DE4441166C2 - Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung - Google Patents

Description

Die vorliegende Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstel­ lung einer hochintegrierten Halbleiterspeichervorrichtung, und insbesondere ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiter­ speichervorrichtung, mit der selbst dann, wenn ein Speicherzel­ lenbereich reduziert oder verkleinert wird, eine ausreichende Speicherkapazität erhalten werden kann.

Die US 5,223,448 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung, bei dem zwei unterschiedliche Polysiliciumfilme derart selektiv durch einen photolitographischen Prozeß geätzt werden, daß die freigelegten Oberflächen der beiden Polysiliciumfilme, die man nach dem Ätz­ vorgang erhält, als effektive Oberfläche eines Kondensators verwendet werden. Dabei wird kein Opferoxid-Filmmuster über die freigelegten Oberflächen zur Erhöhung der effektiven Oberfläche des Kondensators verwendet.

Die DE 44 24 933 A1 beschreibt ein Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterspeichervorrichtung, bei dem die freiliegenden Oberflächenabschnitte einer unteren Elektrode sowie eines La­ dungsspeicherelektrodenmusters als effektive Oberfläche eines Kondensators verwendet werden. Auch bei diesem Verfahren wird kein Opferoxid-Filmmuster über die freiliegende Oberfläche der Elektrodenschicht gebildet zur Erhöhung der effektiven Oberflä­ che und somit der Kapazität des gebildeten Kondensators.

Die DE 39 18 924 A1 beschreibt ein Herstellungsverfahren für eine Halbleiterspeichervorrichtung mit einem gestapelten Kon­ densator, welcher an der Oberfläche des Halbleitersubstrats ausgebildet ist.

Allgemein umfaßt eine Halbleiterspeichervorrichtung, wie bei­ spielsweise ein dynamischer Direktzugriffspeicher (DRAM) eine Mehrzahl von Speicherzellen derart, daß eine große Informa­ tionsmenge abgespeichert werden kann. Jede der Speicherzellen der Halbleiterspeichervorrichtung umfaßt einen Kondensator zum darin Abspeichern von elektrischen Ladungen, und einen Feldef­ fekttransistor zum Öffnen und Schließen von Aufladungs- und Entladungspassagen des Kondensators. Da ein derartiger DRAM einen höheren Integrationsgrad hat, ist es schwierig, eine aus­ reichende Speicherkapazität sicherzustellen. Dies ist deshalb der Fall, weil jede Speicherzelle des DRAM einen abrupt oder schlagartig reduzierten besetzten Bereich hat, weil der DRAM einen höheren Integrationsgrad hat. Eine derartige Reduzierung oder Verminderung oder Verkleinerung des besetzten Bereichs der Speicherzelle führt zu einer Verminderung des Oberflächenbe­ reichs einer Speicherelektrode, die in jedem Kondensator ent­ halten ist. Die Speicherelektrode jedes Kondensators, die jede Speicherzelle zusammen mit jedem Feldeffekttransistor bildet, ist in Form einer planen oder ebenen Plattengestalt über dem Feldeffekttransistor ausgebildet. Aufgrund einer derartigen Gestalt hat die Speicherelektrode einen Oberflächenbereich, der abrupt reduziert wird, wenn die Speicherzelle einen reduzierten besetzten Bereich hat. In dieser Hinsicht haben herkömmliche Verfahren zur Herstellung von Speicherzellen Schwierigkeiten, den Oberflächenbereich einer Speicherelektrode zu vergrößern, weil sie die Ausbildung einer Speicherelektrode mit einer ebe­ nen Plattengestalt vorsehen.

In Fig. 1 ist eine Halbleitervorrichtung gezeigt, die in Über­ einstimmung mit den herkömmlichen Verfahren hergestellt ist. In Fig. 1 ist eine Halbleitervorrichtung 1 gezeigt, die einen Feldoxidfilm 2 umfaßt, der auf einem vorbestimmten Abschnitt des Halbleitersubstrats 1 ausgebildet ist, und einen Gate-Iso­ lierfilm 3 und eine Wortleitung 4, die auf einem Elementbereich des Halbleitersubstrats 1 ausgebildet ist, der durch den Feld­ oxidfilm 2 festgelegt ist. Oxidfilmabstandhalter 5 sind an Sei­ tenwänden der Wortleitung 4 jeweils ausgebildet. An freiliegen­ den Oberflächenabschnitten des Halbleitersubstrats 1, der durch die Oxidfilmabstandhalter 5 festgelegt ist, sind Source/Drain- Diffusionsbereiche 6 und 6' ausgebildet, von denen jeder eine geringfügig dotierte Drain(LDD)struktur hat. Die Source/Drain- Diffusionsbereiche 6 und 6' sind durch primäres Implantieren von Verunreinigungs- oder Fehlstellenionen in das Halbleiter­ substrat 1 unter der Bedingung ausgebildet, daß die Wortleitung 4 als Maske verwendet wird, wobei Oxidfilmabstandhalter an den Seitenwänden der Wortleitung 4 jeweils ausgebildet werden, und woraufhin sekundär Verunreinigungsionen in das Halbleitersub­ strat 1 unter der Bedingung implantiert werden, daß die Oxid­ filmabstandhalter 5 als Maske verwendet werden. Zusammen mit der Wortleitung 4 bilden die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' einen Feldeffekttransistor.

Über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur, die mit dem Feldeffekttransistor ausgebildet ist, wird ein isolierender Oxidfilm 7 aufgetragen. Auf dem isolie­ renden Oxidfilm 7 ist eine Speicherelektrode 11 angeordnet, die in Kontakt mit einem ausgewählten der Source/Drain-Diffusions­ bereiche 6 und 6' steht. Die Speicherelektrode 11 wird durch selektives Ätzen des isolierenden Oxidfilms 7 ausgebildet, wo­ durch ein Kontaktloch ausgebildet wird, das durch einen der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' freiliegt, wobei eine Polysiliciumschicht über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur ausgebildet wird, die nach der Aus­ bildung des Kontaktlochs erhalten wird, und woraufhin die Poly­ siliciumschicht unter Verwendung einer Maske mit einem Muster versehen wird. Auf der oberen Oberfläche und den Seitenwänden der Speicherelektrode 11 wird ein dielektrischer Film 14 unter Verwendung eines Aufwachsprozesses ausgebildet. Der dielektri­ sche Film 14 hat eine zusammengesetzte Struktur eines NO-Typs, der durch einen Nitridfilm und einen Oxidfilm gebildet ist, oder eines ONO-Typs, der durch einen Oxidfilm, einen Nitridfilm und einen weiteren Oxidfilm gebildet ist. Eine Plattenelektrode 15 ist über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultie­ renden Struktur angeordnet, die nach der Ausbildung des dielek­ trischen Films 14 erhalten wird. Die Plattenelektrode 15 wird durch Ausbilden einer zweiten Polysiliciumschicht ausgebildet, die mit einer Verunreinigung über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur dotiert ist, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 14 erhalten wird, wor­ aufhin die zweite Polysiliciumschicht für eine vorbestimmte Abmessung mit einem Muster versehen wird.

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, hat die Halbleitervorrichtung, die gemäß dem Verfahren von Fig. 1 her­ gestellt ist, die Speicherelektrode mit der ebenen Plattenge­ stalt. Aufgrund einer derartigen ebenen Plattengestalt der Speicherelektrode ist es unmöglich, eine ausreichende Spei­ cherkapazität zu erhalten, wenn die Speicherzelle einen redu­ zierten besetzten Bereich hat. Es ist deshalb für die herkömm­ liche Halbleiterspeichervorrichtung schwierig, aufgrund der unzureichenden Speicherkapazität einen hohen Integrationsgrad zu haben.

Die Aufgabe der vorliegenden Erfindung besteht deshalb darin, ein Verfahren zum Herstellen eines Kondensators einer Halblei­ tervorrichtung zu schaffen, mit der selbst dann, wenn ein Speicherzellenbereich reduziert ist, eine ausreichende Spei­ cherkapazität erhalten werden kann, wodurch der Integrations­ grad der Halbleiterspeichervorrichtung verbessert wird.

Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch ein Verfahren mit den im den Patentansprüchen 1, 6, 13 und 18 angegebenen Merkmalen gelöst.

Vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung sind in den Unteran­ sprüchen angegeben.

Nachfolgend wird die Erfindung anhand der Zeichnungen näher erläutert; es zeigen:

Fig. 1 eine Schnittansicht einer Halbleiterspeichervorrichtung, die gemäß einem herkömmlichen Verfahren hergestellt ist,

Fig. 2 eine Aufsicht der Positionen von Maskenmustern, die bei der Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervor­ richtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird,

Fig. 3A bis 3E Schnittansichten, die jeweils ein Verfahren zur Herstellung, eines Kondensators einer Halbleiterspeichervor­ richtung gemäß einer ersten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung zeigen, und

Fig. 4 eine Schnittansicht eines Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung.

Fig. 2 zeigt eine Aufsicht der Positionen von Maskenmustern, die bei der Herstellung eines Kondensators einer Halbleiter­ speichervorrichtung gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet werden. In Fig. 2 sind verschiedene Bereiche a bis e gezeigt. Der erste Bereich a gibt das Muster einer Speicherelektroden­ maske zum Festlegen eines Ladungsspeicherbereichs wieder, wäh­ rend der zweite Bereich b das Muster einer Maske für eine ak­ tive Bereichsisolierung wiedergibt, die dazu ausgelegt ist, einen Bereich zu isolieren, wo eine Speicherzelle angeordnet ist. Der dritte Bereich c gibt das Muster einer Maske wieder, das dazu ausgelegt ist, zur Ausbildung eines Kontaktlochs verwendet zu werden, während der vierte Bereich d das Muster einer Maske wiedergibt, das dazu ausgelegt ist, zur Ausbildung einer Gate-Elektrode und einer Wortleitung verwendet zu werden. Andererseits legt der fünfte Bereich e das Muster einer Maske zum Festlegen eines Opferoxid-Filmmusters fest, das bei der Herstellung des Kondensators gemäß der vorliegenden Erfindung verwendet wird.

Die Fig. 3A bis 3E zeigen jeweils Schnittansichten zur Ver­ deutlichung eines Verfahrens zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung gemäß einer ersten Aus­ führungsform der vorliegenden Erfindung. Die Figuren zeigen Querschnittsansichten entlang der Linie A-A' von Fig. 2. In den Fig. 3A bis 3E sind den Elementen von Fig. 1 entsprechende Elemente mit denselben Bezugsziffern bezeichnet.

Gemäß diesem Verfahren wird ein Halbleitersubstrat 1 zubereitet bzw. bereitgestellt, das an seinem vorbestimmten Abschnitt, an den eine P-Wanne (oder N-Wanne) ausgebildet ist, mit einem Feldoxidfilm 2 ausgebildet wird, wie in Fig. 3A gezeigt ist. Der Feldoxidfilm 2 ist durch Aufwachsen eines Oxidfilms auf den vorbestimmten Abschnitt des Halbleitersubstrats 1 in Übereinstimmung mit einem lokalen Siliciumoxidationsprozeß (LOCOS) unter Verwendung einer Maske ausgebildet, die als die Maske b für die aktive Bereichsisolierung verwendet werden kann. Das Halbleitersubstrat 1 ist außerdem mit einem Gate- Isolierfilm 3 und einer Wortleitung 4 an einem Elementbereich ausgebildet, der durch den Feldoxidfilm 2 festgelegt ist. Die Wortleitung 4 ist zusammen mit einer Gate-Elektrode durch Niederschlagen eines Polysiliciumfilms über dem Halbleitersubstrat 1 ausgebildet, das mit dem Feldoxidfilm 2 ausgebildet ist, wobei Verunreinigungsionen in den Polysilici­ umfilm implantiert werden, und wobei der Polysiliciumfilm unter Verwendung einer Maske für die Gate-Elektrode/Wortleitung mit einem Muster versehen ist, bei der es sich um die Maske c handeln kann. Oxidfilmabstandhalter 5 werden jeweils an Seitenwänden der Wortleitung 4 ausgebildet. An freiliegenden Oberflächenabschnitten des Halbleitersubstrats 1, die durch die Oxidfilmabstandhalter 5 festgelegt sind, werden Source/Drain- Diffusionsbereiche 6 und 6' ausgebildet, von denen jeder eine LDD-Struktur hat. Die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' werden durch primäres Implantieren von Verunreinigungsionen geringer Konzentration in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung ausgebildet, daß die Gate-Elektrode und die Wort­ leitung 4 als Maske verwendet werden, wobei Oxidfilmabstandhal­ ter an Seitenwänden der Gate-Elektrode und der Wortleitung 4 jeweils ausgebildet werden, woraufhin Verunreinigungsionen höherer Konzentration in das Halbleitersubstrat 1 unter der Bedingung sekundär implantiert werden, daß die Oxidfilmab­ standhalter 5 als Maske verwendet werden. Zusammen mit der Wortleitung 4 bilden die Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' einen Feldeffekttransistor.

Über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die mit dem Feldeffekttransistor ausgebildet ist, werden ein eingeebneter Isolieroxidfilm 7, eine Sperrschicht 8, eine erste Elektrodenschicht 9 und eine zweite Elektroden­ schicht 11 in aufeinanderfolgender Weise ausgebildet, wie in Fig. 3B gezeigt. Elektrodenmaterialabstandhalter werden eben­ falls zwischen dem Isolieroxidfilm 7 und der zweiten Elektro­ denschicht 11 ausgebildet. Der Isolieroxidfilm 7 wird durch Niederschlagen eines Isoliermaterials mit einer vorbestimmten Dicke über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resul­ tierenden Struktur ausgebildet, die mit dem Feldeffekttransi­ stor ausgebildet ist, woraufhin ein vorbestimmter Abschnitt des Isoliermaterialfilms vollständig geätzt wird. Die Ätzsperr­ schicht 8 wird durch Auftragen eines Siliciumnitrids mit einer vorbestimmten Dicke über den Isolieroxidfilm 7 ausgebildet. Die erste Elektrodenschicht 9 wird durch Niederschlagen von Polysilicium über die Ätzsperrschicht 8 ausgebildet. Die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 werden durch aufeinander­ folgendes Ätzen vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektro­ denschicht 9, der Ätzsperrschicht 8 und eines oberen Abschnitts des Isolieroxidfilms 7 ausgebildet, um ein erstes Kontaktloch unter Verwendung einer Maske auszubilden, bei der es sich um die Kontaktlochmaske c von Fig. 2 handeln kann, Niederschlagen von Polysilicium mit einer vorbestimmten Dicke über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des ersten Kontaktlochs erhalten wird, und daraufhin anisotropes Ätzen der Polysiliciumschicht. Andererseits füllt die zweite Elektrodenschicht 11 einen Raum aus, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 und das erste Kontaktloch festgelegt ist, das in dem Isolieroxidfilm 7 ausgebildet ist, so daß es in elektrischem Kontakt mit einem ausgewählten der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' steht. Die zweite Elektrodenschicht 11 wird durch Ätzen eines freiliegenden Bereichs des Isolieroxidfilms 7 ausgebildet, der durch die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 festgelegt ist, um ein zweites Kontaktloch zu bilden, durch welches der ausgewählte der Source/Drain-Diffusionsbereiche 6 und 6' freigelegt wird, und daraufhin Niederschlagen von mit einer Verunreinigung dotiertem Polysilicium über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten wird. Die erste Elektrodenschicht 9 und die Elektrodenma­ terialabstandhalter 10 sind jeweils aus reinem Polysilicium hergestellt, um die Ätzselektivität gegenüber dem Oxidfilm 7 zu verbessern. Die erste Elektrodenschicht 9 und die Elektro­ denmaterialabstandhalter 10 enthalten eine Verunreinigung, die durch aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizitätsfilms von der zweiten Elektrodenschicht 11 diffundiert wird.

Über der zweiten Elektrodenschicht 11 wird ein kissenförmiges (pad) Oxid-Filmmuster 12, ein Siliciumnitrid-Filmmuster 13 und ein Opferoxid-Filmmuster 14 ausgebildet, wie in Fig. 3C gezeigt. Die Ausbildung des kissenförmigen Oxid-Filmmusters 12 und des Siliciumnitrid-Filmmusters 13 wird durch aufeinan­ derfolgendes Ausbilden eines kissenförmigen Oxidfilms einer vorbestimmten Dicke und eines Siliciumnitridfilms einer vor­ bestimmten Dicke über der zweiten Elektrodenschicht 11 erhal­ ten, und daraufhin selektives Ätzen des kissenförmigen Oxid­ films und des Siliciumnitridfilms in aufeinanderfolgender Weise unter Verwendung einer Maske, bei der es sich um die Opferoxid- Filmmustermaske e von Fig. 2 handeln kann. Das Opferoxid- Filmmuster 14 wird durch Aufwachsen eines Oxidfilms in der Form eines Vogelschnabels (bird's beak) auf einem freiliegenden Oberflächenbereich der zweiten Elektrodenschicht 11 ausgebildet, der nicht unter dem kissenförmigen Oxid-Filmmuster 12 und dem Siliciumnitrid-Filmmuster 13 angeordnet ist, unter Verwendung eines Hochtemperaturoxidationsprozesses. Während des Hochtemperaturoxidationsprozesses wird die Oxidation entlang Polysiliciumkörnern der zweiten Elektrodenschicht 11 erzeugt. Die zweite Elektrodenschicht 11 hat dadurch an ihrem Abschnitt eine rauhe Oberfläche, der sich in Kontakt mit dem Opferoxid- Filmmuster befindet. Das Opferoxid-Filmmuster 14 hat Musterabschnitte, die jeweils in beiden Seiten eines Bereichs angeordnet sind, wo das erste Kontaktloch festgelegt ist. Nach der Ausbildung des Opferoxid-Filmmusters 14 werden sowohl das Siliciumnitrid-Filmmuster 13 wie das kissenförmige Oxid- Filmmuster 12 entfernt.

Daraufhin werden ein drittes Elektrodenschichtmuster 15 und ein Photoresistmuster 16 ausgebildet, wie in Fig. 3D gezeigt. Die Ausbildung des dritten Elektrodenschichtmusters 15 wird durch Niederschlagen von mit einer Verunreinigung dotiertem Polysilicium über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur erhalten, die nach der Entfernung der Muster 12 und 13 erhalten wird, Ausbilden des Photoresistmu­ sters 16 auf der niedergeschlagenen Polysiliciumschicht, näm­ lich der dritten Elektrodenschicht, und darauf folgendes Ent­ fernen eines freiliegenden Bereichs der Polysiliciumschicht, der nicht unter dem Photoresistmuster 16 angeordnet ist, durch einen Ätzprozeß. Die Ausbildung des Photoresistmusters 16 wird durch Auftragen eines Photoresistfilms über der Poly­ siliciumschicht erreicht, die für das dritte Elektrodenmuster 15 niedergeschlagen ist, selektives Belichten des Photore­ sistfilms durch Verwendung einer Maske, bei der es sich um die Speicherelektrodenmaske a von Fig. 2 handeln kann, und darauf folgendes Entwickeln des selektiv belichteten Photoresistfilms.

Nach der Ausbildung des dritten Elektrodenschichtmusters 15 werden sowohl die zweite Elektrodenschicht 11 wie die erste Elektrodenschicht 9 selektiv gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung des Photoresist-Filmmusters 16 und des Opferoxid- Filmmusters 14 als Ätzbarriere entfernt, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster 11A und ein erstes Elektrodenschicht­ muster 9A ausgebildet werden. Nach der Ausbildung der Muster 9A und 11A wird das Photoresist-Filmmuster 16 entfernt. Das dritte Elektrodenschichtmuster 15 wird dadurch an seiner oberen Oberfläche freigelegt. Darauffolgend wird das Opferoxid-Filmmu­ ster 14 ebenfalls unter Verwendung eines Naßätzprozesses entfernt, wodurch die obere Oberfläche des zweiten Elektroden­ schichtmusters 11A und die untere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters 15 freigelegt werden. Dadurch wird eine Speicherelektrode 20 erhalten, die durch das erste Elektrodenschichtmuster 9A, das zweite Elektrodenschichtmuster 11A, das dritte Elektrodenschichtmuster 15 und die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 gebildet ist, die sämtlich integral miteinander ausgebildet sind.

Über der gesamten freiliegenden Oberfläche der Speicherelek­ trode 20 wird ein dielektrischer Film 18 daraufhin ausgebildet, wie in Fig. 3E gezeigt. Die Ausbildung des dielektrischen Films 18 wird durch Aufwachsen einer dielektrischen Kompositfilmstruktur von NO oder ONO über der gesamten frei­ liegenden Oberfläche der Speicherelektrode 20 erhalten. Eine Plattenelektrode 19 wird daraufhin auf dem Dielektrizitätsfilm 18 ausgebildet. Die Ausbildung der Plattenelektrode 19 wird durch Niederschlagen von mit einer Verunreinigung dotiertem Polysilicium über die gesamte freiliegende Oberfläche der resultierenden Struktur erhalten, die nach der Ausbildung des dielektrischen Films 18 erhalten wird, und darauf folgend Vorsehen eines Musters auf der niedergeschlagenen Polysilici­ umschicht mit einer vorbestimmten Abmessung. Das erste Elek­ trodenschichtmuster 9A und die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 enthalten eine Verunreinigung, die aus dem zweiten Elektrodenschichtmuster 11A bei einem nachfolgenden Schritt diffundiert wird, der den Schritt zur Ausbildung des dielek­ trischen Films 18 und der Plattenelektrode 19 umfaßt. Durch die Verunreinigung, die aus dem zweiten Elektrodenschichtmuster 11A diffundiert wird, haben das erste Elektrodenschichtmuster 9A und die Elektrodenmaterialabstandhalter 10 eine Leitungs- oder Leitfähigkeitseigenschaft.

Andererseits kann die zweite Elektrodenschicht 11 aus reinem Polysilicium anstelle des mit einer Verunreinigung dotiertem Polysiliciums hergestellt werden. In diesem Fall enthält das zweite Elektrodenschichtmuster 11A eine Verunreinigung, die aus dem dritten Elektrodenschichtmuster 15 bei einem darauf­ folgenden Schritt diffundiert wird, der den Schritt zur Aus­ bildung des dielektrischen Films 18 und der Plattenelektrode 19 umfaßt. Das erste Elektrodenschichtmuster 9A und die Elek­ trodenmaterialabstandhalter 10 enthalten demnach die Verun­ reinigung, die aus dem dritten Elektrodenschichtmuster 15 über das zweite Elektrodenschichtmuster 11A diffundiert wird.

Die Speicherelektrode 20 hat einen großen Oberflächenbereich, der durch starkes Vergrößern des Bereichs des Opferoxid-Film­ musters 14 erhalten wird, das die Vogelschnabelform hat. Dies resultiert aus der Struktur, demnach die Speicherelektrode 20 unter einem minimalen Abstand von der (nicht gezeigten) Spei­ cherelektrode einer benachbarten Speicherzelle beabstandet ist. Der Bereich des Opferoxid-Filmmusters 14 kann durch Verändern der Dicke des Opferoxid-Filmmusters 14 gesteuert werden.

Fig. 4 zeigt eine Schnittansicht zur Verdeutlichung des Ver­ fahrens zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiter­ speichervorrichtung gemäß der zweiten Ausführungsform der vorliegenden Erfindung. Gemäß dem Verfahren von Fig. 4 werden dieselben Schritte durchgeführt, wie diejenigen, die in den Fig. 3A bis 3C gezeigt sind. Die folgende Beschreibung wird deshalb in Verbindung mit den Verfahrensschritten, denjenigen folgend, die in den Fig. 3A bis 3C gezeigt sind, vorgenommen. In Fig. 4 werden Elemente, die denjenigen in den Fig. 3A bis 3E entsprechen, mit denselben Bezugsziffern bezeichnet.

Wie in Fig. 4 gezeigt, bilden das erste Elektrodenschichtmuster 9A, das zweite Elektrodenschichtmuster 11A und die Elek­ trodenmaterialabstandhalter 10 zusammen eine Speicherelektrode 21. Unter dieser Bedingung werden ein zweites Elektro­ denschichtmuster 11A und ein erstes Elektrodenschichtmuster 9A durch selektives Entfernen der zweiten Elektrodenschicht 11 und der ersten Elektrodenschicht 9 gemäß dem Ätzprozeß unter Verwendung des Opferoxid-Filmmusters 14 mit der Vogel­ schnabelgestalt als Ätzbarriere derart ausgebildet, daß die Ätzsperrschicht 8 freigelegt wird. Darauf hin wird das Opferoxid-Filmmuster 14 gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung der Ätzsperrschicht 8 als Ätzbarriere entfernt. Das zweite Elektrodenschichtmuster 11 wird dadurch an seiner oberen Oberfläche freigelegt. Über der gesamten freiliegenden Oberfläche der Speicherelektrode 21 werden daraufhin ein Dielektrizitätsfilm 18 und eine Plattenelektrode 19 in aufeinanderfolgender Weise ausgebildet. Die Ausbildung des Dielektrizitätsfilms 18 wird durch Aufwachsen einer dielektrischen Kompositfilmstruktur von NO oder ONO über der gesamten freiliegenden Oberfläche der Speicherelektrode 21 erreicht. Andererseits wird die Plattenelektrode 19 durch Niederschlagen von mit einer Verunreinigung dotiertem Polysilicium über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur erhalten, die nach der Ausbildung des Dielektrizitätsfilms 18 erhalten wird, und daraufhin mit einem Muster versehen der niedergeschlagenen Polysiliciumschicht mit einer vorbestimmten Abmessung. Anstelle des mit einer Verunreinigung dotierten Polysiliciums besteht die Plattenelektrode 19 aus Polycid (polycide).

Wie aus der vorstehenden Beschreibung hervorgeht, schafft die vorliegende Erfindung ein Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halbleiterspeichervorrichtung, das dazu in der Lage ist, eine Speicherelektrode zu schaffen, das einen großen effektiven Oberflächenbereich im Vergleich zu einem begrenzten besetzten Bereich einer herkömmlichen Speicherzelle durch Ausbilden der Speicherelektrode durch eine Dop­ pelelektrodenschichtmusterstruktur hat, Ausbilden einer rauhen Oberfläche der oberen Oberfläche der Elektrodenschichtmu­ sterstruktur und Ausbilden gekrümmter Oberflächen an oberen und unteren Oberflächen jedes Musters der Elektrodenschicht­ musterstruktur. Mittels des großen Oberflächenbereichs der Speicherelektrode hat der gemäß dem erfindungsgemäßen Verfahren hergestellte Kondensator eine große Speicherkapazität im Vergleich zu dem begrenzten besetzten Bereich der entspre­ chenden Speicherzelle. Dadurch ist es möglich, eine Verbesse­ rung des Integrationsgrads der Halbleiterspeichervorrichtung zu erzielen.

Obwohl die bevorzugten Ausführungsformen der Erfindung, die in den Fig. 3A bis 3E und Fig. 4 gezeigt sind, beispielhaft erläutert worden sind, erschließt sich dem Fachmann, daß ver­ schiedene Abwandlungen, Zusätze und Ersätze möglich sind, ohne vom Umfang und Geist der in den anliegenden Ansprüchen be­ anspruchten Erfindung abzuweichen.

Beispielsweise kann die Speicherelektrode durch zumindest drei Elektrodenschichtmuster gebildet sein. In diesem Fall werden zumindest zwei zusätzliche Elektrodenschichten und zumindest ein Opferoxid-Filmmuster mit der Vogelschnabelform in abwech­ selnder Weise über der gesamten Struktur ausgebildet, die nach Beendigung des in Fig. 3C gezeigten Schritts erhalten wird, nämlich der Struktur, die die zweite Elektrodenschicht 11 und das Opferoxid-Filmmuster 14 umfaßt. Die zusätzlichen Elektrodenschichten werden daraufhin gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung des zusätzlichen Opferoxid-Filmmusters als Ätzbarriere mit einem Muster versehen, um die Ätzsperrschicht 8 freizulegen.

Die Ätzsperrschicht 8, die beim Schritt von Fig. 3B ausgebildet wird, kann weggelassen werden. In diesem Fall wird der Iso­ lieroxidfilm 7, der beim Schritt von Fig. 3B gebildet wird, durch Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters 14 beim Schritt von Fig. 3E oder Fig. 4 derart unterschnitten, daß der Kantenab­ schnitt der unteren Oberfläche des ersten Elektrodenschicht­ musters 9A freigelegt wird.

Claims (21)

1. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1), das mit einem Transistor (3, 4, 6) ausgebildet ist, der einen Verunrei­ nigungs-Diffusionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms (7), einer Ätzsperrschicht (8) und einer er­ sten Elektrodenschicht (9) über dem Halbleitersubstrat (1),
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektro­ denschicht (9), der Ätzsperrschicht (8) und des Isolier­ oxidfilms (7) in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung einer Kontaktlochmaske (c), wodurch ein erstes Kontaktloch ausgebildet wird,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern (10) je­ weils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Isolieroxidfilm (7) teilweise durch einen Bereich freigelegt ist, der durch die Elektrodenmaterialabstand­ halter (10) festgelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Verunreinigungs-Diffusionsbereichs (6) gemäß einem selek­ tiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektroden­ schicht (9) und der Elektrodenmaterialabstandhalter (10) als Ätzbarriere,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (11) über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht (11) sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs- Diffusionsbereich (6) befindet,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Oxidfilms und eines Siliziumnitridfilms über der zweiten Elektrodenschicht (11),
selektives Ätzen des Oxidfilms und des Siliziumnitrid­ films, wodurch ein Oxidfilmmuster (12) und ein Silizium­ nitridfilmmuster (13) gebildet wird,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters (14) mit einer Vo­ gelschnabelgestalt auf einem freiliegenden Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht (11), der um das erste Kontakt­ loch herum angeordnet ist,
Ausbilden einer dritten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, welche nach der Bildung des Opferoxid-Filmmusters (14) erhalten wird,
Ausbilden eines Photoresistmusters (16) auf der dritten Elektrodenschicht derart, daß sich das Photoresistmuster (16) mit einem Bereich überlappt, der um das erste Kon­ taktloch und einen vorbestimmten Abschnitt des Opferoxid- Filmmusters (14) herum bestimmt wird,
Ätzen der dritten Elektrodenschicht unter Verwendung des Photoresistmusters (16) als Ätzbarriere, bis das Opfer­ oxid-Filmmuster (14) freigelegt wird, wodurch ein drittes Elektrodenschichtmuster (15) gebildet wird,
aufeinanderfolgendes Ätzen der ersten Elektrodenschicht (9) und der zweiten Elektrodenschicht (11) unter der Be­ dingung, daß das Photoresistmuster (16) und ein freilie­ gender Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters (14) als Ätz­ barriere verwendet werden, bis eine obere Oberfläche der Ätzsperrschicht (8) freiliegt, wodurch ein zweites Elek­ trodenschichtmuster (11A) und ein erstes Elektroden­ schichtmuster (9A) ausgebildet werden,
Entfernen des Photoresistfilmmusters (16), wodurch eine obere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters (15) freigelegt wird,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters (14), wodurch eine obe­ re Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A) und eine untere Oberfläche des dritten Elektrodenschicht­ musters (15) vollständig freigelegt wird, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizitätsfilms (18) und einer Plattenelektrode (19) über den freiliegen­ den Oberflächen des ersten Elektrodenschichtmusters (9A), des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A) und des dritten Elektrodenschichtmusters (15).

2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner den Schritt des Ausbildens von mindestens zwei zusätzlichen Elektrodenschichten und mindestens eines zusätzlichen Opferoxid-Filmmusters mit Vogelschnabelge­ stalt in abwechselnder Weise sowohl auf der zweiten Elek­ trodenschicht (11) wie auf dem Opferoxid-Filmmuster (14) umfaßt.

3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenmaterialabstandhalter (10) und die erste Elektrodenschicht (9) zur Verbesserung einer Ätzselekti­ vität in bezug auf den Isolieroxidfilm (7) aus Polysili­ zium bestehen.

4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenschicht (11) zum Schaffen einer guten Leitfähigkeitseigenschaft eine Verunreinigung enthält, wobei die Verunreinigung in die Elektrodenmaterialab­ standhalter (10) und die erste Elektrodenschicht (9) beim Schritt des Ausbildens des dielektrischen Films (18) dif­ fundiert wird.

5. Verfahren nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster (14) längs Polysiliziumkörnern der zweiten Elektrodenschicht (11) gemäß einem Hochtempe­ raturoxidationsprozeß derart aufgewachsen wird, so daß das zweite Elektrodenschichtmuster (11A) eine rauhe obere Oberfläche hat.

6. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1), das mit einem Transistor (3, 4, 6) ausgebildet ist, der einen Verunrei­ nigungs-Diffusionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms (7), einer Ätzsperrschicht (8) und einer ersten Elektrodenschicht (9) über dem Halbleitersubstrat (1),
Ausbilden eines ersten Photoresistfilmmusters über der ersten Elektrodenschicht (9) derart, daß das erste Photo­ resistfilmmuster einen vorbestimmten Abschnitt der ersten Elektrodenschicht (9) unbedeckt läßt,
Ätzen jeweils eines vorbestimmten Abschnitts der ersten Elektrodenschicht (9), der Ätzsperrschicht (8) und des eingeebneten Isolieroxidfilms (7) in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung des ersten Photo­ resistfilmmusters als eine erste Kontaktlochmaske (c), wodurch ein erstes Kontaktloch ausgebildet wird,
Entfernen des ersten Photoresistfilmmusters,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern (10) je­ weils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Isolieroxidfilm (7) teilweise durch einen Bereich freigelegt ist, der durch die Elektrodenmaterialabstand­ halter (10) festgelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Verunreinigungs-Diffusionsbereichs (6) in dem eingeebneten Isolieroxidfilm (7) gemäß einem selektiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektrodenschicht (9) und der Elek­ trodenmaterialabstandhalter (10) als Ätzbarrierenmaske,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (11) über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs derart erhalten wird, daß die zweite Elektrodenschicht (11) sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs- Diffusionsbereich (6) befindet,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Oxidfilms und eines Siliziumnitridfilms über die zweite Elektrodenschicht, selektives Ätzen des Oxidfilms und des Siliziumnitridfilms derart, daß der Oxidfilm und der Siliziumnitridfilm nur auf einem Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht mit Aus­ nahme eines Abschnitts, bei welchem ein Opferoxid- Filmmuster (14) gebildet wird, bleibt, wodurch ein Oxid­ filmmuster und ein Siliziumnitridmuster gebildet wird,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters (14), das eine Vo­ gelschnabelgestalt aufweist, auf einem freiliegenden Ab­ schnitt der zweiten Elektrodenschicht (11), der um das erste Kontaktloch herum angeordnet ist,
Entfernen des Oxidfilmmusters und des Siliziumnitridmu­ sters,
aufeinanderfolgendes Ätzen der freigelegten Abschnitte der zweiten Elektrodenschicht (11) und der ersten Elektroden­ schicht (9) einschließlich eines Abschnitts der zweiten Elektrodenschicht (11), der sich auf dem zweiten Kontakt­ loch befindet, unter der Bedingung, daß das Opferoxid- Filmmuster (14) als Ätzbarriere verwendet wird, bis eine obere Oberfläche der Ätzbarrierenschicht freigelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster (11A) und ein erstes Elektrodenschichtmuster (9A) ausgebildet werden,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters (14), wodurch eine obe­ re Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A) vollständig freigelegt wird, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines dielektrischen Films (18) und einer Plattenelektrode (19) über freiliegenden Oberflächen des ersten Elektrodenschichtmusters (9A) und des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A).

7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolieroxidfilm (7) durch Entfernen des Opferoxid- Filmmusters (14) derart unterschnitten wird, daß das er­ ste Elektrodenschichtmuster (9A) an einem Kantenabschnitt seiner unteren Oberfläche freigelegt wird.

8. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner den Schritt des Ausbildens von mindestens zwei zusätzlichen Elektrodenschichten und mindestens eines zusätzlichen Opferoxid-Filmmusters in Vogelschnabelge­ stalt in abwechselnder Weise sowohl auf der zweiten Elek­ trodenschicht (11) wie auf dem Opferoxid-Filmmuster (14) umfaßt.

9. Verfahren nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolieroxidfilm (7) durch Entfernen des Opferoxid- Filmmusters (14) derart unterschnitten wird, daß das er­ ste Elektrodenschichtmuster (9A) an einem Kantenabschnitt seiner unteren Oberfläche freigelegt wird.

10. Verfahren nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenmaterialabstandhalter (10) und die erste Elektrodenschicht (9) zur Verbesserung ihrer Ätzselekti­ vität gegenüber dem Isolieroxidfilm (7) aus Polysilizium hergestellt werden.

11. Verfahren nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß die zweite Elektrodenschicht (11) zum Schaffen einer gu­ ten Leitfähigkeitseigenschaft eine Verunreinigung ent­ hält, wobei die Verunreinigung in die Elektrodenmaterial­ abstandhalter (10) und die erste Elektrodenschicht (9) beim Schritt des Ausbildens des dielektrischen Films (18) diffundiert wird.

12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster (14) längs Polysiliziumkörnern der zweiten Elektrodenschicht (11) gemäß einem Hochtempe­ raturoxidationsprozeß derart aufgewachsen wird, so daß das zweite Elektrodenschichtmuster (11A) eine rauhe obere Oberfläche hat.

13. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1), das mit einem Transistor (3, 4, 6) ausgebildet ist, der einen Verunrei­ nigungs-Diffusionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms (7) und einer ersten Elektrodenschicht (9) über dem Halbleitersubstrat (1),
Ausbilden eines Photoresistfilms über der ersten Elektro­ denschicht (9),
selektives Ätzen des Photoresistfilms derart, daß die er­ ste Elektrodenschicht (9) teilweise freiliegt,
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektro­ denschicht (9) und des Isolieroxidfilms (7) in fortgesetz­ ter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung des se­ lektiv geätzten Photoresistfilms als einer Kontaktlochmas­ ke, wodurch ein Kontaktloch ausgebildet wird,
Entfernen des Photoresistfilms,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (11) über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des Kontaktlochs erhal­ ten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht (11) sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs-Dif­ fusionsbereich (6) befindet,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters (14) mit der Form eines Vogelschnabels auf einem Abschnitt der zweiten Elektrodenschicht (11), der um das Kontaktloch herum an­ geordnet ist,
Ausbilden einer dritten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des Opferoxid-Filmmusters (14) erhalten wird,
Ausbilden eines Photoresist-Filmmusters (16) auf der dritten Elektrodenschicht derart, daß das Photoresist- Filmmuster (16) einen Bereich überlappt, der um das Kon­ taktloch herum festgelegt ist, und einen vorbestimmten Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters (14),
Ätzen der dritten Elektrodenschicht unter Verwendung des Photoresist-Filmmusters (16) als Ätzbarriere, bis das Op­ feroxid-Filmmuster (14) freigelegt ist, wodurch ein drit­ tes Elektrodenschichtmuster (15) ausgebildet wird,
aufeinanderfolgendes Ätzen der ersten Elektrodenschicht (9) und der zweiten Elektrodenschicht (11) unter der Be­ dingung, daß das Photoresistmuster (16) und ein freilie­ gender Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters (14) als Ätz­ barriere verwendet wird, bis der Isolieroxidfilm (7) freigelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmu­ ster (11A) und ein erstes Elektrodenschichtmuster (9A) ausgebildet werden,
Entfernen des Photoresistmusters (16), wodurch eine obere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters (15) freigelegt wird,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters (14), wodurch eine obe­ re Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A) und eine untere Oberfläche des dritten Elektrodenschicht­ musters (15) vollständig freigelegt werden, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines Dielektrizitätsfilms (18) und einer Plattenelektrode (19) über freiliegenden Bereichen des ersten Elektrodenschichtmusters (9A), des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A) und des dritten Elektrodenschichtmusters (15).

14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß der Isolieroxidfilm (7) durch Entfernen des Opferoxid- Filmmusters (14) derart unterschnitten wird, so daß das erste Elektrodenschichtmuster (9A) an einem Kantenab­ schnitt seiner unteren Oberfläche freigelegt wird.

15. Verfahren nach Anspruch 14, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrodenschicht zur Schaffung einer guten Leitfähigkeitseigenschaft aus einem Polysilizium herge­ stellt ist, das eine Verunreinigung enthält, und daß die ersten und zweiten Elektrodenschichten (9, 11) aus reinem Polysilizium hergestellt sind, wobei die Verunreinigung der dritten Elektrodenschicht in das reine Polysilizium der ersten und zweiten Elektrodenschichten (9, 11) beim Schritt der Ausbildung des dielektrischen Films (18) dif­ fundiert werden.

16. Verfahren nach Anspruch 15, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster (14) längs Polysiliziumkörnern der zweiten Elektrodenschicht (11) gemäß einem Hochtempe­ raturoxidationsprozeß derart aufgewachsen wird, daß das zweite Elektrodenschichtmuster (11A) eine rauhe obere Oberfläche hat.

17. Verfahren nach Anspruch 16, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner den Schritt des Ausbildens von mindestens zwei zusätzlichen Elektrodenschichten und mindestens eines zusätzlichen Opferoxid-Filmmusters (14) in Vogelschnabel­ gestalt in abwechselnder Weise sowohl auf der zweiten Elektrodenschicht (11) wie auf dem Opferoxid-Filmmuster (14) umfaßt.

18. Verfahren zur Herstellung eines Kondensators einer Halb­ leiterspeichervorrichtung, umfassend die Schritte:
Bereitstellen eines Halbleitersubstrats (1), das mit einem Transistor (3, 4, 6) ausgebildet ist, der einen Verunrei­ nigungs-Diffusionsbereich hat,
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines eingeebneten Iso­ lieroxidfilms (7), einer Ätzsperrschicht (8) und einer ersten Elektrodenschicht (9) über dem Halbleitersubstrat (1),
Ätzen jeweils vorbestimmter Abschnitte der ersten Elektro­ denschicht (9), der Ätzsperrschicht (8) und des Isolier­ oxidfilms (7) in fortgesetzter Weise gemäß einem Ätzprozeß unter Verwendung einer Kontaktlochmaske (c), wodurch ein erstes Kontaktloch ausgebildet wird,
Ausbilden von Elektrodenmaterialabstandhaltern (10) je­ weils an Seitenwänden des ersten Kontaktlochs derart, daß der Isolieroxidfilm (7) teilweise durch einen Bereich freigelegt wird, der durch die Elektrodenmaterialabstand­ halter (10) festgelegt ist,
Ausbilden eines zweiten Kontaktlochs zum Freilegen des Verunreinigungs-Diffusionsbereichs (6) gemäß einem selek­ tiven Ätzprozeß unter Verwendung der ersten Elektroden­ schicht (9) und der Elektrodenmaterialabstandhalter (10) als Ätzbarriere,
Ausbilden einer zweiten Elektrodenschicht (11) über der gesamten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des zweiten Kontaktlochs erhalten wird, derart, daß die zweite Elektrodenschicht (11) sich in elektrischem Kontakt mit dem Verunreinigungs- Diffusionsbereich (6) befindet,
Ausbilden eines Opferoxid-Filmmusters (14) in Vogelschna­ belgestalt auf einem Abschnitt der zweiten Elektroden­ schicht (11), der um das erste Kontaktloch herum angeord­ net ist,
Ausbilden einer dritten Elektrodenschicht über der gesam­ ten freiliegenden Oberfläche der resultierenden Struktur, die nach der Ausbildung des Opferoxid-Filmmusters (14) erhalten wird,
Ausbilden eines Photoresist-Filmmusters (16) auf der dritten Elektrodenschicht derart, daß das Photoresist- Filmmuster (16) einen Bereich überlappt, der um das erste Kontaktloch herum festgelegt ist, und einen vorbestimmten Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters (14),
Ätzen der dritten Elektrodenschicht unter Verwendung des Photoresistmusters (16) als Ätzbarriere, bis das Opfer­ oxid-Filmmuster (14) teilweise freigelegt ist, wodurch ein drittes Elektrodenschichtmuster (15) ausgebildet wird,
Entfernen des Photoresistmusters (16), wodurch eine obere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters (15) freigelegt wird,
aufeinanderfolgendes Ätzen der zweiten Elektrodenschicht (11) und der ersten Elektrodenschicht (9) unter der Bedin­ gung, daß das Photoresistmuster (16) und der freiliegende Abschnitt des Opferoxid-Filmmusters (14) als Ätzbarriere verwendet wird, bis die Ätzsperrschicht (8) freigelegt ist, wodurch ein zweites Elektrodenschichtmuster (11A) und ein erstes Elektrodenschichtmuster (9A) ausgebildet wer­ den,
Entfernen des Photoresistmusters (16), wodurch eine obere Oberfläche des dritten Elektrodenschichtmusters (15) freigelegt wird,
Naßätzen des Opferoxid-Filmmusters (14), wodurch eine obe­ re Oberfläche des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A) und eine untere Oberfläche des dritten Elektrodenschicht­ musters (15) vollständig freigelegt werden, und
aufeinanderfolgendes Ausbilden eines dielektrischen Films (18) und einer Plattenelektrode (19) über freiliegenden Oberflächen des ersten Elektrodenschichtmusters (9A), des zweiten Elektrodenschichtmusters (11A) und des dritten Elektrodenschichtmusters (15).

19. Verfahren nach Anspruch 18, dadurch gekennzeichnet, daß die dritte Elektrodenschicht zur Schaffung einer guten Leitfähigkeitseigenschaft aus Polysilizium besteht, das eine Verunreinigung enthält, und daß die ersten und zwei­ ten Elektrodenschichten (9, 11) und die Elektrodenmateri­ alabstandhalter (10) aus reinem Polysilizium hergestellt sind, wobei die Verunreinigung der dritten Elektroden­ schicht in das reine Polysilizium der ersten und zweiten Elektrodenschichten (9, 11) und der Elektrodenmaterial­ abstandhalter (10) bei dem Schritt diffundiert werden, bei dem der dielektrische Film (18) ausgebildet wird.

20. Verfahren nach Anspruch 19, dadurch gekennzeichnet, daß das Opferoxid-Filmmuster (14) längs Polysiliziumkörnern der zweiten Elektrodenschicht (11) gemäß einem Hochtempe­ raturoxidationsprozeß derart aufgewachsen wird, daß das zweite Elektrodenschichtmuster (11A) eine rauhe obere Oberfläche hat.

21. Verfahren nach Anspruch 20, dadurch gekennzeichnet, daß es ferner den Schritt des Ausbildens von mindestens zwei zusätzlichen Elektrodenschichten und mindestens eines zusätzlichen Opferoxid-Filmmusters in Vogelschnabelge­ stalt in abwechselnder Weise sowohl auf der zweiten Elek­ trodenschicht (11) wie dem Opferoxid-Filmmuster (14) um­ faßt.