DE2027598A1 - Halbleiterbauelement mit Kunststoff abdeckung - Google Patents
Halbleiterbauelement mit Kunststoff abdeckungInfo
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- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
- H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
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- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
Description
SIEMEHS AKilEFGESELLSCHAFO) München 2, 0 4. JUN! 1970
Berlin und München Witteisbacherplatz
VPA
70/11 13
Halbleiterbauelement mit Kunststoffabdeckung
Die vorliegende Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement mit einem ein Halbleiterelement einschließenden, Boden, Wand
und Deckel aufweisenden becherförmigen Gehäuse, mit einer
Zuführungselektrode, die durch den Deckel elektrisch isoliert * hindurchgeführt ist, und mit einer Kunststoffabdeckung auf
dem Deckel, durch die das Halbleiterelement gasdicht eingekapselt ist.
Ein solches Halbleiterbauelement ist bereits Gegenstand einer
älteren Anmeldung. Das dort beanspruchte Halbleiterbauelement,
weist einen das Gehäuse abdeckenden Deckel auf, auf dem nach
dem Zusammenbau des Halbleiterbauelementes ein Kunststoff aufgebracht wird» Diese Kunststoffabdeckung hat den Zweck, das
im Inneren des Gehäuses sitzende Halbleiterelement gasdicht einzukapseln und so gegen den Einfluß der äußeren Atmosphäre
zu schützen. Da der Kunststoff meist unter Druck auf den ä
Deckel aufgebracht wird, ist es wegen der unvermeidlichen Toleranzen z»B. zwischen Deckel und Gehäusewand möglich, daß
Kunststoff in das Innere des Gehäuses eindringt und mit dem Halbleiterelement in Berührung kommt. Bei Halbleitereleraenten,
die nicht stoffschlüssig, also durch Löten oder Schweißen mit einer der Zuleitungselektroden, sondern lediglich unter
Druck mit diesen thermisch und elektrisch verbunden sind, liegt außerdem im Inneren des Gehäuses eine Feder, die die
Zuleitungselektrode und das Halbleiterelement gegen den
Gehäuseboden anpreßt, Setzt sich nun Kunststoff an der Feder ■an, so kann e3 vorkommen, daß sich im ausgehärteten Zustand
des Kunststoffes d~r Federweg und die Federkennlinie verändert.
VPA 9/110/0078 Hab/Hob 109 850/1536 - 2 -
Dies ist vorallem dann nachteilig, wenn zur Einstellung
eines bestimmten Federdruckes koine direkte Messung vorgenommen
werden kann, sondern nur über die Bestimmung des Federdruckes die Messung des Federweges möglich ist»
Die der vorliegenden Erfindung zugrundeliegende Aufgabenstellung besteht darin, ein Halbleiterbauelement der eingangs
erwähnten Gattung zu schaffen, bei dem eine einwandfreie Abdichtung des Deckels gegenüber dem Kunststoff möglich ist.
Die Erfindung ist dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel mit
einem das Halbleiterelement umgebenden Wandteil versehen ist, daß dieser Wandteil auf dem Boden des Gehäuses aufsitzt und
dort als Dichtfläche ausgebildet ist und daß Mittel vorgesehen
sind, die*Dichtflache an den Boden anpressen«
*die '
Diese Mittel bestehen vorzugsweise aus an der Gehäusewand vorgesehenen
Krallen« Zweekmäßigerweise besteht der Deckel und der Wandteil des Deckels aus elektrisch isolierendem Kunststoff.
Falls gewünscht, kann statt einer rein stoffschlüssigen Verbindung zwischen Zuleitungselektroden und Halbleiterelement
auch ein Druckkontakt oder ein sogenannter drückstabilisierter Lötkontakt verwendet v/erden. Bei einem solchen Kontakt wird
zwischen dem Deckel und der Zuführungselektrode eine Feder
vorgesehen, die sich gegen üen Deckel abstützt und die
Zuführungselektrode und das Halbleiterelement gegen den. Boden des Gehäuses preßt. Dadurch wird verhindert, daß sich die
lotachicht insbesondere bei häufig wechselnder Beanspruchung
löst.
Die Erfindung wird anhand eines Ausführungsbeispiel in Verbindung mit der Figur näher erläutert.
In der Figur ist ein Halbleiterbauelement mit einem Gehäuse 1 gezeigt. Dieses Gehäuse 1 weist einen Boden 2 und eine Wand 3
auf. Boden und Wand sind aus einem thermisch und elektrisch gut leitenden Metall z.B. aus Kupfer. Der Boden hat im durch
die Wand 3 begrenzten Teil des Gehäuses eine Sitzfläche 4?
YPA 9/110/0078 109850/1636 " -3-
auf der ein Halbleiterelement 5 angeordnet ist. Auf dem
Halbleiterelement 5 sitzt eine'Elektrode 6 auf, die mit
einer Zuführungselektrode 7 verbunden ist. Auf der Elektrode
6 liegt eine Feder 8, -die sich gegen einen Deckel 9
abstützt» Der Deckel 9 ist mit Hilfe von in der Wand des
Gehäuses vorgesehenen Krallen 10 festgespannt undtenn
dadurch nicht nach oben ausweichen. Der Deckel 9 und ein
Teil der Wand 3 des Gehäuses ist mit einer Kunststoffhülle
11 umgeben» Diese Kunststoffhülle 11 wird in der
Regel mittels einer Form unter Druck aufgebracht» Um zu
verhindern, daß der sich noch im· plastischen Zustand befindliche Kunststoff in das Innere des Gehäuses, d.h. also
in den Raum, in dem die Feder 8, die Elektrode 6 und das
Halbleiterelement 5 sitzt, eindringt, ist konzentrisch im Deckel 9 eine dicht abschließende Durchführung 14- vorgesehen.
Durch diese Durchführung erstreckt sich die Zuführungselektrode 7 nach außen und verbindet das Halbleiterelement
thermisch und elektrisch mit einem außen liegenden Stromzufuhr
ungs teil.
Um sicherzustellen, daß auch kein Kunststoff an der Außenkante
des Deckels 9 vorbei in den Innenraum eindringt, ist der Deckel 9 mit einem Wandteil 15 versehen. Dieses Wandteil
15 weist an seinem unteren Ende eine Dichtfläche 12 auf, die auf der Sitzfläche 4 des Bodens 2 aufsitzt. Durch ä
die Krallen 10 wird die Dichtfläche 12 gegen die Sitzfläche angepreßt.
Hindurch ergeben sich folgende günstige Eigenschaften des
beschriebenen Halbleiterbauelementes : Der unter Druck auf den Deckel des Halbleiterbauelementes aufgebrachte Kunststoff wird durch die Dichtfläche 12 des Wandteiles 15 am
Deckel 9 vom Inneren des Gehäuses ferngehalten. Da der
Kunststoff, wie schon oben erwähnt, unter Druck mittels
einer Form aufgebracht wird, drückt dieser auch auf die
Oberfläche des Deckels/9 und trägt so zusätzlich dazu bei;
äie Älitichtuiig, 4wisÖhen der Dichtfläche 12 und der Sitzfläche
VtA 9/110/0078 10t«5Ö/1536 >4- ~
BAD ORIGINAL
: ~ Al ι—. '
zu verbessern» Dadurch, daß der Deckel einen Wandteil aufweist, ergibt sich außerdem der Vorteil, daß der Abstand
von der Unterseite des Deckels 9 Ms zur Sitzfläche 4 sehr
genau eingehalten werden kann. Dadurch läßt sich bei bekannten Eigenschaften der Feder 8 der Druck, mit dem die
Elektrode 6 und das Halbleiterelement 5 gegen die Sitzfläche 4 des Bodens 2 gepreßt werden, sehr genau bestimmen.,
Außerdem ergibt sich der Vorteil, daß das Halbleiterelement
nicht mit Kunststoff in Berührung kommt und so jeder Einfluß
auf die elektrischen Eigenschaften des Halbleiterelementes ausgeschlossen ist»
Führt man die Krallen 10 so aus, wie in der Figur gezeigt, doho daß ihre die Oberfläche des Deckels 9 berührenden Flächen
parallel zu dieser verlaufen, hat der Deckel, dessen Außendurchmesser
kleiner als der Innendurchmesser der Gehäusewand ist, etwas seitliches Spiel» Für den Fall, daß das Halbleiterelement
an der Elektrode und diese am Boden angelötet wird, braucht man nicht allzu genau darauf zu achten, daß die zu
verlötenden Teile genau auf die Mitte des Bodens zu liegen
kommen»
Der untere Teil der Wand 3 des Gehäuses kann noch mit einer Rändelung 13 versehen sein, mittels der das Halbleiterbauelement
in eine Ausnehmung ζ.Β» eines Kühlkörpers oder eines
sonstigen tragenden Bauteiles eingepreßt werden kann.
5 Patentansprüche
1 Figur
1 Figur
VPA 9/110/0078 - 5 -
109 850/1536
BAD ORIGINAL
Claims (4)
- Patentansprücherl/) Halbleiterbauelement mit einem ein Halbleiterelement einschließenden, Boden, V/and und Deckel aufweisenden becherförmigen Gehäuse, mit einer Zuführungselektrode die durch den Deckel elektrisch isoliert hindurehgeführt ist, und mit einer Kunststaffabdeckung auf dem !Deckel-, durch die das Halbleiterelement gasdicht eingekapselt ist, dadurch gekennzeichnet, dal der Deckel (9) mit einem das Halbleiterelement (5) umgebenuen Wandteil (15) versehen ist, daß dieser · <| fandteil (15) auf dem Boden (2) des Gehäuses aufsitzt und dort als Dichtfläche (12) ausbildet ist und daß Mittel vorgesehen sind, die die Dichtfläche (12) an den Boden (2) anpressen.
- 2.) Halbleiterbauelement nach Anspruch !,dadurch ge kennzeichnet , daß die Mittel aus an der Gehäusewand (3) vorgesehenen Krallen (10) bestehen.
- 3.) Halbleiterbauelement nach Anspruch 1,dadurch gekennzeichnet, daß der Deckel (9) und der Wandteil (15) des Deckels aus elektrisch isolierenden Kunststoff gesteht.
- 4.) Halbleiterbauelement nach einem dor Ansprüche 1 bis 3} ; dadurch gekennzeichnet, daß zwischen dem Deckel (9) und der Elektrode (6) eine Feder (8) sitzt, die sich gegen den Deckel abstützt und die !Elektrode (6) und das Halbleiterelement (5) gegen den Boden (2) des Gehäuses preßt. '■VPA 9/110/0078 - 6 -BAD ORIGINAL109850/15305°) Halbleiterbauelement nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet , daß die Krallen (10) die Oberfläche des Deckels (9) berührende Flächen aufweisen, die wenigstens annähernd parallel zur Oberfläche des Deckels (9) liegen, und daß der Außendurchmeeser des Deckels (9) kleiner als der Innendurchmesser der Gehäusewand (3) ist»VPA 9/110/0078109850/1536
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