DE2940571A1 - Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen - Google Patents

Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen

Info

Publication number
DE2940571A1
DE2940571A1 DE19792940571 DE2940571A DE2940571A1 DE 2940571 A1 DE2940571 A1 DE 2940571A1 DE 19792940571 DE19792940571 DE 19792940571 DE 2940571 A DE2940571 A DE 2940571A DE 2940571 A1 DE2940571 A1 DE 2940571A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
pressure contact
semiconductor
contact body
discs
semiconductor components
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19792940571
Other languages
English (en)
Inventor
Dipl.-Phys. Dieter 6840 Lampertheim Eisele
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
BBC Brown Boveri AG Germany
Original Assignee
BBC Brown Boveri AG Germany
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by BBC Brown Boveri AG Germany filed Critical BBC Brown Boveri AG Germany
Priority to DE19792940571 priority Critical patent/DE2940571A1/de
Publication of DE2940571A1 publication Critical patent/DE2940571A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71—Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72—Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/051—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body another lead being formed by a cover plate parallel to the base plate, e.g. sandwich type
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
    • H01L25/11—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/112—Mixed assemblies
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01076—Osmium [Os]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1203—Rectifying Diode
    • H01L2924/12036—PN diode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Description

  • Modul aus wenigstens zwei Halbleiterbauelementen.
  • Die Erfindung be'trifft einen Modul aus wenigstens zwei Halb.
  • leiterbauelementen, welche wenigstens einen scheibenförmigen, mindestens einen pn-Übergang aufweisenden Halbleiterkörper, welcher an jeder seiner beiden Hauptoberflächen über zwischengelegte Elektrodenteile und über Druckkontaktkörper thermisch und elektrisch druckkontaktierbar ist, ein die Ränder des Halbleiterkörpers und der Druckkontaktkörper umschließendes, zylinderringförmiges Isoliergehäuse sowie elastische Dichtungsringe zur Abdichtung des Spaltes zwischen den Druckkontaktkörpern und dem Isoliergehäuse besitzen.
  • Derartige Halbleiterbauelemente, aus denen der Modul zusammengesetzt ist, sind in den älteren deutschen Patentanmeldungen P 28 25 682.8 und P 28 38 997.1 beschrieben. Bei diesen Halbleiterelementen erfolgt die Innenraumabdichtung sowie die mechanische Halterung der Druckkontaktkörper am Isoliergehäuse mit Hilfe von elastischen Dichtungsringen.
  • Diese Dichtungsringe werden entweder mit einem Übermaß hergestellt und unter mechanischem Druck in das zylinderringförmige Gehäuse eingedrückt, oder sie bestehen aus einem expandierten Kunststoffmaterial, welches bei Erwärmung dicker wird und auf diese Weise den Spalt abdichtet.
  • Während bei dieser Art von Leistungs-Halbleiterbauelementen Abdichtung und mechanische Befestigung über elastische Dichtungsringe erfolgen, werden bei den herkömmlichen Leistungs-Halbleiterbauelementen, wie sie beispielsweise in der DE-OS 14 39 133 beschrieben sind, zu diesem Zweck elastische Bleche verwendet, die an ihrem äußeren Rand mit dem Isoliergehäuse und im Zentrum mit den Druckkontaktkörpern stoffschlüssig verbunden, z.B. verlötet werden.
  • Aus der US-PS 3 746 947 ist ein druckkontaktierbares Leistungs-Halbleiterbauelement bekannt, bei dem die Druckkontaktkörper gleichzeitig als Kühlprofil ausgebildet sind.
  • Diese US-Patentschrift zeigt auch eine Spannvorrichtung zur Erzeugung des Kontaktdrucks.
  • Aus der US-PS 3 443 168 ist ein druckkontaktierbarer Leistungsthyristor bekannt, bei dem die Druckkontaktkörper mit Hilfe von elastischen O-Ringen während der Montage in Bezug auf den Halbleiterkörper zentriert werden. Da bei diesem bekannten Thyristor das Isoliergehäuse nachträglich aus Kunststoff gespritzt wird, dienen die O-Ringe während des Spritzvorgangs gleichzeitig als Dichtung, um das Eindringen des flüssigen Kunststoffmaterials in den Innenraum zu verhindern. Auch diese Patentschrift zeigt eine Spannvorrichtung zum Erzeugen des nötigen Kontaktdrucks.
  • Aus der US-PS 3 532 941 ist es bekannt, zwei Halbleiterkörper in Serie in einem einzigen Isoliergehäuse anzuordnen.
  • Diese Serienachaltung dient dazu, die Sperrspannung des Halbleiterelements zu erhöhen, ohne die dynamischen Eigenschaften zu verschlechtern.
  • In der älteren deutschen Patentanmeldung P 28 12 700.6 ist eine Serienschaltung von zwei Halbleiterkörpern in einem einzigen Gehäuse beschrieben, wobei zwischen den beiden Halbleiterkörpern ein Druckkontaktkörper angeordnet ist, von dem eine Anschlußleitung aus dem Gehäuse herausgeführt ist und als Hauptstromanschluß dient. Bei diesem Element handelt es sich somit um einen Modul in Form einer Halbbrücke, wobei der mittlere Anschluß als Wechselspannungsanschluß, die beiden in herkömmlicher Weise mittels Druck kontaktierten Anschlüsse als Plus- bzw. Minus-Anschluß dienen. Es ist leicht einzusehen, daß das Herausführen des Mittelanschlusses aus dem Isoliergehäuse Schwierigkeiten bereitet insofern, als das Isoliergehäuse mit einer Bohrung versehen werden muß, der Stromanschluß einen dem Leistungsvermögen des Halbleiterbauelementes angepaßten Querschnitt besitzen und zusätzliche Vorrichtungen für den Anschluß der Stromzuführungsleitung besitzen muß, deren Konstruktion wieder dem Leistungsvermögen des Halbleiterbauelements angepaßt sein muß, und die Stromzuführung so gestaltet sein muß, daß sie die durch die Temperaturänderungen bedingten Ausdehnungen und Kontraktionen der Halbleiterkörper und der Druckkontaktkörper nicht behindert.
  • Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Modul aus Leistungs-Halbleiterbauelementen anzugeben, der aus einer beliebigen Zahl von Halbleiterbauelementen bestehen kann, der einfach montiert werden kann und verbesserte elektrische und thermische Eigenschaften besitzt.
  • Diese Aufgabe wird dadurch gelöst, daß je zwei Halbleiterbauelemente über einen Doppel-Druckkontaktkörper mechanisch und elektrisch miteinander verbunden sind, und daß dieser Doppel-Druckkontaktkörper als Hauptstromanschluß ausgebildet ist.
  • Damit ergeben sich die Vorteile, daß die Zahl der in einem Modul zusammengefaßten Halbleiterbauelemente beliebig hoch gewählt werden kann, daß die Montage durch die Verwendung elastischer Dichtungsringe insbesondere aus durch Erwärmung schrumpfbarem Kunststoff, wesentlich vereinfacht ist, daß die Druckkontaktkörper zwischen zwei Halbleiterbauelementen einfach zugänglich sind, sei es zum Anschluß eines Stromkabels, sei es zur Montage eines zusätzlichen Kühlkörpers, und daß die Zahl der Flächenkontakte, über die der Strom zu den Halbleitern geleitet und die in den Halbleitern enstandene Wärme abgeleitet werden muß, erheblich verringert ist.
  • Gemäß einer Weiterbildung ist der Doppel-Druckkontaktkörper wenigstens teilweise quaderförmig ausgebildet, da dadurch die Montage von zusätzlichen Kühlkörpern oder der Anschluß von Stromkabeln wesentlich erleichtert wird.
  • Vorzugsweise sind auch die äußeren Druckkontaktkörper, die an den Enden des Moduls angeordnet sind, einstückig ausgeführt und als Hauptstromanschluß für mehrere Halbleiterbauelemente ausgebildet. Es handelt sich hier um einen Modul, der beispielsweise aus zwei oder drei Halbbrücken zu einer Wechsel- bzw. Drehstrombrücke zusammengesetzt ist. Auch hier wird durch die einstückige Ausbildung der Endkörper die Wärme- und Stromleitung verbessert.
  • Zusätzlich können die äußeren Druckkontaktkörper ein Kühlprofil aufweisen. Auf diese Weise wird die in den Halbleiterkörpern gebildete und von den Endkörpern optimal abge- leitete Wärme unmittelbar an die Kühl profile und von diesen an die Umgebungsluft abgegeben.
  • Anhand der Zeichnungen soll die Erfindung in Form von Ausführungsbeispielen näher erläutert werden.
  • Es zeigen: Fig. 1 im Querschnitt einen druckkontaktierbaren Thyristor, wie er in der älteren deutschen Patentanmeldung P 28 25 682.8 beschrieben ist, wobei die Abdichtung des Innenraums sowie die Befestigung der Druckkontaktkörper mit Hilfe von elastischen Dichtungsringen erfolgt, Fig. 2 im Querschnitt eine Leistungsdiode, wie sie in der älteren deutschen Patentanmeldung P 28 38 997.1 beschrieben ist, wobei die Abdichtung des Innenraums sowie die Befestigung der Druckkontaktkörper am Gehäuse mit Hilfe von geschrumpften Kunststoffringen erfolgt, Fig. 3 einen Modul in Form einer Thyristor-Halbbrücke, Fig. 4 einen Modul in Form einer Wechselstrom-Diodenbrücke, Fig. 5 eine Draufsicht auf die Innenseite eines Kühlprofils der Figur 4.
  • In Figur 1 erkennt man einen scheibenförmigen Halbleiterkörper 1, der randseitig doppelt angeschrägt und mit einer Passivierungsschicht versehen ist. An beiden Hauptoberflächen des Halbleiterkörpers 1 liegt eine napfförmige Elektrode 2 aus duktilem Silber an, deren Rand vom Halbleiterkörper 1 abgewandt ist. In der napfförmigen Elektrode 2 liegt eine Ronde 3 aus thermisch und elektrisch leitfähigem Material, vozugsweise Molybdän. Im Anschluß an die Molybdänronde 3 befinden sich zwei Druckkontaktkörper 4, 5, vorzugsweise aus Kupfer. Die Druckkontaktkörper 4, 5 besitzen an ihrem äußeren Rand eine umlaufende Nut, in der ein ela- stischer Dichtungsring, vorzugsweise ein O---Ring 7, 8, eingelegt ist. Mit Hilfe dieser Dichtungsringe 7, 8 werden die Druckkontaktkörper 4, 5 mechanisch im Inneren eines zylinderringförmigen Isolierstoffgehäuses gehalten. Die Innenwand 6.2 des Isoliergehäuses 6 benötigt keine besondere Bearbeitung um den Halt der Dichtungsringe 7, 8 zu verbessern.
  • Das Isoliergehäuse 6 besitzt jedoch an seinem inneren Umfang oben und unten je eine Anschrägung 6.1, die das Einführen der Druckkontaktkörper 4, 5 mit vormontierten Dichtungsringen 7, 8 erleichtert.
  • Da es sich bei dem in Figur 1 dargestellten Halbleiterbauelement um einen Thyristor handelt, besitzt das Gehäuse 6 eine Öffnung, durch die ein Steuerelektrodenanschluß in das Innere des Gehäuses eingeführt wird. Der äußere Teil des Steuerelektrodenanschluß besteht aus einem Durchführungsrohr 12, an dessen äußerem Ende beispielsweise ein Löt- oder Steckanschluß angeformt ist. Zur Weiterleitung des Steuersignals dient ein isolierter Draht 11, der an seinem inneren Ende als Spirale 10 ausgebildet ist und durch eine Öffnung sowohl in der Molybdänronde 3 als auch im Silbernapf 2 auf den Halbleiterkörper 1 gedrückt wird. Zur Zentrierung der Spirale 10 dient ein Hut 9 aus Isoliermaterial, der in einer Vertiefung im Druckkontaktkörper 5 zentriert wird.
  • Figur 2 zeigt den Aufbau einer Diode. Im Unterschied zu der Ausführung der Figur 1 besitzen die Druckkontaktkörper 4, 5 keine umlaufende Nut. Das Zylinderring-Gehäuse 6 besitzt auch keine Anschrägung. Die Dichtungsringe 7, 8 bestehen aus Schlauchabschnitten aus einem vorgereckten Kunststoffmaterial. Nach dem Einsetzen der Druckkörper 4, 5 mit den aufgebrachten Dichtungsringen 7, 8 wird das Halbleiterbauelement erwärmt. Dabei entspannen sich die Kunststoffringe, verkürzen ihre Länge und vergrößern ihre Wandstärke, wodurch die Abdichtung und mechanische Halterung erreicht wird.
  • Durch Elektronenbestrahlung expandiertes Material ist an sich bekannt und auf dem Markt erhältlich. Es handelt sich dabei beispielsweise um expandierte Viton-Schläuche von der Firma Raychem, Großbritannien. Viton ist ein synthetischer Kautschuk (Fluor-Kautschuk) und zwar ein Copolimerisat aus Hexafluorpropylen und Vinylidenfluorid (siehe "Kunststoff-Lexikon" von Dr. K. Stöckert, 4. Auflage (1967), Seite 375).
  • Figur 3 zeigt einen Modul der aus zwei Halbleiterbauelementen, hier zwei Thyristoren, zusammengesetzt ist, wobei für die eigentliche Montage die anhand der Figuren 1 und 2 erläuterten Dichtungsringe aus Kunststoffmaterial verwendet werden. Das obere Halbleiterbauelemt 20 besitzt ein Isoliergehäuse 21, einen Steuerelektrodenanschluß 22 sowie einen oberen Druckkontaktkörper 23, das untere Halbleiterbauelement 30 besitzt ein Isoliergehäuse 31, einen Steuerelektrodenanschluß 32 sowie einen unteren Druckkontaktkörper 33. Die mechanische und elektrische Verbindung zwischen den beiden Halbleiterbauelementen 20, 30 erfolgt durch einen mittleren Druckkontaktkörper 19. Dieser Druckkontaktkörper 19 besteht aus einem oberen; zylindrischen Druckkontaktteil 19.2, einem unteren, ebenfalls zylindrischen Druckkontaktteil 19.3 sowie einem zentralen Druckkontaktteil 19.1, der hier als Hauptstromanschluß dient und zu diesem Zweck quaderförmig ausgebildet ist. Durch die Quaderform wird der Anschluß eines Stromkabels und gegebenenfalls eines Kühlkörpers erleichtert.
  • Der zentrale Teil 19.1 des mittleren Druckkontaktkörpers 19 kann aber auch jede andere geeignete Form erhalten.
  • Figur 4 zeigt eine aus vier IJalbleiterbauelementen 40, 50, £, 70 bestehende Wechselstrom-Diodenbrucke, die aus zwei Halbbrücken der in Figur 3 gezeigtzen Art zusammengesetzt ist. Die Verbindung der beides Halieittbauelemente 40, C ~#z#;. E"C, '0 durch @ittlere @@uchk@@tek@@örper ~ärper 15, 16 sowie deren funktion als Haupts#rc!iaflsr:##u##e entsprechen genau den entsprechenden Bauteilen der Figur 3. Die an den Encien der Halbbrücken angeordneten Druckkontaktkörper sind als Kühlkörper 17, 18 ausgebildet. Die zylindrischen Dr"ckkontaktstücke 17.2, 17.3, 18.2, 18.3 sind einstückig mit den eigentlichen Kühlprofilen 17.1, 18.1 verbunden.
  • Die Figur 5 zeigt die Draufsicht auf die Montageseite des Kühlkörpers 17. Man erkennt das Kühlprofil 17.1 und die beiden einstückig aus dem Kühlkörper 17 herausgearbeiteten, zylindrischen Druckstücke 17.2, 17.3. Da die Kühlkörper 17, 18 gleichzeitig als Hauptstromanschlüsse, in diesem Fall als Gleichstromanschlüsse dienen, müssen sie eine Einrichtung zur Befestigung von Stronikabeln besitzen. In Figur 5 ist als Beispiel eine Gewindebohrung 17.4 vorgesehen.
  • Nach dem gleichen Prinzip können auch mehr als zwei Halbleiterbauelemente mechanisch in Serie geschaltet werden.
  • Zwischen zwei benachbarten Halbleiterbauelementen wird dabei jeweils ein Doppel-Druckkontaktkörper eingesetzt. Dadurch, daß die Doppel-Druckkontaktkörper oder auch die speziellen, mit einem Kühlprofil versehenen End-Druckkontaktkörper jeweils einstückig ausgebildet sind, entfallen eine ganze Anzahl von Kontaktflächen, wodurch der Übergangswiderstand für Strom und Wärme verringert wird, so daß nicht nur ein äußerlich kompakter, sondern auch elektrisch und thermisch verbesserter Modul entsteht.

Claims (4)

  1. Ansprüche 1. Modul aus wenigstens zwei Halbleiterbauelementen (20, 30; 40, 50; 60, 70), welche wenigstens einen scheibenförmigen, mindestens einen pn-Übergang aufweisenden Halbleiterkörper (1), welche an jeder seiner beiden Hauptoberflächen über zwischengelegte Elektrodenteile (2, 3) und über Druckkontaktkörper (4, 5; 19, 23, 33; 15, 16, 17, 18) thermisch und elektrisch druckkontaktierbar ist, eine die Ränder des Halbleiterkörpers (1) und der Druckkontaktkörper (4, 5; 19, 23, 33; 15, 16, 17, 18) umschließendes, zylinderringförmiges Isoliergehäuse (6; 21, 31) sowie elastische Dichtungsringe (7, 8) zur Abdichtung des Spaltes zwischen den Druckkontaktkörpern (4, 5; 19, 23, 33; 15, 16, 17, 18) und dem Isoliergehäuse (6; 21, 31) besitzen, dadurch gekennzeichnet, daß je zwei Halbleiterbauelemente (20, 30; 40, 50;'60, 70) über einen Doppel-Druckkontaktkörper (15; 16; 19) mechanisch und elektrisch miteinander verbunden sind und daß dieser als Hauptstromanschluß ausgebildet ist.
  2. 2. Modul nach Anspruch 1; dadurch gekennzeichnet, daß der Doppel-Druckkontaktkörper (15, 16, 19) wenigstens teilweise quaderförmig ist.
  3. 3. Modul nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet daß die äußeren Druckkontaktkörper (17, 18) einstückig ausgeführt und als Hauptstromanschluß für mehrere Halbleiterbauelemente (40, 60; 50, 70) ausgebildet sind.
  4. 4. Modul nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die äußeren Druckkontaktkörper (17, 18) ein Kühlprofil (17.1, 18.1) aufweisen.
DE19792940571 1979-10-06 1979-10-06 Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen Withdrawn DE2940571A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792940571 DE2940571A1 (de) 1979-10-06 1979-10-06 Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792940571 DE2940571A1 (de) 1979-10-06 1979-10-06 Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE2940571A1 true DE2940571A1 (de) 1981-04-16

Family

ID=6082858

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792940571 Withdrawn DE2940571A1 (de) 1979-10-06 1979-10-06 Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2940571A1 (de)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3143336A1 (de) * 1981-10-31 1983-05-19 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleitergleichrichterbaueinheit
US4646130A (en) * 1983-03-11 1987-02-24 Semikron Gesellschaft Fur Gleichrichterbau Und Elektronik M.B.H. Semiconductor device for current rectification
DE3910470A1 (de) * 1988-03-31 1989-10-19 Toshiba Kawasaki Kk Leistungshalbleiter-schaltervorrichtung
EP0354454A2 (de) * 1988-08-09 1990-02-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Flache Halbleiteranordnung vom Druckkontakt-Typ
EP1840963A2 (de) 2006-03-28 2007-10-03 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3143336A1 (de) * 1981-10-31 1983-05-19 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleitergleichrichterbaueinheit
US4646130A (en) * 1983-03-11 1987-02-24 Semikron Gesellschaft Fur Gleichrichterbau Und Elektronik M.B.H. Semiconductor device for current rectification
DE3910470A1 (de) * 1988-03-31 1989-10-19 Toshiba Kawasaki Kk Leistungshalbleiter-schaltervorrichtung
EP0354454A2 (de) * 1988-08-09 1990-02-14 Kabushiki Kaisha Toshiba Flache Halbleiteranordnung vom Druckkontakt-Typ
EP0354454A3 (en) * 1988-08-09 1990-12-27 Kabushiki Kaisha Toshiba Press-contact flat type semiconductor device
EP1840963A2 (de) 2006-03-28 2007-10-03 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung
EP1840963A3 (de) * 2006-03-28 2008-07-02 SEMIKRON Elektronik GmbH & Co. KG Druck kontaktierte Anordnung mit einem Leistungsbauelement, einem Metallformkörper und einer Verbindungseinrichtung

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE602004004000T2 (de) Verbindungsstruktur für einen Supraleiter mit einem Isolator
DE7512573U (de) Halbleitergleichrichteranordnung
DE2015923A1 (de) Verbindung einer Halbleiteranord nung mit einer Stromquelle
DE1589847B2 (de) Halbleitergleichrichteranordnung
DE1079205B (de) Starkstrom-Gleichrichter
DE1963478A1 (de) Halbleitergleichrichteranordnung fuer hohe Spitzenstroeme
DE2012440C3 (de) Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente
DE2611749C3 (de) Halbleiteranordnung mit einem über Spannbolzen durch Druck kontaktierbaren Halbleiterbauelement
EP1447822B1 (de) Aktivteil für einen Überspannungsableiter
DE1248814B (de) Halbleiterbauelement und zugehörige Kühlordnung
DE2940571A1 (de) Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen
DE4011275C2 (de) Gateanschlußkörper für ein Halbleiterbauelement
DE10065495C2 (de) Leistungshalbleitermodul
DE1564107A1 (de) Gekapselte Halbleiteranordnung
DE2638909A1 (de) Halbleiteranordnung
DE2104726A1 (de) Halbleiterbauelement
DE1978283U (de) Integrierte gleichrichter-schaltungsanordnung.
DE10334354B4 (de) Anordnung, enthaltend einen Flüssigkeitskühler und ein Leistungshalbleiter-Element
DE202015102948U1 (de) Halbleiterbauelement
DE4338705A1 (de) Verbindungsstück für Stromschienen
DE3338165C2 (de) Halbleiterbaueinheit mit Halbleiterbauelementen und Montage- und Kühlvorrichtung
DE1589555B2 (de) Halbleiterbauelement
EP2790217A1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE2755404A1 (de) Halbleiteranordnung
DE3308350C2 (de) Befestigungsvorrichtung zur elektrisch isolierenden und wärmeleitenden Befestigung elektrischer Bauelemente an Kühlkörper

Legal Events

Date Code Title Description
8139 Disposal/non-payment of the annual fee