DE2012440C3 - Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente - Google Patents

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene, scheibenförmige Halbleiterelemente, welche mit Hilfe von zwei beidseitig an das Halbleiterelement angesetzten Elektrodenblöcken gekühlt sind, wobei die Elektrodenblöcke an ihren Endflächen mit je einem ringförmigen, elastischen, metallischen Flansch verlötet sind, und diese elastischen Flansche mit entsprechenden Ringflanschen eines hohlzylindrischen Isolierkörpers verbunden sind, der das zwischen den Endflächen der Elektrodenblöcke angeordnete, scheibenförmige Halbleiterelement umschließt, bei der die Elektrodenblöcke im Bereich ihrer verjüngten Endflächen mit. dem Halbleiterelement innerhalb des hohlzylindrischen Isolierkörpers in Berührung stehen.

Eine derartige Halbleiteranordnung mit zylindrischen Elektrodenblöcken ist beispielsweise bereits durch die britische Patentschrift 10 78 779 oder durch die Zeitschrift ETZ-B, 1968, Seiten 640, 641 bekanntgeworden. Insbesondere die britische Patentschrift 10 78 779 zeigt eine Halbleiteranordnung, bei welcher die ringförmigen Flansche an den von dem Halbleiterelement abgewandten Rändern der Elektrodenblöcke angelötet sind. Weiter sind bei dieser Anordnung zusätzliche auf die Halbleiteranordnung aufgesetzte Kühlkörper vorgesehen, um eine ausreichende Kühlung erzielen zu können.

Es ist weiter bereits bekannt (siehe beispielsweise deutsches Gebrauchsmuster 18 40 026 und deutsche Patentschrift 10 42 762), scheibenförmige Halbleiterelemente zur Erzielung einer günstigen Kühlung zwischen

ίο zwei Anschlußleitungen bzw. konischen Elektrodenblöcken anzuordnen, wobei an der Berührfläche des Halbleiterelements mit den Anschlüssen bzw. konischen Elektrodenblöcken eine Schicht von Lötmittel oder einem schmiegsamen metallischen Werkstoff vorgese-

hen ist, welche einen guten thermischen Übergang ergibt In diesem Zusammenhang ist es ferner bekannt, entlang des frei liegenden Randes des scheibenförmigen Halbleiterelements eine Isolierschicht anzubringen, um das Halbleiterplättchen soweit wie möglich gegen äußere Einflüsse zu schützen.

Es ist ferner bekannt (siehe deutsche Auslegeschrift 12 76 209), ein scheibenförmiges Halbleiterelement zwischen zwei Elektrodenblöcken anzuordnen, auf welche zwei scheibenförmige Deckplatten gelegt werden, die entlang ihres Randes mit einem aus Isoliermaterial bestehenden Ring verbunden sind. Durch Auflegen von weiteren Kühlblöcken auf diese aus Metall bestehenden Deckplatten kann eine Kühlung des scheibenförmigen Halbleiterelernents erreicht werden, während gleichzeitig mit Hilfe der Deckplatten und des aus Isoliermaterial bestehenden Ringes eine gasdichte Abkapselung des scheibenförmigen Halbleiterelements erreicht wird, so daß dasselbe gegen äußere Einflüsse geschützt ist.

.'5 Da Halbleiterelemente in moderner Bauweise erhebliche Mengen von Wärme freisetzen, erweist es sich als notwendig, die seitlich auf das scheibenförmige Halbleiterelement aufgesetzten Elektrodenblöcke möglichst groß zu dimensionieren, damit der Tempera turan- stieg des scheibenförmigen Halbleiterelements in tolerierbaren Grenzen gehalten werden kann. Um somit eine gute Kühlung des Halbleiterelements zu gewährleisten, erscheint es zweckmäßig, den Durchmesser der beiden Elektrodenblöcke möglichst groß zu wählen. Da jedoch der das scheibenförmige Halbleiterelement und die beiden Elektrodenblöcke umschließende Ring aus Isoliermaterial wegen seiner Verbindung mit den auf den beiden Elektrodenblöcken aufgesetzten metallischen Deckplatten notgedrungenermaßen größer als der Durchmesser der Elektrodenblöcke gewählt werden muß, weist eine derartige Halbleiteranordnung einen relativ großen Durchmesser auf.

Demzufolge ist es Ziel der vorliegenden Erfindung, eine Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente zu schaffen, welche diesen Nachteil nicht aufweist und welche bei Verwendung von aus Isoliermaterial bestehenden Ringen mit relativ kleinem Durchmesser den Einsatz von relativ groß dimensionierten Elektrodenblöcken ermöglicht, so daß eine gute Kühlung des scheibenförmigen Halbleiterelements gewährleistet ist.

Erfindungsgemäß wird dieses dadurch erreicht, daß die Elektrodenblöcke konisch ausgebildet sind, die ringförmigen, elastischen, metallischen Flansche an die verjüngten Endflächen der konischen Elektrodenblöcke dieselben umgebend angelötet sind, und die Elektrodenblöcke in den den verjüngten lindflächen abliegenden Teilen mit größerem Durchmesser als dem der

verjüngten Endflächen an den freien Enden konisch ausgebildete vertiefte Endflächen mit einer Anzahl einstückig mit den Elektrodenblöcken ausgebildeten, aus den Endflächen aufragenden Vorsprüngen aufweisen, wobei die Vorsprünge einen kreisföitnigen Querschnitt haben und im Mittelteil einer* größeren Durchmesser als in den Randbereichen aufweisen. Mit dieser Anordnung wird eine besonders gute Konvektionskühlung erreicht

Aufgrund der Tatsache, daß die elastischen metallischen Flansche an den verjüngten Endflächen der konischen Elektrodenblöcke angelötet sind, ergibt sich die Möglichkeit, auf der einen Seite hohle zylindrische Isolierkörper zu verwenden, welche einen relativ geringen Durchmesser aufweisen, während auf der anderen Seite durch konische Ausbildung der Elektrodenblöcke eine gute Kühlung des scheibenförmigen Halbleiterelements gewährleistet ist Da der hohle zylindrische Isolierkörper ferner seitlich nicht über die Elektrodenblöcke hinausragt, ergibt sich ferner ein guter mechanischer Schutz für die an sich relativ empfindliche gasdichte Verkapselung des Halbleiterelements.

Wenn eine Flüssigkeitskühlung vorgesehen ist, erweist sich als zweckmäßig, wenn die beiden konischen Elektrodenblöcke mit kappenförmigen Deckeln versehen sind, an welche Zuführ- und Abführleitungen angeschlossen sind.

Um zu gewährleisten, daß die Übergangswiderstände zwischen dem Halbleiterelement und den Elektrodenblöcken über lange Zeiträume möglichst gering gehalten werden können, erweist es sich als vorteilhaft, wenn die Elektrodenblöcke mit Hilfe von Druckplatten und Spannelementen zusammengedrückt sind.

Die Erfindung wird klarer an Hand der folgenden ausführlichen Beschreibung von Ausführungsbeispielen, welche im Zusammenhang mit der Zeichnung erfolgt. Es zeigt

F i g. 1 einen Längsschnitt durch ein nach der Erfindung aufgebautes Halbleiterelement,

F i g. 2 einen Querschnitt des Halbleiterteilelements inFig. I₁

F i g. 3 einen Längsschnitt durch den hohlen Zylinderteil aus elektrisch isolierendem Material in F i g. 1,

Fig.4 einen Längsschnitt durch einen der Elektrodenblöcke in F i g. 1,

Fig.5 eine Draufsicht auf den Elektrodenblock in F i g. 1 und 4 und

F i g. 6 eine Seitenansicht, teilweise im Längsschnitt, einer Modifikation der Erfindung.

In Fig. 1 der Zeichnung ist ein Halbleiterelement dargestellt, welches entsprechend der Erfindung aufgebaut ist Die dargestellte Anordnung umfaßt ein allgemein mit der Bezugsziffer 10 bezeichnetes Halbleiterteilelement, einen allgemein mit der Bezugsziffer 20 bezeichneten hohlen Zylinderteil aus elektrisch isolierendem Material und ein Paar allgemein mit der Bezugsziffer 30 bezeichnete Elektrodenblöcke. Das Halbleiterteilelement 10 kann die Form einer flachen Halbleiterdiode haben, wie sie in F i g. 2 dargestellt ist. Die dargestellte Diode oder das Halbleiterteilelement 10 umfaßt ein rundes Plättchen 11 aus einem geeigneten Halbleitermaterial wie Silizium mit einander gegenüberliegenden Hauptflächen und einem abgeschrägten Umfang und enthält eine p-Schicht und eine n-Schicht, um dazwischen einen p-n-Übergang 12 zu bilden. Eine Stützplatte 13 aus einem geeigneten metallischen Material wie Molybdän oder Wolfram wird mit der Oberfläche dei p-Schicht des Plättchens 11 durch eine Lötschicht 14, z. B. aus Aluminium in ohmschen Kontakt verbunden, und eine metallische Elektrode IS ist auf die Oberfläche der η-Schicht des Plättchens 11 legiert Die Elektrode kann vorzugsweise aus Gold oder Antimon sein. Die ausgesetzte Oberfläche des Plättchens 11 aus Silizium ist natürlich einer bekannten Oberflächenbehandlung zur Stabilisierung unterzogen worden, um das Halbleiterteilelement 10 zu vollenden.

ίο Das so hergestellte Halbleiterteilelement 10 wird aus seinem Platz in dem in Fig.3 gezeigten isolierenden hohlen Zylinderteil 20 gebracht Wie dargestellt, weist der Zylinderteil 20 einen hohlen zylindrischen Isolierkörper 21, der an beiden Enden offen ist, und eine ringförmige Rippe 22 auf, welche sich radial vom Umfang des Isolierkörpers nach außen erstreckt Der hohle zylindrische Isolierkörper 21 und die ringförmige Rippe 22 sind einstückig aus einem geeigneten elektrischen Isoliermaterial, wie z. B. Keramik, geformt Der zylindrische Isolierkörper 21 hat an seinen beiden offenen Enden ein Paar ringförmige Flansche 23 angelötet, deren innerer Durchmesser im wesentlichen gleich dem des offenen Endes und deren äußerer Durchmesser etwas geringer als der Außendurchmesser der Rippe aus einem Grund ist welcher spätsr klar werden wird.

Auf den einander gegenüberliegenden Hauptflächen des Halbleiterteilelements 10 in dem isolierenden hohlen Zylinderteil 20 sind ein Paar Elektrodenblöcke 30 angeordnet, von denen einer in F i g. 4 und 5 gezeigt ist. Beide Elektrodenblöcke 30 sind im Aufbau identisch und symmetrisch in bezug auf das Halbleiterteilelement 10 angeordnet Daher wird nur einer der Elektrodenblöcke 30, z. B. der obere Elektrodenblock 30 in F i g. 1, im einzelnen beschrieben werden.

Wie in F i g. 4 gezeigt enthält der Elektrodenblock 30 ein metallisches Elektrodenelement 31, welches etwa die Form eines abgestumpften Hohlkegels hat und einen Endteil mit kleinerem Durchmesser und einer flachen Endfläche 32 sowie einen anderen Endteil 33 größeren Durchmessers aufweist, der im wesentlichen wie ein Hohlzylinder geformt ist und auf dessen Umfang eine ringförmige Vertiefung oder Rille 34 aus einem später klar werdenden Grund vorgesehen ist. Der größere Endteil 33 ist mit dem kleineren Endteil über eine kegelstumpfförmige Oberfläche 35 verbunden. Das Elektrodenelement 31 weist am größeren Ende eine zentrale Vertiefung auf, wodurch innen eine im wesentlichen konische Oberfläche 36 entsteht die zur äußeren Oberfläche 35 nahezu parallel ist Zu einem Zweck, der später klar werden wird, ragen eine Vielzahl Vorsprünge 37 im Abstand und parallel zueinander angeordnet von der inneren Oberfläche 36 zum größeren Ende des Elektrodenelements 31 und verlaufen längs des »Kegels«. Die Vorsprünge haben, wie in Fig.5 gezeigt, einen kreisförmigen Querschnitt und ragen etwas über das größere Ende des Elektrodenelements 31 hinaus. Sie weisen entsprechende Hache Endflächen 37a auf, die, wie in F i g. 4 gezeigt, in einer zur Ebene der Endfläche des größeren Endes des Elektrodenelements 31 im wesentlichen parallelen Ebene verlaufen. Wie in F i g. 5 gezeigt, sind die Vorsprünee 37 am Mittelteil der konischen Oberfläche 36 von größerem Durchmesser als jene, die am

b) Randgebiet angeordnet sind. Der Grund hierfür wird später klar werden. Das Elektrodenelement 31 und die Vorsprünge 37 können vorzugsweise einstückig aus einem geeigneten elektrisch und thermisch leitenden

Material wie Kupfer durch Gießen geformt sein.

Das Elektrodenelement 31 weist am äußeren Umfang nahe der Endfläche 32 eine ringförmige Schulter 38 auf, auf welche ein gebogener Flansch 39 oder eine Scheibe in Form eines Ringes angelötet ist. Der Flansch 39 ist aus einem geeigneten nachgiebigen metallischen Material wie Kovar (Warenzeichen) und hat einen geringeren Durchmesser als der zylindrische Endteil 33 des Elektrodenelements 31. Er hat im wesentlichen den gleichen Durchmesser wie der ringförmige Flansch 23 an dem isolierenden Zylinderteil 20. Der nachgiebige Flansch 39 kann mit dem Flansch 23 verschweißt oder anderweitig verbunden werden.

Zur Bezeichnung der Teile des oberen Elektrodenblocks 30 verwendeten Bezugszeichen sind auch dazu verwendet, die entsprechenden Teile des unteren Elektrodenblocks 30 zu bezeichnen.

Das Halbleiterelement 10, der isolierende Zylinderteil 20 und die Elektrodenblöcke 30, wie sie oben beschrieben wurden, können vorzugsweise zu einem Halbleiterelement nach F i g. 1 in folgenden Schritten zusammengestellt werden. Zuerst wird einer der Elektrodenblöcke 30, in diesem Fall der untere Block in Fig. 1, mit dem unteren Ende des Zylinderteils 20 dadurch verbunden, daß der ringförmige Flansch 39 gegen den ringförmigen Flansch 23 gestoßen und mit diesem durch Bogenschweißen mit Argon verschweißt wird. Dann wird das Halbleiterteilelement 10 in dem hohlen Zylinderteil 20 auf die flache Endfläche 32 des Elektrodenblocks 30 so aufgesetzt, daß die Stützplatte 13 des Halbleiterteilelements 10 die Endfläche 32 konzentrisch berührt. Hierauf wird der obere Elektrodenblock auf die gleiche Weise wie oben beschrieben mit dem oberen Ende des Zylinderteils 20 verbunden, um das in F i g. 1 gezeigte Halbleiterelement fertigzustellen.

In dem sich ergebenden Element haben sowohl die Elektrode 15 des Halbleiterteilelements 10 und die flache Endfläche 32 des oberen Elektrodenblocks 30 als auch die Stützplatte 13 des Halbleiterteilelements 10 und die flache Endfläche 32 des unteren Elektrodenblocks 30 je eine gemeinsame Kontaktfläche, welche infolge des Verschweißens der Flansche 23 und 39 unter einem geeigneten Druck steht. Der Druck entsteht infolge der Nachgiebigkeit des Flansches 39. Daher ist das Halbleiterteilelement 10 unter Druck zwischen den oberen und unteren Elektrodenblöcken 30 geschichtet und ist über den hohlen Zylinderteil 20 und die an dessen beiden Enden anschließenden Elektrodenblöcke hermetisch verschlossen. Auf diese Weise ist das Halbleiterteilelement 10 gleitend in einer Kammer gehalten, welche durch den Zylinderteil 20 und die Elektrodenblöcke 30 begrenzt wird.

Die Elektrodenblöcke 30 sind in innigen Kontakt mit den einander gegenüberliegenden Hauptflächen des Halbleiterteilelements 10 und stellen ein Paar Elektroden für das letztere dar, während sie gleichzeitig als Wärmeleiter für direkte Kühlung des Halbleiterteilelements 10 dienen. Das heißt, die Elektrodenblöcke 30 können z. B. durch die um die Vorsprünge 37 strömende Luft eingekühlt sein, wodurch das Halbleiterteilelement 10 wirksamer gekühlt wird. Hierdurch ist kein eigener Wärmeableiter in Druckkontakt mit dem Elektrodenblock erforderlich, wodurch keinerlei Verbindung Metall-zu-Metall im Obergangsweg der vom Halbleiterteilelement abgeführten Wärme vorhanden ist Die Wirksamkeit der Wärmeableitung ist daher wesentlich verbessert

Jeder der Elektrodenblöcke 30 weist eine kegelstumpfförmige Oberfläche 35 auf der Seite auf, welche mit dem Zylinderteil 20 verbunden werden soll. Diese kegelstumpfförmige Oberfläche 35 wirkt zur Erleichterung des Verbindungsvorgangs zwischen den Flanschen 39 und 23 durch Verschweißen. Würde man annehmen, daß der Elektrodenblock 30 im wesentlichen derart zylinderförmig ist, daß die kleinere Endfläche den Fortsatz des zylindrischen Teils am größeren Ende

ίο schneidet, so könnten die Elektrodenblöcke 30 nur mit großer Schwierigkeit mit dem isolierenden Zylinderteil 20 verbunden werden. Wenn z. B. die beiden Flansche 23 und 39 durch einen Argonschweißvorgang miteinander verbunden werden sollen, bei welchem das elektrische Bogenschweißen in einer Schutzatmosphäre aus Argon durchgeführt wird, wobei eine Schweißelektrode nahe den Flanschen angeordnet ist, so wäre das Heranführen der Schweißelektrode an die Flansche infolge der Form des Elektrodenblocks schwierig. Andererseits läßt die Außenfläche des Elektrodenblocks in Form eines Kegelstumpfes eine leichte Annäherung der Schweißelektrode an die Flansche 23 und 39 zu, wobei gleichzeitig die Überwachung des entsprechenden Schweißvorgangs erleichtert wird.

Wenn der Elektrodenblock 30 eine im wesentlichen zylindrische Form wie oben beschrieben aufweist, ist zu bemerken, daß die Umfangskante der flachen Endfläche 32 von dem Halbleiterteilelement 10 entfernt ist und daher nicht besonders zur Wärmeableitung beiträgt.

Aus diesem Grund wurde der äußere Umfang des Elektrodenblocks 30 als kegelstumpfförmige Oberfläche 35 ausgeführt, wodurch der Schweißvorgang wie oben beschrieben erleichtert wird.
Aus dem gleichen Grund sind die mittleren Vorsprünge 37, welche dem Halbleiterteilelement 10 näher liegen, mit größerem Querschnitt als die äußeren Vorsprünge ausgeführt.

Wie bereits erwähnt, liegen alle freien Endflächen 37a der Vorsprünge 37 in einer gemeinsamen Ebene. Diese

■»ο Maßnahme hat den Vorteil, daß das Halbleiterelement nach F i g. 1 zwischen ein Paar nicht gezeigter Druckplatten geschichtet werden kann. In diesem Falle liegt jede Druckplatte auf allen Endflächen 37a der Vorsprünge 37 eines Elektrodenblocks 30 auf, um eine wirksame Kontaktkraft auf den zugehörigen Elektrodenblock zu übertragen.

In F i g. 6 ist ein Halbleiterelement nach F i g. 1 gezeigt, an dessen Seitenenden je eine Abdeckvorrichtung angebracht ist, um die Elektrodenblöcke 30 mil einem Kühlmittel oder einer Flüssigkeit wie Wasser, öl oder gasförmigen Medien zwangszukühlen. Beide Abdeckvorrichtungen sind identisch im Aufbau. Daher soll nur eine der Vorrichtungen, z. B. die untere ir F i g. 6, im einzelnen beschrieben werden und die Teil« der anderen oder oberen Vorrichtungen mit der gleichen Bezugszeichen entsprechend den Teilen dei unteren Vorrichtung versehen werden. Die allgemeir mit der Bezugsziffer 50 bezeichnete Abdeckvorrichtung besteht aus einem schüsseiförmigen metallischer Deckel 51, der auf den zylindrischen Endteil 33 de! zugehörigen Elektrodenblocks, aufgesetzt ist im einzel nen weist der Deckel 51 einen kreisförmigen Bodentei 52, gegen welchen die meisten Vorsprünge 37 de: Elektrodenblocks 30 anstoßen, und einen zylindrischer Wandteil 53 auf, der an der Umfangskante de: Bodenteils 52 nach oben steht und mit Hilfe eine: O-Ringes 40 in der ringförmigen Rille 34 des Endteils 31 des Elektrodenblocks 30 dichtend aufgepaßt ist Auf dei

äußeren Oberfläche des Bodenteils 52 ist eine elektrische Klemmenplatte 54 mit einem scheibenförmigen Isolationskörper 55 auf ihrer dem Deckel 51 abgewandten Oberfläche angeordnet. Ein Taststift 56 ragt durch die Klemmenplatte 54 und ist mit seinen beiden Enden mit vorbestimmter Tiefe in Mittelvertiefungen in dem Bodenteil 52 und dem Isolierkörper 55 eingepaßt Der Isolierkörper 55 weist auf seiner der Klemmenplatten 54 abgewandten Seite einen zentralen Vorsprung 57 auf.

Um zur Kühlung der Vorsprünge 37 ein Kühlmittel durch das abgedichtete Innere des schüsseiförmigen Deckels 51 führen zu können, stehen mit dem Inneren des Deckels 51 eine Eingangsleitung 58 und eine Ausgangsleitung 59 in Verbindung.

Auf der Oberseite des Haibieiterelemenis 10-20-30 in Fig.6 sind den eben beschriebenen Teilen identische Teile angeordnet und mit den gleichen Bezugszeichen bezeichnet Die so aufgebaute Anordnung wird zwischen ein Paar Druckplatten 60 aus einem geeigneten nachgiebigen metallischen Material wie Eisen geschichtet, wobei der zentrale Vorsprung 57 an jedem Isolierkörper 55 in ein zentrales Loch in jeder Druckplatte 60 eingepaßt wird. Eine Vielzahl Gewindestangen 61 ragen in gegenseitigem Abstand zueinander durch die Druckplatten 60 an Stellen, wo sie den oberen und unteren Deckel 51 nicht berühren, und sind an den Druckplatten 60 mit Muttern 62 verschraubt, wobei jede Gewindestange von einer isolierenden Hülse 63 umgeben ist. Durch Anziehen der Muttern 62 auf den Gewindebolzen 61 werden die Druckplatten 60 fest miteinander verschraubt, was dazu führt, daß sich die Druckplatten aufeinander zu bewegen. Der Elektrodenblock 30, die Abdichtung 50, die Klemmenplatte 54 und der Isolierkörper 55 sowohl der oberen als auch der unteren Anordnung werden daher mit einer geeigneten Befestigungskraft zusammengehalten, die mit etwa 1,0 bis 1,5 Tonnen vorgewählt ist.

ίο In der in Fig.6 gezeigten Anordnung wird das Kühlmittel in das Innere des Deckels 51 durch die Eingangsleitung 58 eingeführt, um die Vorsprünge 37 zu umströmen und das Halbleiterteilelement 10 wirksam zu kühlen.

Die Erfindung hat verschiedene Vorteile. Zum Beispiel kann der Vcrbindungsflansch am Elektrodenblock leichter hermetisch mit dem isolierenden hohlen Zylinderteil, welcher das Halbleiterteilelement umgibt, verschweißt werden, während gleichzeitig die Wirksam keit der Wärmeableitung vergrößert wird. Sie ist so sehr wirksam zur Vergrößerung der Leistungsfähigkeit von Halbleiterelement. Weiter können die Vorsprünge an dem Elektrodenblock zwangsgekühlt werden, um die Wirkung der Wärmeableitung weiter zu verbessern.

Zum Beispiel ist die Erfindung statt für flache Halbleiterdioden in gleicher Weise mit anderen flachen Halbleiterteilelementen wie Leistungstransistoren und Thyristoren anwendbar.

Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

Patentansprüche:

1. Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene, scheibenförmige Halbleiterelemente, welche mit Hilfe von zwei beidseitig an das Halbleiterelement angesetzten Elektrodenblöcken gekühlt sind, wobei die Elektrodenblöcke an ihren Endflächen mit je einem ringförmigen, elastischen, metallischen Flansch verlötet sind, und diese elastischen Flansche mit entsprechenden Ringflansche eines hohlzylindrischen Isolierkörpers verbunden sind, der das zwischen den Endflächen der Elektrodenblöcke angeordnete, scheibenförmige Halbleiterelement umschließt, bei der die Elektrodenblöcke im Bereich ihrer verjüngten Endflächen mit dem Halbleiterelement innerhalb des hohlzylindrischen Isolierkörpers in Berührung stehen, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenblocke (30) konisch ausgebildet sind, die ringförmigen, elastischen, metallischen Flansche (39) an die verjüngten Endflächen (32) der konischen Elektrodenblöcke (30) dieselben umgebend angelötet sind, und die Elektrodenblöcke (30) in den den verjüngten Endflächen (32) abliegenden Teilen mit größerem Durchmesser als dem der verjüngten Endflächen (32) an den freien Enden konisch ausgebildete vertiefte Endflächen (36) mit einer Anzahl einstückig mit den Elektrodenblöcken (30) ausgebildeten, aus den Endflächen (36) auftragenden Vorsprüngen (37) aufweisen, wobei die Vorsprünge (37) einen kreisförmigen Querschnitt haben und im Mittelteil einen größeren Durchmesser als in den Randbereichen aufweisen.

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die beiden konischen Elektrodenblöcke (30) mit kappenförmigen Deckeln (51) versehen sind, an welche Zuführ- und Abführleitungen (58,59) angeschlossen sind.

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodenblöcke (30) mit Hilfe von Druckplatten (60) und Spannelementen (61 -63) zusammengedrückt sind.