DE2942262A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

Info

Publication number
DE2942262A1
DE2942262A1 DE19792942262 DE2942262A DE2942262A1 DE 2942262 A1 DE2942262 A1 DE 2942262A1 DE 19792942262 DE19792942262 DE 19792942262 DE 2942262 A DE2942262 A DE 2942262A DE 2942262 A1 DE2942262 A1 DE 2942262A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing part
metal housing
semiconductor element
soldered
metallic housing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
DE19792942262
Other languages
English (en)
Other versions
DE2942262C2 (de
Inventor
Dipl.-Ing. Dr. Klaus Heyke
Dipl.-Phys. Andreas Hößler
Dipl.-Phys. Dr. Ernst 7410 Reutlingen Kühn
Dipl.-Phys. Günter 7402 Kirchentellinsfurt Schmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19792942262 priority Critical patent/DE2942262A1/de
Publication of DE2942262A1 publication Critical patent/DE2942262A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2942262C2 publication Critical patent/DE2942262C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Structures Or Materials For Encapsulating Or Coating Semiconductor Devices Or Solid State Devices (AREA)

Description

  • Halbleiterbauelement
  • Stand der Technik Die Erfindung geht aus von einem Halbleiterbauelement nach der Gattung des Hauptanspruchs. Aus den eingetragenen Unterlagen des DE-GM 1 973 009 ist bereits ein Halbleiterbauelement dieser Art bekannt, bei dem Druckkräfte auf die beiden Halbleiterelemente nicht ausgeübt werden.
  • Vorteile der Erfindung Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß das Bauelement durch Druck stabilisiert wird. Eine Weiterbildung des Gegenstandes nach dem Anspruch 1 ergibt sich aus den Ansprüchen 2 und 3.
  • Zeichnung Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Die einzige Figur zeigt einen Schnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung.
  • Beschreibung des Ausführungsbeispiels In der Zeichnung ist mit la ein erstes plättchenförmiges Halbleiterelement bezeichnet, das als Silizium-Diodenchip ausgebildet ist. Das erste Halbleiterelement la ist mit einer Anschlußseite auf ein metallisches Gehäuseteil 4 aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 2a bezeichnet. Auf die andere Oberflächenseite des ersten Halbleiterelements la ist eine erste Zuleitungselektrode 5a aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 3a bezeichnet.
  • Das erste Halbleiterelement la und die an dieses angrenzenden Teile der ersten Zuleitungselektrode 5a sind von einer ersten Kunststoffmasse 7a überdeckt, die bis zu dem metallischen Gehäuseteil 4 reicht.
  • Mit lb ist ein zweites plättchenförmiges Halbleiterelement bezeichnet, das ebenfalls als Silizium-Diodenchip ausgebildet ist. Das zweite Halbleiterelement lb ist mit einer Anschlußseite auf das metallische Gehäuseteil 4 von der anderen Seite her aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 2b bezeichnet. Auf die andere Oberflächenseite des zweiten Halbleiterelements lb ist eine zweite Zuleitungselektrode 5b aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 3b bezeichnet. Das zweite Halbleiterelement Ib und die an dieses angrenzenden Teile der zweiten Zuleitungselektrode 5b sind von einer zweiten Kunststoffmasse 7b überdeckt, die bis zu dem metallischen Gehäuseteil 4 reicht.
  • In dem metallischen Gehäuseteil 4 sind Löcher 6 vorgesehen, über die die erste Kunststoffmasse 7a und die zweite Kunststoffmasse 7b miteinander zusammenhängen.
  • Die Löcher 6 sind als zylindrische Bohrungen ausgebildet.
  • Das metallische Gehäuseteil 14 ist als planparallele Platte ausgebildet.

Claims (3)

  1. Ansprüche 1. Halbleiterbauelement mit einem ersten Halbleiterelement, das zwischen einem metallischen Gehäuseteil und einer ersten Zuleitungselektrode festgelötet und von einer ersten Kunststoffmasse umschlossen ist, die außer dem ersten Halbleiterelement die an dieses angrenzenden Teile der ersten Zuleitungselektrode überdeckt und bis zu dem metallischen Gehäuseteil reicht, und mit einem zweiten Halbleiterelement, das zwischen dem metallischen Gehäuseteil und einer zweiten Zuleitungselektrode festgelötet und von einer zweiten Kunststoffmasse umschlossen ist, die außer dem zweiten Halbleiterelement die an dieses angrenzenden Teile der zweiten Zuleitungselektrode überdeckt und bis zu dem metallischen Gehäuseteil reicht, dadurch gekennzeichnet, daß in dem metallischen Gehäuseteil (4) Löcher (6) vorgesehen sind, über die die erste Kunststoffmasse (7a) und die zweite Kunststoffmasse (7b) miteinander zusammenhängen.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (6) zylindrische Bohrungen sind.
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Gehäuseteil (#3 als planparallele Platte ausgebildet ist.
DE19792942262 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement Granted DE2942262A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792942262 DE2942262A1 (de) 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792942262 DE2942262A1 (de) 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2942262A1 true DE2942262A1 (de) 1981-04-30
DE2942262C2 DE2942262C2 (de) 1988-01-28

Family

ID=6083843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792942262 Granted DE2942262A1 (de) 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2942262A1 (de)

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1973009U (de) * 1967-04-03 1967-11-23 Siemens Ag Halbleiterbauelement.
DE1514159A1 (de) * 1965-09-17 1969-05-22 Licentia Gmbh Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle
DE2727178A1 (de) * 1977-06-16 1979-01-04 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514159A1 (de) * 1965-09-17 1969-05-22 Licentia Gmbh Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle
DE1973009U (de) * 1967-04-03 1967-11-23 Siemens Ag Halbleiterbauelement.
DE2727178A1 (de) * 1977-06-16 1979-01-04 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
DE2942262C2 (de) 1988-01-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE4013812C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines luftdicht abgeschlossenen Elektronikbauelement-Pakets
DE69304304T2 (de) Kombination einer elektronischen Halbleiteranordnung und einer Wärmesenke
DE19921109A1 (de) Elektronikbauteil
DE1937664C3 (de) Halbleiterbauelement
DE69615792T2 (de) Miniatur-halbleiteranordnung für oberflächenmontage
DE2815776A1 (de) Halbleiterbauelement mit einer elektrisch und thermisch leitenden tragplatte
DE3833329A1 (de) Chipartige mikrosicherung
DE1952789C3 (de) Luftdichte Kapselung für elektronische Bauelemente
DE2942262A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2734571A1 (de) Gleichrichteranordnung
DE4213251A1 (de) Halbleiterbaustein und verfahren zu dessen herstellung sowie behaelter zur ummantelung eines halbleiterelements
DE3619636A1 (de) Gehaeuse fuer integrierte schaltkreise
DE3149387C2 (de)
DE2620861C2 (de) Elektronische Uhr
EP0284941B1 (de) Elektrische Stellungsanzeigevorrichtung
DE69421964T2 (de) Integrierter Schaltungszusammenbau von höher Dichte und Betriebssicherheit und Herstellungsverfahren
DE102014222601A1 (de) Vorrichtung mit montierten elektronischen Komponenten und Halbleitervorrichtung mit derselben
DE2004768C3 (de) Halbleiterbauelement
DE3616969C2 (de)
DE69912065T2 (de) Halbleitermodul mit einem Kühlkörper
DE19928576A1 (de) Oberflächenmontierbares LED-Bauelement mit verbesserter Wärmeabfuhr
DE2706467A1 (de) Elektrisch leitendes verbindungselement
DE10236197B4 (de) Harzversiegelte Halbleitervorrichtung
DE2942261A1 (de) Halbleiterbauelement
DE2909531A1 (de) Keramischer kondensator und verwendung desselben

Legal Events

Date Code Title Description
8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 25/08

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee