DE1589555B2 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE1589555B2
DE1589555B2 DE1967B0095566 DEB0095566A DE1589555B2 DE 1589555 B2 DE1589555 B2 DE 1589555B2 DE 1967B0095566 DE1967B0095566 DE 1967B0095566 DE B0095566 A DEB0095566 A DE B0095566A DE 1589555 B2 DE1589555 B2 DE 1589555B2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
connection conductor
plate
synthetic resin
shaped
conductor
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE1967B0095566
Other languages
English (en)
Other versions
DE1589555A1 (de
Inventor
Wolfgang Dr. 7250 Leonberg; Krusch Günther 7014 Kornwestheim; Collmer Alfred 7140 Ludwigsburg; Fellendorf Dieter 7000 Stuttgart; Fleig Artur 7000 Sillenbuch Leibfried
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE19671589553 external-priority patent/DE1589553A1/de
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority claimed from DE19671589555 external-priority patent/DE1589555C3/de
Publication of DE1589555A1 publication Critical patent/DE1589555A1/de
Publication of DE1589555B2 publication Critical patent/DE1589555B2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
    • H01L21/565—Moulds
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
    • H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
    • H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
    • H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01015—Phosphorus [P]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01057—Lanthanum [La]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Rectifiers (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit zwei Anschlußleitern, bei dem der erste Anschlußleiter einen massiven Metallsockel bildet, wobei der massive Metallsockel aus einem tellerförmigen Unterteil und aus einer einstückig mit diesem Unterteil ausgebildeten mittleren Erhöhung besteht, bei dem ein scheibenförmiger Halbleiterkörper zwischen der mittleren Erhöhung des ersten Anschlußleiters und dem zweiten Anschlußleiter festgelötet ist und bei dem eine Kunstharzmasse die mittlere Erhöhung des ersten Anschlußleiters, den äußeren Rand des scheibenförmigen Halbleiterkörpers und Teile des zweiten Anschlußleiters überdeckt.
Aus der OE-PS 2 39 310 ist bereits ein Halbleiterbauelement mit zwei metallischen Anschlußleitern bekannt, zwischen denen ein scheibenförmiger Halbleiterkörper festgelötet ist. Die beiden metallischen Anschlußleiter bilden dabei je einen Kegelstumpf und sind mittels einer torusförmigen Fassung miteinander verbunden, die aus einer isolierenden plastischen Substanz besteht.
Aus der US-PS 32 42 555 ist ein Halbleiterbauelement mit drei Anschlußleitern bekannt, von denen einer einen massiven Metallsockel bildet. Der massive Metallsockel weist eine ringförmige Erhöhung auf, die mit dem zylindermantelförmigen Flansch einer aus Metall bestehenden Deckkappe verschweißt ist. Diese Deckkappe bildet dabei zusammen mit dem massiven Metallsockel das Gehäuse des Halbleiterbauelementes.
Ferner ist aus den eingetragenen Unterlagen des DT-GM 18 65 182 ein Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art bekannt. Bei derartigen Halbleiterbauelementen wird die Kunstharzmasse dadurch angebracht, daß die miteinander verlöteten Teile des Bauelements mit Kunstharz teilweise umspritzt werden. Dabei bereitet es Schwierigkeiten, die miteinander verlöteten Teile des Bauelementes in der Spritzvorrichtung so zu zentrieren, daß die Kunstharzmasse in geeigneter Menge und in der richtigen Verteilung auf diese Teile aufgebracht wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Halbleiterbauelement der eingangs genannten Art diese Nachteile zu beseitigen.
Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe dadurch gelöst, daß an der Deckfläche des tellerförmigen Unterteils des ersten Anschlußleiters ein Zentrierring angebracht ist, der Bestandteil des tellerförmigen Unterteils ist und die Kunstharzmasse in radialer Richtung begrenzt. Dieser Zentrierring dient bei der Herstellung des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes als Anschlag in der Spritzvorrichtung. Er zentriert die miteinander verlöteten Teile des Bauelementes relativ zur Spritzvorrichtung und damit zur Kunstharzmasse und sorgt
ίο gleichzeitig dafür, daß das Kunstharz beim Umspritzen des Bauelementes von der Mantelfläche des tellerförmigen Unterteils ferngehalten wird.
Anhand eines in der Zeichnung dargestellten Ausführungsbeispiels wird die Erfindung näher erläutert. Die einzige Figur zeigt einen Leistungsgleichrichter gemäß der Erfindung im Axialschnitt.
Der in der Zeichnung dargestellte Leistungsgleichrichter besitzt einen als massiven Metallsockel ausgebildeten Anschlußleiter 1 und einen als Kopfdraht ausgebildeten Anschlußleiter 2. Die Anschlußleiter 1, 2 bestehen vorzugsweise aus Kupfer und können mit einer dünnen Nickelschicht überzogen sein. Der als massiver Metallsockel ausgebildete Anschlußleiter 1 hat im wesentlichen die Gestalt eines in der Mitte erhöhten Metalltellers, dessen tellerförmiger Unterteil mit la und dessen mittlere Erhöhung mit \b bezeichnet ist. Die mittlere Erhöhung \b hat etwa denselben Durchmesser wie der nach unten gerichtete Kopfteil 2a des Anschlußleiters 2. Zwischen der mittleren Erhöhung \b und dem Kopfteil 2a ist eine Halbleiterscheibe 6 mittels zweier Lotschichten 7, 8 festgelötet. Ferner ist der Gleichrichter nach dem Zusammenlöten der genannten Teile in der Nähe des pn-Übergangs lackiert und danach oberhalb der Deckfläche 9 des Unterteils la mit einer Kunstharzmasse umspritzt.
An der Deckfläche 9 des tellerförmigen Unterteils la des Anschlußleiters 1 ist ein Zentrierring 12 vorgesehen, welcher Bestandteil des Anschlußleiters 1 ist. Der Zentrierring 12 begrenzt die Kunstharzmasse in radialer Richtung. Beim Zusammenlöten der Teile 1, 2, 6 des Gleichrichters dient der Zentrierring 12 zum Zentrieren der zusammenzulötenden Teile. Beim Umspritzen des gelöteten und lackierten Gleichrichters mit der Kunstharzmasse 10 dient er ebenfalls zum Zentrieren und außerdem als Anschlag in der Spritzvorrichtung und verhindert dadurch, daß das Kunstharz aus dem Bereich innerhalb des Dichtrings nach außen dringt.
Dank des massiven Anschlußleiters 1 kann der Gleichrichter beim Einbau in ein Gerät zur Erhöhung seiner Wärmekapazität und Wärmeableitung in ein entsprechend ausgebildetes Kühlblech ein- oder aufgesetzt werden. Dies kann beispielsweise durch Einpressen des Anschlußleiters 1 des fertig montierten Gleichrichters in eine entsprechend bemessene Bohrung im Kühlblech oder durch Auflöten dieses Anschlußleiters auf das Kühlblech geschehen. Im zuerst genannten Falle kommt die äußere Mantelfläche 13 des tellerförmigen Unterteils la des Anschlußleiters 1 an der Bohrungswand zur Anlage. Als Anschlag dient dabei ein ringförmiger Vorsprung 14 am Anschlußleiter 1, welcher am Umfang des Unterteils la dicht oberhalb der Bodenfläche desselben angebracht ist und über die Mantelfläche 13 in radialer Richtung hinausragt. An der Mantelfläche 13 ist ferner oberhalb des Vorsprungs 14 eine Rändelung 15 angebracht, die beim Einpressen des Gleichrichters in die Bohrung des Kühlblechs für eine feste Verankerung der äußeren Mantelfläche 13 mit der Bohrungswand sorgt. Die Rändelung 15 erlaubt ferner
beim Anschlußleiter 1 und beim Kühlblech eine größere Freizügigkeit in der Materialauswahl und in den Herstellungstoleranzen.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes besteht darin, daß alle für die Montage und zum Verschließen notwendigen Funktionen in einem einzigen Teil, dem massiven Anschlußleiter 1, enthalten sind, welcher in einfacher Weise durch Fließpressen hergestellt werden kann. Weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelementes sind die einfache, leicht automatisierbare Montage seiner Einzelteile, die Möglichkeit des Belegens der Anschlußleiter 1, 2 mit Lot im Lotschwallverfahren vor dem Zusammenlöten mit der Halbleiterscheibe 6, die Möglichkeit einer einfachen Nachbehandlung des gelöteten und noch nicht verschlossenen Bauelements, ein einfaches Löten des Gleichrichters, weil auf dem Halbleiterkörper eventuell niedergeschlagene Lotdämpfe sich wieder leicht entfernen lassen, und ein einfaches Stabilisieren der elektrischen Parameter des Bauelementes, beispielsweise durch Lackieren.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (1)

  1. Patentanspruch:
    Halbleiterbauelement mit zwei Anschlußleitern, bei dem der erste Anschlußleiter einen massiven Metallsockel bildet, wobei der massive Metallsockel aus einem tellerförmigen Unterteil und aus einer einstückig mit diesem Unterteil ausgebildeten mittleren Erhöhung besteht, bei dem ein scheibenförmiger Halbleiterkörper zwischen der mittleren Erhöhung des ersten Anschlußleiters und dem zweiten Anschlußleiter festgelötet ist und bei dem eine Kunstharzmasse die mittlere Erhöhung des ersten Anschlußleiters, den äußeren Rand des scheibenförmigen Halbleiterkörpers und Teile des zweiten Anschlußleiters überdeckt, dadurch gekennzeichnet, daß an der Deckfläche (9) des tellerförmigen Unterteils (la) des eisten Anschlußleiters (1) ein Zentrierring (12) angebracht ist, der Bestandteil des tellerförmigen Unterteils (la) ist und die Kunstharzmasse (10) in radialer Richtung begrenzt.
DE1967B0095566 1967-10-31 1967-11-25 Halbleiterbauelement Granted DE1589555B2 (de)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19671589553 DE1589553A1 (de) 1965-06-26 1967-10-31 Halbleiterbauelement
DE19671589555 DE1589555C3 (de) 1967-11-25 1967-11-25 Halbleiterbauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE1589555A1 DE1589555A1 (de) 1970-07-23
DE1589555B2 true DE1589555B2 (de) 1977-01-27

Family

ID=25753330

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE1967B0095566 Granted DE1589555B2 (de) 1967-10-31 1967-11-25 Halbleiterbauelement

Country Status (5)

Country Link
DE (1) DE1589555B2 (de)
ES (1) ES359776A1 (de)
FR (1) FR1587284A (de)
GB (1) GB1251837A (de)
NL (1) NL159535B (de)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5315763A (en) * 1976-07-28 1978-02-14 Hitachi Ltd Resin sealed type semiconductor device
DE2727178A1 (de) * 1977-06-16 1979-01-04 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung
US4303935A (en) * 1977-12-13 1981-12-01 Robert Bosch Gmbh Semiconductor apparatus with electrically insulated heat sink
FR2454699A2 (fr) * 1979-01-12 1980-11-14 Sev Alternateurs Diode de puissance destinee notamment a equiper un pont redresseur d'alternateur
DE19946255A1 (de) * 1999-09-27 2001-03-29 Philips Corp Intellectual Pty Gleichrichteranordnung
FR2813442A1 (fr) * 2000-08-31 2002-03-01 Valeo Equip Electr Moteur Diode de puissance destinee a equiper le pont redresseur d'une machine electrique tournante telle qu'un alternateur pour vehicule automobile
DE102021120935B4 (de) * 2021-04-30 2023-08-10 Danfoss Silicon Power Gmbh Verfahren zum Formen eines Halbleiter-Leistungsmoduls
WO2022229279A1 (en) * 2021-04-30 2022-11-03 Danfoss Silicon Power Gmbh Semiconductor power module and method and tool for manufacturing such a module

Also Published As

Publication number Publication date
NL159535B (nl) 1979-02-15
DE1589555A1 (de) 1970-07-23
ES359776A1 (es) 1970-06-16
FR1587284A (de) 1970-03-13
NL6815470A (de) 1969-05-02
GB1251837A (de) 1971-11-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2733724C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines Halbleiterbauelements
DE4112286A1 (de) Verbesserter gleichrichter und verfahren zu seiner herstellung
DE2624666A1 (de) Mehrlagige schaltkreisanordnung und verfahren zur herstellung derselben
DE2014289A1 (de) Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung
DE1614364C3 (de) Verfahren zur Montage eines Halbleiter-Kristallelementes
EP1685594B1 (de) Einpressdiode
DE1589555B2 (de) Halbleiterbauelement
DE1589555C3 (de) Halbleiterbauelement
DE1564107A1 (de) Gekapselte Halbleiteranordnung
EP0069902A2 (de) Stromrichteranordnung
DE1941959A1 (de) Kapselaufbau fuer elektrische Schaltkreisanordnungen sowie Giessform und Verfahren zur Herstellung desselben
DE1098103B (de) Verfahren zum Einbau eines elektrischen Halbleiterelementes in ein Gehaeuse
DE102015001870A1 (de) Massedrahtverbindungsstruktur für einen Motor
DE2529789C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines Sockels aus Metall für ein Halbleiterbauelementgehäuse
DE2426113B2 (de) Thyristor-halbleiteranordnung
DE3338165C2 (de) Halbleiterbaueinheit mit Halbleiterbauelementen und Montage- und Kühlvorrichtung
DE1951291A1 (de) Halbleiterbauelement mit mindestens zwei Halbleiterkoerpern
DE1589488C3 (de) Halbleiteranordnung
DE1151324B (de) Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen
DE69203635T2 (de) Deckel für elektrische Bauelementenpackung.
DE2940571A1 (de) Modul aus wenigstens zwei halbleiterbauelementen
DE2252830C2 (de) Halbleiterbauelement mit einem Halbleiterelement in einem hermetisch geschlossenen Gehäuse
EP0170792B1 (de) Entstörkondensator dessen Anschlusslaschen mit Montierdurchbrüchen versehen sind, wobei ein Durchbruch von einem Isolierelement durchsetzt wird
DE1192322C2 (de) Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung
DE102022205764A1 (de) Abstandselement für eine leiterplattenanordnung

Legal Events

Date Code Title Description
C3 Grant after two publication steps (3rd publication)
E77 Valid patent as to the heymanns-index 1977
8320 Willingness to grant licences declared (paragraph 23)
8339 Ceased/non-payment of the annual fee