DE1539092A1 - Halbleiterbauelement - Google Patents

Halbleiterbauelement

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DE1539092A1 DE19651539092 DE1539092A DE1539092A1 DE 1539092 A1 DE1539092 A1 DE 1539092A1 DE 19651539092 DE19651539092 DE 19651539092 DE 1539092 A DE1539092 A DE 1539092A DE 1539092 A1 DE1539092 A1 DE 1539092A1
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Description

WESTINGHOUSE ., München 2,
Electric Corporation
Bast Pittsburgh Wittelsbacherplatz
PA 65/8273 Hab/Hob
Halbleiterbauelement
Die Erfindung bezieht sich auf Halbleitervorrichtungen, insbesondere auf Halbleiterbauelemente, welche verbesserte thermische Eigenschaften besitzen.
An bekannten steuerbaren Gleichrichtern für hohe Spannungen und hohe Ströme und bei Zweielektrodendioden umfaßt der Grundaufbau ein Grundplattenglied, welches gewöhnlich aus einem Metall besteht, welches eine gute thermische Leitfähigkeit hat, wie also z.B. aus Kupfer, Aluminium, Silber oder dergleichen. Eine Molybdänträgerplatte wird gewöhnlich hart an der Grundplatte angelötet, und die Halbleiterplatte wird dann ihrerseits an der Molybdäntragplatte angelötet. Eine Molydäntragplatte wird gewöhnlich angelötet an die obere Fläche der Halbleiterplatte, und die Kathode und die Steuerelektroden werden gewöhnlich an der oberen Fläche der Molybdäntragplatte befestigt. Der größte Anteil der Wärme,
WE ease 3-5 568 Hab/Hob 0 0 9817/060-92 -
welche in einer solchen Vorrichtung erzeugt wird, wird über die Molybdäntragplatten und das Grundplattenglied abgeführt. Die stationären Belastungsgrenzen von Halbleiterbauelementen, wie steuerbaren Gleichrichtern und Zweielektrodendioden, sind bestimmt durch die betriebsmäßige pn-Überganga (junction) -temperatur, welche sich aus den Leistungsverlusten und dem Wärmewiderstand der Vorrichtung ergibt. Eine Steigerung der Wärmeabfuhr ergibt gewöhnlich eine Zunahme des zulässigen Belastungsstromes. Verschiedene Bauformen, bei denen Weichlote benutzt werden, Hartlote oder durch Druck verbundene Vorrichtungen sind in dem Bestreben geschaffen worden, eine relativ schnelle Wärmeabfuhr zu erreichen.
Nach der vorliegenden Erfindung ist gefunden worden, daß durch ein Fortlassen der Molybdäntragplatte, welche oben an dem Grundplattenkörper befestigt ist, der Wärmewideretand des Systeme wenigstens um den Faktor 2 verbessert werden kann. Diese Verbesserung im Wärmewiderstand erlaubt, daß die Strombelastbarkeit der Vorrichtung bedeutend gesteigert wird, ohne die Größe der wirksamen Halbleiter-pn-Übergänge (junctions) zu verändern. Vorrichtungen können mit Gehäusetemperaturen von 10O0C bei einer durchschnittlichen Form von 250 Ampere betrieben werden, was einem thermischen Widerstand entspricht, der viel kleiner ist als 0,100C je Watt für diese besondere Vorrichtung.
Demgemäß ist es ein Ziel dieser Erfindung, eine Halbleitervorrichtung zu schaffen, welche verbesserte Eigenschaften besitzt gegenüber den bekannten Halbleiterbauelementen.
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Ee ist ein weiteres Ziel, ein neues und verbessertes Halbleiterbauelement zu schaffen, welches verbesserte thermische Widerstandseigenschaften besitzt.
Ee ist ein weiteres Ziel, einen verbesserten steuerbaren Gleichrichter für hohe Spannungen und Ströme zu schaffen.
Diese und andere weitere Ziele lassen sich erreichen, indem erfindungsgemäß ein lediglich aus dem Halbleiterkörper mit den dotierten Bereichen und Elektroden an diesen bestehendes Halbleiterelement über einen Kraftspeicher mit seiner durch Läppen plan vor-
bereiteten Elektrodenoberfläche entweder unmittelbar oder über eine duktile Zwischenplatte gegen die durch Läppen plan -vorbereitete Sitzfläche an dem Grundplattenkörper des Halb le it erbaue Iementes angepreßt ist.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand von Ausführungsbeispielen wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen, bei deren Beschreibung sich noch weitere, vorteilhafte in Verbindung mit der grundsätzlichen Erfindung benutzbare Einzelmerkmale ergeben .werden.
Figur 1 ist eine-Seitenansicht im Querschnitt einer Halbleitervorrichtung, welche gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
Figur 2 ist eine Seitenansicht im Querschnitt einer anderen Verkörperung der Halbleitervorrichtung, welche gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
Figur 3 ist eine Seitenansicht im Querschnitt einer noch anderen Halbleitervorrichtung, welche gemäß der Erfindung aufgebaut ist.
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Figur 4 ist eine Seitenansicht im Querschnitt einer vollständigen Zusammenstellung eines steuerbaren Gleichrichters, welcher eine Halbleitervorrichtung derjenigen Type benutzt, welche nach den Figuren 1, 2 oder 3 vorgesehen ist.
In der nachfolgenden Beschreibung bezeichnen in den verschiedenen Figuren der Zeichnung die gleichen Bezugezeichen gleiche Teile.
Es wird nunmehr auf die Zeichnungen im einzelnen Bezug genommen, in denen die Figur 1 eine Verkörperung einer Halbleitervorrichtung veranschaulicht, wie sie nach der Erfindung in Aussicht genommen ist.
Die Halbleitervorrichtung, wie sie in Figur 1 gezeigt ist, umfaßt ein Metallgrundplattenglied 11, auf welchem eine Schicht 10 aus Silber aufplattiert ist. Eine Schicht aus einer Silberfolie 12 ist angrenzend an die plattierte Silberschicht 10 angeordnet. Eine Halbleiterplatte 14 besitzt eine Schicht aus Gold-Bor-Lot oder einer -Legierung 16, welche an der Platte oben auf die Silberfolie 12 aufgeschmolzen ist. Die Gold-Bor-Schicht 16 ist zusammengesetzt aus einer Legierung aus annähernd 99,4 i» Gold, 0,3 % Bor und 0,3 $> Wismut. Dieses Lot verschmilze bei einer Temperatur zwischen 370 und 4000C. Eine Schicht aus einem Gold-Antimon-Lot 18 ist auf der oberen Seite der Halbleiterplatte 14 vorgesehen. Diese Lotschicht 18 besteht aus etwa 99,5 $> Gold und etwa 0,5 $> Antimon. · Dieses Lot verschmilzt bei einer Temperatur von annähernd 3770C. Die Lotschicht 18 dient zur Befestigung des Kathodenkontaktes an der oberen Seite der Halbleiterplatte 14. Ein ohmscher Kontakt für die Befestigung der Tor- und Steuerelektrode auf der oberen
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Seite der Halbleiterplatte 14 vermittels der legierung des Gold-Bor mit dem Silizium ist ebenfalls vorgesehen.
Die Halbleiterplatte 14 kann eine solche der pnp-, npn-, npnp-, pnpn- oder pn-Type sein, und sie kann hergestellt sein durch Diffusion, Legierung und/oder durch einen epitaxialen Aufwachsprozeß oder eine Kombination der erwähnten Prozesse, wie sie an sich bekannt sind.
Wie aus Figur 1 zu entnehmen iet, ist die Platte 14 an ihrem Rand geätzt, wie es durch die geneigten Begrenzungslinien 22 angedeutet ist, die einen Winkel mit der Vertikalen Bilden. Diese Winkeloder Seitenätzung ist der bekannten Nuten- bzw# Grabenätzung überlegen, da sie die Kriechweglänge von dem Boden der Platte zur Ober seite der Platte 14 vergrößert, und diese Vergrößerung in dtr Kriechweglänge setzt das elektrische Feld (Volt je ca) herab, wenn hohe Spannung an den diffundierten pn- oder np-Übergang angelegt ist. Es ist auch gefunden worden, daß diese Seitenätzung die Neigung der Halbleiterplatte reduziert, entlang den Bändern zu brechen, wenn sie geätst wird. Dieeee Brechen entlang den Rändern, wenn sie geätzt werden, wurde als sehr beanstandbar gefunden bei der Nuten- bzw. Grabenätzungsrechnik, wie sie bei bekannten Anordnungen benutzt wurde.
In der Vorrichtung, wie sie in Figur 1 beeohrieben i«t, sind die silberplattierte Schicht 10, die Silberfolie 12 und dee Oold-Bor-Lot 16 in der Zueamntenttellung lediglich durch Druck lueaeeengehalten. Wie im Nachfolgenden unter Bezugnahme auf Figur 4 erläutert werden wird, wird der Druck auf diese Schichten auegeubt, um
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zu verursachen, daß eine selbsttätige oder kalte Verschmelzung bzw. Verbindung zwischen der silberplattierten Schicht 10 der Silberfolie 12 und der Gold-Bor-Lot-Schicht 16 herbeigeführt wird. Es ist gefunden worden, daß Drücke von 70 bis 200 kg/cm ein genügender Druck sind, um eine Selbst- oder Kaltverschmelzung bzw. -verbindung zwischen der Silberplatte 10, der Silberfolie 12 und der Gold-Bor-Lot-Schicht 16 zu erreichen, insbesondere wenn nach der Zusammenstellung auf eine Temperatur größer 1000C erhitzt wird. In der speziellen Veranschaulichung nach Figur 4 wurde ein Druck von 150 kg/cm benutzt.
Se wird darauf hingewiesen, daß in der Baufora, welche in Figur 1 veranschaulicht ist, die Grundplatte 11, aufweicher die Silberplatt ierungββchient 10 niedergeschlagen ist, geläppt werden muß, und zwar so flach bzw· plan als möglich, und daß auch die silberplattierte Schicht 10 so flach bzw. plan als möglich geläppt werden muß. Ee let wichtig, daß diese beiden Oberflächen «o plan sind, als es möglich ist, sie durch Anwendung von guten technischen Verfahren herzuetelltn, denn wenn eine schlecht· Anpassung in der planen Form der beiden aufeinander arbeitenden Flächen vorliegt, so wird das zur Folge haben, daß Spannungen in der Halbleiterplatte erzeugt werden, wenn der Druck auf dl· Zusanuinstt llung ausgeübt wird, welch· Spannung·η denn gu Sims Bruch der Halbleittsrplatt· führen. /
figur 2 «tigt »in· ändert Tt rkörytrung der Irfiaftuaff* In ei teer Verkörperung ist tint Silberschicht 10 au* einer Grundplatt· 11 vorgesehen, wie in dtx» Ytrkttrptruig nach Figur 1, Jedoch itt fcti ditser Verkörperung die SilbtrfoXitntchioht 12 fortgtlasstη worden,
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und die Gold-Bor-Lotschicht 16 i-et in direkter Berührung mit der Silberschicht 10. In allen anderen Beziehungen dieser Verkörperung der Erfindung ist diese dieselbe wie die Verkörperung nach Figur Wenn ein Druck auf die Zusammenstellung ausgeübt wird, so verbinden sich die Silberschicht 10 und die Gold-Bor-Schicht 16. selbsttätig oder auf kaltem Wege, um dann eine gute elektrische und thermische Verbindung zu bilden.
Figur 3 veranschaulicht eine weitere Verkörperung der Erfindung, In dieser Figur 3 iet eine Grundplatte 11 mit einer Silberschicht
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10 in derselben Weise vorbereitet, wie für die Verkörperung nach
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Figur 1. Jedoch wird zunächst eine Aluminiumschicht 24 auf die Halbleiterplatte 14 aufgeschmolzen, und dann wird eine Silberschicht 26 aufgeschmolzen oder aufplattiert auf die Aluminiumschicht 24. Die Oberfläche der Silberschicht 26 wird so plan als möglich geläppt, so daß sie sich so dicht als möglich der äußeren Form der geläppten Oberfläche der Silberschicht 10 anpaßt. Wenn ein Druck auf die Zusammenstellung ausgeübt wird, so wird die Silberplatte selbsttätig oder auf kaltem Wege mit der Silberschicht 10 verbunden und eine gute elektrische und thermische Verbindung zwieeheη der Platte 12 und der Grundplatte 11 schaffen. In allen anderen Hinsichten ist die Verkörperung nach Figur 3 dieselbe wie diejenige Verkörperung, welche nach Figur 1 beschrieben wurde.
Die Figur 4 veranschaulicht, wie Halbleitervorrichtungen nach den Figuren 1, 2 und 3 zusammengestellt werden für einen Aufbau verschiedener Typen von Ausrüstungen oder Apparaten. Die Zusammenstellung nach Figur 4 umfaßt ein Gehäuse 30 für den Einschluß der
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Halbleitervorrichtung und für das Halten der Halbleitervorrichtung in der Zusammenstellung. Das Gehäuse 30 umfaßt ein massives metallisches Glied 32, welches als Wärmesenke wirkt. Das Glied 32 kann aus Kupfer, Messing, Aluminium oder einem anderen geeigneten Metall bestehen, welches gute thermische Leitfähigkeitseigenschaften besitzt. Das Glied 32 ist am unteren Ende mit einem Gewindeteil 34 versehen, welcher für den Einbau der Vorrichtung und außerdem als Anodenanschluß der Haltleiterplatte 14 dient. Das obere Ende des Wärmesenkenteilee 32 hat einen Grundplattenteil und einen Gewindeteil 36 an diesem.Der Grundplattenteil 11 ist an seiner Oberfläche geläppt, und zwar so plan als möglich, wobei die üblichen technischen Verfahren benutzt werden, und hat eine Silberschicht 10, welche auf die geläppte Oberfläche aufplattiert ist. Das Halbleiterelement der Figur 2 wird auf dem Grundplattenteil 11 mit der Silberschicht 10 in Kontakt mit der Gold-Bor-Schicht 16 angeordnet. Ein Kathodenanschluß ist oben an der Halbleiter?latte 14 vorgesehen. Der Kathodenanschlußleiter umfaßt ein hohles Teil 38, an welchem eine Metallscheibe 40 am unteren Ende befestigt ist. Die untere Oberfläche der Metallscheibe 40 ist ebenfalls so plan geläppt,· als es durch die Anwendung guter technischer Verfahren möglich ist. Die geläppte Oberfläche der Metallscheibe 40 ist in Kontakt mit der geläppten oberen Oberfläche der Gold-Antimon-Schicht 18. Eine Torzuleitung 43 erstreckt sich nach abwärts durch den hohlen Teil des Kathodenanschlußleiters 38. Die Torzuleitung 43 ist veLch ' an dem Torkontakt 20 der Halbleiterplatte 14 angelötet. Eine Isolierscheibe 41 ist oben auf der Metallscheibe 40 angeordnet. Eine Metallscheibe 42 ist oben auf der Isolierscheibe 41 angeordnet,.
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und ein Paar von Federscheiben 44 und 46 ist oben auf der Metallscheibe 42 angeordnet, sowie eine andere Metallscheibe 48 ist oben auf der Federscheibe 46 angeordnet. Ein becherförmiger Teil 50 ist danach über den Kathodenanschluß 38 und die Torzuleitung 43 aufgebracht. Das untere Ende des becherförmigen Teiles 50 ist mit Gewinde versehen, um mit den Gewindegängen'des Gewindeteiles 36 des Grundplattenteiles 11 in Eingriff gebracht zu werden. Der becherförmige Teil 50 ist nach unten eingeschraubt an dem Gewindeteil 36 des Grundplattenteiles 11, bis ein geeigneter Druckbetrag auf die Federscheibe 44 und 46 der H albleiterplatte 14 ausgeübt wird, um herbeizuführen, daß die Gold-Bor-Schicht 16 einen guten elektrischen nnd thermischen Kontakt mit der Silberschicht 10 auf dem Grundplattenteil 11 eingeht. Dieser Druck ist auch genügend, um eine Kaltoder Selbstverschmelzung bzw. -verbindung zwischen der Gold-Bor-Schicht 16 und der Silberschicht 10 herbeizuführen. Der Druck, welcher durch die Scheiben 44 und 46 ausgeübt wird, verursacht auch eine Kalt- oder Selbstverschmelzung bzw. -verbindung zwischen der Metallscheibe 40' und der Gold-Antimon-Schicht 18 auf der Halbleiterplatte 14. Es ist gefunden worden, daß Drücke im Bereich von 70 bis 200 kg/cm so ausreichende Selbstverschmelzung bzw. -verbindungen zwischen den verschiedenen Schichten der Vorrichtung ergeben, insbesondere wenn eine nachträgliche Erhitzung der Zusammenstellung auf eine Temperatur von größer 1000C vorgenommen wird. Es wurde in dem speziellen Gerät ein Druck von 150 kg/cm auf die Halbleiterschicht 14, auf die Federn 44 und 46 ausgeübt, und dieser schuf einen guten elektrischen und thermischen Kontakt zwischen den verschiedenen Schichten des Halbleiterbauelementes.
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Dieses Halbleiterbauelement hat sehr gute thermische und elektrische Eigenschaften. Es wird betont, daß die Pederscheiben 44 und 46 einen praktisch konstanten und dauernden Druck auf die Zusammenstellung· ausüben, so daß dadurch gute elektrische und thermische Übergänge zwischen den verschiedenen Schichten der Zusammenstellungen aufrechterhalten werden.
Nachdem der geeignete Druck für die Haibleiterplatte geschaffen worden ist, wird die ganze Vorrichtung in ein hermetisch abgedichtetes Gehäuse eingeschlossen. Das Gehäuse umfaßt einen keramischen Isolator 56, welcher eine untere Armatur 52 und eine obere Armatur 58 besitzt'. Der untere Armaturteil 54 ist mit dem Teil 32, wie bei 54 gezeigt, verschweißt. Ein röhrenförmiger Teil 60 erstreckt sich durch den oberen Armaturteil 58 für die Herstellung einer elektrischen Verbindung zum Kathodenanschlußleiter 38. Der röhrenförmige Teil 60 ist mit dem Kathodenanschlußleiter 38 durch Pressung verbunden. Die Torzuleitung 42 ist abgedichtet durch den oberen Armaturteil mittels des Isolators 62 hindurchgeführt.
Obwohl die Figur 4 die Verkörperung der Erfindung enthält, wie sie in Figur 2 veranschaulicht ist, so ist zu verstehen, daß auch die Verkörperungen, wie sie in den Figuren 1 und 3 enthalten sind, in gleicher Weise benutzt werden können in einer Anordnung, wie sie in Figur 4 veranschaulicht ist.
Es ist zu sehen, daß diese Erfindung eine verbesserte Halbleitervorrichtung schafft, welche zusammengestellt werden kann, ohne die Anwendung von Trag- bzw. Stützplatten für die Halbleiterplatte, wie sie bei bekannten Anordnungen bisher benutht worden eind. Es
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ist auch zu sehen, daß der in der Anmeldung gezeigte und beschriebene Aufbau eine Vorrichtung schafft, welche einen guten thermischen Widerstand besitzt, insbesondere für gesteuerte Gleichrichteranordnungen für hohe Spannungen und hohe Ströme. Die durch die Erfindung geschaffene Vorrichtung verhütet die Entstehung von Spannungen in der Halbleiterplatte 14, wenn auf die Zusammenstellung ein Druck ausgeübt wird, um die Einzelelemente der Vorrichtung zusammenzuhalten. Wie aus der vorausgehenden Beschreibung zu ersehen ist, werden keine Hartlötungsarbeitsverfahren benutzt, um die Vorrichtung zusammenzuhalten. Folglich wird die Halbleiteranordnung nicht durch einen Wärmezyklus beeinflußt, wenn sie zusammengestellt werden soll.
Wenn auch die Erfindung unter Bezugnahme auf mehrere einzelne. Verkörperungen und Ausführungsbeispiele beschrieben worden ist, so iet doch zu verstehen, daß Abwandlungen, ein Austausch und ähnliches an dieser vorgenommen werden können, ohne vom Grundgedanken der Erfindung abzuweichen.
4Figuren
14 Ansprüche
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Claims (14)

Patentansprüche
1. Halbleiterbauelement mit verbesserter Wärmeabfuhr, dadurch gekennzeichnet, daß ein lediglich aus dem Halbleiterkörper mit den dotierten Bereichen und Elektroden an diesen bestehendes Halbleiterelement über einen Kraftspeicher mit seiner durch Läppen plan vorbereiteten Elektrodenoberfläche entweder unmittelbar oder über eine duktile Zwischenplatte gegen die durch Läppen plan vorberei-
tete Sitzfläche an dem Grundplattenkörper des Halbleiterbauelementes angepreßt ist.
2. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Anpreßdruck in der Größenordnung von 70 bis 200 kg Je cm
gewählt ist. ·
3. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß die vorbereitete plane Fläche an dem Grundplattenkörper mit einer Silbeip lattierung versehen ist.
4. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß die benutzte duktile Zwischenschicht aus Silber besteht.
5. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß eine am Halbleiterelement vorhandene Gold- bzw. Goidlegierungselektrode unmittelbar an der aufplattierten Schicht am Grundplattenkörper zur Anlage gebracht ist.
6. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder einem der folgenden bis einschließlich Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß beim
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Unterlagen (Art 7 f 1 Ab3.2 Nr. 1 Satt 3 de« Äntjerungtp* v. 4.9. t?S7'
Vorliegen einer am Halbleiterelement einlegierten Aluminiumelektrode diese an ihrer dem Halbleiterkörper abgewandten Oberfläche mit einer Silberschicht "versehen ist.
7. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß ein Halbleiterelement eingesetzt ist,, deseen Mantelfläche geätzt ist, und das einen in Richtung auf den Grundplattenkörper des Gehäuses zunehmenden Querschnitt aufweist.
8. Halbleiterbauelement nach Anspruch 1 oder einem der.folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß der Grundplattenteil einen an der Außenmantelfläche mit einem Gewinde versehenen Sockelteil aufweist, auf dessen mit einer aufplattierten Schicht versehenen Stirnfläche die eventuell vorhandene duktile Platte, das Halbleiterelement, der Anschlußkontakt bzw. Anschlußkontakt für den Hauptstromkreis, eine Ringscheibe aus elektrischem Isoliermaterial, das den Kraftspeicher bildende i'edermagazin gegebenenfalls zusammen mit einer ihm vorausgehenden ringförmigen Druckplatte und einer ihm nachfolgenden ringförmigen Dm ckplatte übereinandergeschichtet sind, und daß dieses geschichtete System von einer becherförmigen Kappe um-schlossen ist, die an der inneren Mantelfläche bena4iba£t dem freien Rand der Becherform mit einem gleichartigen Gewinde wie der Sockel des Grundplattenkörpers versehen ist und mit diesem über das Gewinde verschraubt ist. "
9. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die Gewindelänge der verschraubten Körper derart bemessen ist, daß sie ein ausreichendes Intervall für die Einjustierung der Vorspannung des Federsystems des KraftSpeichers bildet.
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10. Halbleiterbauelement nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß als Federsystem Tellerfedern benutzt sind.
11. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die becherförmige Kappe an ihrem Bodenteil mit einer Aussparung versehen ist, durch welche der in Druckkontaktberührung mit der Elektrode des Halbleiterelementes zusammenwirkende Anschlußkontakt herausgeführt ist.
12. Halbleiterbauelement nach Anspruch 11, dadurch gekennzeichnet, daß der pilzförmige Anschlußkontakt mit einem durch die Form des Pilzdaches und die Form des an dieses anschließenden Pilzschaftes sich erstreckenden Kanal versehen ist, durch welchen isoliert ein am Steuerbereich des Halbleiterbauelementes angeschlossener elektrischer Leiter zunächst axial in dem Pilzschaft und dann aus diesem seitlich herausgeführt ist.
13. Halbleiterbauelement nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß die zwischen dem Federmagazin des Kraftspeieher β und ihrer inneren Pilzdachform des Hauptanschlußkontaktes vorgesehene ringförmige Isoliermaterialscheibe der Außenmantelfläche des Hauptanschlußkontaktes und der Innenmantelfläche der becherförmigen Kappe derart angepaßt ist, daß die Ringscheibe zugleich als Zentrierung sorgan für den Hauptkontakt gegenüber dem becherförmigen Körper und der Elektrode an der Oberfläche des Halbleiterelementee wirkt.
14. Verfahren zur Herstellung eines Halblei-terbauelementes nach Anspruch 1 oder einem der folgenden, dadurch gekennzeichnet, daß
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das Halbleiterbauelement nach Fettigstellung seiner Zusammenstellung einer Temperaturbehandlung bei mehr als 10O0C unterworfen wird, so daß unter dem Einfluß des Anpreßäruckes durch den Kraftspeicher die Elektrodenfläche des Halbleiterelementes mit dem Grundplattenkörper des Halbleiterbauelementes und der eventuell vorhandenen duktilen Zwischenschicht eine gegenseitige mechanische Verbindung eingeht.
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DE19651539092 1964-10-28 1965-07-27 Halbleiterbauelement Pending DE1539092A1 (de)

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GB (1) GB1086830A (de)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE3542838A1 (de) * 1985-12-04 1987-06-11 Bbc Brown Boveri & Cie Ueberbrueckungselement
US10186734B2 (en) 2014-05-23 2019-01-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Device and method for bridging an electrical energy storage

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US10186734B2 (en) 2014-05-23 2019-01-22 Fraunhofer-Gesellschaft Zur Foerderung Der Angewandten Forschung E.V. Device and method for bridging an electrical energy storage

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CH447387A (de) 1967-11-30
BE671436A (de) 1966-02-14

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