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Flächengleichrichter-bzw. Flächentransistoranordnung und Verfahren
und Einrichtung zu ihrer Herstellung Die Erfindung bezieht sich auf eine Verbesserung
in dem Aufbau einer Flächengleichrichter- bzw. Flächentransistoranordnung mit einem
Halbleiterkörper unter Benutzung von zwei über sich gegenüberliegende Ränder gegenseitig
dicht verbundenen Gehäuseteilen in Form von flachen Pfannen bzw. Tellern mit vertieften
Teilen, bei dem im Boden mindestens eines der beiden Gehäuseteile eine isolierte
Durchführung für einen elektrischen Anschlußleiter vorgesehen ist, welcher zu dem
Halbleiterkörper führt, der mindestens von dem dieser isolierten Durchführung gegenüberliegenden
Gehäuseteil getragen ist.
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Bei solchen Anordnungen war es bisher bekannt, für die Anbringung
bzw. Befestigung des eigentlichen Halbleiterelementes an einem der dieses einschließenden
Gehäuseteile lediglich einen Lötprozeß zu benutzen. Die Erfindung geht von der Erkenntnis
aus, daß ein solcher Lötprozeß insbesondere wegen der dabei gegebenenfalls entwickelten
Dämpfe zur Entstehung von Mängeln in dem einwandfreien elektrischen Zustand bzw.
dem einwandfreien betriebsmäßigen Verhalten der Halbleiteranordnung Anlaß geben
kann.
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Solche Mängel lassen sich jedoch an einer Halbleiteranordnung der
eingangs angegebenen Art dadurch ausschließen, daß erfindungsgemäß der Halbleiterkörper
auf einer Trägerplatte mittels eines Legierungsprozesses befestigt ist und daß die
Trägerplatte an über den Umfang des Halbleiterkörpers heraustretenden Flächenteilen
mit dem einen bzw. den beiden Gehäuseteilen verschweißt ist.
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Die auf diese Weise geschaffenen mechanischen Verbindungsstellen,
welche gegebenenfalls zugleich auch elektrische bzw. Wärmeübergangsstellen darstellen,
sind gleichzeitig auch gegen betriebsmäßige Beanspruchungen bei höheren Temperaturen
widerstandsfähig und sicher, falls solche in Rechnung gestellt werden müssen.
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Für die Verschweißung der Trägerplatte der Halbleiteranordnung mit
dem einen der Gehäuseteile eignet sich z. B. eine elektrische Widerstandsschweißung
nach Art einer Punktschweißung. Die über den Umfang des Halbleiterelementes heraustretenden
Flächenteile der Trägerplatte werden dann so bemessen, daß solche entsprechenden
Flächenteile vorhanden sind, auf welche die eine Elektrode für den Schweißvorgang
aufgesetzt werden kann. Infolge der Pfannen- oder Tellerform des Gehäuseteiles,
an welchem das Halbleiterelement befestigt wird, läßt sich das Schweißwerkzeug leicht
an den bzw. gegenüber den zu verschweißenden Stellen ansetzen.
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Diese über den Umfang des Halbleiterelementes sich hinaus erstreckenden
Teile der Trägerplatte können entweder an dem gesamten Umfang des Halbleiterelementes
vorhanden sein, oder sie können sich, nur auf gewisse Teile des Umfanges des Halbleiterelementes
beschränken. Halbleiterelement und Trägerplatte können hierbei entweder gleiche
geometrische Flächenformen aufweisen oder auch verschiedene. So kann beispielsweise
das Flächengleichrichterelement aus Silizium rechteckige bzw. quadratische Form
aufweisen, während die mit ihm verbundene Trägerplatte, die meistens aus Molybdän
besteht, z. B. die Form einer Kreisscheibe hat, deren Durchmesser beispielsweise
der Länge der Diagonale der Rechteckform des Halbleiterelementes entsprechen kann.
Es bleiben dann außerhalb des Umfanges des Halbleiterelementes entsprechende Kreissegmente
bestehen, an welchen die Widerstands erschweißung zwischen der Trägerplatte des
Halbleiterelementes und dem einen Gehäuseteil durchgeführt werden kann.
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Die gegenseitige mechanische Verbindung der Trägerplatte des Halbleiterelementes
mit dem einen Gehäuseteil kann in der Weise vorgenommen werden, daß eine starre
Verbindung zwischen beiden entsteht. Es kann die Anordnung jedoch auch so gewählt
werden, daß das Halbleiterelement seinerseits nachgiebig bzw. mit einer gewissen
Federung gegenüber dem eigentlichen Gehäuseteil getragen wird. Im letzteren Fall
kann dann zweckmäßig z. B. ein Zwischenträger benutzt werden, an welchem das Halbleiterelement
mit seiner Trägerplatte befestigt wird, der seinerseits erst mit dem einen Gehäuseteil,
vorzugsweise durch den Prozeß@ einer elektrischen Widerstandsschweißung,
insbesondere
durch Punktschweißung, verbunden wird. Die Anordnung kann aber auch derart gewählt
werden, daß kein besonderer Zwischenträger benutzt wird, sondern vielmehr die Trägerplatte
des Halbleiterelementes, welche mit dessen Halbleiterkörper durch den Legierungsprozeß
verbunden worden ist, also z. B. die Molybdänplatte, unmittelbar derart ausgebildet
ist, daß sie gleichzeitig die Funktion eines solchen an dem Gehäuseteil befestigten
Trägers übernehmen kann, welcher eine federnde Halterung des Halbleiterelementes
gewährleistet.
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Bei der Anordnung des Halbleiterelementes mit seinem Träger an dem
einen Gehäuseteil ist es für eine gute Wärmeabfuhr erwünscht, daß ein Übergang der
an dem Halbleiterelement anfallenden elektrischen Verlustwärme an den Gehäuseteil
über einen möglichst großen Wärmeübergangsquerschnitt erfolgen kann. Hierdurch empfiehlt
sich eine solche Befestigung des Halbleiterelementes bzw. seines Trägers an dem
einen Gehäuseteil, welche eine gute gegenseitige Anlage gewährleistet. Es wurde
hierfür als vorteilhaft erkannt, den einen Gehäuseteil derart auszubilden, daß mindestens
die Fläche, welche bei der Befestigung in gegenseitige Berührung mit der Trägerplatte
des Halbleiterelementes gelangt, eine leichte Durchwölbung aufweist, so daß bei
der Befestigung der Trägerplatte des Halbleiterelementes an ihren Umfangsteilen
bzw. nahe ihrem Umfang eine Vorspannung zwischen den zur gegenseitigen Anlage kommenden
Teilen von Trägerplatte des Halbleiterelementes und Gehäuseteil * stattfindet, durch
welche eine gute gegenseitige Anlage gewährleistet wird und betriebsmäßig erhalten
bleibt.
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Diese federnde Anordnung des Halbleiterelementes gegenüber dem einen
Gehäuseteil ist dann erwünscht, wenn sich der in der isolierten Durchführung an
dem anderen Gehäuseteil angeordnete Gegenkontakt für die eine Elektrode vorzugsweise
starr gegen diese Elektrode an dem Halbleiterelement legt. Die Federung gewährleistet
dann, daß keine unzulässige mechanische Beanspruchung des Halbleiterelementes entstehen
kann und für dieses ein gewisser Spielraum hzw. Weg vorhanden ist, welcher auf jeden
Fall eine gute Kontaktgabe zwischen dem Anschlußleiter und der Elektrode des Halbleiterelementes
ohne unzulässige mechanische Beanspruchung desselben gewährleistet.
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Eine solche Federung für die Gewährleistung eines solchen gegenseitigen
Kontaktes zwischen einem starr an der einen Elektrode anliegenden Kontakt und der
Elektrode des Halbleiterelementes läßt sich aber auch z. B. dadurch erreichen, daß
der zweite Gehäuseteil mit der isolierten Durchführung des einen Anschlußteiles
unmittelbar für die Übernahme der Funktion eines federnden Trägers des Kontaktes
ausgebildet ist. Der die isolierte Durchführung umschließende Gehäuseteil ist dann
so bemessen und aufgebaut, daß er nach Art einer Glockenfeder wirkt, die an ihrem
zentralen Teil den einen Anschlußkontakt für das Halbleiterelement in der elektrisch
isolierenden Durchführung trägt.
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Wenn keine starre gegenseitige Kontakgabe durch ein Gegeneinanderdrücken
von Anschlußelektrode und Elektrode des Halbleiterelementes benutzt wird, sondern
ein biegsamer Anschluß für die eine Elektrode des Gleichrichterelementes, so ist
es naturgemäß nicht erforderlich, für eine besondere Federung mit Rücksicht auf
die gegenseitige Kontaktgabe an der Anordnung Sorge zu tragen. - Ein solcher elektrischer
Anschluß an die eine Elektrode des Halbleiterelementes kann beispielsweise durch
einen Draht vorgenommen werden, der z. B. auf einem mittleren Teil seiner Länge
mit der Elektrode durch eine Lötverbindung verbunden ist und wonach dann die von
dieser Verbindungsstelle sich erstreckenden Drahtenden zu einer Wendel verdreht
und mit der inneren metallischen Fassung der isolierten Durchführung für diesen
Anschlußleiter in einem der Gehäuseteile verbunden werden. Die innere Fassung dieser
isolierten Durchführung wird vorzugsweise unmittelbar als Pumpröhrchen für die Evakuierung
des Innenraumes des Gehäuses ausgebildet. In diesem Fall wird dann der biegsame
Anschlußleiter der einen Elektrode vorzugsweise so weit in den Innenraum des Pumpröhrchens
hineingeführt, daß sein Ende an der Stelle liegt, wo nach dem Evakuierungs- bzw.
Füllungsprozeß des Innenraumes des Gehäuses das Pumpröhrchen an seinem außerhalb
des Gehäuses liegenden Teil für die Abdichtung des Innenraumes des Gehäuses gegen
die Umgebung flachgedrückt und gegebenenfalls zusätzlich verschweißt oder verlötet
wird.
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Die Gehäuseteile zum Einschluß des Halbleiterelementes sind, wie angeführt,
als pfannen- oder tellerartige Teile ausgebildet, die an ihren Randzonen vorzugsweise
über entsprechende an ihnen vorgesehene Flanschteile mechanisch und gasdicht miteinander
verbunden werden. In einem dieser Gehäuseteile kann dabei der z. B. aus Glas bestehende
Isolierkörper der Durchführung für den einen bzw. einen Anschlußleiter des in das
Gehäuse eingeschlossenen Halbleiterelementes, z. B. eines Gleichrichterelementes
aus einem Halbleiterkörper aus Silizium oder Germanium mit pn-Übergang, vorgesehen
sein. Der Isolierkörper der Durchführung kann entweder mit einer inneren und einer
äußeren metallischen Fassung aus-. gestattet sein und mit seiner äußeren Fassung
erst in dem einen pfannenartigen bzw. tellerartigen Teil des Gehäuses gasdicht befestigt
werden, oder es kann der eine pfannenartige Gehäuseteil unmittelbar die eine äußere
metallische Fassung an dem Isolierkörper der Durchführung bilden. Eine solche Anordnung
zeichnet sich weiterhin dadurch aus, daß auf einfache Weise eine wirksame gegenseitige
dichte Verbindung der beiden Gehäuseteile an den vorgesehenen aneinanderliegenden
Rändern durchgeführt werden kann. Insbesondere hat es sich hierbei als geeignet
erwiesen, diese Randzonen durch den genannten elektrischen Widerstandsschweißprozeß
miteinander zu verbinden. Vorzugsweise wird für die Durchführung dieses Schweißprozesses
eine Schweißung nach Art der sogenannten Warzenschweißung benutzt. Diese zeichnet
sich bekanntermaßen dadurch aus, daß an mindestens einer der miteinander zu verschweißenden
Flächen Erhöhungen vorgesehen sind, über welche bei der Einleitung des elektrischen
Schweißvorganges zunächst der Schweißprozeß eingeleitet wird, wonach dann die eigentlichen
Flächen., welche miteinander zu verschweißen sind, gegeneinandergeführt werden und
auch an diesen noch der Schweißprozeß stattfindet. In Verbindung mit der Erfindung
werden vorzugsweise als Warzen entsprechende herausgedrückte Vertiefungen an den
einzelnen zu verschweißenden Flächen benutzt. Handelt es sich um Gehäuseteile, welche
einen kreisförmigen Umfang haben, so können als geeignete Warzen für die Widerstandsschweißung
entsprechende ringförmige, die Pfannenform bzw. den vertieft liegenden Teil der
Tellerform als in sich geschlossene Kurvenzüge umgebende Erhöhungen an den miteinander
zu verschweißenden Rändern bzw. mindestens an einem derselben benutzt werden. Statt
eines
einzigen solchen Warzenkörpers mit in sich geschlossenem Umfang, z. B. eines Ringes,
können gegebenenfalls auch mehrere einander umschließende Warzenkörper bzw. Ringe
benutzt werden. Diese ergeben dann bei der Verschweißung sinngemäß mehrere zueinander
konzentrisch liegende Verbindungsstellen, welche unter dem Gesichtspunkt der Dichtung
zwischen dem Innen- und dem Außenraum in Reihe geschaltete Dichtungsstellen darstellen,
so daß also eine größere Sicherheit der Abdichtung des von den Gehäuseteilen eingeschlossenen
Raumes gewährleistet ist. Diese ringförmigen, für die Warzenschweißung vorgesehenen
Erhöhungen brauchen auch nicht an dem gleichen Rand bzw. Gehäuseteil vorgesehen
zu sein, sondern sie können auf die Ränder beider Gehäuseteile verteilt sein und
beim Zusammenbringen der miteinander zu verschweißenden Ränder sinngemäß einander
umschließen. Zur Durchführung einer solchen Warzenschweißung brauchen auch die warzenartigen
Teile nicht unmittelbar an einem oder beiden der Gehäuseteile erzeugt zu werden.
Sie ist auch z. B. in der Form anwendbar bzw. durchführbar, daß zwischen die Ränder
der beiden zu verbindenden Gehäuseteile ein entsprechender dünner Draht eingelegt
wird. Dieser kann bereits vorher durch einen besonderen Bearbeitungsprozeß zu einem
in sich geschlossenen Ring gestaltet worden sein. Es kann jedoch auch ein solches
Einlegen des Drahtes zwischen die Ränder der zu verschweißenden Gehäuseteile stattfinden,
daß sich die Enden des Drahtes um ein kurzes Stück überlappen, wofür sie gegebenenfalls
etwas abgeflacht bzw. angepaßt sein können. Damit dieser Draht nach dem Einlegen
zwischen die beiden Gehäuseteile unmittelbar in seiner Lage gehalten ist, kann entweder
der Rand eines der Gehäuseteile oder können auch die Ränder beider Gehäuseteile
mit einer entsprechenden leichten Sicke versehen sein, in welche der Draht eingelegt
wird bzw. sich einlegt. Nach dem Einlegen des 'Drahtes zwischen die Ränder der beiden
Gehäuseteile und deren Gegeneinanderführen wird dann sinngemäß der elektrische Schweißprozeß
durch Widerstandsschweißung durchgeführt.
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An Stelle einer gegenseitigen Verbindung von Randteilen, die lediglich
aneinanderliegen und durch einen geeigneten Prozeß zu einer Haftverbindung miteinander
gebracht werden, kann aber auch gegebenenfalls eine gegenseitige Falzverbindung
zwischen den Rändern der Gehäuseteile benutzt werden. Damit auch in diesem Falle
ein dichter Abschluß an der Falzverbindung gewährleistet ist für den Innenraum des
Gehäuses, kann zwischen den miteinander verfalzten Rändern der Gehäuseteile eine
entsprechende Dichtungseinlage benutzt werden, die den jeweilig zu beherrschenden
Temperaturverhältnissen Rechnung trägt. Sind keine hohen anfallenden Temperaturen
in Rechnung zu stellen, so genügt gegebenenfalls die Einlage einer entsprechenden
Gummidichtung.
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Es kann auch eine solche Ausführungsform für den Aufbau eines Gleichrichtergehäuses
benutzt werden, bei welchem an dem Gleichrichtergehäuse kein besonderer Evakuierungsstutzen
bzw. Füllungsstutzen vorgesehen ist. Die Lösung für einen solchen Aufbau läßt sich
z. B. dadurch verwirklichen, daß die gegenseitige Verbindung der Ränder der beiden
Gehäuseteile unter Anordnung der beiden Gehäuseteile in einem trogartigen Behälter
vorgenommen wird; dabei wird dieser Behälter zunächst mit einem inerten Gas ausgespült,
wodurch gleichzeitig auch der Raum zwischen den beiden einander bereits angenäherten
Gehäuseteilen von Luft freigespült wird. Während der Vornahme der gegenseitigen
Verbindung der gegeneinander geführten Gehäuseränderteile in dem trog artigen Behälter,
z. B. durch einen Schweißprozeß, ist somit sinngemäß der von beiden Gehäuseteilen
umschlossene Raum bereits mit dem Schutzgas gefüllt. Ein solcher Fertigungsprozeß
eines Gleichrichtergehäuses läßt sich insbesondere dann in vorteilhafter Weise durchführen,
wenn z. B. bei Anwendung einer Widerstandsschweißung zwischen den Rändern der Gehäuseteile
unmittelbar die eine Elektrode bzw. ein diese fassender Körper nach Art eines solchen
Troges ausgebildet ist. Damit die Ausspülung dieses trogartigen Raumes in möglichst
vollkommener Weise durchgeführt wird und insbesondere am Boden der trogartigen Form
keine schädlichen Gasreste vorhanden sein können, ist die Trogform in einer Seitenwand
vorzugsweise mit Düsen versehen, die unmittelbar an der Bodenfläche der Trogform
münden, durch die hindurch nach innen in die Trogform hinein das neutrale bzw. inerte
Schutzgas geblasen wird und dann z. B. nach oben aus der Becherform entweicht, wobei
es die schädlichen Gasreste hinausspült.
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Die Durchführung des Spülprozesses mit dem Schutzgas kann in verschiedener
Weise durchgeführt werden. So kann das Gehäuse mit vertikaler Lage der Achsen seiner
Gehäuseteile in dem Trogbehälter angeordnet werden oder' auch mit horizontaler Lage
dieser Achsen. Im letzteren Fall wird dann der Spülstrom des Schutzgases im wesentlichen
nur von unten nach oben durch den Raum des trogartigen Behälters und zwischen den
Gehäuseteilen hindurchgeführt.
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Bei einer horizontalen Lage kann das Schutzgas entweder durch eine
Vielzahl von Düsen nach der Mitte zu eingeblasen werden. Dabei sind aber diese Düsen
gegebenenfalls derart steuerbar in ihrem Durchlaß, daß zu verschiedenen Zeiten nur
eine Anzahl von ihnen mit Schutzgas beschickt wird, so daß nur ein einseitig gerichteter
Spülstrom erzeugt wird, dessen Richtung aber während des Spülprozesses dadurch geändert
werden kann, daß alsdann eine entsprechende Anzahl anderer Düsen für die Spülung
des trogartigen Behälters benutzt bzw. freigegeben wird. Das läßt sich leicht durch
entsprechende mit den Düsen zusammenwirkende Schieber z. B. verwirklichen.
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Beispielsweise Ausführungen für die Anwendung der Erfindung veranschaulichen
die Figuren der Zeichnung.
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In Fig. 1 bezeichnen 1 und 2 zwei pfannenartige bzw. tellerartige
Gehäuseteile, welche mit flanschartig ausgestalteten Rändern l a, und 2 a
aneinanderliegen. An diesen aneinanderliegenden Flanschteilen kann eine entsprechende
elektrische Widerstandsverschweißung vorgenommen werden. In einem vertieften Teil
des pfannenartigen Teiles 1 ist das Gleichrichterelement 3, z. B. ein Halbleiterelement
mit pn-Übergang aus Silicium oder Germanium, angeordnet. In dem Gehäuseteil 2 ist
der z. B. durch eine Glasverschmelzung gebildete Isolierkörper 4 für die Durchführung
eines elektrischen Anschlußleiters vorgesehen. Die äußere metallische Fassung- dieser
isolierten Durchführung wird unmittelbar durch den tellerartigen Gehäuseteil 2 gebildet.
Die innere metallische Fassung der isolierten Durchführung bildet ein Röhrchen-5,
welches gleichzeitig für die Evakuierung des von den beiden Gehäuseteilen 1 und
2 umschlossenen Raumes benutzt wird. In den Hohlraum dieses Röhrchens 5 erstreckt
sich von dem Halbleiterelement 3 ein zu einer Wendel verdrehter Draht 6, dessen
unteres Ende an dem Halbleiterelement z. B. durch einen Löt-oder Schweißprozeß befestigt
ist.
Die Fig. 1 zeigt die Anordnung im Schnitt in einem Zustand
während der Fertigung der Halbleiteranordnung, denn das Röhrchen 5, welches für
die Evakuierung des von 1, 2 und 4 umschlossenen Gehäuseraumes und dessen eventueller
Füllung mit Schutzgas dient, ist oben noch offen. Dieses Rohr wird nach der Evakuierung
und eventuellen Füllung des Gehäuseraumes mit Schutzgas über eine Strecke, etwa
von der Länge a, derart zusammengequetscht, daß dadurch der Innenraum des Gehäuses
nach außen gasdicht abgeschlossen wird, was jedoch an der Anordnung noch nicht verwirklicht
ist.
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Fig. 2 zeigt eine Draufsicht auf den unteren Gehäuseteil 1 und die
Befestigung des Halbleiterelementes 3 durch eine Punktschweißung an dem Gehäuseteil
1. Der eigentliche Halbleiterkörper, z. B. ein Siliziumkörper mit pn-Übergang, ist
mit der einen Elektrode, die z. B. durch eine Aluminiumelektrode gebildet wird,
zunächst auf der Trägerplatte 7 aus Molybdän unmittelbar durch den zur Herstellung
des Halbleiterelementeaufbaues durchgeführten Legierungsprozeß befestigt worden.
Wie aus der Darstellung zu erkennen ist, erstreckt sich diese Trägerplatte über
den Umfang des Halbleiterelementes 3 hinaus. Diese Trägerplatte ist nun an den Punkten
7d bis 7d mittels einer Widerstandspunktschweißung mit dem Gehäuseteil 1 verbunden.
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In den Fig.3 und 4 ist eine weitere Ausführung veranschaulicht, bei
welcher in dem Gehäuseteil 2 mit dem Isolierkörper 4 ein starrer Kontakt 8 benutzt
ist, welcher sich mit seinem unteren Ende gegen die obere Elektrode 3 ca
des Halbleiterelementes 3 legt. Um trotz der Anwendung dieses starren Kontaktes
8 für das Zusammenwirken mit der oberen Elektrode 3 a am Halbleiterelement 3 eine
gute gegenseitige Kontaktgabe ohne unzulässige mechanische Beanspruchung des Halbleiterelementes
zu erreichen, ist in diesem Fall das Halbleiterelement über die Trägerplatte 7 aus
Molybdän zunächst an einem segmentförmigen Teil 9 durch Punktschweißung (7a bis
7d) befestigt. Dieser segmentförmige bzw. kreissektorförmige Teil
9
ist seinerseits erst an bzw. nahe seinem äußeren Rand mit dem Gehäuseteil
1 an den Stellen 10a bis 10 c durch eine Punktschweißung mit dem Gehäuse 1 verbunden.
11 bezeichnet einen an dem Gehäuseteil l befestigten Anschlußdraht, wofür ebenfalls
eine Schweißverbindung benutzt sein kann. Bei dieser zuletzt beschriebenen beispielsweisen
Ausführung ist kein besonderes Evakuierungsröhrchen benutzt. Die entsprechende Vorbereitung
des Innenraumes des Gehäuses in der Weise, daß keine nachteilige Luft vorhanden
ist, erfolgt dadurch, daß unmittelbar vor der gegenseitigen Verbindung der Gehäuseteile
eine Ausspülung des Hohlraumes dieses Gehäuses mittels eines Schnitzgases stattfindet.
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An Hand der beiden einander entprechenden Risse nach den Fig.5 und
6 soll nunmehr eine Fertigung eines Gehäuses für eine Gleichrichteranordnung aus
tellerartigen Gehäuseteilen 1 und 2 erläutert werden, wenn an den Gehäuseteilen
kein besonderer Evakuierungsstutzen bzw. Füllstutzen benutzt ist. In diesen Figuren
bezeichnet 12 die untere Elektrode der Schweißanordnung, welche an ihrem oberen
Ende besonders gestaltet ist für das Einlegen des Gehäuseteiles 1. Sie weist einen
Absatz 12a auf, auf welchen der Gehäuseteil 1 mit der Außenfläche seines Randteiles
1 d aufgelegt ist. Wie aus der Darstellung nach Fig. 5 zu erkennen ist, ist auf
dem unteren Gehäuseteil 1 für die Durchführung der Warzen-Widerstandsverschweißung
ein ringförmiger Draht 18 in eine leicht ringförmige Vertiefung am Rand 1 a des
Gehäuseteiles 1 eingelegt. Dieser Gehäuseteil 1 kann dabei, wie es dargestellt ist,
unmittelbar bereits mit dem Anschlußleiter 11 versehen sein. Es ist aus diesem Grund
in der Elektrode 12 eine entsprechende Bohrung 12 b vorgesehen, in welche sich dieser
Leiter 11 erstrecken kann. Die Elektrode 12 ist weiterhin an ihrem oberen Ende mit
einem Randteil 12c versehen, so daß eine Becherform entsteht. In diesem Randteil
12 c sind Bohrungen 12 d vorgesehen. Diese bilden einen Düsenkranz, durch den hindurch
aus dem Hohlraum 12e, der mittels des Anschlußstutzens 16 mit Schutzgas beschickt
wird, das Schutzgas in den Innenraum der Becherform eingeblasen werden kann. Der
Hohlraum 12 e wird gemeinsam gebildet durch den Elektrodenkörper 12 und den Ringkörper
17. 3 bezeichnet, wie bereits in den vorausgehenden Figuren erläutert, das über
die Trägerplatte 7 an dem Gehäuseteil 1 befestigte Halbleiterelement. 13 bezeichnet
die zweite Elektrode der Schweißvorrichtung. Diese ist ebenfalls mit einer Bohrung
13a versehen. In diese kann der an dem Gehäuseteil 2 befestigte Anschlußdraht 14
eingeführt werden, wobei er sich zwischen die Schenkel der in der Bohrung 13a vorgesehenen
Feder 15 einschiebt. Durch dieses Festklemmen des Anschlußdrahtes 14 wird der zweite
Gehäuseteil 2 mit seinem äußeren Randteil unmittelbar gegen das untere Ende der
Elektrode 13 gehalten. Zum Beispiel in der dargestellten relativen Lage .der Elektroden
12 und 13 und der Gehäuseteile 1 und 2 wird nun zunächst ein Spülprozeß in der Becherform
der Elektrode 12 durchgeführt. Nach einer ausreichenden Spülung der Becherform werden
dann die beiden Elektroden 12 und 13 und damit die Ränder der Gehäuseteile
1 ca bzw. 2a gegeneinandergeführt und zwischen diesen Rändern dann die elektrische
Widerstandsverschweißung der beiden Gehäuseteile durchgeführt. Nach Beendigung derselben
wird dann durch das Emporheben der Elektrode 13 unmittelbar das verschweißte Gehäuse
aus der Form herausgehoben.
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Die Fig..7 und 8 zeigen ein Ausführungsbeispiel in zwei einander entsprechenden
Rissen, wobei Fig.7 eine Schnittdarstellung ist, für die Anwendung der Erfindung
im Fall einer Transistoranordnung. Das Transistorelement ist mit 19 bezeichnet.
Es besteht aus dem Halbleiterkörper 19a mit den drei Elektroden 19 b, 19
c und 19 d. Die Basiselektrode 19 d
umschließt ringförmig die scheibenförmige
Emitterelektrode 19 c. Auf der anderen Seite des Halbleiterelementes ist die Kollektorelektrode
19 b angeordnet. An ihr ist der Anschlußdraht 20 befestigt, z. B. durch Lötung.
Dieser Draht 20 erstreckt sich in das Röhrchen 21, welches die innere metallische
Fassung am Isolierkörper 22 bildet. Die äußere metallische Fassung des Isolierkörpers
22 bildet unmittelbar der Gehäuseteil 2. 21, 22 und 2 bilden z. B. zusammen eine
Druckglasverschmelzung. Der untere Gehäuseteil 1 ist wieder unmittelbar als die
äußere metallische Fassung des Isolierkörpers 23 benutzt, der andererseits mit dem
Körper 24 als Durchführungsleiter, ebenfalls in Form einer Druckglasverschmelzung,
gasdicht verbunden ist. Dieser Durchführungsleiter 24 bildet an seinem inneren Ende
den Kontaktkörper 24a für das Zusammenwirken mit der Emitterelektrode 19c des Halbleiterkörpers
19 nach dem Zusammenbau der Anordnung. Der Halbleiterkörper 19 ist weiterhin über
seine Basiselektrode 19 d mit einem ringscheibenförmigen Tei125 mechanisch und elektrisch
verbunden. Dieser Teil 25 ist mit einigen Bohrungen 25a versehen, damit die Räume
der beiden
Gehäusehälften miteinander in Verbindung stehen, wenn
das Gehäuse nach dem gegenseitigen Verschweißen der Gehäuseteile durch das Röhrchen
21
hindurch evakuiert und gegebenenfalls mit Schutzgas und anschließend durch
Abquetschen nach außen gasdicht abgeschlossen wird. Der ringscheibenförmige Teil25
ist derart bemessen, daß er sich mit seinem äußeren Rand zwischen die Randteile
1a und 2a der Gehäuseteile l und 2 erstreckt, wenn diese gegen.einandergeführt und
anschließend miteinander verschweißt werden. An dem scheibenförmigen Teil ist noch
eine Anschlußfahne 25b vorgesehen.