DE1255823B - Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und TransistorenInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT mi.
η wxi
PATENTSCHRIFT
Deutsche Kl.: 21g-11/02
Nummer:
Aktenzeichen:
Auslegetag:
Ausgabetag:
P 12 55 823.5-33 (St 15123)
13. Mai 1959
7. Dezember 1967
11. September 1969
Patentschrift weicht von der Auslegeschrift ab
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zur Herstellung von Kühlkörpern, die zur Ableitung der
Wärme dienen, welche elektrische Bauelemente bei ihrem Betriebe entwickeln.
Es ist bereits bekannt, daß viele elektrische Bauelemente
während ihres Betriebes Wärmemengen entwickeln, welche die Temperatur des Bauelements
unzulässig erhöhen können. Zur Ableitung der entwickelten Wärme kann entweder das betreffende
Bauelement so ausgebildet werden, daß es der umgebenden Luft eine möglichst große Oberfläche
bietet, oder das Bauelement wird mit einem zusätzlichen Kühlkörper versehen, der die Wärme vom
Bauelement ableitet und entweder infolge seiner großen Wärmeaustauschfläche an die umgebende
Luft oder eine zirkulierende Flüssigkeit abgibt.
Besonders wichtig sind solche Kühlkörper bei elektrischen Halbleiterbauelementen, wie z. B. bei Leistungsgleichrichtern
oder Leistungstransistoren, da diese Bauelemente beim Überschreiten einer bestimmten
Temperatur vollkommen unbrauchbar werden.
Es ist bekannt, elektrische Bauelemente, wie insbesondere Halbleitergleichrichter und Transistoren,
hoher Leistung mit Kühlrippen zu versehen oder sie mit einem getrennt hergestellten Kühlkörper zu verbinden,
der die Wärme ableitet. Solche Kühlkörper bestehen aus einem Metall guter Wärmeleitfähigkeit,
wie z. B. Kupfer, Silber oder Aluminium, und haben infolge ihrer Bauart eine so große Oberfläche, daß
die im Betrieb im elektrischen0 Bauelement erzeugte Wärmemenge ohne weiteres an die umgebende
Atmosphäre abgegeben wird. Solche Kühlkörper bestehen meist aus fächerförmig angeordneten Kühlplatten, zwischen welchen die Luft hindurchstreicht
und dabei die Wärme von den Kühlplatten aufnimmt.
Bisher wurden solche Kühlkörper aus ihren Einzelteilen unter Verwendung von Schrauben oder
Nieten zusammengebaut oder die einzelnen Teile miteinander durch Schweißen oder Löten verbunden.
Abgesehen davon, daß bei diesen Herstellungsverfahren mehrere Verfahrensschritte zur Herstellung
der Kühlkörper erforderlich sind, werden bei diesen Kühlkörpern oft Wärmestauungen beobachtet, die
von Stellen schlechten Wärmeübergangs im Kühlkörper herrühren.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein einfaches Verfahren zur Herstellung solcher Kühlkörper
anzugeben, bei dem die obengenannten Nachteile vermieden werden.
Das Verfahren zum Herstellen von Kühlkörpern für elektrische Bauelemente, insbesondere für HaIb-
Verfahren zum Herstellen von Kühlkörpern
für elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Längsachse angeordneten
Kühlplatten, insbesondere für
Halbleiterleistungsgleichrichter und
Transistoren s; ,
für elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Längsachse angeordneten
Kühlplatten, insbesondere für
Halbleiterleistungsgleichrichter und
Transistoren s; ,
Patentiert für ;
Deutsche ITT Industries
Gesellschaft mit beschränkter Haftung,
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Gesellschaft mit beschränkter Haftung,
Freiburg (Breisgau), Hans-Bunte-Str. 19
Als Erfinder benannt:
Hans Wagner, Nürnberg
Hans Wagner, Nürnberg
leiterleistungsgleichrichter und Transistoren, aus auf einem Bolzen senkrecht zur Längsachse angeordneten
Kühlplatten wird erfindungsgemäß in der Weise durchgeführt, daß der Bolzen nach Aufschieben der
as Kühlplatten in axialer Richtung so gestaucht wird,
daß die Kühlplatten durch das auftretende Fließen des Bolzenmaterials an den Berührungsstellen eingebettet
und dadurch nach dem Erstarren des Bolzenmaterials mechanisch fest und gut wärmeleitend
mit dem Bolzen verbunden werden.
Bei diesem Verfahren werden nur ganz einfache Stanz- und Drehteile verwendet, die in einem einzigen Verfahrensschritt zu dem fertigen Kühlkörper
verbunden werden; Die Verbindung erfolgt ohne Verwendung von zusätzlichen Elementen, wie
Schrauben, Nieten usw., und ohne Verwendung eines Löt- oder Schweißmittels. Da bei der Verbindung der
einzelnen Teile keine Erhitzung erfolgt, wird die Struktur des Materials im wesentlichen nicht verändert.
Gleichzeitig wird ein sehr guter Wärmeübergang zwischen dem Bolzen und den einzelnen Kühlplatten erzielt, was für die Kühlleistung wesentlich
ist. .
Die Kühlkörper können aus jedem geeigneten Material mit guter Wärmeleitung hergestellt werden,
wobei jedoch darauf geachtet werden muß, daß das Material des Bolzens sich durch Stauchen verformen
läßt, ohne daß Risse im Material auftreten. Zweckmäßig Verwendet man für den Bolzen Weichaluminium
und für die Kühlplatten härteres Aluminium.
Es ist aber ebenso möglich, ein anderes Metall, beispielsweise Kupfer, zu verwenden.
: 909 637/521
Weitere Einzelheiten des Verfahrens gemäß der Erfindung sollen an Hand der Figuren näher erläutert
werden.
F i g. 1 zeigt einen Bolzen zur Herstellung eines Kühlkörpers nach dem Verfahren gemäß der Erfindung
im Querschnitt und ^
Fig. 2 eine entsprechende Kühlplatte; in
F i g. 3 ist eine Vorrichtung zur Herstellung von Kühlkörpern nach dem. Verfahren gemäß der Erfindung
im Schnitt dargestellt;
F i g. 4 zeigt einen Schnitt durch die Vorrichtung
nach Fi g. 3 längs der Schnittlinie A-A; in
F i g. 5 ist ein Schnitt durch einen nach dem Verfahren
gemäß der Erfindung hergestellten Kühlkörper dargestellt;
Fig. 6 zeigt einen Schnitt durch eine andere Äusführüngsform
eines gemäß der Erfindung hergestellten Kühlkörpers in Verbindung mit einem Leistungsgleichrichter und einer Grundplatte.
Der in Fig. 1 dargestellte Bolzen besteht beispielsweise
aus dem Drehkörper 1 aus Aluminium und der eingepreßten Kupfermüffe 2. Das Kupferteil 2 dient
dazu, einen guten Wärmeübergang zwischen dem Bolzen 1 und dem wärnieabgebenden Bauelement
herzustellen. Die Kupfermuffe wird zweckmäßig vor dem Einpressen in den Aluminiumbolzen versilbert,
um einen gujen elektrischen und Wärmeübergang sicherzustellen und Korrosionen zu verhüten. Der in
Fig. 1 dargestellte Bolzen ist stufenförmig ausgebildet,
und zwar hat das dem wärrheabgebenderi Bauelement
zugewandte Ende den größten Durchmesser.
Auf die einzelnen Stufen des Bolzens 1 werden nun Kühlplatten aufgesetzt, die ebenfalls aus einem
gut wärmeleitenden Material, wie z. B. Aluminium, bestehen. In Fig. 2 ist eine solche Kühlplatte dargestellt.
Diese besteht beispielsweise aus einem quadratischen Aluminiumblech mit einem zentralen
Loch, das dem Durchmesser einer der Stufen des
Bolzens 1 entspricht. Entspreqhend der Anzahl der Stufen des Bolzens 1 müssen entsprechende Kühlplatten
3 mit verschiedenem Lochdurchmesser vorgesehen werden. Zweckmäßig haben alle Kühlplatten
eines, Kühlkörpers die gleichen äußeren Abmessungen. Wenn der Kühlkörper gleichzeitig den elektrischen
Anschluß für einen Pol des Bauelementes bilden soll, wird eine Kühlplatte zweckmäßigerweise
mit einem Ansatz versehen, wie dies in Fig. 2 bei,4
dargestellt ist. Die Anschlußfahne 4 hat noch eine kleinere Bolirung zum Anlöten eines Anschlußdrahtes. Die Kühlplätten müssen nicht unbedingt vier-^
eckige Form haben, sondern können auch rund, oval oder yieleckig sein, je nach den Erfordernissen für
die Wärmeabführung und dem zur Verfügung stehenden
Raum. ,> ι, . ■
Der Bolzen mit den Kühlplatten wird nun in eine
Preßvorrichtung eingelegt, die scheinatiscn;in Fig. 3
dargestellt ist. ^Wesentlich ist dabei, daß der Bolzen .1.
mit dem Kupferteii 2 nach oben in einen feststehenden
Oberstempel,7 eingesetzt wird und dann durch
einen beweglichen Stempel 8 von unten her; gestaucht
Wird.'. ;.;':;-.;,;; v. '.;'·. ■■'■„■■-■■V" V .■■'*.-··.,λ ■-,-■■.· ^/.'ihoh'V bdov
Der Bolzen 1 'Μ£;ώ\ή$τμΉύρϊ$ί$φ2':'$τ$;-φς>.:.
ihjden feststehender}; iCJbersternpel 7, !eingesetzt, der
eine zentrale iBohrung besitzt, damit der, Stjft;8«,desi
bewegliehen TJntei$empeis 8 darin gleiten kajin. Die
einz^lben Kühipiatten ,3 werden in, entsprechende
Abständspiatten eingelegt, die ihrerseits seitlich, auf
einer stufenförmigeii Auflage 6 ruhen. Die Abständspiatten
dienen dazu, den Abstand zwischen den einzelnen Kühlplatten während des Stauchvorgangs zu
sichern und begrenzen gleichzeitig die Verdickung des gestauchten Bolzens. Außerdem verhüten sie ein
Verbiegen der Kühlplatten während des Preßvörganges.
-' · ; '
Zu,m besseren Verständnis der Preßvorrichtung ist
' in Fig. 4 ein Schnitt längs der Linie /1-/1 durch die
Preßvorrichtung nach Fig. 3 dargestellt. Man erkennt dabei, daß jede Abstandsplatte 5 aus zwei
Hälften 5 α und 5 b besteht. Die Abstandsplatte hat eine Ausnehmung, die in Ausdehnung und Tiefe
genau den zu verwendenden Kühlplatten entspricht. Lediglich an den Ecken sind Bohrungen angebracht,
die zum besseren Einlegen und Herausnehmen der Kühlplatten dienen.
In Fig. 3 ist die Preßvorrichtung in ihrer Ausgangsstellung
dargestellt. Man erkennt, daß die einzelnen Abständspiatten auf der stufenförmigen Äuf-
ao lage 6 ruhen und die Kühlplatten in die Vertiefungen
der Abständspiatten- eingelegt sind. Zwischen den einzelnen Abständspiatten ist noch ein bestimmter
Zwischenraum vorhanden. Auch hat die innere Ausnehmung der Abständspiatten, die in Fig. 4 durch
as den gestrichelten Kreis dargestellt ist, einen bestimmten Abstand vom Bolzen, was sgwohl in Fig. 3 als
auch in F i g. 4 zu sehen ist. ,"
Nun wird der untere Kolben 8 in der Richtung des Pfeiles nach oben bewegt, wobei gleichzeitig der
Stift 8a in der Bohrung des Bolzens 1 gleitet und so verhindert, daß die Bohrung im Bolzen 1 zusammengedrückt
wird. Durch den Preßdruck wird der Bolzen zunächst an der untersten Stelle so weit gestaucht,
daß er den Zwischenraum zwischen den untersten Abständspiatten vollkommen ausfüllt. Dabei umfließt
das Material des Bolzens die unterste Kühlplatte, so daß diese fest in den Bolzen eingebettet wird. Bei
der weiteren Aufwärtsbewegung des Unterstempels 8 wird schließlich die unterste Abstandsplatte, die nun
am Unterstempel anliegt, von ihrer Auflage abgehoben und nach oben gedrückt. Dabei wird das
Material des Bolzens 1 zwischen der untersten Kühlplatte
und der darauffolgenden Abstandsplatte in gleicher Weise gestaucht Wie im fersten Fall und die
zweite Kühlplatte im Material des Bolzens 1 befestigt. . Bei der weiteren Aufwärtsbewegung des
Unterstempels 8 werden nun nacheinander die ein^
zeineaÄrjstandsplatten von ihrer Auflage abgehoben,
bis schließliph alle Abständspiatten fest aneinahder-
liegen. Öann ist der Preßvorgang beendet, und alle
Kühipiatten sind fest und gut wärmeleitend mit dem Bolzen! verbunden. Wesentlich bei dem beschriebenen
Preßverfahren ist es, daß von unten nach oben gepreßt wird, damit die einzelnen Abstandsplatten
von ihrer Auflage nacheinander abgehoben werden können. , v) r .....
", Ein so hergestellter Kühlkörper ist im Schnitt in
Fig. 5 dargestellt. Man erkennt, unschwer, daß die einzelnen Kühlplatten an ihren mittleren Teilen vom
Material des Bolzens 1 umflossen wurden und in dieses fest eingebettet sind. Durch geeignete Wahl
der Dicke der Abständspiatten kann der Stauchvorgang
entsprechend gesteuert werden. Durch die innere Ausnehmung der Äbständsplätten wird der
radiale Fluß des Materials so begrenzt, daß die kühlplätten gut eingebettet werden ,^
Zur vBefestigung des Kühlkörpers auf einer Grundplatte
und zur Befestigung der Halbleitervorrichtung
am Kühlkörper wird in die Bohrung des Bolzens zweckmäßig ein Gewinde geschnitten, wie dies in
F i g. 5 angedeutet ist. Natürlich können eine oder mehrere Kühlplatten mit Ansätzen zur Befestigung
eines elektrischen Anschlusses versehen sein, wie dies beispielsweise in F i g. 2 dargestellt ist.
Es ist nicht unbedingt erforderlich, daß der zum ' Verfahren gemäß der Erfindung verwendete Bolzen
stufenförmig ausgebildet ist. Es kann beispielsweise auch ein glatter zylindrischer Bolzen verwendet werden,
wobei sich noch der Vorteil ergibt, daß alle Kühlplatten 3 die gleichen Abmessungen haben.
In Fig. 6 ist ein solcher Kühlkörper im Schnitt dargestellt, und zwar in Verbindung mit einem Leistungsgleichrichter
und einer Grundplatte.
Der Kühlkörper nach F i g. 6 hat den gleichen Aufbau wie der in F i g. 5 dargestellte mit dem Unterschied,
daß ein zylindrischer Bolzen zur Herstellung des Kühlkörpers verwendet wurde. Der Preßvorgang
zur Herstellung eines solchen Kühlkörpers ist jedoch der gleiche, wie er an Hand von F i g. 3 beschrieben
wurde.
Der Leistungsgleichrichter 11 besitzt einen Gewindebolzen,
der in das Kupferteil des Kühlkörpers eingeschraubt wird, wodurch sich die untere Fläche as
des Gleichrichters 11 plan auf das Kupferteil 2 des Kühlkörpers auflegt, so daß ein sehr guter Wärmeübergang
erzielt wird. Der Kühlkörper kann seinerseits mit einer entsprechenden Schraube 10 auf einer
geeigneten Unterlage 9, z. B. einem Chassisblech, befestigt werden. Zum Anschluß des Gleichrichters
wird einerseits die Litze 12 verwendet, andererseits die Anschlußfahne der oberen Kühlplatte 3, an der
beispielsweise ein Draht 13 angelötet wird. Da sich Aluminium im allgemeinen nur schwer löten läßt,
wird als oberste Kühlplatte 3 ein Aluminiumblech verwendet, das auf seiner obersten Seite mit einem
Kupferblech plattiert ist. Hierdurch ergibt sich ein elektrisch gut leitender Übergang vom Fuß des
Gleichrichters 11 über das eingepreßte Kupferteil 2 und die damit in Kontakt stehende Kupferplattierung
14 der obersten Kühlplatte. Es kann vorteilhaft sein, die Kupferteile bzw. die Kupferplattierung noch mit
einem dünnen Edelmetallüberzug, beispielsweise aus Silber, zu versehen.
Wenn der Kühlkörper vom Chassis isoliert sein soll, werden zwischen Chassis, Kühlkörper und
Befestigungsschraube entsprechende Isolierstücke eingelegt.
Zur Verbesserung der Wärmeabgabe können die Kühlplatten aufgerauht sein und/oder einen gut
wärmeabgebenden Überzug, beispielsweise einen mattschwarzen Farbüberzug, besitzen.
Zur Vergrößerung der Kühlwirkung können mittels des Gewindes und entsprechender Bolzen mehrere
Kühlkörper miteinander zu einer größeren Einheit verbunden werden. Es können auch Kühlkörper
mit mehreren Bolzen und gemeinsamen Kühlplatten nach dem Verfahren gemäß der Erfindung hergestellt
werden, beispielsweise zur Aufnahme von drei Gleichrichtern für eine Sternschaltung.
Die Erfindung' ist jedoch nicht auf das dargestellte
und beschriebene Ausführungsbeispiel beschränkt.
Claims (11)
1. Verfahren zum Herstellen von Kühlkörpern für elektrische Bauelemente, insbesondere für
Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren, aus auf einem Bolzen senkrecht zur Längsachse
angeordneten Kühlplatten, dadurchgekennzeichnet,
daß der Bolzen nach Aufschieben der Kühlplatten in axialer Richtung so gestaucht
wird, daß die Kühlplatten durch das auftretende Fließen des Bolzenmaterials an den Berührungsstellen eingebettet und dadurch nach dem Erstarren
des Bolzenmaterials mechanisch fest und gut wärmeleitend mit dem Bolzen verbunden werden.
2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ein konischer, insbesondere
stufenförmiger Bolzen verwendet wird.
3. Verfahren nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Kühlplatten in der Preßvorrichtung
durch Abstandsplatten gehalten werden, die auf einer stufenförmigen Auflage ruhen,
und daß der Bolzen von unten zusammengepreßt wird und die Abstandsplatten dabei von ihrer
Auflage abgehoben werden.
4. Verfahren nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß durch die Abstandsplatten die
■' radiale Verformung des Bolzens begrenzt wird.
5. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Bolzen
mindestens an einem Ende mit einer axialen Bohrung versehen wird, in die ein Gewinde geschnitten
wird.
6. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß vor dem Aufschieben
der Kühlplatten an einem Ende ein Kupferteil in den Bolzen eingepreßt wird.
7. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß als oberste
Kühlplatte eine mit einem lötbaren Metall plattierte Aluminiumplatte verwendet wird.
8. Verfahren nach Anspruch 6.oder 7, dadurch gekennzeichnet, daß das Kupferteil vor dem Einpressen
mit einem Edelmetallüberzug versehen wird.
9. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine
Kühlplatte mit einer Anschlußfahne versehen wird.
10. Verfahren naen einem der Ansprüche 1
bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper oberflächlich aufgerauht wird.
11. Verfahren nach einem der Ansprüche 1 bis 10, dadurch gekennzeichnet, daß der Kühlkörper
mit Ausnahme der zum Wärmeübergang oder zum elektrischen Anschluß Kontaktierten
Flächen mit einem gut wärmeabstrahlenden Überzug, beispielsweise mit mattschwarzer Farbe,
überzogen wird.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1039 645;
USA.-Patentschrift Nr. 2 751528.
Deutsche Auslegeschrift Nr. 1039 645;
USA.-Patentschrift Nr. 2 751528.
In Betracht gezogene ältere Patente:
Deutsches Patent Nr. 974 683.
Deutsches Patent Nr. 974 683.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
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NLAANVRAGE7703161,A NL170157B (nl) | 1951-06-08 | Werkwijze en inrichting voor het vergassen van vaste brandstoffen door partiele oxydatie. | |
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DENDAT1069726D DE1069726B (de) | 1951-06-08 | Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
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BE538791D BE538791A (de) | 1951-06-08 | ||
FR1066148D FR1066148A (fr) | 1951-06-08 | 1952-06-06 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
US292304A US2785349A (en) | 1951-06-08 | 1952-06-07 | Electric semi-conducting devices |
DEI5966A DE968077C (de) | 1951-06-08 | 1952-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern |
FR66909D FR66909E (fr) | 1951-06-08 | 1954-07-06 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
DEI8884A DE1060992B (de) | 1951-06-08 | 1954-07-07 | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium |
DEI10229A DE1015934B (de) | 1951-06-08 | 1955-05-20 | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
GB15973/55A GB795113A (en) | 1951-06-08 | 1955-06-03 | Improvements in or relating to containers including desiccants |
FR69762D FR69762E (fr) | 1951-06-08 | 1955-06-06 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
CH342657D CH342657A (de) | 1951-06-08 | 1955-06-07 | Verfahren zum Herstellen von Halbleiterelementen |
GB4261/56A GB797822A (en) | 1951-06-08 | 1956-02-10 | Improvements in or relating to semi-conductor junction diodes |
FR71643D FR71643E (fr) | 1951-06-08 | 1957-02-08 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
DEST13682A DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
GB13142/59A GB914592A (en) | 1951-06-08 | 1959-04-17 | Electrical semi-conductor device |
FR792952A FR75616E (fr) | 1951-06-08 | 1959-04-23 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
DEST15123A DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
FR800665A FR76055E (fr) | 1951-06-08 | 1959-07-21 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
GB25349/59A GB884824A (en) | 1951-06-08 | 1959-07-23 | Improvements in or relating to galvanic cells |
GB16156/60A GB877644A (en) | 1951-06-08 | 1960-05-06 | Method of manufacturing cooling bodies for cooling electrical components |
CH543660A CH384722A (de) | 1951-06-08 | 1960-05-12 | Verfahren zur Herstellung von Kühlkörpern zur Kühlung von elektrischen Bauelementen |
FR827169A FR77758E (fr) | 1951-06-08 | 1960-05-13 | Perfectionnements aux redresseurs électriques à cristaux |
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB13657/51A GB716250A (en) | 1951-06-08 | 1951-06-08 | Improvements in or relating to electric semi-conducting devices |
GB19173/53A GB753488A (en) | 1953-07-10 | 1953-07-10 | Improvements in or relating to electrical couplings to semiconductor elements |
US434865A US2928030A (en) | 1954-06-07 | 1954-06-07 | Semiconductor devices |
GB4261/56A GB797822A (en) | 1951-06-08 | 1956-02-10 | Improvements in or relating to semi-conductor junction diodes |
DEST13682A DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
GB23454/58A GB835865A (en) | 1957-05-21 | 1958-07-22 | Improvements in or relating to crystal rectifiers and methods of manufacture thereof |
DE884824X | 1958-09-30 | ||
DEST15123A DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1255823B true DE1255823B (de) | 1967-12-07 |
Family
ID=31982807
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) | 1951-06-08 | Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DEI5966A Expired DE968077C (de) | 1951-06-08 | 1952-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern |
DEI8884A Pending DE1060992B (de) | 1951-06-08 | 1954-07-07 | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium |
DEI10229A Pending DE1015934B (de) | 1951-06-08 | 1955-05-20 | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
DEST13682A Pending DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
DEST15123A Pending DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Family Applications Before (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
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DEI5966A Expired DE968077C (de) | 1951-06-08 | 1952-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern |
DEI8884A Pending DE1060992B (de) | 1951-06-08 | 1954-07-07 | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium |
DEI10229A Pending DE1015934B (de) | 1951-06-08 | 1955-05-20 | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
DEST13682A Pending DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
Country Status (8)
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---|---|
US (1) | US2785349A (de) |
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LU (1) | LU37433A1 (de) |
NL (3) | NL238107A (de) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2850707A (en) * | 1954-04-15 | 1958-09-02 | Sylvania Electric Prod | Electromagnetic coils |
NL236678A (de) * | 1958-03-04 | 1900-01-01 | ||
NL101704C (de) * | 1958-07-02 | |||
US2937110A (en) * | 1958-07-17 | 1960-05-17 | Westinghouse Electric Corp | Protective treatment for semiconductor devices |
NL231409A (de) * | 1958-09-16 | 1900-01-01 | ||
DE1275690B (de) * | 1960-10-01 | 1968-08-22 | Telefunken Patent | Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente |
DE1237695B (de) * | 1961-10-24 | 1967-03-30 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement |
DE1229647B (de) * | 1961-12-22 | 1966-12-01 | Walter Brandt G M B H | Verfahren zum Herstellen einer Flaechengleichrichteranordnung |
US3216084A (en) * | 1963-04-10 | 1965-11-09 | Motorola Inc | Semiconductor process control technique |
US3265805A (en) * | 1964-02-03 | 1966-08-09 | Power Components Inc | Semiconductor power device |
DE1514473C3 (de) * | 1965-06-05 | 1981-08-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement |
DE2331106C2 (de) * | 1973-06-19 | 1984-11-22 | Hitachi Maxell, Ltd., Ibaraki, Osaka | Trockenelement |
US3945852A (en) * | 1974-09-06 | 1976-03-23 | P. R. Mallory & Co. Inc. | Current collector for organic electrolyte batteries |
USRE30458E (en) | 1977-12-30 | 1980-12-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Dry cells |
US4574330A (en) * | 1982-12-20 | 1986-03-04 | Burr-Brown Corporation | Heat sink for dissipating heat generated by electronic displays |
DE3421672A1 (de) * | 1984-06-09 | 1985-12-12 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement |
DE10128970A1 (de) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Fortu Bat Batterien Gmbh | Bei Normaltemperatur betreibbare, wiederaufladbare Batteriezelle |
JP2010165721A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池モジュール |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2751528A (en) * | 1954-12-01 | 1956-06-19 | Gen Electric | Rectifier cell mounting |
DE1039645B (de) * | 1955-03-24 | 1958-09-25 | Hughes Aircraft Co | In ein Metallgehaeuse mit isolierten Leitungsdurchfuehrungen eingeschlossene Halbleiter-Kristallode |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US756676A (en) * | 1902-11-10 | 1904-04-05 | Internat Wireless Telegraph Company | Wave-responsive device. |
US1058210A (en) * | 1910-12-30 | 1913-04-08 | Allie Ray Welch | Method of finishing castings. |
US1704228A (en) * | 1928-01-30 | 1929-03-05 | Packard Motor Car Co | Fastening device |
US1890312A (en) * | 1931-03-30 | 1932-12-06 | Tung Sol Condensers Inc | Condenser |
DE710631C (de) * | 1938-08-06 | 1941-09-18 | Versuchsanstalt Fuer Luftfahrt | Empfangsvorrichtung fuer elektrische Wellen |
DE891404C (de) * | 1941-05-27 | 1953-09-28 | Pertrix Union G M B H | Galvanisches Element, insbesondere mit Luftdepolarisation |
GB572511A (en) * | 1941-11-05 | 1945-10-11 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in electric rectifiers |
US2503837A (en) * | 1945-07-27 | 1950-04-11 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical translating device |
GB635690A (en) * | 1946-07-31 | 1950-04-12 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in and relating to crystal rectifiers |
FR965189A (de) * | 1946-10-10 | 1950-09-05 | ||
US2635199A (en) * | 1948-01-08 | 1953-04-14 | John M Wolfskill | Piezoelectric crystal apparatus |
US2513870A (en) * | 1948-01-23 | 1950-07-04 | Reeves Hoffman Corp | Hermetically sealed crystal |
US2615965A (en) * | 1948-07-24 | 1952-10-28 | Sylvania Electric Prod | Crystal amplifier device |
US2626985A (en) * | 1948-08-25 | 1953-01-27 | Sylvania Electric Prod | Electrical crystal unit |
BE491276A (de) * | 1948-11-05 | |||
US2631115A (en) * | 1949-08-06 | 1953-03-10 | Manganese Battery Corp | Electrodes for electrochemical cells |
NL157875B (nl) * | 1949-12-23 | Stork Jansen & Sutorius Nv | Vulelement voor een tegendrukvulinrichting. | |
US2595475A (en) * | 1949-12-23 | 1952-05-06 | Rca Corp | Electrode support for semiconductor devices |
US2639392A (en) * | 1949-12-30 | 1953-05-19 | Bell Telephone Labor Inc | Masking device for crystals |
US2622133A (en) * | 1950-05-01 | 1952-12-16 | Sprague Electric Co | Sealed electrical circuit components |
US2651745A (en) * | 1951-02-08 | 1953-09-08 | Int Standard Electric Corp | Dry rectifier assembly |
NL204333A (de) * | 1954-01-14 | 1900-01-01 | ||
GB785467A (en) * | 1954-12-23 | 1957-10-30 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices |
NL207356A (de) * | 1955-05-23 |
-
0
- BE BE530249D patent/BE530249A/xx unknown
- DE DENDAT1069726D patent/DE1069726B/de active Pending
- LU LU37433D patent/LU37433A1/xx unknown
- NL NLAANVRAGE7703161,A patent/NL170157B/xx unknown
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- NL NL238107D patent/NL238107A/xx unknown
- BE BE554903D patent/BE554903A/xx unknown
-
1952
- 1952-06-06 FR FR1066148D patent/FR1066148A/fr not_active Expired
- 1952-06-07 US US292304A patent/US2785349A/en not_active Expired - Lifetime
- 1952-06-08 DE DEI5966A patent/DE968077C/de not_active Expired
-
1954
- 1954-07-06 FR FR66909D patent/FR66909E/fr not_active Expired
- 1954-07-07 DE DEI8884A patent/DE1060992B/de active Pending
-
1955
- 1955-05-20 DE DEI10229A patent/DE1015934B/de active Pending
- 1955-06-03 GB GB15973/55A patent/GB795113A/en not_active Expired
- 1955-06-06 FR FR69762D patent/FR69762E/fr not_active Expired
- 1955-06-07 CH CH342657D patent/CH342657A/de unknown
-
1957
- 1957-02-08 FR FR71643D patent/FR71643E/fr not_active Expired
-
1958
- 1958-04-23 DE DEST13682A patent/DE1098102B/de active Pending
-
1959
- 1959-04-17 GB GB13142/59A patent/GB914592A/en not_active Expired
- 1959-05-13 DE DEST15123A patent/DE1255823B/de active Pending
- 1959-07-23 GB GB25349/59A patent/GB884824A/en not_active Expired
-
1960
- 1960-05-06 GB GB16156/60A patent/GB877644A/en not_active Expired
- 1960-05-12 CH CH543660A patent/CH384722A/de unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2751528A (en) * | 1954-12-01 | 1956-06-19 | Gen Electric | Rectifier cell mounting |
DE1039645B (de) * | 1955-03-24 | 1958-09-25 | Hughes Aircraft Co | In ein Metallgehaeuse mit isolierten Leitungsdurchfuehrungen eingeschlossene Halbleiter-Kristallode |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1015934B (de) | 1957-09-19 |
LU37433A1 (de) | 1900-01-01 |
GB877644A (en) | 1961-09-20 |
BE554903A (de) | 1900-01-01 |
BE538791A (de) | 1900-01-01 |
NL170157B (nl) | 1900-01-01 |
BE512559A (de) | 1900-01-01 |
NL238107A (de) | 1900-01-01 |
FR66909E (fr) | 1957-10-31 |
GB795113A (en) | 1958-05-14 |
DE1069726B (de) | 1959-11-26 |
DE1098102B (de) | 1961-01-26 |
GB884824A (en) | 1961-12-20 |
GB914592A (en) | 1963-01-02 |
FR1066148A (fr) | 1954-06-02 |
BE530249A (de) | 1900-01-01 |
DE1060992B (de) | 1959-07-09 |
US2785349A (en) | 1957-03-12 |
NL86185C (de) | 1900-01-01 |
DE968077C (de) | 1958-01-16 |
CH384722A (de) | 1965-02-26 |
CH342657A (de) | 1959-11-30 |
FR71643E (fr) | 1960-01-13 |
FR69762E (fr) | 1958-12-30 |
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