DE1098102B - Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung - Google Patents
Verfahren zur Herstellung einer elektrischen HalbleitervorrichtungInfo
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Description
DEUTSCHES
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung, insbesondere
eines Gleichrichters oder Transistors mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silizium
oder einer intermetallischen Verbindung, die vakuumdicht in ein mindestens teilweise aus zwei oder mehreren
metallischen Teilen unterschiedlicher Härte bestehendes Gehäuse eingebaut ist.
Es ist bereits bekannt, daß elektrische Halbleitervorrichtungen sehr anfällig gegen die Einflüsse von
Störstoffen sind. Sie werden daher in ein dichtes Gehäuse eingebaut, das vorzugsweise gleichzeitig zur
Abführung der beim Betrieb der Vorrichtung entstehenden Wärme dient. An die Dichtigkeit eines
solchen Gehäuses werden sehr hohe Anforderungen gestellt, da schon sehr geringe Mengen von Störstoffen,
die durch die Gehäusewandungen oder die Abdichtungen diffundieren, genügen, um den Halbleiter unwirksam
zu machen.
Elektrische Halbleitervorrichtungen werden daher vorzugsweise in vakuumdichte Gehäuse eingebaut.
Die bekannten Verfahren zum dichten Einbau von elektrischen Halbleitervorrichtungen in ein Gehäuse
haben jedoch den Nachteil, daß das Gehäuse entweder nur durch Einwirkung hoher Temperaturen verschlossen
werden kann oder daß dabei Gase oder Dämpfe entwickelt werden, die den Halbleiter in seinen elektrischen
Eigenschaften beeinträchtigen. Diese Gase und Dämpfe sind auch deshalb besonders nachteilig,
da sich ihre ungünstige Wirkung nicht sofort zeigt, sondern die Störstoffe erst im Betrieb langsam in den
Halbleiter eindringen und sich dann in der zunehmenden Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften
bemerkbar machen. Solche Gase und Dämpfe entstehen, wenn die Gehäuseteile durch Löten oder
Schweißen miteinander verbunden werden. Andererseits bedingt der Einbau in ein Glasgehäuse die Anwendung
hoher Temperaturen, durch die das Halbleiterelement leicht zerstört werden kann.
Es ist auch ein Verfahren zum Einbauen von elekirischen
Halbleitervorrichtungen in ein Gehäuse bekannt, bei dem zwei Gehäuseteile durch Schweißen
miteinander verbunden werden. Bei diesem bekannten Verfahren ist eine zusätzliche metallische Abschirmung
im Gehäuse erforderlich, um die beim Verschweißen entstehende Wärme und die Verunreinigungen
vom Halbleiter fernzuhalten.
Es wurden auch schon nach einem weiteren bekannten Verfahren Gehäuseteile für elektrische Halbleitervorrichtungen
durch Kaltschweißen miteinander verbunden. Hierbei müssen die zu verbindenden Gehäuseteile
mindestens an der Verbindungsstelle aus dem gleichen Material bestehen. Durch den zur Erzielung
der Verbindung erforderlichen hohen Druck wird die Verfahren zur Herstellung
einer elektrischen Halbleitervorrichtung
einer elektrischen Halbleitervorrichtung
Anmelder:
Standard Elektrik Lorenz
Aktiengesellschaft,
Stuttgart-Zuffenhausen,
Hellmuth-Hirth-Str. 42
Hans Wagner, Nürnberg,
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Schweißstelle geschwächt, so daß die Verbindung mechanisch nicht sehr stabil ist. Außerdem müssen
die zu verbindenden Teile vor dem Verschweißen sehr gut gereinigt werden. Das Verschweißen muß kurz
nach der Reinigung durchgeführt werden, weil sich die zu verbindenden Teile an der Luft bald wieder mit
einer Oxydschicht überziehen, die eine gute Schweißverbindung verhindert.
Zur Erleichterung einer solchen Kaltschweißverbindung hat man auf die zu verbindenden Teile eine
dünne Schicht eines verhältnismäßig weichen Metalls, z. B. Indium, aufgebracht. Hierbei sind noch zusätzliche
Verfahrensschritte zum Aufbringen der Indiumschichten erforderlich, und die durch Kaltschweißen
erzielte Verbindung ist ebenfalls mechanisch nicht sehr stabil.
Zur Vermeidung dieser Nachteile wird bei dem eingangs genannten Verfahren zur Herstellung einer elektrischen
Halbleitervorrichtung, die vakuumdicht in ein mindestens teilweise aus zwei oder mehreren metallischen
Teilen unterschiedlicher Härte bestehendes Gehäuse eingebaut ist, gemäß der Erfindung vorgeschlagen,
nach Einbau des Halbleiterelementes das oder die Gehäuseteile aus dem weicheren Metall in kaltem Zustand
plastisch so zu verformen, daß das oder die Teile aus dem härteren Metall von dem weicheren Metall
teilweise umschlossen sind und sich eine vakuumdichte formschlüssige Verbindung ergibt.
Bei dem vorliegenden Verfahren ist man in der Wahl des Gehäusematerials wesentlich freier als bei den bekannten
Verfahren. Beim Einbau der Halbleitervorrichtung in das Gehäuse entstehen keine Gase und
Dämpfe, und es findet auch keine Erwärmung statt, die den Halbleiter nachteilig beeinflussen könnte. Das
109 5Q7/401
Gehäuse wird auf diese Weise vollkommen vakuumdicht verschlossen, und es besteht auch keine Gefahr,
daß während des Betriebes die elektrischen Eigenschaften der Vorrichtung durch Einwandern von Störstoffen
verschlechtert werden. Es hat sich außerdem gezeigt, daß die vakuumdichte Verbindung durch plastische
Verformung in kaltem Zustand auch bei den im Betriebe auftretenden höheren Temperaturen vollkommen
erhalten bleibt.
Es ist daher vorteilhaft, wenn dieser Gehäuseteil gleichzeitig zur Halterung des Halbleiters dient oder
zumindest in gut wärmeleitender Verbindung mit diesem steht.
Gemäß einer zweckmäßigen Weiterbildung der Erfindung ist ein anderer Gehäuseteil in bekannter Weise
glockenförmig ausgebildet und besteht aus einem härteren Metall, wie z. B. aus Stahl. Der glockenförmige
Gehäuseteil besitzt vorzugsweise isolierte ^Durchführungen für die Zuleitungen zum Halbleiterkörper. Der
zu verformende Gehäuseteil hat eine entsprechende ao ringförmige Einkerbung, in die der Fuß des glockenförmigen
Gehäuseteils eingesetzt wird. Durch ein geeignetes Werkzeug wird dann das beispielsweise verwendete
Kupfer um den eingesetzten Fuß so verformt, daß sich eine vakuumdichte Verbindung ergibt.
Zur Verbesserung der Verbindung der beiden Metalle kann der Fuß des glockenförmigen Gehäuses mit
Ansätzen, Einkerbungen usw. versehen und/oder aufgerauht werden.
Ein aus weichem Material bestehender Gehäuseteil dient vorzugsweise zur Befestigung der Vorrichtung
auf einer geeigneten Unterlage oder einer Kühlvorrichtung und weist daher Ansätze mit Außen- oder
Innengewinde auf oder entsprechende Ansätze mit Bohrungen, so daß er an der Unterlage angeschraubt werden
kann. Zur besseren Handhabung bei der Befestigung ist der Gehäuseteil aus weichem Material, vorzugsweise
als Sechskantmutter, ausgebildet.
Gemäß der weiteren Ausbildung der Erfindung werden die durch die Durchführungen geführten Zuleitungen
zum Halbleiterkörper mit den Durchführungen ebenfalls durch plastische Verformung vakuumdicht
verbunden. Besondere Vorteile ergeben sich noch, wenn der in der Durchführung liegende Leiter bereits
so verformt wird, daß er die Durchführung nicht ganz ausfüllt, so daß die teilweise zusammengebaute Vorrichtung
durch die vorhandenen Kanäle evakuiert und/ oder mit einem geeigneten Schutzgas gefüllt werden
kann, ohne daß hierzu ein zusätzlicher Pumpstutzen erforderlich ist. Nach dem Evakuieren oder Füllen
mit dem Schutzgas wird dann durch ein geeignetes Werkzeug im Vakuum oder in der Schutzgasatmosphäre
der Durchführungsstutzen so verformt, daß der gleichzeitig im Inneren verformte Leiter den Stutzen
vollkommen ausfüllt und sich auf diese Weise eine vakuumdichte Verbindung ergibt.
Die Erfindung und weitere Abwandlungen und Verbesserungen des Erfindungsgedankens sollen im folgenden an Hand der Zeichnungen näher erläutert
werden. In
Fig. 1 und 2 sind ein entsprechendes Gehäuse und die Verbindung der Gehäuseteile im Schnitt dargestellt;
Fig. 3 zeigt eine andere Ausführungsform; in
Fig. 4 und 5 ist die Zuleitung, die durch eine isolierte Durchführung verlegt wird, dargestellt;
Fig. 6 zeigt eine fertig zusammengebaute Halbleitervorrichtung.
In Fig. 1 sind die beiden Teile eines Gehäuses dargestellt, bevor sie miteinander durch plastische Verformung
eines Gehäuseteils verbunden sind. Der untere Gehäuseteil 1 besteht aus einem massiven Kupferstück,
das an seiner Oberseite gegebenenfalls eine entsprechende Ausnehmung 2 zur Aufnahme des Halbleiters
aufweist. Diese Ausnehmung ist aber nicht unbedingt erforderlich, sondern der Halbleiter kann auch
auf der ebenen Oberseite des unteren Gehäuseteils in geeigneter Weise befestigt sein. Der untere Gehäuseteil
hat eine ringförmige Ausnehmung 3, die den Abmessungen des oberen Gehäuseteils angepaßt ist. Zur
Befestigung der zusammengebauten Vorrichtung auf einer Unterlage ist am Unterteil ein Außengewinde 4
vorgesehen.
Der obere Gehäuseteil besteht aus einem Stahlzylinder 5, dessen Fuß einen Ansatz 6 aufweist. An
Stelle dieses Ansatzes kann der Fuß des Zylinders auch Rillen tragen oder in geeigneter Weise verformt
sein. Dies dient zur besseren Abdichtung der Verbindungsstelle. An dieser Stelle kann der Stahlzylinder 5
auch aufgerauht sein. Der Zylinder ist entweder oben geschlossen, also glockenförmig ausgebildet, oder hat,
wie in Fig. 1 dargestellt, eine isolierte Durchführung. Diese besteht aus einem Metallröhrchen 8, das mit dem
Stahlzylinder durch einen geeigneten Isolierstoff 7 verbunden ist. Als besonders geeignet für die Verbindung
7 hat sich Sinterglas erwiesen. Es können gegebenenfalls auch mehrere Durchführungen vorgesehen
sein.
Nach dem Einbau des Halbleiters werden die beiden Gehäuseteile auf kaltem Wege miteinander verbunden.
Die miteinander verbundenen Gehäuseteile sind in Fig. 2 dargestellt. Nach dem Einsetzen des Fußes 6 in
die Ausnehmung 3 des unteren Gehäuseteils wird das Material des unteren Teils an der mit 9 bezeichneten
Stelle ringförmig um den Zylinder 5 so verformt, daß die Ausnehmung 3 geschlossen wird. Das Verschließen
erfolgt in kaltem Zustand, so daß dabei keine ungünstigen Einwirkungen auf den Halbleiter möglich sind.
Bei der Ausführungsform nach Fig. 3 ist der untere Gehäuseteil 1 plattenförmig ausgebildet, während der
Gehäuseteil 2 die Form einer Kappe hat. Durch Verformung des Materials an der mit 9 bezeichneten Stelle
ringförmig um die Kappe 2 wird die vakuumdichte Verbindung hergestellt. Die elektrischen Zuleitungen
werden durch Bohrungen 10 hindurchgeführt, die beispielsweise durch eine Glasperlendurchführung, wie
sie bei elektrischen Kondensatoren üblich ist, verschlossen wird. Eine solche Durchführung ist in
Fig. 3 a dargestellt. Sie besteht aus einem Metallröhrchen 18 und dem Metallring 20, die durch die Glasperle
19 zusammengehalten und voneinander isoliert sind. Die Bohrung 10 ist vorzugsweise, wie in Fig. 3
dargestellt, so ausgebildet, daß die Durchführung ebenfalls durch Verformung des Metalls am Rande
der Bohrung 10 befestigt werden kann.
Als elektrische Zuleitung für die Halbleitervorrichtung dient infolge der hohen Stromstärken vorzugsweise
Litze aus Kupfer oder Silber. Diese Litze wird, wie in Fig. 4 dargestellt, an ihrem unteren Ende mit
einer massiven konischen Verbreiterung 12 versehen, wie dies bereits vorgeschlagen wurde. Diese Verbreiterung
ist mit dem Halbleiter bzw. einer Elektrode verbunden. Vor dem Einführen der Litze in den Stutzen
8 der Durchführung wird die Litze an der Durchführungsstelle durch einen Preßvorgang zu einem
massiven Metallkörper 13 verformt. In diesem Zustand, der in Fig. 4 dargestellt ist, wird die Litze in
den Stutzen des oberen Gehäuseteils 8 eingeführt, und zwar so, daß sich der zusammengepreßte Teil 13 innerhalb
des Röhrchens 8 und außerhalb des Gehäuses
befindet. Nachdem der Halbleiter mit dem unteren Gehäuseteil 1 und die konische Verbreiterung 12 der Anschlußlitze
mit dem Halbleiter verbunden sind, werden die beiden Gehäuseteile durch Verformung miteinander
verbunden, wie dies bezüglich Fig. 1 und 2 erläutert wurde. Die Form des zusammengepreßten Teils 13
der Litze 11 ist so gewählt, daß sie das Röhrchen 8 nicht vollkommen ausfüllt. Geeignete Querschnitte
sind in Fig. 4a und 4b dargestellt.
Dann wird die Vorrichtung oder auch mehrere der so vorbereiteten Vorrichtungen in ein geeignetes Gefäß
gebracht und durch Evakuieren die Luft aus dem Gehäuse entfernt. Durch Zusammenquetschen des
Röhrchens 8 unter Vakuum wird dann eine vakuumdichte Verbindung zwischen dem zusammengepreßten
Litzenteil 13 und dem Röhrchen 8 hergestellt. Vor dem Verschließen kann aber auch ein geeignetes inertes
Gas eingebracht werden.
Es hat sich gezeigt, daß auf diese Weise eine sehr gute, vakuumdichte Verbindung bei niedrigem Aufwand
erzielt wird, wobei gleichzeitig alle ungünstigen Einflüsse auf den Halbleiter ausgeschlossen sind.
Zur besseren Verbindung des zusammengepreßten Litzenteils 13 mit dem Röhrchen 8 an der Quetschstelle
können beide oder eines von beiden mit einem geeigneten Überzug aus einem niedrig schmelzenden
Metall, z. B. Zinn, versehen werden, das durch den Druck beim Zusammenquetschen zum Fließen kommt
und alle etwa noch vorhandenen Hohlräume ausfüllt.
An Stelle einer durchgehenden Litze 11 können auch zwei Litzenteile verwendet werden, von denen der eine
Teil mit einem verbreiterten Fuß 12 versehen ist und die Verbindung zwischen Halbleiter und Durchführung
herstellt, während der zweite Litzenteil den äußeren Anschluß an der Durchführung bildet. Die Länge
beider Teile wird so bemessen, daß die Berührungsstelle an der Stelle liegt, wo das Röhrchen 8 zusammengequetscht
wird.
In Fig. 5 ist der Fall dargestellt, daß die Litze aus zwei Teilen besteht. Der obere Litzenteil 11 α besteht
beispielsweise aus verzinntem Kupfer, während der untere Litzenteil 11 b beispielsweise aus Silber besteht.
Die Litze lla ist am unteren Ende zu einem massiven Metallkörper 13 α verschweißt und verpreßt, und die
Litze 11 b trägt an ihrem oberen Teil ebenfalls ein massives Stück 13 δ und am entgegengesetzten Ende
den massiven konischen Ansatz 12. Der Ansatz 13 b wird vorzugsweise so hergestellt, daß über das Ende
der Silberlitze ein kurzes Silberröhrchen geschoben wird, das zusammen mit der Litze zu dem massiven
Metallkörper 13 b gepreßt wird. Dabei kommt das Material des Silberröhrchens zum Fließen und dringt in
die Hohlräume der Litze ein. In Fig. 5 ist ein Schnitt längs der Linie A-B dargestellt, aus dem erkennbar
ist, daß die beiden massiven Metallteile 13a und 13 & so geformt sind, daß zwischen ihnen ein Kanal frei
bleibt. Dieser Kanal dient zum Auspumpen der Luft vor dem Verschließen der Durchführungstelle durch
Zusammenquetschen.
In den Fig. 5 a und 5 b sind Querschnitte durch die Dichtungsstelle vor und nach dem Verquetschen vergrößert
dargestellt. Das Röhrchen 14, das einen Teil
des glockenförmigen Gehäuses bildet, ist innen mit einer Zinnschicht 14a überzogen. In dem Röhrchen befinden
sich die massiven Metallteile 13 α und 13 b der beiden Litzenenden. Nach dem Evakuieren bzw. der
Einführung eines Schutzgases wird das äußere Röhrchen durch ein geeignetes Werkzeug zusammengequetscht,
so daß sich an der Ouetschstelle ein Querschnitt ergibt, wie er in Fig. 5b dargestellt ist. Auf
diese Weise wird eine vollkommen vakuumdichte und elektrisch gut leitende Verbindung erzielt.
In Fig. 6 ist eine nach dem vorliegenden Verfahren hergestellte Halbleitervorrichtung dargestellt, bei der
sowohl die beiden Gehäuseteile als auch die elektrische Zuleitung mit der Durchführung durch plastische Verformung
des Materials in kaltem Zustande vakuumdicht verbunden wurde. Der untere Gehäuseteil 1 ist
zum Anschluß von Zuleitungen bzw. zur Befestigung auf einer Unterlage oder Kühlfläche mit einem Außengewinde
4 und einem Innengewinde 16 versehen. Weiter hat dieser Gehäuseteil, der gleichzeitig als Elektrode
dient, einen Überzug 17 aus Edelmetall. Beispielsweise kann ein Kupferkörper verwendet werden,
der mit Silber plattiert ist. Dieser Überzug dient dazu, ein Lösen des Kupfers zu verhindern, wenn der auf
dem Gehäuseteil 1 befestigte Halbleiter 15 einer Ätzung unterworfen wird. Der obere Gehäuseteil ist,
wie dies bei Fig. 1 und 2 beschrieben wurde, durch Verformung des unteren Gehäuseteils an der Stelle 9
mit diesem vakuumdicht verbunden. Die Zuleitungslitze 11 ist durch das Röhrchen 8 der elektrischen
Durchführung hindurchgeführt und mit seinem verbreiterten Fuß 12 in geeigneter Weise auf dem Halbleiter
befestigt. Durch Zusammenquetschen des Röhrchens 8 an der Stelle 14 ist die vakuumdichte Verbindung
zwischen dem Röhrchen 8 und der an dieser Stelle zusammengepreßten Litze 13 hergestellt.
Das vorliegende Verfahren ist jedoch nicht auf die dargestellten und beschriebenen Ausführungsbeispiele
beschränkt. Je nach der Art der Halbleitervorrichtung können auch mehrere Durchführungen vorgesehen
werden, die in gleicherweise, wie beschrieben, vakuumdicht verschlossen werden. Auch die Form der Gehäuseteile
kann den jeweiligen Erfordernissen beliebig angepaßt werden. Gegebenenfalls kann es vorteilhaft
sein, das Gehäuse aus mehreren Teilen herzustellen, die in gleicher Weise miteinander verbunden werden.
Beispielsweise können zwei glockenförmige Gehäuseteile 5 nach Fig. 2 auf gegenüberliegenden Seiten eines
plattenförmigen Mittelstückes in der beschriebenen Weise befestigt werden. Ein solches Gehäuse eignet
sich als Umhüllung für Leistungstransistoren. Wesentlich ist nur, daß bei der Verbindung der einzelnen Gehäuseteile
und beim Verschließen der Durchführungen weder ein Lötvorgang noch ein Schweißvorgang noch
eine andere Erhitzung angewendet wird und daß immer zwei Gehäuseteile unterschiedlicher Härte miteinander
verbunden werden.
Auf diese Weise erhält man Halbleitervorrichtungen, bei denen nach dem Einbau des Halbleiters die
vorteilhaften Eigenschaften desselben in vollem Maße erhalten sind und bei denen infolge des dichten Einbaues
eine Alterung, d. h. eine Verschlechterung der elektrischen Eigenschaften im Betriebe, ausgeschlossen
ist.
Claims (18)
1. Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung, insbesondere eines Gleichrichters
oder Transistors mit einem Halbleiterelement aus Germanium, Silizium oder einer intermetallischen Verbindung, die vakuumdicht in
ein mindestens teilweise aus zwei oder mehreren metallischen Teilen unterschiedlicher Härte bestehendes
Gehäuse eingebaut ist, dadurch gekennzeichnet, daß nach Einbau des Halbleiterelementes
das oder die Gehäuseteile aus dem weicheren Metall in kaltem Zustand plastisch so verformt wer-
den, daß der oder die Teile aus dem härteren Metall von dem weicheren Metall teilweise umschlossen
sind und sich eine vakuumdichte, formschlüssige Verbindung ergibt.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Gehäuseteil aus gut
wärmeleitfähigem Material, z. B. Kupfer, verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß ein Gehäuseteil aus gut
wärmeleitfähigem Material als Halterung für das Halbleiterelement verwendet wird.
4. Verfahren nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß an den aus dem härteren
Material bestehenden Gehäuseteilen an den mit den Teilen aus weichem Material zu verbindenden
Enden Ansätze, Einkerbungen usw. angebracht und/oder diese aufgerauht werden.
5. Verfahren nach Anspruch 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus weichem Material bestehender
Gehäuseteil mit dem Halbleiter gut elektrisch und wärmeleitend verbunden wird.
6. Verfahren nach Anspruch 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus weichem Material bestehender
Gehäuseteil verwendet wird, der flach ausgebildet ist und/oder Ansätze, vorzugsweise mit
Außen- oder Innengewinde, aufweist, so daß er gut wärmeleitend mit einer flachen Unterlage oder
Kühlvorrichtung verbunden werden kann.
7. Verfahren nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus weichem Material bestehender
Gehäuseteil verwendet wird, der mindestens teilweise als Schraubenmutter ausgebildet ist.
8. Verfahren nach Anspruch 1 bis 7, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens ein Gehäuseteil
aus weichem Material verwendet wird, der Ausnehmungen zur Aufnahme eines anderen Gehäuseteils aufweist.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß der oder die Gehäuseteile, die
zur Halterung des Halbleiters verwendet werden, mit Überzügen aus Edelmetall, z. B. aus Silber,
versehen werden.
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus hartem Material bestehender
Gehäuseteil verwendet wird, der glokkenförmig ausgebildet ist.
11. Verfahren nach Anspruch 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß ein aus hartem Material bestehender
Gehäuseteil verwendet wird, der vom Gehäuse isolierte metallische Durchführungen aufweist.
12. Verfahren nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß Durchführungen aus gut verformbaren
Metallröhrchen verwendet werden, die durch einen geeigneten Isolierstoff, z. B. Sinterglas,
vom glockenförmigen Gehäuseteil isoliert werden.
13. Verfahren nach Anspruch 1 bis 12, dadurch gekennzeichnet, daß als Zuleitung zum Halbleiterkörper
mindestens eine durch das Metallröhrchen einer Durchführung gezogene Litze verwendet
wird, die durch Verformen des Metallröhrchens außerhalb des Gehäuses vakuumdicht mit diesem
verbunden wird.
14. Verfahren nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß die Litze an, der Durchführungsstelle zu einem festen, den Querschnitt des Durchführungsröhrchens
vor der Verformung nur teilweise ausfüllenden Metallkörper verpreßt wird.
15. Verfahren nach Anspruch 13 und 14, dadurch gekennzeichnet, daß an der Durchführungsstelle zwei Litzen durch Verpressen miteinander
verbunden werden.
16. Verfahren nach Anspruch 13 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß die Litze bzw. der zu einem
Metallröhrchen verpreßte Teil an der Durchführungsstelle und/oder die Innenseite des Metallröhrchens
der Durchführung mit einem weichen Metall, z. B. Zinn, überzogen wird.
17. Verfahren nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse evakuiert wird.
18. Verfahren nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß das Gehäuse mit einem
Schutzgas gefüllt wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1012 376;
USA.-Patentschrift Nr. 2 780759;
britische Patentschrift Nr. 785 467.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1012 376;
USA.-Patentschrift Nr. 2 780759;
britische Patentschrift Nr. 785 467.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
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