DE2725847C3 - Anordnung zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe - Google Patents

Anordnung zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe

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Description

Die Erfindung bezieht sich auf eine Anordnung zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe in einem Gehäuse mit einem Flachboden mit oder ohne Gewindebolzen und einer zylinderförmigen Kappe mit einer Decke aus einem Isolator, durch welche hindurchgehend parallel zur Zellenlängsachse von außen her eine Quetschhülse aus Metall mit einer Anschlußvorrichtung eingesetzt ist, und in die Quetschhülse ein Stromleiter eingeführt ist, der mit einer mit der Halbleiterscheibe weichgelöteten Hauptelektrode verbunden ist, und bei der der Kontaktdruck durch einen
ίο Druckkörper erzeugt wird, der nicht zur Stromleitung dient Eine solche Anordnung ist bekannt durch die DE-OS 15 14 150.
Es dienen hiernach zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe in dem Gehäuse einer Gleichrichter-" > zelle eine Ringscheibe als Druckübertrager, die auf der mit der Halbleiterscheibe weichgelöteten Hauptelektrode aufliegt, und ein Silikon-Gummistopfen als Druckmittel, weicher zwischen der Decke der Gehäusekappe und der Ringscheibe eingespannt ist Durch die
Ringscheibe sowie auch durch eine zentrische Bohrung des Gummistopfens hindurch erstreckt sich von der Hauptelektrode ausgehend ein Stromleiter und zwar ein Kupferseil, welches sich in einem Stromabnehmer fortsetzt. Als Druckmittel kann bei dieser Halbleiterzel-Ie eine Blattfeder an Stelle des Gummistopfens verwendet werden, die gegen das Gehäuse isoliert sein muß. Die Wirkung des Silikon-Gummistopfens als Druckmittel läßt sich für die Erzeugung eines Kontaktdruckes von ungefähr 2 · 106 Pa jedoch nur bis zu Temperaturen von etwa 100° C ausnutzen.
Durch die Druckkontaktierung wird bei der bekannten Halbleitergleichrichterzelle ein mechanischer Druck von 1 bis 2 · 10° Pa erzeugt, welchem die Weichlotverbindungen zwischen den zwei Hauptelektroden und der Halbleiterscheibe ausgesetzt werden, damit diese Verbindungen gegen Temperaturwechselbelastungen beständig werden, insbesondere die Abtrennung des Weichlots von der Halbleiterscheibe wirksam verhindert wird. Durch Temperaturwechselbelastungen können Weichlote ermüden — und dadurch wird die Ausfallrate der Halbleitergleichrichter beträchtlich größer —, wenn sich Risse in der Lotschicht bilden, so daß die im Halbleiter entstehende Verlustwärme nicht gleichmäßig abgeführt wird und es zu lokalen
Überhitzungen in der Lotschicht kommt.
Es ist durch die DE-OS 22 40 468 bekannt, daß die Ermüdung von stark bleihaltigen Weichloten verhindert werden kann, wenn diese mit dem Halbleiter in einer nicht oxidierenden Stickstoff-Atmosphäre mit z. B.
•;n einem Sauerstoffgehalt kleiner als 100 ppm bzw. einem Wassergehalt geringer als nur 50 ppm in einem Gehäuse eingeschlossen sind. Dies erfordert aber, daß Halbleiterzellen zum Evakuieren eingerichtet und mit einer besonderen Verschlußtechnik für Schutzgas
v> versehen werden müssen.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Anordnung zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe in einem Gehäuse, insbesondere einem Metall-Gehäuse, zu schaffen, welche in einfacher Weise und mit
bü nicht aufwendigen, für eine Massenfertigung geeigneten Mitteln herstellbar ist und bei welcher eine unbeeinflußte, beständige und konstantbleibende Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe gesichert ist und die Ausfallrate infolge thermischer Wechselbelastung der
ι ο Weichlotverbindungen der Halbleiterscheibe gering ist. Eine solche Anordnung wird mit den im Patentanspruch 1 gekennzeichneten Merkmalen geschaffen, nämlich mit einem die Halbleiterscheibe druckkontak-
tierenden Druckkörper, der eine aus einem Stück Bandmaterial U-förmig gebogene Feder ist, deren einer Schenkel gegen die eine Hauptelektrode der Halbleiterscheibe gedrückt ist, während der andere Schenkel gegen die Innenfläche der Gehäusekappendecke abgestützt ist, und einem an einem Ende flach ausgeformten, zu einer senkrecht zur Längsachse der Zelle abstehenden Schleife gebogenen Stromleiter, deren rücklaufender Teil an seiner Außenfläche mit dei einen Hauptelektrode ebenso wie der Gehäuseflachboden mit in der anderen Hauptelektrode durch eine Weichlotschicht verbunden ist
Die erwähnte eine Hauptelektrode der Halbleiterscheibe ist gewöhnlich Kathode. Die andere oder zweite Hauptelektrode, die Anode, ist mit der Halbleiterschei- ι > be an deren der Kathode gegenüberliegenden Hauptfläche ganzflächig durch eine Weichlotschicht verbunden und kontaktiert
Durch die GB-PS 11 76 584 ist eint Anordnung zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe im Gehäu- za se bekannt bei der ein ringförmiger oder S-förmiger Federkörper aus einem elektrisch leitenden Material eine Hauptelektrode der Halbleiterscheibe mit einem aus dem Gehäuse herausgeführten Stromleiter verbunden ist und somit als elastisches Stromanschlußglied dient Hiervon unterscheidet sich eine Anordnung gemäß der Erfindung wesentlich dadurch, daß bei dieser der entsprechende Druckkörper von der Funktion einer Stromführung und eines Anschlusses befreit ist.
Gleichrichterzellen für mit zwei HaupteleHtroden sowie mit oder ohne Steuerelektrode kontaktierten Halbleiterscheiben sind nach unterschiedlichen Ausgestaltungen der Erfindung ausgebildet So weist eine Gleichrichterzelle für eine Halbleiterscheibe ohne Steuerelektrode, das heißt ein Gleichrichterdiodenbauelement, die im Patentanspruch 2 gekennzeichneten Merkmale auf. Demnach ist der Stromleiter, weicher gewöhnlich als Stromabnehmer der Kathode dient, in der Zellenlängsachse angeordnet und der rücklaufende, flach ausgeformte Teil seiner Schleife ist mit der ganzen Hauptelektrode der Halbleiterscheibe verbunden. Weitere Kennzeichenmerkmale sind, daß ein Schenkel der Feder zur Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe auf der Innenfläche des rücklaufenden Teils der Stromleiterschleife aufliegt und der andere Schenkel ein Langloch aufweist, durch das der Stromleiter hindurchgeht.
Demgegenüber weist eine Gleichrichterzelle für eine Halbleiterscheibe mit einer zentrischen oder exzentrischen Steuerelektrode, das heißt ein Thyristorbauelement, die im Patentanspruch 3 gekennzeichneten Merkmale auf. Hiernach ist der entsprechende Stromleiter bezüglich der Zellenlängsachse exzentrisch angeordnet und der rücklaufende flach ausgeformte Teil seiner Schleife ist nur mit einem Teil der Hauptelektrode verbunden. Weitere Kennzeichenmerkmale sind, daß zur Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe eine zweimal U-förmig gebogene Feder mit einem Verbindungssteg, welcher schmaler ist als die Feder breit ist, dient, die an der InnenfIäcKp Her Gehäusekappendecke durch Klebung befestigt .ai una deren Schenkel auf der Hauptelektrode der Halbleiterscheibe aufliegen.
Zur Verbindung der Hauptelektroden der Halbleiterscheibe mit dem Stromleiter einerseits und mit dem Gehäuseflachboden andererseits ist gemäß einer weite- 6Ί ren Ausbildung der Erfindung eine an sich bekannte Weichlotlegierung aus 70% Blei und 30% Indium und zur Verbindung der Elektroden mit der Halbleiterscheibe eine solche aus 90% Blei, 5% Silber und 5% Indium verwendet
Vorteile der Erfindung sind, daß die üblichen Gehäusebauteile für eine Gleichrichterzelle genügen und keinesfalls spezielle Verschlußeinrichtungen erforderlich sind. Auch können handelsübliche Stromzuführungen verwendet werden. Die erfindungsgemäße Druckkontaktierung bewirkt, daß die Ausfallrate infolge thermischer Wechselbelastung deutlich geringer als bei Gleichrichterzellen des Standes der Technik ist Das Konstruktionselement für die Druckkontaktierung besteht aus nur einem Teil, dessen Lagesicherung beim Zusammensetzen der Gleichrichterzelle leicht eingehalten werden kann.
Die Erfindung ist nachstehend durch Ausführungsbeispiele an Hand der Zeichnung erläutert Hierin zeigt
F i g. 1 eine Halbleitergleichrichterzelle für eine Gleichrichterdiodenscheibe in Seitenansicht und teilweise im Querschnitt,
Fig.2a eine Halbleitergleichrichterzelle für eine Thyristorscheibe in Seitenansicht und teilweise im Querschnitt und
F i g. 2b eine Gleichrichterzelle in Seitenansicht und teilweise im Querschnitt im rechten Winkel zur Seitenansicht und zum Querschnitt der F i g. 2a.
Gleiche Elemente in den Figuren sind mit den gleichen Bezugszeichen versehen.
Die Halbleitergleichrichterzellen nach Fig.! und 2 haben gemeinsame, an sich bekannte Merkmale. Sie sind im wesentlichen aus zwei Hauptbestandteilen zusammengesetzt, einem Gehäuseflachboden 1 ohne Gewindebolzen und einer zylinderförmigen Metall-Glas-Gehäusekappe 2 mit einem den Zellen- und Gehäusemantel bildenden Stück Stahlrohr 21 und einer kreisförmigen Decke 22 aus Sinterglas. Durch die Decke hindurchgehend ist parallel zur Längsachse L der Zelle von außen her mindestens eine Quetschhülse 23 aus Nickeleisen mit einer nicht dargestellten äußeren Anschlußvorrichtung, beispielsweise eine Lasche, eingesetzt, in der von innen her ein runder Stromleiter 3, welcher als Stromabnehmer der Kathode des in einer Gleichrichterzelle befindlichen Halbleiterbauelementes 5 dient, eingeführt ist. Die Gleichrichterzellen haben eine Vorrichtung 4 zur Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe des betreffenden Bauelementes. Der Gehäuseflachboden 1 aus Kupfer hat einen Randflansch U1 auf dem ein Stahlring 12 zum Verschweißen der Gehäusebestandteile 1 und 2 angeordnet ist.
Die Gleichrichterzellen enthalten je ein Halbleiterbauelement 5, nämlich eine als Halbleitergleichrichter ausgebildete Halbleiterscheibe 5', welche an ihren zwei Hauptflächen durch je eine Weichlotschicht mit je einer Hauptelektrode A bzw. K, d. h. Anode und Kathode, verbunden ist. Die Anode A ist ganzflächig mit der Halbleiterscheibe verbunden. Das Weichlot ist eine Legierung aus 90% Blei, 5% Silber und 5% Indium.
Im Rahmen der oben beschriebenen gemeinsamen Aufbaumerkmale unterscheiden sich die Gleichrichterzellen nach F i g. 1 und 2 voneinander nur hinsichtlich des eingeschlossenen Halbleiterbauelementes. Die Zelle nach Fig.2 enthält ein Thyristorbauelement mit zentrischer Steuerelektrode G, welcher ein Steuerleiter St durch eine ringförmige Kathode K isoliert zugeführt ist. Durch die Decke 22 hindurchgehend ist parallel zur Längsachse L der Zelle von außen her eine zweite Quetschhülse 24 gleicher Art wie die erste Quetschhülse, in die der Stromleiter 3 für die Kathode K eingeführt ist, jedoch dünner als diese, eingesetzt. Durch die
Quetschhülse 24 ist der Steuerleiter Si von außen her der Steuerelektrode G zugeführt. Die zwei Quetschhülsen 23 und 24 sind bei der Gleichrichterzelle nach F i g. 2 exzentrisch bezüglich der Zellenachse L angeordnet.
Die Gleichrichterzelle nach F i g. 1 enthält demgegenüber ein Gleichrichterdiodenbauelement 5 mit lediglich den zwei Hauptelektroden (Anode A und Kathode K) sowie nur eine durch die Glasdecke der Gehäusekappe hindurchgehend eingesetzte Quetschhülse 23 für den Stromleiter 3.
Es wird bei den beschriebenen Gleichrichterzellen eine beständige und konstantbleibende Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe mittels einer ganz einfachen Feder 4, ein Stück Bandmaterial aus z. B. Stahl, das U-förmig gebogen ist, bewirkt. Ein Schenkel 41 dieser Feder ist, wie die F i g. 1 zeigt, gegen die Kathode K der Halbleiterscheibe 5' gedrückt, während der andere Schenkel 42 gegen die Innenfläche der Decke 22 aus Glas der Gehäusekappe 2 abgestützt ist. Ein Ende des Stromleiters 3 ist flach ausgeformt und zu einer senkrecht zur Zellenachse L abstehenden Schleife 31 gebogen, ,deren riicklaufender Teil 3Γ an seiner Außenfläche mit der Kathode K durch eine Schicht 45 aus einem Weichlot, bestehend aus 70% Blei und 30% Indium, verbunden ist. Durch eine ebensolche Schicht 15 ist andererseits die Anode A mit dem Gehäuseflachboden 1 verbunden. Bei einer Gleichrichterzelle nach F i g. 1 mit einem Gleichrichterdiodenbauelement ist der Schleifenteil 3Γ so breit, daß damit die ganze Fläche der Kathode bedeckt wird. Der gegen die Kathode gedrückte Schenkel 41 der Feder 4 liegt auf der Innenfläche des rücklaufenden Teils 31' der Schleife 31 des Stromleiters 3 auf. Andererseits befindet sich in dem gegen die Kappendecke 22 abgestützten Schenkel 42 der Feder ein Langloch 42", durch das der gerade Teil des Stromleiters 3 hindurchgeht. Derart angeordnet erhält die Feder bereits vor dem Zusammensetzen und Verschweißen der Bestandteile 1 und 2 der Zelle eine ausreichende Lagesicherung.
Bei einer Gleichrichterzelle nach F i g. 2 mit einem Thyristorbauelement wird nur ein Teil der Fläche der Kathode K durch den Schleifenteil 31' bedeckt. Zur Druckkontaktierung dient hier eine zweimal U-förmig
ίο gebogene Feder wiederum aus Bandmaterial, weiche der Feder 4 nach F i g. 1 ähnlich ist. Die U-förmig gebogenen Teile 4,4' sind durch einen Verbindungssteg 44 verbunden, welcher schmaler ist als die Feder breit ist, insbesondere schmaler als der Abstand zwischen den Quetschhülsen 23 und 24. Die Feder ist mit den Teilen 42,42' und dem Steg 44 an der Innenfläche der Decke 22 aus Glas der Gehäusekappe 2 durch Kleben befestigt, hat somit eine feste Lagesicherung. Die zwei Schenkel 41 und 41' der Feder liegen auf der Oberfläche der Kathode K unter Druck auf.
Beim Zusammensetzen der Halbleitergleichrichterzellen nach F i g. 1 und F i g. 2 kann bei gesicherter Lage der Feder 4 bzw. 4,4' ohne Schwierigkeiten jeweils der Stromleiter 3, der als Stromabnehmer der Kathode dient, mit seinem geraden Teil in die Quetschhülse 23 eingeführt werden; bei der Zelle nach Fig.2 kann zugleich auch der Steuerleiter St in die Quetschhülse 24 eingeführt werden. Unter Anwendung eines Druckes werden alsdann die Gehäusebestandteile 1 und 2 miteinander mit Hilfe des Stahlringes 12 verschweißt, wobei die Feder 4 in der Zelle gespannt wird. Schließlich werden der gerade Teil des Stromleiters 3 und, nach F i g. 2, der Steuerleiter St mit den Hülsen 23 und 24 durch Quetschen kontaktiert
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen

Claims (4)

Patentansprüche:
1. Anordnung zur Druckkontaktierung einer Halbleiterscheibe in einem Gehäuse mit einem Flachboden mit oder ohne Gewindebolzen und einer zylinderförmigen Kappe mit einer Decke aus einem Isolator, durch weiche hindurchgehend parallel zur Zellenlängsachse von außen her eine Quetschhülse aus Metall mit einer Anschlußvorrichtung eingesetzt ist, und in die Quetschhülse ein Stromleiter eingeführt ist, der mit einer mit der Halbleiterscheibe weichgelöteten Hauptelektrode verbunden ist, und bei der der Kontaktdruck durch einen Druckkörper erzeugt wird, der nicht zur Stromleitung dient, dadurch gekennzeichnet, daß der Druckkörper eine, aus einem Stück Bandmaterial U-förmig gebogene Feder (4) ist, tieren einer Schenkel (41) gegen die eine Hauptelektrode (K) der Halbleiterscheibe (5') gedrückt ist, während der andere Schenkel (42) gegen die Innenfläche der Gehäusekappendecke (22) abgestützt ist, und daß ein Ende des Stromleiters (3) flach ausgeformt und zu einer senkrecht zur Längsachse (L) der Zelle abstehenden Schleife (31) gebogen ist, deren rücklaufender Teil (31') an seiner Außenfläche mit der einen Hauptelektrode (K) ebenso wie der Gehäuseflachboden (1) mit der anderen Hauptelektrode (A) durch eine Weichlotschicht (35) verbunden ist
2. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromleiter (3) in der Zellenlängsachse (L) angeordnet ist und der rücklaufende flach ausgeformte Teil (3Γ) seiner Schleife mit der ganzen einen Hauptelektrode (K) der Halbleiterscheibe (5') verbunden ist, und daß zur Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe ein Schenkel (41) der Feder (4) auf der Innenfläche des rücklaufenden Teils der Stromleiterschleife (31) aufliegt und der andere Schenkel (42) ein Langloch (42") aufweist, durch das der Stromleiter (3) hindurchgeht.
3. Anordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Stromleiter (3) bezüglich der Zellenlängsachse (L) exzentrisch angeordnet ist und der rücklaufende flach ausgeformte Teil (31') seiner Schleife mit einem Teil der einen Hauptelektrode (K) der Halbleiterscheibe verbunden ist, und daß zur Druckkontaktierung der Halbleiterscheibe eine zweimal U-förmig gebogene Feder (4,4') mit einem Verbindungssteg (44), welcher schmaler als die Federbreite ist, dient, die an der Innenfläche der Gehäusekappendecke (22) durch Kleben befestigt ist und deren Schenkel (41, 41') auf der einen Hauptelektrode der Halbleiterscheibe aufliegen.
4. Anordnung nach einem der vorangehenden Ansprüche, dadurch gekennzeichnet, daß zur Verbindung der Hauptelektroden (A, K) der Halbleiterscheibe (5') mit dem Stromleiter (3) einerseits und mit dem Gehäuseflachboden (1) andererseits eine Weichlotiegierung aus 70% Blei und 30% Indium und zur Verbindung der Elektroden mit der Halbleiterscheibe eine Weichlotlegierung aus 90% Blei, 5% Silber und 5% Indium verwendet ist.
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3426200C2 (de) * 1984-07-17 1994-02-10 Asea Brown Boveri Überbrückungselement
DE19903245A1 (de) * 1999-01-27 2000-08-03 Asea Brown Boveri Leistungshalbleitermodul
CN107949908B (zh) * 2015-06-22 2020-04-17 Abb瑞士股份有限公司 用于功率半导体模块的弹簧元件

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008056145A1 (de) * 2008-11-06 2009-06-10 Daimler Ag Vorrichtung zum Schutz eines Halbleiterelements

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