DE1098102B - Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung - Google Patents

Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE1098102B
DE1098102B DEST13682A DEST013682A DE1098102B DE 1098102 B DE1098102 B DE 1098102B DE ST13682 A DEST13682 A DE ST13682A DE ST013682 A DEST013682 A DE ST013682A DE 1098102 B DE1098102 B DE 1098102B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
housing part
metal
semiconductor
parts
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEST13682A
Other languages
English (en)
Inventor
Hans Wagner
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alcatel Lucent Deutschland AG
Original Assignee
Standard Elektrik Lorenz AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to LU37433D priority Critical patent/LU37433A1/xx
Priority to NL238107D priority patent/NL238107A/xx
Priority to NL86185D priority patent/NL86185C/xx
Priority to BE512559D priority patent/BE512559A/xx
Priority to DENDAT1069726D priority patent/DE1069726B/de
Priority to BE530249D priority patent/BE530249A/xx
Priority to NLAANVRAGE7703161,A priority patent/NL170157B/xx
Priority to BE554903D priority patent/BE554903A/xx
Priority to BE538791D priority patent/BE538791A/xx
Priority claimed from GB13657/51A external-priority patent/GB716250A/en
Priority to FR1066148D priority patent/FR1066148A/fr
Priority to US292304A priority patent/US2785349A/en
Priority to DEI5966A priority patent/DE968077C/de
Priority claimed from GB19173/53A external-priority patent/GB753488A/en
Priority claimed from US434865A external-priority patent/US2928030A/en
Priority to FR66909D priority patent/FR66909E/fr
Priority to DEI8884A priority patent/DE1060992B/de
Priority to DEI10229A priority patent/DE1015934B/de
Priority to GB15973/55A priority patent/GB795113A/en
Priority to FR69762D priority patent/FR69762E/fr
Priority to CH342657D priority patent/CH342657A/de
Priority claimed from GB4261/56A external-priority patent/GB797822A/en
Priority to GB4261/56A priority patent/GB797822A/en
Priority to FR71643D priority patent/FR71643E/fr
Priority to DEST13682A priority patent/DE1098102B/de
Application filed by Standard Elektrik Lorenz AG filed Critical Standard Elektrik Lorenz AG
Priority claimed from GB23454/58A external-priority patent/GB835865A/en
Priority to GB13142/59A priority patent/GB914592A/en
Priority to FR792952A priority patent/FR75616E/fr
Priority to BE578018A priority patent/BE578018A/fr
Priority to DEST15123A priority patent/DE1255823B/de
Priority to FR800665A priority patent/FR76055E/fr
Priority to GB25349/59A priority patent/GB884824A/en
Priority to GB16156/60A priority patent/GB877644A/en
Priority to CH543660A priority patent/CH384722A/de
Priority to FR827169A priority patent/FR77758E/fr
Publication of DE1098102B publication Critical patent/DE1098102B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/26—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with means for mechanically breaking-up or deflecting the jet after discharge, e.g. with fixed deflectors; Breaking-up the discharged liquid or other fluent material by impinging jets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D81/00—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents
    • B65D81/24—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants
    • B65D81/26—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants with provision for draining away, or absorbing, or removing by ventilation, fluids, e.g. exuded by contents; Applications of corrosion inhibitors or desiccators
    • B65D81/266—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants with provision for draining away, or absorbing, or removing by ventilation, fluids, e.g. exuded by contents; Applications of corrosion inhibitors or desiccators for absorbing gases, e.g. oxygen absorbers or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J5/20—Seals between parts of vessels
    • H01J5/22—Vacuum-tight joints between parts of vessel
    • H01J5/28—Vacuum-tight joints between parts of vessel between conductive parts of vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof  ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
    • H01M4/50—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/04—Cells with aqueous electrolyte
    • H01M6/045—Cells with aqueous electrolyte characterised by aqueous electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/04—Cells with aqueous electrolyte
    • H01M6/06—Dry cells, i.e. cells wherein the electrolyte is rendered non-fluid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/04—Cells with aqueous electrolyte
    • H01M6/06—Dry cells, i.e. cells wherein the electrolyte is rendered non-fluid
    • H01M6/10—Dry cells, i.e. cells wherein the electrolyte is rendered non-fluid with wound or folded electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2893/00—Discharge tubes and lamps
    • H01J2893/0033—Vacuum connection techniques applicable to discharge tubes and lamps
    • H01J2893/0037—Solid sealing members other than lamp bases
    • H01J2893/0044—Direct connection between two metal elements, in particular via material a connecting material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
    • H01L2023/4031—Packaged discrete devices, e.g. to-3 housings, diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/405—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45184—Tungsten (W) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45647—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01031—Gallium [Ga]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01037—Rubidium [Rb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10252—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung, insbesondere eines Gleichrichters oder Transistors mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen Verbindung, die vakuumdicht in ein mindestens teilweise aus zwei oder mehreren metallischen Teilen unterschiedlicher Härte bestehendes Gehäuse eingebaut ist.
Es ist bereits bekannt, daß elektrische Halbleitervorrichtungen sehr anfällig gegen die Einflüsse von Störstoffen sind. Sie werden daher in ein dichtes Gehäuse eingebaut, das vorzugsweise gleichzeitig zur Abführung der beim Betrieb der Vorrichtung entstehenden Wärme dient. An die Dichtigkeit eines solchen Gehäuses werden sehr hohe Anforderungen gestellt, da schon sehr geringe Mengen von Störstoffen, die durch die Gehäusewandungen oder die Abdichtungen diffundieren, genügen, um den Halbleiter unwirksam zu machen.
Elektrische Halbleitervorrichtungen werden daher vorzugsweise in vakuumdichte Gehäuse eingebaut.
Die bekannten Verfahren zum dichten Einbau von elektrischen Halbleitervorrichtungen in ein Gehäuse haben jedoch den Nachteil, daß das Gehäuse entweder nur durch Einwirkung hoher Temperaturen verschlossen werden kann oder daß dabei Gase oder Dämpfe entwickelt werden, die den Halbleiter in seinen elektrischen Eigenschaften beeinträchtigen. Diese Gase und Dämpfe sind auch deshalb besonders nachteilig, da sich ihre ungünstige Wirkung nicht sofort zeigt, sondern die Störstoffe erst im Betrieb langsam in den Halbleiter eindringen und sich dann in der zunehmenden Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften bemerkbar machen. Solche Gase und Dämpfe entstehen, wenn die Gehäuseteile durch Löten oder Schweißen miteinander verbunden werden. Andererseits bedingt der Einbau in ein Glasgehäuse die Anwendung hoher Temperaturen, durch die das Halbleiterelement leicht zerstört werden kann.
Es ist auch ein Verfahren zum Einbauen von elekirischen Halbleitervorrichtungen in ein Gehäuse bekannt, bei dem zwei Gehäuseteile durch Schweißen miteinander verbunden werden. Bei diesem bekannten Verfahren ist eine zusätzliche metallische Abschirmung im Gehäuse erforderlich, um die beim Verschweißen entstehende Wärme und die Verunreinigungen vom Halbleiter fernzuhalten.
Es wurden auch schon nach einem weiteren bekannten Verfahren Gehäuseteile für elektrische Halbleitervorrichtungen durch Kaltschweißen miteinander verbunden. Hierbei müssen die zu verbindenden Gehäuseteile mindestens an der Verbindungsstelle aus dem gleichen Material bestehen. Durch den zur Erzielung der Verbindung erforderlichen hohen Druck wird die Verfahren zur Herstellung
einer elektrischen Halbleitervorrichtung
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz
Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen,
Hellmuth-Hirth-Str. 42
Hans Wagner, Nürnberg,
ist als Erfinder genannt worden
Schweißstelle geschwächt, so daß die Verbindung mechanisch nicht sehr stabil ist. Außerdem müssen die zu verbindenden Teile vor dem Verschweißen sehr gut gereinigt werden. Das Verschweißen muß kurz nach der Reinigung durchgeführt werden, weil sich die zu verbindenden Teile an der Luft bald wieder mit einer Oxydschicht überziehen, die eine gute Schweißverbindung verhindert.
Zur Erleichterung einer solchen Kaltschweißverbindung hat man auf die zu verbindenden Teile eine dünne Schicht eines verhältnismäßig weichen Metalls, z. B. Indium, aufgebracht. Hierbei sind noch zusätzliche Verfahrensschritte zum Aufbringen der Indiumschichten erforderlich, und die durch Kaltschweißen erzielte Verbindung ist ebenfalls mechanisch nicht sehr stabil.
Zur Vermeidung dieser Nachteile wird bei dem eingangs genannten Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung, die vakuumdicht in ein mindestens teilweise aus zwei oder mehreren metallischen Teilen unterschiedlicher Härte bestehendes Gehäuse eingebaut ist, gemäß der Erfindung vorgeschlagen, nach Einbau des Halbleiterelementes das oder die Gehäuseteile aus dem weicheren Metall in kaltem Zustand plastisch so zu verformen, daß das oder die Teile aus dem härteren Metall von dem weicheren Metall teilweise umschlossen sind und sich eine vakuumdichte formschlüssige Verbindung ergibt.
Bei dem vorliegenden Verfahren ist man in der Wahl des Gehäusematerials wesentlich freier als bei den bekannten Verfahren. Beim Einbau der Halbleitervorrichtung in das Gehäuse entstehen keine Gase und Dämpfe, und es findet auch keine Erwärmung statt, die den Halbleiter nachteilig beeinflussen könnte. Das
109 5Q7/401
Gehäuse wird auf diese Weise vollkommen vakuumdicht verschlossen, und es besteht auch keine Gefahr, daß während des Betriebes die elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung durch Einwandern von Störstoffen verschlechtert werden. Es hat sich außerdem gezeigt, daß die vakuumdichte Verbindung durch plastische Verformung in kaltem Zustand auch bei den im Betriebe auftretenden höheren Temperaturen vollkommen erhalten bleibt.
Es ist daher vorteilhaft, wenn dieser Gehäuseteil gleichzeitig zur Halterung des Halbleiters dient oder zumindest in gut wärmeleitender Verbindung mit diesem steht.
Gemäß einer zweckmäßigen Weiterbildung der Erfindung ist ein anderer Gehäuseteil in bekannter Weise glockenförmig ausgebildet und besteht aus einem härteren Metall, wie z. B. aus Stahl. Der glockenförmige Gehäuseteil besitzt vorzugsweise isolierte ^Durchführungen für die Zuleitungen zum Halbleiterkörper. Der zu verformende Gehäuseteil hat eine entsprechende ao ringförmige Einkerbung, in die der Fuß des glockenförmigen Gehäuseteils eingesetzt wird. Durch ein geeignetes Werkzeug wird dann das beispielsweise verwendete Kupfer um den eingesetzten Fuß so verformt, daß sich eine vakuumdichte Verbindung ergibt.
Zur Verbesserung der Verbindung der beiden Metalle kann der Fuß des glockenförmigen Gehäuses mit Ansätzen, Einkerbungen usw. versehen und/oder aufgerauht werden.
Ein aus weichem Material bestehender Gehäuseteil dient vorzugsweise zur Befestigung der Vorrichtung auf einer geeigneten Unterlage oder einer Kühlvorrichtung und weist daher Ansätze mit Außen- oder Innengewinde auf oder entsprechende Ansätze mit Bohrungen, so daß er an der Unterlage angeschraubt werden kann. Zur besseren Handhabung bei der Befestigung ist der Gehäuseteil aus weichem Material, vorzugsweise als Sechskantmutter, ausgebildet.
Gemäß der weiteren Ausbildung der Erfindung werden die durch die Durchführungen geführten Zuleitungen zum Halbleiterkörper mit den Durchführungen ebenfalls durch plastische Verformung vakuumdicht verbunden. Besondere Vorteile ergeben sich noch, wenn der in der Durchführung liegende Leiter bereits so verformt wird, daß er die Durchführung nicht ganz ausfüllt, so daß die teilweise zusammengebaute Vorrichtung durch die vorhandenen Kanäle evakuiert und/ oder mit einem geeigneten Schutzgas gefüllt werden kann, ohne daß hierzu ein zusätzlicher Pumpstutzen erforderlich ist. Nach dem Evakuieren oder Füllen mit dem Schutzgas wird dann durch ein geeignetes Werkzeug im Vakuum oder in der Schutzgasatmosphäre der Durchführungsstutzen so verformt, daß der gleichzeitig im Inneren verformte Leiter den Stutzen vollkommen ausfüllt und sich auf diese Weise eine vakuumdichte Verbindung ergibt.
Die Erfindung und weitere Abwandlungen und Verbesserungen des Erfindungsgedankens sollen im folgenden an Hand der Zeichnungen näher erläutert werden. In
Fig. 1 und 2 sind ein entsprechendes Gehäuse und die Verbindung der Gehäuseteile im Schnitt dargestellt;
Fig. 3 zeigt eine andere Ausführungsform; in
Fig. 4 und 5 ist die Zuleitung, die durch eine isolierte Durchführung verlegt wird, dargestellt;
Fig. 6 zeigt eine fertig zusammengebaute Halbleitervorrichtung.
In Fig. 1 sind die beiden Teile eines Gehäuses dargestellt, bevor sie miteinander durch plastische Verformung eines Gehäuseteils verbunden sind. Der untere Gehäuseteil 1 besteht aus einem massiven Kupferstück, das an seiner Oberseite gegebenenfalls eine entsprechende Ausnehmung 2 zur Aufnahme des Halbleiters aufweist. Diese Ausnehmung ist aber nicht unbedingt erforderlich, sondern der Halbleiter kann auch auf der ebenen Oberseite des unteren Gehäuseteils in geeigneter Weise befestigt sein. Der untere Gehäuseteil hat eine ringförmige Ausnehmung 3, die den Abmessungen des oberen Gehäuseteils angepaßt ist. Zur Befestigung der zusammengebauten Vorrichtung auf einer Unterlage ist am Unterteil ein Außengewinde 4 vorgesehen.
Der obere Gehäuseteil besteht aus einem Stahlzylinder 5, dessen Fuß einen Ansatz 6 aufweist. An Stelle dieses Ansatzes kann der Fuß des Zylinders auch Rillen tragen oder in geeigneter Weise verformt sein. Dies dient zur besseren Abdichtung der Verbindungsstelle. An dieser Stelle kann der Stahlzylinder 5 auch aufgerauht sein. Der Zylinder ist entweder oben geschlossen, also glockenförmig ausgebildet, oder hat, wie in Fig. 1 dargestellt, eine isolierte Durchführung. Diese besteht aus einem Metallröhrchen 8, das mit dem Stahlzylinder durch einen geeigneten Isolierstoff 7 verbunden ist. Als besonders geeignet für die Verbindung 7 hat sich Sinterglas erwiesen. Es können gegebenenfalls auch mehrere Durchführungen vorgesehen sein.
Nach dem Einbau des Halbleiters werden die beiden Gehäuseteile auf kaltem Wege miteinander verbunden. Die miteinander verbundenen Gehäuseteile sind in Fig. 2 dargestellt. Nach dem Einsetzen des Fußes 6 in die Ausnehmung 3 des unteren Gehäuseteils wird das Material des unteren Teils an der mit 9 bezeichneten Stelle ringförmig um den Zylinder 5 so verformt, daß die Ausnehmung 3 geschlossen wird. Das Verschließen erfolgt in kaltem Zustand, so daß dabei keine ungünstigen Einwirkungen auf den Halbleiter möglich sind.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 3 ist der untere Gehäuseteil 1 plattenförmig ausgebildet, während der Gehäuseteil 2 die Form einer Kappe hat. Durch Verformung des Materials an der mit 9 bezeichneten Stelle ringförmig um die Kappe 2 wird die vakuumdichte Verbindung hergestellt. Die elektrischen Zuleitungen werden durch Bohrungen 10 hindurchgeführt, die beispielsweise durch eine Glasperlendurchführung, wie sie bei elektrischen Kondensatoren üblich ist, verschlossen wird. Eine solche Durchführung ist in Fig. 3 a dargestellt. Sie besteht aus einem Metallröhrchen 18 und dem Metallring 20, die durch die Glasperle 19 zusammengehalten und voneinander isoliert sind. Die Bohrung 10 ist vorzugsweise, wie in Fig. 3 dargestellt, so ausgebildet, daß die Durchführung ebenfalls durch Verformung des Metalls am Rande der Bohrung 10 befestigt werden kann.
Als elektrische Zuleitung für die Halbleitervorrichtung dient infolge der hohen Stromstärken vorzugsweise Litze aus Kupfer oder Silber. Diese Litze wird, wie in Fig. 4 dargestellt, an ihrem unteren Ende mit einer massiven konischen Verbreiterung 12 versehen, wie dies bereits vorgeschlagen wurde. Diese Verbreiterung ist mit dem Halbleiter bzw. einer Elektrode verbunden. Vor dem Einführen der Litze in den Stutzen 8 der Durchführung wird die Litze an der Durchführungsstelle durch einen Preßvorgang zu einem massiven Metallkörper 13 verformt. In diesem Zustand, der in Fig. 4 dargestellt ist, wird die Litze in den Stutzen des oberen Gehäuseteils 8 eingeführt, und zwar so, daß sich der zusammengepreßte Teil 13 innerhalb des Röhrchens 8 und außerhalb des Gehäuses
befindet. Nachdem der Halbleiter mit dem unteren Gehäuseteil 1 und die konische Verbreiterung 12 der Anschlußlitze mit dem Halbleiter verbunden sind, werden die beiden Gehäuseteile durch Verformung miteinander verbunden, wie dies bezüglich Fig. 1 und 2 erläutert wurde. Die Form des zusammengepreßten Teils 13 der Litze 11 ist so gewählt, daß sie das Röhrchen 8 nicht vollkommen ausfüllt. Geeignete Querschnitte sind in Fig. 4a und 4b dargestellt.
Dann wird die Vorrichtung oder auch mehrere der so vorbereiteten Vorrichtungen in ein geeignetes Gefäß gebracht und durch Evakuieren die Luft aus dem Gehäuse entfernt. Durch Zusammenquetschen des Röhrchens 8 unter Vakuum wird dann eine vakuumdichte Verbindung zwischen dem zusammengepreßten Litzenteil 13 und dem Röhrchen 8 hergestellt. Vor dem Verschließen kann aber auch ein geeignetes inertes Gas eingebracht werden.
Es hat sich gezeigt, daß auf diese Weise eine sehr gute, vakuumdichte Verbindung bei niedrigem Aufwand erzielt wird, wobei gleichzeitig alle ungünstigen Einflüsse auf den Halbleiter ausgeschlossen sind.
Zur besseren Verbindung des zusammengepreßten Litzenteils 13 mit dem Röhrchen 8 an der Quetschstelle können beide oder eines von beiden mit einem geeigneten Überzug aus einem niedrig schmelzenden Metall, z. B. Zinn, versehen werden, das durch den Druck beim Zusammenquetschen zum Fließen kommt und alle etwa noch vorhandenen Hohlräume ausfüllt.
An Stelle einer durchgehenden Litze 11 können auch zwei Litzenteile verwendet werden, von denen der eine Teil mit einem verbreiterten Fuß 12 versehen ist und die Verbindung zwischen Halbleiter und Durchführung herstellt, während der zweite Litzenteil den äußeren Anschluß an der Durchführung bildet. Die Länge beider Teile wird so bemessen, daß die Berührungsstelle an der Stelle liegt, wo das Röhrchen 8 zusammengequetscht wird.
In Fig. 5 ist der Fall dargestellt, daß die Litze aus zwei Teilen besteht. Der obere Litzenteil 11 α besteht beispielsweise aus verzinntem Kupfer, während der untere Litzenteil 11 b beispielsweise aus Silber besteht. Die Litze lla ist am unteren Ende zu einem massiven Metallkörper 13 α verschweißt und verpreßt, und die Litze 11 b trägt an ihrem oberen Teil ebenfalls ein massives Stück 13 δ und am entgegengesetzten Ende den massiven konischen Ansatz 12. Der Ansatz 13 b wird vorzugsweise so hergestellt, daß über das Ende der Silberlitze ein kurzes Silberröhrchen geschoben wird, das zusammen mit der Litze zu dem massiven Metallkörper 13 b gepreßt wird. Dabei kommt das Material des Silberröhrchens zum Fließen und dringt in die Hohlräume der Litze ein. In Fig. 5 ist ein Schnitt längs der Linie A-B dargestellt, aus dem erkennbar ist, daß die beiden massiven Metallteile 13a und 13 & so geformt sind, daß zwischen ihnen ein Kanal frei bleibt. Dieser Kanal dient zum Auspumpen der Luft vor dem Verschließen der Durchführungstelle durch Zusammenquetschen.
In den Fig. 5 a und 5 b sind Querschnitte durch die Dichtungsstelle vor und nach dem Verquetschen vergrößert dargestellt. Das Röhrchen 14, das einen Teil des glockenförmigen Gehäuses bildet, ist innen mit einer Zinnschicht 14a überzogen. In dem Röhrchen befinden sich die massiven Metallteile 13 α und 13 b der beiden Litzenenden. Nach dem Evakuieren bzw. der Einführung eines Schutzgases wird das äußere Röhrchen durch ein geeignetes Werkzeug zusammengequetscht, so daß sich an der Ouetschstelle ein Querschnitt ergibt, wie er in Fig. 5b dargestellt ist. Auf diese Weise wird eine vollkommen vakuumdichte und elektrisch gut leitende Verbindung erzielt.
In Fig. 6 ist eine nach dem vorliegenden Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung dargestellt, bei der sowohl die beiden Gehäuseteile als auch die elektrische Zuleitung mit der Durchführung durch plastische Verformung des Materials in kaltem Zustande vakuumdicht verbunden wurde. Der untere Gehäuseteil 1 ist zum Anschluß von Zuleitungen bzw. zur Befestigung auf einer Unterlage oder Kühlfläche mit einem Außengewinde 4 und einem Innengewinde 16 versehen. Weiter hat dieser Gehäuseteil, der gleichzeitig als Elektrode dient, einen Überzug 17 aus Edelmetall. Beispielsweise kann ein Kupferkörper verwendet werden, der mit Silber plattiert ist. Dieser Überzug dient dazu, ein Lösen des Kupfers zu verhindern, wenn der auf dem Gehäuseteil 1 befestigte Halbleiter 15 einer Ätzung unterworfen wird. Der obere Gehäuseteil ist, wie dies bei Fig. 1 und 2 beschrieben wurde, durch Verformung des unteren Gehäuseteils an der Stelle 9 mit diesem vakuumdicht verbunden. Die Zuleitungslitze 11 ist durch das Röhrchen 8 der elektrischen Durchführung hindurchgeführt und mit seinem verbreiterten Fuß 12 in geeigneter Weise auf dem Halbleiter befestigt. Durch Zusammenquetschen des Röhrchens 8 an der Stelle 14 ist die vakuumdichte Verbindung zwischen dem Röhrchen 8 und der an dieser Stelle zusammengepreßten Litze 13 hergestellt.
Das vorliegende Verfahren ist jedoch nicht auf die dargestellten und beschriebenen Ausführungsbeispiele beschränkt. Je nach der Art der Halbleitervorrichtung können auch mehrere Durchführungen vorgesehen werden, die in gleicherweise, wie beschrieben, vakuumdicht verschlossen werden. Auch die Form der Gehäuseteile kann den jeweiligen Erfordernissen beliebig angepaßt werden. Gegebenenfalls kann es vorteilhaft sein, das Gehäuse aus mehreren Teilen herzustellen, die in gleicher Weise miteinander verbunden werden. Beispielsweise können zwei glockenförmige Gehäuseteile 5 nach Fig. 2 auf gegenüberliegenden Seiten eines plattenförmigen Mittelstückes in der beschriebenen Weise befestigt werden. Ein solches Gehäuse eignet sich als Umhüllung für Leistungstransistoren. Wesentlich ist nur, daß bei der Verbindung der einzelnen Gehäuseteile und beim Verschließen der Durchführungen weder ein Lötvorgang noch ein Schweißvorgang noch eine andere Erhitzung angewendet wird und daß immer zwei Gehäuseteile unterschiedlicher Härte miteinander verbunden werden.
Auf diese Weise erhält man Halbleitervorrichtungen, bei denen nach dem Einbau des Halbleiters die vorteilhaften Eigenschaften desselben in vollem Maße erhalten sind und bei denen infolge des dichten Einbaues eine Alterung, d. h. eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften im Betriebe, ausgeschlossen ist.

Claims (18)

Patentansprüche:
1. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung, insbesondere eines Gleichrichters oder Transistors mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen Verbindung, die vakuumdicht in ein mindestens teilweise aus zwei oder mehreren metallischen Teilen unterschiedlicher Härte bestehendes Gehäuse eingebaut ist, dadurch gekennzeichnet, daß nach Einbau des Halbleiterelementes das oder die Gehäuseteile aus dem weicheren Metall in kaltem Zustand plastisch so verformt wer-
den, daß der oder die Teile aus dem härteren Metall von dem weicheren Metall teilweise umschlossen sind und sich eine vakuumdichte, formschlüssige Verbindung ergibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Gehäuseteil aus gut wärmeleitfähigem Material, z. B. Kupfer, verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gehäuseteil aus gut wärmeleitfähigem Material als Halterung für das Halbleiterelement verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß an den aus dem härteren Material bestehenden Gehäuseteilen an den mit den Teilen aus weichem Material zu verbindenden Enden Ansätze, Einkerbungen usw. angebracht und/oder diese aufgerauht werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus weichem Material bestehender Gehäuseteil mit dem Halbleiter gut elektrisch und wärmeleitend verbunden wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus weichem Material bestehender Gehäuseteil verwendet wird, der flach ausgebildet ist und/oder Ansätze, vorzugsweise mit Außen- oder Innengewinde, aufweist, so daß er gut wärmeleitend mit einer flachen Unterlage oder Kühlvorrichtung verbunden werden kann.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus weichem Material bestehender Gehäuseteil verwendet wird, der mindestens teilweise als Schraubenmutter ausgebildet ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Gehäuseteil aus weichem Material verwendet wird, der Ausnehmungen zur Aufnahme eines anderen Gehäuseteils aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die Gehäuseteile, die zur Halterung des Halbleiters verwendet werden, mit Überzügen aus Edelmetall, z. B. aus Silber, versehen werden.
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus hartem Material bestehender Gehäuseteil verwendet wird, der glokkenförmig ausgebildet ist.
11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus hartem Material bestehender Gehäuseteil verwendet wird, der vom Gehäuse isolierte metallische Durchführungen aufweist.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Durchführungen aus gut verformbaren Metallröhrchen verwendet werden, die durch einen geeigneten Isolierstoff, z. B. Sinterglas, vom glockenförmigen Gehäuseteil isoliert werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Zuleitung zum Halbleiterkörper mindestens eine durch das Metallröhrchen einer Durchführung gezogene Litze verwendet wird, die durch Verformen des Metallröhrchens außerhalb des Gehäuses vakuumdicht mit diesem verbunden wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Litze an, der Durchführungsstelle zu einem festen, den Querschnitt des Durchführungsröhrchens vor der Verformung nur teilweise ausfüllenden Metallkörper verpreßt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 und 14, dadurch gekennzeichnet, daß an der Durchführungsstelle zwei Litzen durch Verpressen miteinander verbunden werden.
16. Verfahren nach Anspruch 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Litze bzw. der zu einem Metallröhrchen verpreßte Teil an der Durchführungsstelle und/oder die Innenseite des Metallröhrchens der Durchführung mit einem weichen Metall, z. B. Zinn, überzogen wird.
17. Verfahren nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse evakuiert wird.
18. Verfahren nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse mit einem Schutzgas gefüllt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1012 376;
USA.-Patentschrift Nr. 2 780759;
britische Patentschrift Nr. 785 467.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 109 507/401 1.61
DEST13682A 1951-06-08 1958-04-23 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung Pending DE1098102B (de)

Priority Applications (30)

Application Number Priority Date Filing Date Title
LU37433D LU37433A1 (de) 1951-06-08
NL238107D NL238107A (de) 1951-06-08
NL86185D NL86185C (de) 1951-06-08
BE512559D BE512559A (de) 1951-06-08
DENDAT1069726D DE1069726B (de) 1951-06-08 Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung
BE530249D BE530249A (de) 1951-06-08
NLAANVRAGE7703161,A NL170157B (nl) 1951-06-08 Werkwijze en inrichting voor het vergassen van vaste brandstoffen door partiele oxydatie.
BE554903D BE554903A (de) 1951-06-08
BE538791D BE538791A (de) 1951-06-08
FR1066148D FR1066148A (fr) 1951-06-08 1952-06-06 Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux
US292304A US2785349A (en) 1951-06-08 1952-06-07 Electric semi-conducting devices
DEI5966A DE968077C (de) 1951-06-08 1952-06-08 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern
FR66909D FR66909E (fr) 1951-06-08 1954-07-06 Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux
DEI8884A DE1060992B (de) 1951-06-08 1954-07-07 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium
DEI10229A DE1015934B (de) 1951-06-08 1955-05-20 Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel
GB15973/55A GB795113A (en) 1951-06-08 1955-06-03 Improvements in or relating to containers including desiccants
FR69762D FR69762E (fr) 1951-06-08 1955-06-06 Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux
CH342657D CH342657A (de) 1951-06-08 1955-06-07 Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen
GB4261/56A GB797822A (en) 1951-06-08 1956-02-10 Improvements in or relating to semi-conductor junction diodes
FR71643D FR71643E (fr) 1951-06-08 1957-02-08 Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux
DEST13682A DE1098102B (de) 1951-06-08 1958-04-23 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung
GB13142/59A GB914592A (en) 1951-06-08 1959-04-17 Electrical semi-conductor device
FR792952A FR75616E (fr) 1951-06-08 1959-04-23 Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux
BE578018A BE578018A (fr) 1958-04-23 1959-04-23 Dispositif semi-conducteur électrique
DEST15123A DE1255823B (de) 1951-06-08 1959-05-13 Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren
FR800665A FR76055E (fr) 1951-06-08 1959-07-21 Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux
GB25349/59A GB884824A (en) 1951-06-08 1959-07-23 Improvements in or relating to galvanic cells
GB16156/60A GB877644A (en) 1951-06-08 1960-05-06 Method of manufacturing cooling bodies for cooling electrical components
CH543660A CH384722A (de) 1951-06-08 1960-05-12 Verfahren zur Herstellung von Kühlkörpern zur Kühlung von elektrischen Bauelementen
FR827169A FR77758E (fr) 1951-06-08 1960-05-13 Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB13657/51A GB716250A (en) 1951-06-08 1951-06-08 Improvements in or relating to electric semi-conducting devices
GB19173/53A GB753488A (en) 1953-07-10 1953-07-10 Improvements in or relating to electrical couplings to semiconductor elements
US434865A US2928030A (en) 1954-06-07 1954-06-07 Semiconductor devices
GB4261/56A GB797822A (en) 1951-06-08 1956-02-10 Improvements in or relating to semi-conductor junction diodes
DEST13682A DE1098102B (de) 1951-06-08 1958-04-23 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung
GB23454/58A GB835865A (en) 1957-05-21 1958-07-22 Improvements in or relating to crystal rectifiers and methods of manufacture thereof
DE884824X 1958-09-30
DEST15123A DE1255823B (de) 1951-06-08 1959-05-13 Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1098102B true DE1098102B (de) 1961-01-26

Family

ID=31982807

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) 1951-06-08 Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung
DEI5966A Expired DE968077C (de) 1951-06-08 1952-06-08 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern
DEI8884A Pending DE1060992B (de) 1951-06-08 1954-07-07 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium
DEI10229A Pending DE1015934B (de) 1951-06-08 1955-05-20 Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel
DEST13682A Pending DE1098102B (de) 1951-06-08 1958-04-23 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung
DEST15123A Pending DE1255823B (de) 1951-06-08 1959-05-13 Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren

Family Applications Before (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) 1951-06-08 Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung
DEI5966A Expired DE968077C (de) 1951-06-08 1952-06-08 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern
DEI8884A Pending DE1060992B (de) 1951-06-08 1954-07-07 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium
DEI10229A Pending DE1015934B (de) 1951-06-08 1955-05-20 Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEST15123A Pending DE1255823B (de) 1951-06-08 1959-05-13 Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren

Country Status (8)

Country Link
US (1) US2785349A (de)
BE (4) BE554903A (de)
CH (2) CH342657A (de)
DE (6) DE968077C (de)
FR (4) FR1066148A (de)
GB (4) GB795113A (de)
LU (1) LU37433A1 (de)
NL (3) NL238107A (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1229647B (de) * 1961-12-22 1966-12-01 Walter Brandt G M B H Verfahren zum Herstellen einer Flaechengleichrichteranordnung
DE1237695B (de) * 1961-10-24 1967-03-30 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement
DE1514473A1 (de) * 1965-06-05 1969-11-13 Siemens Ag Halbleiterbauelementeanordnung

Families Citing this family (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2850707A (en) * 1954-04-15 1958-09-02 Sylvania Electric Prod Electromagnetic coils
NL236678A (de) * 1958-03-04 1900-01-01
NL240675A (de) * 1958-07-02
US2937110A (en) * 1958-07-17 1960-05-17 Westinghouse Electric Corp Protective treatment for semiconductor devices
NL231409A (de) * 1958-09-16 1900-01-01
DE1275690B (de) * 1960-10-01 1968-08-22 Telefunken Patent Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente
US3216084A (en) * 1963-04-10 1965-11-09 Motorola Inc Semiconductor process control technique
US3265805A (en) * 1964-02-03 1966-08-09 Power Components Inc Semiconductor power device
DE2331106C2 (de) * 1973-06-19 1984-11-22 Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki, Osaka Trockenelement
US3945852A (en) * 1974-09-06 1976-03-23 P. R. Mallory & Co. Inc. Current collector for organic electrolyte batteries
USRE30458E (en) 1977-12-30 1980-12-23 Hitachi Maxell, Ltd. Dry cells
US4574330A (en) * 1982-12-20 1986-03-04 Burr-Brown Corporation Heat sink for dissipating heat generated by electronic displays
DE3421672A1 (de) * 1984-06-09 1985-12-12 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement
DE10128970A1 (de) * 2001-06-15 2002-12-19 Fortu Bat Batterien Gmbh Bei Normaltemperatur betreibbare, wiederaufladbare Batteriezelle
JP2010165721A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Honda Motor Co Ltd 太陽電池モジュール

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2780759A (en) * 1954-01-14 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device
DE1012376B (de) * 1955-05-23 1957-07-18 British Thomson Houston Co Ltd Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters
GB785467A (en) * 1954-12-23 1957-10-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US756676A (en) * 1902-11-10 1904-04-05 Internat Wireless Telegraph Company Wave-responsive device.
US1058210A (en) * 1910-12-30 1913-04-08 Allie Ray Welch Method of finishing castings.
US1704228A (en) * 1928-01-30 1929-03-05 Packard Motor Car Co Fastening device
US1890312A (en) * 1931-03-30 1932-12-06 Tung Sol Condensers Inc Condenser
DE710631C (de) * 1938-08-06 1941-09-18 Versuchsanstalt Fuer Luftfahrt Empfangsvorrichtung fuer elektrische Wellen
DE891404C (de) * 1941-05-27 1953-09-28 Pertrix Union G M B H Galvanisches Element, insbesondere mit Luftdepolarisation
GB572511A (en) * 1941-11-05 1945-10-11 Gen Electric Co Ltd Improvements in electric rectifiers
US2503837A (en) * 1945-07-27 1950-04-11 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating device
GB635690A (en) * 1946-07-31 1950-04-12 Gen Electric Co Ltd Improvements in and relating to crystal rectifiers
BE478029A (de) * 1946-10-10
US2635199A (en) * 1948-01-08 1953-04-14 John M Wolfskill Piezoelectric crystal apparatus
US2513870A (en) * 1948-01-23 1950-07-04 Reeves Hoffman Corp Hermetically sealed crystal
US2615965A (en) * 1948-07-24 1952-10-28 Sylvania Electric Prod Crystal amplifier device
US2626985A (en) * 1948-08-25 1953-01-27 Sylvania Electric Prod Electrical crystal unit
BE491276A (de) * 1948-11-05
US2631115A (en) * 1949-08-06 1953-03-10 Manganese Battery Corp Electrodes for electrochemical cells
NL78456C (de) * 1949-12-23
US2595475A (en) * 1949-12-23 1952-05-06 Rca Corp Electrode support for semiconductor devices
US2639392A (en) * 1949-12-30 1953-05-19 Bell Telephone Labor Inc Masking device for crystals
US2622133A (en) * 1950-05-01 1952-12-16 Sprague Electric Co Sealed electrical circuit components
US2651745A (en) * 1951-02-08 1953-09-08 Int Standard Electric Corp Dry rectifier assembly
US2751528A (en) * 1954-12-01 1956-06-19 Gen Electric Rectifier cell mounting
BE546360A (de) * 1955-03-24

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2780759A (en) * 1954-01-14 1957-02-05 Westinghouse Electric Corp Semiconductor rectifier device
GB785467A (en) * 1954-12-23 1957-10-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices
DE1012376B (de) * 1955-05-23 1957-07-18 British Thomson Houston Co Ltd Verfahren zur hermetischen Abdichtung eines elektrischen Gleichrichters

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1237695B (de) * 1961-10-24 1967-03-30 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement
DE1229647B (de) * 1961-12-22 1966-12-01 Walter Brandt G M B H Verfahren zum Herstellen einer Flaechengleichrichteranordnung
DE1514473A1 (de) * 1965-06-05 1969-11-13 Siemens Ag Halbleiterbauelementeanordnung

Also Published As

Publication number Publication date
DE1255823B (de) 1967-12-07
NL86185C (de) 1900-01-01
DE968077C (de) 1958-01-16
BE554903A (de) 1900-01-01
CH384722A (de) 1965-02-26
DE1015934B (de) 1957-09-19
GB795113A (en) 1958-05-14
GB914592A (en) 1963-01-02
FR69762E (fr) 1958-12-30
NL238107A (de) 1900-01-01
DE1069726B (de) 1959-11-26
LU37433A1 (de) 1900-01-01
US2785349A (en) 1957-03-12
BE538791A (de) 1900-01-01
GB877644A (en) 1961-09-20
FR1066148A (fr) 1954-06-02
GB884824A (en) 1961-12-20
FR66909E (fr) 1957-10-31
FR71643E (fr) 1960-01-13
BE512559A (de) 1900-01-01
CH342657A (de) 1959-11-30
DE1060992B (de) 1959-07-09
NL170157B (nl) 1900-01-01
BE530249A (de) 1900-01-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1098102B (de) Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung
DE3921990C2 (de)
DE1575252C2 (de) Warmeschrumpfbare Isolierstoffmuffe
EP0479087B1 (de) Hochdruckentladungslampe
DE112012003097B4 (de) Elektrischer Draht mit Anschluss und Herstellungsverfahren hierfür
DE2041497B2 (de) Verfahren zum Herstellen eines Halbleiterbauelementes
DE2937051A1 (de) Flachpaket zur aufnahme von elektrischen mikroschaltkreisen und verfahren zu seiner herstellung
DE1665087A1 (de) Supraleitendes Kabel und Verfahren zu dessen Herstellung
DE112016002171T5 (de) Anschluss zur leitungsverbindung und verfahren zur verbindung des anschlusses mit der leitung
DE1916895A1 (de) Verbindungsklemmen zur Schweissverbindung mit elektrischen Leitungsdraehten
DE1098103B (de) Verfahren zum Einbau eines elektrischen Halbleiterelementes in ein Gehaeuse
DE3805489A1 (de) Halbleitervorrichtung
DD153720A5 (de) Gluehkerze fuer verbrennungsmotoren
EP3771042B1 (de) Herstellung einer flächigen verbindung zwischen einem elektrischen leiter und einem kontaktstück
DE3308389C2 (de)
DE2909771C2 (de)
DE1490969A1 (de) Geschweisste elektrische Verbindung
EP2717275B1 (de) Verfahren zur Fertigung eines Supraleiterdrahts, insbesondere unter Verwendung bleifreier Lote
DE3804470A1 (de) Verfahren zum verbinden elektrischer leitungen mit crimpanschluessen und anordnung eines leitungsverbinders
DE19829761C2 (de) Verfahren und Leitungsverbinder zum Verbinden von warmfest lackisolierten Drähten
DE1915213A1 (de) Verfahren zur Herstellung einer Ankerkommutatoreinheit mit einer Ankerwicklung sehr kleinen Durchmessers
DE1665969C (de) Dichte Durchfuhrung eines oder mehrerer elektrischer und/oder Wärmeleiter durch einen Isolierkörper
DE3832095C2 (de) Widerstandsschweißverfahren für Werkstücke mit hohem Schlankheitsgrad
DE2539122A1 (de) Elektrische aluminium-aluminium- verbindung und verfahren zum herstellen derselben
EP0458222B1 (de) Hochspannungsdurchführung für Korpuskularstrahlgeräte