DE2727178A1 - Gleichrichteranordnung - Google Patents
GleichrichteranordnungInfo
- Publication number
- DE2727178A1 DE2727178A1 DE19772727178 DE2727178A DE2727178A1 DE 2727178 A1 DE2727178 A1 DE 2727178A1 DE 19772727178 DE19772727178 DE 19772727178 DE 2727178 A DE2727178 A DE 2727178A DE 2727178 A1 DE2727178 A1 DE 2727178A1
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- synthetic resin
- resin compound
- diodes
- shaped
- arrangement according
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
- H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
- H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
- H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01005—Boron [B]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01015—Phosphorus [P]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01021—Scandium [Sc]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01027—Cobalt [Co]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1203—Rectifying Diode
- H01L2924/12036—PN diode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12043—Photo diode
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10S—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10S257/00—Active solid-state devices, e.g. transistors, solid-state diodes
- Y10S257/909—Macrocell arrays, e.g. gate arrays with variable size or configuration of cells
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Rectifiers (AREA)
- Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)
Description
Die Erfindung geht aus von einer Gleichrichteranordnung nach der Gattung des Hauptanspruchs. Eine derartige Gleichrichteranordnung
ist aus den eingetragenen Unterlagen zum DT-GM 1 973 009 bekannt. Bei dieser Anordnung ist der
Abgriff als massives Gehäuseteil ausgebildet, das zum Befestigen der Halbleiterkörper mit besonderen Vorsprüngen
versehen ist. An diese Vorsprünge sind die Halbleiterkörper mit jeweils einer ihrer beiden Planseiten angelötet.
Die Halbleiterkörper sind dabei jeweils einzeln zusammen mit dem zugehörigen Vorsprung und den angrenzenden Teilen
des jeweiligen Anschlußleiters, der an die andere Planseite des betreffenden Halbleiterkörpers angelötet ist,
mit einem Mantel aus Kunstharz umgössen oder umpreßt. Diese Anordnung hat den Nachteil, daß die beiden Halbleiterkörper
jeweils einzeln mit dem Kunststoffmantel versehen werden müssen. Außerdem ist nachteilig, daß der Abgriff als massives
Gehäuseteil ausgebildet ist.
Ferner ist aus der DT-AS 1 Ο98 104 eine Gleichrichteranordnung
mit zwei zueinander in Reihe geschalteten Halbleiterdioden und einem Abgriff an der Verbindungsstelle dieser
beiden Dioden bekannt. Diese Anordnung ist in ein Gehäuse eingebaut und mit stiftförmigen, nach außen führenden Anschlußleitern
versehen.
Die erfindungsgemäße Gleichrichteranordnung mit den kennzeichnenden
Merkmalen des Hauptanspruchs hat demgegenüber den Vorteil, daß die zur Abdichtung gegen atmosphärische
Einflüsse dienende Kunstharzmasse beiden Halbleiterdioden
gemeinsam ist und den als Abgriff dienenden Anschlußleiter im Bereich um die beiden Halbleiterkörper vollständig bedeckt.
Durch die in den Unteransprüchen aufgeführten Maßnahmen sind vorteilhafte Weiterbildungen und Verbesserungen
des Gegenstandes nach dem Hauptanspruch möglich.
809881/0129
-iS~
C
Zeichnung
Vier Ausführungsbeispiele der Erfindung sind in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher
erläutert. Die Figuren 1 bis H zeigen dabei je ein Ausführungsbeispiel
im Axialschnitt. Figur 5 zeigt den als Abgriff dienenden Anschlußleiter nach den Figuren 1 und H in
der Draufsicht, Figur 6 das elektrische Schaltbild der beiden zueinander in Reihe geschalteten Dioden.
Gemäß Fig. 1 sind die beiden zueinander in Reihe geschalteten Halbleiterdioden durch die beiden übereinander angeordneten
plättchenförmigen Halbleiterkörper 1 und 2 gebildet. Die beiden Halbleiterkörper 1 und 2 sind dabei jeweils
mit einer ihrer beiden Planseiten an den als Abgriff dienenden Anschlußleiter 3 angelötet. Die äußeren Anschlüsse
der Reihenschaltung der beiden Dioden bilden die Anschlußleiter 4 und 5. An diese Anschlußleiter sind die Halbleiterkörper
1 und 2 jeweils mit ihrer anderen Planseite angelötet.
Der als Abgriff dienende Anschlußleiter 3 ist im wesentlichen drahtförmig ausgebildet, erweitert sich jedoch im Bereich
der Lötstellen zu einer ebenen, etwa kreisrunden Platte 3a (Fig. 5), so daß er an diesen Lötstellen allseitig über die Halbleiterkörper 1 und 2 hinausragt.
der Lötstellen zu einer ebenen, etwa kreisrunden Platte 3a (Fig. 5), so daß er an diesen Lötstellen allseitig über die Halbleiterkörper 1 und 2 hinausragt.
Der Anschlußleiter M ist als Kopfdraht ausgebildet und ist
mit der ebenen unteren Begrenzungsfläche seines Kopfteiles Ha mit dem Halbleiterkörper 1 verlötet. Diese Begrenzungsfläche ragt allseitig über den Halbleiterkörper 1 hinaus.
Der Anschlußleiter 5 ist als massiver Metallsockel ausgebildet
und hat im wesentlichen die Gestalt eines in der Mitte erhöhten Metalltellers, dessen tellerförmiger Unterteil mit
5a und dessen mittlere Erhöhung mit 5b bezeichnet ist. Die
809881/0129
3 9 . ''
mittlere Erhöhung 5b hat etwa denselben Durchmesser wie der nach unten gerichtete Kopfteil 4a des Anschlußleiters
und ragt allseitig über den Halbleiterkörper 2 hinaus.
Die beiden Halbleiterkörper 1 und 2 haben jeweils in ihrem
Innern mindestens einen pn-übergang, der parallel zu ihren beiden ebenen Hauptoberflächen verläuft und jeweils am
äußeren Rand des Halbleiterkörpers 1 bzw. 2 an die Halbleiteroberfläche tritt. Im Bereich um diese äußeren Ränder
ist das aus den beiden Halbleiterkörpern 1, 2 und den drei Anschlußleitern 3, 4, 5 bestehende zusammengelötete Gebilde
lackiert und danach oberhalb der Deckfläche 6 des tellerförmigen Unterteils 5a mit einer beiden Dioden gemeinsamen,
zusanunenhängenden Kunstharzmasse 7 umgössen oder umpreßt, wobei sich die Kunstharzmasse 7 bis zu einer Höhe oberhalb
des Kopfteiles 4a des Kopfdrahtes 4 erstreckt, so daß sich
eine gegen Zugbeanspruchung sichere Verankerung des Anschlußleiters 4 in der Kunstharzmasse 7 ergibt. Die Verankerung
des Anschlußleiters 5 in der Kunstharzmasse 7 wird bewerkstelligt durch eine umlaufende, schräg abstehende
Dichtungslippe 5c, die Bestandteil des Anschlußleiters 5 ist, in die Kunstharzmasse 7 hineinragt und mit der Achse
des Anschlußleiters 5 einen Winkel von etwa 45 einschließt. Bei dem als Abgriff dienenden Anschlußleiter 3 ergibt sich
eine Verankerung mit der Kunstharzmasse 7 dadurch, daß er sich im Bereich der Lötverbindungen mit den Halbleiterkörpern
und 2 zu einer ebenen, etwa kreisrunden Platte 3a erweitert.
Das Ausführungsbeispiel nach Fig. 2 unterscheidet sich von dem nach Fig. 1 dadurch, daß bei ihm der Anschlußleiter 3',
der dem Anschlußleiter 3 der Fig. 1 entspricht, innerhalb der Kunstharzmasse 7 nach oben abgebogen ist und außerhalb
der Kunstharzmasse 7 parallel zum Anschlußleiter 4 verläuft.
Die gleiche Abwandlung 3' des Anschlußleiters 3 ist auch im
Ausführungsbeispiel nach Fig. 3 enthalten. Jedoch ist dort der massive Metallsockel 5 der Figuren 1 und 2 durch ein
becherförmiges Gehäuseteil 5' ersetzt, das die Kunstharzmasse 7 von unten und seitlich umschließt. Zur Verankerung
809881/0129 _ 5 _
2727176
mit dem Kunstharz dient dort die umlaufende Dichtungslippe
5'c, die Bestandteil des becherförmigen Gehäuseteils 51 ist,
in die Kunstharzmasse 7 hineinragt und mit der Achse des becherförmigen Gehäuseteils 51 einen Winkel von etwa 45° einschließt.
Ein viertes Ausführungsbeispiel zeigt Fig. 4. Dort ist der
als Abgriff dienende Anschlußleiter 3 wie in Pig. I ausgebildet. Die beiden anderen Anschlußleiter, die die äußeren
Anschlüsse der Reihenschaltung der beiden Dioden bilden, sind hier aber abweichend von allen anderen Ausführungsbeispielen
als zwei einander völlig gleiche metallische Bolzen V und 5" ausgebildet. Abweichend von allen anderen Ausführungsbeispielen
sind auch die Mittel zur Verankerung dieser beiden Anschlußleiter ausgebildet. Diese Mittel bestehen
aus Endabschnitten 4'a und 5"c vergrößerten Durchmessers
der Bolzen 4» und 5". Die Teile 1, 2, 3, V und 5" sind in
derselben Weise wie die entsprechenden Teile der übrigen Ausführungsbeispiele verlötet, lackiert und mit der Kunstharzmasse
7 umgössen oder umpreßt.
Fig. 6 zeigt das elektrische Schaltbild der beiden zueinander in Reihe geschalteten Dioden. Dl ist dabei die im Halbleiterkörper
1 und D2 die im Halbleiterkörper 2 enthaltene Diode. Beide Dioden sind in Bezug auf ihre Durchlaßrichtung
gleichsinnig in Reihe geschaltet.
809881/0129
Claims (1)
- 272717525.5.1977 Fb/DoRobert Bosch GmbH, Stuttgart Ansprüche1. Gleichrichteranordnung mit zwei zueinander in Reihe geschalteten Halbleiterdioden und einem Abgriff an der Verbindungsstelle dieser beiden Dioden, wobei diese Dioden durch jeweils einen plättchenförmigen Halbleiterkörper gebildet sind und wobei diese beiden Halbleiterkörper, durch einen den Abgriff bildenden Anschlußleiter voneinander getrennt, übereinander angeordnet sind und mit diesem und zwei weiteren Anschlußleitern, die je einen der beiden äußeren Anschlüsse der Reihenschaltung der beiden Dioden bilden, durch Lötung verbunden sind, dadurch gekennzeichnet, daß das aus den beiden Halbleiterkörpern di2) und den drei Anschlußleitern (3,3*;Ί,Ί';5,5',5") bestehende zusammengelötete Gebilde im Bereich um die beiden Halbleiterkörper (1;2) mit einer beiden Dioden gemeinsamen, zusammenhängenden Kunstharzmasse (7) umgössen oder umpreßt ist und daß Mittel (3a,3'a;i<a,i|'a;5c,51c,5llc) zur Verankerung der drei Anschlußleiter (3,3';4,Ί';5,5',5") in der Kunstharzmasse (7) vorgesehen sind, die Bestandteil der drei Anschlußleiter (3,3';^^ ';5,5',5") sind.809881/012 9ORIGINAL INSPECTED2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der als Abgriff dienende Anschlußleiter (3,3') im wesentlichen drahtförmig ausgebildet ist und als Mittel zu seiner Verankerung in der Kunstharzmasse (7) im Bereich der Lötstellen eine plattenförmige Erweiterung (3a,3'a) aufweist.3. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer (1J,V,5") der beiden Anschlußleiter, die die äußeren Anschlüsse der Reihenschaltung der beiden Dioden bilden, als Mittel zu seiner Verankerung in der Kunstharzmasse (7) im Bereich der Lötstelle eine kopfartige Erweiterung (4a,Va,5"c) aufweist, die in die Kunstharzmasse (7) hineinragt.k. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß mindestens einer der beiden Anschlußleiter, die die äußeren Anschlüsse der Reihenschaltung der beiden Dioden bilden, als massiver Metallsockel (5) ausgebildet ist, der die Form eines in der Mitte erhöhten Metalltellers (5a,5b) hat und oberhalb der Deckfläche (6) seines tellerförmigen Unterteils (5a) mit der Kunstharzmasse (7) umgössen oder umpreßt ist, wobei als Mittel zur Verankerung des massiven Metallsockels (5) in der Kunstharzmasse (7) eine umlaufende, nach außen schräg abstehende Dichtungslippe (5c) vorgesehen ist, die Bestandteil des massiven Metallsockels (5) ist und in die Kunstharzmasse (7) hineinragt.- 3 8 0988 1/0129-X-5· Anordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß der als Abgriff dienende Anschlußleiter (31) zu seiner Verankerung in der Kunstharzmasse (7) im Bereich innerhalb dieser Masse (7) abgewinkelt ist.6. Anordnung nach Anspruch 1 oder 2 und vorzugsweise nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß einer der beiden Anschlußleiter, die die äußeren Anschlüsse der Reihenschaltung der beiden Dioden bilden, als becherförmiges Gehäuseteil (5') ausgebildet ist, das die Kunstharzmasse (7) von unten und seitlich umschließt, wobei als Mittel zur Verankerung des becherförmigen Gehäuseteils (51) in der Kunstharzmasse (7) eine umlaufende, nach innen schräg abstehende Dichtungslippe (5'c) vorgesehen ist, die Bestandteil des becherförmigen Gehäuseteils (5') ist und in die Kunstharzmasse (7) hineinragt.7. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der mit der kopfartigen Erweiterung (4a) versehene Anschlußleiter (Ό drahtförmig ausgebildet ist.8. Anordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der mit der kopf artigen Erweiterung (Va, 5"c) versehene Anschlußleiter (1J1, 5") bolzenförmig ausgebildet ist.809881 /0129
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772727178 DE2727178A1 (de) | 1977-06-16 | 1977-06-16 | Gleichrichteranordnung |
GB17956/78A GB1598895A (en) | 1977-06-16 | 1978-05-05 | Rectifier assemblies |
FR7816923A FR2394893A1 (fr) | 1977-06-16 | 1978-06-06 | Dispositif redresseur de courant |
JP7203078A JPS547273A (en) | 1977-06-16 | 1978-06-14 | Rectifier |
US06/114,835 US4328512A (en) | 1977-06-16 | 1980-01-24 | Two-element semiconductor diode rectifier assembly structure |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19772727178 DE2727178A1 (de) | 1977-06-16 | 1977-06-16 | Gleichrichteranordnung |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE2727178A1 true DE2727178A1 (de) | 1979-01-04 |
Family
ID=6011651
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19772727178 Withdrawn DE2727178A1 (de) | 1977-06-16 | 1977-06-16 | Gleichrichteranordnung |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US4328512A (de) |
JP (1) | JPS547273A (de) |
DE (1) | DE2727178A1 (de) |
FR (1) | FR2394893A1 (de) |
GB (1) | GB1598895A (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2942262A1 (de) * | 1979-10-19 | 1981-04-30 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Halbleiterbauelement |
Families Citing this family (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
FR2453500A1 (fr) * | 1979-04-04 | 1980-10-31 | Sev Alternateurs | Dispositif redresseur pour alternateur de vehicule automobile |
KR900003012Y1 (ko) * | 1986-02-21 | 1990-04-10 | 아루프스 덴기 가부시끼가이샤 | Rf 모듈레이터 |
US4987476A (en) * | 1988-02-01 | 1991-01-22 | General Instrument Corporation | Brazed glass pre-passivated chip rectifier |
DE4341269A1 (de) * | 1993-12-03 | 1995-06-22 | Bosch Gmbh Robert | Gleichrichterdiode |
US5631806A (en) * | 1995-07-31 | 1997-05-20 | Fried; Robert | Lead with slits for reducing solder overflow and eliminating air gaps in the execution of solder joints |
JPH10215552A (ja) * | 1996-08-08 | 1998-08-11 | Denso Corp | 交流発電機の整流装置とその製造方法 |
JP3894413B2 (ja) * | 2000-06-08 | 2007-03-22 | 三菱電機株式会社 | 車両用交流発電機 |
FR2813442A1 (fr) * | 2000-08-31 | 2002-03-01 | Valeo Equip Electr Moteur | Diode de puissance destinee a equiper le pont redresseur d'une machine electrique tournante telle qu'un alternateur pour vehicule automobile |
US20130075891A1 (en) * | 2011-09-23 | 2013-03-28 | Formosa Microsemi Co., Ltd. | Flip chip type full wave rectification semiconductor device and its manufacturing method |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US2516344A (en) * | 1947-07-18 | 1950-07-25 | Daniel W Ross | Rectifier |
GB673375A (en) * | 1949-06-02 | 1952-06-04 | Hobson Ltd H M | Improvements in or relating to hydraulic power units, more particularly for operating the flying controls of aircraft |
BE589773A (de) * | 1959-04-15 | 1900-01-01 | ||
FR1242208A (fr) * | 1959-05-29 | 1960-09-23 | Toho Sanken Denki Kabushiki Ka | Ensemble redresseur scellé à semi-conducteur pour redresseur métallique |
US3179855A (en) * | 1961-08-28 | 1965-04-20 | Baldwin Co D H | Mounting means for a diode assembly |
US3183407A (en) * | 1963-10-04 | 1965-05-11 | Sony Corp | Combined electrical element |
DE1973009U (de) * | 1967-04-03 | 1967-11-23 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement. |
DE1589555B2 (de) * | 1967-10-31 | 1977-01-27 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Halbleiterbauelement |
US3486084A (en) * | 1968-03-19 | 1969-12-23 | Westinghouse Electric Corp | Encapsulated semiconductor device |
US3573516A (en) * | 1969-04-23 | 1971-04-06 | Gen Electric | Rectifier bridge for use with an alternator |
DE2027598A1 (de) * | 1970-06-04 | 1971-12-09 | Siemens Ag | Halbleiterbauelement mit Kunststoff abdeckung |
US3836825A (en) * | 1972-10-06 | 1974-09-17 | Rca Corp | Heat dissipation for power integrated circuit devices |
-
1977
- 1977-06-16 DE DE19772727178 patent/DE2727178A1/de not_active Withdrawn
-
1978
- 1978-05-05 GB GB17956/78A patent/GB1598895A/en not_active Expired
- 1978-06-06 FR FR7816923A patent/FR2394893A1/fr not_active Withdrawn
- 1978-06-14 JP JP7203078A patent/JPS547273A/ja active Pending
-
1980
- 1980-01-24 US US06/114,835 patent/US4328512A/en not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE2942262A1 (de) * | 1979-10-19 | 1981-04-30 | Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart | Halbleiterbauelement |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB1598895A (en) | 1981-09-23 |
FR2394893A1 (fr) | 1979-01-12 |
JPS547273A (en) | 1979-01-19 |
US4328512A (en) | 1982-05-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
EP2606273B1 (de) | Gehäustes led-modul | |
DE1515425B2 (de) | Elektrische kupplung zum anklemmen eines feinen lackisolierten drahtes | |
DE2727178A1 (de) | Gleichrichteranordnung | |
EP0082167B1 (de) | Halbleitergleichrichter | |
DE2734571A1 (de) | Gleichrichteranordnung | |
DE102016114352A1 (de) | Kabelverbinder | |
DE1589555B2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE3837772C1 (en) | RF-proof (HF-proof) protective cap for plug connectors | |
EP1319608B1 (de) | Behälter, insbesondere Paletteninnenbehälter | |
EP1540726A1 (de) | Diode | |
DE102013222703A1 (de) | Optoelektronisches Bauelement | |
DE19753154A1 (de) | Element mit endseitigem elektrischen Verbinder sowie Verfahren zu seiner Herstellung | |
DE20306928U1 (de) | Elektromagnetische Strahlung aussendendes und/oder empfangendes Halbleiter-Bauelement und Gehäuse-Grundkörper für ein derartiges Bauelement | |
DE7730439U1 (de) | Gedruckte Leiterplatte mit einem Bauteil für ein elektrisches Gerät, insbesondere einen Rundfunkempfänger | |
DE3407446A1 (de) | Steckerkupplung mit steckersicherung | |
DE102019220002A1 (de) | Halbleitervorrichtung und elektronische vorrichtung | |
DE1589555C3 (de) | Halbleiterbauelement | |
WO2015117947A1 (de) | Optoelektronisches bauelement und verfahren zu seiner herstellung | |
DE7021578U (de) | Mehrstiftiger stecker mit einstueckig aus kunststoff gespritztem gehaeuse. | |
DE102014213574A1 (de) | LED-Modul mit einer LED | |
EP0034208A1 (de) | Leistungsdiode | |
DE3822078A1 (de) | Polabdichtung fuer elektrische akkumulatoren | |
DE1515425C (de) | Elektrische Kupplung zum Anklemmen eines feinen lackisoherten Drahtes | |
DE102004040596A1 (de) | Elektrische Vorrichtung mit einem Gehäuse und einem Kühlkörper | |
DE3244679A1 (de) | Decken -bzw. wandanschlussdose |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
8110 | Request for examination paragraph 44 | ||
8139 | Disposal/non-payment of the annual fee |