DE1237695B - Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehaeuse eingeschlossenen Halbleiterelement - Google Patents

Description

BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND

DEUTSCHES

PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

Int. CL:

HOIl

Deutsche Kl.: 21g-11/02

Nummer: 1 237 695

Aktenzeichen: S 76396 VIII c/21 g

Anmeldetag: 24. Oktober 1961

Auslegetag: 30. März 1967

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteranordnung, bei der das Halbleiterelement in ein Gehäuse eingeschlossen ist, welches aus einem grundplattenartigen, das Halbleiterelement tragenden Teil und aus einem mit dem grundplattenartigen Teil 5 mittels Form- und Kraftschluß gasdicht verbundenen glockenartigen Teil besteht, wobei der glockenartige Teil eine größere mechanische Festigkeit aufweist als der grundplattenartige Teil.

Bei einer bekannten, im wesentlichen aus Metall bestehenden und wenigstens zwei Teile aufweisenden Hülse für ein Halbleiterelektrodensystem, deren Teile an einander zugewandten Flächen durch Pressen miteinander vereinigt werden, weisen diese Preßflächen Nuten mit annähernd senkrecht zu den Flächen sich erstreckenden Wänden auf und haben zwischen sich eine Schicht aus sehr weichem, die Nuten ausfüllendem Metall. Weiterhin weist einer der zusammengepreßten Teile einen Falzrand auf, der um den anderen Teil herumgreift und beide Teile zusammenpreßt.

Für den Boden und für den Deckel wurden als geeignet die Werkstoffe Eisen, Kupfer oder Messing erkannt, für das sehr weiche Metall Blei, Zinn oder Indium, z. B. in Form eines Ringes.

Es ist auch ein Verfahren zum Herstellen einer Halbleiteranordnung mit gasdichtem Einschluß des Halbleiterelements in ein aus mindestens zwei oder mehreren metallischen Teilen unterschiedlicher Härte bestehendes Gehäuse bekanntgeworden, bei welchem nach dem Einbau des Halbleiterelements das oder die Gehäuseteile aus dem weicheren Metall im kalten Zustand plastisch derart verformt werden, daß der oder die Teile aus dem härteren Metall von dem weicheren Metall teilweise umschlossen sind. Dadurch soll sich eine vakuumdichte, formschlüssige Verbindung ergeben. Für einen glockenartigen Gehäuseteil aus dem härteren Metall ist z.B. Stahl und für einen Grundplattenteil des Gehäuses aus dem weicheren Metall ist z. B. Kupfer vorgesehen.

Bei einer solchen gegenseitigen Verpressung von Teilen, wie sie technologisch bezeichnet wird, gilt im allgemeinen die Lehre, der auch diese letztgenannte bekannte Lösung folgt, daß mindestens der eine Körper, der für die Herstellung einer gegenseitigen Verbindung plastisch verformt werden soll, aus einem weicheren Material als der andere besteht, wobei sich dem Fachmann die Lösung anbietet, dem Gehäuseteil weicheren Werkstoffes die plastische Verformung zur Herstellung der gegenseitigen Verbindungssteile der Gehäuseteile aufzuzwingen. In diesem Sinn ist auch bei den bisher bekannten Lösun-Halbleiteranordnung mit einem in ein gasdichtes Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelement

Anmelder:

Siemens Aktiengesellschaft, Berlin und München, Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Als Erfinder benannt:
Herbert Vogt, München

gen die gegenseitige gasdichte Verbindungsstelle der beiden Gehäuseteile hergestellt worden.

Der Erfindung liegt nun die Erkenntnis zugrunde, daß eine solche technische Lösung betriebsmäßig an der Halbleiteranordnung Nachteile mit sich bringen kann. Der Grundplattenteil einer solchen Halbleiteranordnung besteht nämlich gewöhnlich, wie es auch bei der an zweiter Stelle beschriebenen bekannten Gehäuseaufbauform der Fall ist, im Interesse der Bildung einer guten Wärmeableitungsbrücke von dem elektrischen Halbleiterelement aus einem der gut wärmeleitenden Werkstoffe, die relativ weich sind, wie z. B. aus Kupfer, während der glockenartige Gehäuseteil vielfach aus einem Material größerer Widerstandsfähigkeit, wie z. B. Stahl, hergestellt ist. Tritt nun eine Erwärmung an einer solchen Anordnung ein, so wird zufolge der verschiedenen thermischen Dehnungen der benachbart liegenden Gehäuseteile bei den verschiedenen Temperaturen der für die Herstellung der gegenseitigen Verbindung leichter plastisch verformbare Grundplattenteil, der den anderen Gehäuseteil umschließt, auch leichter durch diesen bis zu einem solchen Betrag verformt werden können, daß dadurch gegebenenfalls die eigentliche angestrebte gasdichte Verbindung nicht mehr mit der gleichen Güte erhalten bleibt. Dem plastisch leichter verformbaren Körper, dem Grundplattenteil, kann durch die temperaturabhängigen Dehnungen beider benachbart liegender Körper eine solche Verformung aufgezwungen worden sein, daß beim Rückgang der Temperatur eine einwandfreie Annahme der ursprünglichen Form an dem plastisch leichter verformbaren, den anderen an der mechanischen Verbindungsstelle einspannenden Körper nicht mehr gewährleistet bleibt und die Verbindungsstelle gasdurchlässig bzw. luftdurchlässig wird.

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Diese Mangelerscheinungen lassen sich bei einer pressung des Grundplattenteils und des Gehäuseteils

Halbleiteranordnung der eingangs angeführten Art für die Herstellung der gasdichten Verbindung vor-

dadurch umgehen, daß erfindungsgemäß der glocken- genommen wird. Der Grundplattenteil ist daher in

artige Teil an der gegenseitigen Verbindungsstelle der Richtung auf diejenige Oberfläche, an welcher er das

beiden Gehäuseteile den grundplattenartigen Teil der- 5 Halbleiterelement trägt, nach der gegenseitigen Ver-

art umschließt, daß zur Herstellung der gasdichten pressungsstelle bereits mit einem Teil versehen, der

Verbindung mindestens ein Teil des grundplätten- mit der inneren Mantelfläche des Gehäuseteils eine

artigen Gehäuseteils innerhalb des glockenartigen Ge- gegenseitige Führung eingeht, bevor ein z. B. koni-

häuseteils eingespannt ist. scher Teil der aus weicherem Werkstoff, wie Kupfer,

Eine solche Anordnung hat dann die vorteilhafte io bestehenden Grundplatte in die Rändelung an der

Wirkung zur Folge, daß der äußere, mechanisch inneren Mantelfläche des aus stabilerem Werkstoff,

stabilere umschließende Gehäuseteil die Dehnung des wie Stahl, bestehenden becherförmigen Gehäuseteils

grundplattenförmigen Gehäuseteils beschränkt bzw. eingepreßt wird.

begrenzt und diese bei der großen, zwischen den ein- Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand

ander z. B. in Durchmesserrichtung gegenüberliegen- 15 eines Ausführungsbeispieles wird nunmehr auf die

den Wandungsteilen des Gehäuses an dem Grund- Figuren der Zeichnung Bezug genommen,

plattenteil vorhandenen Strecke sich an dem Grund- In F i g. 1 bezeichnet 1 einen grundplattenförmigen

plattenteil leicht im Bereich der Elastizitätsgrenze Gehäuseteil, der an seiner unteren Fläche mit einem

des Werkstoffes halten läßt. Gewindebolzen 2 für die Vornahme einer Befestigung

In Weiterbildung der Erfindung kann der Grund- 20 der Halbleiteranordnung über eine Schraubverbin-

plattenteil derart aufgebaut sein, daß er in an sich dung versehen ist. Dieser Grundplattenteil 1 weist

geläufiger Weise außerdem gleichzeitig nach Art einen flanschartigen Teil 3 an seiner Mantelfläche

eines Schraubenkopfes ausgebildet ist, an welchem auf. Der Grundplattenteil 1 besteht z.B. aus Kupfer

durch Benutzung eines Schraubenschlüssels das Dreh- im Sinn eines Werkstoffes, der leichter plastisch ver-

moment für das Einschrauben der Halbleiteranord- 35 formbar als derjenige des anderen Gehäuseteil ist,

nung in einen Träger vorgenommen werden kann. der mit diesem Grundplattenteil durch eine Ver-

Dieser Schraubenkopf wird dann in axialer Richtung pressung gasdicht verbunden werden soll. Dieser

mit derjenigen Stelle, an welcher die gegenseitige gas- Grundplattenteil 1 trägt an seiner oberen Fläche über

dichte mechanische Verbindung zwischen dem eine Zwischenlage 4 aus duktilem Material, wie z. B.

glockenförmigen Gehäuseteil und dem grundplatten- 3° Silber, das Halbleiterelement 5, welches an seinen

förmigen Teil vorgenommen wird, gegen diese in beiden Enden bereits vorzugsweise mit seine mecha-

Richtung auf die Schraubverbindungsstelle versetzt nische Stabilität steigernden Hilfsträgerplatten 6

liegen. bzw. 7 aus einem Werkstoff trägt, der in seinem ther-

SoIl das Festziehen an der Schraubverbindungs- mischen Ausdehnungskoeffizienten demjenigen des stelle mittels eines Schraubenschlüssels nach Art eines 35 Werkstoffes benachbart liegt, aus dem der Halbleiter-Steckschlüssels erfolgen, so muß in diesem Fall das körper des Halbleiterelements besteht. Dies ist z. B. z.B. benutzte Sechskant derart bemessen sein, daß bei einem Halbleiterelement mit einem Halbleitersein einbeschriebener Kreis mindestens gleich dem körper aus Silizium oder Germanium Molybdän, Außendurchmesser des becherförmigen Gehäuse- Wolfram oder Tantal. Auf der oberen Fläche 7 des teils ist. 40 Halbleiterelements folgt wieder eine duktile Zwi-

Es kann auch im Rahmen einer anderen Weiter- schenlage 8, z. B. aus Silber. Auf dieser sitzt ein elekbildung der Erfindung zur Herstellung einer Schraub- trischer Anschlußkörper 9, der Pilzform hat. Ein vorverbindung unter Ausnutzung des Körpers einer gespannter Kraftspeicher, der aus den ringförmigen Halbleiteranordnung nach Art einer Kopfschraube Tellerfedern 26 besteht, stützt sich mit seinem einen nicht deren Grundplattenteil nach Art eines Schrau- 45 Ende über die isolierende, z. B. aus Glimmer bebenkopfes ausgebildet sein, sondern vielmehr der- stehende Ringscheibe 27 und die Stützringscheibe 28 jenige Gehäuseteil, der mit der Grundplatte durch gegen die innere Fläche 9 α der Pilzdachform von 9 a Verpressung verbunden ist, indem dieser an seiner und mit seinem anderen Ende gegen den Absatz 13 a äußeren Mantelfläche entsprechend nach Art eines des Gehäuseteils 13 ab. Dieser Anschlußkörper 9 ist Schraubenkopfes bzw. einer Mutter, z.B. mit einem 50 in seinem Schaftteil mit einer Aussparung 10 verVier- oder Sechskant, versehen ist. In diesem Fall ist sehen, in welches mit dem einen seiner Enden ein es sinngemäß erforderlich, daß die gegenseitige biegsamer Leiter 11 eingesetzt sowie verpreßt mechanische Verbindung zwischen dem becherförmi- oder/und verlötet ist. Das in die Aussparung 10 eingen Gehäuseteil und dem Grundplattenteil nicht nur geführte Ende des Litzenleiters 11 ist vorzugsweise eine gasdichte ist, sondern vor allen Dingen auch 55 mit einer besonderen, um dieses herumgepreßten eine solche mechanische Verbindung, über welche ein Hülse versehen, deren äußere Mantelfläche vorzugs-Drehmoment von dem becherförmigen Gehäuseteil weise für eine gegenseitige Passung mit der Ausauf den Grundplattenteil, der mit dem Schrauben- sparung 10 bemessen ist. An der Halbleiteranordnung gewindeteil versehen ist, übertragen werden kann, ist weiter der glockenartige Gehäuseteil 12 vorhanden, ohne daß dadurch die gegenseitige gasdichte Verbin- 60 Dieser besteht aus einem zylindrischen Teil 13 aus dung des Grundplattenteils und des Gehäuseteils Stahl. Dieser bildet gleichzeitig den äußeren Metallnachteilig beeinflußt werden kann. Das läßt sich da- körper einer elektrisch isolierten Durchführung, z. B. durch erreichen, daß der Grundplattenteil außer über einer Druckglasdurchführung, deren Isolierkörper mit die zur gasdichten Verbindung zusammenwirkenden 14 bezeichnet ist und deren innerer metallischer gegenseitigen Anlageflächen mit dem anderen Ge- 65 Hülsenteil die Bezeichnung 15 trägt. In das obere häuseteil zusätzlich mit diesem, z.B. über eine Ende dieses Hülsenteils 15 ist ein weiterer Hülsenteil Rändelung, noch einen gegenseitigen axialen Eingriff bzw. ein Körper 16 eingesetzt, der mit einer Auseingeht, der bereits geschaffen wird, bevor die Ver- sparung 17 versehen ist, so daß in diese das obere

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Ende des biegsamen Leiters 11 eingeführt werden becherförmigen Gehäuseteil als auch mit dem grundkann. Dieses Ende dieses Litzenleiters 11 ist Vorzugs- plattenförmigen Gehäuseteil zum gegenseitigen Einweise wieder bereits mit einer herumumpreßten Hülse griff kommt, so ist auf diese Weise die sonst notversehen, die in den Abmessungen ihrer Mantel- wendige drehfeste gegenseitige Verbindung beider fläche nunmehr der lichten Weite der Aussparung 17 5 Gehäuseteile mehr oder weniger entbehrlich,
der Hülse 16 angepaßt ist. Diese metallische Hülse Wie die Darstellungen nach den Figuren erkennen 16 besitzt an ihrem entgegengesetzten Ende eine lassen, kann es sich als zweckmäßig erweisen, den weitere Aussparung 18, in welche ein biegsamer am Umfang des Grundplattenteils ausladenden Leiter 19 eingesetzt und befestigt bzw. in dieser ver- Flansch 3 mindestens an seiner oberen Seitenfläche preßt oder/und verlötet werden kann, indem die w 3a nach außen schräg ansteigend zu gestalten und Hülse 16 über einen Teil der Strecke, über welche sinngemäß auch der Fläche von 13, welche sich sich innen der biegsame Leiter 19 erstreckt, ein ent- gegen 3 α anlegt, die gleiche Gestalt zu geben. Auf sprechender radialer Druck für ihr Zusammenpressen diese Weise sind nach der Verpressung der Grundausgeübt wird. Das untere Ende des aus Stahl be- plattenteil 1 und der Gehäuseteil 13 in einem solchen stehenden Gehäuseteils 13 endet im Ausgangszustand 15 radialen gegenseitigen Eingriff, daß bei einer Aban dem Teil 20 zunächst noch zylindrisch bzw. kühlung der beiden Gehäuseteile nach einer voraushülsenförmig, so daß dieser Gehäuseteil mit seinem gehenden Erwärmung der Gehäuseteil 13 den Grundunteren Ende über den Flansch 3 des Grundplatten- plattenteil 1 an seinem Flanschteil 3 an einer zu teils 1 hinweggeführt werden kann, bis der Absatz 3 α starken Schrumpfung in radialer Richtung hindert, sich gegen die obere Stirnfläche des Flansches 3 des 20 Zu der Rändelung 22 an dem unteren Teil der Grundplattenteils legt. Der Grundplattenteil 1 ist nun inneren Mantelfläche von 13 wird noch bemerkt, daß an demjenigen, mit 21 bezeichneten sockelartigen diese zweckmäßig derart durchgeführt wird, daß das Teil, mit welchem er in den Hohlraum von 13 ein- Rändelungswerkzeug unter einem gewissen Winkel geführt wird, zunächst derart bemessen, daß er bereits gegen die Achse des Gehäuses eingestellt ist, so daß über eine bestimmte Strecke eine gegenseitige Füh- 25 also nach dem Rand zu diese Rändelung tiefer einrung mit der inneren Mantelfläche des Teils 13 ein- gearbeitet wird. Die Folge wird sein, daß sich bei geht, bevor die nachfolgende Mantelfläche an dem dieser Rändelung der verdrängte Werkstoff nach sockelartigen Teil 21 der Grundplatte 1 zu der vom außen über den Rand der Aufsetzfläche des Gehäuse-Rand aus ihr vorausgehenden inneren Mantelfläche teils 13 auf dem Flansch 3 hinaus erheben wird, des Gehäuseteils 13 in Beziehung tritt. Dieser vor- 30 Hierdurch wird sich bei dem gegenseitigen Verausgehende Teil der inneren Mantelfläche von 13 ist pressen der beiden Gehäuseteile 13 und 1 diese heraber, wie es des näheren in der teilweisen Darstellung vortretende Rändelung in den weicheren Grundnach F i g. 2 angedeutet ist, mit einer Rändelung bzw. plattenteil 3 eingraben, wodurch die drehfeste Ver-Riffelung 22 versehen. Außerdem ist, wie die Teil- bindung der beiden Gehäuseteile unterstützt wird, darstellung der Grundplatte 1 nach F i g. 3 erkennen 35 Die gegenseitige Führung, welche der sockelartige läßt, deren sockelartiger Teil 21 nahe dem Flansch- Teil 21 von 1 und die innere Mantelfläche von 13 teil 3 der Grundplatte 1 mit einem konischen Teil 23 miteinander eingehen, bevor die Rändelung 22 von versehen, so daß also beim Zusammenführen der 13 sich in den konischen Teil 23 des Sockelteils 21 Teile 13 und 1 dieser konische Teil 23 zu der Riffe- eingräbt, wird vorzugsweise mit einer solchen gegenlung bzw. Rändelung 22 in Beziehung tritt und sich, 40 seitigen Passung ausgeführt, daß auf diese Weise eine da der Grundplattenteil 1 aus weicherem Material Sperre entsteht, welche Teilchen, die beim gegenbesteht, in die Rändelung 22 des Stahlkörpers in 23 seitigen Eingraben der Rändelung von 13 und des einpreßt, wodurch eine drehfeste gegenseitige Ver- Grundplattenteils 1 an diesem abgeschert werden, bindung von 12 und 1 geschaffen wird. Der Gehäuse- nicht in den Kammerraum der Halbleiteranordnung teil 13 ist außerdem, wie aus der F i g. 4 hervorgeht, 45 eintreten können, in welchen das Halbleiterelement 6 mit einem Sechskant 24 versehen, so daß an diesem eingeschlossen ist. Außerdem ist auch die Zwischenein Schraubenschlüssel angesetzt werden kann. lagscheibe 4 zweckmäßig noch derart gestaltet, daß

Nach der bisherigen Schilderung waren die Ge- sie als ein Schirm wirkt gegen den Zutritt irgendhäuseteile 13 und der Grundplattenteil 1 derart zu- welcher Fremdkörper zu dem Halbleiterelement 6 im sammengeführt worden, daß noch ein freier Rand des 5° Kammerraum der Halbleiteranordnung.
Gehäuseteils 13 über den Flansch 3 der Grundplatte Die vorliegende Anordnung hat gegenüber bekannhinaus auslädt. Nunmehr wird dieser freie Rand ten, bei welchen der Grundplattenteil mit einer Eindurch einen Roll- oder Drückprozeß derart mecha- drehung versehen ist, in welche der andere bechernisch nach innen um den Flanschteil 3 von 1 herum förmige Gehäuseteil eingesetzt wird, damit an dessen zur Erzeugung einer gasdichten gegenseitigen Ver- 55 Rand eine gegenseitige Verpressung mit dem Grundbindungsstelle verformt, so daß sich dann ein Aufbau plattenteil eintreten kann, den Vorzug, daß der der Anordnung ergibt, wie ihn die F i g. 1 für das Raumbedarf senkrecht zur Achsrichtung der HaIb-Zusammenwirken der Teile 1 und 13 zur Bildung leiteranordnung bzw. in radialer Richtung auf jeden einer gegenseitigen gasdichten und drehfesten Ver- Fall geringer wird, denn es ist nur noch der becherbindung zeigt. 60 artige Gehäuseteil mit seiner Ausdehnung senkrecht

Es würde auch im Rahmen einer Weiterbildung der zur Achsrichtung für den größten Raumbedarf der

Erfindung liegen, für die Ausnutzung des Körpers der Halbleiteranordnung bestimmend.

Halbleiteranordnung nach Art eines Schraubenkopfes Gegebenenfalls kann die äußere Stoßstelle zwi-

bzw. eines Mutterkörpers sowohl an dem becher- sehen der Grundplatte und dem um diese herum-

förmigen Gehäuseteil als auch an dem Grundplatten- 65 gepreßten Rand des becherförmigen Gehäuseteils aus

teil entsprechende Flächen für das Ansetzen eines vorsorglichen Gründen noch durch eine Verlötungs-

Schraubenschlüssels vorzusehen. Wenn dieser Schrau- stelle mittels eines Lotes 25 gegen eventuell ent-

benschlüssel somit gleichzeitig sowohl mit dem stehende Undichtigkeiten gesichert werden.

Claims (11)

Patentansprüche:

1. Halbleiteranordnung, bei der das Halbleiterelement in ein Gehäuse eingeschlossen ist, welches aus einem grundplattenartigen, das Halbleiterelement tragenden Teil und aus einem mit dem grundplattenartigen Teil mittels Form- und Kraftschluß gasdicht verbundenen glockenartigen Teil besteht, wobei der glockenartige Teil eine größere mechanische Festigkeit aufweist als der grundplattenartige Teil, dadurch gekennzeichnet, daß der glockenartige Teil an der gegenseitigen Verbindungsstelle der beiden Gehäuseteile den grundplattenartigen Teil derart umschließt, daß zur Herstellung der gasdichten Verbindung mindestens ein Teil des grundplattenartigen Gehäuseteils innerhalb des glockenartigen Gehäuseteils eingespannt ist.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der grundplattenartige Gehäuseteil an seiner äußeren Mantelfläche mit einem in der Umfangsrichtung geschlossenen ring- oder rahmenartigen Teil derart versehen ist, daß sich auf diesen der glockenartige Gehäuseteil nach seinem Zusammenführen mit dem grundplattenartigen Gehäuseteil aufsetzen kann und dann mit einem über diesen hinweggeführten Teil um den Rahmen- oder Ringteil herum durch plastische Verformung an diesen herangepreßt werden kann.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der grundplattenartige Gehäuseteil, in axialer Richtung gegen die Verbindungsstelle zwischen den beiden Gehäuseteilen versetzt, mit einem schraubenkopfartigen Teil, z.B. mit einem Sechskant, versehen ist.

4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der glockenartige Gehäuseteil an seiner äußeren Mantelfläche schraubenkopfartig gestaltet und gleichzeitig drehfest mit dem grundplattenartigen Gehäuseteil verbunden ist.

5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der glockenartige Gehäuseteil an seiner inneren Mantelfläche mit der Mantelfläche eines Sockels des grundplattenartigen Gehäuseteils die gegenseitige mechanische drehfeste Verbindung eingeht.

6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die innere Mantelfläche des glockenartigen Gehäuseteils an der gegenseitigen drehfesten Verbindungsstelle mit einer Rändelung oder Riffelung versehen ist, in welche sich der Sockel des grundplattenartigen Gehäuseteils beim Zusammenführen einpressen kann.

7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß der Sockel des grundplattenartigen Gehäuseteils eine konische Mantelfläche aufweist, die so gestaltet ist, daß sie, bevor sie mit der Rändelung des glockenartigen Gehäuseteils zusammenwirkt, eine gegenseitige Führung mit der Innenmantelfläche des glockenartigen Gehäuseteils eingehen kann.

8. Halbleiteranordnung nach Anspruch 6 oder 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Rändelungszone mindestens bis in die Einspannfläche des glockenartigen Gehäuseteils vorgesehen ist.

9. Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß die gegenseitige Führung zwischen dem Sockel des grundplattenartigen Teils und dem glockenartigen Gehäuseteil für die Bildung einer Sperre gegen den Zutritt von abgeriebenen Metallteilchen in den das Halbleiterelement einschließenden Kammerraum gestaltet ist.

10. Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 6 bis 9, dadurch gekennzeichnet, daß die Tiefe der Rändelung bzw. Riffelung des glockenartigen Gehäuseteils in Richtung auf die gegenseitige gasdichte Verbindungsstelle der Gehäuseteile anwächst.

11. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die für die Bildung oder/und die Erzeugung eines gegenseitigen axialen Eingriffes bereits an dem glockenförmigen Gehäuseteil vorhandene Einspannfläche derart gestaltet ist, daß eine relative Verschiebung in der Umfangsrichtung der beiden durch die Verformung des becherartigen Gehäuseteils gasdicht zusammenzuspannenden Gehäuseteile verhindert wird.

In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1 072 323,
098 102.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

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