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Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen Bei der Herstellung
von Silizium- oder Germaniumkristallgleichrichtern nach dem Legierungsverfahren
kann man zwei Verfahrensabschnitte unterscheiden. In einem ersten Verfahrensabschnitt
wird mit Hilfe eines aus einem Silizium- oder Germaniumeinkristall geschnittenen
Plättchens und geeigneten Kontaktelektroden das eigentliche Gleichrichterelement,
im folgenden auch Gleichrichtertablette genannt, hergestellt. Dieser Verfahrensabschnitt
wird regelmäßig durch einen Ätzprozeß abgeschlossen, bei dem die Oberfläche des
Kristalls in der Nähe des pn-überganges von Verunreinigungen gesäubert werden muß.
Dies ist deshalb notwendig, weil an diesem pn-Übergang später in Sperrichtung eine
von Ladungsträgern entblößte Raumladungszone entsteht, innerhalb der eine sehr große
Feldstärke bis etwa 105 V/cm herrscht. Ist die Oberfläche des Kristalls an dieser
Stelle auch nur geringfügig verunreinigt, so treten hierdurch erhebliche Veränderungen
im Verlauf der Feldstärke auf, wobei außerdem der Sperrstrom des Gleichrichters
ansteigt. Die Gleichrichtertablette muß demnach nach Durchführung des Atzprozesses
sehr sorgfältig behandelt werden, um das Adsorbieren irgendwelcher Fremdstoffe,
z. B. Lötdämpfe, Flußmittel, Feuchtigkeit usw., zu vermeiden. Aus diesem Grunde
tragen einige Gleichrichterhersteller nach dem Ätzprozeß einen Silikonlack auf die
Gleichrichtertablette auf, wobei die später zu lötenden Stellen frei gelassen werden.
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An diesen ersten Abschnitt des Herstellungsverfahrens schließt sich
ein zweiter an, bei dem die Gleichrichtertablette in das Gehäuse eingebaut und mit
dem zweiten Leitungsanschluß versehen wird. Bei einer mit Hartmetallelektroden (Wolfram,
Molybdän, Tautal) versehenen Gleichrichtertablette werden diese Elektroden auf der
dem Halbleiter abgewandten Seite zweckmäßig schon vor ihrer Verbindung mit dem Halbleitereinkristall
mit einem überzug aus Nickel oder einer geeigneten Metall-Legierung versehen, der
eine gute Lötfähigkeit aufweist. Das Einlöten der Gleichrichtertablette in das Gehäuse
bzw. das Anlöten der zweiten Stromzuleitung erfolgt dann mittels eines Zinn oder
auch Blei enthaltenden Weichlotes bei etwa 400° C.
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Es ist auch bekannt, die Halbleitertablette mit Bleielektroden zu
versehen, die dann ihrerseits mit dem Gehäuse bzw. der zweiten Stromzuführung durch
Weichlöten leitend verbunden werden.
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Weiterhin soll auch die Oberfläche der Gleichrichtertablette durch
Lötdämpfe usw. nicht verunreinigt werden. Wichtig ist bei dieser Kapselung des Gleichrichters,
daß die Gleichrichtertablette keinen zu hohen Temperaturen mehr ausgesetzt wird
(nicht über etwa 230° C), da bei höheren Temperaturen an der Oberfläche des Gleichrichters
Reaktionen auftreten, die das Sperrverhältnis ungünstig beeinflussen.
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Nach dem Einlöten der Gleichrichtertablette in das Gehäuse und dem
Anlöten des zweiten Stromanschlusses wird das Gleichrichtergehäuse evakuiert und
mit einem Schutzgas, meist Stickstoff, gefüllt und anschließend vakuumdicht verschlossen.
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In allen Fällen sind mit diesem Einlöten der Gleichrichtertablette
in das Gehäuse erhebliche Schwierigkeiten verbunden. Treten zu hohe Temperaturen
auf, so werden die Eigenschaften der Gleichrichtertablette verschlechtert. Bei geringeren
Temperaturen besteht die Gefahr, daß nur ein unvollkommener Kontakt hergestellt
wird, der schon nach kurzer Betriebsdauer des Gleichrichters unzureichend wird.
Durch Verwendung von Flußmitteln beim Löten kann zwar ein besserer Kontakt erzielt
werden, der Gleichrichter muß jedoch dann wieder geätzt werden, wobei auch das Gehäuse
mit in die Ätzflüssigkeit eingetaucht werden muß.
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Wegen dieser erheblichen Schwierigkeiten bei der Kapselung solcher
Kristallgleichrichter wird hauptsächlich in der amerikanischen Literatur vorgeschlagen,
die Gleichrichtertablette gleich während des Legierungsprozesses in das Gehäuse
fest einzulegieren. Zur Verbindung der Hartmetallelektrode, insbesondere einer Molybdänelektrode
und dem Kupfergehäuse werden silberhaltige Hartlote vorgeschlagen. Durch eine solche
Hartlötung wird erreicht, daß der
Gleichrichter auch bei sehr häufigem
Temperaturwechsel keine Ermüdung des Lotes zeigt. Doch sind auch mit diesem Verfahren
noch eine Reihe von Nachteilen verbunden.
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Durch die im Vergleich zu der Gleichrichtertablette wesentlich größeren
Abmessungen des Gehäusegrundkörpers werden für die Durchführung des Legierungsverfahrens
erhebliche Ofenflächen benötigt, so daß die Ofenkapazität wesentlich verringert
wird. Außerdem benötigen diese Ofen wegen der großen aufzuheizenden Kupfermassen
eine längere Anheizdauer. Nach Durchführung des Legierungsprozesses müssen die Gleichrichter
einer Ätzbehandlung unterworfen werden, wobei die nicht zu ätzenden Oberflächen
in der Regel durch einen Goldüberzug abgedeckt werden. Für diese Abdeckung ist eine
erhebliche Goldmenge notwendig, außerdem ist es schwierig, nach dem Ätzen die Säurereste
aus den Gewindeteilen des Gehäusegrundkörpers herauszubekommen. Ein weiterer Nachteil
dieses Herstellungsverfahrens besteht darin, daß, falls bei der Nachmessung die
Gleichrichtertablette den geforderten Bedingungen nicht genügt, der ganze Gleichrichter
einschließlich dem Gehäuse verworfen werden muß.
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Ein weiterer bekannter Vorschlag zum Befestigen von Halbleiteranordnungen
auf einem gut wärmeleitenden Träger besteht darin, den Halbleiterkörper mit einem
vorzugsweise vergoldeten Molybdänteil zu verlöten und dieses Molybdänteil in einen
aus Kupfer bestehenden und mit einer Bohrung versehenen Träger durch eine Schrumpfverbindung
zu befestigen. Der Molybdänblock wird hierdurch zwar zunächst in dem Kupferblock
fest gehaltert, die Verbindung lockert sich jedoch im Laufe der Zeit nach einer
größeren Anzahl von Temperaturwechseln, wodurch im Betriebszustand der Anordnung,
bei höherer Temperatur, ein einwandfreier Strom- und Wärmeübergang nicht mehr vorhanden
ist.
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Nach dem vorliegenden Verfahren wird ebenfalls die Halbleitertablette
wenigstens auf einer Seite auf einem aus Hartmetall bestehenden Träger befestigt
und durch eine Schrumpfverbindung mit einem hohl ausgebildeten weiteren Träger leitend
verbunden. Erfindungsgemäß wird jedoch der Träger aus Hartmetall mit einem Ansatz
aus einem Metall mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten, der gleich oder nahezu
gleich dem des Metalls des weiteren Trägers ist, versehen und die Schrumpfverbindung
zwischen diesem Ansatz und dem weiteren Träger vorgenommen.
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Das vorliegende Verfahren kann auch so abgeändert werden, daß die
Halbleitertablette auf beiden Seiten auf einem aus Hartmetall bestehenden Träger
befestigt und durch Schrumpfverbindungen mit einem hohl ausgebildeten weiteren Träger
und einem Anschlußleiter leitend verbunden wird. Erfindungsgemäß werden dann die
beiden Träger aus Hartmetall mit einem Ansatz aus einem Metall mit einem Wärmeausdehnungskoeffizienten,
der gleich oder nahezu gleich dem des Metalls des weiteren Trägers bzw. dem des
Anschlußleiters ist, versehen, und die Schrumpfverbindungen werden zwischen diesen
Ansätzen und dem weiteren Träger bzw. dem Anschlußleiter vorgenommen.
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Der oder die Träger aus Hartmetall können mit dem Ansatz durch Aufgießen
des entsprechenden Metalls oder durch Befestigen eines Metallstückes mittels Hartlöten
oder mittels des Golddiffusionsverfahrens versehen werden. Durch das vorliegende
Verfahren werden die Nachteile der bekannten Verfahren vermieden. Die vorgeschlagene
Verbindung zwischen dem Träger aus Hartmetall, insbesondere aus Wolfram, Molybdän
oder Tantal, ergibt auch bei sehr häufigem Temperaturwechsel keine Ermüdung und
damit Ablösung. Die vorgenommene Schrumpfverbindung lockert sich hierbei ebenfalls
nicht. Der Schrumpfvorgang kann etwa in der Weise erfolgen, daß das Gehäuse bzw.
der anzubringende Anschlußleiter auf etwa 3001C
erhitzt und auf den entsprechenden
Ansatz der Gleichrichtertablette aufgesteckt wird. Die Tablette erhält hierbei eine
Temperatur von etwa 100° C.
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Eine besonders gute und gut haftende Verbindung zwischen den die Schrumpfverbindung
darstellenden Leiterteilen, insbesondere Kupferteilen, wird dann erhalten, wenn
die mit der Halbleitertablette verbundenen Teile der Schrumpfanordnung oder auch
das Gehäuse und die zweite Stromzuleitung an der Innenfläche vor dem Aufschrumpfen
mit einem Goldüberzug versehen werden. Eine weitere Verbesserung dieser Verbindung,
die ohne Schwierigkeiten auch vakuumdicht ausgeführt werden kann, wird dann erhalten,
wenn diese Schrumpfverbindung nachträglich nach dem Aufschrumpfen noch einer Temperaturbehandlung
unterworfen wird.
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Benutzt man Gleichrichtertabletten, welche mit Hartmetallelektroden-
kontaktiert sind (Wolfram, Molybdän, Tantal), so kann auch ein Weichlöten ganz vermieden
werden. Die Kupferbolzen können z. B. vor Durchführung des Legierungsprozesses auf
die Hartmetallelektroden aufgegossen oder hart aufgelötet werden. Dieses Auflöten
der Kupferbolzen auf die Hartmetallelektroden kann auch gleichzeitig während der
Durchführung des Legierungsprozesses und der Herstellung der pn-Schicht erfolgen.
Auf diese Weise lassen sich Kristallgleichrichter für hohe Leistungen mit hohem
Wirkungsgrad und großer Lebensdauer herstellen.
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Nach einer besonders vorteilhaften Ausgestaltung der Erfindung kann
die Verbindung der Kupferbolzen mit den Hartmetallelektroden auch ohne Durchführung
einer Hart- oder Weichlötung erfolgen, und zwar durch Anwendung des Golddiffusionsverfahrens.
Dieses Verfahren kann beispielsweise so durchgeführt werden, daß auf der dem Gleichrichterkristall
abgewandten Seite der Hartmetallelektrode eine Goldschicht eingebrannt wird, wobei
anschließend die vorteilhaft ebenfalls mit einem Goldüberzug versehenen Kupferbolzen
unter Druck mit den Hartmetallelektroden verbunden und einer geeigneten Wärmebehandlung
unterworfen werden. Hierdurch entsteht eine sehr innige und gut leitende Verbindung
zwischen diesen beiden Elektroden. Der Goldüberzug der Kupferbolzen erweist sich
für die spätere Ätzbehandlung und auch für das spätere Aufschrumpfen von Gehäuse
und zweitem Stromanschluß als äußerst vorteilhaft. Diese Verbindung der Hartmetallelektroden
und den Kupferbolzen kann hierbei vor, während oder auch nach der Herstellung der
Gleichrichtertablette erfolgen.
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An sich kann, bei genau hergestellten Abmessungen des Innen- und Außendurchmessers,
die Schrumpfverbindung mittels eines zylindrischen Bolzens einerseits und einer
zylindrischen Bohrung andererseits vorgenommen werden. Die hierbei wegen der einzuhaltenden
geringen Toleranzen auftretenden Herstellungsschwierigkeiten lassen sich jedoch
auf einfache
Weise dadurch vermeiden, daß die miteinander zu verschrumpfenden
Teile schwach konisch ausgeführt werden. Als günstiger Winkel zwischen der Achse
und der konischen Mantelfläche wird ein Winkel von 15 bis 20° vorgeschlagen.
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Durch das Aufschrumpfen des Kupfergehäuses bzw. des zweiten Leitungsanschlusses
aus Kupfer auf die schwach konischen, mit der Halbleiteranordnung verbundenen Kupferbolzen
kann eine sehr innige und feste Verbindung erzielt werden, die sich auch durch die
bei öfterem Ein- und Ausschalten des Gleichrichters auftretende thermische Beanspruchung
nicht lockert. Diese Verbindung ist nicht mit Sicherheit vakuumdicht. Sind jedoch
eine oder auch beide der konischen Mantelflächen mit einem Goldüberzug versehen,
und wird die Anordnung nach dem Aufschrumpfen noch einer die Halbleiteranordnung
nicht schädigenden Wärmebehandlung unterworfen, so wird diese Verbindung mit Sicherheit
vakuumdicht.
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Zur Erzielung einer vakuumdichten Verbindung der miteinander zu verschrumpfenden
Kupferteile genügte es, die Schrumpfverbindung mit einer im Vergleich zum Durchmesser
der Anordnung geringen Bauhöhe auszuführen. Hierbei können aber Stauungen in der
Wärmeableitung bzw. örtliche Erwärmungen durch den an dieser Stelle verminderten
Leitungsquerschnitt auftreten. Es empfiehlt sich daher, die Höhe dieser Schrumpfverbindung
möglichst groß, vorzugsweise aber größer als 2 zu wählen, wobei r der mittlere Radius
des Kegelstumpfes bzw. der Radius des Zylinders der Schrumpfverbindung ist. In diesem
Falle ist dann die Größe des Leitungsquerschnitts an der Schrumpfnaht gleich dem
Leitungsquerschnitt an den benachbarten Kontaktflächen. Zweckmäßig wird jedoch die
Bauhöhe der Schrumpfnaht erheblich größer als 2-, beispielsweise größer als 2 r
gewählt, wodurch auch jede Gefahr einer örtlichen Erwärmung durch Widerstandserhöhung
bzw. jegliche Wärmestauung an dieser Stelle des Gleichrichters vermieden wird. Die
Vakuumfestigkeit einer solchen relativ langen Schrumpfnaht ist ebenfalls erheblich
größer.
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Durch das nach der Erfindung vorgeschlagene Verfahren für die Kapselung
und Fertigmontage des Gleichrichters wird zwar für jeden Leiteranschluß eine Kontaktstelle
mehr geschaffen, es handelt sich dabei aber um einen idealen Kupferübergang, der
insbesondere, wenn alle Erwärmungen unter Stickstoff erfolgen, keine zusätzlichen
Wärmewiderstände ergibt. Durch Anwendung des Golddiffusionsverfahrens kann der übergangswiderstand
weiterhin erheblich verringert werden, wobei die Kontaktstelle auch vakuumdicht
wird. Die nach der Erfindung vorgeschlagene Schrumpfverbindung kann auch als Ersatz
bisher benutzter Schraubverbindungen dienen, wodurch auch eine Herstellungsverbilligung
erzielbar ist.
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Zu erwähnen ist ferner noch, daß die nach dem vorliegenden Verfahren
hergestellte Schrumpfverbindung sich nicht nur zur Herstellung von Silizium-oder
Germaniumgleichrichtern eignet, sondern auch zur Herstellung von Flächentransistoren,
Fototransistoren, Fotodioden, Zenerdioden od. dgl. Auch können an die Stelle des
Siliziums oder Germaniums AIIIBv-Verbindungen treten.
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Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden
Beschreibung von Ausführungsbeispielen und- aus den Patentansprüchen. In den Zeichnungen
stellt dar Fig. 1 eine zum Einschrumpfen in ein Kupfergehäuse mit einem Kupferbolzen
versehene Gleichrichteranordnung in einer Seitenansicht, Fig. 2 das die Gleichrichteranordnung
gemäß Fig.1 aufnehmende Kupfergehäuse in einem Längsschnitt, Fig.3 eine andere Ausführungsform
einer durch Schrumpfverbindung in ein Gehäuse eingebaute Gleichrichteranordnung,
in einer Seitenansicht und teilweise im Schnitt, Fig. 4 eine zum Aufschrumpfen einer
Stromzuführung vorbereitete Halbleiteranordnung in einer Seitenansicht, Fig. 5 der
der Halbleiteranordnung gemäß Fig. 4 entsprechende Leitungsanschluß teilweise im
Schnitt und Fig. 6 ein mit Kühlrippen versehenes zum unmittelbaren Aufschrumpfen
auf die Gleichrichteranordnung geeignetes Gleichrichtergehäuse in einem Längsschnitt.
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Bei dem in Fig. 1. dargestellten Gleichrichter handelt es sich um
einen zum Einbau in ein Gehäuse vorbereiteten Siliziumgleichrichter. Mit 1 ist eine
Kreisscheibe aus einem Siliziumeinkristall bezeichnet, die an ihrer Unterseite über
eine Aluminiumfolie 2 mit einer Wolframronde 3 verbunden ist. Mit 4 ist eine Gold-Antimon-Schicht
bezeichnet, die zur Dotierung des Siliziumeinkristalls und zur Verbindung mit der
etwas kleineren Wolframronde 5 dient. An die Wolframronde 5 schließt die in der
Figur nicht dargestellte zweite Stromführung an. Das aus den Teilen 1 bis 5 bestehende
Gleichrichterbauteil kann in an sich bekannter Weise hergestellt sein. Zur Verbindung
des Gleichrichterbauteiles 1 bis 5 mit einem Gehäuse wird, wie bereits beschrieben,
die untere Fläche der Wolframronde 3 mit einem schwach konischen Kupferbolzen 6
versehen. Die Verbindung kann beispielsweise über eine vorher auf die Wolframronde
3 aufgebrannte Goldschicht 7 erfolgen, die durch Golddiffusion festhaftend mit dem
Kupferkonus 6 verbunden ist. Vorteilhaft ist auch die übrige Oberfläche des Kupferkonusses
6 schwach vergoldet. Fig. 2 zeigt das zum Einbau des in Fig.1 dargestellten Gleichrichterbauteiles
bestimmte Kupfergehäuse im Längsschnitt. Das zylindrische Gehäuse 8 ist mit einem
Außengewinde 9 zum Einschrauben in ein weiteres, vorzugsweise mit Kühlflächen versehenes
Bauteil versehen und weist am oberen Ende einen Flansch 10 auf, in dessen oberer
Fläche eine Nut 11 zum Aufsetzen einer Gehäusekappe vorgesehen ist. Eine konische
Ausbohrung 12 dient zur Aufnahme des Konus 6 des in Fig. 1 dargestellten Teiles
des Gleichrichters. Über eine Bohrung 13 kann eine Entlüftung des im unteren Teil
verbleibenden Hohlraumes zwischen dem Gehäuse 8,10 und dem Konus 6 erfolgen.
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Das Aufschrumpfen des in Fig. 2 dargestellten Gehäuses auf den in
Fig. 1 dargestellten Teil der Anordnung kann nur sehr einfach dadurch erfolgen,
daß das Gehäuse 8, 10 auf etwa 200 bis 300° C erhitzt und unter Druck auf den Konus
aufgesetzt wird. Anschließend wird das Gehäuse rasch abgekühlt. Soll eine noch innigere
Verbindung der miteinander verschrumpften Teile unter Anwendung einer Goldzwischenschicht
erfolgen, so kann auch das Aufschrumpfen bei einer Temperatur von 450 bis 500° C
erfolgen, wobei unter Ausübung eines mäßigen Druckes diese Temperatur etwa 20 Minuten
lang aufrechterhalten
wird. Durch das Eindiffundieren der Goldschicht
in das Kupfer wird diese Verbindung dann sehr fest und auch vakuumdicht.
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Fig. 3 zeigt ein anderes Ausführungsbeispiel für die Herstellung eines
Siliziumgleichrichters nach dem vorliegenden Verfahren. Das Gleichrichterbauteil1
bis 5 ist hier z. B. ebenfalls über eine Goldschicht 7 mit der oberen, im Durchmesser
kleineren Stirnfläche eines relativ lang gehaltenen Kupferkonus 14 festhaftend und
gut leitend verbunden. Das Gehäuse 15 weist eine entsprechende durchgehende Bohrung
auf. Der mit der Gleichrichteranordnung versehene Kupferbolzen 14 kann hier von
unten her in das bereits vorher mit einer Kappe 16 versehene Gehäuse 15 eingeführt
und in gleicher Weise, wie bereits geschildert, durch Auf- bzw. Einschrumpfen in
diesem befestigt werden. Durch Anwendung des Golddiffusionsverfahrens kann auch
hier die Schrumpfverbindung vakuumdicht ausgeführt werden.
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Die Innenbohrung des Gehäuses 15 und die Außenabmessungen des Bolzen
14 sind so bemessen, daß bei der für das Aufschrumpfen benutzten Temperatur die
Oberkante des Konus 14 etwa mit der Oberkante des Gehäuses 15 bündig liegt. Bei
dem dargestellten Ausführungsbeispiel ist ferner das Gehäuse 15 am unteren Ende
noch etwas länger als der Konus 14 gehalten. In den verbleibenden Hohlraum 17 ist
zur weiteren Sicherung der Vakuumdichtheit ein aus einem hohlen Konus bestehendes
Kupferstück 18 weich eingelötet.
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An sich ist es natürlich möglich, den Anschluß des zweiten oberen
Kontaktes der Gleichrichteranordnung, der im wesentlichen nur der Stromzuführung
und nur beschränkt der Wärmeabführung dient, in bekannter Weise durch eine Weichlötung
vorzunehmen. Diese Verbindung kann aber mit Vorteil ebenfalls durch Aufschrumpfen
hergestellt werden. Ein Ausführungsbeispiel hierzu ist in den Fig. 4 und 5 dargestellt.
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In Fig. 4 stellt 1 wieder den Siliziumeinkristall dar, mit dem über
eine Gold-Antimon-Schicht 4 eine Wolframronde 5 leitend verbunden ist. Mit der Oberseite
der Wolframronde 5 ist beispielsweise über eine Goldschicht 19 oder auf andere Weise
ein schwach konischer Kupferbolzen 20 verbunden. Auch die übrige Oberfläche des
Kupferbolzens 20 kann mit einer Goldschicht geringer Stärke versehen sein.
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Fig. 5 zeigt den dazugehörigen Leitungsanschluß. Mit 21 ist das untere
Ende einer vieldrähtigen Kupferlitze bezeichnet, 22 stellt eine Hülse aus Kupfer
dar, deren oberer Teil mit einer zylindrischen Bohrung 23 und deren unterer Teil
mit einer schwach konischen, in seinen Abmessungen dem Bolzen 20 entsprechenden
Bohrung 24 versehen ist. Das Litzenende 21 kann in der Hülse 22 eingequetscht oder
mit dieser ; auch auf andere Weise verbunden sein. Das Aufschrumpfen der Hülse 22
auf den Bolzen 20 kann hier in analoger Weise durch Erwärmen, Aufsetzen und Abkühlen
erfolgen. Durch Anwendung einer Goldzwischenschicht und durch eine entsprechende
E Wärmebehandlung kann diese Verbindung noch weiterhin verbessert werden.
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Die in den Fig. 2 und 3 dargestellten Gehäusekörper sind mit einem
Gewinde zum Einschrauben in einen vorzugsweise mit Kühlrippen versehenen weiteren
Aufnahmekörper ausgestattet. Eine solche Schraubverbindung ist in der Herstellung
teuer und unter Umständen bei längerer Betriebsdauer des Gleichrichters auch schwer
wieder lösbar. Diese Schraubverbindung kann auch in Fortfall kommen, wenn ein gleich
mit Kühlrippen versehenes Gehäuse für den Gleichrichter benutzt wird, das an Stelle
eines Innengewindes eine konische Bohrung aufweist, in welche die lediglich mit
einem Kupferkonus versehene Gleichrichteranordnung eingeschrumpft wird.
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Fig. 6 zeigt die Ausbildung eines solchen Gehäuses. Der zylindrische
Gehäusekörper 25 weist Kühlrippen 26 auf. Der Flansch 27 am oberen Ende ist mit
einer Nut 28 zum Aufsetzen einer Kappe versehen, in die konische Bohrung 29 kann
nach entsprechender Vorwärmung des Gehäuses die am unteren Ende mit einem entsprechenden
Konus versehene Gleichrichteranordnung eingesetzt werden. Durch eine Bohrung30 wird
auch hier vermieden, daß ein Luftpolster in dem Raum zwischen dem Gehäuse 25 und
dem eingesetzten Bolzen eingeschlossen bleibt.