DE1564567C3

DE1564567C3 - Halbleiteranordnung

Info

Publication number: DE1564567C3
Application number: DE19661564567
Authority: DE
Inventors: Herbert 8000 Muenchen Vogt
Original assignee: Siemens AG
Current assignee: Siemens AG
Priority date: 1966-04-16
Filing date: 1966-04-16
Publication date: 1975-03-27
Also published as: DE1564567B2; DE1564567A1

Description

gesehen ist. Dieser becherförmige Teil besteht aus einem metallischen zylinderförmigen Mantelteil 4, welcher anteilig am Boden der Becherform an der Bildung einer elektrischen isolierenden Durchführung beteiligt ist, z. B. einer Druckglasdurchführung, deren Isoliermaterialkörper mit 5 und deren metallischer Innenleiter durch das Rohr 6 gebildet wird, welches sich über die äußere Fläche des Isolierkörpers 5 hinaus freiausladend erstreckt. Der becherförmige Gehäuseteil ist an seinem freien Rand mit dem Grundplattenteil an einem Absatz la z.B. elektrisch mittels Widerstandsverschweißung gasdicht durch Ringbuckelschweißung verschweißt. In dieses Metallrohr 6 ist bei der Montage des Halbleiterbauelementes ein von einer Anschlußstelle am Halbleiterelement 2 ausgehender elektrischer, drahtförmiger Anschlußleiter 7 mit einer solchen Länge eingeführt worden, daß er sich bis in den Längenbereich 8 erstreckte, an welchen dann eine derartige äußere Einwirkung mittels eines Preß- oder Druckwerkzeuges auf die äußere Mantelfläche des Metall rohrs 6 stattgefunden hat, welche eine gegenseitige dichte Anlage zwischen einer verformten Außenmantelfläche von 7 und einer verformten Innenmantelfläche von 6 entstehen läßt. Bei dieser Verquetschung wird noch ein rohrförmiger äußerer Restlängenanteil 6 a unverformt gelassen, der für das Einführen und Befestigen z. B.

durch Festlöten oder Anschweißen eines äußeren elektrischen Anschlußleiters 9 benutzt werden kann.

Der Längenbereich 8 besteht aber nun erfindungsgemäß aus zwei Strecken 8 a und 8 b, die, wie die vergrößerte Teildarstellung nach F i g. 2 noch deutlieher erkennen läßt, auf Grund je eines unterschiedlichen Verquetschungsmaßes zur Entstehung gelangt sind. An der Strecke 8 a sind der Anschlußleiter 7 und das Metallrohr 6 viel stärker miteinander verquetscht worden als an der Strecke Sb, an welcher nur noch eine solche gegenseitige mechanische Verbindung erzeugt worden ist, welche eine zugentlastung für den Anschlußleiter 7 in Richtung auf das Halbleiterelement 2 gewährleistet, während an der Stelle 8 a eine gasdichte gegenseitige Verbindung zwischen 7 und 6 erzeugt sein soll, welche somit einen gasdichten Abschluß des das Halbleiterelement einschließenden Raumes des Halbleiterbauelementes gegenüber der umgebenden Atmosphäre sichern soll.

Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims

1 2 an seiner Austrittsstelle aus der Verquetschungsstelle Patentansprüche: Brüche auftreten können. Diese sind vermutlich darauf zurückzuführen, daß durch den Verquetschungs-

1. Halbleiteranordnung mit einer elektrischen Vorgang das Gefüge derartig versprödet wird, daß ein Anschlußstelle, an welcher ein vom eingeschlos- 5 Bruch der frei liegenden Anschlußleiterteile beim senen Halbleiterbauelement ausgehender elektri- Einsatz des Halbleiterelementes eintreten kann,
scher, vorzugsweise biegsamer Anschlußleiter in Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zudas innere Metallrohr einer elektrisch isolieren- gründe, eine Halbleiteranordnung der eingangs erden Durchführung eingeführt oder durch diese wähnten Art so weiterzubilden, daß solche Brüche hindurchgeführt ist und dann der Anschlußleiter ίο vermieden werden. Dies wird dadurch erreicht, daß in dem freiausladenden Metallrohrteil an dessen der Betrag der Verquetschung über die Längenaus-Innenmantelfläche durch eine an diesem von dehnung der Verquetschungsstelle an verschiedenen außen durchgeführte Verquetschung mit seiner Längenanteilen bzw. -strecken derselben derart verMantelfläche festgespannt ist, dadurch ge- schieden groß gewählt ist, daß auf eine Stelle bzw. kennzeichnet, daß der Betrag der Verquet- 15 Strecke größter Verquetschung mindestens in Richschung über die Längenausdehnung der Verquet- tung auf das eingeschlossene Halbleiterbauelement schungsstelle an verschiedenen Längenanteilen eine oder mehrere Strecken mit geringerer Verquet- bzw. Strecken derselben derart verschieden groß schung folgen.

gewählt ist, daß auf eine Stelle bzw. Strecke groß- Für die Verwirklichung dieses Merkmales bei

ter Verquetschung mindestens in Richtung auf 30 einer Halbleiteranordnung können im Rahmen der

das eingeschlossene Halbleiterbauelement eine Erfindung verschiedene Lösungswege beschritten

oder mehrere Strecken mit geringerer Verquet- werden,

schung folgen. So kann für den Anschlußleiter auf anteiligen

2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, da- Strecken, welche der Stelle bzw. Strecke der größten durch gekennzeichnet, daß von der Stelle bzw. 35 Verquetschung folgen, das Maß der Verquetschung Strecke größter Verquetschung des Metallrohres stufenweise abnehmend gewählt werden.

aus an den nachfolgenden Längenanteilen eine Ein ähnlicher Lösungsweg ergibt sich, wenn von

stufenweise abnehmende Verquetschung vorhan- dem Längenanteil der Verquetschungsstelle mit der

den ist. größten Verquetschung aus die Verquetschung' in

3. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, da- ₃₀ Richtung auf das Ende der Verquetschungsstelle, zu durch gekennzeichnet, daß von der Stelle bzw. stetig abnimmt.

Strecke größter Verquetschung aus an dem nach- Nach einem dritten Lösungsweg kann die Verquetfolgenden Längenanteil der Verquetschungsstelle schungsstelle derart gestaltet werden, daß der Ander Betrag der Verquetschung allmählich bzw. Schlußleiter an seiner Außenmantelfläche und das stetig abnimmt. ₃₅ umschließende Rohr an seiner Innenmantelfläche zur

4. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 bis 3, flachigen gegenseitigen, vorzugsweise unmittelbar dadurch gekennzeichnet, daß der geringste be- gasdichten Anlage kommen, während an der nachfolnutzte Verquetschungsbetrag an der Verquet- genden Strecke des Anschlußleiters nur noch beide schungsstelle derart bemessen ist, daß die an die- Teile für eine Bildung gegenseitiger Eingriffsstellen ser Verquetschungsstelle noch gewährleistete Ein- ₄₀ z. B. mittels einer Einkerbung mechanisch durch ein spannung des Anschlußleiters für diesen eine Schlag- oder Preßwerkzeug bearbeitet werden.
Zugentlastung ergibt, der größte Verquetschungs- Bei einem solchen Aufbau einer Halbleiteranordbetrag jedoch eine gasdichte gegenseitige Anlage. nung an einer Anschlußstelle kann derjenige Anschlußleiteranteil, welcher dem erfindungsgemäß ein-

45 gespannten nachfolgt, an der Übergangsstelle von der

Einspannung zum freigetragenen Leiterteil kaum

eine merkliche mechanische Beanspruchung erfahren, so daß also nachteilige Gefügeänderungen an jenem freigetragenen Anschlußleiterteil nicht zur Ent-

Die Erfindung bezieht sich auf eine Halbleiteran- 50 stehung gelangen können, sondern dieser Anschlußordnung mit mindestens einer elektrischen Anschluß- leiterteil behält vielmehr seine einwandfreie und stelle, an welcher ein vom eingeschlossenen Halb- leichte Biegsamkeit und somit können auch betriebsleiterbauelement ausgehender elektrischer, Vorzugs- mäßig auf die Halbleiteranordnung gelangende nachweise biegsamer Anschlußleiter in das innere Metall- teilige Schwingungserscheinungen nicht mehr solche rohr einer elektrisch isolierenden Durchführung ein- 55 angeführten Brucherscheinungen an einer solchen geführt oder durch diese hindurchgeführt ist und Stelle des Anschlußleiters hervorrufen,
dann in dem Metallrohr mit seiner äußeren Mantel- Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand

fläche an dessen Innenwand durch eine an diesem eines entsprechenden Ausführungsbeispieles wird Metallrohr von außen durchgeführte Verquetschung, nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug ge- und zwar im letzteren Falle vorzugsweise gasdicht 60 nommen.

festgespannt ist. In F i g. 1 ist ein Halbleiterbauelement, ζ. Β. eine

Eine solche Halbleiteranordnung ist beispielsweise Siliziumdiode, dargestellt mit einem Grundplattenaus der DT-AS 1 266 886 bekanntgeworden. Beim teil 1, der z. B. aus Stahl besteht. An der inneren Festspannen des aus Draht bestehenden Anschlußlei- Fläche dieses Grundplattenteiles ist das Halbleiterters hat sich unter Anwendung des gleichen Verquet- 65 element 2 durch Lötung, gegebenenfalls innerhalb schungsmaßes auf der ganzen Länge der Verquet- einer an der Platte 2 vorgesehenen Aussparung, befeschungsstrecke ergeben, daß beim betriebsmäßigen stigt. Das Halbleiterelement 2 ist gasdicht gekapselt, Einsatz der Halbleiteranordnung am Anschlußleiter indem ein zweiter becherförmiger Gehäuseteil 3 vor-