DE968077C - Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern - Google Patents
Verfahren zur Herstellung von KristallgleichrichternInfo
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Description
AUSGEGEBEN AM 16. JANUAE 1958
15966 VIII c 121g
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Kristallgleichrichtern unter
Verwendung halbleitender Stoffe, wie z. B. Germanium.
Bei den bisher bekannten Ausführungsformen für Kristallgleichrichter werden meistens Teile
verwendet, bei denen die Abmessungen sehr genau eingehalten werden müssen. Dadurch wird die
Herstellung solcher Kristallgleichrichter sehr verteuert. Außerdem sind die bisher bekannten
Kristallgleichrichter empfindlich gegen Erwärmung, so daß sie beim Einlöten in elektrische Stromkreise
gekühlt werden müssen.
Es ist .auch schon eine Ausführungsform bekannt, bei der die Nadelelektrode an einer durch
Verformung eines blattförmigen Metallteiles entstandenen napfförmigen Kappe befestigt ist, die
ihrerseits in dem für den Gleichrichter bestimmten rohrförmigen Gehäuse eingeklemmt ist, während
der Halbleiterkörper über einen Haltedraht starr mit dem Gehäuse verbunden ist.
Das Verfahren nach der Erfindung zielt darauf ab, die Konstruktion von solchen Gleichrichtern zu
vereinfachen und zu verbilligen.
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß Spitzenelektrode und/oder Halbleiterkörper an
blatt- oder scheibenförmigen Metallteilen befestigt werden, die beim Einbringen in das aus einem
Isolierrohr bestehende Gehäuse oder nach dem Einbringen verformt -werden, und daß hierbei die
709 851/25
Spitzenelektrode in gleichrichtendem Kontakt mit dem halbleitenden Körper eingestellt wird und die
Teile in dieser Stellung fixiert werden.
Gegenüber der bekannten Konstruktion besitzt das Verfahren nach der Erfindung den Vorteil, daß
verschiedene Verfahrensschritte, die bisher vorgenommen werden mußten, eingespart werden. Dies
wirkt sich vor allem bei der industriellen Serienfertigung günstig aus.
ίο Die Erfindung soll an Hand der Zeichnungen
näher erläutert werden.
Fig. ι stellt einen Aufriß eines Kristallgleichrichters
dar, der gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
Fig. 2 bis 7 zeigen Einzelheiten des Herstellungsprozesses dieses Gleichrichters;
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht auf einen vollständigen Gleichrichter;
Fig. 9 bis 12 zeigen Einzelheiten von anderen Ausführungsformen des Gleichrichters gemäß der
Erfindung;
Fig. 13 bis 16 zeigen Einzelheiten einer anderen
Form des Gleichrichters gemäß der Erfindung, bei welchem die Stopfen, an denen die Elektroden
montiert sind, aus vollen Metallstücken bestehen, anstatt daß sie aus Metallblech ausgepreßt sind;
Fig. 17 und 18 zeigen Einzelheiten der abgeänderten
Form mit den Vollmetallstopfen; Fig. 19 und 20 zeigen Abwandlungen von Fig. 13
und 14;
Fig. 21 und 22 zeigen Einzelheiten einer anderen
Ausführungsform des Gleichrichters mit Vollmetallstopfen.
Fig. ι zeigt einen Aufriß eines Gleichrichters gemäß der Erfindung, bei welchem die gleichrichtenden
Elemente in ein zylindrisches Rohr 1 aus Keramik oder anderem geeignetem Isoliermaterial
eingeschlossen sind, dessen äußerer Durchmesser z. B. 6 mm betragen kann. Der Kristall 2, welcher
vorzugsweise aus Germanium besteht, und die Nadelelektrode 3 sind an Metallblechen von Napfform
befestigt, welche mit 4 und S bezeichnet sind und welche an entgegengesetzten Enden in das
Rohr ι hineingepreßt wurden, so daß sie fest darin sitzen. Die zugehörigen Anschluß leiter 6 und 7
sind an den Stopfen 4 und 5 befestigt, und die Enden des Rohres sind durch Blöcke 8 und 9 aus
geeignetem, wärmehärtendem Zement dicht verschlosssen. Es kann z. B. ein Zement aus gelbem
Bleioxyd und Glyzerin verwendet werden. Um die Anschlüsse des Gleichrichters zu kennzeichnen,
können die Zementblöcke verschieden gefärbt sein. So kann z. B. der Block 8 rot sein und der
Block 9 weiß.
Die Stopfen 4 und 5 können aus flachen Scheiben 10 aus Nickel oder anderem geeignetem Metall
geformt werden, wie z. B. dies in Fig. 2 gezeigt ist. Diese Scheibe kann z. B. V1O 131Hi dick sein und
soll etwas größer im Durchmesser sein als die Bohrung des Rohres. So kann z. B. der Durchmesser
der Scheibe 5 mm betragen.· Sie kann mit einem Ansatz 11 versehen sein, ,an welchem der
zugehörige Anschlußleiter 6 oder 7 (Fig. 1) durch Schweißen oder Löten befestigt wird. Es können
auch andere Metalle für die Scheibe 10 verwendet werden, wie z. B. Kupfer, Eisen, Messing oder
Silber.
Wie in Fig. 3 gezeigt, kann die Nadel 3 aus einem scharf zugespitzten Wolframdraht bestehen,
der in die übliche S-Form gebogen ist und angeschweißt oder anderweitig im Mittelpunkt der
Scheibe 10 befestigt ist. Verschiedene andere Metalle und Legierungen können für die Nadelelektrode
verwendet werden. Die Anordnung ist konzentrisch am Ende des Rohres 1 angeordnet. -Ein
zylindrischer Stempel drückt dann auf den mittleren Teil der Scheibe 1, die dabei in das Rohr
hineingepreßt wird und einen napfförmigen Stopfen bildet, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist. Das
Blech des Stopfens 5 ist so ausgestanzt, daß es einen Ansatz 11 hat. Der Durchmesser des Stempels
ist vorzugsweise um einige hundertstel Millimeter kleiner als der Innendurchmesser des so geformten
Napfes, damit ein Zerbrechen des Rohres 1 vermieden wird und der Stempel leicht wieder
herausgezogen werden kann.
Der Anschluß draht 7 wird an dem Ansatz 11
angeschweißt oder auf eine andere Weise daran befestigt, wie dies in Fig., 5 dargestellt ist. Dieser
Anschlußdraht besteht vor-zugsweise aus kupfer- go plattiertem Eisen oder aus einer Kupfer-Eisen-Nickel-Legierung,
aber es können auch andere Stoffe, wie z. B. reines Kupfer oder Nickel, verwendet
werden. Der Draht 7 wird vorzugsweise koaxial in dem Rohr 1 angeordnet.
Der Zementblock 9 wird vorzugsweise aus einem Gießharz-Klebemittel hergestellt, wie es unter der
geschützten Bezeichnung »Araldit« bekannt ist. Es können jedoch auch andere wärmehärtende oder
thermoplastische Stoffe oder andere Arten von Zement benutzt werden. Die Anordnung 1 wird
auf eine Temperatur von ungefähr 2500 C erhitzt, z. B. indem man das Rohr 1 auf eine erhitzte
Platte stellt. Das Gießharz wird in Form eines dünnen Stabes benutzt und damit das obere Ende
des Rohres 1 berührt, bis eine genügende Menge geschmolzen ist, welche den Stopfen 5 füllt und
das Ende des Rohres bedeckt. Das Harz polymerisiert und härtet in ungefähr 10 Minuten, wobei
sich der Stopfen und das Rohr fest miteinander verbinden und das Ende dicht verschlossen wird.
Das Harz kann auch als Pulver angewendet werden oder in Form einer kleinen Scheibe mit einer
zentralen öffnung, die gerade die Größe hat, um den Block 9 zu bilden und die auf den Draht 7 aufgesteckt
wird.
Wie in Fig. 6 gezeigt, wird der Kristall 2 an einer zweiten Scheibe in ähnlicher Weise befestigt,
wie dies in Fig. 2 dargestellt ist, z. B. durch Anlöten oder mittels eines passenden leitenden Stoffes,
wie es mit 12 angedeutet ist. Vorzugsweise verwendet man einen leitenden Zement. Die
Scheibe, die den Kristall 2 trägt, wird dann in das offene Ende des Rohres 1 hineingepreßt, wie
dies in Fig. 7 gezeigt ist, und zwar mittels eines Stempels, wie dies vorher beschrieben wurde. Sie
wird vorsichtig so weit hineingedrückt, daß gerade zwischen der Nadelelektrode 3 und dem Kristall 2
der Kontakt hergestellt ist. Der Stopfen 4 wird nun ungefähr 0,07 mm weiter vorgeschoben, um
einen genügenden Kontaktdruck herzustellen, der eine mechanische Stabilität des Kontaktes gewährleistet.
Der Anschlußdraht 6 (in Fig. 7 nicht dargestellt) wird dann an dem Ansatz 11 befestigt, und
der Stopfen4 wird mit dem Gießharz verschlossen, wie es bezüglich Fig. 5 beschrieben wurde. Der
fertige Gleichrichter ist in Fig. 8 dargestellt. Um wieder das Rohr 1 zu erwärmen, kann es in eine
öffnung in einem dicken Metallblock eingesetzt werden, welcher auf einer heißen Platte liegt.
Der Zement, der für das die Nadelelektrode enthaltende Ende des Rohres 1 verwendet wird, besteht
vorzugsweise aus einer Mischung von 50 P/o
Araldit-Gießharz und 50% Tonerde oder einem anderen weißen Pulver oder Farbstoff, so daß sich
nach der Polymerisation ein weißer Block bildet. Es kann aber auch ungefülltes »Araldit«-Harz
oder ein anderes Klebemittel benutzt werden. Der Block an dem Kristallende kann aus einem mit
as Tonerde gefüllten Harz gebildet werden, dem ein
Farbstoff oder Pigment von z. B. roter oder einer anderen gut zu unterscheidenden Farbe zugesetzt
wird.
Der Gleichrichter wird vorzugsweise einer weiteren Wärmebehandlung in einem Ofen bei
einer Temperatur von 1359C für 24 Stunden ausgesetzt,
um den Verschluß bei den Stopfen 8 und 9 endgültig auszuhärten.
Fig. 9 bis 12 zeigen eine andere Methode, um die Nadel und den Anschlußdraht an dem zugehörigen
Stopfen zu befestigen. Wie in Fig. 9 und 10 dargestellt ist, wird der Stopfen 5 aus einer flachen
.Scheibe 13 mit einer zentralen öffnung an Stelle
des Ansatzes gebildet. Die Scheibe wird in das Ende des Rohres 1 eingepreßt, wie dies vorher
beschrieben wurde und wie es in Fig. 10 dargestellt ist.
Die Nadel 13 ist an dem Anschlußdraht 7 angeschweißt,
wie in Fig. 11 gezeigt, und gleichzeitig ist ein federnder Draht 15 damit verbunden, der
eine nach unten offene V-Form aufweist. Der Draht 7 wird durch die öffnung 14 von innerhalb
des Rohres eingeführt und hindurchgezogen, wie es in Fig. 12 dargestellt ist. Der Draht 15 hält die
Nadel 3 in der Mitte des Rohres. In diesem Fall ist es nicht nötig, die Nadel oder den Anschlußdraht
an den Stopfen 5 anzulöten oder anzuschweißen. Der Verschlußblock 9 wird dann wie beschrieben
aufgebracht.
Fig. 13 bis 16 zeigen eine Ausführungsform eines
Gleichrichters gemäß der Erfindung, bei elcher die Stopfen, an denen die Nadel und der Kristall
befestigt sind, aus einem Stück weichen Metalls bestehen, anstatt daß sie aus scheibenförmigem
Material ausgepreßt werden. Der Stopfen für den Kristall ist in Fig. 13 dargestellt. Er besteht aus
einem zylindrischen Stopfen 16 aus Blei oder anderem
weichem Metall oder einer Legierung und hat eine zentrale Durchbohrung, in welcher der Anschlußdraht
6 befestigt ist. Vorzugsweise ist der Draht verzinnt und das Blei herumgezogen oder damit
legiert, um eine im wesentlichen gelötete Verbinbung zu erhalten. Der Durchmesser des Stopfens
soll um ein geringes größer sein als der Innendurchmesser des Rohres 1, und er soll ganz schwach
konisch sein, damit er anfänglich leicht in das Rohr eingeführt werden kann. Dann wird er mit
einem passenden Stempel, wie zuvor beschrieben, hineingepreßt. Die Dicke des Stopfens kann z. B.
1,7 mm betragen. Der Stopfen 17 für die Nadel, der in Fig. 14 dargestellt ist, unterscheidet' sich
insofern von dem anderen, als der Anschlußdraht durch den Bleistopfen hindurchgeführt ist und mit
seinem Ende 18 auf der anderen Seite hervorsieht, woran die Nadel 3 angeschweißt werden kann.
Fig. 15 zeigt den Stopfen 17 mit der daran befestigten
Nadel 3. Der Stopfen ist in das Ende des Rohres 1 eingepreßt. Fig. 16 zeigt den fertigen
Gleichrichter mit dem Stopfen 16, welcher den Kristall
trägt und der in das untere Ende des Rohres eingepreßt ist. Der Gleichrichter ist mit den
Zementblöcken 8 und 9 verschlossen, wie dies zuvor beschrieben wurde. Der Kristall 2 kann auf
eine beliebige Weise, wie bereits ausgeführt, an dem Stopfen 16 befestigt sein.
Das Material des Stopfens. 16 und 17 kann auch
aus Blei bestehen, dem Kalzium oder Antimon oder Zinn und Silber zulegiert sind.
Es soll noch bemerkt werden, daß die Dichtungswirkung des weichen Metalls einen guten Abschluß
gegen das Eindringen von Feuchtigkeit darstellt, wenn das Rohr 1 aus einem nicht porösen, glasierten
keramischen Material besteht. Der Abschluß wird weiter verbessert durch die Verwendung des
»Araldit«-Harzes, welches sehr gut sowohl an dem Metall wie - an dem keramischen Material haftet
und eine geringe Feuchtigkeitsaufnahme hat.
Fig. 17 und 18 zeigen eine Abwandlung der Befestigungsmethode
für den Stopfen, welcher die Nadelelektrode trägt. Wie in Fig. ly gezeigt, wird
eine Bleischeibe 19, die etwas kleiner als der Durchmesser der Bohrung im Rohr 1 ist, verwendet,
welche in das Rohr hineingebracht und zwischen zwei Stempeln 20 und 21 gepreßt wird, die vielleicht
einen halben Millimeter im Durchmesser kleiner sind als der Innendurchmesser des Rohres.
Das Blei wird zwischen den Stempeln auseinandergequetscht und dadurch in dem Rohr fixiert. Dann
wird eine kleine zentrale öffnung in den Stopfen gebohrt und ein Zuleitungsdraht mit daran befestigter
Nadelelektrode, ähnlich wie in Fig. 11 dargestellt, durch das Loch geführt, wie dies in
Fig. 18 gezeigt ist.
Fig. 19 und 20 zeigen Abwandlungen der Ausführung nach Fig. 13 und 14, bei welchen der Bleistopfen
aus zwei einzelnen koaxialen Scheiben besteht. Der obere Teil 22 ist etwas größer, der untere
Teil 23 etwas kleiner als der Innendurchmesser des Rohres. Dies erleichtert eine Zentrierung des
Stopfens in dem Rohr, bevor dieser eingepreßt wird.
Eine andere Methode zur Zentrierung -des
Stopfens von der Art, wie er in Fig. 13 und 14 dargestellt ist, wird in Fig. 21 und 22 veranschaulicht.
Die Enden des Rohres 1 sind innen etwas erweitert, wie dies in Fig. 21 bei 24 und 25 zu sehen
ist. Der Durchmesser des Bleistopfens liegt zwischen dem weiteren und dem engeren Innendurchmesser
des Rohres. In Fig. 22 ist der Stopfen dargestellt, nachdem er mittels eines Stempels
eingepreßt wurde, dessen Durchmesser ebenfalls zwischen dem größeren und dem kleineren Innendurchmesser
des Rohres liegt. Das Blei weicht zum Teil nach unten und zum Teil nach außen aufwärts
rund um den Stempel aus. Der Stopfen der den Kristall trägt, kann in das untere Ende des Rohres
in derselben Weise eingepreßt werden. Die Enden werden wieder mit Gießharz dicht verschlossen,
wie dies zuvor beschrieben wurde.
Bei den Kristallgleichrichtern gemäß der Er-
ao findung braucht keiner der Teile mit genauen Abmessungen hergestellt zu werden, und die Gleichrichter
sind leicht zusammenzubauen. Es werden keine Schrauben oder Lötmittel dabei verwendet.
Sie können sehr leicht und klein ausgeführt und in Stromkreise eingelötet werden, ohne besonders darauf
Rücksicht zu nehmen, daß sie kühl gehalten werden müssen.
Es soll noch betont werden, daß die beschriebenen und dargestellten Ausführungsformen nur
Beispiele zur Verdeutlichung des Erfindungsgedankens
darstellen, nicht aber eine Beschränkung desselben bedeuten sollen.
Claims (10)
1. Verfahren zum Herstellen eines Kristallgleichrichters,
bei dem ein Körper aus halbleitendem Material' und eine mit diesem in gleichrichtendem Kontakt stehende Elektrode in
einem Rohr aus isolierendem Material angeordnet und an je einem Metallstopfen befestigt
sind, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallstopfen blatt- oder scheibenförmige Metallteile
verwendet werden, die beim Einbringen in das Isolierrohr oder anschließend verformt werden,
und daß hierbei die Spitzenelektrode in gleichrichtendem Kontakt mit dem halbleitenden
Körper eingestellt wird und daß schließlich die Teile in dieser Stellung fixiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Metallstopfen eine Scheibe aus dünnem blattförmigem Metall benutzt wird,
deren Durchmesser größer ist als der Innendurchmesser des Isolierrohres, und daß die
Scheibe konzentrisch auf das offene Ende des Rohres gelegt und in dieses mittels eines zylindrischen
Stempels hineingepreßt wird, dessen Durchmesser etwas geringer ist als der Innendurchmesser
des beim Preßvorgang entstehenden Napfes.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß als Metallstopfen eine Metallscheibe aus weichem Material benutzt und in das Isolierrohr so eingepreßt wird, daß sie sich
dabei verformt und damit gleichzeitig einen dichten Abschluß des Isolierrohres bewirkt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine zylindrische Scheibe
aus Blei oder einer Bleilegierung benutzt wird, deren Durchmesser mindestens teilweise etwas
größer ist als der Innendurchmesser des Rohres.
5. Verfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine zylindrische Scheibe
aus Blei oder einer Bleilegierung benutzt wird, deren Durchmesser etwas kleiner ist als der
Innendurchmesser des Isolierrohres und daß diese Scheibe zwischen zwei zylindrischen
Stempeln im Innern des Rohres zusammengepreßt wird, deren Durchmesser etwas geringer
sind als der Innendurchmesser des Isolierrohres.
6. Verfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine abgestufte zylindrische
Scheibe aus Blei oder einer Bleilegierung benutzt wird, bei welcher der obere Teil etwas
größer und der untere Teil etwas kleiner als der Innendurchmesser des Isolierrohres ist.
7. Verfahren nachAnspruch 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß für das Einsetzen der abgestuften
Scheibe ein innen nach der offenen Seite hin ringförmig erweitertes Isolierrohr vorgesehen wird und daß die Abstufung des erweiterten
Endes der Abstufung der Metallscheibe angepaßt wird.
8. Verfahren nach Anspruch i, 3 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß Nadelelektrode und
halbleitender Körper an der zugehörigen· Scheibe vor dem Einpressen befestigt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß an dem die Nadelelektrode
tragenden Anschlußdraht ein V-förmig gebogener Draht aus federndem Material zur Zentrierung
der Elektrode innerhalb des Isolierrohres befestigt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch
gekennzeichnet, daß nach dem Einpressen der blatt- oder scheibenförmigen Metallteile die
offenen Enden des Rohres mit thermoplastischem oder wärmehärtendem Material verschlossen
werden.
In Betracht gezogene Druckschriften.:
Britische Patentschriften Nr. 572 511, 635*690;
Zeitschrift »Elektrotechnik«, Bd. 5, Nr. 6, 1949*
Britische Patentschriften Nr. 572 511, 635*690;
Zeitschrift »Elektrotechnik«, Bd. 5, Nr. 6, 1949*
S. 168;
Torrey und1 Whitmer, »Crystal Rectifiers«,
Torrey und1 Whitmer, »Crystal Rectifiers«,
■1948, S. 369.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 609549/3» T. t.58)
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB13657/51A GB716250A (en) | 1951-06-08 | 1951-06-08 | Improvements in or relating to electric semi-conducting devices |
GB19173/53A GB753488A (en) | 1953-07-10 | 1953-07-10 | Improvements in or relating to electrical couplings to semiconductor elements |
US434865A US2928030A (en) | 1954-06-07 | 1954-06-07 | Semiconductor devices |
GB4261/56A GB797822A (en) | 1951-06-08 | 1956-02-10 | Improvements in or relating to semi-conductor junction diodes |
DEST13682A DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
GB23454/58A GB835865A (en) | 1957-05-21 | 1958-07-22 | Improvements in or relating to crystal rectifiers and methods of manufacture thereof |
DE884824X | 1958-09-30 | ||
DEST15123A DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE968077C true DE968077C (de) | 1958-01-16 |
Family
ID=31982807
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) | 1951-06-08 | Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DEI5966A Expired DE968077C (de) | 1951-06-08 | 1952-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern |
DEI8884A Pending DE1060992B (de) | 1951-06-08 | 1954-07-07 | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium |
DEI10229A Pending DE1015934B (de) | 1951-06-08 | 1955-05-20 | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
DEST13682A Pending DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
DEST15123A Pending DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) | 1951-06-08 | Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung |
Family Applications After (4)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEI8884A Pending DE1060992B (de) | 1951-06-08 | 1954-07-07 | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium |
DEI10229A Pending DE1015934B (de) | 1951-06-08 | 1955-05-20 | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
DEST13682A Pending DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
DEST15123A Pending DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2785349A (de) |
BE (4) | BE538791A (de) |
CH (2) | CH342657A (de) |
DE (6) | DE968077C (de) |
FR (4) | FR1066148A (de) |
GB (4) | GB795113A (de) |
LU (1) | LU37433A1 (de) |
NL (3) | NL170157B (de) |
Families Citing this family (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2850707A (en) * | 1954-04-15 | 1958-09-02 | Sylvania Electric Prod | Electromagnetic coils |
NL236678A (de) * | 1958-03-04 | 1900-01-01 | ||
NL101704C (de) * | 1958-07-02 | |||
US2937110A (en) * | 1958-07-17 | 1960-05-17 | Westinghouse Electric Corp | Protective treatment for semiconductor devices |
NL231409A (de) * | 1958-09-16 | 1900-01-01 | ||
DE1275690B (de) * | 1960-10-01 | 1968-08-22 | Telefunken Patent | Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente |
DE1237695B (de) * | 1961-10-24 | 1967-03-30 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement |
DE1229647B (de) * | 1961-12-22 | 1966-12-01 | Walter Brandt G M B H | Verfahren zum Herstellen einer Flaechengleichrichteranordnung |
US3216084A (en) * | 1963-04-10 | 1965-11-09 | Motorola Inc | Semiconductor process control technique |
US3265805A (en) * | 1964-02-03 | 1966-08-09 | Power Components Inc | Semiconductor power device |
DE1514473C3 (de) * | 1965-06-05 | 1981-08-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement |
DE2331106C2 (de) * | 1973-06-19 | 1984-11-22 | Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki, Osaka | Trockenelement |
US3945852A (en) * | 1974-09-06 | 1976-03-23 | P. R. Mallory & Co. Inc. | Current collector for organic electrolyte batteries |
USRE30458E (en) | 1977-12-30 | 1980-12-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Dry cells |
US4574330A (en) * | 1982-12-20 | 1986-03-04 | Burr-Brown Corporation | Heat sink for dissipating heat generated by electronic displays |
DE3421672A1 (de) * | 1984-06-09 | 1985-12-12 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement |
DE10128970A1 (de) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Fortu Bat Batterien Gmbh | Bei Normaltemperatur betreibbare, wiederaufladbare Batteriezelle |
JP2010165721A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池モジュール |
CN109513352B (zh) * | 2019-01-10 | 2024-07-30 | 广东中烟工业有限责任公司 | 一种用于异味处理系统光化学管的防水装置 |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB572511A (en) * | 1941-11-05 | 1945-10-11 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in electric rectifiers |
GB635690A (en) * | 1946-07-31 | 1950-04-12 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in and relating to crystal rectifiers |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US756676A (en) * | 1902-11-10 | 1904-04-05 | Internat Wireless Telegraph Company | Wave-responsive device. |
US1058210A (en) * | 1910-12-30 | 1913-04-08 | Allie Ray Welch | Method of finishing castings. |
US1704228A (en) * | 1928-01-30 | 1929-03-05 | Packard Motor Car Co | Fastening device |
US1890312A (en) * | 1931-03-30 | 1932-12-06 | Tung Sol Condensers Inc | Condenser |
DE710631C (de) * | 1938-08-06 | 1941-09-18 | Versuchsanstalt Fuer Luftfahrt | Empfangsvorrichtung fuer elektrische Wellen |
DE891404C (de) * | 1941-05-27 | 1953-09-28 | Pertrix Union G M B H | Galvanisches Element, insbesondere mit Luftdepolarisation |
US2503837A (en) * | 1945-07-27 | 1950-04-11 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical translating device |
FR965189A (de) * | 1946-10-10 | 1950-09-05 | ||
US2635199A (en) * | 1948-01-08 | 1953-04-14 | John M Wolfskill | Piezoelectric crystal apparatus |
US2513870A (en) * | 1948-01-23 | 1950-07-04 | Reeves Hoffman Corp | Hermetically sealed crystal |
US2615965A (en) * | 1948-07-24 | 1952-10-28 | Sylvania Electric Prod | Crystal amplifier device |
US2626985A (en) * | 1948-08-25 | 1953-01-27 | Sylvania Electric Prod | Electrical crystal unit |
BE491276A (de) * | 1948-11-05 | |||
US2631115A (en) * | 1949-08-06 | 1953-03-10 | Manganese Battery Corp | Electrodes for electrochemical cells |
US2595475A (en) * | 1949-12-23 | 1952-05-06 | Rca Corp | Electrode support for semiconductor devices |
BE500203A (de) * | 1949-12-23 | |||
US2639392A (en) * | 1949-12-30 | 1953-05-19 | Bell Telephone Labor Inc | Masking device for crystals |
US2622133A (en) * | 1950-05-01 | 1952-12-16 | Sprague Electric Co | Sealed electrical circuit components |
US2651745A (en) * | 1951-02-08 | 1953-09-08 | Int Standard Electric Corp | Dry rectifier assembly |
NL204333A (de) * | 1954-01-14 | 1900-01-01 | ||
US2751528A (en) * | 1954-12-01 | 1956-06-19 | Gen Electric | Rectifier cell mounting |
GB785467A (en) * | 1954-12-23 | 1957-10-30 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices |
NL203528A (de) * | 1955-03-24 | |||
NL207356A (de) * | 1955-05-23 |
-
0
- NL NL86185D patent/NL86185C/xx active
- BE BE554903D patent/BE554903A/xx unknown
- LU LU37433D patent/LU37433A1/xx unknown
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- DE DENDAT1069726D patent/DE1069726B/de active Pending
- NL NL238107D patent/NL238107A/xx unknown
- NL NLAANVRAGE7703161,A patent/NL170157B/xx unknown
- BE BE530249D patent/BE530249A/xx unknown
- BE BE538791D patent/BE538791A/xx unknown
-
1952
- 1952-06-06 FR FR1066148D patent/FR1066148A/fr not_active Expired
- 1952-06-07 US US292304A patent/US2785349A/en not_active Expired - Lifetime
- 1952-06-08 DE DEI5966A patent/DE968077C/de not_active Expired
-
1954
- 1954-07-06 FR FR66909D patent/FR66909E/fr not_active Expired
- 1954-07-07 DE DEI8884A patent/DE1060992B/de active Pending
-
1955
- 1955-05-20 DE DEI10229A patent/DE1015934B/de active Pending
- 1955-06-03 GB GB15973/55A patent/GB795113A/en not_active Expired
- 1955-06-06 FR FR69762D patent/FR69762E/fr not_active Expired
- 1955-06-07 CH CH342657D patent/CH342657A/de unknown
-
1957
- 1957-02-08 FR FR71643D patent/FR71643E/fr not_active Expired
-
1958
- 1958-04-23 DE DEST13682A patent/DE1098102B/de active Pending
-
1959
- 1959-04-17 GB GB13142/59A patent/GB914592A/en not_active Expired
- 1959-05-13 DE DEST15123A patent/DE1255823B/de active Pending
- 1959-07-23 GB GB25349/59A patent/GB884824A/en not_active Expired
-
1960
- 1960-05-06 GB GB16156/60A patent/GB877644A/en not_active Expired
- 1960-05-12 CH CH543660A patent/CH384722A/de unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
GB572511A (en) * | 1941-11-05 | 1945-10-11 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in electric rectifiers |
GB635690A (en) * | 1946-07-31 | 1950-04-12 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in and relating to crystal rectifiers |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
FR71643E (fr) | 1960-01-13 |
FR1066148A (fr) | 1954-06-02 |
CH342657A (de) | 1959-11-30 |
GB795113A (en) | 1958-05-14 |
LU37433A1 (de) | 1900-01-01 |
BE530249A (de) | 1900-01-01 |
NL86185C (de) | 1900-01-01 |
DE1060992B (de) | 1959-07-09 |
DE1098102B (de) | 1961-01-26 |
CH384722A (de) | 1965-02-26 |
DE1069726B (de) | 1959-11-26 |
BE512559A (de) | 1900-01-01 |
DE1255823B (de) | 1967-12-07 |
GB914592A (en) | 1963-01-02 |
NL170157B (nl) | 1900-01-01 |
FR66909E (fr) | 1957-10-31 |
FR69762E (fr) | 1958-12-30 |
DE1015934B (de) | 1957-09-19 |
BE538791A (de) | 1900-01-01 |
NL238107A (de) | 1900-01-01 |
GB877644A (en) | 1961-09-20 |
BE554903A (de) | 1900-01-01 |
US2785349A (en) | 1957-03-12 |
GB884824A (en) | 1961-12-20 |
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