DE2942262A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE2942262A1
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Germany
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metal housing
semiconductor element
soldered
metallic housing
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Dipl.-Ing. Dr. Klaus Heyke
Dipl.-Phys. Andreas Hößler
Dipl.-Phys. Dr. Ernst 7410 Reutlingen Kühn
Dipl.-Phys. Günter 7402 Kirchentellinsfurt Schmidt
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Robert Bosch GmbH
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Robert Bosch GmbH
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    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
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Description

  • Halbleiterbauelement
  • Stand der Technik Die Erfindung geht aus von einem Halbleiterbauelement nach der Gattung des Hauptanspruchs. Aus den eingetragenen Unterlagen des DE-GM 1 973 009 ist bereits ein Halbleiterbauelement dieser Art bekannt, bei dem Druckkräfte auf die beiden Halbleiterelemente nicht ausgeübt werden.
  • Vorteile der Erfindung Das erfindungsgemäße Halbleiterbauelement mit den kennzeichnenden Merkmalen des Anspruchs 1 hat demgegenüber den Vorteil, daß das Bauelement durch Druck stabilisiert wird. Eine Weiterbildung des Gegenstandes nach dem Anspruch 1 ergibt sich aus den Ansprüchen 2 und 3.
  • Zeichnung Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschreibung näher erläutert. Die einzige Figur zeigt einen Schnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung.
  • Beschreibung des Ausführungsbeispiels In der Zeichnung ist mit la ein erstes plättchenförmiges Halbleiterelement bezeichnet, das als Silizium-Diodenchip ausgebildet ist. Das erste Halbleiterelement la ist mit einer Anschlußseite auf ein metallisches Gehäuseteil 4 aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 2a bezeichnet. Auf die andere Oberflächenseite des ersten Halbleiterelements la ist eine erste Zuleitungselektrode 5a aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 3a bezeichnet.
  • Das erste Halbleiterelement la und die an dieses angrenzenden Teile der ersten Zuleitungselektrode 5a sind von einer ersten Kunststoffmasse 7a überdeckt, die bis zu dem metallischen Gehäuseteil 4 reicht.
  • Mit lb ist ein zweites plättchenförmiges Halbleiterelement bezeichnet, das ebenfalls als Silizium-Diodenchip ausgebildet ist. Das zweite Halbleiterelement lb ist mit einer Anschlußseite auf das metallische Gehäuseteil 4 von der anderen Seite her aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 2b bezeichnet. Auf die andere Oberflächenseite des zweiten Halbleiterelements lb ist eine zweite Zuleitungselektrode 5b aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 3b bezeichnet. Das zweite Halbleiterelement Ib und die an dieses angrenzenden Teile der zweiten Zuleitungselektrode 5b sind von einer zweiten Kunststoffmasse 7b überdeckt, die bis zu dem metallischen Gehäuseteil 4 reicht.
  • In dem metallischen Gehäuseteil 4 sind Löcher 6 vorgesehen, über die die erste Kunststoffmasse 7a und die zweite Kunststoffmasse 7b miteinander zusammenhängen.
  • Die Löcher 6 sind als zylindrische Bohrungen ausgebildet.
  • Das metallische Gehäuseteil 14 ist als planparallele Platte ausgebildet.

Claims (3)

  1. Ansprüche 1. Halbleiterbauelement mit einem ersten Halbleiterelement, das zwischen einem metallischen Gehäuseteil und einer ersten Zuleitungselektrode festgelötet und von einer ersten Kunststoffmasse umschlossen ist, die außer dem ersten Halbleiterelement die an dieses angrenzenden Teile der ersten Zuleitungselektrode überdeckt und bis zu dem metallischen Gehäuseteil reicht, und mit einem zweiten Halbleiterelement, das zwischen dem metallischen Gehäuseteil und einer zweiten Zuleitungselektrode festgelötet und von einer zweiten Kunststoffmasse umschlossen ist, die außer dem zweiten Halbleiterelement die an dieses angrenzenden Teile der zweiten Zuleitungselektrode überdeckt und bis zu dem metallischen Gehäuseteil reicht, dadurch gekennzeichnet, daß in dem metallischen Gehäuseteil (4) Löcher (6) vorgesehen sind, über die die erste Kunststoffmasse (7a) und die zweite Kunststoffmasse (7b) miteinander zusammenhängen.
  2. 2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (6) zylindrische Bohrungen sind.
  3. 3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß das metallische Gehäuseteil (#3 als planparallele Platte ausgebildet ist.
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DE2942262C2 DE2942262C2 (de) 1988-01-28

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Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1973009U (de) * 1967-04-03 1967-11-23 Siemens Ag Halbleiterbauelement.
DE1514159A1 (de) * 1965-09-17 1969-05-22 Licentia Gmbh Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle
DE2727178A1 (de) * 1977-06-16 1979-01-04 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung

Patent Citations (3)

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Also Published As

Publication number Publication date
DE2942262C2 (de) 1988-01-28

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8120 Willingness to grant licences paragraph 23
8110 Request for examination paragraph 44
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