DE6610824U - Halbleiterbauelement. - Google Patents

Description

RA. 533 826-16.9.67

G-es_o ■?, Gleichriclitertau v.* Elektronik aba.
g £ Nürnberg, „ieaonxaj.sxraße 40

Selefcn. O91V3OH1, 318^3 - Telex 06/221p5

Datum: 15J_O September 1967
unser Zeichen: K 16706 β

Halbleiterbauelement

Die Erfindung betrifft Halbleiterbauelemente, inabesondere Halblei
tergleichrichter für hohe Strombelastbarkeit, in scheibenförmiger
Ausführung für den Einsatz in entsprechenden Halbleitergehäusen

für dan Einbau zwischen großflächige plattenförmige Kühlele-

^m8nte ° ^:-Λ j

Es sind zahlreiche Ausführungsformen von Halbleiterbauelementen be~||ji kannt, bei denen die Halbleitertablette, die aus einer mindestens .ιρΐ ;einen pn-übergang aufweisenden Halbleiterscheibe und beidseitig jj|| ;]mit dieser fest verbundenen, annähernd gleiche lineare Wärmedehn- IiSf

izahl wie das Halbleitermaterial aufweisende Kontaktplatten besteht, J|j sjentweder durch lötung oder mittels 3?ederkörper durch Druck zwischenÄI !geeignet ausgebildeten, vorzugsweise als' Stromleiter dienenden me- '0$jß, Iftallischen Bauteilen flächenhaft kontaktiert und in einem entspre-JJ?^;| |chenden Gehäuse angeordnet, bedarfsweise eingeschlossen ist_o . |^|*|: M. ' iiÄi ■

!Weiterhin sind scheibenförmige, zur druckkontaktierten Anordnung |Ä ^zwischen Kühlblechen vorgesehene Halbleiter-Einbauelemente bekannt,f
bei denen die Halbleitertablette gasdicht in einem aus Edelmetallfolien und aus einem Isolierstoffkörper gebildeten Gehäuse eingeschlossen ist.

Die Sachteile dieser bekannten Anordnungen bestehen in den zahlreichen zur Herstellung notv/endigen, aufwendigen Verfahrens schritten
und einer dadurch bedingten Erhöhung der Ausfallrate _t in der Ver=- \ weniung von besonders atis^ubxldenden Bauteilen sowie im f ertigungs= I technischen Aufwand, insbesondere für Ausführungsformen mit gas·= | dicht angeordneter Halbleitertablette_β

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s ε ι: ι κ a ο η

^se;?. :c"~?.£t f. Gl eichte ..hi^rbay u, E2 elrtrosilfc a>·]^ Blatt 2

~ :r Si'iir-ävr.g liegt die Aufgabe zugrunde, ein scheibenförmiges /.ilbleiter^inbaueleiiient au aclaafi'-dn, welches durch, vorteilhafte Auabildimg der sugehörigou Bauteile und durch einfachen Aufbau den .JuIiIBaO-; in gewünschter Polarität öoy:o1lL in Halbleitergshäusen al3 auch in einer Anordnung .-wischen plattenförmigen Ohlelementen ermöglichte

• pie Erfindung "betrifft ein Halbleiterbauelement* insbesondere Halbleitergleichrichter für hohe Stroinbelastbarkeit, bei dem die Halbleiterscheibe mit "beidseitig mit ihr· fest verbundenen Kontaktplatten, die angenähert gleiche lineare Wärmedehnzahl wie das Halbleitermaterial aufweisen, sv/ischen scheibenförmigen, fläehenhaft an— 'grenzenden, gleichseitig als Kontaktfolien für eine Druckkontaktierung mit weiteren #ontslr.tteilen dienenden Hüllkörpern angeordnet ist, die zusammen mit einem Isolierstoff-Dietanzring da3 Halbleitergehäuss bilden und besteht darin, daß der Distanarir.g scheibenförmig ausgebildet ist, aus einem geeigneten* isolierender. Kunststoff besteht und gleichzeitig stir Führung der eingeschlossenen Halbleiterscheibe dients daß der aus Hüllkörper-Randzonen und zwischenliegenden Bis tarring gebildete G-ehäusema&tel in Torbestinmter Ausdehnung von kreisringförmigen, Halbschalen darstellenden und zusammen U-Profil aufweisenden Profilkörpern, die vorzugsweise gleiche Aurbildung | '-und Ausdehnung aufweisen' und aus einem geeigneten Kunststoff beste« ? hen, eingeschlossen ist₉ daß metallische, in Ausbildung und Ausdeh= j . -m-Jig den Profilkörpem angepaßte Druckkörperteile die Profilkörper. · \ Ji;"f .bedarfsweise fläehenhaft umklammern, daß die Druckkörper teile die . ~ E ^Γ~· Profilrrcrper-A-aßsii^anteifläche ushüilen und an &en aneinander an- ' ' f grenscüie2i Randzonsn jevcils eine flanschförmige_? konzentrisch ver-= | laufende, in sich geschlossene Ausbildung aufweisen, und daß durch | eine unter iLechanischsr Vorspannung erzielte Verbindung der flansch-= ρ fertigen Ausbildungen eine Pressung der Druckkörperteile auf Profil- fj körper« Hüllkcrper und Distaasring -and dar-i t ein die Halbleiterta«= t blette einschließendesj gasdichtes Gehäuse gegeben ist_o

Ax±.and der in den Pig-oreii 1 bis 4 dargestellten Ausführungsbeispiele ist die Erfindung nach der Anmeldung aufgezeigt und erläutert» ~Eixc gleiche Seile sind in allen Figuren gleiche Bezeichnungen.

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ge wähl τ.,

Die Figuren zeigen im Schnitt Ausführungsbeispiele für den Aufbau eines scheibenförmigen Halbleiterbauelements gemäß der Erfindung,,

In Figur 1 ist die in einem Diffusionsverfahren vorbehandelte und nir.aestens einen pn-übergang aufweisende Halbleiterscheibe 3 durch Lötung beidseitig mit Kontaktplatten 1 verbunden, die aus einem Ketall πιt einem dem Halbleitermaterial entsprechenden linearen Wärmeausdehnungskoeffizienten, beispielsweise aus Molybdän "bestehen und in ihrer Plächenausdohnung den Kontaktelektroden der Halbleiterscheibe angepaßt sind_o Diese aus Halbleiterscheibe und Kontaktplatten bestehende Halbleitertablette ist zwischen zwei metallischen, schal enförr.igen Körpern 4 und einem kreisrlngscheibenförmigen Isolierkörper 5 eingeschlossen. Die weiterhin als Hüllkörper bezeichneten schalenförmigen Körper 4 stellen in ihrem zentralen Bereich eine Kentaktfolie dar mit einer der zugeordneten Kontaktplatte 1 der Halbleitertablette angepaßten Flächenausdehnung und weisen mindestens in diesem zur Kontaktierung vorgesehenen Bereich eine für die Druckkontaktierung geeignete Duktilität auf„ Die Hüllkörper 4 bestehen vorzugsweise auo einem oder mehreren oder aus einer legierung Eit Edelmetallen, Eo können jedoch auch duktile Nichteisenmetalle cder Legierungen derselben verwendet werden, die in vorteilhafter '.'eise zur Erzielung einer gleichbleibenden, kontaktfähigen Ofcerf^chenbeschaffenheic einen oder mehrere Überzüge aus eines oder r.ihrercn L'delmetallcn aufweisen. Im Anschluß an den zentralen Kor:ta.'.:tbereich besitzen die Hüllkörper 4 bogenförmige AvLS^i ldun~ gen Λa zur. Ausgleich von beim Einsatz des Halbleiterbauelements in den aneinander grenzenden Kontaktschichten entstehenden Wärmedeh,-

Zwischen den einander zugewandten Randzonen 4b der Hüllkörper 4 ist ein kreisringscheibenförmiger Isolierkörper 5, weiterhin als Distanzring bezeichnet, flächenhaft angeordnet und durch Ausbildung und Ausdehnung der Seile 4a und 4b der Hüllkörper 4 klammerförmig gehaltert. Der Distanzring 5 begrenzt die Seitenbev/egiiehkeit der Halbleitertablette beim Einsatz des Halbleiterbauelements

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SEMIElRGS / I/ !

Gesellschaft f_o G-Ie ichrioht erbau u, Elektronik.msHα Blatt 4

und gewährleistet außerdem eine ausreichende gegenseitige elektrische Isolierung der Eülll'örper 4» Sie Sicke des Distansrings 5 ist vorsugsv/sise kleiner als die Dicks der Haxoleitertablette* Der Distanaring besteht aus eines geeigneten Kunststoff oder aus Keramik

Auf jeder der "beiden einander angewandten flächen der Randzcne 4"b der Hülikörper 4 ist ein kr-eisringfönaiger Isolierstoff körper 6_f der geeignet profiliert ausgebildet und weiterhin als Profilkörper aeseicimet ist. flächeniiaft angeordnet_o Beide Profilkörper δ stellen Hälften eines kreisringförmigen_? TKProfil aufweisenden Verschlußteils dar und umfassen den durch die Hüllkörper-Randsonen und durch den Distanzring 5 gebildeten Randteil des scheibenförmigen HaroleiterbauelementSo Katallische Druckkörperteile 7_S die an die

* AuSeninantelfläche der Profilkörper 6 flächenhaft angepaßt ausgeoil= det sind, liegen an den Profilkörpern an und weisen an ihren aneinander angrenzenden Handsonen. ;je eine stegförmige Ausbildung 7a für eine Flanschverbindung auf. Die Pr-ofilkörper 6 bestehen aus einem geeigneten iCunststoff _$ die Druckkörper teile 7 aus einem Federmateriala beispielsweise aus Federetahi* Die Ausdehnung der Druckkörperteile 7 und ihrer stegförmigen Ausbildung 7a ist so bemessen₉ daß bei losem Anliegen an den Profilkörpern 6 zwischen den Flanschen ein gleichbleibender odor veränderlicher Abstand gegeben istj der durch den Grad der für eine gasdichte Umhüllung der Ealbleiterta·= ' blette vorgesehenen Pressung der Profilkörper bestimmt wird, daß jedoch nach Herstellung :1er Flanschverbindung die Dru~kkörpertei-Ie 7 eine Pressung der Profilkörper auf Hüllkörper-Randzone und Dist°.nsring und damit einen dichten Einschluß der Halbleitertablette gewährleisten» Die Flanschverbindung kann eine Schweiß" oder Lötverbindung sein« Zur rJrsielung einer Flanschverbindung durch BördeluT-s weisen ve -zugi/.;eise di3 stegförnigen Ausbildungen 7a ungleiche Iläci,incusdeLriuii.5 auf, und die Ausbildung mit dar gröSoren Ausdehnung ist über die Ausbildung mit der kleineren Ausdehnung geklappt und mit dieser verpreßt, wie dies in Figur 1 für die linksseitige Verbindung der boiden Druckkörper dargestellt ist_e

Um die durch die überstehende Flanschverbindung bedingte zusätsli-

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S E H 1 K P. O !T

Gesellschaft f_o Gleiehriehterbau u. Elektronik mbE» Blatt 5

ehe radiale Flächenausdeimung des scheibenförmigen Halbleiterbauelements zu vermeiden, besteht die Möglichkeit., die beiden Druckkörperteile 7 durch einen einzigen zu ersetzen, der einen der beiden Profilkörper umhüllt und mit seiner freien Randzone, die eine Vielzahl von geeignet ausgebildeten Aussparungen vorbestiinmter Ausdehnung aufweist, durch Umhördeln an den zweiten Prpfilkörper ange- | preßt istο · f

In Figur 2 ist eine weitere Ausführungsform eines scheibenförmigen Halbleiterbauelements nach der Erfindung dargestellt» Die Anordnung von Halbleitertablette, Hüllkörper 4 und Distanzring 5 entspricht der Darstellung in Figur 1. Die Profilkörper 6 umfassen in gleicher Weise schalenförmig die Hüllkörper-Randzonen und den Dietanzring 5ο Zur Erzielung eines gasdichten Tablettengehäuses dienen jedoch zwei | Dichtungsringe 8 aus geeignetem Metall oder aus einem Kunststoff _s welche jeweils auf der Außenfläche einer Eüllkörper-Randzone 4b aufliegen und gegebenenfalls in geeigneten Aussparungen 6a der zugeordneten Profilkörper 6 gehaltert sind» Die Profilkörper weisen an einer für die Druc .wirkung der Druckkörperteile geeigneten Stelle ihrer | Außennantelflache je eine Aussparung 9 auf, in welche die Druckkörperteile nit ihrem nach innen abgewinkelten Rand 7b eingreifen,, Die gegenseitige Verbindung der beiden Druckkörperteile bzw. die Anordnung eines Druckkörpers zur Erzielung einer gasdichten Umhüllung der Halbleitertablette ist gemäß der Erläuterung zu Figur 1 auch bei dieser Ausführungsform gegeben«

Das in Figur 3 gezeigte Ausführungsbeispiel entspricht im Aufbau dem Ausführungsbeispiel nach Figur 2 mit dem Unterschied, daß anstel- j le von Dichtungsringen d:le Profilkörper 6 an einer gewünschten Stelle am ganzen Umfang ihrer Verbindungsfläche mit der zugeordneten Hüllkörper-Randzone eine prismen- oder schneidenförnige Ausbildung aufweisen, deren Xante auf der Hüllkörperflache aufliegt*

Bei der in Figur 4 gezeigten Ausführungsform entspricht die Anordnung von Halbleitertablette, Hüllkörpern und Distanzring den in den Figuren 1 bis 3 dargestellten Beispielen Diese Anordnung ist

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SEMIKROI? '

Gesellschaft f_o Sleiehrichterbau u, Elektronik m"bHo Elax-t 6

in den axialen hohlzylindrischen Teil 11a eines angenähert rechtwinkeliges Profil aufweisenden kreisringiörmigen 'Tr-ägerkörpers 11 eingeführt und auf dessen kreisringscheibenförmigen Abschnitt 11b flächenhaft aufgesetzt» Sei" Trägerkörper weist an seiner Innennan— telflache im passenden Abstand von der Stirnkante eine Aussparung auf» Ein weiterhin als Druekring bezeichneter ringförmiger Isolierstoffkörper 13₅ dessen Ausdehnungen der Eandf.lache der Hüllkörper sowie dem hohlzylindrisclien Teil des Trägerkörpers entsprechen, ist am Umfang seiner Außenman.telflache in geeigneter und der Aussparung des Trägerkörpers angepaßter Höhe mit einer keilförmig erhabenen Ausbildung 13a versehen=, Hit dieser Ausbildung rastet der Druekring nach seinein Einführen ir. den Träger körper und Aufdrücken auf die Sandzone 4b des zugeordneten Hüllkörpers 4 in die Aussparung 12 des Trägerkörpers 11 ein und gewährleistet einen gasdichten Einschluß der Halbleiterze3_leο Die ineinandergreifenden Ausbildungen 12 und 13a von Trägerkörper 11 und Druekring 13 sind in der !'eise einander angepaßt, daß die Elastizität beider Bauteile eine ausreichende Pressung zwischen Eüllkcrper-Randaonen 4b und Distanzring 5 gewährleistet <, Trägerkörper 11 und Druekring 13 bestehen vorzugsweise aus einem geeigneten Kunststoff»

Der Aufbau von Halbleiterbauelementen nach der Erfindung ist nicht auf die aufgezeigten Ausi"Uhrungsbeispiele beschränkt =

Bei allen Ausführuagsbeicpielen kann wahlweise die Halbleitertablstte rait den Hüll körpern durch Lötimg fest verbunden oder lediglich lose zwischen ihner. angeordnet sein»

Der Aufbau eine3 Halbleiterbauelements nach der Erfindung erfolgt in der '-'eise, daß nach Art eines S tap el auf taue 3 Druckkörperteile,, Profilkörper„ Hüllkörper. Distanzi-ing und Halbleitsrtablette in sinnvoller Reihenfolge zr.saraer-gsfügt werden und dal schlieElich die Verbindung dar Druckkörperteile an ihren stegförmiggn Ausbildungen bzwc aas Umbördeln der Sandsone eines einzelnen Druckkörper die Pressling zwischen Profilkörper, Hüllkörper- rsia Distansring und damit eine gasdichte Umhüllung der Halbleitertablette bewirkte

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Claims (1)

1. EA.533626-1B.9.67

   S E M I K R O IT Ges, f. G-leichrieht erbau u„ Elektronik mbH_e ^J |

   8500 Nürnberg , V/iesentalstraße 40 •Telefon 0911/30141- 31813 - Telez 06/22155

   Datum: 15c September 1S67 Unser Seichsn:· K 16706 6

   - Ä η s ρ r G c h e

   1o Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleitergleichrichter für hohe Strost-elastbarkeitj bei dem die Halbleiterseheibe mit beidseitig mit ihr fest verbundenen Kontaktplatten, die angenähert gleiche lineare Warnadehnzahl wie das Halbleitermaterial aufweisen, zwischen scheibenförmigen, flächenhaft angrenzenden, gleichzeitig als Kon» taktfolien für eine Druckkontaktierung mit weiteren Kontaktteilen dienenden Eüllkörpern angeordnet ist, die zusammen mit einem Isolierstoff-D-" stanzring das Halbleitergehäuse bilden, dadurch gekennzeichnet, daß der Distanzring (5) scheibenförmig ausgebildet ist, aus einem geeigneten, isolierenden Kunststoff besteht und gleichzeitig zur Führung der eingeschlossenen Halbleiterscheibe (3) dient, daß der aus Eüllkörper-Randzonen (4b) und zwischsnliegendan Distanzring (5) gebildete Gehäusemantel in vorbestimmter Ausdehnung von kreisringförmigen, Halbschalen darstellenden und zusammen U-Profil aufweisenden Profilkörpern (6), die vorzugsweise gleiche Ausbildung und Ausdehnung aufweisen und aus einen geeigneten Kunststoff bestehen, eingeschlossen ist, daß metallische, in Ausbildung und Ausdehnung den Profilkörpern (6) angepaßte Druckkörperteile (7) die Profilkörper (6) bedarfsweise flächenhaft umklammern, daß die Druckkörperteile (7) die Profilkörper-AuSeneantelfläche umhüllen und an den aneinander angrenzenden Randzonen jeweils eine flanschförmige, konzentrisch verlaufende, in sich geschlossene Ausbildung (7a) aufweisen, und daß durch eine unter mechanischer Vorspannung erzielte Verbindung der flanschförmigen Ausbildungen (7a) eine Pressung der Druckkörperteile (7) auf Pro» filkörper (6), Hüllkörper (4) und Distanzring (5) und damit ein die Halbleitertablette einschließendes, gasdichtes Gehäuse gegeben isto

   2ο Halbleiterbauelement, insbesondere Halbleitergleichrichter für

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   SEMIEEOH

   Gesellschaft ίΌ ^leichri3hterbau a, Elektronik mbH= Blatt 2 ϊ

   hGhe Strombelastbarkeit₃ "bei dem die Halbleiterscheibe ir>xt bsidseitig ait ihr fest Ter-bundenen Eontaktplatten, die angenähert gleiciis lineare Wärmedehnzahl wie das Halbleitermaterial aufweisen. zvn.-sehen seheibenföriiiigens fläehenhaft angr-ensendsn Eüllkörpem angeordnet iet_s. die gleichzeitig als Kontaktfalien für eine Druckkontaktierung mit weiteren Kcntaktbauteilen dienen und zusammen sit einem Isolierstoff-Distanzring das Hal"bleitergeliäuse "bilden, dadiircii geksnnseieimetj daO dsr T-istanzring (5)? soheicenriiigföriiiig ausgebildet _F aus geeigenetea isolierendem Kunststoff bestellt und zur Füirrung der eingeschlossenen Halbleiterseheibe di^it? daß der aus Hüllkörpsr-Eaadsone (4'^) lind Distanzring (5} "bestehende Gehäuserand in einen ringförmigen₉ rechtwinkeliges Profil aufweisenden Trägerzörper (11) azial Gingefügt und "on dem Trägerkerper sowie Ton einem weiter eingefügten Druskring (13) U-fcrEig umschlossen ist« daß die helm. Zusanu^enfügen einander sugewandten Flächen von Trägerkörper (11) "and E-iraekring (13) angepaSte Ausüildungen (12₅13a) zum Einrasten des Druckrings aufweisen? daß durch Binführung und Pisierung des Druekrings im Trägerköx-pei' eine Pressung zwischen Hüllkörper-Hanäzone und Distansring gegeben ist, und daß Srägerkörper und Druckring aus einem Kunststoff bestehen., der eine für das Einrcsten des Druekrings und für eine flächenhaft dichte Verbindung zwischen Druckring _? Eüllkörper-P.andzone und Distansring genügende Elastizität besitzt»

   3 ο Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet, daß Distanzring (5) und Profilkörper (6) aus einen Kunststoff bestehen,, der eine zur Erzielung einer flächenhaft dichten Verbindimg sit angrenzenden Bauteilen genügende Elastizität besitzte,

   4 c Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 und 2,, dadurch gekennzeichnet _{ daß die Hüllkü.'per (4) mindestens in ihrem zentralen_f planer. Eeraich sur Druckkontaktierung geeignete duktile Kentaktfolien darstellen, die aus einem oder mehreren oder aus Legierungen mit Edelmetallen bestehen.

   5 ο Ealblaitei^auelement nach Anspruch 1 und 2, dadurch gekennzeichnet j daß die Hüllkörper (4) mindestens in ihrem zentralon, planen Bereich zur Druokkonta?ttierung geeignete duktile Kontaktfclien

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   SEMIKRON ■

   C-ess 1 'J 3c_£a.£j__fj, Gleichrichterbau u„ Elektronik mbH» Blatt 3

   darstellen, die aus einen Metall mit einer duktilen metallischen Oberflächenschicht bestehen*

   δ., Halbleiterbauelement nach Anspruch 1_f 2 und 4, dadurch gekennzeichnet, daß die Hüllkcrper (4) an vorbestimmten Stellen, vorzugsweise zwischen zentralem Kontaktbereich und Handfläche, mindestens eine bogenförmige Ausbildung (4a) aufweisen*

   7» Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 3, dadurch gekennzeichnet, daß die Profilkörper (6) an ihrer Anlagefläche zum Hüll-■körper eine konzentrisch verlaufende, in sich geschlossene keil- oder sehne id enförtnige Ausbildung (10) aufweisen»

   8ο Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 3₉ dadurch gekennzeichnet, daß die Profilkörper (6) an ihrer Anlagefläche sum Hüllkörper (4) eine konzentrisch verlaufende, in sich geschlossene Aussparung (6a) sur Aufnahme eines Dichtungsrings aufweisen,,

   9 ο Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet_s i..daß der Dichtungsring aus einem geeigneten duktilen Metall oder aus einem geeigneten Kunststoff besteht„

   "1Oo Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 bis 3 und 7 bis 9, dadurch :gekennzeichnet_s daß die Profilkörper (6) an der längs der Hüllkör- ^ j\per=Randzone (4b) verlaufenden Außenfläche konzentrisch verlaufende_s| iaautenförmige Aussparungen (9) aufweisen, in die die entsprechend S abgewinkelt ausgebildete Sandzone der Druckkörperteile eingreift«

   11 ο Halbleiterbauelement nach Anspruch I₅ dadurch gekennzeichnet, daß die an den Druckkörperteilen angebrachten flanschförmigen Ausbildungen (7a) unterschiedliche Plächenausdehnung zur Herstellung einer geeigneten mechanisch festen Verbindung vorzugsweise durch Falzen oder Bördeln aufweisen=

   12„ Halbleiterbauelement nach Anspruch "I₉ dadurch gekennzeichnet, daß die Druckkörperteila (7) unter mechanischer Vorspannung an den flanschförmigen Ausbildungen (7a) miteinander und zur gezielten

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   SEMlKROH
   Gesellse haft f. Gleiehri

   Pressung und damit gewünschten Abdichtung von Hüllkörper (4) und Diai-anaring (5) an ihrer bogenförmig ausgebildeten, bedarfsweise geeignet abgewinkelten Randzone mit den vorgesehenen Profiikörpern (6) kraftschlüssig verbunden sind*

   13 ο Kalbleiterbauelement nach Anspruch l· amd/oder' ieiiienl· !der fol-.genden· Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß die "Druckkorperteile:.

   OXXIClU" iCUCi'O UCUXJb

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