DE1052574B - Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper - Google Patents

Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper

Info

Publication number
DE1052574B
DE1052574B DEN14907A DEN0014907A DE1052574B DE 1052574 B DE1052574 B DE 1052574B DE N14907 A DEN14907 A DE N14907A DE N0014907 A DEN0014907 A DE N0014907A DE 1052574 B DE1052574 B DE 1052574B
Authority
DE
Germany
Prior art keywords
room
electrode systems
temperature
constant
semiconducting body
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
DEN14907A
Other languages
English (en)
Inventor
Hedwig Sandmeijer
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Koninklijke Philips NV
Original Assignee
Philips Gloeilampenfabrieken NV
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Philips Gloeilampenfabrieken NV filed Critical Philips Gloeilampenfabrieken NV
Publication of DE1052574B publication Critical patent/DE1052574B/de
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/02—Containers; Seals
    • H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
    • H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
    • H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
    • H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
    • H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01019—Potassium [K]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01023—Vanadium [V]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01075—Rhenium [Re]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/161—Cap
    • H01L2924/1615—Shape
    • H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Junction Field-Effect Transistors (AREA)

Description

DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Körper, die mit einer vakuumdichten Hülle versehen sind, beispielsweise Transistoren oder Kristalldioden, und auf eine Vorrichtung zum Durchfähren dieses Verfahrens. Die Eigenschaften solcher Elektrodensysteme werden bekanntlich durch das Vorhandensein einer Wasser- oder Wasserdampfmenge, die an gewisse Grenzen gebunden ist, günstig beeinflußt (s. beispielsweise den Aufsatz von Wahl und Kleimack, »Proceedings of the Institute of Radio Engineer«, 35. Jahrgang, April 1956, S. 494 bis 502).
In der Praxis ist es jedoch schwierig, die richtige Wasserdampfmenge zuzusetzen, und deshalb enthielten bisher solche Systeme meist gar keinen Wasserdampf oder wurden mit einem Trocknungsmittel versehen, das den Wasserdampf nach Abschluß der Hülle beseitigte.
Mit dem vorliegenden Verfahren ist es möglich, auf einfache Weise eine innerhalb verhältnismäßig enger Grenzen zu haltende Wassermenge in die Hülle eines Elektrodensystems mit einem halbleitenden Körper einzubringen. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß die Elektrodensysteme, nachdem sie eine gewisse Zeit in einem trockenen Raum bei konstanter Temperatur aufbewahrt worden sind, in einen zweiten Raum mit höherer konstanter Temperatur und konstanter Feuchtigkeit gebracht und dort mittels ihrer Hülle gegen die Umgebung abgeschlossen werden.
Die Temperatur im ersten, trockenen Raum liegt vorzugsweise unterhalb des Gefrierpunktes, beispielsweise bei — 20° C, wodurch die Feuchtigkeit sehr niedrig wird.
Bei der Anwendung des vorliegenden Verfahrens schlägt sich, sobald die Elektrodensysteme in den zweiten Raum eingebracht worden sind, auf ihnen eine gewisse Wassermenge nieder, die von der Wärmekapazität der Systeme, den Temperaturen der beiden Räume und der Feuchtigkeit im zweiten Raum abhängig ist.
Selbstverständlich soll das Abschließen der Hülle im zweiten Raum verhältnismäßig rasch nach dem Augenblick erfolgen, in dem die Elektrodensysteme in diesen Raum hineingebracht werden, um zu verhüten, daß der anfangs kondensierte Dampf in erheblichem Maße wieder verdampft.
Die Erfindung wird an Hand eines in einer schematischen Zeichnung erläuterten Ausführungsbeispiels nachstehend näher erläutert.
Fig. 1 stellt eine Vorrichtung zur Durchführung des vorliegenden Verfahrens dar;
Fig. 2 ist eine Ansicht der Teile eines Transistors vor der Anwendung des Verfahrens.
Verfahren zum Herstellen
von Elektrodensystemen
mit einem halbleitenden Körper
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 8. April 1957
Hedwig Sandmeijer1 Zürich (Schweiz),
ist als Erfinder genannt worden
Die Vorrichtung besteht aus zwei aneinander angrenzenden Räumen 1 und 2, die durch eine Wand 3 voneinander getrennt sind. Sie sind mit nicht dargestellten Öffnungen, sogenannten Armlöchern, versehen, die es dem Bedienungspersonal ermöglichen, innerhalb der Räume zu manipulieren, ohne daß die Temperatur oder die Feuchtigkeit in diesen Räumen in erheblichem Maße beeinflußt wird.
Im Raum 1 wird eine konstante Temperatur von beispielsweise — 20° C aufrechterhalten, und in diesem Raum werden Elektrodensysteme aufbewahrt. Als Beispiel eines solchen Systems zeigt Fig. 2 ein Transistorelektrodensystem, das aus einem isolierenden Boden 10, drei Durchführungsleitern 11 und einem halbleitenden Kristall 12 mit Elektroden besteht.
Im Raum 2 herrscht eine Temperatur von + 20° C bei einer relativen Feuchtigkeit von 20°/o. Wenn im ersten Raum Gleichgewicht herrscht, wird ein Elektrodensystem durch eine nicht dargestellte verschließbare Öffnung in der Wand 3 aus dem ersten in den zweiten Raum gebracht und mit einer Kappe 13 versehen, die bereits im Raum 2 aufbewahrt wurde. Der Boden 10 und die Kappe 13 werden vorzugsweise gemäß einem derartigen Verfahren vakuumdicht miteinander verbunden, daß sich keine solche Temperaturerhöhung ergibt, auf Grund welcher Wasserdampf aus dem Innern entweichen könnte. Zu diesem Zweck können die Teile mit einem aus Äthoxylinharz bestehenden erhärtenden Kitt zu einem einheitlichen
809· 769/453

Claims (3)

  1. Ganzen vereinigt oder beispielsweise durch Kaltschweißen miteinander verbunden werden.
    Patentansprüche:
    1. Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Körper, die mit einer vakuumdichten Hülle versehen sind, beispielsweise Transistoren oder Kristalldioden, die eine Wasser- oder Wasserdampfmenge enthalten, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodensysteme, nachdem sie eine gewisse Zeit in einem trockenen Raum bei konstanter Temperatur aufbewahrt worden sind, in einen zweiten Raum mit
    höherer konstanter Temperatur und konstanter Feuchtigkeit eingebracht und dort mittels ihrer Hülle gegen die Umgebung abgeschlossen werden.
  2. 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur im ersten Raum unter dem Gefrierpunkt (0° C) liegt.
  3. 3. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus zwei durch eine Wand getrennten Räumen besteht und daß die Atmosphäre im ersten Raum eine konstante niedrigere Temperatur und eine konstante niedrigere Feuchtigkeit als der zweite Raum aufweist.
    Hierzu IBlatt Zeichnungen
    © 809 769/453 3.59
DEN14907A 1957-04-08 1958-04-05 Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper Pending DE1052574B (de)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
NL358867X 1957-04-08

Publications (1)

Publication Number Publication Date
DE1052574B true DE1052574B (de) 1959-03-12

Family

ID=19785325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
DEN14907A Pending DE1052574B (de) 1957-04-08 1958-04-05 Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper

Country Status (5)

Country Link
CH (1) CH358867A (de)
DE (1) DE1052574B (de)
FR (1) FR1194289A (de)
GB (1) GB876744A (de)
NL (2) NL216173A (de)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1192323B (de) * 1960-11-02 1965-05-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE1192323B (de) * 1960-11-02 1965-05-06 Siemens Ag Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens

Also Published As

Publication number Publication date
CH358867A (de) 1961-12-15
NL216173A (de) 1900-01-01
FR1194289A (de) 1959-11-09
NL107368C (de) 1900-01-01
GB876744A (en) 1961-09-06

Similar Documents

Publication Publication Date Title
DE1033335B (de) Verfahren zum Herstellen duenner halbleitender Schichten aus halbleitenden Verbindungen
DE840418C (de) Verfahren zum Herstellen Stoerstellen enthaltender Halbleiter, insbesondere fuer Trockengleichrichter
Dahlberg Zur Theorie des Begriffs (Towards a theory of the concept)
DE1052574B (de) Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper
DE898479C (de) Elektrischer Kondensator mit einem Dielektrikum aus auf einem Belegungsmetall aufgewachsenen Umsetzungsprodukten
DE1813371C3 (de) Verfahren zur Herstellung eines mit Rizinusöl imprägnierten elektrischen Kondensators
Schwarz Die Denkform der Hegelschen Logik
DE1415606A1 (de) Verfahren zur Regulierung der elektrischen Eigenschaften von kristallinem Siliziumkarbid
DE803919C (de) Verfahren zur Herstellung einer Kathode einer elektrischen Entladungsroehre
DE441862C (de) Verfahren zum Trocknen von Sammlerplatten
DE485600C (de) Parfuemverdunster
AT243243B (de) Verfahren zur Herstellung von Oximen cycloaliphatischer Ketone mit mindestens 12 Kohlenstoffatomen
DE934294C (de) Verfahren zur Befestigung von Kontaktelementen in quellbaren elektrischen Isolierstoffen, insbesondere Polystyrol
DE886784C (de) Verfahren zum Abdichten von Oberflaechen von Gegenstaenden, insbesondere von Kondensatorgehaeusen
Köhler Gestalt psychology today.
DE911298C (de) Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kondensators, der aus Metallbelegungen und zwischen diesen angeordneten Trennschichten besteht
Mitter Zur Zweipunktfunktion in nichtlinearen Spinortheorien
DE815024C (de) Verfahren zur Behandlung von Tabak und anderem Gut mit Dampf im Vakuum
DE1778456A1 (de) Verfahren und Vorrichtung zum Gefriertrocknen
DE676973C (de) Roehrengleichrichter, dessen Anode im Gebiet der Entladung aus zwei einander gegenueberstehenden parallelen Platten besteht, zwischen denen die Kathode angeordnet ist
DE1792050A1 (de) Verfahren zur Herstellung eines Mittels zur Bekaempfung von Geschwulstkrankheiten
DE1077789B (de) Kuehleinrichtung fuer ein in einem Behaelter eingeschlossenes scheibenfoermiges Halbleiterelement mit mindestens einem pn-UEbergang
DE722628C (de) Verfahren und Vorrichtung zum Trocknen von Tabakwaren
DEP0038601DA (de) Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern
DE2037355A1 (en) Compound materials mfr