (2A). Der auf dem Speicherzellenbereich A gebildete Oxidfilm 13 wird entfernt, so dass das Siliciumsubstrat 11 freigelegt wird, und ein Tunnelxidfilm 14 wird auf dem freigelegten Siliciumsubstrat 11 (2B) geschaffen. Danach wird eine erste Polysiliciumschicht 15 ganzflächig, d.h. auf der gesamten Struktur einschliesslich der Feldoxidfilme 12 (2C) gebildet und ein Teil der ersten Polysiliciumschicht 15 entfernt, so dass die erste Polysiliciumschicht 15 an den aktiven Zonen des Speicherzellenbereichs A und des Hochspannungs-Transistorbereichs B verbleibt (2D).
  • Ein dielektrischer Film 16 mit einer ONO-Struktur, bestehend aus einem unteren Oxidfilm 16A, einen Nitridfilm 16B und einem oberen Oxidfilm 16C, wird ganzflächig, einschliesslich auf den Feldoxidfilmen 12 gebildet (2E). Danach wird der dielektrische am Niederspannungs-Transistorbereich C gebildete Film 16 entfernt und anschliessend eine Reinigungsbehandlung durchgeführt (2F). Zu diesem Zeitpunkt wird die obere Oxidschicht 16C des dielektrischen, am Speicherzellenbereich A gebildeten Films 16 durch die Reinigungslösung angegriffen.
  • Ein Gateoxidfilm 17 wird auf dem Niederspannungs-Transistorbereich C und eine zweite Polysiliciumschicht 18 auf der gesamten Struktur gebildet (2G). Dann werden die zweite Polysiliciumschicht 18 und der dielektrische Film 16, die am Hochspannungs-Transistorbereich B geschaffen wurden, nacheinander entfernt, und wird anschliessend eine Reinigungsbehandlung durchgeführt (2H).
  • Eine dritte Polysiliciumschicht 21 und eine Silicidschicht 19 werden nacheinander auf der gesamten Struktur gebildet ( 2I). Eine Gateelektrode 20B, bestehend aus dem Oxidfilm 13, der ersten Polysiliciumschicht 15, der dritten Polysiliciumschicht 21 und der Silicidschicht 19, wird auf dem Hochspannungs-Transistorbereich B geschaffen und eine Gateelektrode 20C, bestehend aus dem Gateoxidfilm 17, der zweiten Polysiliciumschicht 18, der dritten Polysiliciumschicht 21 und der Silicidschicht 19, wird am Niederspannungs-Transistorbereich C geschaffen, jeweils durch eine betreffende Musterungsbehandlung. Eine Gateelektrode 20A, bestehend aus dem Tunneloxidfilm 14, der ersten Polysiliciumschicht 15, der dielektrischen Schicht 16, der zweiten und dritten Polysiliciumschichten 18 und 21 sowie der Siliciumschicht 19, welche übereinander angeordnet sind, wird ebenfalls am Speicherzellenbereich A (2K) durch die Musterungsbehandlung geschaffen.
  • Da, wie vorerwähnt, während der Behandlung zur Bildung der Gateelektroden 20A, 20B und 20C nur der dielektrische, am Speicherzellenbereich A geschaffene Film 16, insbesondere der obere Oxidfilm 16C, der Reinigungslösung ausgesetzt wird, die bei der Reinigungsbehandlung nach Entfernung des dielektrischen am Niederspannungs-Transistorbereich C gebildeten Films zur Anwendung kommt, lässt sich die Anzahl an Schädigungen am dielektrischen Film 16 minimieren und wird dadurch ein qualitativ hochwertiger dielektrischer Film erhalten.
  • Obgleich vorausgehend beschrieben wurde, dass die dritte Polysiliciumschicht 21 auf der zweiten Polysiliciumschicht 18 (bei den Gateelektroden 20A und 20C) oder auf der ersten Polysiliciumschicht 15 (bei der Gateelektrode 20B) gebildet wird, braucht die dritten Polysiliciumschicht 21 nicht vorgesehen werden, wenn die Dicke der ersten und zweiten Polysiliciumschichten 15 und 18 ausreichend ist.

Claims (2)

  1. Verfahren zur Herstellung eines Flashspeicherelementes, aufweisend die folgenden Schritte: Bildung eines Oxidfilms (13) auf einem Siliciumsubstrat (11), das in einen Speicherzellenbereich (A), einen Hochspannungs-Transistorbereich (B) und einen Niederspannungs-Transistorbereich (C) durch Feldoxidfilme (12) unterteilt ist; Entfernung des am Speicherzellenbereich (A) gebildeten Oxidfilms (13) und Bildung eines Tunneloxidfilms (14) am freigelegten Siliciumsubstrat; ganzflächige Bildung einer ersten Polysiliciumschicht (15), einschliesslich auf den Feldoxidfilmen (12), und Entfernung eines Teiles der ersten Polysiliciumschicht, so dass die erste Polysiliciumschicht an aktiven Zonen des Speicherzellenbereichs (A) und Hochspannungs-Transistorbereichs (B) verbleibt; ganzflächige Bildung eines dielektrischen Films (16) mit einer ONO Struktur, einschliesslich auf den Feldoxidfilmen (12); Entfernung des auf dem Niederspannungs-Transistorbereich (C) gebildeten dielektrischen Films (16) und Durchführung einer Reinigungsbehandlung; Bildung eines Gateoxidfilms (17) am Niederspannungs-Transistorbereich (C) und ganzflächige Bildung einer zweiten Polysiliciumschicht (18); Entfernung der zweiten Polysiliciumschicht (18) und des am Hochspannungs-Transistorbereich (B) gebildeten dielektrischen Films (16) und Durchführung einer Reinigungsbehandlung; ganzflächige Bildung einer dritten Polysiliciumschicht (21); und Bildung von Gateelektroden (20A,20B,20C) am Speicherzellenbereich (A), Hochspannungs-Transistorbereich (B) und Niederspannungs-Transistorbereich (C) durch eine betreffende Musterungsbehandlung.
  2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, dass ferner ganzflächig eine Silicidschicht (19) nach der Bildung der dritten Polisiliciumschicht (21) vorgesehen wird.
DE19727397A 1996-06-27 1997-06-27 Verfahren zum Herstellen eines Flashspeicherelementes mit Hochspannungs-Transistorbereich und Niederspannungs-Transistorbereich Expired - Fee Related DE19727397B4 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR96-24393 1996-06-27
KR1019960024393A KR100199382B1 (ko) 1996-06-27 1996-06-27 플래쉬 메모리 소자의 제조방법

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE19727397A1 DE19727397A1 (de) 1998-01-02
DE19727397B4 true DE19727397B4 (de) 2004-08-19

Family

ID=19463798

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19727397A Expired - Fee Related DE19727397B4 (de) 1996-06-27 1997-06-27 Verfahren zum Herstellen eines Flashspeicherelementes mit Hochspannungs-Transistorbereich und Niederspannungs-Transistorbereich

Country Status (7)

Country Link
US (1) US5888869A (de)
JP (1) JP2777357B2 (de)
KR (1) KR100199382B1 (de)
CN (1) CN1085412C (de)
DE (1) DE19727397B4 (de)
GB (1) GB2314678B (de)
TW (1) TW339471B (de)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0889520B1 (de) * 1997-07-03 2005-09-28 STMicroelectronics S.r.l. Herstellungsverfahren eines nichtflüchtigen Halbleiterspeicherbauelementes mit abgeschirmtem Einpolysiliziumgate-Speicherabschnitt
US6040216A (en) * 1997-08-11 2000-03-21 Mosel Vitelic, Inc. Method (and device) for producing tunnel silicon oxynitride layer
AU735045B2 (en) * 1997-10-30 2001-06-28 Texas Instruments Incorporated A process flow to integrate high and low voltage peripheral transistors with a floating gate array
TW374939B (en) * 1997-12-19 1999-11-21 Promos Technologies Inc Method of formation of 2 gate oxide layers of different thickness in an IC
EP0975022A1 (de) * 1998-07-22 2000-01-26 STMicroelectronics S.r.l. Herstellungsverfahren für elektronische Bauelemente mit Festwertspeicherzellen und Niederspannungstransistoren, die selbstjustierte Silizidübergänge aufweisen
US6191444B1 (en) 1998-09-03 2001-02-20 Micron Technology, Inc. Mini flash process and circuit
KR100268894B1 (ko) * 1998-09-29 2000-10-16 김영환 플래쉬 메모리 소자의 제조방법
EP1005079B1 (de) * 1998-11-26 2012-12-26 STMicroelectronics Srl Integrationsverfahren eines Festwertspeichers und eines Hochleistungslogikschaltkreises auf einem Chip
US6362049B1 (en) * 1998-12-04 2002-03-26 Advanced Micro Devices, Inc. High yield performance semiconductor process flow for NAND flash memory products
US6180456B1 (en) * 1999-02-17 2001-01-30 International Business Machines Corporation Triple polysilicon embedded NVRAM cell and method thereof
TW445620B (en) * 1999-03-05 2001-07-11 United Microelectronics Corp Method for manufacturing the source line of nonvolatile memory
US6130168A (en) * 1999-07-08 2000-10-10 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Using ONO as hard mask to reduce STI oxide loss on low voltage device in flash or EPROM process
US6159802A (en) * 1999-07-14 2000-12-12 United Microelectronics Corp. Method of forming a stack-gate of a non-volatile memory on a semiconductor wafer
TW415045B (en) * 1999-08-10 2000-12-11 United Microelectronics Corp Manufacture of embedded flash memory
US6177362B1 (en) * 1999-08-17 2001-01-23 United Microelectronics Corp. Fabrication method for gate structure having gate dielectric layers of different thickness
US6238984B1 (en) * 2000-05-05 2001-05-29 United Microelectronics Corp. Integrating high voltage and low voltage device with silicide block mask
DE10110150A1 (de) * 2001-03-02 2002-09-19 Infineon Technologies Ag Verfahren zum Herstellen von metallischen Bitleitungen für Speicherzellenarrays, Verfahren zum Herstellen von Speicherzellenarrays und Speicherzellenarray
US6399443B1 (en) * 2001-05-07 2002-06-04 Chartered Semiconductor Manufacturing Ltd Method for manufacturing dual voltage flash integrated circuit
KR100399350B1 (ko) * 2001-08-09 2003-09-26 삼성전자주식회사 부유 트랩형 소자를 가지는 비휘발성 반도체 메모리 장치및 그 제조방법
KR100407573B1 (ko) * 2001-08-09 2003-11-28 삼성전자주식회사 부유 트랩형 비휘발성 메모리 장치 형성 방법
US6551883B1 (en) * 2001-12-27 2003-04-22 Silicon Integrated Systems Corp. MOS device with dual gate insulators and method of forming the same
KR100437451B1 (ko) * 2002-05-07 2004-06-23 삼성전자주식회사 트랩형 비휘발성 메모리 장치의 제조 방법
US6797568B1 (en) * 2002-11-21 2004-09-28 Lattice Semiconductor Corp. Flash technology transistors and methods for forming the same
JP2004228358A (ja) * 2003-01-23 2004-08-12 Fujitsu Ltd 半導体装置の製造方法
KR100518577B1 (ko) * 2003-05-26 2005-10-04 삼성전자주식회사 원 타임 프로그래머블 메모리 소자 및 이를 포함하는반도체 집적회로와 그 제조방법
KR100557995B1 (ko) * 2003-07-30 2006-03-06 삼성전자주식회사 부유트랩형 비휘발성 메모리 셀을 갖는 반도체 장치 및그의 제조방법
CN100361292C (zh) * 2004-12-30 2008-01-09 旺宏电子股份有限公司 快闪存储单元制造方法
US8642441B1 (en) * 2006-12-15 2014-02-04 Spansion Llc Self-aligned STI with single poly for manufacturing a flash memory device
US7439134B1 (en) * 2007-04-20 2008-10-21 Freescale Semiconductor, Inc. Method for process integration of non-volatile memory cell transistors with transistors of another type
KR100957873B1 (ko) * 2007-12-28 2010-05-13 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 게이트 산화막 형성 방법
CN103367255A (zh) * 2012-03-26 2013-10-23 上海宏力半导体制造有限公司 可多次编程的硅氧化氮氧化硅的制造方法
CN104952734B (zh) * 2015-07-16 2020-01-24 矽力杰半导体技术(杭州)有限公司 半导体结构及其制造方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE4114344A1 (de) * 1990-09-22 1992-04-02 Samsung Electronics Co Ltd Herstellungsverfahren und aufbau einer nicht-fluechtigen halbleiterspeichereinrichtung mit einer speicherzellenanordnung und einem peripheren schaltkreis
US5104819A (en) * 1989-08-07 1992-04-14 Intel Corporation Fabrication of interpoly dielctric for EPROM-related technologies
US5158902A (en) * 1989-04-28 1992-10-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing logic semiconductor device having non-volatile memory
US5223451A (en) * 1989-10-06 1993-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device wherein n-channel MOSFET, p-channel MOSFET and nonvolatile memory cell are formed in one chip and method of making it
US5514889A (en) * 1992-08-18 1996-05-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5183773A (en) * 1989-04-13 1993-02-02 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Method of manufacturing semiconductor device including such input protection transistor
US5175120A (en) * 1991-10-11 1992-12-29 Micron Technology, Inc. Method of processing a semiconductor wafer to form an array of nonvolatile memory devices employing floating gate transistors and peripheral area having CMOS transistors
US5292681A (en) * 1993-09-16 1994-03-08 Micron Semiconductor, Inc. Method of processing a semiconductor wafer to form an array of nonvolatile memory devices employing floating gate transistors and peripheral area having CMOS transistors
US5478767A (en) * 1994-09-30 1995-12-26 United Microelectronics Corporation Method of making a flash EEPROM memory cell comprising polysilicon and textured oxide sidewall spacers
JPH08167705A (ja) * 1994-12-15 1996-06-25 Toshiba Corp 不揮発性半導体記憶装置及びその製造方法
US5723355A (en) * 1997-01-17 1998-03-03 Programmable Microelectronics Corp. Method to incorporate non-volatile memory and logic components into a single sub-0.3 micron fabrication process for embedded non-volatile memory

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5158902A (en) * 1989-04-28 1992-10-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Method of manufacturing logic semiconductor device having non-volatile memory
US5104819A (en) * 1989-08-07 1992-04-14 Intel Corporation Fabrication of interpoly dielctric for EPROM-related technologies
US5223451A (en) * 1989-10-06 1993-06-29 Kabushiki Kaisha Toshiba Semiconductor device wherein n-channel MOSFET, p-channel MOSFET and nonvolatile memory cell are formed in one chip and method of making it
DE4114344A1 (de) * 1990-09-22 1992-04-02 Samsung Electronics Co Ltd Herstellungsverfahren und aufbau einer nicht-fluechtigen halbleiterspeichereinrichtung mit einer speicherzellenanordnung und einem peripheren schaltkreis
US5514889A (en) * 1992-08-18 1996-05-07 Samsung Electronics Co., Ltd. Non-volatile semiconductor memory device and method for manufacturing the same

Also Published As

Publication number Publication date
US5888869A (en) 1999-03-30
TW339471B (en) 1998-09-01
JPH1093055A (ja) 1998-04-10
GB2314678B (en) 2001-04-25
DE19727397A1 (de) 1998-01-02
CN1085412C (zh) 2002-05-22
CN1177212A (zh) 1998-03-25
KR100199382B1 (ko) 1999-06-15
GB2314678A (en) 1998-01-07
JP2777357B2 (ja) 1998-07-16
KR980006428A (ko) 1998-03-30
GB9712952D0 (en) 1997-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19727397B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines Flashspeicherelementes mit Hochspannungs-Transistorbereich und Niederspannungs-Transistorbereich
DE19860505B4 (de) ESD-Schutzschaltung und Verfahren zu deren Herstellung
DE4126046C2 (de) Herstellungsverfahren für einen DRAM-Speicherzellenkondensator
DE69533385T2 (de) Herstellungsverfahren von Verbindungen über Halbleitervorrichtungen
DE102007026372B4 (de) Verfahren zur Ausbildung einer Mikrostruktur in einer Halbleitervorrichtung
DE2153103A1 (de) Integrierte Schaltungsanordnung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19929239A1 (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleitern
DE10235793B4 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleitervorrichtung (MOS-Transistor)
DE3540422C2 (de) Verfahren zum Herstellen integrierter Strukturen mit nicht-flüchtigen Speicherzellen, die selbst-ausgerichtete Siliciumschichten und dazugehörige Transistoren aufweisen
DE3038773C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer integrierten Halbleiterschaltungsanordnung mit MOS-Transistoren und mit spannungsunabhängigen Kondensatoren
DE2922016A1 (de) Vlsi-schaltungen
DE19521469B4 (de) Hochspannungstransistorstruktur für eine Halbleitervorrichtung sowie Verfahren zu deren Herstellung
DE19517344B4 (de) Halbleitervorrichtung und Verfahren zur Herstellung derselben
DE19708031B4 (de) Nichtflüchtiger Halbleiterspeicher und Verfahren zu dessen Herstellung
DE102006060800A1 (de) Verfahren zum Bilden eines Grabens
EP0931340B1 (de) Halbleiter-festwertspeicher und verfahren zu seiner herstellung
DE19983274B4 (de) Verfahren zum Herstellen eines nichtflüchtigen Halbleiterspeicherbauteils
DE2945854A1 (de) Ionenimplantationsverfahren
DE4441166C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung
DE19525576A1 (de) Dünnfilmtransistor und Verfahren zu dessen Herstellung
DE2826376A1 (de) Verfahren zur herstellung einer halbleiteranordnung
DE2703618A1 (de) Verfahren zur herstellung einer integrierten halbleiterschaltung
DE2331393A1 (de) Verfahren zum herstellen von torelektroden aus silicium und aluminium bei feldeffekttransistoren
DE19540173A1 (de) Kondensator einer Halbleitervorrichtung und Verfahren zu dessen Herstellung
DE4200284C2 (de) Halbleitereinrichtung und Verfahren zu deren Herstellung

Legal Events

Date Code Title Description
8110 Request for examination paragraph 44
8364 No opposition during term of opposition
8328 Change in the person/name/address of the agent

Representative=s name: HOEFER & PARTNER, 81543 MUENCHEN

R119 Application deemed withdrawn, or ip right lapsed, due to non-payment of renewal fee

Effective date: 20140101