DE1439092A1 - Halbleiteranordnung - Google Patents
HalbleiteranordnungInfo
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Description
Dr. Expl.
SIEMETTS-SCHUCKERTWERKE kl'BBigen, 2 O. iULl Ί3Β1
Aktiengesellschaft Werner-von-.Uemens-Str. 50
' PL/, 61/1471 1 439092
Die vorliegende Erfindung bezieht sich auf einen verbesserten Aufbau einer elektrischen Halbleiteranordnung, bei welcher das
eigentliche Halbleiterelement in ein besonderes Gehäuse eingeschlossen ist.
Der Erfindung liegt der Gedanke zu Grunde, Mangelerscheinungen
zu beseitigen, die sich dann ergeben können, wenn das Halbleitergleichrichterelement
mit dem einen Gehäuseteil, der z.B. eine Becherform haben oder ein grundplattenförmii'er Teil sein kann,
flächig, z.B. mittels einer Lotung, mechanisch verbunden wird. Untersuchungen und Überlegungen haben ergeben, daW sich ein er-
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wünschter guter elektrischer und thermischer Übergang zwischen
dem Tfalble it ergleich rieht ere lenient und dem entspre-chenden Gehäuseteil
der Halbleiteranordnung für die Stromführung und für die Abführung der an dem Halbleitergleichrichterelement anfallenden
Joule'sehen Wärme auch bereits dann erreichen läßt, wenn für eine
gute gegenseitige Anlage des Halbleitergleichrichterelementes und des betreffenden Gehäuseteiles an ihren gegenseitigen Berührungsflächen
betriebsmäßig gesorgt wird. Ist auf diese Weise der gute
thermische und/oder elektrische tjbergang vom Halbleitergleichrichterelement zu dem Gehäuseteil erreicht, so kommen, somit die Erscheinungen in Wegfall,, welche in Rechnung gestellt werden müssen, wenn zwischen dem Halbleiterelement und dem Gehäuseteil eine
Lötverbindung benutzt wird. Eine solche Lötstelle ist bekanntermaßen während des Betriebes des Halbleiterelementes oder auch
zusätzlich durch die Umgebungstemperatur thermischen Wechsel- .
festigkeitsbeansprüchungen durch die verschiedene thermische ■
Dehnung der einander an der Verbindungsstelle benachbarten Körper
entweder bereits begründet durch die verschiedenen Werkstoffe und
auch ode.r zusätzlich begründet durch da» thermische Gefälle auf ■
dem wärmeabführenden Weg, an den genannten Teilen unterworfen· Wer-'-dpn
dagegen zwei Körper nur flächiganeinandergedrücktf so bleibt
immer in vorteilhafter Weise der Zustand erhalten, daß auch bei
verschiedeneil thermischen Dehnungen diese Körper an den gegenseitigen Berührungsflächen aufeinandergleiten können. Hierdurch ■
können dann solche erwähnten nachteiligen mechanischen Spannung-en
zwischen benachbart liegenden Körpern verschiedener thermische-r Dehnung und .in einer diese verbindenden Zwischenschicht nicht ein-
■■"■.·■ .'■■ " ';. ' ' - ■"' ■., -; ; ■■-..: ' ^; -■■-■' BAD ORfGiISJAL ; :
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ι. i ] ;, 3 £i / 1
, . . .·.- PM 9/370/211
treten, die dann zu:einer Verschlechterung oder/und Ermüdung der
gegenseitigen mechanischen Verbindung der Teile fuhrt, welche zwischen dieaeji durch die Verlötung in Rechnung zu stellen war.
Die vorliegende Erfindung hat nun einen technisch vorteilhaften Aufbau
für eine solche Halbleiteranordnung zum Gegenstand, bei welcher das Halbleiterelement auf einem Gehäuseteil bzw. einer
auf diesem angeordneten Hilfszwischenplatte rleitfähig mit einem
gewissen Druck angepreßt sitzt. Bei der Erzeugung des Anpreir'-druckes
muß naturgemäß auf das. Halbleitergleichrichterelement
mechanisch eingewirkt werden. Diese mechanische Einwirkung auf das IlalbleitergleichrichtereJement kann entweder unmittelbar mittels
eines federnden Gliedes,.gegebenenfalls unter Einschaltung entsprechender isolierender Zwischen]agen erfolgen, durch welche
dafür Gorge getragen wird, daß durch die Einspannvorrichtung
nicht eine elektrische Überbrückung der Elektroden der Halbleiteranordnung
herbeigeführt wird. Hierfür kann eine Halbleiteranordnung
derart aufgebaut werden, daß mittels eines besonderen glockennrtigen oder bügelartigen Körpers, der auf der Trägerplatte der Halbleiteranordnung
festgespannt' ist, üter ein besonderes"Federoyotem
die Halbleiteranordnung an die Grundplatte der Halbleiter-incrdV
nung angepreßt wird". Ths -Anpressen" Ritttiu-- ie.:- gioeker;arti;-t r
Körpers kann in der Weise erfolgen,· da:, auf ·.! lesen glocr.tnart i.--:;r.
Ki'rper der "ehiuset eil, der zur rilaunr eines nach- auSeii dicht
abgeschlossenen Gehäuses dient und Liori'ür v.T. f-uch mit einor
isolierenden Pur ei: führung verchei: ■'..":*, :i:;vcL ".eiche ein OvK-r
mehrere p1p; trlr.chc Lcitti" von aei: or.tr.prechenden- ü:ie,.tri-.-·': >,r.
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Anschlußsteilen :|es eingeschlossenen Halbleiterelementes herausgeführt
werden, mechanisch mittelbar.oder unmittelbar einwirkt.
Damit keine unerwünschten Beanspruchungen und auf jeden. Fall eine
sichere Anpressung des ersten glockenartigen Gehäuseteiles, der .'
auf das Halbleitergleichrichtereleiiient einwirkt,.an der Grundplatte der Anordnung stattfindet, kann der zweiteeinen Gehäuse-,
teil bildende glockenartige Teil über ein zwisehengesohaltetes
Federsystem auf den ersten glockenförmigen Körper einwirken. Hierbei ist dann auch gewährleistet, daß der erste glockenförmige
Körper sich -immer einwandfrei gegen den Grundplattenteil des
Gehäuses anlegt. Hierbei kann zweckmäßig die Anordnung noch derart getroffen werden, daß der erste' glockenartige Seil auf die
Hilfsträgerplatte der Halbleiteranordnung für ihr Anpressen an
dem Grundplattenteil des Gehäuses einwirkt. So kann der erste
bzw. innere glockenartige. Teil an seiner inneren Mantelfläche
mit einem solchen entsprechenden Absatz versehen sein^ daß er
über diesen Absatz auf die Hilfsträgerplatte des Halbiert erelementes, die z.B. aus Molybdän, Tantal oder Wolf ram besteht, un—.·■"" ,
mittelbar einwirkt, während dieser glockenartige Teil mit der Ringform des Bodens seiner Becherform über einen Kraftspeicher
und eine eventuelle Zwischenplatte sowie über Isolierscheiben
auf die obere Flüche des Halbleiterelementes einwirkt und außerdem
noch eine gegenseitige Führung mit dem' als Auflagesockel.des
Halbleiterelementes dienenden Teil der Gehäusegrundplatte.eingeht.
Durch eine entsprechende Dosierung der Kraftspeicher, von denen
der eine größeren Energie inhalt es zwischen dem Gehäuseteil und
dem inneren glockenartigen Teil sitzt und der andere geringeren
.' :.. \ . - 4 - '■' ; ; BADORIGiNAL-
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— *.--- I T W ^ V ν/ ί.
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Energieinhaltes zwischen diesem Körper und dem Halbleiterkörper
sitzt, läßt sich eine etwa spezifisch gleiche Flächenanpressung
zwischen Halbleiterkörper und Molybdän-Hilfsträgerplatte sowie
zwischen dieser und dem Gehäuse-Grundplattenteil, deren gegenseitige
Berührungsfläche gröi3er als diejenige zwischen den beiden
erstgenannten ist, erreichen»
■> ■ ·
■> ■ ·
Die gegenseitige mechanische Verbindung der Gehäuseteile der An-■
Ordnung kann dabei in verschiedener Weise, also z.B. durch Lötung oder Verschweißung, stattfinden. Eine oder mehrere Ableitungen
von den Polen des eingeschlossenen Halbleiterelementes können dabei auch entweder als starre oder biegsame, gegebenenfalls
einander umschließende Leiter ausgebildet sein, welche in einen oder mehrere an der Bildung der elektrisch isolierenden Durchführung
beteiligte buchsenartige Körper eintauchen und in diesen entweder gleitfähig an entsprechenden Kontaktfedern verschiebbar
sind oder in diesen Buchsenkörper auch festgespannt werden können.
inabesondere Der Anschlußleiter kann ,jedoch/bei biegsamem Charakter in- einem
buchsenartigen Körper auch' durch eine Verpressung befestigt sein, gegebenenfalls nachdem derjenige Leiterteil, an dem die Verpressung
stattfindet, bereits vorher mit einem buchsenartigen Körper überzogen worden ist. Die mechanische Verbindung kann entweder
z.B.
eine reine Verpressung sein, oder sie kann auch zusätzlich/verschweißt
werden.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand eines Ausführungsbeispieles wird nunmehr auf die Figur der Zeichnung Bezug genommen,
— 5 —
BAD ORIGINAL
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Öl /14 71 H39092
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In dieser bezeichnet 1 einen Grundplattenkörper-. Auf diesem ist
ein Ring 2 aus verschweißungsfähigem Material, z.B. Eisen,.hart
aufgelötet. Der Grundplattenkörper 1 hat einen zentralen Auflagesockelteil
3. Auf diesem sitzt gleitfähig eine Hilfsträgerplatte
4, z.B. aus Molybdän, Tantal oder Wolfram, die bereits mit dem
Ilalbleitergleichrichterelement durch dessen LegierungsVorgang eine
Einheit bilden kann. Das Halbleitergleichrichterelement besteht weiterhin, aus der einen einlegierten Elektrode 6 (Al)>
dem Hälb~ leiterkörper 7 und einer oberen einlegierten Elektrode 8 (AuSb)..
Ferner ist ein starrer pilzförmiger Anschlußbolzen 9 vorgesehen,-der
an seiner dem Halbleiterelement zugewandten Fläche mit einer
hart angelöteten oder angeschweißten Platte 9Q- nachArt von 4
■ , y on 9a
versehen' ist, der mit der freien Oberfläche/auf 4em Halbleiterkörper gleitfähig aufsitzt. Es kann sich als zweckmäßig erweisen,
jeweils an den Stellen eines SieitSitzes in der Anordnung, wie
■■■-."■" - **) -. - -_-. -."."-■-■■-.. ·
z.B. zwischen 3 und 4- bzw. zwischen 7 und 9a,. eine duktile ZwI-
5 ftzw, 8a ' = =
schenlage^ z.B."-aus. Silber, zu benutzen. Die Anordnung enthält
weiterhin ein glockenartiges Gehäuse 10, bestehend; aus $em metallischen
ZylinderkörperH , dem Isolierkörper. 12, ζ»B. aus Glas, ,
und dem inneren, buchsenartigen Körper 13. 11 bis 15, bilden vorzugsweise zusammen eine sogenannte Druckglasdürchführung. In dasobere
Ende der inneren Hülse 13 ist noch ein buchsenartiger Körper 14 eingesetzt und hart verlötet, der; in seinem oberen Teil
einen becherförmigen Kontaktfederkörper 15 enthalt. In.diesen
taucht von dem einen Pol des Halbleiterelementes der starre Lei*- ·
ter 9 mit seinem-Ende ein.
» Aluminium Λ ' ■">■
- - ■ "//Z ""■-■;■■.■ BADORIGINÄl/. ■..;
■ **) die auch z.?. durch - 6 :-■' ; .". χ ■ . .
einen; Schleifprozeß -.._■: . ·/ "^
"besonders bearbeitet-. . : - ; ;
sein kann, 0^9810/0764 '
t" PLA 9/370/211
Im Inneren des Gehäuses liegt auf der oberen Fläche der Pilzdachform
von 9 zunächst eine Druckplatte 17 und auf dieser eine elektrische
isoliermaterialscheibe 18 sowie ein oberer Druckringkörper 19. Auf diesen Druckringkörper 19 sind einige Federkörper 20
bis 22 geschichtet, welche .die Form von Glocken- bzw. Tellerfedern
haben, die sich mit ihren äußeren bzw. inneren Randzonen gegeneinander abstützen. Es ist zu erkennen,-daß sich der Stapel
dieser Glpckenfedern einerseits gegen die Ringscheibe 19 und andererseits
gegen den Ringkörper 23 am Boden des becherförmigen metallischen Körpers 24 abstützt» Würde 24 aus elektrischem Isoliermaterial,
z.B. Keramik, bestehen, so könnte die Isolierscheibe 18 entfallen. Dieser becherförmige Körper 24 ist nach dem
Rand seiner Becherform zu, d.h. dem unteren Ende zu, mit einem Absatz 25 versehen, so daß er mit dem Teil größeren Du-rchmessers
über den Rand des Soekelkörpers 3 der Grundplatte 1 greift und sich mit dem genannten Absatz 25 auf dem Hilfstrager-Plattenteil
4 aufsetzt." Ίη der Anordnung sind ferner noch eine Anzahl Tellerfederscheiben
bzw» Glockenfedern 27 bis 30 vorgesehen. Diese stützen sich zu Paaren zusammengefaßt als Stapel einerseits gegen
die obere Stirnfläche des becherförmigen Körpers 24 und andererseits
gegen den Ringkörper 31 an der inneren Mantelflache des metallischen
becherförmigen Körpers 11 ab. Hiernach ist das ganze
System mechanisch dadurch zusammengehalten, da;.· der Glockenteil
11 an seinem unteren Rund mit dem Körper 2 mechanisch z*F. durch eine elektrische Widers tandsverschweiiSur:,:': stumpf verbunder] worden
ist.
7 Ansprüche - 7 -
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Claims (1)
- öl/14 TIPM 9/370/2%39ü92Pat ent an sρrü cn e1. Ilalble it eranordnung, .an welcher das Halbleiterelement, in eingasdichtes mehrteiliges ; Gehäuse eingeschlos'sen ist, dadurch ge-' kennzeichnet, daiS das eingeschlossene .-Halbleiterelement an' dem·; Grundplattenteil des Gehäuses nur mittels eines- Krafts ρ eich er s".-' gleitfähig zur Anlage gebracht ist, dessen Vorspannung durch die gegenseitige Verbindung der Gehäuseteile der Halbleiteranordnung bestimmt .ist. V ' ■'2. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch .gekennzeichnet/,-:- daß auf= die obere Fläche des Halbleiterelementes ein Kraftspeicher wirkt, dessen Vorspannung durch einen von einem Gehäuseteil, umschlossenen inneren Hohlkörper br,w. Bügelkörper bestimmt ist,' der seinerseits unter der Wirkung eines zwischen ihm und dem mit der Grundplatte der Halbleiteranordnung mechanisch Verbundenen Gehäuseteil eingesetzten Kraftspeichers steht, wobei der den ersten auf die obere FlH ehe ; des Halbleit erkörpers wirkenden Kraft speicher vorspannende Hohlkörper gleichzeitig' das Halbleiterelement zusätzlich mit seiner .lülfsträgerplatte an der Grundplatte des Gehäuses fe.stspannt·.-",. -'..■-. V\ ■ : ; ■ : ■ ■ ' '· " - ''^. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekenn- zeichnet, dall r;i.ch von der oberen-.Flüche des eingeschlossenen Halbleiterelemerjtec ein starrer Anschlußleiter bis. in eine mit icrn inneren netalliijchen Kürper der isolierten durchführung des einen Gehäuseteil es verbundenen buchoenförmigen Körper erstreckt .'üna. nit--dieceni. elektrisch leitend verbunden ist.- -8. - ...-.- - '■"■ '" - 8 0 9 8 1 0/07 6 A ■".' BAP ORIGINALPM 9/370/211 ' ^ 3 9 0 9 24. Halbleiteranordnung.nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß die elektrisch leitende Verbindung zwischen dem Buchsenkörper und dem sich von dem Halbleiterelement in seinen Hohlraum erstreckenden elektrischen Anschlußleiter des Halbleiterelementesoder/und in diedurch ein Festfressen des Buchsenkörpers auf der/tiant elf lache des elektrischen Anschlußleiters hergestellt ist.5. Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß der Buchsenkörper an seiner inneren Mantelfläche mit einem Federkontaktsystem ausgestattet ist, in welches der von dem Halbleiterelement ausgehende starre Anschlußleiter nach Art eines Steckerstiftes oder Steckerbolzens eingeführt ist»6. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den nur durch Pressung gegeneinander gehaltenen Flächen benachbarter Körper eine duktile Zwischenlage vorzugsweise anderen Werkstoffes benutzt ist»7. Halbleiteranordnung nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß diejenigen Flächen von Körpern, über welche diese nur durch eine Pressung gegeneinander gehalten sind, geschliffen bzw, durch einen Schleifprozeß einander angepaßt worden sind. . - -- 9 - . BAD QRIGINÄt8098 10/0761
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES0074927 | 1961-07-21 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1439092A1 true DE1439092A1 (de) | 1968-11-28 |
Family
ID=7504996
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DE19611439092 Pending DE1439092A1 (de) | 1961-07-21 | 1961-07-21 | Halbleiteranordnung |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH396222A (de) |
DE (1) | DE1439092A1 (de) |
GB (1) | GB980558A (de) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3395321A (en) * | 1966-07-11 | 1968-07-30 | Int Rectifier Corp | Compression bonded semiconductor device assembly |
EP1286393A3 (de) * | 2001-06-28 | 2004-03-03 | F & K Delvotec Bondtechnik GmbH | Schaltkreisgehäuse |
-
1961
- 1961-07-21 DE DE19611439092 patent/DE1439092A1/de active Pending
-
1962
- 1962-06-26 CH CH767062A patent/CH396222A/de unknown
- 1962-07-13 GB GB27119/62A patent/GB980558A/en not_active Expired
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB980558A (en) | 1965-01-13 |
CH396222A (de) | 1965-07-31 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
SH | Request for examination between 03.10.1968 and 22.04.1971 |