DE1589555A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents
HalbleiterbauelementInfo
- Publication number
- DE1589555A1 DE1589555A1 DE1967B0095566 DEB0095566A DE1589555A1 DE 1589555 A1 DE1589555 A1 DE 1589555A1 DE 1967B0095566 DE1967B0095566 DE 1967B0095566 DE B0095566 A DEB0095566 A DE B0095566A DE 1589555 A1 DE1589555 A1 DE 1589555A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- semiconductor component
- plate
- sealing
- designed
- metal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 21
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 26
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 21
- 241000446313 Lamella Species 0.000 claims description 9
- 239000000057 synthetic resin Substances 0.000 claims description 9
- 229920003002 synthetic resin Polymers 0.000 claims description 9
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 claims description 4
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 239000007787 solid Substances 0.000 claims description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 5
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005476 soldering Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 2
- 208000003028 Stuttering Diseases 0.000 description 1
- 229910000756 V alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229940125773 compound 10 Drugs 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005538 encapsulation Methods 0.000 description 1
- 238000001125 extrusion Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N jdtic Chemical compound C1([C@]2(C)CCN(C[C@@H]2C)C[C@H](C(C)C)NC(=O)[C@@H]2NCC3=CC(O)=CC=C3C2)=CC=CC(O)=C1 ZLVXBBHTMQJRSX-VMGNSXQWSA-N 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 1
- 239000011342 resin composition Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 1
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/56—Encapsulations, e.g. encapsulation layers, coatings
- H01L21/565—Moulds
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
- H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/42—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations selected or arranged to facilitate heating or cooling
- H01L23/433—Auxiliary members in containers characterised by their shape, e.g. pistons
- H01L23/4334—Auxiliary members in encapsulations
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
- H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01029—Copper [Cu]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01057—Lanthanum [La]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/181—Encapsulation
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
R. 9030 ■■'■ .
1.6,11.1.567 Fb/Km
1.6,11.1.567 Fb/Km
Anlage zur
Anmeld ung
Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement größerer elektrischer
Leistung mit mindestens zwei Anschlußleitern. ■
Es sind Halbleiterbauelemente mit Glas- Metall- Verschluf3 und mit;
.Künstharz- Metall- Verschluß bekannt. Werden die Halbleiterbauelemente
für eine größere' elektrische Leistung ausgelegt, so entstehen insbesondere· bei den Halbleiterbauelementen mit Kunstharz- Metall- Verschluß
Schwierigkeiten bei der Abdichtung. Außerdem ist die Herstellung der bekannten Halbleiterbauelemente der eingangs genannten
.,Art relativ aufwendig hinsichtlich des Anlötenr. der Amschlutfl ei her-
und des Verschließens* " -
Es ist eine Aufgabe der Erfindung, die Nachteile der bekannten UaLb-,leiterbauelemente
größerer elektrischer Leistung zu vermeiden. Insbesondere
ist es eine Aufgabe der Erfindung, bei Halbleiterbauelementen
der eingangs genannten Art die Herstellungskosten zu verringern und
009830/0596 '-U-
Robert Mosch~ümbIJ R go3O pb/Km
Stuttgart- · - · '
die Bauelemente so auszubilden, daß eine gute Abdichtung gegen atmosphärische
Einflüsse gewährleistet ist.
Ert'indungsgemäß wird dies bei einem Halbleiterbauelement der eingangs
genannten Art dadurch erreicht, daß einer der Anschlußleiter einen massiven Metallsockel "bildet, · welcher als in der Mitte erhöhter Metallteller
ausgebildet ist. Diese Form ermöglicht ein besonders einfaches Einpressen oder Anlöten des Halbleiterbauelements in Kühlbleche,
was zwecks Erhöhung der5 Wärmekapazität und .Wärmeableitung notwendig
sein kann. Außerdem gibt sie die Möglichkeit einer sehr einfachen'
Montage. So knnn beispielsweise der in der Mitte erhöhte Metallteller
zum Zuaammenlöten mix dem Halbleiterkörper im Lot schwallverfahr en
mit Lot vorbelegt werden, was bei becherförmig ausgebildetem Sockel
nicht möglich·wäre.
■Ό-
Eine besonders gute Wirkung wird erzielt, wenn in weiterer Jlusge- .■
staltung der Erfindung mindestens einer der Anschlußleiter eine oder mehrere
koaxial ausgebildete Dichtungsiameilen aufweist. Dabei
empfiehlt es sich, mindestens eine der Dichtungslamellen an der Mantelfläche
der mittleren Erhöhung des als Metallsockel ausgebildeten Anschlußlei-ters
anzubringen. Zweckmäßig wird diese Dichtungslamelle konusförmig ausgebildet derart, daß sie von der Deckfläche des tellerförmigen
Unterteils dieses Anschlußleiters w.egweist. Nach einer bevorzugten
Ausgestaltung der Erfindung schließt die Dichtungslamelle mit der Achse den tellerförmigen Unterteils einen Winkel von etwa 45°ein.
Anhand zweier in der Zeichnung dargestellter Ausführungsbeispiele noil die Erfindung näher erläutert werden.
Es zeigen:
Es zeigen:
Fig. 1 einen Leistungsgleichrichter gemäß der Erfindung mit Kunstharz-
Metall- Verschluß im Axialschnitt; .
Fig. 2 einen Leir.tungsgleichrichter gemäß der Erfindung mit Glas-Metall—
Verschluß im Axialüchnitt.
•C-
Der· in Kiβ. I dargestellte Leistungngle.ichrichter besitzt einen als
•nar.River MetalLsockel ausgebildete!. Anschlußleiter 1 und einen als
009830/0596
- ^- ' h. ■ COPY — 3 -
Robert Bosch Grab!! -, ηη.ΛΓί ™ /ν
Stottert ^ - Ε· 9050 Pb/Km
Kopfdraht aasgebildeten Anschlußleiter 2. Die Anschlußleiter 1, 2
bestehen vorzugsweise aus Kupfer und können mit einer dünnen Nickelschicht
überzogen sein. Der als massiver Metallsockel ausgebildete
Anschlußleiter 1 hat im wesentlichen die Gestalt eines in der Mitte
erhöhten Metalltellers, dessen tellerförmiger Unter·teil .mit 1a und
dessen mittlere iSrhöhung mit 1b bezeichnet int.. Die mittlere Erhöhung.
1b .hat .etwa denselben Durchmesser wie der nach unten gerichtete Kopfteil 2a des Änschlußleiters 2. Zwischen der mittleren Emöhung 1b und
dem Kopfteil 2& ist eine Halbleiterscheibe 6 mii;tels zweier Lotschichten
7, 8 festgelötet. Perner ist der Gleichrichter nach dem Zu-.sammenlöten
der genannten Teile in der .Nähe des pn-Hbargangs lackiert
und danach oberhalb der Deckfläche 9 des Unterteils la :nit einer Kuns-t-.harzmasse
10 umspritzt. /* .
Zur Abdichtung des Gleichrichters ist an der ManteIflache der mittleren
Erhöhung 1b des Anschlußleiters 1 eine Dichtun^slamelle 11 vorgesehen,
welche in die Kunstharzmasr.e 10 hineinragt. Die DichtungslameJLle 11
besteht aus demselben Material wie der Anschlußleiter 1 und ist Iio3t;mdteil
desselben. Die Dichtungslamelle ist von der DeckflMche 9· des
Unterteils 1a weggerichtet. Mit der Achse des Bauelements schließt die Dichtunnslamelle einen Winkel von etwa 4-j° ein. -
Die aufgrund der unterschiedlichen iVärmeausdehnun^skocl^lzictiten von
Metall und Kunstharzmasse an der ^ichtungslaraellc · TI auΓ-trei enden
radialen nruckspannun.";en bewirken eine Abdichtung derart, daß der
Gleichrichter gegenüber Temperaturwechseln, Temperaturr.ehockw und
Temperaturlugerung widerstandsfähig-.ist und dicht bleibt, so daß
Verunreinigungen, insbesondere Wasserdampf, nicht ins Innere des
Gleichrichters gelangen" und dessen Funktionsei^enschaf\en ungünstig be—
oeinflusnen können. Durch die konu.-.förmige ■ Austdldun,-; der Dichturigno
■■-■■'■'
tolamelle .11 wird dabei die'Kunstharzmasse 10 relativ zu den übrigen
·"?? Teilen des Bauelements in axialer Rieh tun.1; auch dann fixiert, wenn
"Qeine Verankerung der i-Iunstharzmasse 10 am Urnf-mg der Halbleiterscheibe
odeshalb nicht möglich irt, wsil dieser Raum mit überschüssigen L.-JCk
g ir.;.. .■
An der Deckfl^che 9 des te' lerf örmig-en Ur.tei-teils "1 ·:· dc:- Ans^Muftloiteri=
" L^t i--:;er ei:: ~i-;vring "Γ vcr.-er»·:·..·.,- -,'- : ·· ·■ ·. · ·τ cQpy
Hobort. Jjoi'.ch Gmblj -. R.9O3OFb/Km
utu t. \,{<·άτ b · '
wie di(i Dichtungulamelle 11 Bestandteil des Anschlußleifcers 1. ist. ·
Dor Dichtring 12 begrenzt der,Kunstharzmasse 10 in radialer Richtung. "
Beim Zusarnmenlöten der Teile 1,2,6 des; Gleichrichters dient der Dichtring 12 als Zentrierring. Beim Umspritzen des gelöteten und
lackierten Gleichrichters mit der Kunstharzmasoe 10 dient er als Anschlag in der Spritzvorrichtung und verhindert.dadurch, daß das Kunstharz aus dem Bereich innerhalb des Dichtrings nach außen dringt.
Dank den maoniven Anschlußleiters 1 kann der Gleichrichter beim Einbau
in ein Gerät zur Erhöhung seiner Wärmekapazität und Wärmeableitung
in ein entsprechend ausgebildetes Kühlblech ein- oder aufgesetzt werden.
Dies kann beispielsweise durch Einpressen des Anschlußleiters 1 des
fertig montierten Gleichrichters in eine entsprechend bemessene Bohrung im Kühlblech oder durch Auflöten dieses Anschlußleiters auf .,;
das K'ihlblech geschehen. Im zuerst genannten Falle.kommt die äußere
Mantelfläche 13 des tellerförmigen Unterteils-1a des Anschlußleiters
1 an der- Bohrung3,vand zur Anlage. Als Anschlag dient dabei ein ringförmiger
Vorsprung 14 am Anschlußleiter 1, welcher am Umfang des
Unterteils 1a dicht oberhalb der Bodenfläche desselben angebracht ist und über die Mantelfläche 13 in radialer Richtung hinausragt. An der
Mantelfläche 13 int ferner oberhalb des Vorsprungs 14 eine Rändelung
15'angebracht, die beim Einpressen des Gleichrichters in die Bohrung, dee
Kühlblecha für eine feste Verankerung der äußeren Mantelfläche 13
mit der Hohrungswand sorgt. Die Rändelung 15 erlaubt ferner beim Anschlußleiter
1 und beim Kühlblech eine größere Freizügigkeit in der
Materialauswahl und in den Herstellungstoleranzen.
Der in Fig.. 2 dargestellte Leistungsgleichrichter unterscheidet sich
von dem nach Fig. 1 im wesentlichen dadurch, daß -bei ihm anstelle
deis Kunstharz- Metall- Verschlusses ein Glas- Metall- Verschluß verwendet
itit. Nach dem Zusammenlöten der Halbleiterscheibe 6 mit den
AnuchluJülextern 1, 2 worden die zusammengelöteten Teile in der Nähe
den pn-iibergangs lackiert. Dann wird auf die verlöteten und lackierten ■
Teile 1,2,6 deü Gleichrichters ein Glas- Metall- Verschluß 15 aufge- .,
aetzt. Der Glas- Metall- Verschluß 15 beutehfc aus einem matallischen,
vorzugsweise eisernen Mantelteil 15a,der im wesentlichen die Gestalt
«iinea Zylindermantels hat,^ ai^ einanl· Gleisteil 15b, welcher den Boden
R-. 9030
-Robert J3puch GmbH
■·· Stuttgart· -■■"."
des Zylinders bildet, und aus einem in den Glasteil 15b eingeschmolzenen
Metallröhrchen 15c, welches aus einer Eisen- Nickel- V Legierung bestehen kann. Beim Auf -setzen des Glas- Metall- Verschluor.es
13 auf die verlöteten und in der Niihe des pn-Übergangs
lackierten Teile 1,L1,6 kommt der untere, umgebogene -"-and 15d des
Mantel beiIs 15a am Dichtring 12' zur Anlage, während der. obere, drahtform
Ige Toil ?b des Anschlußleiters 2 durch das Metallröhrchen 15c
hindurchtritt. Dann wird der Glas- Metall- Verschluß 15 mit seinem
unteren Hand 15d an der Deckfläche 9 des Unterteils 1a angeschweißt.
Die Dichtungslame Lie 11 dient -dabei zum Schutz des pn-Übergangs gegen
Sehweißspri ty.er, der Dichtring 12 als Schweiß-buckel, wobei der Dichtring
IP ein einwandfreises Dichtschweißen auch dann erlaubt, wenn der
Anschlußleiter 1 aus Kupfer und der Mantelteil 15a samt seinem unteren
Hand 15d des Glas- Metall- Verschlusses aus Eisen besteht. Anschließend
' wird:, der drahtförmige Teil 2b des Anschlußleiters 2 mit uem Metallröhrchen 15c verquetscht und/oder verschweißt und so das Bauelement
gegen atmosphärische Einflüsse abgedichtet.
Ein wesentlicher Vorteil des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements
besteht d.-iriri, daß alle für die Montage und zum Verschließen notwendigen
Punktionen in einem einzigen Teil, dem massiven Anschlußlei
ter 1, enthalten sind, welcher in einfacher Weise durch Fließpressen hergestellt werden kann. Weitere Vorteile des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements sind die einfache, leicht automatisierbure
Montage seiner Einzelteile, die Möglichkeit des Belegens der An- '
schlußl.eiter 1,2 mit Lot im Lotschwallverfahren vor dem Zusammenlöten
mit der Halbleiterscheibe 6, die .Möglichkeit einer einfachen Nachbehandlung
des gelöteten und noch nicht verschlossenen Bauelements,
ein einfachem Löten des Gleichrichters, weil auf dem Halbleiterkörper^
eventuell niedergeschlagene Lotdämpfe sich wieder leicht entfernen
lasten, und ein einfaches Stabilisieren der elektrischen
Parameter dor. Bau o\ eine nts, beispielsweise durch Lackieren.
• BAD
009830/0596
Claims (8)
1. Halbleiterbauelement größerer elektrischer Leistung mi.t mindestens
r'.wei Anschlußleitern, dadurch gekennzeichnet, uaß einer der Antfchlußleiter
einen massiven Metallsockel bildet, welcher als in der Mi tte erhöhter Metallteller ausgebildet ist.
J". Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, .daf.
mindestem* einer der Ansehlußleiler eine oder mehrere koaxial' ausgobj
Ldeto üiohtungslamellen. (11) aufweist.
3. llalblaitcrbaue Lament nach den Ansprüchen 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens eine der -Dichtungslamellen an der Mantelfläche
der mittleren Erhöhung (1b) des als äSetallsockel ausgebildeten
Anschlußleiters angebracht ist.
4. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 bis 35 dadurch gekennzeichnet,
dr-ß die an der Mantelfläche der mittleren Erhöhung (1b) angebrachte
Dichtungslamelle (11) konusförmig ausgebildet ist derart,
daß sie von.der .Deckfläche (9) des tellerförmigen Unterteils (1a)
des als Mutallsockel ausgebildeten Anschlußleiters (1) wegweist'.
5. Halbleiterbauelement nach den Ansprüchen 1 bis 4, dadurch gekennzeichnet,
da.'.· die von der Deckfläche (9) des tellerförmigen Unterteils
(la) wegweisende Diehtungslamelle (II) mit der Achse des
Unterteils (1a) einen Winkel von etwa 45° einschließt.
— 2 —
009 8 30/0596
Robert Bosch GmbH % R. 9030 Fb/Km
.- btu I tga-rt .
6. !ialbloi t.opbauel ement mit einem Kunstharz- Metall- Verschluß nach
inimli'ytens einüm der Ansprüche 2 bis 5» dadurch gekennzeichnet,
daß ο io Dich t.urigalamello (ti) in das Kunstharz hineinragt.
7. IhilhJ ei 1 civbaueiement. i'ach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
■in der ^üeokfliiche (9) des tellerförmigen Unterteils (1a) ein.
Dichtrin,'· (12) vorgesehen ist.
8. jlalbleiterbauelemert nach den Ansprüchen 1 und 7 mit einem Grlas-Metali-Ver:'Chluii
(15)f dadurch gekennzeichnet, daß der Glas-MeLaIL-Verscliluß
mit seinem aus Eisen bestehenden unteren Rand (15u) ohr:o Verwendung eines Zwischenrings aus iiisen direkt auf den
aus Kupfer beziehenden Dichtring (12) aufgeschweißt ist.
009830/0596
L e e τ s e i t e
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19671589553 DE1589553A1 (de) | 1965-06-26 | 1967-10-31 | Halbleiterbauelement |
DE19671589555 DE1589555C3 (de) | 1967-11-25 | 1967-11-25 | Halbleiterbauelement |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1589555A1 true DE1589555A1 (de) | 1970-07-23 |
DE1589555B2 DE1589555B2 (de) | 1977-01-27 |
Family
ID=25753330
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE1967B0095566 Granted DE1589555B2 (de) | 1967-10-31 | 1967-11-25 | Halbleiterbauelement |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
DE (1) | DE1589555B2 (de) |
ES (1) | ES359776A1 (de) |
FR (1) | FR1587284A (de) |
GB (1) | GB1251837A (de) |
NL (1) | NL159535B (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2733724A1 (de) * | 1976-07-28 | 1978-02-09 | Hitachi Ltd | Halbleiter-bauelement mit kunststoffkapselung |
Families Citing this family (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2727178A1 (de) * | 1977-06-16 | 1979-01-04 | Bosch Gmbh Robert | Gleichrichteranordnung |
US4303935A (en) * | 1977-12-13 | 1981-12-01 | Robert Bosch Gmbh | Semiconductor apparatus with electrically insulated heat sink |
FR2454699A2 (fr) * | 1979-01-12 | 1980-11-14 | Sev Alternateurs | Diode de puissance destinee notamment a equiper un pont redresseur d'alternateur |
DE19946255A1 (de) * | 1999-09-27 | 2001-03-29 | Philips Corp Intellectual Pty | Gleichrichteranordnung |
FR2813442A1 (fr) * | 2000-08-31 | 2002-03-01 | Valeo Equip Electr Moteur | Diode de puissance destinee a equiper le pont redresseur d'une machine electrique tournante telle qu'un alternateur pour vehicule automobile |
WO2022229279A1 (en) * | 2021-04-30 | 2022-11-03 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Semiconductor power module and method and tool for manufacturing such a module |
DE102021120935B4 (de) * | 2021-04-30 | 2023-08-10 | Danfoss Silicon Power Gmbh | Verfahren zum Formen eines Halbleiter-Leistungsmoduls |
-
1967
- 1967-11-25 DE DE1967B0095566 patent/DE1589555B2/de active Granted
-
1968
- 1968-10-29 FR FR1587284D patent/FR1587284A/fr not_active Expired
- 1968-10-30 NL NL6815470.A patent/NL159535B/xx not_active IP Right Cessation
- 1968-10-30 GB GB1251837D patent/GB1251837A/en not_active Expired
- 1968-10-31 ES ES359776A patent/ES359776A1/es not_active Expired
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2733724A1 (de) * | 1976-07-28 | 1978-02-09 | Hitachi Ltd | Halbleiter-bauelement mit kunststoffkapselung |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1251837A (de) | 1971-11-03 |
NL159535B (nl) | 1979-02-15 |
NL6815470A (de) | 1969-05-02 |
DE1589555B2 (de) | 1977-01-27 |
ES359776A1 (es) | 1970-06-16 |
FR1587284A (de) | 1970-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE2359851A1 (de) | Verfahren zum vergiessen eines metallstueckes mit einem keramikteil mittels eines lotes | |
DE1589555A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2014289A1 (de) | Scheibenförmiges Halbleiterbauele ment und Verfahren zu seiner Herstellung | |
EP0931944B1 (de) | Verbindungselement mit einer Zinn-Zink-Beschichtung | |
DE1098102B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung | |
DE2012440C3 (de) | Halbleiteranordnung für gasdicht abgeschlossene scheibenförmige Halbleiterelemente | |
DE1846705U (de) | Aufbau einer halbleiterdiodenanordnung. | |
DE2422811C2 (de) | Elektrische Entladungsröhre und Verfahren zum Befestigen einer Elektrode in einer solchen Entladungsröhre | |
EP0847062A1 (de) | Überspannungsableiter | |
DE3640801A1 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE2149614C3 (de) | Armatur für den druckdichten Anschluß eines Hochspannungskabels an ein dicht zu haltendes elektrisches Gerät | |
DE1050913B (de) | ||
DE1614630A1 (de) | Steuerbares Halbleiter-Bauelement | |
DE2725847A1 (de) | Anordnung zur druckkontaktierung einer halbleiterscheibe | |
DE1589555C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
EP0519952B1 (de) | Durchführung eines bleipoles durch den gefässdeckel von akkumulatorzellen | |
DE766053C (de) | Auswechselbare Anodendurchfuehrung fuer Metalldampfgleichrichter mit metallischer Gefaesswandung | |
DE448518C (de) | Zuleitungskabel-Kupplung fuer durch Hauben ueberdeckte elektrische Maschinen o. dgl. | |
DE1514149A1 (de) | Halbleiter-Gleichrichterzelle | |
CH231348A (de) | Elektrolytischer Kondensator mit Metallgefäss, das durch einen scheibenförmigen Körper aus Isolierstoff abgedichtet ist. | |
DE1589043C (de) | Kontaktkuhleinrichtung fur Elektro nenrohren | |
DE3337136A1 (de) | Verschlussdeckel mit durchfuehrungselement | |
DE761009C (de) | Verfahren zur Herstellung von in einem Glasgefaess vakuumdicht eingebauten elektrischen Kondensatoren | |
DE3642069A1 (de) | Kondensator mit verschlusskappe | |
DE19837141A1 (de) | Bolzen, insbes. ein Gewindebolzen für eine Kondensator-Stoßentladungs-Verschweißung und eine Schweißvorrichtung für diesen Bolzen |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
C3 | Grant after two publication steps (3rd publication) | ||
E77 | Valid patent as to the heymanns-index 1977 | ||
8320 | Willingness to grant licences declared (paragraph 23) | ||
8339 | Ceased/non-payment of the annual fee |