DE1564665A1 - Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer solchen - Google Patents

Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer solchen

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DE1564665A1 DE19661564665 DE1564665A DE1564665A1 DE 1564665 A1 DE1564665 A1 DE 1564665A1 DE 19661564665 DE19661564665 DE 19661564665 DE 1564665 A DE1564665 A DE 1564665A DE 1564665 A1 DE1564665 A1 DE 1564665A1
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Description

-I APR. 1969 SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT München 2,
Witteisbacherplatz 2
PA 66/1485
Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer solchen
Die Erfindung bezieht sich auf die Verbesserung des Aufbaus
von elektrischen Halbleiteranordnungen und auf ein Verfahren
zum Herstellen einer solchen Halbleiteranordnung.
Die Halbleiteranordnung kann dabei eine elektrisch nichtsteuerbare oder eine elektrisch steuerbare sein. Sie kann also den elektrischen Aufbau eines Flächengleichrichters, eines Flächentransistors oder eines elektrischen Halbleiterstromtores bzw. Thyristors haben, also im letzteren Falle einen Halbleiterkörper mit mindestens vier aufeinanderfolgenden Zonen abwechselnd entgegengesetzten elektrischen Leitungstyps im Sinne eines pnpn-bzw. npnp-Systems aufweisen» wobei,
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Unterlagen (Art. 7 ä I AJs. 2 Nr. 1 Satz 3 des Änderungsfles v. 4. 9.19671
PLA 56/UO5
in der Arbeitsweise der Anordnung begründet, die äusseren Zonen gegenüber den inneren Zonen mit einer höheren Störstellenkonzentration dotiert sind·
Der Halbleiterkörper kann dabei aus Silizium, aus Germanium oder
aus einer intermetallischen Verbindung, wie z. B. einer A111By-
er
Verbindung, bestehen, so daß/also In der Lage ist» mit einer relativ großen Stromdichte zu arbeiten bzw· mit einer solchen betrieben werden kann.
Ziel der Erfindung ist die Sohaffung einer Halbleiteranordnung mit Druokkontaktübergängen mindestens zwischen den Endflächen des Halbleiterelements und den metallischen aussehe elektrische Anschlußkontaktflächen liefernden Anteilen eines das Halbleiterelement gasdicht einschließenden Gehäuses, und zwar bei gedrängten Aufbau, also für gerings äuseere Abmessungen und bei einer einfach zu erzeugenden, jedoch betriebsmäßig stabilen gegenseitigen elektrieoh isolierenden mechanischen Verbindung der Gehäuseanteile·
Dieses Ziel läßt sich erreichen, indem bei einer elektrischen Halbleiteranordnung, deren Halbleiterelement in ein gasdichtes Gehäuse zur Bildung einer Druckkontaktberührung mit äussere elektrische Anschlußkontaktflächen liefernden metallischen Gehäuseanteilen eingesetzt ist, erfindungsgemäß das Halbleiterelement mit freien Endflächen von den Halbleiterkörper zwischen die inneren Flächen von unter Einhaltung des erforderlichen gegenseitigen elektrischen
V. . η . v .7
Isolationeabetandes aneinander herangeführten metallischen Gehäuseanteilen eingesetzt let» und indem die gegenseitige mechanische
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Verbindung dieser Gehäuseanteile sowie ihre gegenseitige elektrische Distanzierung und die Schaffu-ng eines erforderlichen au eseren
elektrischen Kriechwege a ewieohen den. Genauteanteilen abweichenden elektrischen Potentiale aus einen sohmelibarea., in geschmolzenem Zustand thixotropen und dann auehärtbarem Kunststoff gebildet ist·'
Bin eoloher Kunetstoff 1st z. B. unter den Handelsnaften Araldit-E-Form Serie 1700 von der Firma OXBA9 Basel beziehbar.
Im Rahmen dieses grundsätzlichen Erfindungegedankens können Gehäuseanteile von verschiedenartigen Formgebung'Senutzt werden. So können die Gehäuseanteile plane Körper sein. Die Gehäuseanteile können jedoch auch konkave Körper sein, die «it ihren konkaven Flächen einander zugewandt angeordnet sind. Unter diese konkaven Form würde : sinngemäß auch eine Beoherform fallen. Ferner können jedoch auoh im Rahmen der Erfindung sowohl mindestens ein konkaver Körper und mindestens ein planer Körper als Gehäuseanteile benutzt werden. Zwischen die miteinander su verbindenden Stellen der Gehäuse anteile wird nach deren gegenseitiger räumlioher Zuordnung dann jeweils ein Körper aus thixotropen schmelzbaren Kunststoff in obigen Sinne
gebracht» d. h., ein Körper, der in schmelzflüssigen Zustand, trotzer
dem/eine gute Benetzung mit dem tfaohbarkörper eingeht, noch nicht die Eigenart ,hat, daß er von si oh aus wegfließt, sondern vielmehr ein solches fegfließen erst bei einer zusätzlichen Krafteinwirkung auf den KunstStoffkörper erfolgt. Diese Krafteinwirkung kann eine besondere äuseere Kraft sein, Sie kann aber auch selbst bereite ausreichend gegeben sein durch die Masse des Körpers,auf welche die Erdbeschleunigung wirkt bzw. durch das Eigengewicht des Körpers bzw.
Kunststoffe·. BADORiGINM
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- 3 ■ - . Kü/fcal
Um bei einer solchen Halbleiteranordnung eine eindeutige gegenseitige Zuordnung des eingeschlossenen Halbleiterelements und der dieses einschließenden Gehäuseanteile zu erreichen, sollte eine Vorsorge getroffen sein, daß eine solche gegenseitige Lagesicherung erreicht wird, bevor der gasdichte Abschluss des Gehäuses zwischen seinen Anteilen vorgenommen wird·
Dieser Effekt läßt sich dadurch erreichen, daß das Halbleiterelement an seiner Mantelfläche mit der inneren Mantelfläche eines der metallischen Gehäuseanteile oder beider Gehäuseanteile zusammenwirkt f wobei gegebenenfalls eine entsprechende elektrische Zwischenisolation sinngemäß benutzt wird«
Werden plane Gehäuseanteile benutzt, so läßt sich eine solche Lageorientierung ebenfalls erreichen, indem man einen am Halbleiterelement vorgegebenen Mantelkörper entweder unmittelbar mit geeignet gestalteten, dem Halbleiterelement ,zugewandten Fläohen der metallischen Gehäuseanteile zusammenwirken läßt oder indem Randteile an diesen Gehäuseteilen benutzt werden als Lageorientierungsmittel für den zwischen die Gehäuseanteile einzubringenden, zunächst als festen Körper eingesetzten thixotropen schmelzbaren Kunststoffkörper und dieser mit seiner inneren Mantelfläche/des Halbleiter-
, „ . . . . - zur Lageorientierung
körpers ausgenutzt wird.
Es besteht bereits für den Aufbau eines Halbleiterelemente der Vor-
sohlag, wonach der eigentliche Halbleiterkörper mit seinen eindoc
ο tierten Bereiohen zwischen metallischen Ansohlußkörpern eingeordnet
j^J ist, die Über ihre freien Endfläohen für eine Druckkontakt berührung o mit den Innenflächen der metallischen Gehäuseanteile zusammenwirken, und wobei für das Zusammenhalten dieses Systems aus dem Halbleiter-
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körper und den beiden Endanschlußkörpern., ein Hülsenkörper außen ^vv auf daa geschiohtete System aufgebracht ist, der selbstverständlich aus .Isoliermaterial bestehtf mindestens an seiner den genannten' (Peilen zugewandten Fläche, und der dabei vorzugsweise aus einem Schrumpfschlauch hergestellt sein kann· Dieser Schrumpf sohlauühkörpe r kann also z. B. als derjenige Anteil des Halbleiterelemente benutzt werden, der über seine äussere Mantelfläche mit der Innenmantelfläche eines oder mehrerer der metallischen Gehäuseanteile zusammenwirkt.
Dieser'besondere Hülsenkörper für den Zusammenhalt der Einzelteile des Halbleiterelements' kann aber gleichzeitig auch im Falle seiner Herstellung aus einem nachgiebigen Werkstoff bzw· mit nachgiebigen Stirnteilen für die Bildung einer Dichtungsstelle zwischen diesem Hülsenkörper und der inneren Fläche der Gehäuoeanteile benutzt werden
Der Schrumpfschlauch z. B. wird in diesem Falle mit einer etwas größeren Länge bemessen als die Sohlohtungshöhe aus dem Halbleiterkörper und den an ihm anliegenden Endansohlußkörpern beiträgt, so daß er also über beide Stirnflächen des Halbleiterelementθ etwas herausragt· Beim Einsetzen eines solchen Halbleiterelements mit einem solchen Schrumpfschlauch werden sich die stirnseitigen Bänder des Schrumpfschlauehes gegen die inneren Flächen der Gehäuseanteile legen, bevor diese inneren Flächen der Gehäuseanteileanteile zur gegenseitigen Anlage mit den freien Endflächen der Endansohlußkörper des Halbleiterelemente kommen. Eine in dieser Weise zusammengestellte Halbleiteranordnung ist also an den späteren Druckkontaktberührungsfläohen bereits geschützt gegen den Zutritt irgendeines Mittels, z, B. gegen ein Hinzufließen des iri den thixotrop en Schmelzzustand gebrachten Körpers aus Kunststoff·
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- 5 - Kü/Sal
Dieser HUlsenkörper des Halbleiterelements läßt sich auch unmittelbar für eine Lageorientierung der Endflächen des Halbleiterelea* gegenüber den Fläohen der Genauβeanteile ausnutzen, wenn ein solcher
beispielsweise Genaueeanteil an der Innenfläche/mit entsprechenden erhabenen Narben bzw· Erhebungen versehen wird, z.B. mit drei solchen um 120° in der umfangsrichtung gegeneinander versetzten Narben, die auf einem dem Hüleenkörper umbeschriebenen Kreis derart liegen, daß der zylinrisohe Hülsenkörper zwischen diese Karben eingesetzt und auf den jeweiligen metallischen Gehäuseanteil aufgesetzt bzw· an diesem zur Anlage gebracht werden kann.
Es könnte für eine solche Lageorientierung jedoch auch die Stirnfläche des Hülsenkörpers entsprechend gestaltet sein, z. B. durch Einarbeitung einer entsprechenden Rille, die dann bei der Zusammenstellung der Halbleiteranordnung auf solche genannten erhabenen Narben aufgeschoben wird.
wie angeführt,
Es kann jedoch/auch ein solcher Gehäuseanteil an seinem äusseren Hand mit einem in der Achsrichtung des Gehäuseanteiles abgebogenen Handteil versehen werden, der dann als Lageorientierung für den einzusetzenden Körper aus thixotropen schmelzbaren Kunststoff benutzt wird, wobei dieser Kunststoffkörρer dann über seine Innere Mantelfläche mit dem Halbleiterelement lageorientierend zusammenwirkt.
An einer Druckkontaktberührungestelle ist es wichtig, damit sowohl unter'rein elektrischen Gesichtepunkten für einen Stromübergang möglichst geringen elektrischen Widerstandes ale auch für einen thermischen übergang möglichst geringen Widerstandes, nämlich für die Abführung der am Halbleiterelement betriebsmäßig anfallenden Joulesehen Wärme ebenfalls ein möglichst geringer Wärmeflußwiderstand entsteht, daß zwischen den aneinander zur Anlage kommenden
Endkontaktkörρem des Halbleiterelements und des Gehäuseteiles eine gute flächige Anlage zur Entstehung gelangt. Es werden daher zweckmäßig Endkörper aus einem duktilen anpassungsfähigen Werkstoff bzw. mindestens mit solchen Endteilen benutzt, die z. B. aus Silber oder Kupfer bestehen können, Als geeignet kann sich die Anwendung von Endkontaktanschlußkörpern erweisen, die aus einem . porösen gesinterten metallischen Körper bestehen, wobei dann der Grad der benutzten Porosität in Verbindung mit den übrigen Eigenschaften des benutzten Metalles die Anpassungsfähigkeit dieses Körpers bzw« der entsprechenden Körper bestimmen. Es muß allerdings dabei eine solche Abstimmung der Eigenschaften dieser Endansohlußkörper nach Werkstoff und Porositätegrad stattfinden, daß es nicht zu einem selbsttätigen Fließen dieser Anschlußkörper im festigkeitstechnischen Sinne kommen kann·
Zur näheren Erläuterung der Erfindung anhand einiger Ausführungsbeispiele wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
In Figur 1 besteht das Halbleiterelement, z. B. für einen Diodenaufbau aus einem Siliziumhalbleiterkörper 1 mit entsprechenden eindotierten Bereichen und Anschlußelektroden an den Oberflächen, wobei diese Anschlußelektroden durch einlegierte Elektrodenmaterialkörper oder durch auf eindiffundierte Bereiche am Halbleiterkörper aufgebrao-hte besondere bzw. abgeschiedene metallische Beläge gebildet sein können, und wobei mit jeder dieser Oberflächen je einer der elektrischen Anschlußkörper 2 und 3» z. B. aus einem porösen gesinterten metallischen Vierkstoff, wie Kupfer mit einer Dichte von etwa 90$ ©der aus einer geeigneten legierung zusammenwirkt, und wobei diese Teile durch «inen auf die Mantelflächen der Endansohlußkörp@r 2 und 3 aufgebrachten Mantelkörper bzw. Schrumpf-
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schlauch 4 aus einem geeigneten Kunststoff, wie z. B. aus einem Silikon zusammengehalten sind. Dieses Halbleiterelement (1 bis 4) sitzt mit der unteren Endkontaktfläohe des einen Anschlußkörpers 3 auf der inneren Bodenfläche des pfannenförmigen metallischen Gehäuseanteiles 5, von dessen Band ein Flanschteil radial nach aussen ausladet. Über die äussere Mantelfläche des Halbleiterelementβ bzw. des Schrumpfschlauche 4 ist mit seiner öffnung nach unten ein becherförmiger metallischer Gehäuseanteil 6 aufgeschoben bzw. gestülpt, der sich mit seiner inneren Bodenfläche gegen die obere Endfläche des Halbleiterelements legt. Auf die obere Fläche des Flanschteils des metallischen Gehäuseanteils 5 ist ein Ringkörper aus einem thixotropen schmelzbaren Kunststoff 7 aufgelegt, welcher gleichzeitig den metallischen Gehäuseanteil 6 außen umschließt· Diese Gehäuseanteile können dabei z· B. aus verzinnten Kupferfolien bestehen bzw. hergestellt sein.
Figur 1 zeigt die Teile mit für die Veranschaulichung gewählten Abmessungen zunächst nach ihrer Zusammenstellung· Diese Zusammenstellung wird nunmehr einem Erwärmungsprozeß z. B, bei etwa 120° c unterworfen, so daß der Kunststoff in den geschmolzenen Zustand gebracht wird, in welchem seine Thixotropic ausgenutzt werden kann. Zufolge dieser Eigenschaft wird der Kunststoff, wie es nunmehr die Figur 2 der Zeichnung veranschaulicht, zwar unter dem Einfluß der auf ihn wirkenden Schwerkraft in einen flüssigen Zustand übergehen, jedoch bei guter Benetzung der entsprechenden anteiligen Obero flächenbereiche der beiden Gehäuseanteile von diesen Flächen nioht
oo wegfließen, sondern nur eine zusammengehaltene Form entsprechend
° der in Figur 2 mit 71 bezeichneten annehmen, mit welcher Form er ^ dann ausgehärtet wird. Die freie Oberfläche von 71 bestimmt dann die
ο zwischen den an abweichenden elektrischen Spannungswerten liegenden metallischen Gehäuseanteilen bzw. elektrischen Polen der Diode an der
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äuseeren Oberfläche der Halbleiteranordnung gewährleistete elektrische Kriechweglänge·
Die äusseren Bodenflächen der metallischen für ihre Nachgiebigkeit bemessenen Gehäuseanteile bilden die elektrischen Anschlußkontaktflächen für die Einordnung der Halbleiteranordnung über Druckberührungskontaktein einen elektrischen Stromlauf. Bei dieser Einordnung werden sie in eine solche Einspannvorrichtung eingesetzt) daß dadurch ein einwandfreies gegenseitiges Anpressen der Flächen der Endanschlußkontaktkörper an die entsprechenden inneren Gegenfläohen der metallischen Gehäuseanteile und des Halbleiterkörpers ergibt und zufolge des nachgiebigen Charakters der Endanschlußkörper eine gute flächige Anpassung zwischen den genannten Flächen entsteht.
Bei der Ausführung nach den Figuren 1 und 2 sind also zwei metallisol: Gehäuseanteil« von konkaver Formgebung benutzt, die mit ihren konkaven Flächen einander zugewandt, angeordnet sind.
Nach der Zusammenstellung gemäß dem weiteren Ausführungsbeispiel nach Figur 3» in welcher für die bereits in der Ausführung naah den Figuren 1 und 2 vorhandenen Teile die gleichen Bezugszeichen beibehalten worden sind, ist in Abweichung von dieser Ausführung statt des einen konkaven Gehäuseanteiles ein Gehäuseanteil 8 von im wesentlichen planer Formgebung benutzt. Dieser Gehäuseanteil weist lediglich noch einen äusseren in der Achsrichtung abgebogenen bzw* angesetzten Bandteil 9 auf, um einen Sitz für zentriertes Einsetzen des Kunst; st offkör ρ er s 10, des von diesem umschlossenen Gehäuseteils 6 und des in diesem angeordneten Halbleiterelements (1 bis 4) zu gewinnen, und um gleichzeitig eine größer« Haftfläohe
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zwischen dem Kunststoff und dem Gehäuseanteil 8 bzw. eine anteilige Haftfläche auch in der axialen Riohtung der Halbleiteranordnung zu schaffen.
Diese Zusammenstellung ist also noch sinngemäß zu erwärmen, damit der Kunststoff eine Benetzung mit den metallischen Gehäuseanteilen eingeht und den gasdichten Abschluß am Gehäuse der Halbleiteranordnung zwischen diesen Gehäuseanteilen schafft·
Bei der weiteren beispielsweisen Ausführung nach Figur 4 der
Zeichnung sind als metallische Gehäuseanteile zwei gegenläufig mit iiiren offenen Seiten gegeneiander geführte pfannenförmige Gehäuseanteile 11 und 12 benutzt, zwischen deren radial ausladenden Planschteilen der Kunststoffkörper 13 eingesetzt ist. Bei dieser Ausführung ist gleichzeitig der am Halbleiterelement den Halbleiterkörper und dessen Endanschlußkörper umsohließende Mantelkörper oder Schrumpfschlauch 14 mit einer etwas größeren Länge bemessen als bei der Aueführung nach den Figuren 1 und 2 und als die reine Schichtungshöhe der umschlossenen Einzelteile des Halbleiterelements beträgt, so daß also die Stirnflächen des Schlauches 14 sich gegen die inneren Flächen der Gehäuseanteile 11 und 12 nach Art von Dichtungskörpern andrücken, und somit dieser Mantelkörper bzw. dieser Schlauch 14 zusammen mit den anteiligen inneren Flächen der Gehäuseanteile 11 und 12 bereite eine dichte Kapselung für das Halbleiterelement bildet.
Nach Figur 5 sind als metallische Gehäuseanteile lediglich plane Körper 15 und 16 benutzt· Um dabei eine Lageorientierung zwischen lern Halbleiterelement und dienen Gehäueeanteilen sowie dem Kunst-
- 10- KttVHal
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lbb4DOJ 44 PLA 66/1485
/1 22 unä 23 mit der Aussenmantelfläche des Kunststoffkörpers
stoffkörper 17 zu sjohaffen, sind in die Genauseanteile auf einem dem Mantelkörper bzw. Schlauch 14 umbeschriebenen Kreis liegende Kerben bzw. Erhebungen 18 bzw. 19 an den Gehäuseanteilen vorgesehen, so daß diese Kerben ausaen über das Ende des Mantelkörpers 14 des Halbleiterelements aufgeschoben werden können und der Kunststoffkörper 17 ausäen auf diese Kerben aufgeschoben werden kann·
Bei der weiteren Lösung naoh Figur 6 sind zwei im wesentlichen plane metallische Genaueeanteile 20 und 21,jedooh mit axial abgebogenen Rändern 22 bzw· 23 benutzt. Wird diese Anordnung aus ihren Einzelteilen zusammengestellt, so ergibt sich eine gegenseitige Lageorientierung der Einzelteile, indem die Bänder/17 zusammenwirken und ferner die innere Mantelfläche desselben auf die äussere Mantelfläche des Mantelkörpers <4 derart lageorientierend wirkt, daß dadurch eine bestimmte erwünschte Lage zwischen den Endflächen der Anschlußkontaktkörper 2 und 3 des Halbleiterelements und den inneren Flächen der metallischen Crehäuseanteile gesichert ist·
In den Figuren 2 bis 6 besteht zunächst zwischen den Endflächen der Endanschlußkörper 2 und 3 und den inneren Flächen der metallischen Gehäuseanteile noch ein gewisser Zwischenraum, der jedoch dann in Wegfall kommt in der Zusammenstellung, wenn auf diese an den Außenflächen der Halbleiteranordnung in axialer Richtung ein derartiger Druck ausgeübt wird, daß die inneren Flächen der Gehäuseanteile und.die Endfläohen der Ansohlußkontaktkörper 2 und 3 aneinander herangeführt werden, was mit einem für den betriebsmäßigen Einsatz erwünschten Kontaktdruck im allgemeinen also erst dann an einer solchen Halbleiteranordnung erfolgen wird, wenn die Halbleiteranordnung in ihre entsprechende Einspannvorrichtung in einem elektrischen Stromlauf eingesetzt wird· 909850/1220
. „.ΟΒβΙΝΑΙ. «
Auch die Zusammenstellungen nach den Figuren 3 bis 6 müssen.also erst noch dem entsprechenden Erwärmungsprozess unterworfen werden, damit über den jeweiligen Kunststoffkörper der gasdichte Abschluß zwischen den Gehäuseanteilen erzeugt wird im Sinne der erläuterten Gegenüberstellung der Figuren 1 und 2 für die Lösung nach dem ersten Ausführungsbeispiel·
In Figur 7 ist noch ein Anteil eines Aufbaues des Gehäuses einer Halbleiteranordnung wiedergegeben als Abwandlung der Lösung nach Figur 6 mit dem Ziel, durch den die Gehäuseanteile mechanisch und gasdicht miteinander verbindenden Kunststoffkörper zugleich auch ein verbessertes stabiles Zusammenhalten der Gehäuseanteile in ihrer mechanischen gegenseitigen Verbindung in der axialen Richtung der Halbleiteranordnung zu erreichen· Die Randteile, welche in Figur mit der Bezeichnung 22 bzw. 23 lediglich eine zylindrische Form besitzen, sind in dieser Ausführung nach Figur 7 als hohle Ringwulste 24 bzw· 25 gestaltet, so daß sich die Masse des Kunststoffkörpers 17 bei seiner Wärmebehandlung dann in die konkave Form der Ringwulste hineinlagert und nach dem Erstarren bzw. dem Aushärten der Kunststoffmasse eine zugfeste Verbindung mit relativ großem Scherquerschnitt in der Achsrichtung der Halbleiteranordnung vorhanden ist.
Bei dem Erwärmungsvorgang der Halbleiteranordnung für die Überführung des Kunststoffkörperβ in den geschmolzenen Zustand und
während des Auehärtungsvorganges dee Kunststdfikörpere empfiehlt
d · sich ein besonderes Verfahren erfinungegemäß anzuwenden, um einer "Einlagerung von Gasblasen in die Maest dee Kunststoffkörpers vorzubeugen· Dag Wesen dieses Verfahrens besteht darin, daß die Er-
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PIA 66/1485 ,
wärmung der Halbleiteranordnung In einem gasdichten Raum bis zum Formfestwerden des Kunststoff körpers durchgeführt wird, damit auf diese Weise in allmin dem gasdiohten Behandlungsraum vorhandenen Einzelräumen, also in den Säumen an der Halbleiteranordnung und in dem diese umgebenden Raum der praktisoh gleiche Gasdruok herrscht» also eine gegenseitige Kompensation der Gasdrücke Innerhalb und außerhalb der Halbleiteranordnung geschaffen ist·
7 Figuren
15 Ansprüche
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Claims (1)

  1. PLA 56/1465
    1664665
    Patentansprüche
    1. Halbleiteranordnung, deren Halbleiterelement in ein gasdichtes Gehäuse zur Bildung einer Druckkontakt-Berührung mit äussere elektrische Anschlußkontaktflächen liefernden metallischen Gehäuseanteilen eingesetzt ist, dadurch gekennzeichnet, daß das Halbleiterelement mit freien Endflächen von den Halbleiterkörper zwischen sich einschlieesenden Endkontaktkörpern zwischen die inneren Fläohen von unter Einhaltung des erforderlichen gegenseitigen elektrischen Isolationsabstandes aneinander herangeführten, metallischen Gehäueeanteilen eingesetzt ist, und daß die gegenseitige elektrische Distanzierung und die Schaffung eines äueseren elektrischen Kriechweges zwischen den Gehäueeanteilen abweichenden elektrischen Potentials aus thixotropen schmelzbaren Kunststoff gebildet ist·
    ·* · " ■ ■ ■
    2. Halbleiteranordnung naoh Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß metallische Gehäuseanteile von planer Fora benutzt sind.
    3· Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß metallische Gehäuseanteile von konkaver Fora benutzt sind, die mit ihren konkaven Flächen einander zugewandt .liegen·
    4· Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß bei Verwendung mindestens eines konkaven bzw· becherförmigen Gehäueeanteile· ein weiterer planer aetallieoher Gehäueeanteil benutzt ist.
    - 14 -■ KU/Hal
    909850/1320 c_n,
    ORIGINAL INSPECTED'
    PLA 66/1405
    5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einen der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zur Lageorientierung des Halbleiterelemente mit seinen Endflächen an den inneren Gegenflächen der
    Gehäueeanteile/eine Aussparung bzw· Vertiefung vorgesehen ist· an dieaen
    6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einen der folgenden, daduroh gekennzeichnet, daß das eingesetzte Halbleiterelement aus dem Halbleiterkörper und Endansoblußkörpem besteht, die durch einen auf daa geschichtete Syetem aufgebrachten Hantelkörper, z. B. einen Schrumpfschlauch, zusammengehalten sind.
    7. Halbleiteranordnung nach Anspruoh 1 oder einen der folgenden bis einschließlich Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterelement benutzt 1st mit einem dessen Schichtensystem umschließenden Mantelkörper, dessen axiale Länge derart größer als die Schichthöhe aus Halbleiterkörper und EndanaohluQkörpern ist, daß er etwas über das Halbleiterelement hinausragt und sich mit seiner jeweiligen Stirnfläche bereits gegen die Innere Fläohe des Gehäuseanteiles legt, bevor die innere Fläohe des Gehäuseanteiles und die Endfläche des Halbleiterelements bzw« des Endanechluß körpers desselben zur gegenseitigen Anlage kommen.
    8. Halbleiteranordnung nach Anspruoh 1 und Anspruch 6, dadurch gekennzeichnet, daß für die lagemäßige Einrichtung des Halbleiterelements mittels des ihn umgebenden MantelkÖrpers an der Fläche des Gehäueeanteilee dieser mit Narben bzw. Erhebungen versehen ist, zwisohen welohe der Mantelkörper mit seinen Enden eingesetzt werden kann. '
    9. halbleiteranordnung nach Anspruch 1 und Anspruoh 6, dadurch
    90 9 8-5G/122Q - 15 - Kü/Hal
    TLA 65/1485
    gekennzeichnet, daß der Mantelkörper an seiner Stirnfläche mit einer oder mehreren Ausaparungen bzw. einer Rille versehen ist, mittels welcher er auf einer Innenfläche des jeweiligen Gehäuse anteiles vorgesehenen Narben bzw. Erhebungen aufgeschoben werden kann.
    10. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einen der folgenden einschließlich Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß die Gehäuseanteile an ihrem äusseren &and einen sich mindestens anteilig in der Achsrichtung erstrechenden abgebogenen Handteil aufweisen, daß innerhalb des von diesem Randteil umschlossenen Raumes ein solcher Körper aus thixotropen schmelzbaren Kunststoff eingesetzt ist, der mit seiner inneren Mantelfläohe als Lageorientierungsmittel des von dieser umaohlossenen Halbleiterelemente benutzt ist.
    11. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichns t, daß die Endkontaktkörper aus einem gesinterten porösen metallischen Werkstoff bestehen·
    12. Halbleiteranordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß ein poröser Körper aus Kupfer mit einer Dichte von etwa i» benutzt ist.
    13· Halbleiteranordnung nach Anspruch. 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die metallischen Gehäuseanteile für eine membranartige Nachgiebigkeit bemessen sind.
    14. Halbleiteranordnung naoh Anspruch. 13, dadurch gekennzeichnet,
    - 16- Kti/Hal
    909850/1220
    Έ7Α 66/1.435 ,, c rw ß e c
    ■-vorzugsweise verzinnt®? " daß die Gehäuseanteile aus nachgiebigem/Kupfer folie bestellen bzw. herherstellt sind.
    15· Verfahren, zum Herstellen eine? Halbleiteranordnung nach Anspruoh 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet» daß beim Verschließen des Gehäuses durch einen Wärmebehandlungsprozeß Sie Zusammenstellung der Halbleiteranordnung in einem gasdicht geschlossenen, ebenfalls der Erwärmung ausgesetzten Raum angeordnet wird.
    9098 50/1220
DE1564665A 1966-07-18 1966-07-18 Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung Expired DE1564665C3 (de)

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DE1564665B2 DE1564665B2 (de) 1975-03-20
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