DE1514159A1 - Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle - Google Patents

Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle

Info

Publication number
DE1514159A1
DE1514159A1 DE19651514159 DE1514159A DE1514159A1 DE 1514159 A1 DE1514159 A1 DE 1514159A1 DE 19651514159 DE19651514159 DE 19651514159 DE 1514159 A DE1514159 A DE 1514159A DE 1514159 A1 DE1514159 A1 DE 1514159A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
housing
pressure contact
semiconductor elements
rectifier cell
cell according
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DE19651514159
Other languages
English (en)
Inventor
Heinz Juchmann
Ginsbach Dipl-Phys Karl-Heinz
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Original Assignee
Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Licentia Patent Verwaltungs GmbH filed Critical Licentia Patent Verwaltungs GmbH
Publication of DE1514159A1 publication Critical patent/DE1514159A1/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/71Means for bonding not being attached to, or not being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/72Detachable connecting means consisting of mechanical auxiliary parts connecting the device, e.g. pressure contacts using springs or clips
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L25/00Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
    • H01L25/03Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01004Beryllium [Be]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01005Boron [B]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01014Silicon [Si]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01029Copper [Cu]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01032Germanium [Ge]
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01Chemical elements
    • H01L2924/01047Silver [Ag]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Rectifiers (AREA)

Description

  • Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle
    Gegenstand der firfindung ist eine Druckkontakt-Halbleite-r-
    gleichrichterzellemit einem die Halbleiterelemente umgebenden
    Gehäuse. Die Erfindung zeichnet sich dadurch aus, daß mehrere
    aus Silizium oder Germanium bestehende Halbleiterelemente
    hintereinanderliegend oder nebenelnanderliegend zwischen
    Druckstempeln oder zwischen Druckstempeln und dem Gehäuse-
    boden. zusammengepreßt werden und daß die Andruckkräfte für
    die Druckstempel von vorgespannten elastischen Kunststoff-
    Formkörpern gelieert werdent die zugleich die Halbleiter-
    elemente gegen das Eindringen aggressiver Gase und Dämpfe
    schützen.
    Die Erfindung wird anhand von verschiedenen Austührungsbei-
    spielen gemäß Figur 1 bis 5 der Zeichnung erläutert. Ein-
    ander entsprechendtTelle sind mit den gleichen Bezugszeichen
    versehen,-
    Figur 1 zeigt eine Druckkontaktgleichrlähterzelle mit drei
    Halbleiterelementen, die beitpielsweise an die Phasen eines
    Drehetromnetzes angeschlossen werden können.
    Figur 2 stellt eine Druckkontaktgleichriahterzelle mit zwei
    Halbleiterelementen dar, die zum Aufbau einer Mittelpunkt-
    schaltung, einer Verdopplerschaltung oder einer Brückenschal-
    tung benutzt werden kann.
    Die Druckkontaktgleichrichterzelle gemäß Figur 3 besteht aus
    einer Reihe von hintereinandergeschalteten Halbleiterelementeng
    dieEinen Hochspannungsglelchrichter bilden.
    In Figur 4 und 5 sind stapelbare Dinickkontaktgleichrichter-
    zellen dargestellt. In der Anordnu#ag nach Figar 4 sind alle
    Halbleiterelemente parallelgeschaltet.
    Die stapelbare Zelle gemäß Figur 5 kann äbi41ich wie die Zelle
    nach Figur 2 zum Aufbau von Mittelpunktschaltungen, Verdoppler-
    schaltungen oder Brftenschaltangen benatzt werden.
    In Figur 1 ist mit 1 eln topfförmiges Gehäuse bezeiclu-ietg
    das vorzugsweise aus Kupfer besteht. Die Grundfläche des im
    Schnitt dargestellten Gehäuses kann ein Kreise eine Ellipse
    oder auch ein Rechteck sein. Auf dem ebenen Boden des Gehäusäs
    liegen die mit Auschlußelektroden versehenen Halbleiterelemeilte
    5e 6 und 7 auf. Sie werden mit Hilfe der Druckstempel 15, 16
    und 17 angepreßtl die mit den Auschlußdrähten 40, 4le 42
    verbunden sind. Die Anpreßkräfte werden von einem Kunststoff-
    Formkörper 26 geliefert" der von dem Deckel 35 unter Vor-
    spannung gehalten wird. Der Kunststoff-Forakörper besteht
    vorzugsweise aus Bilicou-Kautschuk. Der metallische Deckel-35
    ist durch Umbördeln des Gehäuserandes befestigt. Der Deckel
    weist an der Durchtrittstelle der Anochlußdrähte 40, 419 42
    Aussparungen*auf, deren Durchmesser so groß ist, daß Teile
    des Kunststoff-Forzkörpers die Auesparungen im Deckel aus-
    füllen und damit eine zuverlässige Isolierung zwischen den
    Anschlußdrähten 40, 419 42 und dem Deckel 35 herstellen.
    Der absolut ebene Boden des Gehäuses 1 und die Unterseite der
    Stempel 15, 16, 17 sind mit einer korrosionaverbiltenden
    Edelmetallschicht versehen. Der Kun totoff-Forakörper dichtet
    nach außen hin so gut ab, daß die empfindlichen Nalbleiter-
    elemente gegen das Eindringen aggressiver Gase und Dämpfe
    geschützt sind.
    Die Halbleiterelemente 5, 69 7 werden vorzugsweise aus
    n-Bilizium aufgebaut. Sie liegen mit der Anode auf dem
    Gehäuseboden auf. Die getrennt herausgeführten Kathodenan-
    schlüsse können miteinander verbunden oder auch mit den
    Phasen eines Drehatromgenerators verbunden werden. Man kam
    die Gleichrichterelemente auch so aufbauen, daß die Anode am
    Druckstempel und die Kathode am Gehäuse liegt. Es ist daher
    j8g1ich9 zwei entgegengesetzt Sepolte Gleichrichtertellen
    der beschriebenen kA so zuoamommsohaltens daß man eine
    Drehetronbrückens-ohaltung O.rbä 1 to
    In Yiaur 2 ist das in Längsvobnitt X-tOrnie;* Gehäuse mit 2
    bezeichnet" Auf äie Trennwand 2a diesen Gebäumt sind Halb-
    leitereleneute 8 und 9 olt Eilte der Steffll 18 UM 19
    auigeprefit. Mt 27 und 28 eind die Mänstotoff-Porakörper, mit
    36 und 37 kreiarimtömise Deokel und mit 43 und 44 die
    Ämolblil&trähte bezeichnet. Die Deckel sind wieder« durqh
    UXUrdelung so befestigt, daß die Zunatotoff-7ozukör"r unter
    kräftiger Vorepan=ng stehen. Je nach Polung der Ulbleiter-
    elemente 8 und 9 kann die drei Amoblünse =£weinende Gleich-
    riobterzelle als Mittelpunktschaltungg als Vordopplorsohal-
    tung*odor auch als Salbbrücke benutzt vorden.
    In 7iSur 3 dient,ein rohr:törmilgen Gebäuse 3 mit zwei durch
    Unbördeln befestigten Deckeln 389 39 zum Aufbau einen Noch-
    -M eichrichtero man einer Vielzahl von Halbleiter-
    elementen 10. Die Halbleitersollen liegen zwischen den Druck-
    ntefflln 20 und 21 und sind dunh ein Inolierrohr 3& seitlich
    gefWert. Daß Isiolio 3& hat »gleich die Aufgabe, Über-
    schläge nach den Notallrohr 3 zu verhindern,.. Die ringfängen
    Deckel 38 und 39 können mm Erhöbung der Kriechwege aus
    Keramik oder Kunststoff hergestellt sein.
    Die stapelbare Gleichrjohterzelle gemäß Figur 4 besteht aus
    dem gut leitenden Gehäuse 4 mit'mehreren Vertiefungen, in
    die Halbleiterelemente, Druckstempel mit Auschlußdrähten
    und Künststoff-Formkörper eingelegt sind@ Der obere Teil
    der Figur 4 stellt einen Längsschnitt durch die Gleich-
    richterzelle entlang der Linie AB dar. Insgesamt sind vier
    Halbleiterelemente, Stempel, Anachlußdräbte und Kunststoff-
    Pormkörper vorgesehen. Das Schnittbild zeigt davon die Halb-
    leiterelemente 11, 12, die Druckstempel 22, 23, die Kunst-
    stoff-Forzkörper 3le 32 und die Anachlußdrähte 471 48. In
    der Draufaicht sind weitere Anschlußdrähte 49, 50 zu erkennen.
    Mit 35a ist ein metallischer Deckel bezeichnetg der-Ruten zur
    Aufnahme der Anachlußdrähte aufweist. Zwiaohen dem Gehäuse 4
    und dem Deckel 35a ist eine isolierende Glimmerscheibe 53
    angeordnet. Der Deckel wird mit Hilfe der Kunstatoffschrauben
    559 56 unter Verformung der Künststoff-Pormkörper aufge-
    preßt.
    Bei der Montage werden die Anschlußdrähte durch Bohrungen
    in dem Deckel 35a hiridurchgesteckt" anschließend um 900 in
    Richtung der Nuten umgebogen und schließlich durch Quetschung
    in den Nuten befestigt.
    Es wäre natürlich auch denkbar, die Drähte an der Außtritte-
    stdle aus der Bohruns-abzuqoheren und durch Deformation der
    BohrlÖcher festzuquetschen. Die dargestellte stapelbare Zelle
    weist eine Mittelbohrung auL, die zum Hindurchstekehen eines
    den Zellenstapel zentrierenden Isolierstabes dient.
    In Figur 5 enthält das Gehäuse 4 nur zwei Vortietumgeng in
    denen die Halbleiterelemente 13 und 14" die D:ruckstempel 24
    und 25, die Zunstotoff-Pormkörper 33, 34 und die Anschluß-
    drähte 519 52 untergebracht sind. Der metallische Deckel be-
    steht aus den beiden voneinander getrennten und isolierten
    Ulften 35b und 350. Mit 54 ist eine Glimmerscheibe bezeich-
    not.'Zur Befestigung der beiden Dockelhälften dienen die
    Iaolierstoftschrauben 571, 58.» 59 und 60. Die Halbleiterlemente
    13 und 14 können je nach Aufgabenstellung mit den gleichen oder
    entgegengesetzten Polen auf dem Gehäuseboden aufliegen. Auf
    diese Weise kann man ähnlich wie in Pia= 2 eine Mittelpunkt-
    schaltung, eine Verdopplerschaltung oder eine Brücke aufbauen.
    Anstelle der versenkten Kunstatoffnahrauben können auch
    Metallechrauben 'benutzt werden., wo= man zusätzlich Isolier--
    atoffunterlegscheiben und Isolierröhrehen-benutzt.
    Abweichend von den in Figur 1 bts 3 dargestellten Deckeln
    35 bis 39 k8nuen auch an.sieh bekannte Deckel mit einer Metall-
    Glas-Durchführung benutzt worden" durch die die Anachlußdrähte
    hindierchgenteckt werden. Auf diese Weise vermeidet man mit
    Sicherheit" daß auf die Anschlußdrähte ausgeübte Biegekräfte
    zu einer Verschlechterung des Druckkontaktes am Halbleiter-
    element fuhren.
    Die Deckel können auch aus Keramik oder einem hochbean-
    spruchbaren Kunststoff hergestelLt sein, dessen Erweichungo-
    punkt oberhalb der auftretenden Betriebstemperaturen 1:Legt.
    Vorteilhaft ist dabei an der Durchf(1-hrw*aotelle des An-
    schlußdrahtes eine Verstärkung, die beim Anschluß des Elemen-
    ten auftretende Biegekräfte aufnimmt.
    Bei Gleiohrichterzellen nach Pigur 1 bis für sehr hohe
    Temperaturen können Maßnahmaen erforderlich sein, um eine'
    dauerplastische Vaformung und damit eine Verringerung der
    mechanischen Vorspannung der Bilicon-Kautsebuk-Porzkörper
    zu verhindern. Das Herausquellen des Bilicon-Kautschuke bei
    hoher Temperatur läßt sich vermeiden., wenn man zwischen dem
    Metalldeckel und dem Pormkörper eine hohen Temperaturen
    standhaltende Künststoffscheibe vorsieht, deren Bohrung genau
    dem Drahtdurchmesser entspricht.
    Eine weitere Sicherungsmaßnahme besteht darin, daß man den
    aus Isolierungsgründen erforderlichen Wtopalt zwischen dem
    Anschlußdraht und dem Metalldeckel mit einen aushärtenden, Kunst-
    harz, insbesondere Epoxydharz, vergießt.
    Die mit der Erfindung erz-,2..,?lten Vorteile bestehen darint daß
    man mehrere Halbleiterelemente ohne komplizierte Lötvorgänge
    in einem Gehäuse vereinigen kann. Mit-einem Minimum von
    gleichartigen Bauteilen lassen sich aut diese Weine ohne
    großen MontageauUand Mittelpumktschaltungen, Verdopplerscha . ltunge-.
    oder Ealbbräcken aufbauen. Besondere günstige Kombinatiojum
    mögl#obkeiten ergeben sich mit den stapelbaren Gleiebrichter-
    zollen nach Yigw 4 =d 50

Claims (1)

  1. PatentanaprUheto
    1, Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle mit einem die Halbleiterelesente umgebenden Gehäuse (1 bis 4)pdadurch ge- kennzeichnet, daß mehrere aus Bilizium oder Gemanium be- stehende Halbleiterelemente (5 bis 14) hintereinende iegend peln (209 21.) oder nebeneinanderliegend zwischen Drucketen oder zwischen Drucksteap41n (15 bis 199 22 bis 25) und den Gehäuseboden zusammengepreßt werden und daß die Andrixek kräfte für die Druokotempel (15 bis 25) von vorgespannten elastischen Künststoff-Nornkörpern (26 bis 34) geliefert werden, die zugleich die Nalbleiterelmente gegen das Ein- dringen aggressiver Oase und Dämpfe schützen. 2. Druckkontakt-Gleiohrichterzelle nich Anspruch 1,-dadurch gekennzeichnet, daß die aus Biliconkautschuk bestehenden Porzkörper (26 bis 30) mit Hilfe vo»boheibenförnigen Metalldeekeln (35 bis 39) zusammengepreßt werden, die durch Umbördelung des Gehäuseranden befestigt sind und die Aus- sparungen zur DurchtMunM der Zuleitungsdrähte (40 bis 46) aufweisen. 3. Drückkontakt-GleichrIchterzelle nach Anspruch 2, gekennzeichnet durch ein topftörmigen Gehäuse (1)" auf dessen Bodenfläche mehrere an verschiedene Phasen anachließbare Halbleiterel.emente (59 6e 7) aufliegenden (Figur 1). - 4" Druckkontakt-Gleichriehterzelle nach Anspruch 1 und 2, gekennzeichnet durch ein im Längsschnitt H-förmiges Metall- Sehäuse (2), auf degisen Trennwand (2a) zwecks Herstellung
    einer Mittelpunktschaltung» Verdopplersöhaltung oder Halbbrücke Halbleiterelemente (89 9) mit den gleichen oder entgegenge- setzten Elektroden aufgepreßt sind (Pigur 2). 5. Druckkontakt-Gleichrichterzelle nach Anspruch 1 und 2, gekennzeichnet durch ein rohrförmiges Gehäuse (3) mit einem Stapel (10) von hintereinandergeechalteten-Halbleiter- elementen (Figur 3). 6. Druckkontakt,Gleichrichterzelle nach Anspruch 1 bis 5> dadurch gekennzeichnatg daß die Aussparungen der Metalldockel (35 bis 39) wesentlich größer i3inM1i3 der Durchmesser der ZufUhrungsdrähte (40 bis 46) und daß die Aussparungen zur Verhinderung von Kurzschlüssen ebenfalls mit Siliconkautschuk ausgefüllt sind. 7. Druckkontakt-Gleiehrichterzelle In etapelbarer Form nach Anspruch 1, gekennzeichnet durch ein -topft8rmigen Gehäuse (4) mit mehreren die Halbleiterelemente (11, 129 139 14)" Druck- stempel (22# 239 241 25) und Künststoff-Formkörper (319 32e 339 34) aufnehmenden Vertiefungen und einem Isoliert befestigten Metalldeckel (35a, 35b, 350)s der eine der Anzahl der Halbe leiterelemente entsprechende Zahl von Bohrungen zur Aufnahme der mit den Stempeln verbundenen Zuleitungsdrähte (47 bis 52) aufweist. 8. Druckkontakt-Gleichrichtarzelle nach Anspruch r,', daduruh gekennzeichnet, daß die Deakoloberseite die Bohrungen überdeckend-a Nuten aufweistg-in denen die Zulo--;.tungsdräh-h-,-, (46 bis 52)- nach dem Umbiegen duroh Quetsehung befestigt sind.
    g. Druckkontelt-Gleichrichterzelle nach Anspruch 79 dadurch gekennzeichnet$ daß zwischen dem Deckel und den Gehäuse eine Gli»erscheibe (539 54) vorgesehen istg ianddaß der Deckel altverBenkten mmtstoffsohraüben (55 bin 60) befestigt ist. 1 Oi. Dm -Gleichrichterzellei mch Ampruah ?t dadurch gekenaseiobtete daß dan Gehäuse (4) wei Vertiefungen ent- hilti, daß der Deckel aus, wei vvi-*Jr»vAer und von Gehäuse isolierten Ulften (35bv 35o ) besteht und daß zur Verwirk- lichung einer MittelpunktsoIaltung, einer VerdoWlerechaltung oder einer Halbbrücke zwei ihlbleitereleäente (13# 14) nit ab- wechselnder oder gleicher Polomität in die Vertiefungen ein- gelegt eind.8
DE19651514159 1965-09-17 1965-09-17 Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle Pending DE1514159A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DEL0051655 1965-09-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1514159A1 true DE1514159A1 (de) 1969-05-22

Family

ID=7274192

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19651514159 Pending DE1514159A1 (de) 1965-09-17 1965-09-17 Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle

Country Status (1)

Country Link
DE (1) DE1514159A1 (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942262A1 (de) * 1979-10-19 1981-04-30 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Halbleiterbauelement

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE2942262A1 (de) * 1979-10-19 1981-04-30 Robert Bosch Gmbh, 7000 Stuttgart Halbleiterbauelement

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE2248608C3 (de) Gasentladungsanzeigevorrichtung
DE3005313C2 (de) Halbleiteranordnung
DE1257921B (de) Drahtverbinder
DE2811933A1 (de) Andrueckbare halbleiter-pelletanordnung
DE1101375B (de) Apparat zur Erzeugung von Ozon
DE2108600C3 (de) Verfahren zur Herstellung einer Gasentladungs-Bildwiedergabevorrichtung
CH666575A5 (de) Ueberspannungsableiter.
EP0169356A1 (de) Wechsellastbeständiges, schaltbares Halbleiterbauelement
DE1514159A1 (de) Druckkontakt-Halbleitergleichrichterzelle
DE689853C (de) Anordnung im Innern elektrischer Entladungsgefaesse zum Abstuetzen von mehreren Elektroden
DE1130077B (de) Hochspannungsgleichrichter mit mehreren in Reihe geschalteten Halbleiterdioden
DE1514883A1 (de) Verfahren zur serienmaessigen Herstellung von Halbleiterbauelementen
DE971168C (de) Trockengleichrichteranordnung fuer Hochspannungszwecke
DE1764795A1 (de) Gleichrichteranordnung
DE2543079B2 (de) Verfahren zum Herstellen von Trockenelektrolytkondensatoren
DE3247373A1 (de) Ozonerzeuger mit runden plattenelektroden in stapelbauweise
DE1224840B (de) Hochspannungsgleichrichtersaeule mit mehreren elektrisch in Reihe geschalteten Silizium-gleichrichterzellen
DE1254229B (de) UEberspannungsableiter fuer Hoechstspannung
DE634617C (de) Aus zwei verschiedenen Metallen bestehende Anschluss- bzw. Verbindungsklemme fuer eletrische Leitungen
DE908393C (de) Elektrischer Kondensator fuer mittlere Spannungen mit Dielektriken aus keramischem Werkstoff
DE3327992C2 (de)
DE821246C (de) Gestapelter Eisenelektrolytkondensator
DE6610824U (de) Halbleiterbauelement.
DE1514478B2 (de) Umhuelltes elektrisches bauelement
DE3522671A1 (de) Geraet zum verfluessigen von thermoplastischem material, insbesondere heissschmelzklebern