DE968077C - Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern - Google Patents

Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern

Info

Publication number
DE968077C
DE968077C DEI5966A DEI0005966A DE968077C DE 968077 C DE968077 C DE 968077C DE I5966 A DEI5966 A DE I5966A DE I0005966 A DEI0005966 A DE I0005966A DE 968077 C DE968077 C DE 968077C
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
tube
insulating tube
metal
disc
diameter
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DEI5966A
Other languages
English (en)
Inventor
Stanley Carden Shepard
Henry Wolfson
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
International Standard Electric Corp
Original Assignee
International Standard Electric Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GB13657/51A external-priority patent/GB716250A/en
Application filed by International Standard Electric Corp filed Critical International Standard Electric Corp
Priority claimed from GB19173/53A external-priority patent/GB753488A/en
Priority claimed from US434865A external-priority patent/US2928030A/en
Priority claimed from GB4261/56A external-priority patent/GB797822A/en
Application granted granted Critical
Publication of DE968077C publication Critical patent/DE968077C/de
Priority claimed from GB23454/58A external-priority patent/GB835865A/en
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B05—SPRAYING OR ATOMISING IN GENERAL; APPLYING FLUENT MATERIALS TO SURFACES, IN GENERAL
    • B05B—SPRAYING APPARATUS; ATOMISING APPARATUS; NOZZLES
    • B05B1/00—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means
    • B05B1/26—Nozzles, spray heads or other outlets, with or without auxiliary devices such as valves, heating means with means for mechanically breaking-up or deflecting the jet after discharge, e.g. with fixed deflectors; Breaking-up the discharged liquid or other fluent material by impinging jets
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B65—CONVEYING; PACKING; STORING; HANDLING THIN OR FILAMENTARY MATERIAL
    • B65D—CONTAINERS FOR STORAGE OR TRANSPORT OF ARTICLES OR MATERIALS, e.g. BAGS, BARRELS, BOTTLES, BOXES, CANS, CARTONS, CRATES, DRUMS, JARS, TANKS, HOPPERS, FORWARDING CONTAINERS; ACCESSORIES, CLOSURES, OR FITTINGS THEREFOR; PACKAGING ELEMENTS; PACKAGES
    • B65D81/00—Containers, packaging elements, or packages, for contents presenting particular transport or storage problems, or adapted to be used for non-packaging purposes after removal of contents
    • B65D81/24—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants
    • B65D81/26—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants with provision for draining away, or absorbing, or removing by ventilation, fluids, e.g. exuded by contents; Applications of corrosion inhibitors or desiccators
    • B65D81/266—Adaptations for preventing deterioration or decay of contents; Applications to the container or packaging material of food preservatives, fungicides, pesticides or animal repellants with provision for draining away, or absorbing, or removing by ventilation, fluids, e.g. exuded by contents; Applications of corrosion inhibitors or desiccators for absorbing gases, e.g. oxygen absorbers or desiccants
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
    • H01J5/20—Seals between parts of vessels
    • H01J5/22—Vacuum-tight joints between parts of vessel
    • H01J5/28—Vacuum-tight joints between parts of vessel between conductive parts of vessel
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/045—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads having an insulating passage through the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
    • H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/36—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids
    • H01M4/48—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides
    • H01M4/50—Selection of substances as active materials, active masses, active liquids of inorganic oxides or hydroxides of manganese
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M4/00—Electrodes
    • H01M4/02—Electrodes composed of, or comprising, active material
    • H01M4/64—Carriers or collectors
    • H01M4/66—Selection of materials
    • H01M4/661—Metal or alloys, e.g. alloy coatings
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/04—Cells with aqueous electrolyte
    • H01M6/045—Cells with aqueous electrolyte characterised by aqueous electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/04—Cells with aqueous electrolyte
    • H01M6/06—Dry cells, i.e. cells wherein the electrolyte is rendered non-fluid
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01M—PROCESSES OR MEANS, e.g. BATTERIES, FOR THE DIRECT CONVERSION OF CHEMICAL ENERGY INTO ELECTRICAL ENERGY
    • H01M6/00—Primary cells; Manufacture thereof
    • H01M6/04—Cells with aqueous electrolyte
    • H01M6/06—Dry cells, i.e. cells wherein the electrolyte is rendered non-fluid
    • H01M6/10—Dry cells, i.e. cells wherein the electrolyte is rendered non-fluid with wound or folded electrodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J2893/00—Discharge tubes and lamps
    • H01J2893/0033—Vacuum connection techniques applicable to discharge tubes and lamps
    • H01J2893/0037—Solid sealing members other than lamp bases
    • H01J2893/0044—Direct connection between two metal elements, in particular via material a connecting material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4018—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by the type of device to be heated or cooled
    • H01L2023/4031—Packaged discrete devices, e.g. to-3 housings, diodes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/40—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs
    • H01L23/4006—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws
    • H01L2023/4037—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink
    • H01L2023/405—Mountings or securing means for detachable cooling or heating arrangements ; fixed by friction, plugs or springs with bolts or screws characterised by thermal path or place of attachment of heatsink heatsink to package
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/4501—Shape
    • H01L2224/45012—Cross-sectional shape
    • H01L2224/45015—Cross-sectional shape being circular
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45139—Silver (Ag) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45155—Nickel (Ni) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45163—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than 1550°C
    • H01L2224/45184—Tungsten (W) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45565—Single coating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/456—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45638—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45647—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00011—Not relevant to the scope of the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01011—Sodium [Na]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01027—Cobalt [Co]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01031—Gallium [Ga]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01037—Rubidium [Rb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0105—Tin [Sn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01051—Antimony [Sb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01055—Cesium [Cs]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01073—Tantalum [Ta]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/0132—Binary Alloys
    • H01L2924/01327—Intermediate phases, i.e. intermetallics compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/095—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00 with a principal constituent of the material being a combination of two or more materials provided in the groups H01L2924/013 - H01L2924/0715
    • H01L2924/097—Glass-ceramics, e.g. devitrified glass
    • H01L2924/09701—Low temperature co-fired ceramic [LTCC]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10252—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/102—Material of the semiconductor or solid state bodies
    • H01L2924/1025—Semiconducting materials
    • H01L2924/10251—Elemental semiconductors, i.e. Group IV
    • H01L2924/10253—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19041—Component type being a capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/1901—Structure
    • H01L2924/1904—Component type
    • H01L2924/19042—Component type being an inductor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Food Science & Technology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Electrical Apparatus (AREA)
  • Thermistors And Varistors (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Primary Cells (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)
  • Connections By Means Of Piercing Elements, Nuts, Or Screws (AREA)
  • Drying Of Solid Materials (AREA)
  • Solid-Sorbent Or Filter-Aiding Compositions (AREA)
  • Organic Insulating Materials (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Lubricants (AREA)

Description

AUSGEGEBEN AM 16. JANUAE 1958
15966 VIII c 121g
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Kristallgleichrichtern unter Verwendung halbleitender Stoffe, wie z. B. Germanium.
Bei den bisher bekannten Ausführungsformen für Kristallgleichrichter werden meistens Teile verwendet, bei denen die Abmessungen sehr genau eingehalten werden müssen. Dadurch wird die Herstellung solcher Kristallgleichrichter sehr verteuert. Außerdem sind die bisher bekannten Kristallgleichrichter empfindlich gegen Erwärmung, so daß sie beim Einlöten in elektrische Stromkreise gekühlt werden müssen.
Es ist .auch schon eine Ausführungsform bekannt, bei der die Nadelelektrode an einer durch Verformung eines blattförmigen Metallteiles entstandenen napfförmigen Kappe befestigt ist, die ihrerseits in dem für den Gleichrichter bestimmten rohrförmigen Gehäuse eingeklemmt ist, während der Halbleiterkörper über einen Haltedraht starr mit dem Gehäuse verbunden ist.
Das Verfahren nach der Erfindung zielt darauf ab, die Konstruktion von solchen Gleichrichtern zu vereinfachen und zu verbilligen.
Dies wird erfindungsgemäß dadurch erreicht, daß Spitzenelektrode und/oder Halbleiterkörper an blatt- oder scheibenförmigen Metallteilen befestigt werden, die beim Einbringen in das aus einem Isolierrohr bestehende Gehäuse oder nach dem Einbringen verformt -werden, und daß hierbei die
709 851/25
Spitzenelektrode in gleichrichtendem Kontakt mit dem halbleitenden Körper eingestellt wird und die Teile in dieser Stellung fixiert werden.
Gegenüber der bekannten Konstruktion besitzt das Verfahren nach der Erfindung den Vorteil, daß verschiedene Verfahrensschritte, die bisher vorgenommen werden mußten, eingespart werden. Dies wirkt sich vor allem bei der industriellen Serienfertigung günstig aus.
ίο Die Erfindung soll an Hand der Zeichnungen näher erläutert werden.
Fig. ι stellt einen Aufriß eines Kristallgleichrichters dar, der gemäß der vorliegenden Erfindung aufgebaut ist;
Fig. 2 bis 7 zeigen Einzelheiten des Herstellungsprozesses dieses Gleichrichters;
Fig. 8 zeigt eine Draufsicht auf einen vollständigen Gleichrichter;
Fig. 9 bis 12 zeigen Einzelheiten von anderen Ausführungsformen des Gleichrichters gemäß der Erfindung;
Fig. 13 bis 16 zeigen Einzelheiten einer anderen
Form des Gleichrichters gemäß der Erfindung, bei welchem die Stopfen, an denen die Elektroden montiert sind, aus vollen Metallstücken bestehen, anstatt daß sie aus Metallblech ausgepreßt sind;
Fig. 17 und 18 zeigen Einzelheiten der abgeänderten Form mit den Vollmetallstopfen; Fig. 19 und 20 zeigen Abwandlungen von Fig. 13 und 14;
Fig. 21 und 22 zeigen Einzelheiten einer anderen Ausführungsform des Gleichrichters mit Vollmetallstopfen.
Fig. ι zeigt einen Aufriß eines Gleichrichters gemäß der Erfindung, bei welchem die gleichrichtenden Elemente in ein zylindrisches Rohr 1 aus Keramik oder anderem geeignetem Isoliermaterial eingeschlossen sind, dessen äußerer Durchmesser z. B. 6 mm betragen kann. Der Kristall 2, welcher vorzugsweise aus Germanium besteht, und die Nadelelektrode 3 sind an Metallblechen von Napfform befestigt, welche mit 4 und S bezeichnet sind und welche an entgegengesetzten Enden in das Rohr ι hineingepreßt wurden, so daß sie fest darin sitzen. Die zugehörigen Anschluß leiter 6 und 7 sind an den Stopfen 4 und 5 befestigt, und die Enden des Rohres sind durch Blöcke 8 und 9 aus geeignetem, wärmehärtendem Zement dicht verschlosssen. Es kann z. B. ein Zement aus gelbem Bleioxyd und Glyzerin verwendet werden. Um die Anschlüsse des Gleichrichters zu kennzeichnen, können die Zementblöcke verschieden gefärbt sein. So kann z. B. der Block 8 rot sein und der Block 9 weiß.
Die Stopfen 4 und 5 können aus flachen Scheiben 10 aus Nickel oder anderem geeignetem Metall geformt werden, wie z. B. dies in Fig. 2 gezeigt ist. Diese Scheibe kann z. B. V1O 131Hi dick sein und soll etwas größer im Durchmesser sein als die Bohrung des Rohres. So kann z. B. der Durchmesser der Scheibe 5 mm betragen.· Sie kann mit einem Ansatz 11 versehen sein, ,an welchem der zugehörige Anschlußleiter 6 oder 7 (Fig. 1) durch Schweißen oder Löten befestigt wird. Es können auch andere Metalle für die Scheibe 10 verwendet werden, wie z. B. Kupfer, Eisen, Messing oder Silber.
Wie in Fig. 3 gezeigt, kann die Nadel 3 aus einem scharf zugespitzten Wolframdraht bestehen, der in die übliche S-Form gebogen ist und angeschweißt oder anderweitig im Mittelpunkt der Scheibe 10 befestigt ist. Verschiedene andere Metalle und Legierungen können für die Nadelelektrode verwendet werden. Die Anordnung ist konzentrisch am Ende des Rohres 1 angeordnet. -Ein zylindrischer Stempel drückt dann auf den mittleren Teil der Scheibe 1, die dabei in das Rohr hineingepreßt wird und einen napfförmigen Stopfen bildet, wie dies in Fig. 4 dargestellt ist. Das Blech des Stopfens 5 ist so ausgestanzt, daß es einen Ansatz 11 hat. Der Durchmesser des Stempels ist vorzugsweise um einige hundertstel Millimeter kleiner als der Innendurchmesser des so geformten Napfes, damit ein Zerbrechen des Rohres 1 vermieden wird und der Stempel leicht wieder herausgezogen werden kann.
Der Anschluß draht 7 wird an dem Ansatz 11 angeschweißt oder auf eine andere Weise daran befestigt, wie dies in Fig., 5 dargestellt ist. Dieser Anschlußdraht besteht vor-zugsweise aus kupfer- go plattiertem Eisen oder aus einer Kupfer-Eisen-Nickel-Legierung, aber es können auch andere Stoffe, wie z. B. reines Kupfer oder Nickel, verwendet werden. Der Draht 7 wird vorzugsweise koaxial in dem Rohr 1 angeordnet.
Der Zementblock 9 wird vorzugsweise aus einem Gießharz-Klebemittel hergestellt, wie es unter der geschützten Bezeichnung »Araldit« bekannt ist. Es können jedoch auch andere wärmehärtende oder thermoplastische Stoffe oder andere Arten von Zement benutzt werden. Die Anordnung 1 wird auf eine Temperatur von ungefähr 2500 C erhitzt, z. B. indem man das Rohr 1 auf eine erhitzte Platte stellt. Das Gießharz wird in Form eines dünnen Stabes benutzt und damit das obere Ende des Rohres 1 berührt, bis eine genügende Menge geschmolzen ist, welche den Stopfen 5 füllt und das Ende des Rohres bedeckt. Das Harz polymerisiert und härtet in ungefähr 10 Minuten, wobei sich der Stopfen und das Rohr fest miteinander verbinden und das Ende dicht verschlossen wird. Das Harz kann auch als Pulver angewendet werden oder in Form einer kleinen Scheibe mit einer zentralen öffnung, die gerade die Größe hat, um den Block 9 zu bilden und die auf den Draht 7 aufgesteckt wird.
Wie in Fig. 6 gezeigt, wird der Kristall 2 an einer zweiten Scheibe in ähnlicher Weise befestigt, wie dies in Fig. 2 dargestellt ist, z. B. durch Anlöten oder mittels eines passenden leitenden Stoffes, wie es mit 12 angedeutet ist. Vorzugsweise verwendet man einen leitenden Zement. Die Scheibe, die den Kristall 2 trägt, wird dann in das offene Ende des Rohres 1 hineingepreßt, wie dies in Fig. 7 gezeigt ist, und zwar mittels eines Stempels, wie dies vorher beschrieben wurde. Sie
wird vorsichtig so weit hineingedrückt, daß gerade zwischen der Nadelelektrode 3 und dem Kristall 2 der Kontakt hergestellt ist. Der Stopfen 4 wird nun ungefähr 0,07 mm weiter vorgeschoben, um einen genügenden Kontaktdruck herzustellen, der eine mechanische Stabilität des Kontaktes gewährleistet.
Der Anschlußdraht 6 (in Fig. 7 nicht dargestellt) wird dann an dem Ansatz 11 befestigt, und der Stopfen4 wird mit dem Gießharz verschlossen, wie es bezüglich Fig. 5 beschrieben wurde. Der fertige Gleichrichter ist in Fig. 8 dargestellt. Um wieder das Rohr 1 zu erwärmen, kann es in eine öffnung in einem dicken Metallblock eingesetzt werden, welcher auf einer heißen Platte liegt.
Der Zement, der für das die Nadelelektrode enthaltende Ende des Rohres 1 verwendet wird, besteht vorzugsweise aus einer Mischung von 50 P/o Araldit-Gießharz und 50% Tonerde oder einem anderen weißen Pulver oder Farbstoff, so daß sich nach der Polymerisation ein weißer Block bildet. Es kann aber auch ungefülltes »Araldit«-Harz oder ein anderes Klebemittel benutzt werden. Der Block an dem Kristallende kann aus einem mit
as Tonerde gefüllten Harz gebildet werden, dem ein Farbstoff oder Pigment von z. B. roter oder einer anderen gut zu unterscheidenden Farbe zugesetzt wird.
Der Gleichrichter wird vorzugsweise einer weiteren Wärmebehandlung in einem Ofen bei einer Temperatur von 1359C für 24 Stunden ausgesetzt, um den Verschluß bei den Stopfen 8 und 9 endgültig auszuhärten.
Fig. 9 bis 12 zeigen eine andere Methode, um die Nadel und den Anschlußdraht an dem zugehörigen Stopfen zu befestigen. Wie in Fig. 9 und 10 dargestellt ist, wird der Stopfen 5 aus einer flachen .Scheibe 13 mit einer zentralen öffnung an Stelle des Ansatzes gebildet. Die Scheibe wird in das Ende des Rohres 1 eingepreßt, wie dies vorher beschrieben wurde und wie es in Fig. 10 dargestellt ist.
Die Nadel 13 ist an dem Anschlußdraht 7 angeschweißt, wie in Fig. 11 gezeigt, und gleichzeitig ist ein federnder Draht 15 damit verbunden, der eine nach unten offene V-Form aufweist. Der Draht 7 wird durch die öffnung 14 von innerhalb des Rohres eingeführt und hindurchgezogen, wie es in Fig. 12 dargestellt ist. Der Draht 15 hält die Nadel 3 in der Mitte des Rohres. In diesem Fall ist es nicht nötig, die Nadel oder den Anschlußdraht an den Stopfen 5 anzulöten oder anzuschweißen. Der Verschlußblock 9 wird dann wie beschrieben aufgebracht.
Fig. 13 bis 16 zeigen eine Ausführungsform eines Gleichrichters gemäß der Erfindung, bei elcher die Stopfen, an denen die Nadel und der Kristall befestigt sind, aus einem Stück weichen Metalls bestehen, anstatt daß sie aus scheibenförmigem Material ausgepreßt werden. Der Stopfen für den Kristall ist in Fig. 13 dargestellt. Er besteht aus einem zylindrischen Stopfen 16 aus Blei oder anderem weichem Metall oder einer Legierung und hat eine zentrale Durchbohrung, in welcher der Anschlußdraht 6 befestigt ist. Vorzugsweise ist der Draht verzinnt und das Blei herumgezogen oder damit legiert, um eine im wesentlichen gelötete Verbinbung zu erhalten. Der Durchmesser des Stopfens soll um ein geringes größer sein als der Innendurchmesser des Rohres 1, und er soll ganz schwach konisch sein, damit er anfänglich leicht in das Rohr eingeführt werden kann. Dann wird er mit einem passenden Stempel, wie zuvor beschrieben, hineingepreßt. Die Dicke des Stopfens kann z. B. 1,7 mm betragen. Der Stopfen 17 für die Nadel, der in Fig. 14 dargestellt ist, unterscheidet' sich insofern von dem anderen, als der Anschlußdraht durch den Bleistopfen hindurchgeführt ist und mit seinem Ende 18 auf der anderen Seite hervorsieht, woran die Nadel 3 angeschweißt werden kann.
Fig. 15 zeigt den Stopfen 17 mit der daran befestigten Nadel 3. Der Stopfen ist in das Ende des Rohres 1 eingepreßt. Fig. 16 zeigt den fertigen Gleichrichter mit dem Stopfen 16, welcher den Kristall trägt und der in das untere Ende des Rohres eingepreßt ist. Der Gleichrichter ist mit den Zementblöcken 8 und 9 verschlossen, wie dies zuvor beschrieben wurde. Der Kristall 2 kann auf eine beliebige Weise, wie bereits ausgeführt, an dem Stopfen 16 befestigt sein.
Das Material des Stopfens. 16 und 17 kann auch aus Blei bestehen, dem Kalzium oder Antimon oder Zinn und Silber zulegiert sind.
Es soll noch bemerkt werden, daß die Dichtungswirkung des weichen Metalls einen guten Abschluß gegen das Eindringen von Feuchtigkeit darstellt, wenn das Rohr 1 aus einem nicht porösen, glasierten keramischen Material besteht. Der Abschluß wird weiter verbessert durch die Verwendung des »Araldit«-Harzes, welches sehr gut sowohl an dem Metall wie - an dem keramischen Material haftet und eine geringe Feuchtigkeitsaufnahme hat.
Fig. 17 und 18 zeigen eine Abwandlung der Befestigungsmethode für den Stopfen, welcher die Nadelelektrode trägt. Wie in Fig. ly gezeigt, wird eine Bleischeibe 19, die etwas kleiner als der Durchmesser der Bohrung im Rohr 1 ist, verwendet, welche in das Rohr hineingebracht und zwischen zwei Stempeln 20 und 21 gepreßt wird, die vielleicht einen halben Millimeter im Durchmesser kleiner sind als der Innendurchmesser des Rohres. Das Blei wird zwischen den Stempeln auseinandergequetscht und dadurch in dem Rohr fixiert. Dann wird eine kleine zentrale öffnung in den Stopfen gebohrt und ein Zuleitungsdraht mit daran befestigter Nadelelektrode, ähnlich wie in Fig. 11 dargestellt, durch das Loch geführt, wie dies in Fig. 18 gezeigt ist.
Fig. 19 und 20 zeigen Abwandlungen der Ausführung nach Fig. 13 und 14, bei welchen der Bleistopfen aus zwei einzelnen koaxialen Scheiben besteht. Der obere Teil 22 ist etwas größer, der untere Teil 23 etwas kleiner als der Innendurchmesser des Rohres. Dies erleichtert eine Zentrierung des Stopfens in dem Rohr, bevor dieser eingepreßt wird.
Eine andere Methode zur Zentrierung -des Stopfens von der Art, wie er in Fig. 13 und 14 dargestellt ist, wird in Fig. 21 und 22 veranschaulicht. Die Enden des Rohres 1 sind innen etwas erweitert, wie dies in Fig. 21 bei 24 und 25 zu sehen ist. Der Durchmesser des Bleistopfens liegt zwischen dem weiteren und dem engeren Innendurchmesser des Rohres. In Fig. 22 ist der Stopfen dargestellt, nachdem er mittels eines Stempels
eingepreßt wurde, dessen Durchmesser ebenfalls zwischen dem größeren und dem kleineren Innendurchmesser des Rohres liegt. Das Blei weicht zum Teil nach unten und zum Teil nach außen aufwärts rund um den Stempel aus. Der Stopfen der den Kristall trägt, kann in das untere Ende des Rohres in derselben Weise eingepreßt werden. Die Enden werden wieder mit Gießharz dicht verschlossen, wie dies zuvor beschrieben wurde.
Bei den Kristallgleichrichtern gemäß der Er-
ao findung braucht keiner der Teile mit genauen Abmessungen hergestellt zu werden, und die Gleichrichter sind leicht zusammenzubauen. Es werden keine Schrauben oder Lötmittel dabei verwendet. Sie können sehr leicht und klein ausgeführt und in Stromkreise eingelötet werden, ohne besonders darauf Rücksicht zu nehmen, daß sie kühl gehalten werden müssen.
Es soll noch betont werden, daß die beschriebenen und dargestellten Ausführungsformen nur Beispiele zur Verdeutlichung des Erfindungsgedankens darstellen, nicht aber eine Beschränkung desselben bedeuten sollen.

Claims (10)

PATENTANSPRÜCHE:
1. Verfahren zum Herstellen eines Kristallgleichrichters, bei dem ein Körper aus halbleitendem Material' und eine mit diesem in gleichrichtendem Kontakt stehende Elektrode in einem Rohr aus isolierendem Material angeordnet und an je einem Metallstopfen befestigt sind, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallstopfen blatt- oder scheibenförmige Metallteile verwendet werden, die beim Einbringen in das Isolierrohr oder anschließend verformt werden, und daß hierbei die Spitzenelektrode in gleichrichtendem Kontakt mit dem halbleitenden Körper eingestellt wird und daß schließlich die Teile in dieser Stellung fixiert werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallstopfen eine Scheibe aus dünnem blattförmigem Metall benutzt wird, deren Durchmesser größer ist als der Innendurchmesser des Isolierrohres, und daß die Scheibe konzentrisch auf das offene Ende des Rohres gelegt und in dieses mittels eines zylindrischen Stempels hineingepreßt wird, dessen Durchmesser etwas geringer ist als der Innendurchmesser des beim Preßvorgang entstehenden Napfes.
3. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß als Metallstopfen eine Metallscheibe aus weichem Material benutzt und in das Isolierrohr so eingepreßt wird, daß sie sich dabei verformt und damit gleichzeitig einen dichten Abschluß des Isolierrohres bewirkt.
4. Verfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine zylindrische Scheibe aus Blei oder einer Bleilegierung benutzt wird, deren Durchmesser mindestens teilweise etwas größer ist als der Innendurchmesser des Rohres.
5. Verfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine zylindrische Scheibe aus Blei oder einer Bleilegierung benutzt wird, deren Durchmesser etwas kleiner ist als der Innendurchmesser des Isolierrohres und daß diese Scheibe zwischen zwei zylindrischen Stempeln im Innern des Rohres zusammengepreßt wird, deren Durchmesser etwas geringer sind als der Innendurchmesser des Isolierrohres.
6. Verfahren nach Anspruch 1 und 3, dadurch gekennzeichnet, daß eine abgestufte zylindrische Scheibe aus Blei oder einer Bleilegierung benutzt wird, bei welcher der obere Teil etwas größer und der untere Teil etwas kleiner als der Innendurchmesser des Isolierrohres ist.
7. Verfahren nachAnspruch 1 und 6, dadurch gekennzeichnet, daß für das Einsetzen der abgestuften Scheibe ein innen nach der offenen Seite hin ringförmig erweitertes Isolierrohr vorgesehen wird und daß die Abstufung des erweiterten Endes der Abstufung der Metallscheibe angepaßt wird.
8. Verfahren nach Anspruch i, 3 und 7, dadurch gekennzeichnet, daß Nadelelektrode und halbleitender Körper an der zugehörigen· Scheibe vor dem Einpressen befestigt werden.
9. Verfahren nach Anspruch 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß an dem die Nadelelektrode tragenden Anschlußdraht ein V-förmig gebogener Draht aus federndem Material zur Zentrierung der Elektrode innerhalb des Isolierrohres befestigt wird.
10. Verfahren nach Anspruch 1 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß nach dem Einpressen der blatt- oder scheibenförmigen Metallteile die offenen Enden des Rohres mit thermoplastischem oder wärmehärtendem Material verschlossen werden.
In Betracht gezogene Druckschriften.:
Britische Patentschriften Nr. 572 511, 635*690;
Zeitschrift »Elektrotechnik«, Bd. 5, Nr. 6, 1949*
S. 168;
Torrey und1 Whitmer, »Crystal Rectifiers«,
■1948, S. 369.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
© 609549/3» T. t.58)
DEI5966A 1951-06-08 1952-06-08 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern Expired DE968077C (de)

Applications Claiming Priority (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB13657/51A GB716250A (en) 1951-06-08 1951-06-08 Improvements in or relating to electric semi-conducting devices
GB19173/53A GB753488A (en) 1953-07-10 1953-07-10 Improvements in or relating to electrical couplings to semiconductor elements
US434865A US2928030A (en) 1954-06-07 1954-06-07 Semiconductor devices
GB4261/56A GB797822A (en) 1951-06-08 1956-02-10 Improvements in or relating to semi-conductor junction diodes
DEST13682A DE1098102B (de) 1951-06-08 1958-04-23 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung
GB23454/58A GB835865A (en) 1957-05-21 1958-07-22 Improvements in or relating to crystal rectifiers and methods of manufacture thereof
DE884824X 1958-09-30
DEST15123A DE1255823B (de) 1951-06-08 1959-05-13 Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE968077C true DE968077C (de) 1958-01-16

Family

ID=31982807

Family Applications (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) 1951-06-08 Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung
DEI5966A Expired DE968077C (de) 1951-06-08 1952-06-08 Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern
DEI8884A Pending DE1060992B (de) 1951-06-08 1954-07-07 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium
DEI10229A Pending DE1015934B (de) 1951-06-08 1955-05-20 Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel
DEST13682A Pending DE1098102B (de) 1951-06-08 1958-04-23 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung
DEST15123A Pending DE1255823B (de) 1951-06-08 1959-05-13 Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) 1951-06-08 Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung

Family Applications After (4)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEI8884A Pending DE1060992B (de) 1951-06-08 1954-07-07 Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium
DEI10229A Pending DE1015934B (de) 1951-06-08 1955-05-20 Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel
DEST13682A Pending DE1098102B (de) 1951-06-08 1958-04-23 Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung
DEST15123A Pending DE1255823B (de) 1951-06-08 1959-05-13 Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren

Country Status (8)

Country Link
US (1) US2785349A (de)
BE (4) BE538791A (de)
CH (2) CH342657A (de)
DE (6) DE968077C (de)
FR (4) FR1066148A (de)
GB (4) GB795113A (de)
LU (1) LU37433A1 (de)
NL (3) NL170157B (de)

Families Citing this family (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2850707A (en) * 1954-04-15 1958-09-02 Sylvania Electric Prod Electromagnetic coils
NL236678A (de) * 1958-03-04 1900-01-01
NL101704C (de) * 1958-07-02
US2937110A (en) * 1958-07-17 1960-05-17 Westinghouse Electric Corp Protective treatment for semiconductor devices
NL231409A (de) * 1958-09-16 1900-01-01
DE1275690B (de) * 1960-10-01 1968-08-22 Telefunken Patent Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente
DE1237695B (de) * 1961-10-24 1967-03-30 Siemens Ag Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement
DE1229647B (de) * 1961-12-22 1966-12-01 Walter Brandt G M B H Verfahren zum Herstellen einer Flaechengleichrichteranordnung
US3216084A (en) * 1963-04-10 1965-11-09 Motorola Inc Semiconductor process control technique
US3265805A (en) * 1964-02-03 1966-08-09 Power Components Inc Semiconductor power device
DE1514473C3 (de) * 1965-06-05 1981-08-20 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Halbleiterbauelement
DE2331106C2 (de) * 1973-06-19 1984-11-22 Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki, Osaka Trockenelement
US3945852A (en) * 1974-09-06 1976-03-23 P. R. Mallory & Co. Inc. Current collector for organic electrolyte batteries
USRE30458E (en) 1977-12-30 1980-12-23 Hitachi Maxell, Ltd. Dry cells
US4574330A (en) * 1982-12-20 1986-03-04 Burr-Brown Corporation Heat sink for dissipating heat generated by electronic displays
DE3421672A1 (de) * 1984-06-09 1985-12-12 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement
DE10128970A1 (de) * 2001-06-15 2002-12-19 Fortu Bat Batterien Gmbh Bei Normaltemperatur betreibbare, wiederaufladbare Batteriezelle
JP2010165721A (ja) * 2009-01-13 2010-07-29 Honda Motor Co Ltd 太陽電池モジュール
CN109513352B (zh) * 2019-01-10 2024-07-30 广东中烟工业有限责任公司 一种用于异味处理系统光化学管的防水装置

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB572511A (en) * 1941-11-05 1945-10-11 Gen Electric Co Ltd Improvements in electric rectifiers
GB635690A (en) * 1946-07-31 1950-04-12 Gen Electric Co Ltd Improvements in and relating to crystal rectifiers

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US756676A (en) * 1902-11-10 1904-04-05 Internat Wireless Telegraph Company Wave-responsive device.
US1058210A (en) * 1910-12-30 1913-04-08 Allie Ray Welch Method of finishing castings.
US1704228A (en) * 1928-01-30 1929-03-05 Packard Motor Car Co Fastening device
US1890312A (en) * 1931-03-30 1932-12-06 Tung Sol Condensers Inc Condenser
DE710631C (de) * 1938-08-06 1941-09-18 Versuchsanstalt Fuer Luftfahrt Empfangsvorrichtung fuer elektrische Wellen
DE891404C (de) * 1941-05-27 1953-09-28 Pertrix Union G M B H Galvanisches Element, insbesondere mit Luftdepolarisation
US2503837A (en) * 1945-07-27 1950-04-11 Bell Telephone Labor Inc Electrical translating device
FR965189A (de) * 1946-10-10 1950-09-05
US2635199A (en) * 1948-01-08 1953-04-14 John M Wolfskill Piezoelectric crystal apparatus
US2513870A (en) * 1948-01-23 1950-07-04 Reeves Hoffman Corp Hermetically sealed crystal
US2615965A (en) * 1948-07-24 1952-10-28 Sylvania Electric Prod Crystal amplifier device
US2626985A (en) * 1948-08-25 1953-01-27 Sylvania Electric Prod Electrical crystal unit
BE491276A (de) * 1948-11-05
US2631115A (en) * 1949-08-06 1953-03-10 Manganese Battery Corp Electrodes for electrochemical cells
US2595475A (en) * 1949-12-23 1952-05-06 Rca Corp Electrode support for semiconductor devices
BE500203A (de) * 1949-12-23
US2639392A (en) * 1949-12-30 1953-05-19 Bell Telephone Labor Inc Masking device for crystals
US2622133A (en) * 1950-05-01 1952-12-16 Sprague Electric Co Sealed electrical circuit components
US2651745A (en) * 1951-02-08 1953-09-08 Int Standard Electric Corp Dry rectifier assembly
NL204333A (de) * 1954-01-14 1900-01-01
US2751528A (en) * 1954-12-01 1956-06-19 Gen Electric Rectifier cell mounting
GB785467A (en) * 1954-12-23 1957-10-30 Gen Electric Co Ltd Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices
NL203528A (de) * 1955-03-24
NL207356A (de) * 1955-05-23

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB572511A (en) * 1941-11-05 1945-10-11 Gen Electric Co Ltd Improvements in electric rectifiers
GB635690A (en) * 1946-07-31 1950-04-12 Gen Electric Co Ltd Improvements in and relating to crystal rectifiers

Also Published As

Publication number Publication date
FR71643E (fr) 1960-01-13
FR1066148A (fr) 1954-06-02
CH342657A (de) 1959-11-30
GB795113A (en) 1958-05-14
LU37433A1 (de) 1900-01-01
BE530249A (de) 1900-01-01
NL86185C (de) 1900-01-01
DE1060992B (de) 1959-07-09
DE1098102B (de) 1961-01-26
CH384722A (de) 1965-02-26
DE1069726B (de) 1959-11-26
BE512559A (de) 1900-01-01
DE1255823B (de) 1967-12-07
GB914592A (en) 1963-01-02
NL170157B (nl) 1900-01-01
FR66909E (fr) 1957-10-31
FR69762E (fr) 1958-12-30
DE1015934B (de) 1957-09-19
BE538791A (de) 1900-01-01
NL238107A (de) 1900-01-01
GB877644A (en) 1961-09-20
BE554903A (de) 1900-01-01
US2785349A (en) 1957-03-12
GB884824A (en) 1961-12-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE968077C (de) Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern
DE4013812C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines luftdicht abgeschlossenen Elektronikbauelement-Pakets
DE3401404A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2659871B2 (de) Vakuumleistungsschalter und Verfahren zu seiner Herstellung
AT394792B (de) Zuendkerze
DE2918339A1 (de) Glas-metall-verschluss fuer den anschlusskontakt eines elektrochemischen elementes und verfahren zur herstellung
DE1490071B2 (de) Gasdichte kontakteinschmelzung fuer eine elektrische kupplungs verbindung
DE10053173A1 (de) Herstellungsverfahren für eine Zündkerze mit einem Edelmetallstück für einen Verbrennungsmotor
DE1564665C3 (de) Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1564107A1 (de) Gekapselte Halbleiteranordnung
DE102007020290B4 (de) Verfahren zur Herstellung eines becherförmigen Gehäuses für ein elektrisches Bauelement und damit hergestelltes Gehäuse sowie elektrisches Bauelement mit diesem Gehäuse
DE907808C (de) Stromdurchfuehrung durch Waende aus Glas oder Quarz
DEI0005966MA (de)
DE1236081B (de) Verfahren zur Herstellung von ohmschen Kontakten an Halbleiterbauelementen
DE2509763C3 (de) Mehrdraht-Sauerstoffelektrode und Verfahren zur Herstellung derselben
DE2543079C3 (de) Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren
AT513921B1 (de) Zündersockel
DE3532472A1 (de) Mehrteilige leitungsdurchfuehrung durch einen isolator
AT216079B (de)
DE895077C (de) Zuendkerzenisolator mit einer mittels einer leitenden Glasmasse in einer Mittelbohrung eingedichteten, zweistueckigen Mittelelktrode
AT513905B1 (de) Zündersockel
DE2725847B2 (de) Anordnung zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe
DE1490071C (de) Gasdichte Kontakteinschmelzung für eine elektrische Kupplungsverbindung
DE2904806A1 (de) Elektrisches bauteil
DE495558C (de) Verfahren zur Herstellung elektrischer Kondensatoren, deren Belegungen an den aus den Stirnseiten hervorstehenden Enden mit Platten aus Zinn oder anderem Loetmetall verlo etet werden