DE1052574B - Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper - Google Patents
Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden KoerperInfo
- Publication number
- DE1052574B DE1052574B DEN14907A DEN0014907A DE1052574B DE 1052574 B DE1052574 B DE 1052574B DE N14907 A DEN14907 A DE N14907A DE N0014907 A DEN0014907 A DE N0014907A DE 1052574 B DE1052574 B DE 1052574B
- Authority
- DE
- Germany
- Prior art keywords
- room
- electrode systems
- temperature
- constant
- semiconducting body
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/02—Containers; Seals
- H01L23/04—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls
- H01L23/041—Containers; Seals characterised by the shape of the container or parts, e.g. caps, walls the container being a hollow construction having no base used as a mounting for the semiconductor body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/16—Fillings or auxiliary members in containers or encapsulations, e.g. centering rings
- H01L23/18—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device
- H01L23/26—Fillings characterised by the material, its physical or chemical properties, or its arrangement within the complete device including materials for absorbing or reacting with moisture or other undesired substances, e.g. getters
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01074—Tungsten [W]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01075—Rhenium [Re]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/161—Cap
- H01L2924/1615—Shape
- H01L2924/16152—Cap comprising a cavity for hosting the device, e.g. U-shaped cap
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Encapsulation Of And Coatings For Semiconductor Or Solid State Devices (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Junction Field-Effect Transistors (AREA)
Description
DEUTSCHES
Die Erfindung bezieht sich auf ein Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Körper, die mit einer vakuumdichten Hülle
versehen sind, beispielsweise Transistoren oder Kristalldioden, und auf eine Vorrichtung zum Durchfähren
dieses Verfahrens. Die Eigenschaften solcher Elektrodensysteme werden bekanntlich durch das Vorhandensein
einer Wasser- oder Wasserdampfmenge, die an gewisse Grenzen gebunden ist, günstig beeinflußt
(s. beispielsweise den Aufsatz von Wahl und Kleimack, »Proceedings of the Institute of
Radio Engineer«, 35. Jahrgang, April 1956, S. 494 bis 502).
In der Praxis ist es jedoch schwierig, die richtige Wasserdampfmenge zuzusetzen, und deshalb enthielten
bisher solche Systeme meist gar keinen Wasserdampf oder wurden mit einem Trocknungsmittel versehen,
das den Wasserdampf nach Abschluß der Hülle beseitigte.
Mit dem vorliegenden Verfahren ist es möglich, auf einfache Weise eine innerhalb verhältnismäßig enger
Grenzen zu haltende Wassermenge in die Hülle eines Elektrodensystems mit einem halbleitenden Körper
einzubringen. Dies wird gemäß der Erfindung dadurch erreicht, daß die Elektrodensysteme, nachdem sie eine
gewisse Zeit in einem trockenen Raum bei konstanter Temperatur aufbewahrt worden sind, in einen zweiten
Raum mit höherer konstanter Temperatur und konstanter Feuchtigkeit gebracht und dort mittels ihrer
Hülle gegen die Umgebung abgeschlossen werden.
Die Temperatur im ersten, trockenen Raum liegt vorzugsweise unterhalb des Gefrierpunktes, beispielsweise
bei — 20° C, wodurch die Feuchtigkeit sehr niedrig wird.
Bei der Anwendung des vorliegenden Verfahrens schlägt sich, sobald die Elektrodensysteme in den
zweiten Raum eingebracht worden sind, auf ihnen eine gewisse Wassermenge nieder, die von der Wärmekapazität
der Systeme, den Temperaturen der beiden Räume und der Feuchtigkeit im zweiten Raum abhängig
ist.
Selbstverständlich soll das Abschließen der Hülle im zweiten Raum verhältnismäßig rasch nach dem
Augenblick erfolgen, in dem die Elektrodensysteme in diesen Raum hineingebracht werden, um zu verhüten,
daß der anfangs kondensierte Dampf in erheblichem Maße wieder verdampft.
Die Erfindung wird an Hand eines in einer schematischen Zeichnung erläuterten Ausführungsbeispiels
nachstehend näher erläutert.
Fig. 1 stellt eine Vorrichtung zur Durchführung des vorliegenden Verfahrens dar;
Fig. 2 ist eine Ansicht der Teile eines Transistors vor der Anwendung des Verfahrens.
Verfahren zum Herstellen
von Elektrodensystemen
mit einem halbleitenden Körper
von Elektrodensystemen
mit einem halbleitenden Körper
Anmelder:
N. V. Philips' Gloeilampenfabrieken,
Eindhoven (Niederlande)
Eindhoven (Niederlande)
Vertreter: Dr. rer. nat. P. Roßbach, Patentanwalt,
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Hamburg 1, Mönckebergstr. 7
Beanspruchte Priorität:
Niederlande vom 8. April 1957
Niederlande vom 8. April 1957
Hedwig Sandmeijer1 Zürich (Schweiz),
ist als Erfinder genannt worden
ist als Erfinder genannt worden
Die Vorrichtung besteht aus zwei aneinander angrenzenden Räumen 1 und 2, die durch eine Wand 3
voneinander getrennt sind. Sie sind mit nicht dargestellten Öffnungen, sogenannten Armlöchern, versehen,
die es dem Bedienungspersonal ermöglichen, innerhalb der Räume zu manipulieren, ohne daß die
Temperatur oder die Feuchtigkeit in diesen Räumen in erheblichem Maße beeinflußt wird.
Im Raum 1 wird eine konstante Temperatur von beispielsweise — 20° C aufrechterhalten, und in diesem
Raum werden Elektrodensysteme aufbewahrt. Als Beispiel eines solchen Systems zeigt Fig. 2 ein Transistorelektrodensystem,
das aus einem isolierenden Boden 10, drei Durchführungsleitern 11 und einem
halbleitenden Kristall 12 mit Elektroden besteht.
Im Raum 2 herrscht eine Temperatur von + 20° C bei einer relativen Feuchtigkeit von 20°/o. Wenn im
ersten Raum Gleichgewicht herrscht, wird ein Elektrodensystem durch eine nicht dargestellte verschließbare
Öffnung in der Wand 3 aus dem ersten in den zweiten Raum gebracht und mit einer Kappe 13 versehen,
die bereits im Raum 2 aufbewahrt wurde. Der Boden 10 und die Kappe 13 werden vorzugsweise gemäß
einem derartigen Verfahren vakuumdicht miteinander verbunden, daß sich keine solche Temperaturerhöhung
ergibt, auf Grund welcher Wasserdampf aus dem Innern entweichen könnte. Zu diesem Zweck
können die Teile mit einem aus Äthoxylinharz bestehenden erhärtenden Kitt zu einem einheitlichen
809· 769/453
Claims (3)
- Ganzen vereinigt oder beispielsweise durch Kaltschweißen miteinander verbunden werden.Patentansprüche:
1. Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Körper, die mit einer vakuumdichten Hülle versehen sind, beispielsweise Transistoren oder Kristalldioden, die eine Wasser- oder Wasserdampfmenge enthalten, dadurch gekennzeichnet, daß die Elektrodensysteme, nachdem sie eine gewisse Zeit in einem trockenen Raum bei konstanter Temperatur aufbewahrt worden sind, in einen zweiten Raum mithöherer konstanter Temperatur und konstanter Feuchtigkeit eingebracht und dort mittels ihrer Hülle gegen die Umgebung abgeschlossen werden. - 2. Verfahren nach Anspruch 1, dadurch gekennzeichnet, daß die Temperatur im ersten Raum unter dem Gefrierpunkt (0° C) liegt.
- 3. Vorrichtung zum Durchführen des Verfahrens nach Anspruch 1 oder 2, dadurch gekennzeichnet, daß sie aus zwei durch eine Wand getrennten Räumen besteht und daß die Atmosphäre im ersten Raum eine konstante niedrigere Temperatur und eine konstante niedrigere Feuchtigkeit als der zweite Raum aufweist.Hierzu IBlatt Zeichnungen© 809 769/453 3.59
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
NL358867X | 1957-04-08 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
DE1052574B true DE1052574B (de) | 1959-03-12 |
Family
ID=19785325
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
DEN14907A Pending DE1052574B (de) | 1957-04-08 | 1958-04-05 | Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
CH (1) | CH358867A (de) |
DE (1) | DE1052574B (de) |
FR (1) | FR1194289A (de) |
GB (1) | GB876744A (de) |
NL (2) | NL107368C (de) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1192323B (de) * | 1960-11-02 | 1965-05-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
-
0
- FR FR1194289D patent/FR1194289A/fr not_active Expired
- NL NL216173D patent/NL216173A/xx unknown
- NL NL107368D patent/NL107368C/xx active
-
1958
- 1958-04-03 GB GB10858/58A patent/GB876744A/en not_active Expired
- 1958-04-05 CH CH358867D patent/CH358867A/de unknown
- 1958-04-05 DE DEN14907A patent/DE1052574B/de active Pending
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE1192323B (de) * | 1960-11-02 | 1965-05-06 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen von Schweissstellen zwischen den Teilen eines ein Halbleiterelement gasdicht einschliessenden Gehaeuses und Anordnungen zur Durchfuehrung dieses Verfahrens |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CH358867A (de) | 1961-12-15 |
NL216173A (de) | 1900-01-01 |
GB876744A (en) | 1961-09-06 |
FR1194289A (de) | 1959-11-09 |
NL107368C (de) | 1900-01-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
DE840418C (de) | Verfahren zum Herstellen Stoerstellen enthaltender Halbleiter, insbesondere fuer Trockengleichrichter | |
Dahlberg | Zur Theorie des Begriffs (Towards a theory of the concept) | |
CH551954A (de) | Verfahren zur herstellung von mindestens eine perfluoralkylsulfonylgruppe aufweisenden metallorganischen verbindungen und deren verwendung. | |
DE1052574B (de) | Verfahren zum Herstellen von Elektrodensystemen mit einem halbleitenden Koerper | |
DE898479C (de) | Elektrischer Kondensator mit einem Dielektrikum aus auf einem Belegungsmetall aufgewachsenen Umsetzungsprodukten | |
DE1813371C3 (de) | Verfahren zur Herstellung eines mit Rizinusöl imprägnierten elektrischen Kondensators | |
DE441862C (de) | Verfahren zum Trocknen von Sammlerplatten | |
DE485600C (de) | Parfuemverdunster | |
AT243243B (de) | Verfahren zur Herstellung von Oximen cycloaliphatischer Ketone mit mindestens 12 Kohlenstoffatomen | |
DE934294C (de) | Verfahren zur Befestigung von Kontaktelementen in quellbaren elektrischen Isolierstoffen, insbesondere Polystyrol | |
Köhler | Gestalt psychology today. | |
Waldmeier | Die Randverdunkelung der radiofrequenten Sonnenstrahlung bei &lambda= 10. 7 cm. Mit 3 Textabbildungen | |
DE911298C (de) | Verfahren zur Herstellung eines elektrischen Kondensators, der aus Metallbelegungen und zwischen diesen angeordneten Trennschichten besteht | |
Mitter | Zur Zweipunktfunktion in nichtlinearen Spinortheorien | |
DE815024C (de) | Verfahren zur Behandlung von Tabak und anderem Gut mit Dampf im Vakuum | |
DE1778456A1 (de) | Verfahren und Vorrichtung zum Gefriertrocknen | |
DE676973C (de) | Roehrengleichrichter, dessen Anode im Gebiet der Entladung aus zwei einander gegenueberstehenden parallelen Platten besteht, zwischen denen die Kathode angeordnet ist | |
DE1792050A1 (de) | Verfahren zur Herstellung eines Mittels zur Bekaempfung von Geschwulstkrankheiten | |
DE1077789B (de) | Kuehleinrichtung fuer ein in einem Behaelter eingeschlossenes scheibenfoermiges Halbleiterelement mit mindestens einem pn-UEbergang | |
DE1446197A1 (de) | Blende zur Begrenzung von unter vermindertem Druck zu bedampfenden Flaechen | |
DEP0038601DA (de) | Verfahren zum Herstellen von Selengleichrichtern | |
Heller et al. | Wahrscheinlichkeitsrechnung | |
DE1801285U (de) | Eingebettete induktorspule. | |
DE1933236B2 (de) | Verfahren zur herstellung von roehren fuer rohrfoermige elektronenvervielfacher | |
Schempp | Gruppentheoretische Aspekte der Quadratur und Kubatur |