DE1192323B - Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses VerfahrensInfo
- Publication number
- DE1192323B DE1192323B DES71090A DES0071090A DE1192323B DE 1192323 B DE1192323 B DE 1192323B DE S71090 A DES71090 A DE S71090A DE S0071090 A DES0071090 A DE S0071090A DE 1192323 B DE1192323 B DE 1192323B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- welding
- sleeve body
- arrangement
- contact
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/30—Features relating to electrodes
- B23K11/3081—Electrodes with a seam contacting part shaped so as to correspond to the shape of the bond area, e.g. for making an annular bond without relative movement in the longitudinal direction of the seam between the electrode holder and the work
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K11/00—Resistance welding; Severing by resistance heating
- B23K11/0006—Resistance welding; Severing by resistance heating the welding zone being shielded against the influence of the surrounding atmosphere
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J5/00—Details relating to vessels or to leading-in conductors common to two or more basic types of discharge tubes or lamps
- H01J5/20—Seals between parts of vessels
- H01J5/22—Vacuum-tight joints between parts of vessel
- H01J5/28—Vacuum-tight joints between parts of vessel between conductive parts of vessel
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
- H01J2893/00—Discharge tubes and lamps
- H01J2893/0033—Vacuum connection techniques applicable to discharge tubes and lamps
- H01J2893/0037—Solid sealing members other than lamp bases
- H01J2893/0044—Direct connection between two metal elements, in particular via material a connecting material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Manufacture Of Switches (AREA)
- High-Tension Arc-Extinguishing Switches Without Spraying Means (AREA)
Description
BUNDESREPUBLIK DEUTSCHLAND
DEUTSCHES
PATENTAMT
AUSLEGESCHRIFT
Int. α.:
HOIl
Deutsche KL: 21g-11/02
Nummer: 1192323
Aktenzeichen: S 71090 VIII c/21 g
Anmeldetag: 2. November 1960
Auslegetag: 6. Mai 1965
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Schweißstellen zwischen den Teilen
eines Gehäuses, welches ein Halbleiterelement gasdicht einschließt, durch elektrische Widerstandsverschweißung
in einem geschlossenen Raum vorbestimmter Atmosphäre und auf eine Anordnung zur Durchführung dieses Verfahrens.
Bei diesen Halbleiteranordnungen ist insbesondere an solche gedacht, welche Halbleiterelemente in
Form von Halbleiterflächengleichrichtern, -transistoren oder Halbleiterstromtoren enthalten, sowie
auch an solche Anordnungen, bei denen das einzelne Halbleiterelement spezifisch hohe Ströme führen
kann und einen Halbleiterkörper auf der Basis eines Elementhalbleiters aus oder nach Art von Germanium
oder Silizium oder einer intermetallischen Verbindung aufweist, wie z. B. einer AniBv-Verbindung,
die also ein Element der III. Gruppe und ein Element der V. Gruppe des Periodischen Systems
enthält.
Die Verschweißung der Teile des Gehäuses einer Halbleiteranordnung ist günstig, weil auf diese Weise
Mängel verhütet werden, wie sie dann eintreten können, wenn zwischen den Teilen eines Gehäuses
von einer Verlötung Gebrauch gemacht wird. In diesem letzteren Fall muß damit gerechnet werden,
daß bei dem Lötvorgang Dämpfe entwickelt werden, die sich für die Erhaltung der einwandfreien Güte
des Halbleiterelements nachteilig auswirken können.
Es ist zur Ausschließung einer nachteiligen Beeinflussung des Halbleiterelements auch üblich, dieses
allein oder zusammen mit anderen in ein Gehäuse einzuschließen, welches evakuiert und gegebenenfalls
nach der Evakuierung mit einem inerten Gas, wie Stickstoff oder einem Edelgas, gefüllt wird.
Der Erfindung liegt die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren und eine Einrichtung zu schaffen, nach
welchem und in welcher die Evakuierung, die eventuelle Füllung und die gegenseitige Verschweißung
der Teile des das Halbleiterelement einschließenden Gehäuses in einer zweckmäßigen Folge und bei relativ
geringem Zeitaufwand sowie bei rationeller Ausnutzung der elektrischen Schweißmaschine erfolgt.
Zur Erreichung dieses Zieles wird bei dem eingangs angeführten Verfahren zum Herstellen von Schweißstellen
zwischen den Teilen eines Gehäuses, welches ein Halbleiterelement gasdicht einschließt, durch
elektrische Widerstandsverschweißung in einem geschlossenen Raum vorbestimmter Atmosphäre erfindungsgemäß
nach der gegenseitigen lagemäßigen Zuordnung der zu verschweißenden Stellen zunächst
der geschlossene Raum vorbestimmter Atmosphäre Verfahren zum Herstellen von Schweißstellen
zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschließenden Gehäuses und
Anordnungen zur Durchführung dieses
Verfahrens
zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschließenden Gehäuses und
Anordnungen zur Durchführung dieses
Verfahrens
Anmelder:
Siemens-Schuckertwerke Aktiengesellschaft,
Berlin und Erlangen,
Erlangen, Werner-von-Siemens-Str. 50
Als Erfinder benannt:
Dipl.-Phys. Götz von Bernuth, München;
Hans-Jürgen Nixdorf, Berlin-Lankwitz
dadurch geschaffen, daß ein Hülsenkörper in eine Lage gebracht wird, in welcher er über je einen
Dichtungskörper eine gasdichte Verbindung an oder benachbart je einem seiner Enden entweder unmittelbar
mit je einem der beiden miteinander zu verschweißenden Gehäuseteile oder mit je einer der
beiden Schweißelektroden oder mit einem besonderen Hilfskörper an den Elektroden eingeht, anschließend
wird in diesem Raum die gewünschte Atmosphäre geschaffen und dann die elektrische
Widerstandsverschweißung durchgeführt.
Ein solches Verfahren hat den Vorzug, daß, bevor das Gehäuse gasdicht abgeschlossen wird, die miteinander
zu verschweißenden Gehäuseteile einschließlich des Halbleiterelementes einander in einer einwandfreien,
eindeutig vorbestimmten Lage räumlich zugeordnet werden können. Danach kann der Evakuierungsprozeß
des Raumes, welcher die Gehäuseteile der Halbleiteranordnung mindestens an deren zu
verschweißenden Stellen gasdicht umschließt, durchgeführt werden, wobei, wie bereits angeführt, diese
zu verschweißenden Stellen beider Gehäuseteile einander bereits mindestens dicht benachbart liegen.
Der evakuierte Raum kann nunmehr mit inertem Gas bzw. Schutzgas, wie Stickstoff, gefüllt werden.
Schließlich brauchen in der Schweißanordnung keine großen Wege mehr zurückgelegt zu werden, um
so einen Schweißprozeß zwischen den miteinander zu
verbindenden Stellen der Gehäuseteile der Halbleiteranordnung durchzuführen.
509 568/302
Der genannte Hülsenkörper geht zweckmäßig seine gegenseitige gasdichte Verbindung mit dem besonderen
Hilfskörper, mit den Schweißelektroden oder mit den miteinander zu verschweißenden Gehäuseteilen
über sogenannte Wellendichtungsringe, z.B. Simmerringe ein, d.h. Dichtungsringe aus nachgiebigem
Material, welche gegen jede der zu dichtenden Flächen mittels eines Kraftspeichers, insbesondere
einer Feder, festgespannt werden. Die Dichtungsringe können an dem Hülsenkörper oder dem
jeweiligen Gegenkörper, mit welchem dieser zusammenwirkt, gelagert sein.
Die Evakuierung des Gehäuses kann durch eine oder mehrere Absaugöffnungen hindurch erfolgen,
die an Teilen der Schweißmaschine vorgesehen sind, solche, die an Teilen der mit den Elektroden verbundenen
äußeren Schutzzylinder oder deren Träger vorgesehen sind oder mittels eines Absaugkanals,
der durch die Wand des Hülsenkörpers hindurchgeführt ist.
Wie bereits angeführt, können die Gehäuseteile, welche das Halbleiterelement einzuschließen bestimmt
sind, von denen das eine bereits z. B. in Form einer Grundplatte oder eines becherförmigen Gehäuses
das Halbleiterelement tragen kann, nach dem einen Lösungsweg der Erfindung erst in der
Schweißmaschine einander gegenseitig zugeordnet werden.
Es kann jedoch auch das Verfahren in der V/eise durchgeführt werden, daß schon außerhalb der
Schweißmaschine die beiden Gehäuseteile bereits mit dem Hülsenkörper zu einem solchen Aggregat
vereinigt werden, daß bereits an diesem das Gehäuse der Hilfsvorrichtung evakuiert, gegebenenfalls mit
Schutzgas gefüllt und dann von der Evakuierungspumpe oder Schutzgasfüllvorrichtung abgetrennt
werden kann. Dieses vorbereitete Aggregat kann dann als solches in die Schweißvorrichtung eingesetzt
werden. Es liegt somit auch im Rahmen der Erfindung, mehrere solche Aggregate zugleich in die
Schweißvorrichtung einzusetzen und gegebenenfalls dort entweder gemeinsam und gleichzeitig oder nacheinander
nach Art eines Systems mit Gruppenschweißanordnungen einem Schweißprozeß zu unterwerfen,
indem die vorzugsweise gemeinsam an die zu verschweißenden Aggregate herangeführten Elektroden
der Schweißmaschine dann nacheinander mit Strom beschickt werden.
Wird in der angegebenen Weise aus den zu verschweißenden Teilen in je einem Hülsenkörper je
ein selbständiges Aggregat geschaffen, das als solches vorbehandelt werden kann, so ist es offensichtlich
dann nicht mehr erforderlich, den Zeitaufwand für einen Arbeitsvorgang in der Schweißmaschine in
Rechnung zu stellen, der sonst für die Evakuierung des geschlossenen Raumes und dessen Füllung mit
Schutzgas erforderlich ist. Das bedeutet aber, daß an der Schweißmaschine mit einer größeren Häufigkeit
je ein Schweißvorgang durchgeführt werden kann, somit also in der gleichen Zeit eine größere Anzahl
von Gehäusen von Halbleiteranordnungen als sonst geschweißt werden kann. In diesem Fall ist somit
dann nur eine kleinere Anzahl von Schweißmaschinen für die Fertigung einer vorbestimmten Zahl von verschweißten
Halbleitergehäusen in einem bestimmten Zeitabschnitt erforderlich als dann, wenn der Evakuierungsprozeß
erst vorgenommen wird, nachdem die miteinander zu verschweißenden Gehäuseteile einander an der Schweißmaschine bzw. zwischen
deren Elektroden zugeordnet worden sind.
Bei der Durchführung des Evakuierungsprozesses können die beiden Gehäuseteile mit ihren miteinander
zu verschweißenden Stellen bereits unbedenklich unmittelbar gegeneinanderliegen. Solche Stellen
ergeben nämlich offenbar noch keinen solchen dichten Abschluß, daß die Luft, welche in dem von
den beiden Gehäuseteilen der Halbleiteranordnung
ίο umschlossenen Raum enthalten ist, nicht aus diesem
herausgesaugt werden könnte. Es werden sich vielmehr die beiden Gehäuseteile während des Evakuierungsprozesses
sogar unter dem Einfluß des der in dem genannten Raum eingeschlossenen Luft eigenen
Überdruckes voneinander abheben.
Es ist an sich bekannt, die endgültige Abdichtung eines die Halbleiterelementeanordnung einschließlich
der an ihr herausgeführten Anschlußdrähte innerhalb eines Raumes vorzunehmen, in welchem eine
Atmosphäre vorbestimmten Druckes geschaffen wird. Hierbei ist durch die Bemessung des Volumens
dieses geschlossenen Raumes mit einem relativ großen Wert in bezug auf die zu behandelnde Halbleiteranordnung
in keiner Weise in Betracht gezogen, den Raum, in welchem diese Atmosphäre geschaffen werden soll, derart zu bemessen, daß sein
Schließen nach dem Einsetzen der Halbleiteranordnung nur noch ein geringes zusätzliches anteiliges
Volumen zu dem durch die Abmessungen der HaIbleiteranordnung vorgegebenen bedingt. Es ist auch
nicht in Betracht gezogen, daß dieser geschlossene Raum auf einfache Weise geschaffen und gegebenenfalls
für die Erzeugung der Atmosphäre behandelt werden kann, bevor überhaupt die Halbleiterbauelementeanordnung
in diejenige Anordnung hineingebracht wird, in welcher der Wärmeprozeß für die gegenseitige mechanische Verbindung der Gehäuseteile
eingeleitet und durchgeführt wird.
Zur näheren Erläuterung der Erfindung an Hand einiger Ausführungsbeispiele wird nunmehr auf die
Figuren der Zeichnung Bezug genommen.
In F i g. 1 bezeichnet 1 eine Grundplatte mit einem von ihrer Außenseite ausladenden Gewindebefestigungsbolzen
2, welche an der anderen Oberfläche das Halbleitergleichrichterelement 3, z.B. einen Siliziumflächengleichrichter, über eine mit
einem Eisen-Nickel-Kobalt-Überzug versehene anlegierte Molybdän- oder eine Wolframplatte trägt.
Der eine Pol dieses Halbleiterelementes 3 ist in elektrisch
leitender Verbindung mit der Grundplatte 1, die einen Pol für den Anschluß des Halbleitergleichrichterelementes
3 bildet. Von dem zweiten Pol des Halbleiterelementes 3 erstreckt sich ein Litzenkörper
4, z.B. aus einem aus Kupferlitze geflochtenen Schlauch oder mehreren solchen konzentrischen
Schläuchen, der an seinen Enden von je einer Kappe 5 bzw. 6 umschlossen ist, die zweckmäßig
auf ihn aufgepreßt oder aufgerollt sind. Der Kappenkörper 6 ist seinerseits mit der Anschlußelektrode
bzw. der einlegierten Elektrode des Halbleiterelementes 3 durch einen Lot- oder Legierungsvorgang
verbunden.
Die Grundplatte 1 bildet den einen der Gehäuseteile,
welcher mit einem zweiten Gehäuseteil 7 verschweißt werden soll. Dieser zweite Gehäuseteil besteht
aus einem Metallring 8, einem Isolierkörper 9, z.B. aus Keramik oder Glas, einem becherförmigen
Metallkörper 10 und einem mit diesem verlöteten
5 6
bzw. verschweißten Hülsenteil 11 von H-förmigem Stellen der beiden Gehäuseteile 1 und 7 einge-Querschnitt.
Dieser Körper 11 weist in beiden Achs- schlossen sind, evakuiert und mit Schutzgas gefüllt
richtungen je einen becherförmigen Teil 11 α bzw. worden ist, die gasdichte Verschweißung unmittel-
Ub auf, so daß in den einen mit 11a bezeichneten bar durchgeführt werden kann, indem die beiden
der am Ende des biegsamen Leiters 4 vorhandene 5 Elektroden 12 bzw. 15 für das gegenseitige An-
Hülsenkörper 5 und später in die mit 11 b bezeich- drücken der miteinander zu verschweißenden Körper
nete Aussparung ein weiterer elektrischer Anschluß- betätigt und anschließend mit elektrischem Strom
leiter eingeführt werden können. Zwischen den Kör- über eine Zeitdauer von etwa fünf bis zehn Perioden
pern 8, 9, 10, U ist an den gegenseitigen Verbin- entsprechend dem elektrischen Verschweißungs-
dungsstellen eine Weichlot- oder vorzugsweise eine io prozeß beliefert werden.
Hartlotverbindung vorgesehen, z. B. wenn es sich um Bei der Anwendung des vorliegenden Verfahrens
einen Keramikkörper handelt, wie er aus der Dar- unter Benutzung einer Einrichtung nach Fig. 1
stellung nach Fig. 1 zu entnehmen ist, der an den wird z.B. in der folgenden Weise vorgegangen. Die
zu verlötenden Stellen vorher metallisiert worden ist. beiden Träger 13, 14 der Schweißmaschine sind zu-
Wie aus der Darstellung nach F i g. 1 zu ent- 15 nächst so weit auseinandergefahren, daß zwischen
nehmen ist, ist der Metallring 8 des zweiten Gehäuse- der Schweißelektrode 12 und dem oberen Ende des
teiles mit einem radial nach außen ausladenden Hülsenkörpers 16 ein solcher freier Raum vorhanden
Flansch 8a ausgestattet. In der Achsrichtung der ist, daß zwischen beiden der zweite Gehäuseteil?
Becherform gerechnet, legt sich dieser Flansch mit eingeführt und in die Elektrode 15 so eingesetzt
der äußeren Fläche gegen die Grundplatte 1. Diese 20 werden kann, daß er sich mit der unteren Fläche des
ist hierfür, wie aus der Darstellung zu entnehmen Flansches 8 α auf den freien Rand dieser Elektrode
ist, mit einer besonderen ringförmigen Erhöhung la 15 auflegt.
versehen, damit die Verschweißung der beiden Ge- Nunmehr wird auf die Oberfläche des Flansches 8 α
häuseteile in der bereits angegebenen Weise mittels der erste Gehäuseteil bzw. die Grundplatte 1 aufgeeiner
sogenannten Warzenverschweißung durchge- 25 setzt in einer Lage, wie sie aus der Darstellung zu
führt werden kann. Die Grundplatte 1 kann im entnehmen ist. Es wird nunmehr der Träger 13 der
Rahmen der Erfindung unmittelbar aus einem ver- Schweißmaschine zusammen mit der Schweißelekschweißungsfähigen
Werkstoff bestehen. Sie kann trode 12 relativ zum Träger 14 der Schweißelektrode
jedoch für die Zwecke der Verschweißung an der 15 so verstellt, daß sich die Schweißelektrode 12 mit
Schweißstelle auch mit einem besonderen, durch 30 ihrer unteren Fläche auf die obere Fläche der Grundeinen
Hartlötprozeß aufgebrachten Ring aus ver- platte 1 aufgesetzt oder mindestens dieser bereits
schweißungsfähigem Werkstoff wie Eisen versehen nahe benachbart liegt. Hierbei wird diese Schweißsein
und im übrigen aus einem Werkstoff bestehen, elektrode 12 so mit dem oberen Ende des Hülsender
thermisch und elektrisch gut leitet. So kann körpers 16 zusammengeführt, daß der Schweißz.
B. die Grundplatte 1 aus Kupfer bestehen und an 35 elektrodenkörper 12 mit seiner äußeren Mantelfläche
derjenigen Stelle, an welcher sie mit dem zweiten eine gegenseitige gasdichte Verbindung mit dem
Gehäuseteil 7 verschweißt werden soll, mit einem dichtenden Simmerring 17 eingeht. Nunmehr haben
hart aufgelöteten Ring aus Eisen versehen sein, der die Teile in der Schweißanordnung die gegenseitige
dann sinngemäß unmittelbar wieder die Erhöhung la Zuordnung, wie sie in der Fig. 1 gezeigt ist. Es
aufweisen kann, damit der elektrische Verschweißungs- 40 kann jetzt mit dem Evakuierungsprozeß des Raumes
prozeß nach Art einer Warzenverschweißung durch- 19 durch den Kanal 20 hindurch begonnen und angeführt
werden kann. Wie aus der F i g. 1 weiterhin schließend eine Schutzgasfüllung des Raumes 19
zu entnehmen ist, ist die Grundplatte 1 mit ihrem vorgenommen werden, so daß die nachfolgende elekausladenden
Gewindebolzen 2 in eine Aussparung irische Verschweißung zwischen den Gehäuse-12
a der Schweißelektrode 12 eingeführt, welche von 45 teilen 1 und 7 in der Atmosphäre eines inerten Gases
dem Träger 13 der Schweißmaschine getragen ist, bzw. Edelgases erfolgt. Bei der Füllung des Raumes
der gleichzeitig elektrischer Anschluß ist. Mit dem 19 kann in der Weise vorgegangen werden, daß eine
gegenüberliegenden Träger und Anschluß 14 der wiederholte Evakuierung und anschließende Füllung
Schweißmaschine wirkt die Elektrode 15 zusammen. des Raumes 19 mit Schutzgas durchgeführt wird.
Diese ist becherförmig gestaltet, so daß sie in ihrem 50 In der Darstellung nach Fig. 1 hat die Schweiß-Hohlraum den zweiten Gehäuseteil 7 aufnehmen maschinenanordnung einen solchen Aufbau in bezug kann, der mit einer Randfläche, nämlich der unteren auf den Hülsenkörper 16, daß dieser, sobald die Fläche des Flansches 8 a auf dem freien Rand des beiden Elektroden 12 und 15 auseinandergefahren Elektrodenkörper 15 aufliegt. In der Figur ist weiter- sind, der Hülsenkörper mit seinem freien Ende immer hin der Hülsenkörper 16 gezeigt, an dessen beiden 55 noch oberhalb des Endes der unteren Elektrode 15 Enden je ein mit ihm gasdicht verbundener Dich- liegt. Es kann sich jedoch auch als zweckmäßig ertungs- bzw. Simmerring 17 bis 18 gehalten ist, die weisen, den Aufbau der Anordnung derart zu an ihren inneren Dichtungsflächen mit den Mantel- wählen, daß in auseinandergefahrenem Zustand der flächen der Schweißelektroden 12 bzw. 15 zusammen- Schweißelektroden das Ende der Schweißelektrode wirken. An den Hohlraum 19, welcher von dem 60 15 über den oberen Rand des Hülsenkörpers 16 her-Hülsenkörper 16 gasdicht umschlossen wird, ist der vortritt, wenn dieser Hülsenkörper 16 bis in seine Rohrkanal 20 angeschlossen, welcher mit einer unterste Stellung auf dem Elektrodenkörper 15 ver-Evakuierungspumpe oder einer Schutzgasfülleinrich- schoben worden ist. Das kann sich gegebenenfalls tung in Verbindung gebracht werden kann. als vorteilhaft erweisen, um die miteinander zu ver-F i g. 1 zeigt die Anordnung bereits mit einer 65 schweißenden Gehäuseteile 1 und 7 der Halbleitersolchen gegenseitigen Lage der Gehäuseteile der anordnung an ihren Verschweißungsstellen vor der Halbleiteranordnung, daß, nachdem der Raum 19, Durchführung des Schweißprozesses noch besser in in welchem die miteinander zu verschweißenden Augenschein nehmen zu können. Sobald die Ge-
Diese ist becherförmig gestaltet, so daß sie in ihrem 50 In der Darstellung nach Fig. 1 hat die Schweiß-Hohlraum den zweiten Gehäuseteil 7 aufnehmen maschinenanordnung einen solchen Aufbau in bezug kann, der mit einer Randfläche, nämlich der unteren auf den Hülsenkörper 16, daß dieser, sobald die Fläche des Flansches 8 a auf dem freien Rand des beiden Elektroden 12 und 15 auseinandergefahren Elektrodenkörper 15 aufliegt. In der Figur ist weiter- sind, der Hülsenkörper mit seinem freien Ende immer hin der Hülsenkörper 16 gezeigt, an dessen beiden 55 noch oberhalb des Endes der unteren Elektrode 15 Enden je ein mit ihm gasdicht verbundener Dich- liegt. Es kann sich jedoch auch als zweckmäßig ertungs- bzw. Simmerring 17 bis 18 gehalten ist, die weisen, den Aufbau der Anordnung derart zu an ihren inneren Dichtungsflächen mit den Mantel- wählen, daß in auseinandergefahrenem Zustand der flächen der Schweißelektroden 12 bzw. 15 zusammen- Schweißelektroden das Ende der Schweißelektrode wirken. An den Hohlraum 19, welcher von dem 60 15 über den oberen Rand des Hülsenkörpers 16 her-Hülsenkörper 16 gasdicht umschlossen wird, ist der vortritt, wenn dieser Hülsenkörper 16 bis in seine Rohrkanal 20 angeschlossen, welcher mit einer unterste Stellung auf dem Elektrodenkörper 15 ver-Evakuierungspumpe oder einer Schutzgasfülleinrich- schoben worden ist. Das kann sich gegebenenfalls tung in Verbindung gebracht werden kann. als vorteilhaft erweisen, um die miteinander zu ver-F i g. 1 zeigt die Anordnung bereits mit einer 65 schweißenden Gehäuseteile 1 und 7 der Halbleitersolchen gegenseitigen Lage der Gehäuseteile der anordnung an ihren Verschweißungsstellen vor der Halbleiteranordnung, daß, nachdem der Raum 19, Durchführung des Schweißprozesses noch besser in in welchem die miteinander zu verschweißenden Augenschein nehmen zu können. Sobald die Ge-
häuseteile 1 und 7 dann einander zugeordnet und die Elektroden bis auf den gewünschten Abstand
aufeinander zugeführt worden sind, kann dann der Hülsenkörper 16 nach oben verschoben werden, wobei
er sich dann über die Grundplatte bzw. den Gehäuseteil 1 und schließlich auf die Mantelfläche
der Schweißelektrode 12 verschiebt.
Die Möglichkeit, die zu verschweißenden Stellen nach ihrer gegenseitigen Zuordnung in dem evakuierbaren
Gehäuse der Hilfsvorrichtung in Augenschein nehmen zu können, kann sich nicht nur vor der
Durchführung des Schweißprozesses, sondern auch während des Ablaufes des Schweißprozesses und
nach dessen Ablauf als zweckmäßig erweisen. Aus diesem Grunde kann der Hülsenkörper 16 auch der- 1S
art gestaltet werden, daß er mindestens in der Höhe derjenigen Stellen, hinter welchen, bezogen auf seine
innere Mantelfläche, die zu verschweißenden Stellen der Gehäuseteile der Halbleiteranordnung liegen,
durchsichtig ist. Das kann z.B. erfolgen, indem er mit einem entsprechenden Fensterteil ausgestattet ist.
Einfacher gestaltet sich der Aufbau hierfür, indem der Hülsenkörper 16 unmittelbar aus einem geeigneten
durchsichtigen Material hergestellt ist. Es eignen sich für diese Zwecke verschiedene Kunstharze.
Während bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1
der Hülsenkörper 16 mit den Dichtungsringen 17 und 18 über diese mit der Mantelfläche der Schweißelektroden
12 bzw. 15 zusammenwirkt, ist in Fig. 2 ein solches Ausführungsbeispiel wiedergegeben, nach
welchem der den evakuierbaren und mit Schutzgas füllbaren Raum abschließende Hülsenkörper 16 nunmehr
über seine Dichtungsringe 17 und 18 unmittelbar mit der Mantelfläche der beiden miteinander zu
verschweißenden Gehäuseteile 1 bzw. 7 der Halbleiteranordnung zusammenwirkt. Für eine einfache
Übersicht über die Abwandlung dieser Anordnung gegenüber derjenigen nach F i g. 1 sind für die Gehäuseteile
1 und 7 die gleichen Bezugszeichen behalten worden. So bezeichnet 1 wieder die Grundplatte
als den einen Gehäuseteil der Halbleiteranordnung. Sie ist in analoger Weise zu Fig. 1 mit einem
in der Darstellung von der oberen Fläche dieser Grundplatte nach oben ausladenden Gewindebolzen 2
versehen, der zur Befestigung der Halbleiteranordnung dient, indem dieser in einer Platte oder einem
Gerüst unter Benutzung einer Schraubverbindung befestigt wird. Dieser Grundplattenteil 1 ist im Falle
dieses Ausführungsbeispiels noch mit einem Zapfenteil Ib versehen, an dessen Oberfläche das Halbleiterelement
3 getragen ist. 4 bezeichnet wieder den Litzenkörper, der mit dem an dem einen Ende aufgepreßten
Hülsenkörper 6 mit dem zweiten Pol des Halbleiterelementes 3 verlötet worden ist. Dieser
Litzenkörper besitzt am anderen Ende wieder den zweiten Hülsenkörper 5. Der zweite Gehäuseteil 7
besteht in diesem Fall aus einem Metallzylinder 21, welcher an seinem Bodenteil mit einem Isolierkörper
22 z.B. aus Glas versehen ist, über welchen der elektrische Durchführungsleiter bzw. der Anschlußkörper
23 in Form einer sogenannten Druckglasverschmelzung isoliert getragen ist. Er ist wieder an
seinen beiden Enden mit je einer becherförmigen Aussparung 23 α bzw. 23 b versehen. In 23 α ist
wieder das Ende des Litzenkörpers bzw. der auf dieses aufgepreßte Hülsenteil 5 eingeführt. Die Teile 21
bis 23 bilden, wie angeführt, eine isolierte Durchführung in Form einer sogenannten Druckglasverschmelzung.
Die Eigenart einer solchen Druckglasverschmelzung ist bekanntermaßen, daß bei ihrer
Herstellung durch die entsprechende Bemessung des inneren Metallkörpers und des äußeren Metallkörpers,
welche den Glasmassekörper zwischen sich einschließen, in ihrem thermischen Ausdehnungskoeffizienten beim Erkalten der Glasmasse diese derart
durch das Zusammenwirken der beiden Körper unter Druck gesetzt wird, daß dieser Glaskörper bei den
auftretenden Betriebstemperaturen jederzeit nur Druckspannungen unterworfen bleibt und auf keinen
Fall Zugspannungen in ihm auftreten können. Diese Zugspannungen würden bekanntermaßen in dem
Glaskörper sonst zur Rissebildung führen, so daß dann also nicht mehr ein dichter Abschluß des von
dem Gehäuseteil umschlossenen Raumes gewährleistet bleiben würde. Der Gehäuseteil 21 ist an seinem
in der Figur oben liegenden Ende, d.h. dem Rand der Becherform, die er bildet, derart bemessen,
daß er mit seiner lichten Weite dicht über den Zapfenteil Ib an den Grundplattenkörper 1 paßt.
Ferner ist dieser Rand des Körpers 21, wie aus der Darstellung zu entnehmen ist, angespitzt, und zwar
derart, daß die ausladende Spitze in dem Ausgangszustand vor der Verschweißung der beiden Gehäuseteile
dem Scheitel des Winkels, welchen die Teile 1 b und der weitere Grundplattenkörper 1 bilden, unmittelbar
benachbart liegt. Durch diesen Aufbau wird ein ähnlicher Schweißvorgang erreicht, wie er
sonst bei einer Warzenschweißung abläuft, indem nämlich zunächst zwei Teile relativ geringen Querschnittes
an der Schweißstelle durch den Schweißstrom erhitzt werden, wonach dann durch ein Nachdrücken
die Verschweißung sich über die weitere Flächen 1 und 21 nur nach außen fortschreitend fortsetzt.
Durch den eigenartigen Aufbau der beiden Teile ist somit gewährleistet, daß der Schweißvorgang
in einer eindeutig vorbestimmten Weise von dem Scheitel des genannten Winkels aus nach außen fortschreitet,
so daß auf diese Weise wegen der eindeutigen Entstehung der Schweißstelle eine größere Sicherheit
gewährleistet wird, daß diese einen hohen Gütegrad hinsichtlich ihrer Dichtheit als auch der erreichten
mechanischen Festigkeit aufweist.
In dieser Anordnung ist nun wieder der Hülsenkörper 16 mit dem Evakuierungs- bzw. Füllkanal 20
vorhanden und an jedem seiner Enden mit je einem Dichtungsring 17 bzw. 18, vorzugsweise in Form eines
sogenannten Simmerringes, versehen. Jeder der Simmerringe ist an dem entsprechenden Ende des Hülsenkörpers
16 in seiner Lage ortsfest gehalten und geht in der dargestellten relativen Lage der Teile eine
Dichtung mit der Mantelfläche des Gehäuseteiles 21 bzw. der Mantelfläche der Grundplatte 1 ein. Wie die
Darstellung zeigt, ist im Interesse der Erreichung einer ausreichenden sicheren Berührungsfläche zwischen
dem oberen Simmerring 17 und der Mantelfläche des Grundplattenkörpers 1 dieser in axialer
Richtung mit größerer Höhe bemessen, als es bei dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 1 der Zeichnung
der Fall ist. Dieser besondere Aufbau stellt keinen Mangel dar, denn auf diese Weise wird auch unmittelbar
als Grundplatte 1 ein Körper benutzt, der in der Lage ist, eine größere, betriebsmäßig an dem
Gleichrichterelement 3 anfallende Verlustwärme als vorläufiges Speicherglied zu übernehmen, welches
dann die übernommene Wärmemenge als Wärmeleitbrücke an eine weitere Wärmesenke bzw. an einen
ίο
Kühlkörper abgibt. Mit 12 und 15 sind wieder die Schweißelektroden der Schweißmaschine bezeichnet,
über welche die miteinander zu verschweißenden Stellen der beiden Körper 1 und 21 mit elektrischer
Energie für den Schweißprozeß beschickt werden.
In dem Ausführungsbeispiel nach F i g. 3 ist eine weitere Lösung für die Verschweißung der Gehäuseteile
einer solchen Halbleiteranordnung gezeigt, wie sie grundsätzlich bereits in Fig. 1 enthalten ist. Die
könnte, wie es z. B. der Fall ist, wenn der eine Gehäuseteil 7 einen nach außen ausladenden Flansch
hat, über welchen er mit dem zweiten Gehäuseteil verschweißt ist, wie es sinngemäß die Fig. 1 der
Zeichnung erkennen läßt.
In Verbindung mit der beschriebenen Anordnung kann als zweckmäßige Weiterbildung der Erfindung
auch noch ein solcher elektrischer Aufbau benutzt werden, der es gestattet, den gesamten Arbeitsvor-
Halbleiteranordnung besitzt wieder einen becher- io gang, gerechnet von dem Einschluß der zu verförmigen
Teil 7 mit einem Metallring 8 und einem schweißenden Gehäuseteile in die Hilfsvorrichtung
Keramikkörper 9, einen becher- oder kappenförmi- bis zum vollständigen Ablauf des Schweißprogen
Metallkörper 10 und einen Anschlußkörper 11, zesses oder eine Kombination einer kleineren
der mit dem Teil 10 durch Hartlötung verbunden ist. Gruppe seiner Arbeitsschritte in einer vorteilhaften,
Auch die Verbindung zwischen den Teilen 8 und 9 15 schnellen und zweckmäßigen Weise zum Ablauf zu
bzw. 9 und 10 kann mittels einer Hartlötverbindung bringen.
hergestellt sein. Es ist ferner wieder die Grund- In diesem Sinne kann die Anordnung so getroffen
platte 1 vorhanden mit dem ausladenden Bolzen 2, werden, daß mit dem Überführen des Hülsenkörpers
dem Halbleiterkörper 3, dem Anschlußlitzenleiter 4 16 nach den Ausführungsbeispielen in die Betriebszum
zweiten Pol des Gleichrichterelementes, der mit 20 lage mit Erreichen derselben ein Kontakt geschlossen
den aufgepreßten Hülsenteilen 5 bzw. 6 versehen ist. wird bzw. Kontakte überbrückt werden als Quittungs-Nach
diesem Ausführungsbeispiel ist nunmehr für leistung dafür, daß der zu evakuierende Raum in ordden
Aufbau der Hilfsvorrichtung der Elektroden- nungsgemäßem Zustand mechanisch geschlossen
körper 15 der Schweißmaschine mit einem Absatz worden ist. Nunmehr folgt bei der Behandlung der
15 a versehen, auf welchen ein besonderer Zylinder 35 Halbleiteranordnung der Evakuierungsprozeß. Es
24 aufgeschoben ist. Auch die obere Schweiß- kann nun im Verlaufe dieses Prozesses, sobald die
elektrode 12 ist in diesem Falle von einem weiteren Evakuierung in dem Raum der Hilfsvorrichtung bis
ringförmigen Zylinderteil 25 umschlossen. Der Hül- auf den gewünschten Unterdruck stattgefunden hat,
senkörper 16 mit den beiden Simmerringen 17 bzw. wieder ein Schaltkontakt durch ein Vakuum-Kontakt-18
und dem Saug- bzw. Füllstutzen 20 wirkt über 30 manometer betätigt bzw. geschlossen werden. An
seine Dichtungsringe 17 bzw. 18 nunmehr mit den diese Evakuierung des gasdichten Raumes der HilfsMantelflächen
auf den Körpern 24 und 25 zusam- vorrichtung schließt sich deren Füllung mit Schutzmen,
welche die Elektroden der Schweißmaschine gas an. Es kann nun wieder die Anordnung derart
umgeben. In diesem Fall ist auch eine solche Anord- getroffen werden, daß, sobald der Raum, in welchem
nung gezeigt, bei welcher der Hülsenkörper 16 voll- 35 der Schweißvorgang durchgeführt werden soll, in der
ständig auf den die Elektrode 15 umschließenden erforderlichen Weise mit Schutzgas gefüllt worden ist,
durch ein Überdruck-Kontaktmanometer Kontakte geschlossen werden, so daß also über die ordnungsgemäße
Füllung quittiert wird. Nachdem alle drei 40 Vorgänge durch die entsprechende Quittungsleistung
in Form des Schließens der genannten Kontakte in der erforderlichen Weise beendet worden sind, ist
über diese in Reihe geschalteten Kontakte nunmehr ein Stromkreis so vorbereitet worden, daß durch
Halbleiteranordnung vor dem Schweißvorgang, wäh- 45 dessen Schließen mittels eines weiteren, bedienungsrend
desselben und nach demselben in Augenschein mäßig gesteuerten Kontakts bzw. Schalters nunmehr
die Einschaltung der Speisung der Schweißelektroden in der Schweißmaschine freigegeben wird. Anstatt
den Vakuummanometerkontakt und den Kontakt des solches Aggregat mit einer Hilfsvorrichtung, z.B. 50 Überdruck-Kontaktmanometers sowie den Schaltin
einer Anordnung, wie sie in Fig. 2 aus den bei- kontakt, der abhängig von der Überführung des verstellbaren
hülsenförmigen Körpers der Hilfsvorrichtung in die Betriebslage geschlossen wird, unmittelbar
in den Stromkreis einzuschalten, welcher die Schweißmaschine in der Weise vorbereitet werden 55 Einschaltung der Schweißmaschine freigibt, kann von
kann, daß nach der gegenseitigen Zuordnung der ge- jedem dieser Kontakte auch erst ein Relais gesteuert
Zylinder 24 bei dem Einbringen des zu schweißenden Gutes in die Schweißmaschine und bei der Entnahme
des geschweißten Gutes aus der Schweißmaschine heruntergeschoben werden kann.
Wie bereits angeführt, kann der Hülsenkörper 16 jeweils aus einem durchsichtigen Werkstoff hergestellt
werden, damit die miteinander zu verschweißenden Stellen der beiden Gehäuseteile der
genommen werden können, während die Schweißstelle noch unter Vakuum bzw. einer Schutzgasatmosphäre
steht. Es ist auch zu übersehen, daß ein
den miteinander zu verschweißenden Gehäuseteilen 1 und 21 zusammen mit dem Hülsenkörper 16 vorhanden
ist, ohne weiteres auch bereits außerhalb der
nannten Teile 1 und 21 in der dargestellten Lage zusammen mit dem Hülsenkörper 16 der umschlossene
Raum 19 nun durch 20 hindurch evakuiert und mit Schutzgas gefüllt werden kann.
Ein solches zunächst räumlich selbständiges evakuierbares Aggregat könnte aber auch im Sinne des
Aufbaues nach F i g. 1 bereits die beiden Schweißelektroden 12 und 15 umfassen, wenn die Außenwerden,
welches seinerseits einen in dem genannten Freigabe-Stromkreis der Schweißmaschine liegenden
Kontakt steuert bzw. schließt.
Es kann sich dabei als zweckmäßig erweisen, jedes oder einige dieser Relais, nachdem die Speisung seiner Wicklung über einen der Manometerkontakte od. dgl. erfolgt ist, über einen zugleich mit seinem Schaltkontakt betätigten Hilfskontakt weiterhin an
Es kann sich dabei als zweckmäßig erweisen, jedes oder einige dieser Relais, nachdem die Speisung seiner Wicklung über einen der Manometerkontakte od. dgl. erfolgt ist, über einen zugleich mit seinem Schaltkontakt betätigten Hilfskontakt weiterhin an
mantelflächen der Gehäuseteile der Halbleiteranord- 65 seiner Wicklung in Selbsthaltung zu speisen, auch
nung eine solche Gestalt haben, daß der Hülsen- wenn der genannte Kontakt des Manometers wieder
körper 16 mit seinen Dichtungsringen nicht ohne seine Schaltstelle auftrennt. So kann es z. B. zweckweiteres
in der Achsrichtung verschoben werden mäßig sein, das in der Vakuum-Kontaktmanometer-
509 568/302
anordnung über dessen Schaltkontakt an seiner Wicklung gespeiste Relais mit der Einschaltung seines
Schaltkontaktes weiterhin in Selbsthaltung über einen Hilfskontakt zu speisen. Dieser muß dann allerdings
in Reihe mit einem weiteren Kontakt liegen, durch dessen öffnung der Selbsthalte-Stromkreis des Relais
unterbrochen werden kann. An dem vom Überdruckmanometer gesteuerten Relais kann auf einen solchen
Selbsthalte-Stromkreis auch verzichtet werden. Auf diese Weise läßt sich erreichen, daß das Überdruck-Kontaktmanometer
auch noch selbsttätig überwacht, daß mindestens bis unmittelbar vor der Durchführung
oder auch noch während des Ablaufes des Schweißprozesses in dem Raum der Hilfsvorrichtung eine
Schutzgasfüllung mit entsprechendem Druck besteht. Sinkt nämlich der Druck der Schutzgasfüllung ab, so
würde das Überdruck-Kontaktmanometer die Speisung des Relais, welches es eingeschaltet hat, wieder
unterbrechen, so daß es also dann nicht mehr möglich ist, die Schweißmaschine einzuschalten, weil eine
Komponente des UND-Gatters des Stromkreises, welches gebildet wird, durch die genannten drei in
Reihe liegenden Kontakte, welche erstens von dem verstellbaren Hülsenkörper, zweitens von dem
Vakuumkontaktmanometer und drittens von dem Überdruck-Kontaktmanometer gesteuert werden und
durch den bedienungsmäßig betätigten Kontakt, ausgefallen ist.
Zur näheren Erläuterung dieses Vorgangs an Hand einer Schaltung wird nunmehr auf F i g. 4 der
Zeichnung Bezug genommen. In dieser bezeichnen 26 und 27 die beiden Sammelschienen, die an einer
durch die beiden Anschlußklemmen 28 und 29 angedeuteten Spannungsquelle liegen. Sobald der
Hülsenkörper 16 bei seiner Verstellung für das Schließen des gasdichten Gehäuses 19 der Hilfsvorrichtung
in die Betriebslage gelangt, kommt die von ihm getragene Schaltbrücke 36 α eines Schalters 36
mit den Gegenkontakten 36 b und 36 c in Berührung. Hierdurch wird ein Relais 35 mit einer Wicklung 35 a
an die Sammelschienen 26 und 27 angeschlossen. Sobald die Wicklung 35 a des Relais 35 gespeist ist,
schließt dieses Relais seinen Schaltkontakt 35 b, der in einem zwischen den Anschlußklemmen 33 und 34
herzustellenden Stromlauf liegt. An die Klemmen 33 und 34 ist ein Stromkreis zur Speisung eines Schaltungselements
in der Schweißmaschinensteuerung angeschlossen, durch welches die Einschaltung der
Speisung der Elektroden der Schweißmaschine und eventueller anderer vorher und nachher zu betätigender
Hilfseinrichtungen an der Schweißmaschine freigegeben wird. Mit 30 ist das Vakuum-Kontaktmanometer
bezeichnet, welches auf den Unterdruck anspricht, der jeweils in dem Raum 19 der verschiedenen
Ausführungsbeispiele der Hilfsvorrichtung erzeugt wird. Hat das Vakuum in diesem Raum einen
vorbestimmten unteren Wert erreicht, so schließt das Vakuum-Kontaktmanometer 30 seinen Schaltkontakt.
Hierdurch erfolgt die Speisung der Wicklung 31a eines Relais 31. Mit der Speisung der Wicklung 31a
betätigt dieses Relais seine Schaltkontakte 31 δ und 31c. Der Schaltkontakt 31 & liegt in einem Selbsthaltestromkreis
für das Relais 31 in Reihe mit einem Schalter 32, der bedienungsmäßig gesteuert werden
kann.
Es ist zu erkennen, daß auch nach einer öffnung des Schaltkontaktes des Vakuum-Kontaktmanometers
30 nach einer erfolgten Speisung des Relais 31 dieses in seinem eingeschalteten Zustand gehalten wird. Der
erwähnte Schaltkontakt 31 c des Relais 31 liegt wieder in dem Stromlauf, der zwischen den Anschlußklemmen
33 und 34 hergestellt werden soll.
38 bezeichnet ein Überdruck-Kontaktmanometer, welches seinen Schaltkontakt dann schließen soll,
wenn bei der Füllung des jeweiligen Raumes 19 der Hilfsvorrichtung mit einem Schutzgas dieses den erwünschten
Mindestdruck erreicht hat.
Sobald das Überdruck-Kontaktmanometer 38 seinen Schaltkontakt schließt, wird die Wicklung 37 a
eines Relais 37 von den Sammelschienen 28 und 29 gespeist. Hierdurch schließt dieses Relais 37 seinen
Schaltkontakt 37 b, der in dem herzustellenden Stromlauf zwischen den Anschlußklemmen 33 und 34
Hegt.
Durch die bisher geschilderten Vorgänge des Schließens des Schalters 36 und abhängig von diesem
des Relaiskontaktes 35 b, des Kontaktes des Vakuum-Kontaktmanometers 30 und abhängig von diesem
des Relaiskontaktes 31c, sowie des Schließens des
Schaltkontaktes des Überdruck-Kontaktmanometers 38 und abhängig davon des Relaiskontaktes 37 b, ist
nunmehr der Stromlauf zwischen den Anschlußklemmen 33 und 34 derart vorbereitet worden, daß
es nur noch einer Betätigung des Tastschalters 39 im Sinne seines kurzzeitigen Schließens bedarf, damit
die Einschaltung der Schweißmaschine für die Durchführung
des Schweißvorganges zwischen den Gehäuseteilen der Halbleiteranordnung erfolgen kann.
Der Schaltkontakt 32 ist in der Fig. 4 der Zeichnung
noch ein zweitesmal unterhalb des bedienungsmäßig gesteuerten Austasters 40 eingetragen und
gemäß der eingetragenen Wirkungslinie mechanisch mit diesem Schalter 40 in der Weise gekuppelt, daß
mit erfolgtem Öffnen des Schaltkontaktes von 40 der Schaltkontakt 32 auch wieder geöffnet wird, wodurch
das Relais 31 zum Abfallen kommt.
Mit der Betätigung des Tasters 39, der sich nach seiner Freigabe selbsttätig wieder öffnet, wird der
Ablauf der Funktionen an der Schweißmaschine eingeschaltet, insbesondere auch der Schweißzeittakter
der elektrischen Widerstandsschweißmaschine. Nach dem Ablauf des Schweißprozesses kann die elektrische
Einrichtung der Schweißmaschine durch Betätigen der Austaste in ihren Ausgangszustand zurückgeführt
werden.
Claims (12)
1. Verfahren zum Herstellen von Schweißstellen zwischen den Teilen eines Gehäuses,
welches ein Halbleiterelement gasdicht einschließt, durch elektrische Widerstandsverschweißung
in einem geschlossenen Raum vorbestimmter Atmosphäre, dadurch gekennzeichnet,
daß nach der gegenseitigen lagemäßigen Zuordnung der zu verschweißenden Stellen zunächst
der geschlossene Raum vorbestimmter Atmosphäre dadurch geschaffen wird, daß ein Hülsenkörper in eine Lage gebracht wird, in
welcher er über je einen Dichtungskörper eine gasdichte Verbindung an oder benachbart je
einem seiner Enden entweder unmittelbar mit je einem der beiden miteinander zu verschweißenden
Gehäuseteile oder mit je einer der Schweißelektroden oder mit einem besonderen Hilfskörper
an den Elektroden eingeht, anschließend in diesem Raum die gewünschte Atmosphäre ge-
schaffen wird, und daß dann die elektrische Widerstandsverschweißung durchgeführt wird.
2. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Hülsenkörper als Dichtungskörper Dichtungsringe nach Art von Wellendichtungsringen
trägt.
3. Anordnung nach Anspruch 2, dadurch gekennzeichnet, daß als Dichtungsringe sogenannte
Simmerringe benutzt werden, d. h. Dichtungskörper, die über besondere mechanische Spannvorrichtungen
gegen die abzudichtenden Flächen gepreßt werden.
4. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß der Hülsenkörper mindestens in der Höhe der Lage der miteinander zu verschweißenden
Stellen durchsichtig ist.
5. Anordnung nach Anspruch 4, dadurch gekennzeichnet, daß der Hülsenkörper aus durchsichtigem
Material besteht.
6. Anordnung nach Anspruch 5, dadurch gekennzeichnet, daß der Hülsenkörper aus einem
Kunstharz besteht.
7. Anordnung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß zur Herstellung der vorbestimmten Atmosphäre in dem geschlossenen Raum an dem
Hülsenkörper ein Anschluß für die Evakuierung und anschließende Schutzgasfüllung vorgesehen
ist.
8. Hilfsvorrichtung zur Durchführung des Verfahrens nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet,
daß in ihr abhängig von dem gasdichten Schließen des durch den Hülsenkörper anteilig
gebildeten geschlossenen Raumes nach dessen erfolgter Evakuierung und dessen erfolgter Füllung
mit Schutzgas bei einem vorbestimmten Mindestdruck jeweils ein Stromkreis, durch welchen
die Schweißmaschine gegen ihre elektrische Speisung zunächst verriegelt ist, stufenweise für
die Aufhebung dieser Verriegelung vorbereitet wird.
9. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß der Hülsenkörper Kontakte
trägt, die in dessen Betriebsstellung mit ruhenden Gegenkontakten in Berührung kommen und dadurch
entweder unmittelbar einen geschlossenen Schalter in dem Verriegelungsstromkreis bilden
oder ein Relais betätigen, dessen Schaltkontakt in dem Verriegelungsstromkreis liegt.
10. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß in Verbindung mit dem geschlossenen
Raum ein Vakuummanometer steht, dessen Schaltkontakt die Speisung der Wicklung eines Relais steuert, dessen Schaltkontakt in dem
Verriegelungsstromkreis liegt.
11. Anordnung nach Anspruch 10, dadurch gekennzeichnet, daß das Relais mit einem Selbsthaltestromkreis
ausgestattet ist.
12. Anordnung nach Anspruch 8, dadurch gekennzeichnet, daß an dem geschlossenen Raum
der Hilfsvorrichtung ein Überdruck-Kontaktmanometer angeschlossen ist, welches, sobald
das Schutzgas in diesem Raum bei der Füllung den erwünschten Mindestdruck erreicht hat,
seinen Kontakt schließt und dadurch die Speisung der Wicklung eines Relais steuert, dessen
Schaltkontakt in dem Verriegelungsstromkreis liegt.
In Betracht gezogene Druckschriften:
Deutsche Auslegeschriften Nr. 1041181,
1052574, 1083 936;
1052574, 1083 936;
französische Patentschrift Nr. 1210 447.
Hierzu 1 Blatt Zeichnungen
509 568/302 4.65 © Bundesdruckerei Berlin
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES71090A DE1192323B (de) | 1960-11-02 | 1960-11-02 | Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
CH1262061A CH412114A (de) | 1960-11-02 | 1961-10-31 | Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines Gehäuses eines Halbleiterbauelementes und Anordnung zur Durchführung dieses Verfahrens |
FR877751A FR1304912A (fr) | 1960-11-02 | 1961-11-02 | Procédé d'assemblage par soudage des éléments d'un boîtier destiné à un dispositif semi-conducteur et dispositif de mise en oeuvre dudit procédé |
GB3929461A GB994437A (en) | 1960-11-02 | 1961-11-02 | Apparatus for welding together parts of a housing for semi-conductor device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DES71090A DE1192323B (de) | 1960-11-02 | 1960-11-02 | Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1192323B true DE1192323B (de) | 1965-05-06 |
Family
ID=7502229
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DES71090A Pending DE1192323B (de) | 1960-11-02 | 1960-11-02 | Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH412114A (de) |
DE (1) | DE1192323B (de) |
GB (1) | GB994437A (de) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4625091A (en) * | 1985-04-29 | 1986-11-25 | Polaris Electronics Corp. | Method and apparatus for welding a cover on a circuit enclosure |
WO2014014483A1 (en) | 2012-07-18 | 2014-01-23 | Daniel Measurement And Control, Inc. | Method for forming a welded seal |
CN106735808B (zh) * | 2017-01-13 | 2022-07-26 | 捷映凯电子(昆山)有限公司 | 高压直流接触器焊接工艺及其专用电阻焊接设备 |
CN107553038B (zh) * | 2017-09-29 | 2019-04-02 | 北京时代民芯科技有限公司 | 一种用于双插头二极管引线焊接的工装及焊接方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1041181B (de) * | 1954-01-08 | 1958-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer vakuumdicht verschlossenen Fototransistoranordnung |
DE1052574B (de) * | 1957-04-08 | 1959-03-12 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper |
FR1210447A (fr) * | 1957-10-01 | 1960-03-08 | Hughes Aircraft Co | Perfectionnements apportés à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
DE1083936B (de) * | 1953-08-28 | 1960-06-23 | Int Standard Electric Corp | Elektrische Halbleitervorrichtung fuer groessere Leistungen und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung |
-
1960
- 1960-11-02 DE DES71090A patent/DE1192323B/de active Pending
-
1961
- 1961-10-31 CH CH1262061A patent/CH412114A/de unknown
- 1961-11-02 GB GB3929461A patent/GB994437A/en not_active Expired
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1083936B (de) * | 1953-08-28 | 1960-06-23 | Int Standard Electric Corp | Elektrische Halbleitervorrichtung fuer groessere Leistungen und Verfahren zur Herstellung einer solchen Vorrichtung |
DE1041181B (de) * | 1954-01-08 | 1958-10-16 | Siemens Ag | Verfahren zur Herstellung einer vakuumdicht verschlossenen Fototransistoranordnung |
DE1052574B (de) * | 1957-04-08 | 1959-03-12 | Philips Nv | Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper |
FR1210447A (fr) * | 1957-10-01 | 1960-03-08 | Hughes Aircraft Co | Perfectionnements apportés à la fabrication de dispositifs semi-conducteurs |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
GB994437A (en) | 1965-06-10 |
CH412114A (de) | 1966-04-30 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE1127000C2 (de) | Verfahren zum mechanisch festen verbinden eines verformbaren duennen elektrodendrahtes mit einem kristallinen halbleiterkoerper | |
DE2659871A1 (de) | Vakuumleistungsschalter und verfahren zu seiner herstellung | |
CH424918A (de) | Elektrischer Vakuumschalter | |
DE1170558B (de) | ||
DE2133136A1 (de) | Verfahren zum Herstellen von Lampen | |
DE1204751B (de) | Halbleiterbauelement mit einem scheibenfoermigen Gehaeuse und Verfahren zur Herstellung eines solchen Bauelementes | |
DE102006041782A1 (de) | Vakuumröhre und Verfahren zur Herstellung einer Vakuumröhre | |
DE2953127C1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines gekapselten gasgefuellten elektrischen Schalters | |
DE1098102B (de) | Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Halbleitervorrichtung | |
DE2045173A1 (de) | Elektrisches Kontaktmatenal | |
DE1192323B (de) | Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens | |
EP3116009B1 (de) | Verfahren zur herstellung eines elektrischen schaltkontakts | |
DE2004776C2 (de) | Halbleiterbauelement | |
DE838030C (de) | ||
DE1589543A1 (de) | Halbleiterbauelement und Verfahren zu seiner Weichlotkontaktierung | |
DE1236079B (de) | Steuerbare Halbleiteranordnung | |
DE102005030112A1 (de) | Lötzusatzwerkstoff | |
DE1879011U (de) | Elektrisches geraet, insbesondere funkenabgabevorrichtung. | |
DE1083439C2 (de) | Verfahren zur Herstellung gekapselter Halbleiteranordnungen | |
DE1088619B (de) | Flaechengleichrichter- bzw. Flaechentransistoranordnung und Verfahren und Einrichtung zu ihrer Herstellung | |
DE1151324B (de) | Verfahren zur Herstellung von Halbleiteranordnungen | |
DE1923664A1 (de) | Verfahren zur gegenseitigen dichten Verbindung eines Kappenkoerpers und eines rohrfoermigen Koerpers aus hitzebestaendigem Metall | |
DE1050913B (de) | ||
DE970576C (de) | Verfahren zur Herstellung einer Elektronenroehre zum Anfachen ultrahochfrequenter elektrischer Schwingungen, vorzugsweise des Dezimeter- oder Zentimeterwellenlaengengebietes | |
DE871040C (de) | Elektronenentladungsvorrichtung |