DE1069726B - Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung - Google Patents
Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner HerstellungInfo
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Description
DEUTSCHES
PATENTAMT
P 21463 IVa/21b
BEKANNTMACHUNG
DER ANMELDUNG
UND AUSGABE DER
AUSLEGESCHRIFT: 26. NOVEMBER 1959
Die Erfindung betrifft ein galvanisches Element für hohe Strombelastungen mit einer Lösungselektrode,
vorzugsweise aus Zink, einem Depolarisator, vorzugsweise aus Mangandioxyd, und mit einem
neutralen oder sauren Elektrolyten.
Die handelsüblichen Primärzellen nach dem Leclanche-Prinzip
weisen eine starke Polarisation auf, d. h., die Zellen zeigen das charakteristische Merkmal,
daß sie bei starker Belastung nur eine kleine Kapazität besitzen, die mit sinkender Belastung ansteigt
und erst bei sehr kleinen Entlade.strömen dem Maximalwert zustrebt. Die üblichen Primärzellen eignen
sich daher nur für Strombelastungcn von rund 300 niA
und weniger. Als weitere Folge der starken Polarisation muß die relativ steil abfallende Entladekurve
einer solchen Zelle angesehen werden. Da ein Bedürfnis nach einer Lcclanche-Primärzelle besteht, die
mit Strömen von 1 bis 2 A entladen werden soll, somit im Vergleich zu den bisherigen Ausführungsformen eine wesentlich stärkere Belastbarkeit be- ao
sitzen muß, hat man versucht, durch Schaffung einer F.raunstein-Lauge-Zink-Zelle dieser Forderung zu
entsprechen. Eine solche Zelle ist in der Tat stark belastbar und kann einige Stunden mit etwa 1 A betrieben
werden. Eine solche Zelle weicht jedoch vollkommen von der bisher üblichen Konstruktion ab
und bedingt daher neue Fertigungseinrichtungen und Fertigungsmethoden. Thr komplizierter Aufbau ist
durch die starke Zinkpolarisation in einem Laugenelektrolyten und die daraus folgende Notwendigkeit
bedingt, der Lösungselektrode eine sehr große Oberfläche zu geben. Man ist daher gezwungen, bei solchen
Zellen Zinkfilter oder aus Zinkstaub gepreßte poröse Zinkelektroden zu verwenden. An Stelle der bisher
üblichen positiven Puppe wird bei diesen Zellen der Depolarisator an die Wandung eines Stahlbechers
gepreßt und der Elektrolyt im Innern des Zylinders angeordnet. l)as bedingt eine Umpolung der Zelle,
dii; dazu führt, daß man die Laugenzelle praktisch
auf den Kopf stellen muß, um Zellen in der bisher üblichen Polung herzustellen. Daher wird die höhere
Belastbarkeit der Zelle mit einer wesentlich komplizierteren
Herstellungsart erkauft, wodurch es erforderlich wird, neue Fcrtigungseinrichtungcn zu entwickeln.
Dazu kommt noch, daß bei Verwendung der Kombination Zink—Lauge stets die Gefahr einer übermäßigen
WasserstofFentwicklung besteht und solche Zellen daher auch gelegentlich bei langer Lagerung
oder heftiger Entladung explodieren können. Ferner ist. bedingt durch die ätzende Lauge und die Notwendigkeit,
den Elektrolyten vor Kohlensäureaufnahnic aus der Luft zu schützen, eine besondere
Sorgfalt bei der Abdichtung und flüssigkeitsdichten Abschließung der Zelle aufzuwenden.
Galvanisches Element
für hohe Strombelastungen
und Verfahren zu seiner Herstellung
Anmelder:
Pertrix-Union
Gesellschaft mit beschränkter Haftung, Ellwangen/Jagst
Dipl.-Chem. Dr. Richard Huber, Ellwangen/Jagst, ist als Erfinder genannt worden
Aufgabe vorliegender Erfindung war es, eine im wesentlichen nach dem Leclanche-Prinzip aufgebaute
galvanische Zelle für hohe Strombelastungen zu schaffen, bei der die geschilderten Nachteile der Zellen
mit alkalischen Elektrolyten nicht vorhanden sind.
Diese Aufgabe wurde erfindungsgemäß dadurch gelöst, daß die Zelle durch einen Innenelcktrolyten
von starker Pufferwirkung für OH-]onen in einem Anteil von über 60 Gewichtsprozent, vorzugsweise
von 70 bis 80 Gewichtsprozent, bezogen auf die trokkene Depolarisationsmasse, gekennzeichnet ist, wobei
die Depolarisationsmasse einen Anteil von über 15 Gewichtsprozent, vorzugsweise von 20 bis 25 Gewichtsprozent
Ruß, bezogen auf den Depolarisatoranteil, enthält und der Depolarisator so fein gemahlen
ist, daß mindestens 70%, vorzugsweise 8O°/o, davon durch ein Sieb von 10000 Maschen/qcm durchgehen.
Nach dem heutigen Stand der Technik werden der trockenen Depolarisationsmasse im allgemeinen etwa
20 bis 25 Teile Jnnenelektrolyt auf 100 Teile Trockenmasse zugemischt. Eine höhere Zugabe von Jnnenelektrolyt
würde die Masse nicht mehr preßfähig machen, sondern ihr eine breiförmige Konsistenz
verleihen. Es hat sich jedoch überraschenderweise gezeigt, daß man eine preßfähige Masse mit über
60 Gewichtsprozent Innenelektrolyt erhält, wenn man den Rußgchalt weit über das übliche Maß. nämlich
auf 20 bis 25 Teile, bezogen auf den trockenen Depolarisatoranteil,
erhöht und den Depolarisatoranteil in einer Vermahlung verwendet, die einen Durchgang
von mindestens 70°/o durch das DIN-Sieb 100 (10000 Maschen/qcm) garantiert.
Eine bevorzugte Ausführungsform der Erfindung besteht darin, daß der Innenelektrolyt aus einer
Chlorzinklösung mit über 40 Gewichtsprozent, vor-
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3 4
zugsweise 50 bis 60 Gewichtsprozent Chlorzink be durch Vermischen aus 80 Teilen Braunstein, 18 Teilen
steht. Dieser Innenelektrolyt weist besonders starke Azetylenruß mit 72 Teilen Elektrolytlösung her-•!Pufferwirkung
für OH-Ionen auf, so daß bei seiner stellen, wobei eine Masse entsteht, die sich noch gut
Verwendung die am Depolarisator entstehenden OH- auf eine der üblichen Puppenpressen zu Puppen verIonen,
welche den Entladungsvorgang hemmen, 5 pressen läßt. Als Inneiielektrolyt kann beispielsschnell
abgeführt bzw.-unschädlich gemacht werden. weise eine Lösung von 70 Teilen Wasser, 16 Teilen
Zweckmäßigerweise wählt man für die Her-, NH4Cl und 14 Teilen Chlorzink oder vorzugsweise
stellung der erfindungsgemäßen Zelle Rußarten, wel- von 45 Teilen Wasser und 55 Teilen Chlorzink ver-
che ein hohes Feuchtigkeitsaufnahmevermögen be- wendet werden.
sitzen, das beispielsweise durch eine Absorptionsfähig- io Als Außenelektrolyt kann entweder ein mit Mehl,
keit von 25 bis 30 ml Azeton-Wasser-Gemisch pro 5 g Stärke oder Mischungen derselben versehener SaI-
Ruß gegeben ist. miak-Chlorzink-Elektrolyt Anwendung finden oder
Eine besonders vorteilhafte Ausführungsform des aber eine konzentrierte Chlorzinklösung, die Johanniserfindungsgemäßen
galvanischen Elements erhält brotkernmehl als Verdickungsmittel enthält. Die man dadurch, daß die positive Elektrode in an sich 15 Zellen können aber auch nach dem bekannten Verbekannter
Weise als Wickelelektrode ausgebildet fahren hergestellt werden, bei welchem die Puppen
wird. Es ist dann möglich, die Elektrodenfläche stark in einen Zinkbecher gesetzt werden, der mit einer
zu vergrößern und dadurch eine wesentliche Ver- besonders präparierten Papierschicht als Separator
g'rößerung der Belastung der Zelle zu erreichen. Die und Außenelektrolyt ausgekleidet ist. Die erfin-Verwendung
der als Stromableiter üblichen gebrann- ao dungsgemäß hergestellten Zellen zeichnen sich durch
ten Kohlcplattcn verbietet sich, da diese bei sehr eine sehr geringe Polarisierbarkcit aus und sind imdünner
Herstellung nicht genügend mechanisch fest stände, beispielsweise 51A bzw. 3Vs Stunden lang
sind und andererseits bei entsprechender Dicke zuviel Ströme von 1 bis 2 A zu liefern, bis ihre Spannung
Raum einnehmen. auf den halben Nennwert abgesunken ist. Ferner
Auch die Verwendung von Leitschichtfolien der 35 weist ihre Entladungskurve im Gegensatz zu den
bekannten Art scheidet aus, weil ihr innerer Wider- steilen Kurven der bisherigen Zellenausführungen
stand für die vorgesehenen Zellenbelastungen zu groß einen horizontalen Verlauf auf. wie er für Queckist.
Als Trägermaterial muß somit eine Metallfolie. Silberzellen, Luftsauerstoffzellen und Akkumulatoren
ein Metalldrahtgetz oder ein dünnes Metallblech ge- charakteristisch ist. Diese günstige Charakteristik des
wählt werden, das gegen den chemischen Angriff der 30 Spannungsvcrlaufs bei Entladung macht die Zelle bein
Betracht kommenden neutralen bzw. sauren Elck- sonders geeignet als Stromquelle für Transistortrolytlösungen
widerstandsfähig ist. Von besonderem Radiogeräte, die einen UKW-Teil besitzen. Infolge
Vorteil hat sich für diesen Zweck die Verwendung ihrer hohen Belastbarkeit können diese Zellen mit
vonJTantaJ oder einem anderem, mit Tantal beispiels- Vorteil als Stromquellen für elektrische Geräte, wie
weise durch Plattierung überzogenen Metall, oder 35 Mixer, Tonbandgeräte, Kleinstaubsauger, elektrische
einer Tantallegierung erwiesen, da dieses Metall Rasierapparate, Plattenspieler, Großspielzeuge, wie
neben der nötigen chemischen Widerstandsfähigkeit bewegliche Tiere und Puppen usw., verwendet wersich
auch dadurch auszeichnet, daß nur sehr geringe den. Ein besonderer Vorteil dieser neuen Zellenaus-Ubergangswiderstände
zwischen der positiven Elek- führung muß darin gesehen werden, daß zu ihrer Antrodc
und dem Stromableiter auftreten. Diese Bleche 40 fertigung der gleiche Maschinenpark wie bisher hewerden
dadurch weder von chlorionenhaltigen Elek- nutzt werden kann und daß die hohen Leistungen
trolyten noch von der Braunsteindepolarisations- ohne Verwendung schwer zu handhabender und stark
masse angegriffen. Monatelange Lagerversuche haben ätzender Elektrolyte, wie konzentrierter Laugengezeigt,
daß keinerlei Minderung der Zellen EMK lösung, erreicht werden.
auftritt. Der Braunstein wird beispielsweise durch 45 Ein Beispiel für eine erfindungsgemäße Zelle ist
Pressen oder Streichen auf die Tantalelektrode auf- in den Figuren dargestellt. Dabei zeigen
gebracht. Ebenso ist es möglich, den Elektrodenab- Fig. 1 und 2 die erfindungsgemäße Zelle in Längsleiter
durch Sintern von Tantalpulver zu erzeugen. und Querschnitt; in
Für die Verwendung als Stromableiter der posi- Fig. 3 ist das Herstellungsverfahren einer solchen
tiven Elektrode in dem erfmdungsgcmäßen galvani- 5° Zelle veranschaulicht.
sehen Element hat sich auch das für diesen Zweck an Die galvanische Zelle in Fig. 1 besteht aus einem
sich bekannte Titan als geeignet erwiesen. Auch die- Zinkbecher 4, in den der Wickel 5 eingebracht ist.
ses Metall kann in Form eines Bleches, j:ines Netzes, Die positive Elektrode des Wickels ist mit einem
einer Folie oder eines Sintcrkörpcrs od. dgl. auge- Metalldraht 6 versehen, der mit der positiven Ableiwandt
werden. Ebenfalls sind t.itanplattierte oder in 55 tungskappc 8 verbunden ist. Auf den Wickel 5 kommt
einer anderen Weise mit Titan überzogene Metalle der Abstandhalter 10 zu liegen, auf dem die Lochoder
Titanlegierungen geeignet. scheibe 7 aus Pappe aufliegt. Die Zelle ist mit einer
Weitere vorteilhafte Ausführungsfonnen des Er- Bitumenmasse 9 abgedichtet. Der Wickel 5 besteht
findungsgegcnstandes bestehen darin, daß der Ableiter aus einem Metallstreifen 1 aus Tantal oder Titan,
der positiven Elektrode eine Platte sein kann, mit oder 6° Auf diesem Metallstreifen ist beidseitig Braunstein
ohne Perforationen oder Ausnehmungen, mit der die beispielsweise durch Aufpressen angebracht. Auf
Dcpolarsationsmasse zusammengepreßt ist, oder beiden Seiten ist der Streifen 1 durch die Separator-
darin, daß der Ableiter der positiven Elektrode als blättchen 2 und 2'abgedeckt. Die Separatoren können.
Njn^ausgebiJde^J.sij. in das die Depolarisations- aus Papier, Gewebe u. dgl. bestehen, die mit Elek-
masse eingepreßt oder eingestrichen ist, ferner auch 65 trolvtlösung imprägniert sind oder eine Elektrolyt-
darin. daß der Ableiter der positiven Elektrode eine paste aufkaschiert enthalten. Auf dieses Paket ist
Folie darstellt, auf welche die Depolarisationsmasse der Zinkstreifen 3 gelegt, der als negative Elektrode
aufgepreßt oder aufgestrichen ist. dient. Nun wird das Paket in der in Fig. 3 angedeu-
Einc Depolarisationselcktrode für das galvanische teten Art eingerollt. Auf diese Weise kommt der
Element nach der Erfindung läßt sich beispielsweise 7° Zinkstreifen auf beide Seiten der positiven Elek-
trade 1 zu liegen. Der Zinkstreifen ist so bemessen, daß nach Aufrollen des Wickels der Zinkstreifen den
Wickel in seinem ganzen Umfang umgibt. Auf diese Weise wird ein Kontakt mit dem Zinkbecher 4 hergestellt,
der somit als Ableitung der negativen Elektrode wirkt.
Durch die erfindungsgemäße Ausbildung der Zelle wird die Flächenbelastung pro qcm der Elektrode
gegenüber der klassischen Ausführungsform einer Leclanche-Ausführung um 350%>
verringert und dementsprechend die Belastbarkeit der Zelle um 200% erhöht.
Claims (9)
1. Galvanisches Element für hohe Strombelastungen mit einer Lösungselektrode, vorzugsweise
aus Zink, einem Depolarisator, vorzugsweise aus Mangandioxyd, und mit neutralem oder
saurem Elektrolyten, gekennzeichnet durch einen ao fnnenelektrolytcn von starker Pufferwirkung für
OH-Ionen in einem Anteil von über 60 Gewichtsprozent, vorzugsweise von 70 bis 80 Gewichtsprozent,
bezogen auf die trockene Depolarisationsmasse, wobei die Depolarisationsmasse einen An- as
teil von über 15 Gewichtsprozent, vorzugsweise von 20 bis 25 Gewichtsprozent Ruß, bezogen auf
den Depolarisatoranteil, enthält und der Depolarisator so fein gemahlen ist, daß mindestens
70%. vorzugsweise 80%, davon durch ein Sieb von 10000 Maschen/qcm durchgehen.
2. Galvanisches Element nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Innenelektrolyt aus
einer Chlorzinklösung mit über 40 Gewichtsprozent, vorzugsweise 50 bis 60 Gewichtsprozent
Chlorzink besteht.
3. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß der zur Depolarisationsmasse
zugesetzte Ruß eine Absorptionsfähigkeit von etwa 25 bis 30 ml Azeton-Wasser-Gemisch
je 5 g Ruß aufweist.
4. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Ableiter
der positiven Elektrode aus Tantal, aus einem mit Tantal beispielsweise durch Plattierung
überzogenen Metall oder aus einer Tantallegierung besteht.
5. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 3. dadurch gekennzeichnet, daß der Ableiter
der positiven Elektrode aus Titan, aus einem mit Titan beispielsweise durch Plattierung
überzogenen Metall oder aus einer Titanlegierung besteht.
6. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Ableiter
der positiven Elektrode eine Platte mit oder ohne Perforation oder Ausnehmungen ist, mit der die
Depolarisationsmasse zusammengepreßt ist.
7. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Ableiter
der positiven Elektrode als Netz ausgebildet ist,_ in das die Depolarisationsmasse eingepreßt oder
eingestrichen ist.
8. Galvanisches Element nach den Ansprüchen 1 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Ableiter
der positiven Elektrode eine Folie darstellt, auf welche die Depolarisationsmasse aufgepreßt oder
aufgestrichen ist.
9. Verfahren zur Herstellung eines galvanischen Elementes nach den Ansprüchen 1 bis 8, dadurch
gekennzeichnet, daß eine durch Aufbringen einer Depolarisationsmasse auf ein biegsames Blech,
eine Folie oder ein Netz od. dgl. aus Tantal oder Titan hergestellte positive Elektrode mit" eine?
Umhüllung aus Papier oder "ähnlichem Material versehen wird, danach diese Umhüllung nach dem
üblichen Kaschierverfahren mit einer Schicht Elektrolytsalz überzogen wird, worauf die vorzugsweise
etwas kleinere Zinkelektrode auf eine der Elektrolytsalzschichten aufgelegt und zusammen
mit der positiven Elektrode in an sich bekannter Weise zu einer Spirale gewickelt wird,
wobei sich die Zinkelektrode im Inneren des Wickels befindet, wonach der Wickel in einen
Becher, vorzugsweise aus Zink, eingesetzt und die Zelle in üblicher Weise verschlossen wird.
In Betracht gezogene Druckschriften: Deutsche Patentschrift Nr. 891404;
USA.-Patentschrift Nr. 2631115.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
O 909 650/109 11.59
Applications Claiming Priority (8)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
GB13657/51A GB716250A (en) | 1951-06-08 | 1951-06-08 | Improvements in or relating to electric semi-conducting devices |
GB19173/53A GB753488A (en) | 1953-07-10 | 1953-07-10 | Improvements in or relating to electrical couplings to semiconductor elements |
US434865A US2928030A (en) | 1954-06-07 | 1954-06-07 | Semiconductor devices |
GB4261/56A GB797822A (en) | 1951-06-08 | 1956-02-10 | Improvements in or relating to semi-conductor junction diodes |
DEST13682A DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
GB23454/58A GB835865A (en) | 1957-05-21 | 1958-07-22 | Improvements in or relating to crystal rectifiers and methods of manufacture thereof |
DE884824X | 1958-09-30 | ||
DEST15123A DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1069726B true DE1069726B (de) | 1959-11-26 |
Family
ID=31982807
Family Applications (6)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DENDAT1069726D Pending DE1069726B (de) | 1951-06-08 | Galvanisches Element für hohe Strombelastungen und Verfahren zu seiner Herstellung | |
DEI5966A Expired DE968077C (de) | 1951-06-08 | 1952-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern |
DEI8884A Pending DE1060992B (de) | 1951-06-08 | 1954-07-07 | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium |
DEI10229A Pending DE1015934B (de) | 1951-06-08 | 1955-05-20 | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
DEST13682A Pending DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
DEST15123A Pending DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Family Applications After (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEI5966A Expired DE968077C (de) | 1951-06-08 | 1952-06-08 | Verfahren zur Herstellung von Kristallgleichrichtern |
DEI8884A Pending DE1060992B (de) | 1951-06-08 | 1954-07-07 | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Anschlusses bei Halbleitern wie Germanium |
DEI10229A Pending DE1015934B (de) | 1951-06-08 | 1955-05-20 | Kristallode mit einem in ein dichtes Gehaeuse eingebauten Halbleiterkristall und im Gehaeuse angeordnetem Trockenmittel |
DEST13682A Pending DE1098102B (de) | 1951-06-08 | 1958-04-23 | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung |
DEST15123A Pending DE1255823B (de) | 1951-06-08 | 1959-05-13 | Verfahren zum Herstellen von Kuehlkoerpern fuer elektrische Bauelemente aus auf einem Bolzen senkrecht zur Laengsachse angeordneten Kuehlplatten, insbesondere fuer Halbleiterleistungsgleichrichter und Transistoren |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US2785349A (de) |
BE (4) | BE554903A (de) |
CH (2) | CH342657A (de) |
DE (6) | DE968077C (de) |
FR (4) | FR1066148A (de) |
GB (4) | GB795113A (de) |
LU (1) | LU37433A1 (de) |
NL (3) | NL238107A (de) |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2331106A1 (de) * | 1973-06-19 | 1975-01-16 | Hitachi Maxell | Trockenelement |
DE2539612A1 (de) * | 1974-09-06 | 1976-03-18 | Mallory & Co Inc P R | Kathode fuer eine elektrochemische zelle |
USRE30458E (en) | 1977-12-30 | 1980-12-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Dry cells |
DE10128970A1 (de) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Fortu Bat Batterien Gmbh | Bei Normaltemperatur betreibbare, wiederaufladbare Batteriezelle |
Families Citing this family (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2850707A (en) * | 1954-04-15 | 1958-09-02 | Sylvania Electric Prod | Electromagnetic coils |
NL236678A (de) * | 1958-03-04 | 1900-01-01 | ||
NL101704C (de) * | 1958-07-02 | |||
US2937110A (en) * | 1958-07-17 | 1960-05-17 | Westinghouse Electric Corp | Protective treatment for semiconductor devices |
NL231409A (de) * | 1958-09-16 | 1900-01-01 | ||
DE1275690B (de) * | 1960-10-01 | 1968-08-22 | Telefunken Patent | Gehaeuse fuer Halbleiterbauelemente |
DE1237695B (de) * | 1961-10-24 | 1967-03-30 | Siemens Ag | Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement |
DE1229647B (de) * | 1961-12-22 | 1966-12-01 | Walter Brandt G M B H | Verfahren zum Herstellen einer Flaechengleichrichteranordnung |
US3216084A (en) * | 1963-04-10 | 1965-11-09 | Motorola Inc | Semiconductor process control technique |
US3265805A (en) * | 1964-02-03 | 1966-08-09 | Power Components Inc | Semiconductor power device |
DE1514473C3 (de) * | 1965-06-05 | 1981-08-20 | Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München | Halbleiterbauelement |
US4574330A (en) * | 1982-12-20 | 1986-03-04 | Burr-Brown Corporation | Heat sink for dissipating heat generated by electronic displays |
DE3421672A1 (de) * | 1984-06-09 | 1985-12-12 | SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg | Wechsellastbestaendiges, schaltbares halbleiterbauelement |
JP2010165721A (ja) * | 2009-01-13 | 2010-07-29 | Honda Motor Co Ltd | 太陽電池モジュール |
Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2631115A (en) * | 1949-08-06 | 1953-03-10 | Manganese Battery Corp | Electrodes for electrochemical cells |
DE891404C (de) * | 1941-05-27 | 1953-09-28 | Pertrix Union G M B H | Galvanisches Element, insbesondere mit Luftdepolarisation |
Family Cites Families (24)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US756676A (en) * | 1902-11-10 | 1904-04-05 | Internat Wireless Telegraph Company | Wave-responsive device. |
US1058210A (en) * | 1910-12-30 | 1913-04-08 | Allie Ray Welch | Method of finishing castings. |
US1704228A (en) * | 1928-01-30 | 1929-03-05 | Packard Motor Car Co | Fastening device |
US1890312A (en) * | 1931-03-30 | 1932-12-06 | Tung Sol Condensers Inc | Condenser |
DE710631C (de) * | 1938-08-06 | 1941-09-18 | Versuchsanstalt Fuer Luftfahrt | Empfangsvorrichtung fuer elektrische Wellen |
GB572511A (en) * | 1941-11-05 | 1945-10-11 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in electric rectifiers |
US2503837A (en) * | 1945-07-27 | 1950-04-11 | Bell Telephone Labor Inc | Electrical translating device |
GB635690A (en) * | 1946-07-31 | 1950-04-12 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in and relating to crystal rectifiers |
FR965189A (de) * | 1946-10-10 | 1950-09-05 | ||
US2635199A (en) * | 1948-01-08 | 1953-04-14 | John M Wolfskill | Piezoelectric crystal apparatus |
US2513870A (en) * | 1948-01-23 | 1950-07-04 | Reeves Hoffman Corp | Hermetically sealed crystal |
US2615965A (en) * | 1948-07-24 | 1952-10-28 | Sylvania Electric Prod | Crystal amplifier device |
US2626985A (en) * | 1948-08-25 | 1953-01-27 | Sylvania Electric Prod | Electrical crystal unit |
BE491276A (de) * | 1948-11-05 | |||
NL157875B (nl) * | 1949-12-23 | Stork Jansen & Sutorius Nv | Vulelement voor een tegendrukvulinrichting. | |
US2595475A (en) * | 1949-12-23 | 1952-05-06 | Rca Corp | Electrode support for semiconductor devices |
US2639392A (en) * | 1949-12-30 | 1953-05-19 | Bell Telephone Labor Inc | Masking device for crystals |
US2622133A (en) * | 1950-05-01 | 1952-12-16 | Sprague Electric Co | Sealed electrical circuit components |
US2651745A (en) * | 1951-02-08 | 1953-09-08 | Int Standard Electric Corp | Dry rectifier assembly |
NL204333A (de) * | 1954-01-14 | 1900-01-01 | ||
US2751528A (en) * | 1954-12-01 | 1956-06-19 | Gen Electric | Rectifier cell mounting |
GB785467A (en) * | 1954-12-23 | 1957-10-30 | Gen Electric Co Ltd | Improvements in or relating to the manufacture of semi-conductor devices |
BE546360A (de) * | 1955-03-24 | |||
NL207356A (de) * | 1955-05-23 |
-
0
- BE BE530249D patent/BE530249A/xx unknown
- DE DENDAT1069726D patent/DE1069726B/de active Pending
- LU LU37433D patent/LU37433A1/xx unknown
- NL NLAANVRAGE7703161,A patent/NL170157B/xx unknown
- BE BE512559D patent/BE512559A/xx unknown
- NL NL86185D patent/NL86185C/xx active
- BE BE538791D patent/BE538791A/xx unknown
- NL NL238107D patent/NL238107A/xx unknown
- BE BE554903D patent/BE554903A/xx unknown
-
1952
- 1952-06-06 FR FR1066148D patent/FR1066148A/fr not_active Expired
- 1952-06-07 US US292304A patent/US2785349A/en not_active Expired - Lifetime
- 1952-06-08 DE DEI5966A patent/DE968077C/de not_active Expired
-
1954
- 1954-07-06 FR FR66909D patent/FR66909E/fr not_active Expired
- 1954-07-07 DE DEI8884A patent/DE1060992B/de active Pending
-
1955
- 1955-05-20 DE DEI10229A patent/DE1015934B/de active Pending
- 1955-06-03 GB GB15973/55A patent/GB795113A/en not_active Expired
- 1955-06-06 FR FR69762D patent/FR69762E/fr not_active Expired
- 1955-06-07 CH CH342657D patent/CH342657A/de unknown
-
1957
- 1957-02-08 FR FR71643D patent/FR71643E/fr not_active Expired
-
1958
- 1958-04-23 DE DEST13682A patent/DE1098102B/de active Pending
-
1959
- 1959-04-17 GB GB13142/59A patent/GB914592A/en not_active Expired
- 1959-05-13 DE DEST15123A patent/DE1255823B/de active Pending
- 1959-07-23 GB GB25349/59A patent/GB884824A/en not_active Expired
-
1960
- 1960-05-06 GB GB16156/60A patent/GB877644A/en not_active Expired
- 1960-05-12 CH CH543660A patent/CH384722A/de unknown
Patent Citations (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE891404C (de) * | 1941-05-27 | 1953-09-28 | Pertrix Union G M B H | Galvanisches Element, insbesondere mit Luftdepolarisation |
US2631115A (en) * | 1949-08-06 | 1953-03-10 | Manganese Battery Corp | Electrodes for electrochemical cells |
Cited By (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2331106A1 (de) * | 1973-06-19 | 1975-01-16 | Hitachi Maxell | Trockenelement |
DE2539612A1 (de) * | 1974-09-06 | 1976-03-18 | Mallory & Co Inc P R | Kathode fuer eine elektrochemische zelle |
USRE30458E (en) | 1977-12-30 | 1980-12-23 | Hitachi Maxell, Ltd. | Dry cells |
DE10128970A1 (de) * | 2001-06-15 | 2002-12-19 | Fortu Bat Batterien Gmbh | Bei Normaltemperatur betreibbare, wiederaufladbare Batteriezelle |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
DE1015934B (de) | 1957-09-19 |
LU37433A1 (de) | 1900-01-01 |
GB877644A (en) | 1961-09-20 |
BE554903A (de) | 1900-01-01 |
BE538791A (de) | 1900-01-01 |
NL170157B (nl) | 1900-01-01 |
BE512559A (de) | 1900-01-01 |
NL238107A (de) | 1900-01-01 |
FR66909E (fr) | 1957-10-31 |
GB795113A (en) | 1958-05-14 |
DE1098102B (de) | 1961-01-26 |
GB884824A (en) | 1961-12-20 |
GB914592A (en) | 1963-01-02 |
FR1066148A (fr) | 1954-06-02 |
BE530249A (de) | 1900-01-01 |
DE1060992B (de) | 1959-07-09 |
US2785349A (en) | 1957-03-12 |
NL86185C (de) | 1900-01-01 |
DE1255823B (de) | 1967-12-07 |
DE968077C (de) | 1958-01-16 |
CH384722A (de) | 1965-02-26 |
CH342657A (de) | 1959-11-30 |
FR71643E (fr) | 1960-01-13 |
FR69762E (fr) | 1958-12-30 |
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