DE1236079B - Steuerbare Halbleiteranordnung - Google Patents

Description

DEUTSCHES VMWWl· PATENTAMT

AUSLEGESCHRIFT

DeutscheKl.: 21g-11/02

Nummer: 1236 079

Aktenzeichen: S 78647 VIII c/21 g

1 236 079 Anmeldetag: 24.März 1962

Auslegetag: 9. März 1967

Die Erfindung bezieht sich auf eine steuerbare Halbleiteranordnung mit mindestens einer gemeinsam mit einer der Hauptelektroden auf einer Oberfläche des Halbleiterelementes angeordneten Steuerelektrode, bei der diese Hauptelektrode an ihrem Umfang mit mindestens einer Aussparung versehen ist, in die eine Steuerelektrode in die Grundform dieser Hauptelektrode von ihrem Rande her derart eingreift, daß der gegenseitige Abstand der beiden Elektroden klein gegenüber dem Durchmesser der Hauptelektrode ist.

Eine solche Anordnung kann als Thyristor ausgebildet sein. Der eigentliche Halbleiterkörper solcher Anordnungen besteht meist aus einer flachen Scheibe, die auf beiden Seiten großflächige Kontaktelektroden aufweist. Auf einer Seite dieses Halbleiterkörpers ist außerdem die Steuerelektrode angeordnet, die relativ kleinflächig ist und gegenüber der auf der gleichen Seite des Halbleiterkörpers liegenden Kontaktelektrode isoliert sein muß. Man hat diese Steuerelektrode sowohl in einer zentralen Aussparung der großflächigen Kontaktelektrode, aber auch schon in einer seitlichen Aussparung der Kontaktelektrode angeordnet.

Bisher war es üblich, den Anschlußleiter mit der Steuerelektrode zu verschweißen oder zu verlöten, obwohl es andererseits bei Halbleitergleichrichtern auch bekannt ist, die Verbindung zwischen großflächigen Elektroden und dem zugehörigen Anschlußleiter mit Hilfe eines Druckkontaktes herzustellen.

Die erwähnte Verbindung der Anschlußleiter mit der Steuerelektrode durch Schweißen oder Löten bereitet Schwierigkeiten, vor allem dann, wenn die Steuerelektrode sehr klein ist und der Abstand zwischen dieser Steuerelektrode und der Hauptelektrode ebenfalls sehr gering ist. Dadurch wird die Befestigung der Anschlußleiter an den Steuerelektroden sehr erschwert, da man ja auf eine gute Isolation zwischen der Hauptelektrode und der Steuerelektrode achten muß. Dieser Umstand wirkt sich vor allem bei der Massenfertigung sehr nachteilig und kostenerhöhend aus.

Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, den Verbindungsvorgang eines Anschlußleiters mit der Steuerelektrode einfacher und weniger kritisch zu gestalten. Dies wird dadurch erreicht, daß gemäß der Erfindung der elektrische Anschluß mindestens an diese gemeinsam auf einer Oberfläche des Halbleiterelementes angeordneten Elektroden über Druckkontakte erfolgt.

Hierbei kann es sich als zweckmäßig erweisen, an der Hauptelektrode nicht nur einen einzigen Gegen-Steuerbare Halbleiteranordnung

Anmelder:

Siemens Aktiengesellschaft,

Berlin und München,

Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50

Als Erfinder benannt:

Dipl.-Ing. Dr. phil. Joachim Pfaffenberger,
Heinz Martin, München

kontakt eines Anschlußleiters unter Druck zur Anlage zu bringen, sondern gegebenenfalls mindestens diesen Anschluß an die Hauptelektrode des steuerbaren Kalbleiterelementes über bzw. in eine Vielzahl von Kontaktstellen bzw. einzelnen Kontaktstücken vorzunehmen bzw. aufzulösen, die individuell an die Oberfläche der Elektrode des Halbleiterelementes angedrückt werden. Hierbei wird vorzugsweise für jeden dieser Kontakte des Anschlusses je ein Kraftspeicher benutzt, der ihn an die Hauptelektrode des Halbleiterelementes andrückt. Das hat den Vorzug, daß auf jeden Fall eine bestimmte Mindestanzahl von Kontaktübergangsstellen zwischen dem Anschlußleiter und der Elektrode des Halbleiterkörpers gewährleistet ist, während bei einem sonst vorbereiteten einzelnen bzw. einzigen mit der Hauptelektrode des Halbleiterelementes zusammenwirkenden Kontakt grundsätzlich nur mit einer Dreipunktauflage mit Sicherheit gerechnet werden kann, wenn nicht eventuell duktile Zwischenlagen zwischen den aneinandergepreßten Flächen des Anschlußleiters und der Elektrode des Halbleiterelementes zur Anwendung gelangen.

Eine solche grundsätzliche Aufbauform einer erfindungsgemäßen Halbleiteranordnung läßt sich auch in verhältnismäßig einfacher Weise baulich gestalten, denn es können für den oder die Anschlußkontakte des Hauptanschlußleiters und den Anschlußkontakt der Steuerelektrode gegebenenfalls gemeinsame Träger oder Führungskörper benutzt werden. Hierdurch läßt sich eine einfache ordnungsgemäße montagemäßige und betriebsmäßige gegenseitige Zuordnung der Anschlußleiterkontakte und der Elektrodenflächen an der Oberfläche des Halbleiterkörpers erreichen. Hierbei kann die Einordnung dieses Trägers der Hilfkontakte bei der Montage in zweckmäßiger Weise bereits so erfolgen, daß diese Kontakte zusam-

709 518/383

men mit dem einen Gehäuseteil, welcher mit dem anderen Gehäuseteil später gasdicht z. B. verschweißt wird, zu einer mechanischen Einheit vereinigt sind. Auf diese Weise kann also der eine Gehäuseteil einschließlich der isolierten Durchführung vollständig fertig gemacht werden und braucht dann nur mit dem anderen Gehäuseteil, welcher bereits das Halbleiterelement entweder in einer unlösbaren Verbindung oder in einer lösbaren Verbindung trägt, zusammengeführt werden. Die Einordnung dieses Kontaktträgersystems kann dabei auf relativ einfache Weise erfolgen, indem dieser Träger in den Hohlraum des einen Gehäuseteiles eingesetzt und in diesem dann vorzugsweise in einer geeigneten Stellung verriegelt wird.

Dieser Träger kann dabei aber gegebenenfalls noch dazu ausgenutzt werden, das Halbleiterelement an dem anderen Gehäuseteil festzuspannen, und zwar vorzugsweise über einen besonderen eingeschalteten Kraftspeicher. Der Träger der Kontakte kann dabei gegebenenfalls mehrteilig mit einem Kanäle aufweisenden Teil und einem oder zwei diesen an ihren Enden teilweise abschließenden Deckplatten eingerichtet sein, so daß sich auf diese Weise eine einfache Montage bzw. ein einfacher Einbau der einzelnen Kontakte für den Hauptanschlußleiter und für den Anschlußleiter des Steuerkontaktes ergibt. Die Einzelkontakte können dabei in ihrem Träger bereits unter der Wirkung eines vorgespannten Kraftspeichers stehen, insbesondere wenn die Führung der Einzelkontakte derart eingerichtet ist, daß sie gleichzeitig eine gewisse Endstellung der Einzelkontakte in einem vorgeschobenen Zustand begrenzt, so daß die Endflächen der Einzelkontakte bereits etwa in einer vorbestimmten Ebene in ihrer Lage gehalten sind. Werden diese Endflächen dann gegen die Elektrodenflächen des Halbleiterelementes gepreßt, so werden die Kraftspeicher, welche auf die Einzelkontakte wirken, dann noch weitergehend vorgespannt, wie es dem beabsichtigten oder erwünschten Anpreßdruck für die betriebsmäßige Kontaktgabe zwischen den Einzelkontakten und der Elektrode an dem Halbleiterkörper entspricht.

Wird für den Hauptanschlußleiter eine Vielzahl von Einzelkontakten benutzt, so können deren einzelne Anschlußleiter außerhalb des Trägers des Kontakte zu einem gemeinsamen Leiter zusammengefaßt bzw. verdrillt werden, der dann als solcher in den inneren Anschlußleiter der isolierten Durchführung eingeführt und in diesem dann durch Verpressen oder/und Löten oder Verschweißen befestigt wird. Dieser Innenteil der isolierten Durchführung ist dabei zweckmäßig bereits kappenartig gestaltet und über eine Randzone oder eine Mantelzone dieser Kappe mit der inneren metallischen Hülse der iso-Herten Durchführung verlötet oder verschweißt, so daß diese Verbindungsstelle also die einzige ist, welche hinsichtlich ihrer Gasdichtigkeit zu überwachen oder herzustellen ist, um einen gasdichten Abschluß des Gehäuseteiles zu erreichen, welcher die isolierte Durchführung bzw. die isolierten Durchführungen aufweist.

Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einiger Ausführungsbeispiele wird nunmehr auf die Figuren der Zeichnung Bezug genommen.

In dem Ausführungsbeispiel nach den beiden einander entsprechenden Rissen der F i g. 1 und 2, von denen die F i g. 1 ein Schnitt nach der Linie I-I der

F i g. 2 ist und die F i g. 2 ein Schnitt nach der Linie II-II der F i g. 1 ist, bezeichnet 1 einen Grundplattengehäuseteil, der mit einem Gewindebolzen 2 für die Befestigung des Halbleiterbauelementes versehen ist. An der oberen Fläche dieses Grundplattenteiles 1 ist das Halbleiterelement 3, welches auf der Basis eines Halbleiterkörpers aus schwach p-leitendem Silizium hergestellt ist, über die Hilfsträgerplatte 3 a aus Molybdän befestigt, wobei der Grundplattenteil 1 den einen Anschlußpol an die eine Elektrode bildet, die an der unteren Fläche des Halbleiterkörpers vorgesehen bzw. gebildet ist. An der oberen Fläche des Halbleiterkörpers sind die Hauptelektrode 4 und die Steuerelektrode 5 vorgesehen. Die Steuerelektrode 5 greift vom Umfang der Hauptelektrode 4 in die durch diese bestimmte einfache geometrische Grundform, nämlich die Kreisflächenform, ein und liegt somit innerhalb einer Aussparung 6 dieser geometrischen Grundform der Hauptelektrode 4. Als mit dem Grundplattenteil 1 des Gehäuses für den gasdichten Abschluß des Kammerraumes, in welchem an dem Halbleiterbauelement das Halbleiterelement 3 eingeschlossen ist, zusammenwirkender zweiter Gehäuseteil wird ein glockenförmiger Teil 2 benutzt. Dieser weist einen Mantelteil 7 auf, der über den Glasisolierkörper 8 zusammen mit den metallischen Hülsen 9 bzw. 10 als elektrisch isolierende Druckglasdurchführung hergestellt ist, d. h. die relativen Abmessungen der metallischen Teile 9, 10 und 7 sind in bezug auf die Glasmasse 8 derart bemessen worden, daß beim Erkalten der Anordnung der Glaskörper 8 unter eine solche Druckspannung gesetzt worden ist, daß auch bei den betriebsmäßigen Erwärmungen niemals in dem Glaskörper 8 Zugspannungen entstehen können, die zu einer Rissebildung in diesem Isolierkörper führen würden. In das obere Ende der Metallhülse 10 ist ein metallischer Körper 11 mit einem abgesetzten Teil 12 eingesetzt und hart verlötet. Dieser metallische Körper 11 weist von seinen beiden Enden aus Bohrungen 13 bzw. 14 bis zu einer solchen Tiefe auf, daß zwischen beiden noch ein Steg 15 bestehen bleibt. Die Aussparung 14 bildet daher einen dem Innenraum des Gehäuses der Halbleiteranordnung zugewandten Hohlraum einer Kappe, in welchem ein Anschlußkörper 16 eingesetzt werden kann, an welchem ein Anschlußleiter 17 für den Hauptelektrodenkontakt 18 befestigt ist. Dieser Hauptelektrodenkontakt 18 steht unter der Wirkung von Tellerdruckfedern 19. Dieser Hauptkontakt 18 ist in einer Bohrung 20 eines Isolierteiles 21 geführt. In einer weiteren Bohrung 22 dieses Isolierteiles ist ein Kontakt 23 geführt, der unter der Wirkung eines Kraftspeichers 24 in Form einer Wendeldruckfeder steht. Der Isolierkörper 21 wird im Hohlraum des metallischen Körpers 7 an einem Absatz 25 betriebsmäßig in seiner Lage gehalten. Damit der Trägerkörper 21 bereits eine vorbestimmte Lage innerhalb des Gehäuseteiles 7 einnimmt, bevor die beiden Gehäuseteile 1 und 7 zusammengeführt werden, ist an der inneren Mantelfläche von 7 eine Aussparung 26 vorgesehen, in welche ein Sprengring 27 eingesetzt ist. Der untere Rand des Gehäuseteiles 7 ist dabei derart eingerichtet, daß sich an ihm von einem Absatz 28 aus ein zylindrischer Teil 29 gemäß der gestrichelt dargestellten Länge erstreckt, der in seiner lichten Weite dem äußeren Umfang des Absatzes 30 des Gehäusteiles 1 angepaßt ist. Nachdem die beiden Gehäuseteile 7 und 1 zusammengeführt wurden, bis

sie sich an dem Absatz 28 aneinanderlegten, wurde dann 29 um diesen Absatz 30 herum verformt, so daß dieser zwischen Randteilen des Gehäuses 7 eingespannt ist. Es kann sich dabei als zweckmäßig erweisen, den Gehäuseteil 7 aus einem mechanisch festerem Material herzustellen als den Gehäuseteil 30, so daß 30 also in wirksamer Weise zwischen einem mechanisch stabileren Werkstoff eingespannt ist.

Nach der Darstellung gemäß F i g. 1 liegen die Kontaktteile 18 derart lose in ihren Führungen in dem Isolierkörper 21, daß sie, wenn sie sich nicht gegen die Elektroden des Halbleiterelementes 3 legen, herausfallen würden. Diesen Schwierigkeiten läßt sich bei der Montage in einfacher Weise dadurch begegnen, daß diese in der Weise erfolgt, daß das glockenförmige Gehäuse mit seiner unteren Öffnung nach oben in Form eines Bechers benutzt wird, in welchen das Halbleiterlement mit der Grundplatte 1 des Gehäuses eingeführt wird und danach das mechanische Verpressen der beiden Gehäuseteile zwischen dem Rand von 7 bzw. 2 und dem Absatz von 3 stattfindet. Man erkennt aus der Darstellung, daß das Herausführen der Anschlußleitungen von dem Hauptkontakt und von dem Steuerkontakt keinerlei aufbaumäßigen Schwierigkeiten begegnet und die Kontaktstellen, solange das Gehäuse noch nicht verschlossen ist, einzeln ohne weiteres einer Inspektion zugänglich sind.

Es kann im Rahmen der Erfindung hierfür aber auch eine solche Anordnung benutzt werden, nach welcher der Träger 21 der Anschlußkontakte nicht mit dem glockenartigen Gehäuseteil, sondern mit einem Gerüstteil oder Führungsstangen an dem Grundplattenteil 1 verbunden ist, so daß zunächst eine vollständige Fertigstellung des Halbleiterbaudementes einschließlich seiner Anschlußkontakte vorgenommen werden kann und dann noch eine Inspektion möglich ist, bevor der glockenartige Gehäuseteil mit dem Grundplattenteil und dessen Aufbauteilen zusammengeführt wird, wobei die Anschlußleiter 17 bzw. 17 a in die weiteren Anschlußkontakte ein- bzw. durch diese hindurchgeführt und dann entsprechend befestigt bzw. gasdicht verbunden werden.

Die Kontakte 18 bzw. 23 können jedoch auch in ihrem Sitz in dem Träger 21 derart geführt werden, daß sie sich über ein bestimmtes Maß aus den Kanälen in Richtung auf die Kontakte des Halbleiterelementes nicht herausbewegen können, also in ihrer Bewegung begrenzt sind.

Bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 ist eine Abwandlung der Ausführung nach F i g. 1 gezeigt, bei dem für das Zusammenwirken zwischen der Anschlußleitung des Hauptkontaktes und der einen Hauptelektrode der Halbleiteranordnung nicht ein einziger Gegenkontakt benutzt wird, sondern eine Vielzahl von Einzelkontakten 31, die in je einem der Kanäle 32 des aus Isoliermaterial bestehenden Trägers 33 axial verschiebbar sind. Der mit der Steuerelektrode zusammenwirkende Anschlußkontakt 34 ist etwa in gleicher Weise wie die Einzelkontakte gestaltet, die mit der Hauptelektrode 4 des Halbleiterelementes zusammenwirken. An jedem dieser Einzelkontakte 31 bzw. 34 ist an bzw. in der oberen Stirnfläche ein Anschlußleiter 35 bzw. 36 befestigt. Diese Anschlußleiter 35 sind wieder zu einem gemeinsamen Anschlußleiter zusammengefaßt, der ähnlich wie in F i g. 1 in eine kappenförmige Hülse 11 einge-

führt und in dieser durch Verpressen bzw. Verlöten oder Verschweißen an der Stelle IIa befestigt ist. Der Anschlußleiter 36 ist wieder durch die Hülse 9 der isolierten Durchführung herausgeführt und in dieser durch deren Zusammenpressen an der Stelle 9 a befestigt. Auf das Ende jedes der einzelnen Kontakte 31 bzw. 34 wirkt eine Wendeldruckfeder 37, die sich mit ihrem anderen Ende am Boden des einzelnen Kanals 32 abstützt. Auf dem aus Isoliermaterial bestehenden Träger 33 ist, um diese Böden der Kanäle 32 und entsprechende Kanäle für die Herausführung der biegsamen Anschlußleiter 35 und 36 zu bilden, eine aus Isoliermaterial bestehende Platte 38 aufgelegt. Der isolierende Träger der einzelnen Kontakte besteht somit aus den beiden Teilen 33 und 38, die gegebenenfalls ihrerseits bereits mechanisch miteinander zu einem Aggregat verbunden sein können, welches die Einzelkontakte 31 und 34 enthält. Dieses Aggregat ist in den glockenförmigen Gehäuseteil 7 bis zu einem Absatz 25 eingeführt und z. B. unmittelbar gegen diesen gehalten. Es ist aber zweckmäßig, wieder mindestens eine Wegbegrenzung für diesen isolierenden Träger 33, 38 durch eine Aussparung 26 an der inneren Mantelfläche des Gehäuseteiles 7, in welche ein Sprengring 27 eingesetzt ist, vorzusehen.

Die einzelnen Kontakte 31 und 34 können wieder derart in ihren Kanälen geführt sein, daß sie sich nur um ein vorbestimmtes Maß in Richtung auf die Hauptelektrode des Halbleiterelementes 3 verstellen können, so daß ihre Stirnflächen wieder bereits etwa in einer vorbestimmten Ebene liegen, bevor die beiden Gehäuseteile und damit die Anschlußkontakte und die Elektroden des Halbleiterelementes 3 zusammen geführt werden. Hierfür können an den oberen Stirnflächen der Einzelkontakte hülsenartige Teile vorgesehen sein, die durch die Kanäle in der Isolierplatte 33 hindurchgeführt sind und an ihren stirnseitigen Enden umgebogen sind so daß sie also bei der Wirkung der Druckfedern 37, wenn die Einzelkontakte nicht auf Elektroden des Halbleiterelementes aufliegen, bis zum Anschlag gegen die obere Stirnfläche von 38 geführt werden. Sie bilden dann auch gleichzeitig eine den Anschlußleiter von dem einzelnen Kontakt umschließende und für die Druckfeder dieses Kontaktes eine von dieser umschlossene Führungshülse.

Bei diesem Ausführungsbeispiel ist noch angenommen, daß das Halbleiterelement 3 an dem Grundplattenteil 1 durch Weichlötung oder Hartlötung oder durch Anlegieren, befestigt ist.

Nach dem Ausfiihrungsbespiel der F i g. 4, in welcher für die bereits in den vorausgehenden Figuren vorhandenen Einzelteile wieder der Einfachheit halber die gleichen Bezugszeichen beibehalten worden sind, ist eine dahingehende Abwandlung benutzt, bei welcher das Halbleiterelement 3 durch den zweiten Gehäuseteil unmittelbar an dem Grundplattenteil 1 festgespannt wird, so daß unter der Wirkung dieser Druckkraft also nur eine gleitfähige gegenseitige Anlage zwischen 3 und der oberen Endfläche von 1 benutzt zu werden braucht. Diese Gleitflächen sind dabei derart eingerichtet, daß die an ihnen zur gegenseitigen Anlage kommenden Werkstoffe nicht die Eigenart haben, daß sie miteinander bei der für die Erhaltung des Druckkontaktes notwendigen Anpressung und den betriebsmäßig an dem Halbleiterbauelement auftretenden Temperaturen nicht die Neigung haben, miteinander eine gegenseitige Ver-

Claims (10)

bindung nach Art einer Verlötung, Verschweißung oder Legierung einzugehen. Um die angegebene Wirkung zu erreichen, ist der Isolierkörper 33 nach F i g. 3 nunmehr nach F i g. 4 in Form des Isolierkörpers 39 mit einem Randteil 40 an seiner unteren Stirnfläche gestaltet, welcher sich gegen eine Randzone des Halbleiterelementes 3 oder einer mit diesem verbundenen, es mechanisch stabilisierenden bzw. versteifenden Tragplatte 3 a desselben legt, so daß dann innerhalb des von dem Randteil 40 umschlossenen Raumes das Halbleiterelement 3 zu liegen kommt und zu diesen Kontakten bzw. Elektroden die Einzelkontakte in Beziehung treten können, welche unter der Wirkung der einzelnen Kraftspeicherfedern stehen. Damit das Halbleiterelement 3 mit der erwünschten Kraft gegen den Grundplattenteil 1 angepreßt wird, denn zwischen beiden Teilen muß erstens ein möglichst geringer elektrischer Übergangswiderstand bestehen, und außerdem darf auch nur ein möglichst geringer thermischer Ubergangswiderstand bestehen, ist in Form einer oder mehrerer Tellerfedern 41 ein Kraftspeicher vorgesehen, der über die Platte 38 auf den Körper 39 wirkt. Dieser Kraftspeicher 41 legt sich einerseits gegen einen Absatz 42 nach Art von 25 der F i g. 3 und andererseits gegen die obere Stirnfläche der Platte 38. Die übrigen Teile bedürfen keiner näheren Erläuterung, da sie bereits bei der Beschreibung der F i g. 3 entsprechend erwähnt und beschrieben worden sind. Das Halbleiterelement 3 kann an der oberen Fläche des Grundplattenteils 1 zweckmäßig mindestens mit seiner Hilfsträgerplatte 3 a in einer Aussparung von 1 angeordnet sein oder innerhalb eines durch Stifte oder andere Erhebungen vorbereiteten Sitzes angeordnet sein. Wenn der Gegenstand der Erfindung auch in Verbindung mit einer Anordnung beschrieben ist, bei welcher der Hauptelektrode nur eine Steuerelektrode zugeordnet ist, so ist die Erfindung jedoch auf die Anwendung bei einer solchen Ausführung nicht beschränkt, sondern auch dann geeignet, wenn einer Hauptelektrode an der gleichen Oberfläche des Halbleiterelementes mehrere solche Steuerelektroden zugeordnet sind. In F i g. 5 ist noch in schematischer Darstellung in kleinerem Maßstab angedeutet, wie die einzelnen Anschlußkontakte mit der Oberfläche der Hauptelektrode zusammenwirken können. Patentansprüche: S°

1. Steuerbare Halbleiteranordnung mit mindestens einer gemeinsam mit einer der Hauptelektroden auf einer Oberfläche des Halbleiterelementes angeordneten Steuerelektrode, bei der diese Hauptelektrode an ihrem Umfang mit mindestens einer Aussparung versehen ist, in die eine Steuerelektrode in die Grundform dieser Hauptelektrode von ihrem Rand her derart eingreift, daß der gegenseitige Abstand der beiden Elektroden klein ist gegenüber dem Durchmesser der Hauptelektrode, dadurch gekennzeichnet, daß der elektrische Anschluß mindestens an diese gemeinsam auf einer Oberfläche des Halbleiterelementes angeordneten Elektroden über Druckkontakte erfolgt.

2. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß der

Träger der Druckkontaktanordnung für den elektrischen Anschluß der Hauptelektrode gleichzeitig bei entsprechender, gegenseitiger elektrischer Isolierung den Träger der Druckkontaktanordnung für den elektrischen Anschluß der Steuerelektroden bildet.

3. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß in einem gemeinsamen Isolierkörper einer oder mehrere Kanäle für die gleiche Anzahl von Anschlußkörpern an die Hauptelektrode und ein Kanal für einen Anschlußkörper an die Steuerelektrode des Halbleiterelementes vorgesehen sind, wobei diese Kanäle gleichzeitig jeweils einen entsprechenden vorgespannten Kraftspeicher für die Erzeugung des Anpreßdruckes enthalten.

4. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß für das Anpressen eines einteiligen massiven Anschlußkörpers an die Hauptelektrode ein aus Tellerfedern bestehender Kraftspeicher vorgesehen ist.

5. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 3, dadurch gekennzeichnet, daß beim Zusammenwirken mehrerer einzelner Anschlußkörper mit der Hauptelektrode jeder der einzelnen Anschlußkörper mit einer besonderen Zuleitung versehen ist, die dann zu einem gemeinsamen Anschlußleiter zusammengefaßt sind, welcher durch die isolierte Gehäusedurchführung hindurch bzw. nur in den inneren Leiter derselben eingeführt und durch Verpressen und/oder Lötung oder Verschweißung befestigt ist.

6. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der innere Körper der isolierten Durchführung derart mit einem kappenförmigen Teil verbunden ist, daß durch die Kappenform bereits eine nach außen dichte Verbindung der isolierten Durchführung vor Einführen des Anschlußleiters in die Kappenform und ihrer Befestigung in diese vorhanden ist.

7. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 3 bis 6, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der einzelnen Anschlußkörper in seinem Führungskörper in Richtung auf die Hauptelektrode in seiner Bewegung derart begrenzt ist, daß in noch nicht angedrücktem Zustand die einzelnen Kontakte mit ihren Endflächen nur bis in eine vorbestimmte Ebene reichen können.

8. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 7, dadurch gekennzeichnet, daß jeder der einzelnen Anschlußkörper einen Hülsenteil aufweist, der innerhalb des Kraftspeichers für diesen Kontakt liegt, jedoch die elektrische Zuleitung zu diesem Kontakt umschließt und gleichzeitig als die Bewegung begrenzender Anschlag für den einzelnen Anschlußkörper entgegen der Wirkung des Kraftspeichers dient.

9. Steuerbare Halbleiteranordnung nach einem der Ansprüche 1 bis 8, dadurch gekennzeichnet, daß ihr Gehäuse aus einem grundplattenartigen und aus einem glockenartigen Teil gasdicht zusammengesetzt ist, und daß der Träger der Druckkontaktanordnung innerhalb des glockenartigen Gehäuseteils in einer definierten Lage gehalten wird.

10. Steuerbare Halbleiteranordnung nach Anspruch 9, dadurch gekennzeichnet, daß der Träger sich in dem glockenartigen Gehäuseteil gegen

50