DE3643288C2 - - Google Patents

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DE3643288C2 DE19863643288 DE3643288A DE3643288C2 DE 3643288 C2 DE3643288 C2 DE 3643288C2 DE 19863643288 DE19863643288 DE 19863643288 DE 3643288 A DE3643288 A DE 3643288A DE 3643288 C2 DE3643288 C2 DE 3643288C2
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Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleiterbaueinheit in Modulbau­ weise mit den Merkmalen nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1.
Eine derartige Anordnung ist aus der DE 33 36 979 A1 bekannt. Dieses Modul gestattet bedingt durch den Harzverguß und die gelöteten Aufbauteile kein zerstörungsfreies Auswechseln der einzelnen Teile.
Es sind weiterhin Halbleiterbaueinheiten in Modulbauweise bekannt, bei welchen wenigstens ein aktives Halbleiterelement, auch im folgenden Halbleitertablette genannt, ungekapselt durch Löten auf flächigen Stromleiterteilen auf einer Isolierstoff­ unterlage befestigt ist, die ihrerseits auf eine metallische Trägerplatte gelötet wird.
Häufig bestehen diese Halbleiterbaueinheiten aus mehreren aktiven und passiven Bauelemente-Tabletten, die auf mehreren Isolierstoffunterlagen mit einer gemeinsamen Trägerplatte in einem Isolierstoffgehäuse aufgebaut und mit Isolierstoffmasse vergossen sind.
Nachteilig bei solchen Baueinheiten ist, daß durch Ausfall von einem der aktiven oder passiven Bauelemente im Verlauf des Herstellungsprozesses mit unterschiedlichen Temperatur­ belastungen die ganze Baueinheit verworfen werden muß. Eine feste stoffschlüssige Verbindung der Isolierstoffunterlagen mit einer Trägerplatte oder der internen Verbindungsleiter mit den Anschlüssen des Isolierstoffgehäuses oder eine Kapselung in einer festen Isolierstoffmasse verhindern im Falle eines Fehlers die Austauschbarkeit der Elemente. Außerdem ist die Herstellung der Baueinheit aufwendig, weil die elektrischen Verbindungselemente bei Lötprozessen aufwendige Lötformen zur Fixierung der zahlreichen Teile erfordert. Aufgrund der mangelnden Austauschbarkeit der Elemente kann eine komplexe elektrische Anordnung, wie es eine Stromrichterschaltung darstellt, nur mit großem Ausschußanteil verwirklicht werden. So sind beispielhaft die Halbleitertabletten zunächst auf Elektrodenplatten und dieser Stapel auf die Kontaktplatte fest aufgelötet.
Gemäß der DE 36 09 458 A1 wird eine Halbleitervorrichtung beschrieben, die Leistungs- Halbleiterelemente beinhaltet. Auch hier ist durch die Art des Aufbaus und die Anwendung von Hartverguß keine Lösbarkeit der Einzelbauteile nach einmaliger Montage gegeben.
Gemäß der DE 32 32 184 A1 wird ein Leistungs- Halbleiterbauele­ ment beschrieben, das analog der Darstellung der DE 30 05 313 A1 und der DE 35 08 456 A1 lösbare Druckverbindungen ausweist, in allen Literaturstellen wird dabei von gestapelten und unterschiedlich geschalteten Einzel- Leistungs- Halbleiterele­ menten ausgegangen, die Modulbauweise ist hier nicht Grundlage der Lösung der Aufgaben. Diese Problemlösungen können nicht zur Lösung der eigenen Aufgabenstellung herangezogen werden, da dabei nicht eine weitergehende Integration von Halbleiterele­ menten zu einem Verstärkermodul möglich ist.
Die Aufgabe der Erfindung ist es daher, eine Halbleiterbauein­ heit in Modulbauweise anzugeben, die bei einfachem Aufbau eine Austauschbarkeit der Aufbauteile ermöglicht, so daß komplexe elektrische Schaltungen wirtschaftlich aufgebaut werden können.
Diese Aufgabe wird bei einer Halbleiterbaueinheit gemäß der in der DE 33 36 979 A1 genannten Art mit den Maßnahmen im Kenn­ zeichen des Anspruchs 1 gelöst. Vorteilhafte Weiterbildungen sind in den Ansprüchen 2 bis 15 angegeben.
Anhand der in den Fig. 1 bis 7 dargestellten Ausführungs­ beispielen wird die Halbleiterbaueinheit nach der Erfindung erläutert.
In der Fig. 1 ist in Seitenansicht und schematisch der Aufbau einer Halbleiterbaueinheit dargestellt. Die Fig. 1 bis 4, 6 und 7 zeigen im Querschnitt mögliche Kontaktanordnungen, und in Fig. 5 ist im Querschnitt eine weitere Art der Befestigung der Halbleiterelemente dargestellt. Für gleiche Teile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen gewählt.
Gemäß Fig. 1 ist ein Halbleiterelement (1) mit der einen unteren Elektrode z. B. durch Löten auf einem Abschnitt der metallischen Oberseite (33) einer thermisch leitenden, elek­ trisch isolierenden, als Isolierplatte bezeichneten Scheibe (3) fest aufgebracht und mit der anderen, oberen Elektrode über das Stromleiterteil (2) mit einem getrennten Abschnitt der Oberseite (33) der Basisplatte (3) und über diesen mit einem Stromanschlußbolzen (4) kontaktiert. Die untere Elektrode der Halbleitertablette (1) ist mit einem entsprechenden Bolzen (4′) elektrisch fest verbunden. Halbleitertablette (1), Stromleiterteil (2) und Basisplatte (3) bilden zusammen das Modulplättchen (I).
Die Basisplatte (3) besteht vorteilhafterweise aus einer Scheibe (31) aus Oxidkeramik und aus an deren beiden Flächen aufgebrachten Kontaktmetallschichten (32, 33). Als Basisplatte kann insbesondere eine nach dem sogenannten "direct-bonding- Verfahren" unmittelbar mit Kupfer beschichtete Keramikscheibe dienen.
Die Basisplatte (3) weist eine erheblich über den Abschnitt zur Befestigung der Halbleitertablette (1) hinausgehende Flächenausdehnung auf, welche eine einfache und auch struktu­ rell günstige, räumliche Zuordnung und Befestigung von Schaltungsbauteilen (11) zur Halbleitertablette (1) für Steuerung und Schutz des Modulplättchens (I), sowie dessen Kontaktierung mit Stromanschlüssen ermöglicht. Zur elektri­ schen Verbindung des Modulplättchens (I) mit gehäuseäußeren Leitungsabschnitten ist das Gehäuseinnere mit Ausbildungen zur Leitungsführung versehen.
Gemäß der Darstellung in Fig. 1 weist das rahmenförmig ausgebildete und lediglich teilweise gezeigte Gehäusewandteil (5), welches zusammen mit dem Trägerkörper (9) und einem nicht dargestellten Deckel das Gehäuse der Halbleiterbaueinheit bildet, einen sockelförmigen Ansatz (51) auf, der als Stützpunkt zur Befestigung eines als Stromanschlußelement bezeichneten Stromleiterteils (6) zwischen Anschlußbolzen (4′) und Gehäusewandteil (5) dient. Das Anschlußelement (6) ist lösbar an beiden Seiten vorzugsweise mittels Schrauben (7, 8) befestigt. Zur festen Anordnung auf dem Trägerkörper (9) ist das Gehäuseteil (5) weiter mit einer flanschförmigen Ausladung (52) versehen, durch welche längs der Linie m1 eine Schraub­ verbindung vorgesehen ist.
Die Halbleitertablette (1) kann aktive und passive Funktions­ elemente, d. h. außer Dioden, Transistoren oder Thyristoren auch Widerstände und/oder Kapazitäten auf Halbleiterbasis aufweisen.
Eine vorteilhafte Weiterbildung hinsichtlich einer flächen­ haften Auflage der Isolierplatte (3) auf dem Trägerkörper (9) ist dadurch gegeben, daß die dem Trägerkörper zugewandte Kontaktmetallisierung (32) aus einem Material gebildet ist oder wenigstens eine Teilschicht aus einem Material aufweist, welches durch entsprechend hohen Wärmeausdehnungskoeffizienten eine gegen den Trägerkörper konvexe Wölbung der Isolierplatte (3) bewirkt. Zu diesem Zweck kann die innere Teilschicht der Metallisierung (32) beispielsweise aus Kupfer und die äußere Teilschicht aus Blei oder Zinn bestehen. Die Halbleiter­ tablette (1) kann auch durch Kleben auf der Basisplatte (3) befestigt sein. Der Trägerkörper (9) ist bevorzugt eine metallische Montageplatte. Er kann auch als platten- oder blockförmiger Kühlkörper für Fremdkühlung ausgebildet sein.
Eine vorteilhafte Ausbildung der Halbleiterbaueinheit nach der Erfindung besteht darin, daß jedes Modulplättchen (I) mittels auf die Isolierplatte (3) wirkender Federkörper durch Druck mit dem Trägerkörper (9) fest verbunden ist.
Die Fig. 2 bis 4 zeigen jeweils drei Anordnungen einer Blattfeder als Feder­ körper. Gemäß Fig. 2 ist dieselbe etwa kellenförmig als Stromleiterteil (16) ausgebildet, mit dem gestreckten und gelochten Ende über den zylinderförmigen Ansatz eines dem Trägerkörper (9) befestigten Isolierbolzen (12) geführt und auf die Schulter dieses Stützpunktes aufgesetzt, mittels einer Isolierscheibe (13) und einer durch die Bohrung (12a) gesteckten Schraube (14) mit Druckscheibe (15) befestigt sowie mit dem gebogenen Ende auf der Isolierplatte (3) aufgesetzt.
Gemäß Fig. 3a ist dieselbe Befestigung der Isolierplatte (3) mittels einer Ausbildung der Gehäusewand (5) erzielt, wie sie in Fig. 1 als Teil 5 und Teil 51 dargestellt ist.
Fig. 3b zeigt im wesentlichen eine Anordnung ähnlich Fig. 3a, wobei an der Gehäuseinnenseite eine Leiterbahn (58) vorge­ sehen, einerseits bis unter das Ende des Stromanschlußelemen­ tes (16) und andererseits bis zur Durchführung (59) als ge­ häuseäußerer Anschlußstelle geführt und somit über das Strom­ anschlußelement (16) mit dem Modulplättchen (I) verbunden ist.
Die Federkörper sind dabei gleichzeitig zur Stromleitung vorgesehen und als Stromanschlußelemente zur Verbindung mit gehäuseäußeren Leitungsabschnitten ausgebildet.
Dazu ist gemäß Fig. 4 das gestreckte Ende des Anschlußele­ mentes (16) verlängert und abgewinkelt längs des an den sockelförmigen Ansatz (51) anschließenden Abschnitts des Gehäuses (5) nach außen geführt. Dieses freie Ende (16b) kann mit einer Aussparung zur Herstellung einer Schraubverbindung mit einem gehäuseäußeren Leitungsabschnitt versehen sein.
Eine weitere vorteilhafte Ausgestaltung des Gegenstandes der Erfindung ist nach Fig. 5 mit einem rahmenförmig ausgebil­ deten und als Druckrahmen (20) bezeichneten Körper zur Befestigung des Modulplättchens (I) auf dem Trägerkörper (9) gegeben. Der Druckrahmen ragt an seinem ganzen Umfang so weit über die Basisplatte (3) hinaus, daß eine Verbindung mit dem Trägerkörper (9) mittels Schraub- oder Steckbolzen möglich ist. Gemäß der Darstellung sind zur direkten Befestigung auf dem Trägerkörper (9) Schrauben (24), welche in Durchbohrungen (22) des Druckrahmens (20) geführt sind, und Federkörper (25) vorgesehen. Weiter ist der Druckrahmen mit je einer Öffnung (21) für jedes Modulplättchen (I) versehen, deren lichte Weite sämtliche auf der Basisplatte (3) zwischen Halbleitertablette (1) und Kontaktbolzen (4, 4′) erforderlichen Stromleiterteile einschließt. Er weist ferner Durchführungen zum Durchgang von Stromanschlußelementen (26) auf, die mit einem abgewinkelten Abschnitt (26a) auf der Kontaktschicht (33) der Basisplatte (3) aufliegen und sich mit dem freien, gestreckten Ende (26b) durch das Isoliergehäuses (5) zu dessen Außenseite erstrecken. Mit Hilfe des Druckrahmens (20) sind die Abschnitte (26a) auf der Basisplatte (3) durch Druck fest angeordnet. Durch Rundschnurmaterial (27) zwischen Druckrahmenunterseite (20) und Stromanschlußteilen (26a), eingelegt in entsprechende, nicht dargestellte Vertiefungen der Druckrahmenunterseite wird die gezielte Druckkontaktierung von Trägerkörpern (9), Basis­ platte (3) und Stromanschlußelementen erreicht.
Der Druckrahmen (20) kann für eine beliebige Anzahl von Modul­ plättchen (I) ausgebildet sein und ermöglicht auf besonders einfache Weise die gleichzeitige, einwandfreie und lösbare Befestigung der jeweiligen Anzahl von Halbleiterelementen. Er kann dazu für mehrere Modulplättchen (I) eine Öffnung (21) aufweisen.
Weiter eignet sich der Druckrahmen (20) zur gehäuseinneren Führung und Befestigung von Stromleiterteilabschnitten (18) von Steuer- und Beschaltungselementen zum Betrieb der Halbleiterbaueinheit nach der Erfindung. Diese Bauelemente (11) sind gemäß Darstellung in Fig. 1 bevorzugt neben der Halbleitertablette (1) auf der Basisplatte (3) angeordnet. Dazu ist der Druckrahmen (20) auf seiner Oberfläche mit Kontaktstellen (17) bestückt, die sowohl zur Verbindung von Stromleiterteilabschnitten mit Anschlußelementen als auch als Verzweigungspunkte einer Schaltung dienen können.
Besonders vorteilhaft ist der Druckrahmen (20) anwendbar bei Anordnung von Modulplättchen (I) in zwei Reihen mit jeweils gleicher Anzahl auf einem Trägerkörper (9) und deren gegenseitiger elektrischer Verbindung zu einer Halbleiter- Leistungsschaltung. Bilden der eine Pol aller Elemente der einen Reihe und der andere Pol aller Elemente der anderen Reihe jeweils eine gemeinsame Schaltungsschiene und bilden jeweils benachbarte Pole jeweils eines Elementes beider Reihen weitere Schaltungspunkte, so ist mit Hilfe des Druckrahmens (20) die durchgehende Befestigung und Kontaktierung aller Schaltungsschienen sowie die Kontaktierung aller Schaltung­ spunkte in überraschend einfache Weise herstellbar.
In Fig. 5 ist ein solcher Aufbau dadurch angedeutet, daß mit A und B die Schaltungsschienen für die gleichen Pole der jeweils senkrecht zur Zeichenebene aufgereihten Elemente und mit C die senkrecht zur Zeichenebene in Reihe angeordneten Schaltungspunkte aus den benachbarten Polen je eines Elements beider Reihen weitere Schaltungspunkte bezeichnet sind, so ist mit Hilfe des Druckrahmens (20) die durchgehende Befestigung und Kontak­ tierung aller Schaltungsschienen sowie die Kontaktierung aller Schaltungspunkte in überraschend einfacher Weise herstellbar.
Die feste Verbindung des Modulplättchens (I) mit dem Träger­ körper (9) mittels Federdruck ist auch durch Zwischenlage von blattfederförmigen Federkörpern zwischen Druckrahmen (20) und Basisplatte (3) erzielbar, wie dies in Fig. 5 an der linken Randzone der linken Basisplatte mit (19) gekennzeichnet ist. Die Isoliergehäusewand (5) zur Umhüllung der auf dem Trägerkörper (9) angeordneten Modulplättchen (I) besteht beispielhaft aus Keramik oder einem formstabilen Isoliermaterial oder einem von den elektrischen Leitern isolierten Metall und ist mit dem Trägerkörper (9) bevorzugt durch Verschraubung oder mittels eines Spannverschlusses fest verbunden.
Dabei ist das Isoliergehäuse (5) zusätzlich noch zur gezielten Anordnung insbesondere zur Halterung von gleichzeitig als Stromanschlußelement dienenden Federkörpern vorgesehen. Zu diesem Zweck weist das Isoliergehäuse an seiner Innenfläche nach Lage und Ausdehnung angepaßte Ausbildungen (55), wie in Fig. 6 dargestellt, zum Eingriff je eines Abschnittes (36c) von Stromanschlußelementen, z. B. von Federkörpern, auf. Auf dem Trägerkörper (9) ist die Isolier­ platte (3) angeordnet. Ihre Bestückung mit Halbleitertablette (1) und Stromleiterteilen (2) kann hier außer Betracht bleiben. Im Abstand zur Basisplatte (3) ist ein Teil des Isoliergehäuses (5) angebracht, der mit Hilfe des flansch­ förmigen Ansatzes (52) und einer lediglich durch die unter­ brochene Linie (57) angedeutete Durchbohrung mit dem Träger­ körper (9) fest verbunden ist. Auf der oberen Stirnseite des Isoliergehäuses (5) ist ein Deckel (28), ebenfalls aus Isolierstoff, aufgebracht, z. B. verschraubt, was durch die strichpunktierte Linie (56) angedeutet ist. Das Stromanschluß­ element (36) besteht aus Federmaterial. Es sitzt mit dem gehäuseinneren, gebogenen Ende (36a) auf der Basisplatte (3) auf, ist in einer z. B. nutenförmigen Ausbildung (55) des Isoliergehäuses (5) nach oben gegen den Deckel (28) geführt, erstreckt sich durch diesen auf die Gehäuseaußenseite und ist am freien Ende (36b) so abgewinkelt, daß es mit einer nicht dargestellten Öffnung zum Durchstecken von Befestigungsmitteln zentrisch über einem Einpreßteil (29) zum Anbringen eines gehäuseäußeren Leitungsabschnittes angeordnet ist.
Das Anschlußelement (36) ist in solcher Form ausgeführt, daß es nach dem Fixieren im Deckel (28) mit seinem inneren Ab­ schnitt (36a) durch Federkraft auf der Basisplatte (3) auf­ liegt. Zwischen Trägerkörper (9), Gehäuseteil (5) und Deckel (28) sind jeweils Dichtungsformteile (54, 27) vorgesehen.
Bei der Ausführungsform in Fig. 6 weist der Gehäusedeckel (28) Öffnungen zum Durchgang von Anschlußelemente-Abschnitten nach außen auf. Jedoch kann auch das Isoliergehäuse (5) derartige Öffnungen aufweisen, wobei dann der jeweilige gehäuseäußere Bereich des Gehäuses (5) zur Befestigung vom Stromleitern und zur gleichzeitigen Verbindung mit Abschnitten von Leiterteilen des gehäuseinneren Aufbaues entsprechend ausgebildet ist.
Fig. 7 zeigt schließlich einen Aufbau, bei welchem ein auf der Basisplatte (3) befestigtes Stromanschlußelement (46) eine direkte Verbindung des Halbleiterelementes (1) zu einer gehäuseäußeren Anschlußstelle herstellt. Dazu drückt das Stromanschlußelement (46) mit dem einen Ende (46a) auf die Basisplatte. Das andere, abgewinkelte Ende (46c) weist einen durch spanlose Verformung erzielten, annähernd zylindrischen Ansatz auf. Zum Eingriff dieses Ansatzes ist eine Öffnung (28a) des Gehäusedeckels angepaßt ausgebildet. Beim Aufsetzen des Deckels auf das Gehäuse (5) ragt der Ansatz in die angepaßte Öffnung (28a) hinein, während der Deckel mit dem an die Öffnung angrenzenden Flächenbereich auf dem Winkel (46c) aufliegt. Die derart gebildete Durchführung des Stromanschluß­ elementes (46) durch den Gehäusedeckel (28) bildet eine Anschlußmöglichkeit für einen gehäuseäußeren Leitungsab­ schnitt. Ferner übt der Deckel aufgrund entsprechender Bemes­ sung und Formgebung des Anschlußelementes (46) den gewünschten Anpreßdruck auf die Basisplatte (3) und damit den notwendigen Kontaktdruck für dieselbe auf den Trägerkörper (9) aus.
Eine entsprechende Anordnung mit direkter Kontaktierung der Halbleitertablette (1) ist dadurch gegeben, daß das Stroman­ schlußelement auf der Halbleitertablette (1) befestigt ist.
Die gehäuseäußeren Stromanschlußstellen können zur Verbindung mit Leitungsabschnitten einen Steckkontakt oder einen Schraubkontakt aufweisen.
Die Modulplättchen (I) werden hergestellt, indem auf der Basisplatte (3) wenigstens eine Halbleiter­ tablette (1) mit den durch die Schaltung vorgegebenen Anzahl von Kontaktschichtabschnitten (33) elektrisch z. B. über drahtförmige Leiterteile (2) durch Bonden verbunden wird. Damit liegt ein in gewünschter Weise vor Weiterverarbeitung prüfbares Zwischenprodukt vor. Eines oder mehrere solche Modulplättchen werden nach dem Prüfen zu einer Halbleiter­ baueinheit montiert, indem sie z. B. durch Aufsetzen eines gleichzeitig zur Stromleitung dienenden Federkörpers auf die Basisplatte (3) auf dem Trägerkörper (9) fest aufgebracht werden. Dazu kann es erforderlich sein, daß, abhängig von der Befestigungsart des Federkörpers (16, 26) vor Anbringen desselben, das Isoliergehäuse (5) auf dem Trägerkörper (9) befestigt wird. Bei einem Aufbau mit durch den Gehäusedeckel (28) geführten, Federwirkung entfaltenden Stromanschlußelemen­ ten (36) werden die letzteren am Deckel befestigt. Dadurch werden sie gleichzeitig mit dem Aufsetzen des Deckels auf das Isoliergehäuse auf die jeweilige Kontaktstelle der Basisplatte (3) aufgesetzt, und der Deckel wird mittels Niederhalter mit dem Isoliergehäuse (5) verschraubt. Dadurch ist die Kontak­ tierung von Trägerkörper (9), Basisplatte (3) und Stroman­ schlußelementen mittels Federkraft loslösbar hergestellt.

Claims (15)

1. Halbleiterbauelement in Modulbauweise aus wenigstens einem Modulplättchen (I) mit wenigstens zwei Halbleiterelementen (1) mit zugehörigen Stromleiterteilen (2, 4,6, 16, 26, 36, 46), bei der die Halbleiterelemente (1) auf einer Seite einer beidseitig mit einer Metallisierung (33) versehenen Isolierplatte (3) gegenüber einem als Trägerkörper (9) dienenden Kühlkörper elektrisch isoliert angebracht sind, bei der auf dem Kühlkörper (9) ein die Halbleiterelemente (1) samt Isolierplatte (3) umschließendes Isolierstoffgehäuse (52) angebracht ist, und bei der Stromanschlußelemente (6, 16, 26, 36, 46) zur Kontaktierung der einen Seite der Kontaktmetallschicht (33), auf der die Halbleiterelemente (1) angebracht sind, vorhanden sind, dadurch gekennzeichnet, daß das Modulplättchen (I) durch die Stromanschlußelemente (6, 16, 26, 36, 46) an mindestens einem freien Abschnitt der Kontaktmetallschicht (33) und den Trägerkörper (9) gedrückt und dadurch gleichzeitig elektrisch kontaktiert wird.
2. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß die Stromanschlußelemente (6, 16, 36, 46) als Federn ausgebildet sind, am Isolierstoffgehäuse, das auf dem Trägerkörper (9) befestigt ist, angebracht sind und das Modulplättchen (I) an den freien Abschnitten der Kontaktme­ tallschicht (33) mit Druck zur thermischen Kontaktierung auf dem Trägerkörper beaufschlagen und elektrisch kontaktieren.
3. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Stromanschlußelemente (16) als Federn ausgebildet sind, an Isolierbolzen (12), die auf dem Trägerkörper (9) befestigt sind, angebracht sind und das Modulplättchen (I) elektrisch kontaktieren und auf den Trägerkörper drücken.
4. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Stromanschlußelemente (26) mittels eines Druckrahmens (20) so mit Druck beaufschlagt werden, daß sie an den Abschnitten der Kontaktmetallschicht (33) das Halbleiterelement (1) elektrisch kontaktieren und auf den Trägerkörper drücken.
5. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Modulplättchen (I) aktive und passive Funktionselemente aufweist.
6. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekennzeich­ net, daß als Basisplatte (3) eine Scheibe (31) aus Keramik mit an wenigstens einer Seite angebrachter Kontaktmetalli­ sierung (33) vorgesehen ist.
7. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 6, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Isolierplatte (3) auf ihrer, dem Träger­ körper (9) zugewandten Seite eine Kontaktmetallisierung (32) oder wenigstens eine Teilschicht derselben aus einem Material aufweist, welches durch Bimetalleffekt eine gegen den Trägerkörper (9) konvexe Wölbung der Isolierplatte (3) bewirkt.
8. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 7, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die von dem Halbleiterelement (1) abgewandte Kontaktmetallisierung (32) aus einer Basisschicht aus Kupfer und aus einer Deckschicht aus einem Kontaktmetall mit gegen­ über Kupfer höherem Wärmeausdehnungskoeffizienten besteht.
9. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß an der Innenseite der Gehäusewand (5) Leiter­ bahnen (58) vorgesehen und so ausgebildet sind, daß die Modulplättchen (I) über die Stromanschlußelemente (16) mit den Leiterbahnen (58) verbunden sind, und daß die Leiter­ bahnen zu Durchführungen (59) für gehäuseäußere Anschluß­ stellen geführt sind.
10. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Druckrahmen (20) für die Halbleiterelemente (1) jedes Modulplättchens (I) wenigstens eine Öffnung (21) aufweist, durch welche sich Schaltungs- und Stromleiterteile erstrecken, und jeweils der mit der, an die Öffnung (21) angrenzenden Randzone unter Druck den Stromanschlußelementen (26) anliegen.
11. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß jeweils zwischen Druckrahmen (20) und Stromanschlußelement (26) jedes Modulplättchens (I) blattfederförmige Federkörper (19) angeordnet sind.
12. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 4, dadurch gekenn­ zeichnet, daß der Druckrahmen (20) an seiner der Isolierplatte (3) der Modulplättchen (I) zugewandten Seite Leiterbahnen für elektrische Verbindungen aufweist.
13. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 2, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Isoliergehäuse aus Gehäusewand (5) und aus Gehäusedeckel (28) besteht, und daß die Gehäusewand (5) an ihrer Innenfläche nach Lage und Ausdehnung angepaßte Ausbildungen (55) zum Eingriff je eines Endabschnitts (36c) von Stromanschlußelementen (36) aufweist.
14. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß das Isoliergehäuse Aussparungen zum Durchgang des freien Endabschnitts (16d, 36b) von Stromanschlußelemen­ ten (16, 36) nach außen aufweist sowie zur Anordnung des gehäuseäußeren Endes (36b) von Stromanschlußelementen und zu seiner Verbindung mit gehäuseäußeren Leitungsabschnitten an der Gehäuseaußenseite entsprechend ausgebildet ist.
15. Halbleiterbaueinheit nach Anspruch 1, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die Stromanschlußelemente (46) der Modul­ plättchen (I) derart ausgebildet und auf der Isolierplatte (3) angeordnet sind, daß sie beim Zusammenbau der Bestandteile der Baueinheit in angepaßt ausgebildete Stellen des Gehäuses (28a) eingreifen, und daß dadurch die gehäuseäußere Anschlußkontaktierung herstellbar ist.
DE19863643288 1986-12-18 1986-12-18 Halbleiterbaueinheit Granted DE3643288A1 (de)

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Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19523010A1 (de) * 1995-04-25 1996-11-07 Duerrwaechter E Dr Doduco Schaltungsanordnung aus einem Leistungshalbleiter und einer Ansteuerschaltung dafür
DE19703329A1 (de) * 1997-01-30 1998-08-06 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
DE10142614A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
DE102006037159A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-07 Oechsler Ag Verdrahtete elektrische Baugruppe und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE112005003653B4 (de) * 2005-08-26 2013-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul mit auf Schaltungsträger aufgebrachten Lastanschlusselementen und Anschlussklemmelementen
DE102014225270A1 (de) * 2014-12-09 2016-06-09 Gebr. Schmid Gmbh Kontaktrahmen für elektrochemische Substratbeschichtung

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3930858C2 (de) * 1988-09-20 2002-01-03 Peter H Maier Modulaufbau
DE3837974A1 (de) * 1988-11-09 1990-05-10 Telefunken Electronic Gmbh Elektronisches steuergeraet
DE4009289A1 (de) * 1990-03-22 1991-09-26 Siemens Ag Elektronisches einschubteil zum einschieben in den rahmen eines schaltschrankes
US5316831A (en) * 1991-05-08 1994-05-31 Fuji Electric Co., Ltd. Metallic printed board
DE4131200C2 (de) * 1991-09-19 1995-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE4237632A1 (de) * 1992-11-07 1994-05-11 Export Contor Ausenhandelsgese Schaltungsanordnung
DE19529237C1 (de) * 1995-08-09 1996-08-29 Semikron Elektronik Gmbh Schaltungsanordnung
US6020750A (en) * 1997-06-26 2000-02-01 International Business Machines Corporation Wafer test and burn-in platform using ceramic tile supports
DE19942770A1 (de) * 1999-09-08 2001-03-15 Ixys Semiconductor Gmbh Leistungshalbleiter-Modul
DE10024377B4 (de) * 2000-05-17 2006-08-17 Infineon Technologies Ag Gehäuseeinrichtung und darin zu verwendendes Kontaktelement
JP2004088989A (ja) * 2002-07-03 2004-03-18 Auto Network Gijutsu Kenkyusho:Kk 電力回路部の防水方法
DE102006006175A1 (de) 2006-02-10 2007-08-23 Ecpe Engineering Center For Power Electronics Gmbh Leistungselektronikanordnung
DE102006006424B4 (de) * 2006-02-13 2011-11-17 Semikron Elektronik Gmbh & Co. Kg Anordnung mit mindestens einem Leistungshalbleitermodul und einem Kühlbauteil und zugehöriges Herstellungsverfahren
JP2008227131A (ja) * 2007-03-13 2008-09-25 Renesas Technology Corp 半導体装置及びその製造方法
EP2120263A4 (de) * 2007-11-30 2010-10-13 Panasonic Corp Basisplatte für eine hitzeableitende struktur, modul mit der basisplatte für die hitzeableitende struktur sowie verfahren zur herstellung der basisplatte für die hitzeableitende struktur
JP4798170B2 (ja) * 2008-05-13 2011-10-19 株式会社豊田自動織機 半導体装置
DE102009002191B4 (de) 2009-04-03 2012-07-12 Infineon Technologies Ag Leistungshalbleitermodul, Leistungshalbleitermodulanordnung und Verfahren zur Herstellung einer Leistungshalbleitermodulanordnung
DE102009041738B4 (de) * 2009-07-25 2015-11-05 Zehdenick Innovative Metall- Und Kunststofftechnik Gmbh Anordnung zum Anschließen von elektrischen Leiterbahnen an Polanschlüsse von zusammengeschalteten Zellen
DE102010010926A1 (de) 2010-03-10 2011-09-15 Knorr-Bremse Systeme für Nutzfahrzeuge GmbH Verbindungseinrichtung zum Verbinden einer elektronischen Komponente mit einem Gehäuseteil und elektronisches Steuergerät
JP5939041B2 (ja) * 2012-06-01 2016-06-22 住友電気工業株式会社 半導体モジュール及び半導体モジュールの製造方法
CN109997221B (zh) * 2016-11-29 2024-03-12 三菱电机株式会社 半导体装置、控制装置以及半导体装置的制造方法
JP7110599B2 (ja) * 2018-01-17 2022-08-02 沖電気工業株式会社 電子機器

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3005313C2 (de) * 1980-02-13 1986-05-28 SEMIKRON Gesellschaft für Gleichrichterbau u. Elektronik mbH, 8500 Nürnberg Halbleiteranordnung
DE3232184A1 (de) * 1982-08-30 1984-03-01 Siemens AG, 1000 Berlin und 8000 München Leistungs-halbleiterelement
JPS5968958A (ja) * 1982-10-12 1984-04-19 Mitsubishi Electric Corp ゲ−トタ−ンオフサイリスタ組立体
DE3426291A1 (de) * 1984-07-17 1986-01-30 Licentia Patent-Verwaltungs-Gmbh, 6000 Frankfurt Halbleitervorrichtung
DE3508456A1 (de) * 1985-03-09 1986-09-11 Brown, Boveri & Cie Ag, 6800 Mannheim Leistungshalbleitermodul
JPS61218151A (ja) * 1985-03-23 1986-09-27 Hitachi Ltd 半導体装置

Cited By (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19523010A1 (de) * 1995-04-25 1996-11-07 Duerrwaechter E Dr Doduco Schaltungsanordnung aus einem Leistungshalbleiter und einer Ansteuerschaltung dafür
DE19703329A1 (de) * 1997-01-30 1998-08-06 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
DE10142614A1 (de) * 2001-08-31 2003-04-03 Siemens Ag Leistungselektronikeinheit
US6846987B2 (en) 2001-08-31 2005-01-25 Siemens Aktiengesellschaft Power electronics component
DE112005003653B4 (de) * 2005-08-26 2013-05-16 Siemens Aktiengesellschaft Leistungshalbleitermodul mit auf Schaltungsträger aufgebrachten Lastanschlusselementen und Anschlussklemmelementen
DE102006037159A1 (de) * 2006-08-02 2008-02-07 Oechsler Ag Verdrahtete elektrische Baugruppe und Verfahren zu ihrer Herstellung
DE102014225270A1 (de) * 2014-12-09 2016-06-09 Gebr. Schmid Gmbh Kontaktrahmen für elektrochemische Substratbeschichtung

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JPS63240056A (ja) 1988-10-05
DE3643288A1 (de) 1988-06-30

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