DE2624226A1 - Halbleitergleichrichteranordnung - Google Patents

Halbleitergleichrichteranordnung

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DE2624226A1 DE19762624226 DE2624226A DE2624226A1 DE 2624226 A1 DE2624226 A1 DE 2624226A1 DE 19762624226 DE19762624226 DE 19762624226 DE 2624226 A DE2624226 A DE 2624226A DE 2624226 A1 DE2624226 A1 DE 2624226A1
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Description

  • HALBLEITRGLEICHRICHTERANORDNUNG
  • Es Neuerung betrifft eine Halbleitergleichrichteranordnung, bei der @@l jeweils wenistens einen pn-Übergang aufweisende Halbletergleichrichterelemente mit ihren Anschlußbauteilen auf einer Seite einer geeinsamen metallischen Grundplutte elektrisch isoliert und thermiscli 1 itend befestigt, in elektrischer Reihenschaltung zu einer Baueinheit verbunden und in einem Kunststoffgehäuse angeordnet sind.
  • Halbleitergleichrichteranordnungen unterschiedlicher Gleichrichterschal tung erden 11 teiqendem Maße in Steuer- und Regelkreisen, beispielsweise auch bei der Drehzahlregelung von Elektromotoren, verwendet. Dabei ist der Einsatz von bekannten Ausführungsformen von Halbleitergleichrichterelementen oder Gleichrichteranordnungen häufig mit Nachteilen verbunden. So ist bei deren Anwendung in Dreiphasennetzen mit der Anreibung mehrerer Baueinheiten und mit deren gegenseitiger elektrischer Verbindung teilweise ein unerwünschter Platzbedarf und ein besonderer Aufwand an Anschlußbauteilen erforderlich. Weiter macht die Vielzahl von Anwendung fallen mit unterschiedlichen Forderungen an Einbau und Raumnutzung jeweils unterschiedliche Bauformen und auch Baugrößen notwendig. Schließ lich entsprechen bekannte Gleichrichteranordnungen hinsichtlich ihres Aufbaus nicht immer den gestellten Forderungen nach wirtschaftlicher ihrung Der Neuerung, liegt die Aufgobe zuglunde, Halbleitergleichrichteranordnun gen zu schaffen, die gegenubei den bekannten Ausführungsformen einen wirtschaftlicheren Aufbau ziegen und, durch günstigere Formgebung sowie durch vorteilhafte Anordnung von Anschlußbauteilen, als Baueinheit den Zusammenbau zu unterschiedli: Gleichri Lerschaltungen besonders rationell ermöglichen.
  • Die Lösung dieser Aufgabe besteht bei einer Halbleitergleichrichteranord nung der eingangs erwdhnten Art darin, daß zusätzlich zu den beiden dem Eingang und dem Ausgang der Reihenschaltung zugeordneten Stromleitungsanschlüssen ein dritter, dem Verbindungsleiter zwischen den beiden Halbleitergleichrichterelementen zugeordneter Stromleitungsanschluß vorgesehen ist, daß die drei Stromleitungsanschlüsse in einer Reihe liegen und der dritte, dem Verbindungsleiter zugeordnete an einem Ende der Reihe angeordnet ist, und daß jeder der beiden äußeren Stromleitungsanschlüsse und das ihm zugeordnete Halbleitergleichrichterelement jeweils auf einer gemeinsamen, über eine elektrisch isolierende Zwischenscheibe uuf der Grundplatte fest aufgebrachten Kontaktschicht befestigt und leitend verbunden sind.
  • Anhand der in den Figeren 1 und 2 dargestellten Ausführungsbeispiele wird der Gagenstand der Neuerung aufgezeigt und erläutert. Figur 1 zeigt in Seitenansicht und teilweise im Querschnitt einen Aufbau mit Halbleitergleichrichterelementen mit einem pn-Übergang, d.h. mit nur zwei Anschlußelektroden. In Figur 2 ist perspektivisch ein Isolierstoffteil zur Anordnung der Anschlußleiter, jedoch für einen Aufbau mit steuerbaren Halbleitergleichrichterelementen dargestellt, die drei Anschlußelektroden aufweisen.
  • Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt Bei dem in Figur 1 dargestellten Aufbau ist mit 1 eine thermisch und elektrisch gut leitende, z.B. aus Kupfer bestehende, ebene, stegförmige Grundplatte bezeichnet, die al beiden Endabschnitten ihrer beispielsweise rechteckförmigen Flächenausdehnung jeweils wenigstens eine Durchbohrung 21 zur Befestigung aufweist.
  • Die Dicke der Grundplatte 1 ist t ritisch. Sie soll die mechanische Stabilittit der neuerungsgemäßen Anordnung bei allen Anwendungsfällen gewährleisten und mit zu einem günstigen, thermischen Betriebsverhalten beitragen. Die Lange wird im wesentlichen durch den Platzbedarf für die beiden Halbleitergleichrichterelemente und für je ein Anschlußbauteil derselben bestimmt. Die Breite der Grundplatte 1 richtet sich nach der Flächenausdehnung der Halbleitergleichrichterelemente und nach der Anordnung und Ausdehnung der auf der Grundplatte 1 befestigten Schaltungsbauteile.
  • Zur elektrischen Isolierung jedes Halbleitergleichrichterelements gegenüber der Grundplatte 1 ist auf dieser je eine möglichst dünne, elektrisch isolierende und thermisch gut leitende, beispielsweise aus Oxidkeramik bestehende, plane Zwischenscheibe 2 angeordnet. Diese Zwischenscheiben 2 sind in geringer gegenseitigen Abstand z.B. durch Löten befestigt. Dazu und zur Verbindung mit weiteren Bauteilen auf ihrer freien Oberseite nitl teis Lunten weizen die Scheiben 2 entsprechende Metallisierungen auf. Es kann auch eine durchgehende Zwischenscheibe mit in gegenseitigem Abstand aufgebrachten Metallisierungen vorgesehen sein. Die Zwischenscheiben 2 können durch Kleben auf der Grundplatte 1 befestigt sein.
  • Zur guten elektrischen und thermischen Kontaktierung der Halbleitergleichrichteralemente ist auf jeder Zwischenscheibe 2 eine ebene Kontaktscheibe 3, 13 aus thermisch und elektrisch gut leitendem Material, beispielsweise aus Kupfer, vorzugsweise durch Löten befestigt und zu diesem Zweck bedarfsweise oberflächenbehendelt, Di, Flachenausdehnung der Kontaktscheiben 3, 13 ist geringer als diejenie der Zwischenscheiben 2, um die elektrische Isolation der Halbleitergleichrichterelemente gegenüber der Grundplatte 1 sicherzustellen, und ist durch den Flächenbedarf für die jeweilige Halbleitertablette und für den Stromleitungsanschluß der zur Grundplatte te gerichteten Kontaktelektrode der Halbeitertablette vorgegeben.
  • Die Zwischenscheiben 2 und die Kontaktscheiben 3, 13 können beliebige Flächenform haben, Die dem nachgeschalteten Halbleitergleichrichterelement zugeordnete Kontaktscheibe 13 weist einen stegförmigen Ansatz auf, dessen Endabschnitt 13a mittels Kröpfung parallel zur Scheibenebene in Richtung des ersten Halbeltergleichrichterelements und in einer solchen Höhe verlauft, daß er direkt oder Über ein Leiterteil flächemhaft auf der oberen Kontaktelektrode der benachbarten Halbleitertablette befestigt werden kann. Dadurch wird die elektrische Reihenschaltung der Leiden Halbleitergleichrichterelemente hergestellt, Auf jeder Kantaktscheibs 3, 13 ist je eine Halbleitertablette 4 durch Löten befestigt, Sie ist an ihrer oberen Kantcktfläche Über ein kontaktplättchen 5 mit elnem Anschlußleiter 6 bzw, mit dam Abschnitt 13a dar Kontaktscheibe 13 fest verbunden, Der Anschlußledter 6 kann blazen- oder litrenfärmig ausgebildet sein. Der Ansatz der Kontaktscheibe 13 kann zum Ausgleich von beim Einsatz auftretenden WBrmedehnungen besondere Formgebung aufweisen, Anstelle von ungekapselten können auch metallgekcpselte Halbleitergleichrichterelemente verwendet werden, Zusätzlich zu den Stremleitungsanschlüß sen am Eingang und am Ausgang der Reihenschaltung ist ein weiterer Anschluß vorgesehen und dem Verbindungsleiter zwischen den Halbleitergleichrichterelementen, gemäß der Darstellung in Figur 1 der Kontaktscheibe 13 und ihrem Arisatz, zugeordnet. 1).- lurcil können die Halbleitergleichrichterelemente einzeln oder bei entsprechender Verschaltung der Stromleitungs anschlusse Außer in Reihenschaltung in A;ttipjrallel schultunrj oder in Verdopplerschaltung eingesetzt werden.
  • Die Kontaktscheiben 3, 13 können auch mittels eines Klebers auf der Zwischenscheibe befestigt sein.
  • Neuerungsgemäß ist, bei Befestigung der Halbleiterabletten mit der positiven Elektrode auf der Kontaktscheibe, der dem Schaltungseingang und der dem Verbindungsleiter zugeordnete Stromleitungsanschluß jeweils in Form eines Anschlußbolzens 7, 17 gemeinsam mit der entsprechenden Halbleitertablette 4 auf deren Kontaktstheibe 3 bzw 13 beispielsweise senkrecht auf dieser befestigt. Der dem Schaltungsausgang zugeordnete Stromleitungsanschluß 9 ist räumlich zwischen den beiden, beispielsweise jeweils senkrecht auf der Kontaktscheibe stehenden Anschlußbolzen ;', 17 angebracht.
  • Vorteilhaft liegen sdmtliche Stromleitungsanschlüsse in einer Reihe z.B.
  • auf einer Geraden und auf der Längsachse der Grundplatte 1. Beide außeren Anschlüsse 7, 17 können gleichen Abstand zum mittleren 9 aufweisen Die Dicke der Anschlußbolzen 7, 17 richtet sich nach der durch die aktive Fläche der vorgesehenen Halbleitertabletten bestimmten Stromdichte, ihre Länge nach der Höhe des Aufbaus der Halbleitergleichrichterelemente und nach konstruktiven Gesichtspunkten zur Befestigung von Stromleiterteilen.
  • Wie in Figur 1 dargestellt, weisen die Anschlußbolzen 7, 17 an der Stirnseite ihres freien Endes z.B. ein Sackloch 27 mit Innengewinde zur Schrouzbefestigung von Stromleiterteilen auf.
  • Die räumliche Anordnung der Stiomlitung0anschlüsse in einer eie, wobei insbesondere der dem Verbindungsleiter zugeordnete Stramleitungsanschluß an einem Ende der Reihe liegt, eryibt den wesentlichen Vorteil, daß in rationeller Weise mit Hilfe eitles oder mehrerer Kontaktbügel zwischen den Anschlüssen einer bzw, n¢hrerer Baueinheiten unterschiedliche Gleichrichterschaltungen erzielbar sind.
  • Zur neuerungsgemäßen Anordnung des mittleren der Stromleitungsanschlüsse ist weiter ein stegförmiges Isolierstoffteil 8 vorgesehen. Es weist bei dem in Figur 1 dargestellten Ausführungsbeispiel an seinen beiden Stirnseiten je eine dem Umfang der Anschlußbolzen 7, 17 angepaßte, stirnseitig offene Aussparung auf und ist mithilfe dieser Ausbildung flächenparal lel zur Grundplatte 1 zwischen den Anschlußbolzen 7, 17 und von diesen geführt angeordnet, Es stützt sich dabei an jedem Ende auf einen stufenförmigen Absatz jedes Bolzens 7, 17, der an seinem freien Ende durch einen Abschnitt 7a, 17a mit geringerem Querschnitt gebildet ist.
  • Das beispielsweise aus Glasfasergewebe bestehende Isolierstoffteil 8 weist in seinem Verlauf zwischen den Anschlußbolzen 7, 17 Öffnungen 28 auf. Eine derselben dient zur Durchführung des oberen Anschlußleiters 6 des einen Hclbleitergleichrichterelementes und eine weitere zum Aufstecken des dritten Stromleitungsanschlusses 9. Wie in Figur 1 im Schnitt dargestellt, kann der Anschluß 9 bei versetzter Anordnung gegenüber dem Anschlußleiter 6 über einen Kontaktsteg 10 mit diesem fest verbunden sein.
  • Eine Weiterbildung der Neuerung besteht darin, daß bei entsprechender Ldngsousdehnung der Halbleiteranordnung der obere Anschlußleiter 6 des einen Halbleitergleichrichterelementes, in ausreichender Länge ausgebildet, durch eine Öffnung des Isolierstoffteils 8 hindurch über diesen hinausragt und an seinem freien Ende ols Stramleitvngsnschluß ausgebildet ist. Bedarfsweise kann die nechinische Fixierung an dem Isolierstoffteil 8 mit Hilfe all sich bekannter Bauelemente, z.B. durch Verschrauben, erfolgen.
  • Der Stromleitungsanschluß 9 kunil uin zylindrisches Bauteil sein, ist an seinem oberen Ende vorzugswi'e lii Übereinstimmung mit den Anschlußbolzen 7, 17 ausgebildet und /eivt um unteren Ende geringeren Querschnitt zum Durchstecken durch die worgesel,ene Öffnung 28 des Isoliersioffteils 8 und durch eine vorgesehene Öffnung des Hontaktsteges 10 auf0 Der Kontaktsteg 10 ist beispielsweise eirt Stanzteil und zur Erzielung von Lötverbindungen bedarfsweise oberflächenbehandelt.
  • Der erläuterte Aufbau eines Ausführungsbeispiels des Gegenstandes der Neuerung ist, wie dies in Figur 1 mit unterbrochenen Linien dargestellt ist, in einem Kunststoffgehäuse untergebracht, das auf der Grundplatte 1 beispielsweise durch Kleben oder durch Vernieten an derer. Durchbohrungen 21 befestigt ist. Das Kunststoffgehäuse kann aus einem Wandteil und eine Deckelteil bestehen oder aber ein einstückiges Bauteil sein und, wie die in Figur 1 angedeutet ist, an je einem flanschförmigen Ansatz mit der Grundplatte 1 verbunden sein. Da das Kunststoffgehäuse nichts zum Kennzeichen der Neuerung beiträgt, ist es nicht weiter in Betracht gezogen.
  • Innerhalb des Kunststoffgchäuses ist der aus Halbleitertabletten und Kontaktbauteilen besteende Aufbau bis über das Isolierstoffteil 8 in eine Gießmasse eingebettete Dadurch ist die erforderliche, mechanisch feste Anordnung des Anschlusses 9 beim Einbau der Halbleitergleichrichteranordnung gewährleistet. Anstelle der Einbettung in Gießmasse in einem Kunststoffgehäuse kann der vorgesehene Aufbau auch in eine Kunststoffpressmasse entsprechender Formgebung eingeschlossen seir.
  • Eine Weiterbildung des Gegerstandes der Neuerung besteht in einem Aufbau ohne Isolierstoffteil 8, bei welchem die Anschlußbolzen und der obere Anschlußleiter 6 an ihrem ireien Ende als Stromleitungsanschluß ausgebildet sind, und bei den die Stromleitungsanschlüsse nach vorheriger Fixierung mittels einer Hilfslehie in votgesenener gegenseitiger Zuordnung in Kunststoffgießmasse fest eingebettei sind.
  • Bei Verwendung von steuerbaier Hulbleitergleichrichterelementen sind die vorzugsweise drahtförmigen Ste, erelektroden der Thyristortabletten an entsprechenden Stellen zum Isolierstoffteil geführt und dort durch Löten fixiert. In Figur 2 ist ein Ausführungsbeispiel Gines Isolierstoffteils 18 dargestellt, das an seinen oberen Längsrandzonen Leiterbahnen 30a, 30b, beispielsweise an deren einem Ende je eine Durchbohzung 32 zur Durchführung der zugeordneten Steuerelektrode und jeweils beispielsweise an deren anderem Ende einen bolzenförmigen Steuerstromanschluß 31 aufweist.
  • Diese Steuerstromanschlüsse können duch unmittelbar an Stelle der Durchbohrungen angebracht und mit der jeweiligen Steuerelektrode kontaktiert sein, so daß die Lsiterbahnen 30a, 30b entfallen.
  • Die Ereite des Iseliersteffteils 8, 10 sichtet sich nach der Breite der Gwyndplatte 1, Zine weitere Öffnung 28 ist zur Begünstigung der Gießmassenfüllung des Kanstetoffgetäuben worgeschen.
  • Zur Herstellung ven Gleichrichteranerdnungen gemäß der Neuerung werden zundchst auf der Grundplatte 1 eine durchgehende oder zwei Zwischenscheiben 2 befestigt. Dann wird auf jede der beiden Metallisierungen je ein aus den Bauteilen 3, 4, 5 und 6 bzw. 13a bestehender Elementenstapel, jeweils unter Zwischenlage von Folien aus Lotmetall, und zusätzlich der zugeordnete Anschlußbolzer, 7 bzw. 17 aufgebracht und dieser Aufbau zur Herstellung der entspsechenden Lötyezbindungen einer Wärmebehandlung unterworfen, Nachdem das Isolierstoffteil 8, 18 mit den zu kontaktierendan Teilen zwischen den Anschlußbolzen 7, 17 angeordnet wurde, wird anschließend, bedarfsweise in einem weiteren Lötprozess, der Stromleitungsanschluß 9 über den Kontaktsteg 10 mit dem Anschlußleiter 6 verbunden.
  • Weiterhin wird das Kunststoffgehäuse aufgebracht und beispielsweise durch Kleben mit der Grundplatte 1 fest verbunden. Schließlich wird das Kunststoffgehäuse noch mit einer Gießmasse ausgegossen, in welcher der gehä.u seinnere Aufbau bis über das Isolierstoffteil 8 eingebettet ist.
  • L e e r s e i t e

Claims (17)

  1. SCHUTZANSPRUCHE a Halbleitergleichrichteranordnung, bei der zwei jeweils wenigstens einen pn-Ubergang aufweisende Halbleitergleichrichterelemente mit ihren Anschlußbauteilen auf einer Seite einer gemeinsamen metallischen Grundplatte elektrisch isoliert und thermisch leitend befestigt, in elektrischer Reihenschaltung zu einer Baueinheit verbunden und in einem Kunststoffgehäuse angeordnet sind, d a d u r c h g e k e n n -z e i c h n e t, daß zusätzlich zu den beiden dem Eingang und dem Ausgang der Reihenschaltung zugeordneten Stromleitungsonschlüssen ( 7,9 ) ein dritter, dem Verbindungsleiter zwischen den beiden Halbleitergleichrichterelementen (4) zugeordneter Stromleitungsanschluß ( 17 ) vorgesehen ist, daß die drei Stromleitungsanschlüsse ( 7, 9, 17 ) in einer Reihe liegen und der dritte, dem Verbindungsleiter zugeordnete ( 17 ) an einem Ende der Reihe angeordnet ist, und daß jeder der beiden äußeren Stromleitungsanschlusse ( 7, 17 ) und das ihm zugeordnete Halbleitergleichrichterelement (4) jeweils auf einer gemeinsamen, über eine elektrisch isolierende Zwischenscheibe ( 2 ) auf der Grundplatte ( 1 ) fest aufgebrachten Kontaktschicht ( 3, 13 ) befestigt und leitend verbunden sind.
  2. 2. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß ungekapselte, scheibenförmige Halbleitergleichrichterelemente ( 4 ) vorgesehen sind.
  3. 3. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekenn zeichnet, daß metallgekapselte Halbleitergleichrichterelemente vorgesehen sind.
  4. 4. Halbeitergleichrichterdnordn@ng nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für jedes Huibleitergleichrichterelement ( 4 ) zur Befestigung auf der Grundplatte ( 1 3 ene isolierende Zwischenscheibe ( 2 ) aus Oxidkeramik vorgesehen ist
  5. 5. Halbleitergleichrichteratiordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß für beide Halbleitergleichrichterelemente ( 4 ) zur Befestigung auf der Grundplatte eine gemeinsame, isolierende Zwischenscheibe ( 2 ) aus Oxidkeramik vorgesehen ist.
  6. 6. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende (n) Zwischenscheibe(n) ( 2 ) durch Kleben mit der Grundplatte fest verbunden ist ( sind ).
  7. 7. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem er folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die isolierende(n) Zwischenscheibe(n) ( 2 ) mit Metallisierungen versehen und durch Lobten @it der Grundplatte ( 1) und mit den Halbleitergleichrichterelementer ( 4 ) fest verbunden ist ( sind ).
  8. 8. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß als Kontaktschicht, die Uber eine isolierende Zwischenscheibe auf der Grundplatte ( 1 ) fest aufgebracht ist, eine metallische Kontaktscheibe ( 3, 13 ) vorgesehen ist.
  9. 9. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die metallische Kontaktscheibe ( 3, 13 ) durch Kleben auf der isolierenden Zwischenscheibe ( 2 ) befestigt ist.
  10. 10. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß eine der metallischen Kontaktscheiben ( 13 ) eines, stegformigen Ansatz aufweist, dessen Endabschnitt ( 13a ) unmittelbar oder über ein Leiterteil mit der oberen Kontaktelektrode des benachbarten Halbleitergleichrichterelements fest verbunden ist.
  11. 11. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die äußeren Stromleitungsanschlüsse ( 7, 87 ) bolzenförmig ausgebildet und senkrecht auf der jeweiligen Kontaktscheibe ( 3, 13 ) befestigt sind.
  12. 12. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß die bolzenförmigen Stromleitungsanschlüsse ( 7, 17 ) an ihrem freien Ende eine zur Schraubverbindung mit Leiterteilen geeignete Ausbildung aufweisen.
  13. 13. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden Anspruch., dadurch gekennzeichnet, daß der mittlere ( 9 ) der drei StroileitungsanschlUsse auf einem stegförmigen Isolierstoffteil ( 8, 18 ), das mit Hilfe je einer stirnseitigen, angepaßten Aussparung zwischen den äußeren Stromleitungsanschlüssen geführt ist und sich auf besonders Ausbildungen der letzteren abstützt, angeordnet und über einen Kontatkstag (10) mit des oberen ANschlußleiter des zugeordneten HalbleitergleihrickterelnrIts leitend verbunden ist.
  14. 14, Halbleitergleichrichteranerdnung nach Anspruch 13, dadurch gekennzeichnet, daß des Isoliçrstoffteil ( 18 ) Leiterbahnen ( 30a, 30b ) zur Kontaktierung der Steuerelektrode von steuerbaren Halbleitergleichrichterelementen aufweist, und daß im Verlauf der Leiterbahnen Durchbohrungen ( 32a, 32h ) zur Anbringung der Steuerelektroden sowie Steuerstromanschlüsse ( 31 ) vorgesehen sind.
  15. 15p Halbleitergleichrichteranordnung noch Anspruch 13, dadurch geknnzeichnet, daß des Iselioratoffteil ( 8, 18 ), Öffnungen ( 28 ) zur Befestigung des mittleren Stromleitungsanschlusses ( 9 ) aufweist.
  16. 16. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 bis 15, dadurch gekennzeichnet, daß der mittlere der drei Stromleitungsanschlüsse direkt einen Abschnitt des oberen Anschlußleiters des entsprechenden Halbleitergleichrichterelements darstellt.
  17. 17. Halbleitergleichrichteranordnung nach Anspruch 1 bis 16, dadurch gekennzeichnet, daß der aus Halbleitergleichrichterelementen und Anschlußbauteilen bestehende Aufbau bis über das Isolierstoffteil ( 8, 18 ) in Gieß- oder Pressmasse eingebettet ist.
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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DE2912863A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-04 Nippon Denso Co Steuereinrichtung fuer ein elektrofahrzeug
FR2442508A1 (fr) * 1978-11-27 1980-06-20 Gen Electric Boitier de dispositif a semi-conducteurs

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2912863A1 (de) * 1978-03-31 1979-10-04 Nippon Denso Co Steuereinrichtung fuer ein elektrofahrzeug
FR2442508A1 (fr) * 1978-11-27 1980-06-20 Gen Electric Boitier de dispositif a semi-conducteurs

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