DE19918554A1 - Halbleitervorrichtung - Google Patents

Halbleitervorrichtung

Info

Publication number
DE19918554A1
DE19918554A1 DE19918554A DE19918554A DE19918554A1 DE 19918554 A1 DE19918554 A1 DE 19918554A1 DE 19918554 A DE19918554 A DE 19918554A DE 19918554 A DE19918554 A DE 19918554A DE 19918554 A1 DE19918554 A1 DE 19918554A1
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
electrode body
section
semiconductor chip
semiconductor device
carrier
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
DE19918554A
Other languages
English (en)
Inventor
Takeshi Terasaki
Hideo Miura
Chikara Nakajima
Makoto Kitano
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Hitachi Ltd
Original Assignee
Hitachi Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Hitachi Ltd filed Critical Hitachi Ltd
Publication of DE19918554A1 publication Critical patent/DE19918554A1/de
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/043—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body
    • H01L23/049—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction and having a conductive base as a mounting as well as a lead for the semiconductor body the other leads being perpendicular to the base
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/28—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection
    • H01L23/31—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape
    • H01L23/3107—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed
    • H01L23/3121—Encapsulations, e.g. encapsulating layers, coatings, e.g. for protection characterised by the arrangement or shape the device being completely enclosed a substrate forming part of the encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L24/33—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of a plurality of layer connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/26—Layer connectors, e.g. plate connectors, solder or adhesive layers; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/31—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process
    • H01L2224/32—Structure, shape, material or disposition of the layer connectors after the connecting process of an individual layer connector
    • H01L2224/321—Disposition
    • H01L2224/32151—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/32221—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/32245—Disposition the layer connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83385—Shape, e.g. interlocking features
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01013—Aluminum [Al]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01024—Chromium [Cr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01029—Copper [Cu]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0103—Zinc [Zn]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/0104—Zirconium [Zr]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01042—Molybdenum [Mo]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01047—Silver [Ag]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01068—Erbium [Er]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01078—Platinum [Pt]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01079—Gold [Au]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H01L2924/183—Connection portion, e.g. seal
    • H01L2924/18301—Connection portion, e.g. seal being an anchoring portion, i.e. mechanical interlocking between the encapsulation resin and another package part

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Die Bonding (AREA)

Abstract

Eine Halbleitervorrichtung enthält einen Halbleiterchip (1), einen Trägerelektrodenkörper (2), der mit einem der Endabschnitte des Halbleiterchips kontaktiert ist und von einem Wärmeverteiler (4) an einem Befestigungsabschnitt getragen und an diesem befestigt ist, einen Anschlußelektrodenkörper (6), der am anderen Endabschnitt des Halbleiterchips kontaktiert ist, sowie ein Isolier-/Versiegelungselement (7), das am Kontaktierungsabschnitt zwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerelektrodenkörper und am Kontaktierungsabschnitt zwischen dem Halbleiterchip und dem Anschlußelektrodenkörper vorgesehen ist. Der Trägerelektrodenkörper enthält einen Abschnitt, dessen Außendurchmesser von demjenigen des Befestigungsabschnitts, an dem der Trägerelektrodenkörper vom Wärmeverteiler getragen und an diesem befestigt ist, verschieden ist.

Description

Die Erfindung betrifft eine Halbleitervorrichtung zum Umsetzen eines Wechselspannungsausgangs eines Wechsel­ spannungsgenerators in einen Gleichspannungsausgang und insbesondere eine derartige Halbleitervorrichtung, bei der Defekte, vor allem Risse und Brüche, eines Halblei­ terchips verhindert werden können, die entstehen, wenn der Halbleiterchip in einen Wärmeverteiler (Wärmeab­ strahlungsplatte) geschoben und an diesem befestigt wird.
In herkömmlichen Halbleitervorrichtungen zum Umsetzen eines Wechselspannungsausgangs eines Wechselspannungsge­ nerators in einen Gleichspannungsausgang wird der Halb­ leiterchip beispielsweise an einem flachen Abschnitt einer Bodenplatte eines eingetieften Trägerelektrodenkör­ pers befestigt, wobei der eingetiefte Trägerelektroden­ körper seinerseits in einen metallischen Wärmeverteiler mit elektrischer und thermischer Leitfähigkeit eingescho­ ben ist, wie beispielsweise aus JP 55-19828-A bekannt ist.
Der Halbleiterchipabschnitt der obenbeschriebenen her­ kömmlichen Halbleitervorrichtungen des Einschub-Typs wird durch ein Isoliermaterial zur elektrischen Isolation und zum Schutz versiegelt. Obwohl in vielen Fällen ein Sili­ kongummi verwendet worden ist, wird in einigen fällen auch ein Epoxidharz verwendet.
Die Unterstützungs- und Befestigungsstruktur im Wärmever­ teiler der Halbleitervorrichtung des Einschubtyps wird erhalten, indem im Wärmeverteiler eine kreisförmige Einpaßbohrung mit einem Innendurchmesser, der etwas kleiner als der Außendurchmesser des Trägerelektrodenkör­ pers ist, und durch Einpassen des Trägerelektrodenkörpers in diese Einpaßbohrung durch Ausüben einer Kraft auf den Trägerelektrodenkörper erhalten.
Wenn daher die Halbleitervorrichtung mit der herkömmli­ chen Struktur in den Wärmeverteiler eingeschoben wird, wird auf den Halbleiterchip über den Trägerelektrodenkör­ per eine hohe Kraft ausgeübt, wobei der Halbleiterchip während dieses Einschubvorgangs manchmal bricht. Dieses Problem kann im Prinzip dadurch gelöst werden, daß zwi­ schen den Trägerelektrodenkörper und den Halbleiterchip ein blattähnliches Zwischenelement eingefügt wird. Dieses Verfahren ist jedoch nicht wünschenswert, weil die Her­ stellungskosten aufgrund der Erhöhung der Anzahl der Komponenten und aufgrund der Verschlechterung des Monta­ gearbeitsfaktors drastisch steigen. Weiterhin erfährt die Seitenwand des eingetieften Trägerelektrodenkörpers an der inneren Umfangsseite während des Einschubvorgangs eine Verformung, ferner wird das Isolierelement kompri­ miert. Wenn für das Isolierelement ein Epoxidharz mit großem Young-Modul verwendet wird, wird die aus dieser Verformung sich ergebende Kraft an den Halbleiterchip übertragen, so daß mit hoher Wahrscheinlichkeit ein Bruch des Halbleiterchips auftritt.
Daher wird ein Einschubtest ausgeführt, indem eine Proto­ typ-Struktur hergestellt wird, die die vom Trägerelektro­ denkörper an den Halbleiterchip während des Einschubvor­ gangs übertragene Kraft viel stärker reduziert als in der herkömmlichen Struktur; diese Struktur ist in Fig. 2 gezeigt. Um die Krümmung des Trägerelektrodenkörpers 3 durch die vom Wärmeverteiler 4 ausgeübte Kompressions­ kraft zu verhindern, ist der Trägerelektrodenkörper in dieser Prototyp-Struktur dicker als in der herkömmlichen Struktur ausgebildet. Der Halbleiterchip ist durch das Epoxidharz versiegelt. Das Ergebnis dieses Experiments ergibt, daß in manchen Fällen in dem Halbleiterchip 1 nach Fig. 2 ein Bruch wie etwa ein Querriß von der äuße­ ren Umfangsseite und ein Längsriß von irgendeiner Ober­ fläche einschließlich der oberen und der unteren Oberflä­ che beobachtet wird. Es wird angenommen, daß sich der Bruch entwickelt, weil die Reduzierung der vom Träger­ elektrodenkörper 3 auf den Halbleiterchip 1 ausgeübten Kraft nicht ausreicht.
Es besteht das weitere Problem, daß sich das Isolierele­ ment 7 vom Trägerelektrodenkörper 3 aufgrund des Kontakts des Trägerelektrodenkörpers 3 mit dem Wärmeverteiler 4 während des Einschubvorgangs abschält. Der Grund hierfür besteht darin, daß der Trägerelektrodenkörper aufgrund der Kraft, die auf ihn vom Wärmeverteiler 4 ausgeübt wird, eine starke Verformung erfährt. Wenn dann die Halbleitervorrichtung in einer Umgebung verwendet wird, in der der Halbleiterchip wahrscheinlich Feuchtigkeit ausgesetzt ist, kann diese Feuchtigkeit durch den abge­ schälten Abschnitt eindringen, was zu dem Problem führt, daß die Leistung der Gleichrichtungsoperation aufgrund einer Zunahme eines Leckstroms, der in die entgegenge­ setzte Richtung fließt, abfällt.
Diese Probleme können durch Reduzieren der auf den Halb­ leiterchip über den Trägerelektrodenkörper und über das Isoliermaterial ausgeübten Kraft gelöst werden. Sie können auch durch Reduzieren der Verformung des Träger­ elektrodenkörpers aufgrund des Einschubvorgangs in der Umgebung der Kontaktierungsfläche zwischen dem Träger­ elektrodenkörper und dem Isolierelement reduziert werden.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, eine Halblei­ tervorrichtung zu schaffen, bei der ein aus einer Verfor­ mung sich ergebender Bruch des Halbleiterchips verhindert werden kann, indem die während der Montage auf den Halb­ leiterchip wirkende Kraft reduziert wird und der Grad der Verformung reduziert wird, die eine lange Lebensdauer sowie eine hohe Zuverlässigkeit besitzt und die mit niedrigen Herstellungskosten gefertigt werden kann.
Diese Aufgabe wird gelöst durch eine Halbleitervorrich­ tung nach Anspruch 1. Weiterbildungen der Erfindung sind in den abhängigen Ansprüchen angegeben.
Die Halbleitervorrichtung enthält einen Halbleiterchip, einen Trägerelektrodenkörper, der mit einem der Endab­ schnitte des Halbleiterchips über ein Kontaktierungsele­ ment kontaktiert ist und an seinem äußeren Umfang mit einem Wärmeverteiler-Befestigungsabschnitt versehen ist, um einen Wärmeverteiler zu tragen und zu befestigen, einen Anschlußelektrodenkörper, der mit dem anderen Endabschnitt des Halbleiterchips über ein Kontaktierungs­ element kontaktiert ist, sowie ein Isolierelement, das am Kontaktierungsabschnitt zwischen dem Halbleiterchip und dem Trägerelektrodenkörper sowie am Kontaktierungsab­ schnitt zwischen dem Halbleiterchip und dem Anschlußelek­ trodenkörper angebracht ist. Die Halbleitervorrichtung der Erfindung besitzt die folgenden Merkmale.
  • (1) Am Trägerelektrodenkörper ist ein erster Abschnitt mit einem Außendurchmesser ausgebildet, der von demjeni­ gen des Wärmeverteiler-Befestigungsabschnitts verschieden ist.
  • (2) In der obigen Konstruktion (1) ist der Außendurchmes­ ser des ersten Abschnitts nicht größer als der 0,95-fache Außendurchmesser des Wärmeverteiler-Befestigungsab­ schnitts.
    Mit dieser Konstruktion können die obenbeschriebenen Probleme gelöst werden, da die vom Wärmeverteiler über­ tragene Kraft im Trägerelektrodenkörper verteilt wird.
    Anhand des Ergebnisses von Experimenten und des Untersu­ chungsergebnisses durch numerische Analyse, die vom Erfinder ausgeführt wurden, ist festgestellt worden daß die im Halbleiterchip entstehende Beanspruchung unterhalb der Bruchbeanspruchungsgrenze bleibt, wenn der Außen­ durchmesser der kreisförmigen zylindrischen Form oder der maximale Außendurchmesser der kreisförmigen kegel­ stumpfförmigen Form auf Seiten der Chipanbringungsfläche nicht größer als der 0,95-fache Außendurchmesser des Trägerelektrodenkörpers wie in Fig. 3 gezeigt ist.
  • (3) In der Konstruktion (1) oder (2) wie oben beschrieben ist eine zylindrische Seitenwand auf Seiten der Halblei­ terchip-Anbringungsfläche des Trägerelektrodenkörpers ausgebildet, wobei der Innendurchmesser der Seitenwand gegenüber dem Trägerelektrodenkörper kleiner als der Innendurchmesser auf Seiten des Trägerelektrodenkörpers ist.
    Mit dieser Konstruktion kann ein Abschälen des Isolier­ elements vom Trägerelektrodenkörper verhindert werden. Ferner kann eine ähnliche Wirkung durch Bilden eines Anschlußvorsprungabschnitts an dem von der oberen Ober­ fläche des Anschlußelektrodenkörpers nach oben sich erstreckenden Anschluß in der Weise erhalten werden, daß ein Teil des Vorsprungabschnitts oder der gesamte Vor­ sprungabschnitt mit dem Isolierelement in Kontakt ist.
  • (4) In der Konstruktion (1) oder (2) wie oben beschrieben liegt die Dickendifferenz, die durch Subtrahieren der Dicke des Kontaktabschnitts des Trägerelektrodenkörpers, der mit dem Wärmeverteiler in Kontakt ist, von der Dicke zwischen der Halbleiterchip-Anbringungsfläche und seiner Rückseite erhalten wird, im Bereich des 0,07- bis 0,25-fachen oder wenigstens 0,47-fachen maximalen Außen­ durchmessers des Trägerelektrodenkörpers.
    Anhand des Ergebnisses von Experimenten und des Untersu­ chungsergebnisses durch numerische Analyse, die vom Erfinder ausgeführt wurden, können innerhalb des Bereichs der obenbeschriebenen numerischen Werte sowohl Querrisse als auch Längsrisse des Halbleiterchips während des Einschubvorgangs wie in Fig. 2 gezeigt sowie ein Abschä­ len des Isolierelements verhindert werden.
  • (5) In der Konstruktion (1) oder (2) wie oben beschrieben ist am Trägerelektrodenkörper zwischen dem Wärmevertei­ ler-Befestigungsabschnitt und dem ersten Abschnitt ein zweiter Abschnitt ausgebildet, dessen Außendurchmesser kleiner aus der Außendurchmesser des Wärmeverteiler- Befestigungsabschnitts und der Außendurchmesser des ersten Abschnitts ist.
    Bei dieser Konstruktion wird die vom Wärmeverteiler auf den Trägerelektrodenkörper ausgeübte Kraft am zweiten Abschnitt (im folgenden mit "Graben" bezeichnet) unter­ brochen. Folglich kann die auf den Halbleiterchip und auf die Grenzfläche zwischen dem Isolierelement und dem Trägerelektrodenkörper wirkende Kraft drastisch reduziert werden, so daß sowohl ein Bruch des Halbleiterchips als auch ein Abschälen zwischen dem Isolierelement und dem Trägerelektrodenkörper verhindert werden können.
  • (6) In der Konstruktion (1) oder (2) wie oben beschrieben ist zwischen den Halbleiterchip und den Trägerelektroden­ körper ein blattähnliches Element eingefügt.
    Bei dieser Konstruktion ist der Halbleiterchip am Trä­ gerelektrodenkörper über das blattähnliche Element (Halbleiterchip-Anbringungsplatte) angebracht. Folglich kann die vom Trägerelektrodenkörper auf den Halbleiter­ chip beim Einschubvorgang übertragene Kraft reduziert werden, ferner kann die Dauerhaltbarkeit der Kontaktie­ rungselemente ebenfalls verbessert werden.
    In der Konstruktion (1) oder (2) beträgt der longitudi­ nale Elastizitätsmodul des Isolierelements innerhalb des Betriebstemperaturbereichs zweckmäßig wenigstens 5 GPa, wobei sein linearer Ausdehnungskoeffizient zweckmäßig im Bereich von 5 bis 50 ppm/°C liegt.
    Der Erfinder hat die Einflüsse des Young-Moduls des Isolierelements und seines linearen Ausdehnungskoeffizi­ enten auf die thermische Dauerhaltbarkeit der Halbleiter­ vorrichtung durch Experimente und numerische Analysen untersucht und festgestellt, daß die zulässigen Werte der thermischen Dauerhaltbarkeit überschritten werden können, wenn der Young-Modul des Isolierelements und dessen linearer Ausdehnungskoeffizient innerhalb des Betriebs­ temperaturbereichs im oben angegebenen Bereich der nume­ rischen Werte liegen.
Wenn in der Konstruktion (1) oder (2) wie oben beschrie­ ben die Vickers-Härte des Trägerelektrodenkörpers höher als die Vickers-Härte des Wärmeverteilers ist, in den der Trägerelektrodenkörper eingeschoben wird, erfährt der Wärmeverteiler während des Einschubvorgangs eine große Verformung, während die Verformung des Trägerelektroden­ körpers kleiner wird. Dadurch können ein Bruch des Halb­ leiterchips und ein Abschälen zwischen dem Isolierelement und dem Trägerelektrodenkörper verhindert werden. Anhand der Experimente, die der Erfinder ausgeführt hat, hat sich gezeigt, daß zweckmäßig Zirkon-Kupfer, zinnhaltiges Kupfer, silberhaltiges Kupfer oder chromhaltiges Kupfer verwendet wird, wenn das Material des Wärmeverteilers sauerstofffreies Kupfer ist.
Wie oben beschrieben kann mit der Erfindung die Kraft reduziert werden, die auf den Halbleiterchip ausgeübt wird, wenn er in den Wärmeverteiler eingeschoben wird, so daß ein Bruch des Halbleiterchips verhindert werden kann.
Die thermische Dauerhaltbarkeit des Kontaktierungsele­ ments, mit dem der Halbleiterchip und der Trägerelektro­ denkörper verbunden sind, kann durch Optimieren der Materialeigenschaften des Isolierharzes verbessert wer­ den, ferner kann die Lebensdauer der Halbleitervorrich­ tung bis zur Verschlechterung ihrer Eigenschaften ausge­ dehnt werden.
Weitere Merkmale und Vorteile der Erfindung werden deut­ lich beim Lesen der folgenden Beschreibung zweckmäßiger Ausführungen, die auf die beigefügte Zeichnung Bezug nimmt; es zeigen:
Fig. 1 die bereits erwähnte Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Aus­ führung der Erfindung, die auch zur Erläute­ rung der Probleme des Standes der Technik dient;
Fig. 2 die bereits erwähnte Schnittansicht eines beim Einschieben wahrscheinlich brechenden Abschnitts der Halbleitervorrichtung nach Fig. 1, die wiederum auch zur Erläuterung der Probleme des Standes der Technik dient;
Fig. 3 den bereits erwähnten Graphen, der die Bezie­ hung zwischen einerseits dem Außendurchmesser von Abschnitten eines Halbleiterchips, die von dem Abschnitt verschieden sind, der von einem Wärmeverteiler unterstützt wird und an diesem befestigt ist, und andererseits dem Brechen des Halbleiterchips zum Zeitpunkt des Einschiebens in den Wärmeverteiler zeigt;
Fig. 4 einen Graphen, der die Beziehung zwischen der Dicke eines Trägerelektrodenkörpers und des Seitenflächenbruchs des Halbleiterchips zum Zeitpunkt des Einschiebens zeigt;
Fig. 5 einen Graphen, der die Beziehung zwischen der Dicke des Trägerelektrodenkörpers und dem Ab­ schälen an einer Grenzfläche zwischen dem Isolierelement und dem Trägerelektrodenkörper zum Zeitpunkt des Einschiebens zeigt;
Fig. 6 einen Graphen, der die Beziehung zwischen der Dicke des Trägerelektrodenkörpers und dem Bruch der Halbleiterchipfläche zum Zeitpunkt des Einschiebens zeigt;
Fig. 7 einen Graphen, der die Beziehung zwischen dem Young-Modul des Isolierelements und der ther­ mischen Dauerhaltbarkeit der Halbleitervor­ richtung zeigt;
Fig. 8 einen Graphen, der die Beziehung zwischen dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des Iso­ lierelements und der thermischen Dauerhalt­ barkeit der Halbleitervorrichtung zeigt; und
Fig. 9-14 Schnittansichten einer Halbleitervorrichtung gemäß einer zweiten bis siebten Ausführung der Erfindung.
[Erste Ausführung]
Fig. 1 ist die bereits erwähnte Schnittansicht einer Halbleitervorrichtung gemäß einer ersten Ausführung der Erfindung. Die Halbleitervorrichtung gemäß dieser Ausfüh­ rung enthält einen Halbleiterchip 1 mit Gleichrichter­ funktion, einen Trägerelektrodenkörper 3, der mit einem der Endabschnitte des Halbleiterchips 1 über ein Kontak­ tierungselement 2 elektrisch kontaktiert ist und von einer Wärmeabstrahlungsplatte 4 für die Abführung von Wärme vom Halbleiterchip 1 getragen und an dieser befestigt ist, einen Anschlußelektrodenkörper 6, der mit dem anderen Endabschnitt des Halbleiterchips 1 über ein Kontaktie­ rungselement 5 kontaktiert ist, sowie ein Isolierelement 7, das die Kontaktierungsabschnitte zwischen dem Halblei­ terchip 1 und den beiden Elektrodenkörpern 3 und 6 elek­ trisch isoliert und versiegelt.
Der Trägerelektrodenkörper 3 besitzt einen kreisförmig zylindrischen oder kreisförmig kegelstumpfförmigen Ab­ schnitt mit einem Außendurchmesser d, der von einem Au­ ßendurchmesser c eines Abschnitts, an dem der Trägerelek­ trodenkörper 3 durch den Wärmeverteiler 4 getragen wird und an diesem befestigt ist, verschieden ist. Anhand von Experimenten und numerischen Analysen, die der Erfinder ausgeführt hat, ergibt sich, daß die im Halbleiterchip 1 auftretende Beanspruchung unterhalb einer Bruchbeanspru­ chungsgrenze bleibt, wenn der Außendurchmesser d des Trägerelektrodenkörpers 3 auf Seiten der Halbleiterchip- Anbringungsfläche nicht größer als der 0,95-fache Außen­ durchmesser c des Abschnitts ist, der mit der Wärmeab­ strahlungsplatte 4 in Kontakt ist.
Der Außendurchmesser des kreisförmig zylindrischen oder des kreisförmig kegelstumpfförmigen Abschnitts auf Seiten der Chipanbringungsfläche, der hierdurch definiert ist, ist ein Sollwert für die Fertigung, wobei eine Fertigungstoleranz bis zu ungefähr 1% des maximalen Außendurchmessers des Trägerelektrodenkörpers zulässig ist. Eine ähnliche Fertigungstoleranz (1% des maximalen Außendurchmessers des Trägerelektrodenkörpers) ist für die spezifizierten Abmessungswerte zulässig, wie später beschrieben wird.
Anhand der Experimente und der numerischen Analysen, die der Erfinder ausgeführt hat, ergibt sich, daß sowohl Querrisse als auch Längsrisse des Halbleiterchips 1 und ein Abschälen des Isolierelements 7 zum Zeitpunkt des Einschiebens wie in Fig. 2 gezeigt verhindert werden können, wenn die Dickendifferenz, die durch Subtrahieren der Dicke b des Abschnitts des Trägerelektrodenkörpers 3, der mit der Wärmeabstrahlungsplatte 4 in Kontakt ist, von der Dicke a des Trägerelektrodenkörpers 3 zwischen der Halbleiterchip-Anbringungsfläche und seiner Rückseite erhalten wird, gleich dem 0,07- bis 0,25-fachen oder wenigstens 0,47-fachen maximalen Außendurchmesser c des Trägerelektrodenkörpers 3 ist.
Fig. 4 zeigt, daß Querrisse des Halbleiterchips 1 wie in Fig. 1 gezeigt verhindert werden können, wenn die Dicken­ differenz, die durch Subtrahieren der Dicke b des Ab­ schnitts des Trägerelektrodenkörpers 3, der mit dem Wärmeverteiler 4 in Kontakt ist, von der Dicke a des Trägerelektrodenkörpers 3 zwischen der Halbleiterchip- Anbringungsfläche und seiner Rückseite erhalten wird, wenigstens gleich dem 0,07-fachen maximalen Außendurchmes­ ser des Trägerelektrodenkörpers 3 ist.
Fig. 5 zeigt, daß ein Abblättern des Halbleiterchips 1 wie in Fig. 2 gezeigt verhindert werden kann, wenn die Dickendifferenz, die durch Subtrahieren der Dicke b des Abschnitts des Trägerelektrodenkörpers 3, der mit dem Wärmeverteiler 4 in Kontakt ist, von der Dicke a des Trägerelektrodenkörpers 3 zwischen der Halbleiterchip- Anbringungsfläche und seiner Rückseite erhalten wird, wenigstens gleich dem 0,07-fachen maximalen Außendurchmes­ ser des Trägerelektrodenkörpers 3 ist.
Fig. 6 zeigt, daß ein Längsriß des Halbleiterchips 1 wie in Fig. 2 gezeigt verhindert werden kann, wenn die Dic­ kendifferenz, die durch Subtrahieren der Dicke b des Abschnitts des Trägerelektrodenkörpers 3, der mit dem Wärmeverteiler 4 in Kontakt ist, von der Dicke a des Trägerelektrodenkörpers 3 zwischen der Halbleiterchip- Anbringungsfläche und seiner Rückseite erhalten wird, nicht größer als der 0,25-fache oder wenigstens der 0,47-fache Durchmesser des maximalen Außendurchmessers c des Trägerelektrodenkörpers 3 ist.
Beide Elektrodenkörper 3 und 6 sind im allgemeinen aus einem kupferartigen Metall mit hoher elektrischer und hoher thermischer Leitfähigkeit hergestellt. Ein alumini­ umartiges Metall, das ein geringes Gewicht und eine hohe thermische Leitfähigkeit besitzt, oder ein eisenartiges Metall mit einem geringeren linearen Ausdehnungskoeffizi­ enten als Kupfer oder Aluminium können ebenfalls verwen­ det werden. Das Material beider Elektrodenkörper 3 und 6 muß so beschaffen sein, daß es elektrisch und thermisch gut leitet und in den Wärmeverteiler 4 geschoben werden kann.
Eine (nicht gezeigte) Rändelung, die eine große Anzahl sehr kleiner Stege in axialer Richtung umfaßt, ist an der äußeren Umfangsfläche des mit dem Wärmeverteiler 4 in Kontakt befindlichen Abschnitts des Trägerelektrodenkör­ pers 3 ausgebildet. Andererseits ist in den Wärmevertei­ ler 4 eine runde Paßbohrung mit einem Innendurchmesser, der etwas kleiner als der Außendurchmesser des Träger­ elektrodenkörpers 3 ist, gebohrt, um den Trägerelektro­ denkörper 3 zu unterstützen und zu befestigen, wobei der Trägerelektrodenkörper 3 in diese Befestigungsbohrung geschoben und in ihr befestigt wird. Die Rändelung ist dazu vorgesehen, die Einschub- und Befestigungswirkung zu erhöhen.
Die Kontaktierungselemente 2 und 5 zum elektrischen Kontaktieren des Halbleiterchips 1 und der beiden Elek­ trodenkörper 3 und 6 verwenden ein Lötmittel des Pb-Sn-Typs mit einem Schmelzpunkt von ungefähr 300°C, außerdem haben sie die Aufgabe einer mechanischen Kontaktierung. Lötmittel mit anderen Zusammensetzungen oder elektrisch leitende Harze können problemlos verwendet werden, so­ lange sie thermisch und elektrisch leitend sind und den Halbleiterchip 1 bei einer Temperatur, bei der seine Funktion nicht beeinträchtigt wird, kontaktieren können und die Kontaktierung zwischen beiden Elektrodenkörpern 3 und 6 und dem Halbleiterchip 1 während der gesamten Nutzungsdauer sicherstellen können. Beispielsweise können Lötmittel des Sn-Ag-Typs, des Sn-Zn-Typs und des Au-Sn-Typs verwendet werden.
Für den Wärmeverteiler 4, der den Trägerelektrodenkörper 3 unterstützt und befestigt, werden im allgemeinen kup­ ferartige Metalle und aluminiumartige Metalle mit ausge­ zeichneter Wärmeleitungseigenschaft verwendet. Da der Trägerelektrodenkörper 3 in den Wärmeverteiler 4 gescho­ ben wird, ist zweckmäßig die Vickers-Härte des Materials des Wärmeverteilers 4 geringer als die Vickers-Härte des Materials des Trägerelektrodenkörpers 3. Da in diesem Fall die Verformung des Wärmeverteilers 4 groß ist und die Verformung des Trägerelektrodenkörpers 3 begrenzt werden kann, können ein Bruch des Halbleiterchips 1 und ein Abschälen des Isolierelements 7, die sich aus einer Verformung des Trägerelektrodenkörpers 3 ergeben, verhin­ dert werden. Beispielsweise ist es ratsam, eine Alumini­ umlegierung für den Wärmeverteiler 4 und eine Kupferle­ gierung für den Trägerelektrodenkörper 3 zu verwenden.
Wie oben beschrieben worden ist, wird der Trägerelektro­ denkörper 3 mit dem Halbleiterchip 1 im allgemeinen mittels Löten kontaktiert. In diesem Lötprozeß wird der Trägerelektrodenkörper 3 ein- bis fünfmal mit Temperatu­ ren von ungefähr 200°C bis ungefähr 400°C beaufschlagt. In einigen der Kupferlegierungen, etwa sauerstofffreiem Kupfer, tritt bei dieser Temperaturbeaufschlagung ein Glühen auf, so daß die Vickers-Härte abfällt. Anderer­ seits nimmt der Wärmeverteiler 4 im allgemeinen keine thermische Beanspruchung auf, die ein Glühen hervorruft. Wenn daher dieselbe Kupferlegierung für den Trägerelek­ trodenkörper 3 und für den Wärmeverteiler 4 verwendet würde, würde in einigen Fällen die Vickers-Härte im Wärmeverteiler 4, der nicht diese thermische Belastung erfährt, größer. In diesem Fall würde der Trägerelektro­ denkörper 3 zum Zeitpunkt des Einschiebens eine große Verformung erfahren, so daß ein Bruch des Halbleiterchips 1 und ein Abschälen zwischen dem Isolierelement 7 und dem Trägerelektrodenkörper 3 mit großer Wahrscheinlichkeit aufträte.
Ein Bruch des Halbleiterchips 1 und ein Abschälen des Isolierelements 7, die sich aus der Verformung des Trä­ gerelektrodenkörpers 3 ergeben, können verhindert werden, falls die Vickers-Härte des Trägerelektrodenkörpers 3 größer als die Vickers-Härte des Wärmeverteilers 4 zum Zeitpunkt des Einschiebens ist, nachdem die Beanspruchung mit der Löttemperatur ausgeübt worden ist. Es ist daher wünschenswert, für den Trägerelektrodenkörper 3 jene Materialien zu verwenden, die nicht zu einem Abfall der Vickers-Härte führen, selbst wenn sie mit der Löttempera­ tur beaufschlagt werden. Im Fall der Kupferlegierungen umfassen zweckmäßige Beispiele Zirkon-Kupfer, zinnhalti­ ges Kupfer, silberhaltiges Kupfer oder chromhaltiges Kupfer.
Die Vickers-Härte wird in Übereinstimmung mit der JIS B7725-Norm gemessen. Die JIS B7725-Norm definiert die Vickers-Härte folgendermaßen.
In einer Testoberfläche wird durch ein Einschubelement in Form einer quadratischen Pyramide (Diamant) mit einem Diagonalwinkel von 136° eine Eintiefung ausgebildet, wobei die Vickers-Härte anhand der Testbeanspruchung und des durch die Länge der diagonalen Linie der Eintiefung erhaltenen Oberflächenbereichs in Übereinstimmung mit der folgenden Formel bestimmt:
HV = 0,102 F/S = 0,102 (Fsin(θ/2))/d2 = 0,1891 F/d2
wobei
F Testkraft (N)
S Oberflächenbereich der Eintiefung (mm2)
D Mittelwert der Länge der Diagonallinie der Eintiefung (mm)
θ Diagonaloberflächenwinkel eines diamantförmigen Einschubelements.
Die Messung des Trägerelektrodenkörpers 3 wird an der Rückseite der Halbleiterchip-Anbringungsfläche ausge­ führt. Der Wärmeverteiler 4 wird innerhalb eines Durch­ messerbereichs gemessen, der größer als der doppelte maximale Außendurchmesser des Trägerelektrodenkörpers 3 ausgehend vom Zentrum der runden Einpaßbohrung ist. Falls der Meßabschnitt plattiert ist, wird die Vickers-Härte nach der Entfernung der Plattierung etwa mittels Schlei­ fen gemessen.
Das Isolierelement 7 wird verwendet, um den Kontaktie­ rungsabschnitt zwischen beiden Elektroden 3, 6 und dem Halbleiterchip 1 zu isolieren und zu versiegeln. Die Ergebnisse der Experimente und numerische Analysen bezüg­ lich des Einflusses des Young-Moduls des Isolierelements 7 und seines linearen Ausdehnungskoeffizienten auf die thermische Dauerhaltbarkeit der Halbleitervorrichtung, die vom Erfinder ausgeführt wurden, haben ergeben, daß der zulässige Mindestwert der thermischen Dauerhaltbar­ keit überschritten werden kann, wenn der Young-Modul des Isolierelements 7 innerhalb des Betriebstemperaturbe­ reichs wenigstens 5 GPa beträgt und wenn der lineare Ausdehnungskoeffizient innerhalb des Betriebstemperatur­ bereichs im Bereich von 5 bis 50 ppm/°C liegt.
Fig. 7 zeigt die Beziehung zwischen dem Young-Modul des Isolierelements 7 und der thermischen Dauerhaltbarkeit der Halbleitervorrichtung, während Fig. 8 die Beziehung zwischen dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des Iso­ lierelements und der thermischen Dauerhaltbarkeit der Halbleitervorrichtung zeigt. Der lineare Ausdehnungskoef­ fizient des Halbleiterchips 1 beträgt ungefähr 3 ppm/°C, während derjenige der Kupferlegierung, die im allgemeinen für den Trägerelektrodenkörper 3 und für den Anschluß­ elektrodenkörper 6 verwendet wird, ungefähr 17 ppm/°C beträgt. Wenn daher auf die Halbleitervorrichtung irgend­ welche Temperaturschwankungen ausgeübt werden, die sich aus dem exothermen Verhalten des Halbleiterchips und aus der Umgebungstemperatur ergeben, treten wiederholt Bean­ spruchungen in den Kontaktierungselementen 2 und 5, mit denen der Halbleiterchip 1 und beide Elektrodenkörper 3 und 6 kontaktiert sind, auf, ferner treten eventuell in den Kontaktierungselementen 2 und 5 Ermüdungsdefekte auf. Diese Ermüdungsdefekte bestimmen in den meisten Fällen die Produktlebensdauer der Halbleitervorrichtung. Falls der Young-Modul des Isolierelements 7 und sein linearer Ausdehnungskoeffizient innerhalb der obenbeschriebenen Bereiche der numerischen Werte liegen, hat das Isolier­ element 7 die Funktion, die thermische Ausdehnung des Halbleiterchips 1 in die Nähe derjenigen der beiden Elektrodenkörper 3 und 5 zu bringen. Das Isolierelement 7 hat außerdem die Funktion, die Beanspruchungskonzentra­ tion zwischen dem Halbleiterchip 1 und den Kontaktie­ rungsendabschnitten der Kontaktierungselemente 2 und 5 beider Elektrodenkörper 3 und 6 zu reduzieren. Aufgrund dieser Wirkungen kann die in den Kontaktierungselementen 2 und 5 auftretende Beanspruchung reduziert werden, ferner kann die thermische Dauerhaltbärkeit der Halblei­ tervorrichtung über die zulässigen Mindestwerte hinaus verbessert werden.
Für dieses Isolierelement 7 wird im allgemeinen ein Epoxidharz verwendet, das durch ein Spritzpreßverfahren in den kreisförmigen Kegelstumpf mit der in Fig. 1 ge­ zeigten Querschnittsform gegossen wird. Dieser Gußvorgang kann auch durch Vergießen ausgeführt werden. Bei diesen Gießverfahren werden manchmal im Isolierelement 7 kleine Hohlräume gebildet, die Wirkung in bezug auf die Verbes­ serung der thermischen Dauerhaltbarkeit bleibt jedoch unverändert. Wenn die thermische Dauerhaltbarkeit nicht lang zu sein braucht, kann für das Isolierelement 7 insbesondere ein Silikongummi oder dergleichen verwendet werden.
Es besteht die Möglichkeit, daß die Kontaktierungsfestig­ keit zwischen dem Isolierelement 7 und dem Trägerelektro­ denkörper 3 im Verlauf der Verwendung über eine ausge­ dehnte Periode abfällt und das Isolierelement 7 vom Trägerelektrodenkörper 3 beabstandet wird. Insbesondere deswegen, weil das Epoxidharz nicht frei von einem Abfall der Kontaktierungsfestigkeit aufgrund der Verschlechte­ rung des Harzes selbst und aufgrund einer Feuchtigkeits­ absorption ist, muß eine Einrichtung vorgesehen werden, die ein Abfallen des Isolierelements 7 vom Trägerelektro­ denkörper 3 verhindert.
In dieser Ausführung wird für die Verhinderung des Abfal­ lens des Isolierelements 7 vom Trägerelektrodenkörper 3 eine zylindrische Seitenwand 3a an der Halbleiterchip- Anbringungsfläche des Trägerelektrodenkörpers 3 verwendet und wird der Innendurchmesser e des unteren Teils der Seitenwand, die den Trägerelektrodenkörper 3 fortsetzt, auf einen Durchmesser gesetzt, der größer als der Innen­ durchmesser f im oberen Teil der Seitenwand ist. Aus einem ähnlichen Grund wird in dieser Ausführung ein Vorsprung 6c in einem Teil eines Anschlusses 6b ausgebil­ det, der sich vom oberen Abschnitt 6a des Anschlußelek­ trodenträgers 6 in der Weise nach oben erstreckt, daß er mit dem Isolierelement 7 entweder teilweise oder voll­ ständig in Kontakt gelangt.
Die Seitenfläche des Halbleiterchips 1 ist zweckmäßig durch ein Isolier-/Versiegelungsmaterial versiegelt, damit bin den Halbleiterchip 1 keine Feuchtigkeit ein­ tritt, obwohl dieses Isolier-/Versiegelungsmaterial in der Zeichnung nicht dargestellt ist. Ein Polyimid-Harz mit hoher Wärmebeständigkeit und hoher Versiegelungsfä­ higkeit bildet ein Beispiel des Isolier-/Versie­ gelungsmaterials.
[Zweite Ausführung]
Fig. 9 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrich­ tung gemäß einer zweiten Ausführung der Erfindung. In dem Trägerelektrodenkörper 3 ist zwischen dem kreisförmig zylindrischen Abschnitt oder dem kreisförmig kegel­ stumpfförmigen Abschnitt auf Seiten der Halbleiterchip- Anbringungsoberfläche und dem Abschnitt, der mit der Wärmeabstrahlungsplatte 4 in Kontakt ist, ein in Umfangs­ richtung verlaufender Graben definiert.
Bei dieser Konstruktion wird die Kraft, die vom Kontakt­ abschnitt übertragen wird und mit dem Wärmeverteiler 4 zum Zeitpunkt des Einschubvorgangs in Kontakt gelangt, durch den dünnen Zwischenabschnitt unterbrochen. Folglich kann die auf den Halbleiterchip ausgeübte Kraft drastisch reduziert werden.
[Dritte Ausführung]
Fig. 10 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrich­ tung gemäß einer dritten Ausführung der Erfindung. Das Isolierelement 7 bedeckt die Oberseite 6a des Anschluß­ elektrodenkörpers 6, es muß jedoch nicht mit der gesamten Seitenwand 3a des Trägerelektrodenkörpers 3 in Kontakt sein. Wenn das Isolierelement 7 durch Vergießen herge­ stellt wird, kann die in Fig. 10 gezeigte Form einfacher als die in Fig. 1 gezeigte Form hergestellt werden. Die Wirkung der Verbesserung der thermischen Dauerhaltbarkeit der Kontaktierungselemente 2 und 5 bleibt selbst bei einer solchen Form unverändert.
[Vierte Ausführung]
Fig. 11 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrich­ tung gemäß einer vierten Ausführung der Erfindung. Das Isolierelement 7 kann die Außenseite der Seitenwand 3a des Trägerelektrodenkörpers 3 abdecken. Wenn das Isolier­ element 7 durch Spritzpressen gegossen wird, kann die in Fig. 11 gezeigte Form leichter als die in Fig. 1 gezeigte Form gegossen werden. Die Wirkung der Verbesserung der thermischen Dauerhaltbarkeit der Kontaktierungselemente 2 und 5 bleibt selbst bei einer solchen Form unverändert.
[Fünfte Ausführung]
Fig. 12 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrich­ tung gemäß einer fünften Ausführung der Erfindung. Der Halbleiterchip 1 ist mit der Halbleiterchip-Anbringungs­ platte 8 über ein Kontaktierungselement 5 kontaktiert, ferner sind die Halbleiterchip-Anbringungsplatte 8 und der Trägerelektrodenkörper 3 über das Kontaktierungsele­ ment 9 kontaktiert.
Das Material der Halbleiterchip-Anbringungsplatte 8 besitzt zweckmäßig einen linearen Ausdehnungskoeffizien­ ten, der näher bei dem linearen Ausdehnungskoeffizienten des Halbleiterchips 1 als der lineare Ausdehnungskoeffi­ zient des Trägerelektrodenkörpers 3 liegt. Zweckmäßige Beispiele umfassen Molybdän, ein Kupfer-Invar-Kupfer- Plattierungsmaterial sowie Wolfram- und Eisenlegierungen.
Wenn der Halbleiterchip 1 am Trägerelektrodenkörper 3 über die Halbleiterchip-Anbringungsplatte 8 angebracht ist, kann die Kraft, die vom Trägerelektrodenkörper 3 an den Halbleiterchip 1 zum Zeitpunkt des Einschubvorgangs übertragen wird, reduziert werden. Außerdem kann die Dauerhaltbarkeit des Kontaktierungselements 5 verbessert werden.
[Sechste Ausführung]
Fig. 13 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrich­ tung gemäß einer sechsten Ausführung der Erfindung, wobei außerdem ein Teil einer Stromquellenvorrichtung gezeigt ist.
Die in der ersten Ausführung dargestellte Halbleitervor­ richtung wird in den Wärmeverteiler 4 als Teil einer Stromquellenvorrichtung eingeschoben und daran befestigt, während der Anschlußelektrodenkörper 6 am Anschluß 10, der mit der Stromquellenvorrichtung elektrisch verbunden ist, etwa durch Schweißen befestigt wird.
Der Einschubvorgang wird im allgemeinen dadurch ausge­ führt, daß die Rückseite der Halbleitervorrichtung, die sich auf der der gegenüberliegenden Halbleiterchip-An­ bringungsfläche Seite des Trägerelektrodenkörpers 3 befindet und größer als diese ist, in den Wärmeverteiler 4 geschoben wird. Daher liegt zum Zeitpunkt des Einschub- /Befestigungsvorgangs die der Halbleiterchip-Anbringungs­ fläche gegenüberliegende Rückseite des Trägerelektroden­ körpers 3 im allgemeinen in derselben Ebene wie die Oberfläche des Wärmeverteilers 4 auf der Einschub- Startseite. Es tritt jedoch selbst dann keinerlei Problem auf, wenn sie nicht in derselben Ebene liegt, sofern der Trägerelektrodenkörper 3 am Wärmeverteiler 4 ausreichend befestigt ist und ein Kontaktbereich in dem Maß sicherge­ stellt ist, daß die Wärmeabstrahlungsleistung kein Pro­ blem macht.
Um die Kraft, die auf den Halbleiterchip 1 ausgeübt wird, auf einen minimalen Wert zu reduzieren, ist die Dicke des Abschnitts mit maximalem Außendurchmesser zweckmäßig im wesentlichen gleich der Tiefe der Einpaßbohrung, die im Wärmeverteiler 4 definiert ist. Es tritt jedoch auch dann kein praktisches Problem auf, wenn die Dicke des Ab­ schnitts mit maximalem Außendurchmesser des Trägerelek­ trodenkörpers 3 kleiner oder größer als die Tiefe der Einpaßbohrung ist, sofern der Trägerelektrodenkörper 3 am Wärmeverteiler ausreichend befestigt ist und ein Kontakt­ bereich in dem Maß sichergestellt ist, daß die Wärmeab­ strahlungsleistung kein Problem macht.
In einigen Fällen bewirkt der Anschluß 10 zwingend, daß der Anschlußelektrodenkörper 6 in Abhängigkeit von einer Änderung der Umgebungstemperatur einer Verformung unter­ worfen wird. Die Beschädigung, die das Isolierelement 7 und das Kontaktierungselement 2 erfahren, ist jedoch gering, da eine derartige Verformung durch eine Biegever­ formung des Anschlusses 6b des Anschlußelektrodenkörpers 6 absorbiert wird.
Die Stromquellenvorrichtung kann durch ein einfaches Einschubverfahren unter Verwendung der Halbleitervorrich­ tung gemäß der Erfindung, die typischerweise wie in dieser Ausführung ausgebildet ist, zusammengefügt werden. Daher kann eine Stromquellenvorrichtung mit hoher Zuver­ lässigkeit bei geringen Herstellungskosten erhalten werden.
[Siebte Ausführung]
Fig. 14 ist eine Schnittansicht einer Halbleitervorrich­ tung gemäß einer siebten Ausführung der Erfindung, ferner ist ein Teil einer Stromquellenvorrichtung gezeigt.
Die Halbleitervorrichtung gemäß der zweiten Ausführung wird in den Wärmeverteiler 4 als Teil einer Stromquellen­ vorrichtung eingeschoben und daran befestigt und ferner am Anschluß 10, der mit der Stromquellenvorrichtung elektrisch verbunden ist, etwa durch Schweißen befestigt. Da die Differenz zwischen dem maximalen Außendurchmesser des Trägerelektrodenkörpers 3, der einen Kontakt mit dem Wärmeverteiler 4 hält, und dem Außendurchmesser des Abschnitts direkt über dem ersteren groß ist, kann die vom Wärmeverteiler 4 ausgeübte Kraft stärker absorbiert werden.
Die Stromquellenvorrichtung kann durch ein einfaches Einschubverfahren unter Verwendung der Halbleitervorrich­ tung gemäß der Erfindung, die gemäß dieser Ausführung ausgebildet ist, zusammengefügt werden. Daher kann eine Stromquellenvorrichtung mit hoher Zuverlässigkeit bei geringen Herstellungskosten erhalten werden.
Die Halbleitervorrichtung gemäß der Erfindung kann auf einen weiten Bereich von Anwendungen, beispielsweise auf die elektrische Anlage von Kraftfahrzeugen, angewendet werden.

Claims (14)

1. Halbleitervorrichtung, mit
einem Halbleiterchip (1),
einem Trägerelektrodenkörper (3), der mit einem der Endabschnitte des Halbleiterchips (1) über ein erstes Kontaktierungselement (2) kontaktiert ist und längs seines äußeren Umfangs mit einem Wärmeverteiler-Befesti­ gungsabschnitt versehen ist, um einen Wärmeverteiler (4) zu tragen und zu befestigen,
einem Anschlußelektrodenkörper (6), der mit dem anderen Endabschnitt des Halbleiterchips (1) über ein zweites Kontaktierungselement (5) kontaktiert ist, und
einem Isolier-/Versiegelungselement (7), das an dem Kontaktierungsabschnitt zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem Trägerelektrodenkörper (3) und an dem Kontak­ tierungsabschnitt zwischen dem Halbleiterchip (1) und dem Anschlußelektrodenträger (6) angeordnet ist,
dadurch gekennzeichnet, daß
am Trägerelektrodenkörper (3) ein erster Ab­ schnitt ausgebildet ist, dessen Außendurchmesser von demjenigen des Wärmeverteiler-Befestigungsabschnitts verschieden ist.
2. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der Außendurchmesser (d) des ersten Abschnitts nicht größer als der 0,95-fache Außendurchmesser (c) des Wärmeverteiler-Befestigungsabschnitts ist.
3. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
an der Halbleiterchip-Anbringungsfläche des Trägerelektrodenkörpers (3) eine zylindrische Seitenwand (3a) ausgebildet ist, und
der Innendurchmesser (f) der Seitenwand (3a) auf der vom Trägerelektrodenkörper (3) entfernten Seite kleiner als der Innendurchmesser (e) der Seitenwand (3a) am Trägerelektrodenkörper (3) ist.
4. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke, die durch Subtrahieren der Dicke (b) des Abschnitts des Trägerelektrodenkörpers (3), der mit dem Wärmeverteiler (4) in Kontakt ist, von der Dicke (a) des Trägerelektrodenkörpers (3) zwischen der Halbleiter­ chip-Anbringungsfläche und seiner Rückseite erhalten wird, entweder gleich dem 0,07- bis 0,25-fachen oder wenigstens gleich dem 0,47-fachen maximalen Außendurchmes­ ser (c) des Trägerelektrodenkörpers (3) ist.
5. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
im Trägerelektrodenkörper (3) zwischen dem Wärme­ verteiler-Befestigungsabschnitt und dem ersten Abschnitt ein zweiter Abschnitt definiert ist und
der Außendurchmesser des zweiten Abschnitts kleiner als der Außendurchmesser (c) des Wärmeverteiler- Befestigungsabschnitts und kleiner als der Außendurchmes­ ser (d) des ersten Abschnitts ist.
6. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Halbleiterchip (1) und den Träger­ elektrodenkörper (3) ein blattförmiges Element (8) einge­ fügt ist.
7. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
am Trägerelektrodenkörper (3) an der Halbleiter­ chip-Anbringungsfläche eine zylindrische Seitenwand (3a) ausgebildet ist und
der Innendurchmesser der Seitenwand (3a) auf der vom Trägerelektrodenkörper (3) entfernten Seite kleiner als der Innendurchmesser der Seitenwand (3a) am Träger­ elektrodenkörper (3) ist.
8. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß die Dicke, die durch Subtrahieren der Dicke (b) des Abschnitts des Trägerelektrodenkörpers (3), der mit dem Wärmeverteiler (4) in Kontakt ist, von der Dicke (a) des Trägerelektrodenkörpers (3) zwischen der Halbleiter­ chip-Anbringungsfläche und seiner Rückseite erhalten wird, entweder gleich dem 0,07- bis 0,25-fachen oder wenigstens gleich dem 0,47-fachen maximalen Außendurchmes­ ser (c) des Trägerelektrodenkörpers (3) ist.
9. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß
am Trägerelektrodenkörper (3) zwischen dem Wärme­ verteiler-Befestigungsabschnitt und dem ersten Abschnitt ein zweiter Abschnitt ausgebildet ist und
der Außendurchmesser des zweiten Abschnitts kleiner als der Außendurchmesser (c) des Wärmeverteiler- Befestigungsabschnitts und kleiner als der Außendurchmes­ ser (d) des ersten Abschnitts ist.
10. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen den Halbleiterchip (1) und den Träger­ elektrodenkörper (3) ein blattförmiges Element (8) einge­ fügt ist.
11. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß zwischen einem kreisförmig zylindrischen Ab­ schnitt oder einem kreisförmig kegelstumpfförmigen Ab­ schnitt auf der Halbleiterchip-Anbringungsseite des Trägerelektrodenkörpers (3) und dem Kontaktabschnitt des Trägerelektrodenkörpers (3), der mit dem Wärmeverteiler (4) in Kontakt ist, ein in Umfangsrichtung verlaufender Graben ausgebildet ist.
12. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß
der Young-Modul des Isolierelements (1) innerhalb des Betriebstemperaturbereichs wenigstens 5 GPa beträgt und
der lineare Ausdehnungskoeffizient des, Isolier­ elements (7) innerhalb des Betriebstemperaturbereichs in einem Bereich von 5 bis 50 ppm/°C liegt.
13. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Vickers-Härte des Trägerelektrodenkörpers (3) größer als die Vickers-Härte des Wärmeverteilers (4), in den der Trägerelektrodenkörper (3) eingeschoben wird, ist.
14. Halbleitervorrichtung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß für den Trägerelektrodenkörper (3) Zirkon-Kupfer, zinnhaltiges Kupfer, silberhaltiges Kupfer oder chromhal­ tiges Kupfer verwendet wird.
DE19918554A 1998-04-23 1999-04-23 Halbleitervorrichtung Withdrawn DE19918554A1 (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP10113035A JPH11307682A (ja) 1998-04-23 1998-04-23 半導体装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE19918554A1 true DE19918554A1 (de) 1999-11-04

Family

ID=14601836

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DE19918554A Withdrawn DE19918554A1 (de) 1998-04-23 1999-04-23 Halbleitervorrichtung

Country Status (4)

Country Link
US (2) US6331730B1 (de)
JP (1) JPH11307682A (de)
KR (1) KR19990083400A (de)
DE (1) DE19918554A1 (de)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10219762A1 (de) * 2002-05-02 2003-11-13 Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg Vergussgehäuse für elektrische und elektronische Bauelemente, Vorrichtung daraus und Verfahren zum Herstellen
DE10329575A1 (de) * 2003-06-30 2005-01-20 Robert Bosch Gmbh Baueinheit mit einem wannenförmigen Gehäuseteil und mit einem darin befindlichen Vergusswerkstoff
DE10310067B4 (de) * 2002-03-08 2010-12-16 Hitachi, Ltd. Halbleitervorrichtung mit hohlzylindrischer Gehäuseelektrode

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE19830424A1 (de) * 1998-07-08 2000-01-13 Asea Brown Boveri Formteil zur Halterung von Kühlkörpern in einem Spannstapel
JP2002359328A (ja) * 2001-03-29 2002-12-13 Hitachi Ltd 半導体装置
KR100455697B1 (ko) * 2002-02-27 2004-11-06 주식회사 케이이씨 정류 다이오드 패키지
US6717246B2 (en) * 2002-04-16 2004-04-06 Intel Corporation Semiconductor package with integrated conical vapor chamber
DE10242521A1 (de) * 2002-09-12 2004-03-25 Robert Bosch Gmbh Diode
US20040076383A1 (en) * 2002-10-17 2004-04-22 Huei Peng Self-aligned metal base/window cap and methods of aligning a laser diode chip to a window cap for high speed semiconductor laser package
JP4014528B2 (ja) * 2003-03-28 2007-11-28 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュールの製造方法及びヒートスプレッダモジュール
US7009223B1 (en) * 2004-08-31 2006-03-07 Sung Jung Minute Industry Co., Ltd. Rectification chip terminal structure
US7126213B2 (en) * 2004-08-31 2006-10-24 Sung Jung Minute Industry, Co., Ltd Rectification chip terminal structure
JP4378334B2 (ja) * 2005-09-09 2009-12-02 日本碍子株式会社 ヒートスプレッダモジュール及びその製造方法
JP4965187B2 (ja) * 2006-08-09 2012-07-04 株式会社日立製作所 半導体装置
JP4961398B2 (ja) * 2008-06-30 2012-06-27 株式会社日立製作所 半導体装置
JP2009018417A (ja) * 2008-08-22 2009-01-29 Denso Corp 圧入材の圧入方法
US10090259B2 (en) * 2015-12-26 2018-10-02 Intel Corporation Non-rectangular electronic device components
EP4057339A1 (de) * 2021-03-10 2022-09-14 Hitachi Energy Switzerland AG Grundplatte mit seitenwand, leistungshalbleitermodul mit der grundplatte und verfahren zur herstellung der grundplatte
CN115118053B (zh) * 2022-08-28 2022-11-04 常州市昊升电机股份有限公司 一种真空泵电机及装配工艺

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL289148A (de) * 1961-08-12
DE1439304B2 (de) * 1963-10-31 1972-02-24 Siemens AG, 1000 Berlin u. 8000 München Halbleiterbauelement
DE2027598A1 (de) * 1970-06-04 1971-12-09 Siemens Ag Halbleiterbauelement mit Kunststoff abdeckung
US3708722A (en) * 1970-12-18 1973-01-02 Erie Technological Prod Inc Semiconductor device with soldered terminals and plastic housing and method of making the same
US3743894A (en) * 1972-06-01 1973-07-03 Motorola Inc Electromigration resistant semiconductor contacts and the method of producing same
US4196775A (en) * 1977-09-19 1980-04-08 The Unites States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Shock-mounted, liquid cooled cold plate assembly
US4349831A (en) * 1979-09-04 1982-09-14 General Electric Company Semiconductor device having glass and metal package
JPS6149448U (de) * 1984-09-03 1986-04-03
FR2665817B1 (fr) * 1990-08-07 1996-08-02 Auxilec Diode a electrode et a boitier assembles sans soudure ni sertissage, et pont redresseur realise avec de telles diodes.
JP2843684B2 (ja) 1990-12-27 1999-01-06 東芝コンポーネンツ株式会社 半導体装置
JP3550243B2 (ja) * 1996-01-30 2004-08-04 株式会社東芝 内部圧接型半導体装置
JPH10215552A (ja) * 1996-08-08 1998-08-11 Denso Corp 交流発電機の整流装置とその製造方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE10310067B4 (de) * 2002-03-08 2010-12-16 Hitachi, Ltd. Halbleitervorrichtung mit hohlzylindrischer Gehäuseelektrode
DE10219762A1 (de) * 2002-05-02 2003-11-13 Vacuumschmelze Gmbh & Co Kg Vergussgehäuse für elektrische und elektronische Bauelemente, Vorrichtung daraus und Verfahren zum Herstellen
DE10329575A1 (de) * 2003-06-30 2005-01-20 Robert Bosch Gmbh Baueinheit mit einem wannenförmigen Gehäuseteil und mit einem darin befindlichen Vergusswerkstoff

Also Published As

Publication number Publication date
US20020011661A1 (en) 2002-01-31
KR19990083400A (ko) 1999-11-25
JPH11307682A (ja) 1999-11-05
US6331730B1 (en) 2001-12-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE19918554A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE10066442B4 (de) Halbleitervorrichtung mit Abstrahlungs-Struktur
DE102009055691B4 (de) Leistungshalbleitermodul
DE112008000229B4 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
EP0712265B1 (de) Baugruppe
EP1566846B1 (de) Optoelektronisches Bauelement
DE102011076886A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
DE10251248A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
EP2791949B1 (de) Elektrisches bauelement und verfahren zur herstellung eines elektrischen bauelements
DE19921109A1 (de) Elektronikbauteil
DE102009032973A1 (de) Leistungshalbleitervorrichtung
EP0149232A2 (de) Halbleiterbauelement mit einem metallischen Sockel
EP0124029A2 (de) Ein elektrisches Bauteil tragendes, gut kühlbares Schaltungsmodul
DE2813968A1 (de) Halbleiteranordnung mit kontaktwarzen-anschluessen
CH665912A5 (de) Kupplung fuer eine lichtleitfaser.
DE10261436A1 (de) Halbleitergehäuse mit einem oxidationsfreien Kupferdraht
DE112017007982B4 (de) Leistungs-Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren einer Leistungs-Halbleitervorrichtung
EP1196747B1 (de) Vorrichtung zur hochtemperaturerfassung und verfahren zur herstellung derselben
DE2632154C2 (de) Kombinierte Trag- und Wärmeabstrahlplatte für ein angelötetes Halbleiterbauelement
DE10065495C2 (de) Leistungshalbleitermodul
DE10204438A1 (de) Halbleitervorrichtung
DE102006025661B4 (de) Kontaktklemme zum Anschließen eines Litzenleiters an einen relativ dünnen Anschlussstift
DE4423561A1 (de) Oberflächenmontage-Elektronikbauteil mit Schmelzsicherung
DE69731265T2 (de) Struktur einer elektronischen Vorrichtung
DE19843471A1 (de) Druckerkennungsvorrichtung

Legal Events

Date Code Title Description
OP8 Request for examination as to paragraph 44 patent law
8139 Disposal/non-payment of the annual fee