DE19523010A1 - Schaltungsanordnung aus einem Leistungshalbleiter und einer Ansteuerschaltung dafür - Google Patents
Schaltungsanordnung aus einem Leistungshalbleiter und einer Ansteuerschaltung dafürInfo
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Description
Die Erfindung befaßt sich mit einer Schaltungsanordnung bestehend aus einem
Leistungshalbleiter zum Schalten großer Ströme und einer Ansteuerschaltung
dafür, welche sich in einem anwendungsspezifischen, integrierten Schaltkreis
(ASIC) befindet, welcher zusammen mit dem Leistungshalbleiter auf einer ge
meinsamen Schaltungsträgerplatte angeordnet ist.
In moderner Schaltungstechnik wird zum Ansteuern eines Leistungsschalters, sei
es ein elektromechanisches Relais oder ein Leistungshalbleiter, z. B. ein Power-
MOSFET-Transistor, ein ASIC entwickelt, der die gesamte Ansteuerschaltung
enthält. Setzt man zum Schalten größerer Ströme anstelle eines elektromecha
nischen Relais einen Leistungshalbleiter ein, dann muß man sich besondere
Gedanken über einen unter allen Betriebsbedingungen zuverlässigen Schutz des
Halbleiters vor Überlastung machen, denn Leistungshalbleiter sind gegenüber
einer thermischen Überlastung durch einen zu hohen Laststrom viel empfindli
cher als elektromechanische Relais. Will man den Leistungshalbleiter vor Zer
störung schützen, muß eine thermische Überlastung durch einen zu hohen
Laststrom zuverlässig erkannt werden, um dann den Laststrom abzuschalten.
Sich selbst schützende Leistungshalbleiter, die die Chip-Temperatur des Halbleit
ers erfassen, auswerten und den Laststrom bei Überschreiten einer Tempera
turschwelle abschalten, sind bereits Stand der Technik, z. B. der
Leistungshalbleiter Omnifet-VNP 35 N07 von SGS - Thomson. Solche sich selbst
schützenden Leistungshalbleiter sind aber erheblich teurer als vergleichbare
ungeschützte Mosfet′s, z. B. der Leistungshalbleiter
STP 50 N06 vom selben Hersteller: Der sich selbst schützende Leistungshal
bleiter ist mit ca. DM 2,60 im Vergleich zu DM 1,00 des ungeschützten Leistung
shalbleiters um 160% teurer. Damit ist der elektronische Schalter im Vergleich zu
einem elektromechanischen Relais viel zu teuer, wenn es um Schaltungsanord
nungen für Massenartikel geht, bei welchen mit dem Pfennig kalkuliert werden
muß.
Aus der EP-0 246255 B2 ist es bekannt, daß man elektronische Bauelemente
gegen thermische Überlastung durch einen Bimetallschalter schützen kann
welcher auf einer keramischen Trägerplatte (Substrat) aufgebaut ist, welche
zugleich Träger des elektronischen Bauelements ist. Durch einen solchen
Schutzschalter kommt man jedoch auf einen ähnlichen Preis wie bei Verwendung
eines sich selbst schützenden Leistungshalbleiters.
Der vorliegenden Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, einen Weg aufzuzeigen,
wie Leistungshalbleiter, die in Massenprodukten zum Einsatz kommen sollen,
preiswerter gegen thermische Überlastung geschützt werden können.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Schaltungsanordnung mit den im Anspruch
1 angegebenen Merkmalen. Vorteilhafte Weiterbildungen der Erfindung sind
Gegenstand der abhängigen Ansprüche.
Die Erfindung bietet eine Lösung für Anwendungsfälle, in denen die Geräte, in
welchen die Leistungshalbleiter arbeiten sollen, in so großer Stückzahl gebaut
werden, daß es sich lohnt, für die Ansteuerung der Leistungshalbleiter einen an
wendungsspezifischen integrierten Schaltkreis (ASIC) zu entwickeln. In diesen
Fällen kann in den ASIC problemlos ein Temperaturfühler zusammen mit einer
Auswerteschaltung integriert werden, welche die vom Temperaturfühler gelieferte
Meßgröße erfaßt, mit einer vorgegebenen Schwelle vergleicht und bei Über
schreiten der Schwelle ein Steuersignal erzeugt, welches an den Leistungshal
bleiter übermittelt wird, um dessen Laststrom abzuschalten oder mindestens zu
begrenzen.
Die Integration eines Temperaturwächters in den ASIC ist aber nur ein Teil der
Erfindung. Die Integration eines Temperaturwächters in den ASIC wird er
findungsgemäß damit kombiniert, daß der ASIC und der Leistungshalbleiter auf
einer gemeinsamen Schaltungsträgerplatte angeordnet werden, welche eine
hohe Wärmeleitfähigkeit hat, nämlich auf eine vorwiegend metallische Schaltung
strägerplatte, auf welcher sich eine lediglich dünne elektrisch isolierende Schicht
befindet, welche ihrerseits in an sich bekannter Weise die erforderlichen Leiter
bahnen trägt. Die isolierende Schicht kann dünn sein, weil nicht sie, sondern die
metallische Platte für die erforderlich mechanische Stabilität der Schaltung
strägerplatte verantwortlich ist. Die isolierende Schicht bietet dem Wärmestrom
vom Leistungshalbleiter auf die Metallplatte deshalb einen hinreichend niedrigen
Widerstand, so daß die im Leistungshalbleiter erzeugte Verlustwärme relativ
ungehindert vom Leistungshalbleiter über die metallische Platte auf den ASIC
und damit auf den Temperaturwächter übertragen wird. Vorzugsweise ist die
isolierende Schicht lediglich 50 µm bis 100 µm dick, wohingegen die Metallplatte
vorzugsweise zwischen 1 mm und 5 mm dick ist; die untere Grenze der Dicke der
Metallplatte wird wesentlich durch die gewünschte mechanische Stabilität bes
timmt, die obere Grenze der Dicke der Metallplatte durch die gewünschte Wär
mekapazität. Bei niedrigerer Wärmekapazität der Metallplatte spricht der
Temperaturwächter schneller an, bei höherer Wärmekapazität langsamer. Eine
höhere Wärmekapazität hat den Vorteil, daß Temperaturanstiege infolge eines
langsameren, vorübergehenden Ansteigens des Laststromes abgepuffert werden
können und nicht zu einem unnötigen Abschalten des Leistungshalbleiters
führen. Muß man jedoch mit steileren Anstiegen des Laststromes und damit der
Temperaturbelastung des Leistungshalbleiters rechnen, dann wird es günstiger
sein, eine dünne Metallplatte zu wählen und den ASIC dicht neben dem Leistung
shalbleiter anzuordnen, vorzugsweise in seiner unmittelbaren Nachbarschaft.
Weiterhin wird es bevorzugt, den Leistungshalbleiter nicht nur auf die Schaltung
strägerplatte aufzulöten, sondern ihn mittels einer Druckfeder auf die Schaltung
strägerplatte zu drücken, um für einen dauerhaft guten Wärmeübergang vom
Gehäuse des Leistungshalbleiters auf die Schaltungsträgerplatte zu sorgen.
Die mit der vorliegenden Erfindung vorgeschlagene Lösung ist sehr preiswert.
Metallische Schaltungsträgerplatten stehen als Alternative zu Schaltungsträger
platten aus Pertinax, Epoxidharz oder Aluminiumoxid handelsüblich zur Ver
fügung. Der ASIC verteuert sich durch die Integration eines Temperaturwächters
nur unwesentlich, da er einen prinzipiell einfachen Aufbau hat.
Ein Ausführungsbeispiel der Erfindung ist schematisch in der beigefügten Zeich
nung dargestellt, welche die Anordnung eines Leistungshalbleiters 1 und eines
ASIC 2 nebeneinander auf einer gemeinsamen Schaltungsträgerplatte 3 zeigt
welche aus einer zwischen 1 mm und 5 mm dicken Metallplatte 4 besteht, welche
einseitig mit einer ungefähr 70 µm dicken Isolierschicht 5 aus einem Kunststoff
oder aus einer Keramik bedeckt ist, welche in an sich bekannter Weise Leiter
bahnen 6 aus Kupfer trägt, welche typisch 35 µm dick sind. Der Leistungshalb
leiter 1 hat an der Unterseite seines Gehäuses in an sich bekannter Weise eine
metallische Platte 7, welche die Verlustwärme des Leistungshalbleiters aufnimmt
und in die Schaltungsträgerplatte 3 überträgt. Eine Blattfeder 8, welche an ihrem
einen Ende mit der Schaltungsträgerplatte 3 verschraubt ist, liegt mit ihrem an
deren, freien Ende auf der Gehäuseoberseite des Leistungshalbleiters 1 und
drückt diesen zur Erzielung eines guten und dauerhaften Wärmeübergangs
gegen die Schaltungsträgerplatte 3.
In entsprechender Weise könnte auch der ASIC, welcher den Temperaturwächter
enthält, gegen die Schaltungsträgerplatte gedrückt werden. Der Betrieb des ASIC
verfälscht die Temperaturmessung nicht, da der ASIC als reiner Steuerschaltkreis
praktisch keine Verlustwärme erzeugt.
Claims (5)
1. Schaltungsanordnung bestehend aus einem Leistungshalbleiter (1) zum
Schalten großer Ströme und einer Ansteuerschaltung dafür, welche sich in
einem anwendungsspezifischen integrierten Schaltkreis (ASIC 2) befindet,
welcher mit dem Leistungshalbleiter (1) auf einer gemeinsamen Schaltung
strägerplatte (3) angeordnet ist, dadurch gekennzeichnet, daß die Schal
tungsträgerplatte (3) aus einer Metallplatte (4) besteht, welche mit einer
elektrisch isolierenden Schicht (5) versehen ist, die wesentlich dünner als die
Metallplatte (4) ist und ihrerseits elektrische Leiterbahnen (6) trägt,
und daß in den ASIC (2) ein Temperaturwächter integriert ist, welcher den
Leistungshalbleiter (1) bei Auftreten einer thermischen Überlastung abschal
tet oder seine Leistung begrenzt.
2. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die
Metallplatte (4) zwischen 1 mm und 5 mm dick ist.
3. Schaltungsanordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet,
daß die isolierende Schicht (5) zwischen 50 µm und 100 µm dick ist.
4. Schaltungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß eine den Leistungshalbleiter (1) auf die Schaltung
strägerplatte (3) drückende Feder (8) vorgesehen ist.
5. Schaltungsanordnung nach einem der vorstehenden Ansprüche, dadurch
gekennzeichnet, daß der ASIC (2) in unmittelbarer Nachbarschaft des Leis
tungshalbleiters (1) angeordnet ist.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE19523010A DE19523010A1 (de) | 1995-04-25 | 1995-06-24 | Schaltungsanordnung aus einem Leistungshalbleiter und einer Ansteuerschaltung dafür |
Applications Claiming Priority (2)
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DE19514620 | 1995-04-25 | ||
DE19523010A DE19523010A1 (de) | 1995-04-25 | 1995-06-24 | Schaltungsanordnung aus einem Leistungshalbleiter und einer Ansteuerschaltung dafür |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
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DE19523010A1 true DE19523010A1 (de) | 1996-11-07 |
Family
ID=7760008
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
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DE19523010A Ceased DE19523010A1 (de) | 1995-04-25 | 1995-06-24 | Schaltungsanordnung aus einem Leistungshalbleiter und einer Ansteuerschaltung dafür |
Country Status (1)
Country | Link |
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