DE2942262C2 - - Google Patents

Info

Publication number
DE2942262C2
DE2942262C2 DE19792942262 DE2942262A DE2942262C2 DE 2942262 C2 DE2942262 C2 DE 2942262C2 DE 19792942262 DE19792942262 DE 19792942262 DE 2942262 A DE2942262 A DE 2942262A DE 2942262 C2 DE2942262 C2 DE 2942262C2
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
semiconductor body
center electrode
semiconductor
electrode
soldered
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired
Application number
DE19792942262
Other languages
English (en)
Other versions
DE2942262A1 (de
Inventor
Klaus Dipl.-Ing. Dr. Heyke
Andreas Dipl.-Phys. Hoessler
Ernst Dipl.-Phys. Dr. 7410 Reutlingen De Kuehn
Guenter Dipl.-Phys. 7402 Kirchentellinsfurt De Schmidt
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Robert Bosch GmbH
Original Assignee
Robert Bosch GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Robert Bosch GmbH filed Critical Robert Bosch GmbH
Priority to DE19792942262 priority Critical patent/DE2942262A1/de
Publication of DE2942262A1 publication Critical patent/DE2942262A1/de
Application granted granted Critical
Publication of DE2942262C2 publication Critical patent/DE2942262C2/de
Granted legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
    • H01L25/07—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L29/00
    • H01L25/074—Stacked arrangements of non-apertured devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00

Description

Die Erfindung betrifft ein Halbleiterbauelement gemäß dem Oberbe­ griff des Anspruchs 1.
Ein Halbleiterbauelement dieser Art ist bereits aus den einge­ tragenen Unterlagen des DE-GM 19 73 009 bekannt. Bei diesem Halb­ leiterbauelement sind die beiden Teile der Kunststoffmasse durch die metallische Mittelelektrode vollständig voneinander getrennt, so daß der Zusammenhalt des Bauelements weitgehend nur durch die Lötfugen zwischen den beiden scheibenförmigen Halbleiterkörpern und den drei Elektroden bewirkt wird. Dies ist bei mechanischer Belastung des Bauelements von Nachteil.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, bei einem Halbleiterbau­ element nach dem Oberbegriff des Anspruchs 1 die Haftung der beiden Teile der Kunststoffmasse aneinander und an der metallischen Mittel­ elektrode zu verbessern und gleichzeitig eine Druckbeanspruchung der beiden von der Kunststoffmasse umschlossenen Halbleiterkörper zu er­ zielen.
Erfindungsgemäß ist diese Aufgabe durch die kennzeichnenden Merkmale des Anspruchs 1 gelöst. Eine Weiterbildung des Gegenstandes gemäß Anspruch 1 ergibt sich aus dem Unteranspruch 2.
Aus der DE-OS 27 27 178, Fig. 4, ist ein Halbleiterbauelement mit zwei scheibenförmigen Halbleiterkörpern bekannt, die auf zwei gegenüberliegende Flächen einer metallischen Mittelelektrode aufge­ lötet sind. Bei diesem bekannten Halbleiterbauelement ist zwar be­ reits eine zusammenhängende Kunststoffmasse vorgesehen, die die bei­ den Halbleiterkörper und Teile ihrer drei metallischen Elektroden umschließt, so daß auch hier eine Druckbeanspruchung der beiden von der Kunststoffmasse umschlossenen Halbleiterkörper erzielt wird. Durch die metallische Mittelelektrode kann aber bei diesem bekannten Halbleiterbauelement die in diesem entstehende Verlustwärme nicht ausreichend abgeleitet werden, da die Mittelelektrode dort in ihrem außerhalb der Kunststoffmasse befindlichen, für den äußeren Anschluß vorgesehenen Bereich als dünner Anschlußdraht ausgebildet ist.
Ein Ausführungsbeispiel des erfindungsgemäßen Halbleiterbauelements ist in der Zeichnung dargestellt und in der nachfolgenden Beschrei­ bung näher erläutert.
Die einzige Figur zeigt einen Schnitt durch ein Halbleiterbauelement gemäß der Erfindung.
In der Zeichnung ist mit 1 a ein erster scheibenförmiger Halbleiter­ körper bezeichnet, der als Silizium-Diodenchip ausgebildet ist. Der erste Halbleiterkörper 1 a ist mit einer seiner beiden Hauptflächen auf eine metallische Mittelelektrode 4 aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 2 a bezeichnet. Auf die andere Hauptfläche des ersten Halb­ leiterkörpers 1 a ist eine erste Zuführungselektrode 5 a aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 3 a bezeichnet.
Mit 1 b ist ein zweiter scheibenförmiger Halbleiterkörper bezeichnet, der ebenfalls als Silizium-Diodenchip ausgebildet ist. Der zweite Halbleiterkörper ist mit einer seiner beiden Hauptflächen auf die metallische Mittelelektrode 4 von der anderen Seite her aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 2 b bezeichnet. Auf die andere Hauptfläche des zweiten Halbleiterkörpers 1 b ist eine zweite Zuführungselektrode 5 b aufgelötet. Die Lötfuge ist dabei mit 3 b bezeichnet.
Ferner ist eine Kunststoffmasse vorgesehen, von der ein erster Teil 7 a den ersten Halbleiterkörper 1 a sowie einen Teil der zugehörigen ersten Zuführungselektrode 5 a umschließt und an der einen Fläche der Mittelelektrode 4 anhaftet. Ein zweiter Teil 7 b der Kunststoffmasse umschließt den zweiten Halbleiterkörper 1 b sowie einen Teil der zu­ gehörigen zweiten Zuführungselektrode 5 b und haftet an der anderen Fläche der Mittelelektrode 4 an.
In der metallischen Mittelelektrode 4 sind durchgehende Löcher 6 vorgesehen, über die der erste Teil 7 a und der zweite Teil 7 b der Kunststoffmasse miteinander zusammenhängen. Die Löcher 6 sind als zylindrische Löcher ausgebildet. Die metallische Mittelelektrode 4 ist als planparallele Platte ausgebildet.

Claims (2)

1. Halbleiterbauelement mit einem ersten (1 a) und einem zweiten (1 b) scheibenförmigen Halbleiterkörper, welche jeweils mit einer ihrer beiden Hauptflächen auf einer von zwei gegenüberliegenden Flächen einer zum elektrischen Anschluß des Halbleiterbauelements und zur Wärmeableitung dienenden metallischen Mittelelektrode (4) aufgelötet sind, wobei der erste (1 a) und der zweite (1 b) Halbleiterkörper je­ weils an seiner anderen Hauptfläche mit einer Zuführungselektrode (5 a bzw. 5 b) verlötet ist und wobei schließlich eine Kunststoffmasse vorgesehen ist, von der ein erster Teil (7 a) den ersten Halbleiter­ körper (1 a) sowie einen Teil der zugehörigen ersten Zuführungselek­ trode (5 a) umschließt und an der einen Fläche der metallischen Mittelelektrode (4) anhaftet und von der ein zweiter Teil (7 b) den zweiten Halbleiterkörper (1 b) sowie einen Teil der zugehörigen zwei­ ten Zuführungselektrode (5 b) umschließt und an der anderen Fläche der metallischen Mittelelektrode (4) anhaftet, dadurch gekenn­ zeichnet, daß die metallische Mittelelektrode (4) als planparallele Platte ausgebildet ist, in welcher um die aufgelöteten Halbleiter­ körper (1 a, 1 b) herum angeordnete, durchgehende Löcher (6) vorge­ sehen sind, über die der erste (7 a) und der zweite Teil (7 b) der Kunststoffmasse zusammenhängen.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Löcher (6) zylindrische Bohrungen sind.
DE19792942262 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement Granted DE2942262A1 (de)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792942262 DE2942262A1 (de) 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19792942262 DE2942262A1 (de) 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement

Publications (2)

Publication Number Publication Date
DE2942262A1 DE2942262A1 (de) 1981-04-30
DE2942262C2 true DE2942262C2 (de) 1988-01-28

Family

ID=6083843

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19792942262 Granted DE2942262A1 (de) 1979-10-19 1979-10-19 Halbleiterbauelement

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE2942262A1 (de)

Family Cites Families (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1514159A1 (de) * 1965-09-17 1969-05-22 Licentia Gmbh Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle
DE1973009U (de) * 1967-04-03 1967-11-23 Siemens Ag Halbleiterbauelement.
DE2727178A1 (de) * 1977-06-16 1979-01-04 Bosch Gmbh Robert Gleichrichteranordnung

Also Published As

Publication number Publication date
DE2942262A1 (de) 1981-04-30

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2617272C2 (de) Elektrischer Verbinder
EP0762496B1 (de) Leistungshalbleitermodul
DE3408216C2 (de)
DE3140719C2 (de)
DE4013812C2 (de) Verfahren zur Herstellung eines luftdicht abgeschlossenen Elektronikbauelement-Pakets
DE10351119A1 (de) Induktives Miniatur-Bauelement, insbesondere Antenne
DE2609884A1 (de) Wellenfilter mit elastischer wellenausbreitungsflaeche
DE2806099A1 (de) Halbleiter-baugruppe
DE3501710C2 (de)
DE2444699A1 (de) Anschlussteil fuer eine in dickfilmtechnik ausgefuehrte kleinstbaueinheit
DE3005773A1 (de) Oberflaechenwellen-bauelement
DE2556137C3 (de) Zusammengefügtes Bauelement
DE1069719B (de)
DE1564107A1 (de) Gekapselte Halbleiteranordnung
DE1944960C3 (de) Filtereinrichtung
DE2942262C2 (de)
EP0240769A2 (de) Steuerscheibe für Bildwiedergabevorrichtungen
EP0068493A1 (de) Kontaktsonden-Anordnung für integrierte Schaltungselemente
DE2626708C3 (de) Stabförmiger Schwingkristall
DE2909531A1 (de) Keramischer kondensator und verwendung desselben
EP0673188A1 (de) Gurtband zum Bereitstellen von Lotdepots zum Auflöten von Bauelementen auf eine Leiterplatte
DE7605140U1 (de)
DE3013773C2 (de) Elektrischer Schreibkopf
DE1916210A1 (de) Montage eines Festkoerperfilters auf einem Traegerkoerper
DE1150726B (de) Traeger-, Halte-, Umlenk- oder Verbindungs-element fuer Miniaturbaugruppen der Elektronik

Legal Events

Date Code Title Description
8120 Willingness to grant licenses paragraph 23
8110 Request for examination paragraph 44
8125 Change of the main classification

Ipc: H01L 25/08

D2 Grant after examination
8364 No opposition during term of opposition
8339 Ceased/non-payment of the annual fee