DE2945972C2 - Halbleiterbauelement mit einer oberen Kammer zur Erhöhung der Festigkeit und zum Abdichten - Google Patents

Halbleiterbauelement mit einer oberen Kammer zur Erhöhung der Festigkeit und zum Abdichten

Info

Publication number
DE2945972C2
DE2945972C2 DE2945972A DE2945972A DE2945972C2 DE 2945972 C2 DE2945972 C2 DE 2945972C2 DE 2945972 A DE2945972 A DE 2945972A DE 2945972 A DE2945972 A DE 2945972A DE 2945972 C2 DE2945972 C2 DE 2945972C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
semiconductor
semiconductor component
housing cap
base body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE2945972A
Other languages
English (en)
Other versions
DE2945972A1 (de
Inventor
Julie Yung Skaneateles N.Y. Fichot
Alfred Auburn N.Y. Roesch
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
General Electric Co
Original Assignee
General Electric Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by General Electric Co filed Critical General Electric Co
Publication of DE2945972A1 publication Critical patent/DE2945972A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2945972C2 publication Critical patent/DE2945972C2/de
Expired legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/072—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00 the devices being arranged next to each other
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/10—Containers; Seals characterised by the material or arrangement of seals between parts, e.g. between cap and base of the container or between leads and walls of the container
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/34—Strap connectors, e.g. copper straps for grounding power devices; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/36—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/37—Structure, shape, material or disposition of the strap connectors prior to the connecting process of an individual strap connector
    • H01L2224/37001—Core members of the connector
    • H01L2224/37025—Plural core members
    • H01L2224/37026—Plural core members being mutually engaged together, e.g. through inserts
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01007—Nitrogen [N]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01014—Silicon [Si]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01028—Nickel [Ni]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01032—Germanium [Ge]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0106—Neodymium [Nd]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/13—Discrete devices, e.g. 3 terminal devices
    • H01L2924/1301—Thyristor
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/30—Technical effects
    • H01L2924/301—Electrical effects
    • H01L2924/3011—Impedance

Description

Il um Verwendung finden. Eine Halbleiteruntergruppe 18 Die Gehäusekappe 30 ist mit einer ersten und einer l| ist an einer Fläche 20 des Sockels ί 6, z. B. durch Anlöten, zweiten Öffnung 50 und 52 für die Aufnahme von elek- fi befestigt Die Halbleiteruntergruppe 18 weist ein Halb- trischen Verbindungseinrichtungen 53 und 54 ausgestat-Il Ieiter-Mikroplättchen 22 auf, das auf einer Unterlage- tet Die Verbindungseinrichtung 53 kann eine elektrisch §j platte 24 befestigt ist um die durch thermische Fehlan- 5 leitende Hülse, ζ. B. aus Kupfer, und so ausgeführt sein, passung erzeugten Beanspruchungen zwischen dem daß sie eine äußere flexible Leitung 56, die durch «|i Halbleiterelement 22 und dem Sockel 16 zu mildern. Krimpfen befestigt werden kann, und von der anderen % Üblicherweise wird die Unteriageplatte 24 in Wolfram Seite die Leitung 60 aufnehmen kann. Es ist ebenso jjj] oder Molybdän ausgeführt, deren Wärmedehnungs-Ei- möglich, daß die Verbindungsleitungen 56 und 60 alterf! genschaften denen des Halbleiterelements ähnlich sind. io nativ zum Krimpfen bzw. zusätzlich gelötet und/oder Γ?. Die Unterlageplatte 24 gewährleistet einen elektrischen geschweißt hartgelötet oder ähnlich behandelt werden. Il und einen wärmeleitenden Kontakt zu einer Hauptflä- Die elektrisch leitende Hülse 53 weist eine Sperrwand Έ chedesHalbleiter-MikroplättchensÄZurentgegenge- 64 auf, die eine Verbindung der Kammer 40 mit der Il setzten Räche des Halbleiterelementes wird der elektri- Umgebung verhindert In gleicher Weise nimmt die || sehe Kontakt durch eine Unterlegscheibe 26 und flexi- 15 Hülse 54 die Gate-Leitung 28 auf, bei der eine elektri-H ble Drahtverbindungen 28 und 60 hergestellt Üblicher- sehe Verbindung durch Krimpfen der Hülse 54 an einer ί| weise kontaktiert die Unterlegscheibe 26 den Emitter oder an mehreren Stellen hergestellt wird, was im folia oder die Kathode eines Transistors bzw. eines Thyri- genden näher erläutert wird.
store, während die Verbindungsleitung 28 die Basis bzw. Die Haibleiterbaueinheit hat die Eigenschaft daß die die Steuerelektrode, d. h. das Gate, kontaktiert. Eine in 20 Hülse 54 die Doppelfunktion hat ^e Herstellung des den beiden F i g. 1 und 2 gezeigte Gehäusekar-pe 30 um- elektrischen Kontaktes zu einem Gate-Anschluß 66 des schließt die Halbleiteruntergruppe 18. Gemäß F i g. 2 Halbleiter-Mikroplättchens bzw. Halbleiterelementes weist die Gehäusekappe 30 eine zylindrische Hülse 32 22 zu gewährleisten, sowie das Evakuieren der Kammer mit einem oberen und einem unteren offenen Rand 34 40 und ihr Wiederauffüllen mit einem geeigneten Gas zu bzw. 36 sowie eine Trennwand 38 zwischen den offenen 25 ermöglichen. Alternativ dazu können zwei Hülsen vor-Rändern auf, die die Hülse 32 in einen oberen und einen gesehen werden, wobei dann eine erste Hülse die einziunteren offenen Raum aufteilt Da die Gehäusekappe 30 ge Funktion hat, die elektrische Verbindung zu dem auf dem Sockel 16 des Grundkörpers 12 befestigt wird, Halbleiterelement herzustellen und eine zweite Hülse schließt sie die Halbleiteruntergruppe 18 in einer Kam- ausschließlich der Evakuierung und Wiederfüllung der mer 40 ein. Der Sockel 16 des Grundkörpers 12 weist 30 gedichteten Kammer dient Die Öffnungen 50 und 52 in eine ringförmige Vertiefung 42 auf, in die ein unterer der Trennwand 38 sind vorzugsweise mit kreisförmigen Rand 44 des offenen Randes 36 eingefügt wird. Eine Nuten 70 und 72 versehen, die die Hülsen 54 und 53 Klebstoffschicht 46 verbindet die Gehäusekappe 30 mit umgeben. Diese Nuten verbessern die Dichtungswirdem Sockel 16. Die Gehäusekappe 30 und der Sockel 16 kung des Dichtungsmaterials 74, das in die obere Kambilden zusammen die Kammer 40, die gegenüber ihrer 35 mer 38 der Gehäusekappe 30 eingebracht wird, zwi-Umgebung hermetisch abgedichtet ist Unter »herme- sehen den zwei Hülsen und der Gehäusekappe 30. Das tisch abgedichtet« wird hier verstanden, daß die HeIi- Dichtungsmaterial 74 kann aus einer Vielzahl von, Mateum-Leckrate der Kammer 40 nicht größer ist als unge- rialien ausgewählt werden, welche sowohl die Funktion fähr 10-8 cr.;.Vs. Um das Maß der Dichtigkeit zwischen der Dichtung der Grenzflächen zwischen den Hülsen 53 der Gehäusekappe 30 und dem Grundkörper 12 zu er- 40 und 54 und der Gehäusekappe 30 erfüllen als auch die höhen, ist der untere Rand der Gehäusekappe 30 mit mechanische Festigkeit der zusammengefügten Baueineiner kreisförmigen Nut 48 versehen, wodurch ein stu- heit zusätzlich erhöhen. Bei der Wahl des Dschtungsmafenförmiger Querschnitt des unteren Randes entsteht, terials 74 sollte auf gute Wärmedehnungs-Kompatibiliwas zu einer vergrößerten, dem Klebstoff ausgesetzten tat mit der Gehäusekappe 30 und den Hülsen 53 und 54 Fläche führt Hierbei kann eine Vielzahl von verschiede- 45 geachtet werden. Darüber hinaus ist eine geringe menen Klebstoffen benutzt werden. chanische Flexibilität wünschenswert, um sowohl die Für die Gehäusekappe 30 kann eine Vielzahl von Ma- Hülsen 53 und 54 fest abzustützen als auch widerstandsterialien Verwendung finden. Die Anforderungen an die fähig gegen Reißen während der Handhabung und des Gehäusekappe 30 sind, dtsß es eine ausreichend niedrige Betriebs zu sein. Es empfiehlt sich die Verwendung eines Permeabilität besitzt daß die umgebende Atmosphäre 50 Epoxid-KIebstoffs, der auch für die Abdichtung zwinicht die Kammer 40 verunreinigt und daß es genügend sehen dem unteren Rand der Gehäusekappe 30 und dein mechanische Festigkeit besitzt, um die besonderen Be- Socke! 16 eingesetzt wurde. Es ist wünschenswert, daß triebsbedingungen zu überstehen, welchen die Anord- das Dichtungsmaterial 74 zum Zwecke der Vergießbarnung ausgesetzt wird. Darüber hinaus sollte es in seiner keit eine relativ niedrige Viskosität besitzt Zum Beispiel Wärmedehnungs-Eigenschaft an die des Sockels 16 an- 55 kann Epoxidharz mit einer Viskosität von ungefähr gepaßt sein, um die Beanspruchungen zu minimieren, 100 Pas vorteilhaft verwendet werden,
die aus Temperaturzyklen resultieren. Im allgemeinen Ein besonderer Vorteil des Gehäuses liegt darin, daß werden bei der Halbleiterbaueinheit vornehmlich es unempfindlich gdgen Fehlbehandlungen während der Kunstharze mit hohem Glasgehalt verwendet Es kann Herstellung der Handhabung und des Betriebes ist Das auch jedes elektrisch isolierende Keramikmaterial, wel- 60 Dichtungsmaterial 74 erzeugt sowohl eine Dichtung als ehe häufig für Halbleiter-Baueinheiten eingesetzt wur- auch eine Verstärkung der mechanische^ Verbindung de, verwendet werden. Tonerde und Beryllerde können zwischen der Gehäusekappe 30 und den Hülsen 53 und hier als Beispiele für Materialien mit hoher dielektri- 54. Häufig werden während des Zusammenbaus und scher Festigkeit angeführt werden. Während die für das darauffolgend große Beanspruchungen auf die Grenz-Gehäuse 30 erforderliche, spezielle dielektrische Festig- 55 fläche zwischen dem Gehäuse und der Hülse 53 ausgekeit von der Nennspar.fcang der Anordnung abhängt, übt, z. B. dadurch, daß die Baueinheiten an den Verbinsollte vorzugsweise ein Material ausgewählt werden, dungsleitungen angehoben werden. Die Verstärkung mit einer dielektrischen Festigkeit von 15 bis 20 kV/mm. durch das Dichtungsmaterial 74 gewährleistet, daß diese
Beanspruchungen ausgehalten werden, ohne die Baueinheit zu beschädigen.
Einige der Vorteile der Halbleiterbaueinheit ergeben sich aus der Art und Weise ihres Zusammenbaus. Es ist bekannt, daß während des Zusammenfügen von Kunstharzkomponenten bestimmte Erwärmungsschritte erforderlich sind, um die Materialien wie Epoxid-Klebstoffe auszuhärten. Während dieser Aushärtung entwikkeln die ausgehärteten Materialien Gase, welche für bestimmte Halbleitermaterialien schädlich sind. Bei den Ausführungsbeispielen folgt auf die Entwicklung solcher Gase durch die bei dem Zusammenbau verwendeten Materialien und auf die Aushärtung die Evakuierung und/oder die Reinigung der gedichteten Kammer 40 und deren Wiederauffüllung mit einem Gas, das hinsichtlich dem Halbleiterelement inert ist, wie z. B. Stickstoff.
Stickstoff isi zumindest hinsichtlich der meisten tür den Aufbau von Halbleiterelementen verwendeten Materialien, wie z. B. Silicium, Germanium und den Verbindungen der Gruppen III bis V des Periodensystems der Elemente inert Es werden bei den Ausführungsbeispielen, wo dies mit den speziellen verwendeten Materialien verträglich ist, die in Verbindung mit den Klebstoffen und Dichtungsmaterialien erforderlichen Aushärtungsschritte bei einer Temperatur durchgeführt, die zumindest gleich der erwarteten Betriebstemperatur des Gehäuses ist, so daß während des Betriebes kein weiteres Ausgasen und keine daraus resultierende Verschmutzung des Gehäuses auftreten wird.
Während es allgemein üblich ist die Kammer 40 mit einem Gas bei einem Druck wiederzufülien, der im wesentlichen dem Umgebungsdruck entspricht Es ist also auch möglich, in der Kammer 40 einen Unterdruck zu schaffen, dessen Betrag nur durch die Auswahl der Materialien für die Gshäusekappe 30, den Klebstoff 42, die Dichtungsschicht 74 und die Hülsen 53 und 54 bestimmt wird In gleicher Weise kann, wo es besonders wichtig ist, das Eindringen auch der geringsten Menge der umgebenden Atmosphäre in die Kammer 40 zu vermeiden, ein Oberdruck in der Kammer wünschenswert sein.
Die Betriebseigenschaften der Halbleiterelemente gemäß den Ausführungsbeispielen wird das Gehäuse verbessern. Da die Beanspruchungen des Halbleiterelements 22 durch das Gehäuse selbst im wesentlichen ausgeschlossen sind, ist das Halbleiterelement gegenüber Temperaturspielen ausgesprochen unempfindlich. Die Stabilität der Sperrspannungseigenschaften des Halbleiterelementes wird besonders verbessert Die Lebensdauer des Halbleiterbauelements kann ebenfalls vergrößert werden, da Verschmutzungen durch die für die Bildung des Gehäuses verwendeten Materialien die Halbleiteranordnung selbst nicht erreichen können.
Die F i g. 3,4 und 5 zeigen ein weiteres Ausführungsbeispiel, bei dem Mehrfach-Halbleiterbauelemente durch ein einziges Gehäuse eingeschlossen werden. Fig.3 ist eine räumliche Darstellung einer Gehäusekappe 80. Die F i g. 4 und 5 sind eine Seitenansicht bzw. eine Draufsicht einer Halbleiteranordnung mit zwei Halbleiterelementen in einem Gehäuse, die über eine beträchtliche Stromtragfähigkeit verfügt
Die Gehäusekappe 80 gemäß F i g. 3 weist einen etwas komplexeren Aufbau auf als die Gehäusekappe 30 gemäß F i g. 1; sie hat jedoch die gleichen wesentlichen Elemente. Ein rechteckiger Hülsenabschnitt wird durch senkrechte Wände 82,84,86 und 88 begrenzt und durch eine Trennwand 90 in einen oberen und einen unteren Raum aufgeteilt Eine Vielzahl von öffnungen 92,94,96, 98 und 100 dienen dem Einfügen von elektrischen Anschlüssen. Die Gehäusekappe 80 verfügt über Befestigungsflansche 102 und 104, welche sowohl Flächen für die verstärkte Befestigung an einen Kühlsockel 110 als auch Vorrichtungen für die Montage des Halbleiterbauelements an einen externen Wärmetauscher aufweisen. Löcher 106 und 108 befinden sich zu diesem Zweck in den Flanschen.
Das Zusammenwirken der Gehäusekappe 80 mit den to verbleibenden Komponenten des Halbleiterbauelements wird unter Bezugnahme auf die Fig.4 und 5 erläutert Der Kühlsockel bzw. Grundkörper 110 wird mit Hilfe einer Klebefläche 112, welche den Grundkörper 110 vollkommen umgibt an der Gehäusekappe 80 is befestigt Der besondere Klebstoff, welcher ausgewählt wird, um die Gehäusekappe 80 an dem Kühlsockel zu befestigen, wird bestimmt durch die geforderten Eigenschaften hinsichtlich mechanischer Festigkeit und Dichtigkeit. Das Halbleiterbauelement gemäß F i g. 4 und 5 weist zwei Halbleiterelemente 114 und 116 auf, welche gegen den Kühlsockel HO durch Isolierschichten 118 und 124 isoliert sind. Verbindungsschichten 120 und 122 schaffen einen niedrigen Wärmewiderstand zwischen dem Halbleiterelement 114 und dem Kühlsockel 110.
Verbindungschichten 126 und 128 erfüllen für das Element 116 dieselbe Aufgabe. Hauptstromanschlüsse 130, 132 und 134 schaffen Verbindungen hoher Strombelastbarkeit zu den Halbleiterelementen. Das Material für diese Anschlüsse kann entsprechend den speziellen An foderungen insoweit gewählt werden, als sie mit dem für die Dichtungsschicht 136 gewählten Material dicht verbunden werden können. Mit nickelplattiertem Kupfer werden zufriedenstellende Ergebnisse erzielt Die Anschlüsse 130 und 134 weisen erweiterte Kreisbereiche 138 und 140 auf, die sowohl der Verbesserung der Abdichtung zur Trennwand SO dienen als auch verhindern, daß irgendwelche Bestandteile der Dichtungsschicht 136 in eine Kammer 142 eindringen. Die speziellen internen Verbindungen zu den Halblei terelementen 114 und 116 weisen keine besonderen Merkmale auf. Ein Gehäuse gemäß dem Ausführungsbeispiel kann die verschiedensten Halbleiterelemente beinhalten, wie z. B. Transistoren, Dioden, Thyristoren oder ähnliche, und die verschiedensten Schaltungsan- Ordnungen aufweisen. Diese Elemente können Basis oder Gate-Anschlüsse aufweisen oder nicht und können sowohl mit dem Kühlsockel HO elektrisch verbunden, als auch davon isoliert sein. Es können zwei, drei oder mehr Anschlüsse mit hoher Strombelastbarkeit erfr^- derlichsein.
Nur als Beispiel weist die Anordnung gemäß den Fig.3 und 4 zwei Thyristoren 114 und 116 mit Steuerbzw. Gate-Elektroden 144 und 146 auf, welche mit Verbindungsleitungen 152 und 154 mit Gate-Buchsen 148 und 150 verbunden sind. Die Thyristoren weisen Anodenelektroden auf, welche mit elektrisch leitenden Stützplatten 158 und 160 verbunden sind. Die Stützplatten haben über elektrisch leitende Schichten 162 und 164 elektrischen Kontakt zu den Anschlüssen 130 und
134. Die Verbindung zur Kathode der beiden Elemente wird über runde, elektrisch leitende Scheiben 170 und 172 hergestellt, welche zentrale öffnungen besitzen, durch die die Verbindung zu den Gate-Elektroden hergestellt wird. Der elektrische Kontakt zwischen der Ka- thode des Halbleiterelementes 116 und der Anode des Elementes 114 wird mit Hilfe eines Zapfens 174 und einer aus einer Verlängerung der Schicht 172 bestehenden Leitung 176 erzeugt Die Halbleiterelemente sind in
Serie geschaltet. Die Anode des Elements 116 ist am Anschluß 134 zugänglich: die Kathode des Elements 114 kann über den Anschluß 132 kontaktiert werden und die gemeinsame Anschlußmöglichkeit liegt am Anschluß 130.
Die Hülsen 148 und 150 entsprechen der Hülse 54 der Bauer/ieit gemäß den F i g. 1 und 2. Die Hülsen können die Doppelfunktion erfüllen, die elektrische Verbindung zu den Gate-Elektroden der Elemente herzustellen und die Evakuierung der Kammer 142 und ihr Wiederfüllen mit einem für die Halbleitereiernente unschädlichen Gas zu ermöglichen. Darüber hinaus können Hilfsanschlüsse 180 und 182 mit den Hülsen 148 und 150 verbunden sein, um die Herstellung des Kontaktes zu externen Schaltungen zu erleichtern, z. B. durch Löten oder mit Hilfe is von Steckverbindungen. Wie in F i g. 4 dargestellt, kann ein Gewindeabschnitt 184 des Anschlusses 130 in geeigneter Weise der Befestigung einer externer. Zuleitung dienen. Die Anschlüsse 130, 132 und 134 sind zudem gerändelt, um einem Verdrehen im Dichtungsmaterial 136 zu widerstehen. Die Verbindung zwischen dem Anschluß 132 und der Scheibe 170 wird vorzugsweise durch einen flexiblen Leiter 186 gebildet, so daß zwischen der Gehäusekappe 80 und jedem der Halbleiterelemente keine feste physikalische Verbindung besteht. Der flexible Leiter 186, der ein verseilter Drahtleiter sein kann, ist über eine Zwischenplatte 188 mit dem Anschluß 132 verbunden, die die gleiche Dichtungsfunktion erfüllt, wie die erweiterten Kreisbereiche bzw. Ringe 13- und 140 bei den Anschlüssen 130 und 138.
Die Dichtungsschicht 136 unterliegt den gleichen Kriterien wie die Schicht 74 gemäß F i g. 2 und kann aus den gleichen Materialien bestehen.
Ein weiteres Ausführungsbeispiel, das speziell für Hochspannungs-Anwendungen eingesetzt wird, ist in F i g, 6 dargestellt. Da der Hauptteil der Hochspannungs-Ausführung den in Verbindung mit den F i g. 2 bis 5 beschriebenen Ausführungen gleich ist, wird lediglich die Gehäusekappe gezeigt.
Die Gehäusekappe 190 weist eine obere Kammer 192 auf, weiche die Anschlüsse 130, 132, 134, 148 und 150 umgibt. Die Anschlüsse werden durch Teilerwände 194, 196 und 198, welche drei separate Kammern bilden, voneinander getrennt. Eine Dichtungsschicht 200 füllt die Kammern nur teilweise, so daß die Länge des Kriechwegs zwischen zwei benachbarten Anschlüssen vergrößert wird. Vorzugsweise ist die Höhe der Teilerwände größer als die der Anschlüsse, so daß ein Hochspannungsüberschlag zwischen benachbarten Anschlüssen vermieden wird.
Gemäß einem weiteren Ausführungsbeispiel der Gehäusekappe 190 können die Teilerwände 194, 196 und 198 Verbindungen zwischen den separaten Kammern aufweisen, so daß das Dichtungsmaterial zwischen ihnen fließen kann. Vorzugsweise wird die die Gate-An-Schlüsse 148 und 150 einschließende Kammer isoliert und mit einem niedrigeren Niveau gefüllt und die Anschlüsse kürzer als die den Hauptstrom tragenden Anschlüsse ausgeführt, um einem Oberschlag oder einem Fehler im Kriechweg noch besser zu begegnen.
Die Ausführungsbeispiele stellen keine Einschränkung der Erfindung dar. So benutzen die beiden beschriebenen Ausführungsbeispiele eine einzige Hülse für die elektrische Verbindung des Gate-Anschlusses oder anderer Anschlüsse des Halbleiterbauelements und für die Evakuierung der das Halbleiterelement umschließenden Kammer. Es kann jedoch in bestimmten Fällen vorteilhaft sein, voneinander getrennte Elemente für diese beiden Funktionen einzusetzen, d. h„ daß eine getrennte Rohreinrichtung für das Evakuieren und Wiederfüllen verwendet wird. Obwohl beide Ausführungsbeispiele eine einzige obere Kammer haben, in der alle elektrischen Verbindungsvorrichtungen zu dem Halbleiterelement oder den Elementen untergebracht sind, und welche durch eine einzige Schicht von Dichtungsmaterial abgedichtet ist, kann es in bestimmten Fällen wünschenswert sein, zum Zweck der Verbesserung der Spannungseigenschaften des Halbleiterbauelement zwei oder mehrere getrennte Kammern vorzusehen, von denen jede eine Dichtungsschicht und eine oder mehrere elektrische Anschlüsse aufweist.
Hierzu 2 Blatt Zeichnungen

Claims (3)

1 2 Halbleiterbauelement zu schaffen, bei dem das Halblei-Patentansprüche: terelement zuveriässig gegen äußere Störeinflüsse geschützt ist Dabei sollen mechanische Einflüsse auf das
1. Halbleiterbauelement, bei dem mindestens ein Gehäuse oder die Anschlußeinrichtung keinen Schaden Halbleiterelement auf einem wärmeleitfähigen 5 verursachen, und das Gehäuseinnere soll durch gute Grundkörper sitzt und von einer mit dem Grundkör- Dichtigkeit dauerhaft vor Verschmutzung geschützt per eine Kammer bildenden Gehäusekappe einge- sein.
schlossen wird, die aus einer Hülse und einer Trenn- Diese Aufgabe wird erfindungsgemäß durch die im
wand besteht und die mit ihrem einen Ende mit dem kennzeichnenden Teil des Anspruchs 1 angegebenen
Grundkörper dicht verbunden ist und bei dem elek- io Maßnahmen gelöst
trische Anschlußeinrichtungen für das Halbleiterele- Durch die zwischen den Enden der Hülse angeordne-
ment durch die Trennwand hindurchgeführt sind, te Trennwand wird ein dem Grundkörper abgewandter
dadurch gekennzeichnet, daß die Trenn- Hülsenabschnitt gebildet, der nach dem Einsetzen der
wand (38) zwischen den Enden der Hülse (32) liegt entrprechenden Anzahl von Anschlußeinrichtungen in
und daß der durch die Trennwand (38) gebildete, 15 dafür vorgesehene Bohrungen mit einer Vergußmasse
dem Grundkörper (16) abgewandte Hülsenabschnitt gefüllt wird. Die Herstellung des Gehäuses ist daher
mit einer Vergußmasse (74 gefüllt ist stark vereinfacht und es werden insbesondere keine me-
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, da- chanischen Belastungen während der Herstellung ausdurch gekennzeichnet, daß die Gehäusekappe (32) geübt Darüber hinaus werden die Anschlußeinrichtunaus einem KuBscharzmaterial besteht und mit dem 20 gen durch die Vergußmasse wirksam befestigt, so daß Grundkörper (16) verklebt ist sie durch Ziehen oder sonstige unsachgemäße Behand-
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, lung nicht gelockert oder beschädigt werden. Schließdadurch gekennzeichnet, daß der von dem Grund- lieh wird durch die Vergußmasse eine hervorragende körper (16) abgewandte Hülsenabschnitt in mehrere Dichtigkeit des Gehäuses erzielt Das Halbleiterelement nebeneinanderliegende Teilabschnitte unterteilt ist 25 ist daher dauerhaft vor Verschmutzung geschützt Auch
ist es möglich, aufgrund: der Dichtigkeit ein Inertgas
einzubringen oder einen Unter- oder Oberdruck in der
Gehäusekammer zu erzeugen.
Eine vorteilhafte Weiterbildung der Erfindung wird
Die Erfindung bezieht sich auf ein Halbleiterbauele- 30 durch die im Anspruch 1 angegebene Maßnahme er-
ment mit einer Gehäusekappe gemäß dem Oberbegriff reicht Ein derartiges Kunstharzgehäuse ist billig herzu-
des Anspruchs 1. stellen und verbindet große Schlagfestigkeit mit hervor-
Ein solches Halbleiterbaueletnem ist aus der US-PS ragenden Isolationseigenschaften.
35 59 004 bekannt. Bei Anwendungen im Hochspannungsbereich ergibt
Bei diesem Halbleiterbauelement ist eine keramische 35 sich eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung der Erfin-
Gehäusekappe vorgesehen, die aus einer Hülse und ei- dung aus den im Anspruch 3 angegebenen Maßnahmen,
ner oberen Trennwand besteht. In zwei Bohrungen der Durch die Aufteilung der oberen Kammer in mehrere
oberen Trennwand sind dabei zwei röhrenförmige elek- nebeneinander liegende Teilabschnitte ist es nämlich
trische Anschlußeinrichtungen eingesetzt die mit dem möglich, diese mit der Vergußmasse verschieden hoch
Halbleiterelement verbunden sind. Bei dieser Anord- 40 zu füllen und so Oberschläge oder Kriechströme zu ver-
nung ist es schwierig, die Anschlußeinrichtungen ausrei- meiden.
chend und einen langen Zeitraum sicher abzudichten. Nachstehend wird die Erfindung anhand von Ausfüh-
Darüber hinaus ist aufgrund der Sprödigkeit des Kera- rungsbeispielen unter Bezugnahme auf die F i g. 1 bis 6
mikmaterials der Gehäusekappe die Widerstandsfähig- näher erläutert. Es zeigt
keit gegen mechanische Stoßeinwirkungen nicht beson- 45 Fig. 1 ein Schnittbild eines Halbleiterbauelements,
ders hoch. das die erfindungsgemäßen Merkmale aufweist
Aus der US-PS 40 47197 ist es auch bekannt, mehrere Fi g. 2 ein Bild einer Isoliergehäusekappe für die Ver-
Halbleiterelemente voneinander isoliert auf einem ge- wendung bei einem Halbleiterbauelement,
meinsamen Untergrundkörper zu befestigen. Bei einer Fig.3 ein Bild einer Isoliergehäusekappe für eine
derartigen Anordnung ist eine gemeinsame Gehäuse- 50 Mehrelement-Halbleiterbaueinheit,
kappe vorgesehen, die alle Halbleiterelementc, ein- Fi £.4 und 5 Bilder von Mehrelementen-Halbleiter-
schließlich einer eventuellen Verdrahtung, umschließt baueinheiten, und
Bei diesem Halbleiterbauelement handelt es sich um ein F i g. 6 ein Bild eines Ausführungsbeispiels für höhere
in Serie geschalteten Gleichrichter, bei dem die Halblei- Spannung.
terelemente auf einem gemeinsamen Grundkörper an- 35 Die Darstellungen gemäß den F i g. 1 und 2 dienen der gebracht sind, eine gemeinsame Gehäusekappe besitzen Erläuterung des Halbleiterbauelements. Das Halbleiterund durch eine in derem Inneren verlaufende Leitung gehäuse 10 weist einen Grundkörper 12 für die Kühlung entsprechend verdrahtet werden. und den Zusammenbau auf, der geeigneterweise aus
Um die Dichtigkeit von Gehäusen zu verbessern, einem einzelnen Kupferstück mit einem Außengewin-
wurde bereits in der US-PS 35 15 955 vorgeschlagen, die 60 deabschnitt 14 und mit einem Sockel 16 besteht. Der
Gehäusekappe aus Kunststoff bzw. aus isolierendem Sockel 16 besitzt einen etwas größeren Durchmesser als
Material herzustellen. Dabei handelt es sich um eine der Gewindeabschnitt 14 und ist mit einer Anzahl von
Gehäusekappe, die aus mehreren, mechanisch verbun- Flächen versehen, die dem Festziehen mit einem
denen Teilen, wie einer Hülse und einer Abdeckung Schraubenschlüssel dienen. Der Grundkörper 12 ist zum
besteht. Auch eine solche Gehäuseausführung vermag 65 Zwecke der guten elektrischen Leitfähigkeit und der
nicht eine hohe Dichtigkeit des Gehäuses zu gewährlei- wirksamen Wärmeabfuhr vom Halbleiterelement vor-
sten. zugsweise aus Kupfer hergestellt. Falls gewünscht, kön-
Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein nen alternativ dazu Materialien wie Stahl oder Alumini-
DE2945972A 1978-11-27 1979-11-14 Halbleiterbauelement mit einer oberen Kammer zur Erhöhung der Festigkeit und zum Abdichten Expired DE2945972C2 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US05/963,807 US4249034A (en) 1978-11-27 1978-11-27 Semiconductor package having strengthening and sealing upper chamber

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2945972A1 DE2945972A1 (de) 1980-06-04
DE2945972C2 true DE2945972C2 (de) 1986-09-11

Family

ID=25507743

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE2945972A Expired DE2945972C2 (de) 1978-11-27 1979-11-14 Halbleiterbauelement mit einer oberen Kammer zur Erhöhung der Festigkeit und zum Abdichten

Country Status (7)

Country Link
US (1) US4249034A (de)
JP (1) JPS5595344A (de)
DE (1) DE2945972C2 (de)
FR (1) FR2442508B1 (de)
GB (1) GB2039144B (de)
IE (1) IE48638B1 (de)
MX (1) MX147809A (de)

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4349831A (en) * 1979-09-04 1982-09-14 General Electric Company Semiconductor device having glass and metal package
JPS5746662A (en) * 1980-09-04 1982-03-17 Toshiba Corp Semiconductor rectifier
US4530003A (en) * 1981-02-02 1985-07-16 Motorola, Inc. Low-cost power device package with quick connect terminals and electrically isolated mounting means
FR2503526A1 (fr) * 1981-04-03 1982-10-08 Silicium Semiconducteur Ssc Boitier et procede de montage et d'interconnexion de composants semiconducteurs de moyenne puissance en boitier unique.
DE3127457C2 (de) * 1981-07-11 1985-09-12 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichtermodul
DE3127456A1 (de) * 1981-07-11 1983-02-03 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Stromrichteranordnung
DE3228457A1 (de) * 1982-07-30 1984-02-02 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Elektrisches bauelement
US4721543A (en) * 1982-09-30 1988-01-26 Burr-Brown Corporation Hermetic sealing device
US4568962A (en) * 1982-11-08 1986-02-04 Motorola, Inc. Plastic encapsulated semiconductor power device means and method
DE3241509A1 (de) * 1982-11-10 1984-05-10 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungstransistor-modul
IT1212780B (it) * 1983-10-21 1989-11-30 Ates Componenti Elettron Contenitore in metallo e resina per dispositivo a semiconduttore adatto al fissaggio su un dissipatore non perfettamente piano e processo per la sua fabbricazione.
US4611389A (en) * 1983-11-03 1986-09-16 Motorola, Inc. Low-cost power device package with quick-connect terminals and electrically isolated mounting means
GB8410847D0 (en) * 1984-04-27 1984-06-06 Westinghouse Brake & Signal Semiconductor housings
GB8625472D0 (en) * 1986-10-24 1986-11-26 Bicc Plc Circuit board installation
US5105262A (en) * 1988-09-19 1992-04-14 Ford Motor Company Thick film circuit housing assembly design
GB2249869B (en) * 1990-09-17 1994-10-12 Fuji Electric Co Ltd Semiconductor device
US5097319A (en) * 1991-03-21 1992-03-17 Harris Corporation Cover with through terminals for a hermetically sealed electronic package
CA2106981A1 (en) * 1992-01-27 1993-07-28 Victor Albert Keith Temple Semiconductor devices and methods of mass production thereof
JP3092307B2 (ja) * 1992-04-16 2000-09-25 富士電機株式会社 半導体圧力センサ
US5699152A (en) * 1995-04-03 1997-12-16 Alltrista Corporation Electro-optical inspection system and method
AU6502896A (en) * 1995-07-20 1997-02-18 Dallas Semiconductor Corporation Single chip microprocessor, math co-processor, random number generator, real-time clock and ram having a one-wire interface
DE19534607C2 (de) * 1995-09-18 2002-02-07 Eupec Gmbh & Co Kg Gehäuse mit Leistungs-Halbleiterbauelementen
US6554774B1 (en) * 2000-03-23 2003-04-29 Tensys Medical, Inc. Method and apparatus for assessing hemodynamic properties within the circulatory system of a living subject
US6991969B2 (en) * 2003-02-19 2006-01-31 Octavian Scientific, Inc. Methods and apparatus for addition of electrical conductors to previously fabricated device
DE102004040596A1 (de) * 2004-08-21 2006-02-23 Robert Bosch Gmbh Elektrische Vorrichtung mit einem Gehäuse und einem Kühlkörper
US8536062B2 (en) * 2007-09-21 2013-09-17 Advanced Inquiry Systems, Inc. Chemical removal of oxide layer from chip pads
US20100066395A1 (en) 2008-03-13 2010-03-18 Johnson Morgan T Wafer Prober Integrated With Full-Wafer Contacter
JP5767932B2 (ja) * 2011-09-30 2015-08-26 新電元工業株式会社 半導体装置
DE102016209577A1 (de) * 2016-06-01 2017-12-07 Siemens Aktiengesellschaft Leistungsmodul

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3217213A (en) * 1961-06-02 1965-11-09 Slater Electric Inc Semiconductor diode construction with heat dissipating housing
CH397058A (de) * 1962-01-10 1965-08-15 Bbc Brown Boveri & Cie Anordnung für das Anschliessen der Steuerelektrode bei einem steuerbaren Halbleiter-Gleichrichter
BE629939A (de) * 1962-03-24
US3311798A (en) * 1963-09-27 1967-03-28 Trw Semiconductors Inc Component package
US3268309A (en) * 1964-03-30 1966-08-23 Gen Electric Semiconductor contact means
FR1471889A (fr) * 1965-03-22 1967-03-03 Gen Electric Perfectionnements aux dispositifs semiconducteurs
DE1564567C3 (de) * 1966-04-16 1975-03-27 Siemens Ag, 1000 Berlin Und 8000 Muenchen Halbleiteranordnung
DE1564749A1 (de) * 1966-10-27 1970-01-08 Semikron Gleichrichterbau Halbleiteranordnung
DE1639402B2 (de) * 1968-02-08 1976-12-16 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Steuerbares halbleiterbauelement
DE1935227A1 (de) * 1969-07-11 1971-01-14 Siemens Ag Halbleiterbauelement
DE2042333A1 (de) * 1970-08-26 1972-03-02 Siemens Ag Verfahren zum gasdichten Verschließen von Halbleiterbauelementen
GB1327352A (en) * 1971-10-02 1973-08-22 Kyoto Ceramic Semiconductor device
DE2337694C2 (de) * 1973-07-25 1984-10-25 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleitergleichrichteranordnung hoher Strombelastbarkeit
US3904939A (en) * 1974-02-11 1975-09-09 Gen Electric Capacitor case seal and venting means
DE7512573U (de) * 1975-04-19 1975-09-04 Semikron Gesellschaft Fuer Gleichri Halbleitergleichrichteranordnung
DE2624226A1 (de) * 1976-05-29 1977-12-15 Semikron Gleichrichterbau Halbleitergleichrichteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
GB2039144A (en) 1980-07-30
MX147809A (es) 1983-01-13
IE48638B1 (en) 1985-04-03
JPS617025B2 (de) 1986-03-03
FR2442508A1 (fr) 1980-06-20
JPS5595344A (en) 1980-07-19
DE2945972A1 (de) 1980-06-04
GB2039144B (en) 1983-06-15
US4249034A (en) 1981-02-03
FR2442508B1 (fr) 1986-02-28
IE792037L (en) 1980-05-27

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2945972C2 (de) Halbleiterbauelement mit einer oberen Kammer zur Erhöhung der Festigkeit und zum Abdichten
DE19921109B4 (de) Elektronikbauteil und Elektronikkomponente mit einem Keramikbauteilelement
EP0103748B1 (de) Kombinierte Schaltung mit Varistor
DE7512573U (de) Halbleitergleichrichteranordnung
DE4021871A1 (de) Hochintegriertes elektronisches bauteil
DE2811933A1 (de) Andrueckbare halbleiter-pelletanordnung
DE112005002980T5 (de) Scheibenvaristor und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1318547A1 (de) Leistungshalbleiter-Modul
DE102013226544A1 (de) Halbleitervorrichtung
EP3139715B1 (de) Abdichtung von leiterplattengehäusen
DE1961314A1 (de) Geschuetztes Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Herstellung
EP1063700B1 (de) Substrat für Hochspannungsmodule
DE3432449C2 (de)
DE3406420A1 (de) Halbleiter-leistungsvorrichtung mit mehreren parallel geschalteten, gleichen elementen
DE19736754B4 (de) Integriertes Gasentladungsbauelement zum Überspannungsschutz
DE2257060C2 (de) Vergossener Hochspannungswiderstand
DE3036371A1 (de) Hybridschaltungspackung
DE10140328B4 (de) Kühlanordnung zur Kühlung elektronischer Bauelemente
DE1297233B (de) Feldeffekttransistor
AT392856B (de) Anordnung zum aufnehmen oder wiedergeben von bildern
EP0863547B1 (de) Gateeinheit für einen hart angesteuerten GTO
DE10303103B4 (de) Halbleiterbauteil, insbesondere Leistungshalbleiterbauteil
DE4213251A1 (de) Halbleiterbaustein und verfahren zu dessen herstellung sowie behaelter zur ummantelung eines halbleiterelements
DE1564665A1 (de) Halbleiteranordnung und Verfahren zum Herstellen einer solchen
DE3640801A1 (de) Halbleiterbauelement

Legal Events

Date Code Title Description
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8110 Request for examination paragraph 44
D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee